CN112779522B - 镀膜装置及镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种镀膜装置及镀膜方法。镀膜装置包括载板以及辅助部件，载板上开设有凹槽，辅助部件位于凹槽内，辅助部件与凹槽的内壁之间形成一用于放置基片的镀膜空间，且镀膜空间与基片的形状相适配。镀膜方法包括将基片放置在镀膜装置内以及将镀膜装置送入PECVD机台。上述镀膜装置，完整基片在镀膜时的边沿色差有所改善，而且非标准基片在镀膜时的边沿色差也有所改善，只需通过设置在凹槽内的辅助部件，由于辅助部件与凹槽的内壁之间形成合适的镀膜空间，如此，淀积氮化硅的边沿效益只会出现在辅助部件上，而不会影响基片，从而避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到基片表面的影响，有效改善在镀膜过程中边沿色差的问题。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种镀膜装置及镀膜方法。
背景技术
PECVD(等离子体增强化学气相淀积)是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而被称为等离子体增强化学气相淀积。采用PECVD方法进行镀膜，基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较小、不易龟裂。
在太阳能电池的生产过程中，通过PECVD工序在基片表面镀膜是重要的工序之一，这层膜可以降低电池对太阳光的反射，提高电池对太阳能能量的吸收。镀膜时，将基片放置在特制的镀膜装置上后再送入PECVD机台，并使用氮化硅气体对基片表面进行镀膜。在镀膜过程中，氮化硅容易发生堆积造成沉积的不均匀，从而导致基片边沿与中间存在色差。现有的镀膜装置及镀膜方法虽然对完整基片在镀膜过程中边沿色差有所改善，然而在工艺生产中还有许多非标准基片，这些非标准基片在镀膜时依然存在边沿色差严重，影响基片外观，降低基片良率。
发明内容
本发明的主要目的是：提供一种镀膜装置及镀膜方法，旨在解决非标准基片在镀膜时依然存在边沿色差严重，影响基片外观，降低基片良率的问题。
为了实现上述技术问题，本发明提供了一种镀膜装置，镀膜装置包括载板以及辅助部件，所述载板上开设有凹槽，所述辅助部件位于所述凹槽内，所述辅助部件与所述凹槽的内壁之间形成一用于放置基片的镀膜空间，且所述镀膜空间与所述基片的形状相适配。
可选地，所述镀膜装置包括多个长度不等的所述辅助部件，根据所述基片不同的形状选择不同的所述辅助部件设置在所述凹槽内。
可选地，所述辅助部件呈长条形。
可选地，所述辅助部件为硅片。
可选地，每一所述辅助部件的宽度相同，且每一所述辅助部件的厚度相同。
可选地，所述辅助部件的宽度为500-1000微米；
所述辅助部件的厚度为340-360微米。
另外，本发明还提供了一种镀膜方法，镀膜方法包括将基片放置在如上述任意一项所述的镀膜装置内；以及将所述镀膜装置送入PECVD机台。
可选地，所述将基片放置在所述镀膜装置内包括将所述基片放置在所述载板上开设的所述凹槽内以及通过所述辅助部件与所述凹槽的内壁将所述基片包围。
可选地，所述通过所述辅助部件与所述凹槽的内壁将所述基片包围包括以所述凹槽的部分内壁作为放置所述基片的基准，所述辅助部件配合所述凹槽的内壁，对所述基片进行包围。
可选地，在所述通过所述辅助部件与所述凹槽的内壁将所述基片包围之前，根据所述基片不同的形状选择不同的所述辅助部件。
本发明的有益效果为：上述镀膜装置，包括载板以及辅助部件，载板上开设有凹槽，凹槽用于放置基片，辅助部件位于凹槽内，并与凹槽的内壁之间形成一与基片的形状相适配的镀膜空间。该镀膜装置，不仅完整基片在镀膜时的边沿色差有所改善，而且非标准基片在镀膜时的边沿色差也有所改善，只需通过设置在凹槽内的辅助部件，由于辅助部件与凹槽的内壁之间形成合适的镀膜空间，如此，淀积氮化硅的边沿效益只会出现在辅助部件上，而不会影响基片，从而避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到基片表面的影响，有效改善在镀膜过程中边沿色差的问题。
上述镀膜方法，将基片放置在镀膜装置的镀膜空间内，由于镀膜空间与基片的形状相适配，对于非标准基片，避免了某部分因与凹槽的内壁之间存在较大的间隙，造成氮化硅的堆积对等离子场淀积到基片表面的影响，有效改善在镀膜过程中的边沿色差，提高基片良率，最后再将整个镀膜装置送入PECVD机台进行镀膜即可。
附图说明
本发明上述和/或附加方面的优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是非标准基片放置在本发明的镀膜装置的主视图；
图2是图1中非标准基片放置在镀膜装置的俯视图。
其中图1和图2中附图标记与部件名称之间的对应关系为：
100、镀膜装置；
10、载板；11、凹槽；
20、辅助部件；
200、非标准基片。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连通”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连通，也可以通过中间媒介间接连通，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本发明一实施例提供一种可改善非标准基片200在镀膜时的边沿色差，使得非标准基片200外观更加美观，提高非标准基片200良率的镀膜装置100，其中，该镀膜装置100是用于板式PECVD镀膜。如图1及图2所示，镀膜装置100包括载板10以及辅助部件20，载板10上开设有凹槽11，辅助部件20位于凹槽11内，辅助部件20与凹槽11的内壁之间形成一用于放置非标准基片200的镀膜空间，且镀膜空间与非标准基片200的形状相适配。
上述镀膜装置100，包括载板10以及辅助部件20，载板10上开设有凹槽11，凹槽11用于放置非标准基片200，辅助部件20位于凹槽11内，并与凹槽11的内壁之间形成一与非标准基片200的形状相适配的镀膜空间。该镀膜装置100，非标准基片200在镀膜时的边沿色差有所改善，只需通过设置在凹槽11内的辅助部件20，由于辅助部件20与凹槽11的内壁之间形成合适的镀膜空间，如此，淀积氮化硅的边沿效益只会出现在辅助部件20上，而不会影响非标准基片200，从而避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到非标准基片200表面的影响，有效改善在镀膜过程中边沿色差的问题。
需要说明的是，PECVD即等离子体增强化学气相淀积是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而被称为等离子体增强化学气相淀积。采用PECVD方法进行镀膜，基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较小、不易龟裂。在太阳能电池的生产过程中，通过PECVD工序在基片表面镀膜是重要的工序之一，这层膜可以降低电池对太阳光的反射，提高电池对太阳能能量的吸收，其中，基片是作为芯片的基底材料，通常为硅片，且多为圆形。现有的板式PECVD镀膜装置的凹槽形状通常是固定的，一般为圆形，对于完整基片是适用的，可改善边沿色差；然而，对于工艺生产中非标准基片200，如因实验或人为损伤造成的残缺基片，由于这些非标准基片200放入凹槽11内时，部分邻近凹槽11的内壁边沿色差可减小，部分因残缺与凹槽11的内壁之间存在较大的间隙，边沿色差依然严重，从而造成非标准基片200该边沿区域与中间区域存在色差，影响非标准基片200外观、降低非标准基片200良率。而本实施例通过设置辅助部件20，辅助部件20起到了凹槽11的内壁的作用，减小了在镀膜过程中非标准基片200残缺部分与镀膜装置100边沿之间的间隙，从而改善边沿色差。
在本实施例中，凹槽11的部分内壁作为放置非标准基片200的基准，辅助部件20根据非标准基片200设置在凹槽11内。镀膜时，可先将非标准基片200完整部分以凹槽11的部分内壁作为基准放置在凹槽11内，对于非标准基片200残缺部分，可通过设置辅助部件20进行包围，辅助部件20起到凹槽11内壁的作用，进而与凹槽11的内壁形成一与该非标准基片200的形状和大小相适配的不规则的镀膜空间，如此，镀膜过程中的淀积氮化硅的边沿效益只会出现在辅助部件20上，而不会影响非标准基片200，有效解决了非标准基片200的边沿色差问题。由于该镀膜装置100借助凹槽11的部分内壁作为定位非标准基片200完整部分的基准，结构简单、便于非标准基片200的定位，然后对非标准基片200残缺部分使用辅助部件20进行包围即可。当然，在其他实施例中，也可以不借助凹槽11的内壁，完全通过辅助部件20将整个非标准基片200包围。
在本实施例中，镀膜装置100包括多个长度不等的辅助部件20，根据非标准基片200不同的形状选择不同的辅助部件20设置在凹槽11内。由于非标准基片200的形状和大小不一定完全相同，而凹槽11的形状和大小是固定的，当将不同的非标准基片200以凹槽11的部分内壁作为基准放置在凹槽11内时，可根据非标准基片200不同的形状和大小选择不同长度的辅助部件20包围残缺部分，辅助部件20起到凹槽11内壁的作用，有效改善边沿色差。该镀膜装置100可满足多种形状和大小不同的非标准基片200的镀膜需求，具体可根据非标准基片200的实际情况选择不同长度的辅助部件20，改善不同非标准基片200边沿色差问题。
在本实施例中，辅助部件20呈长条形。由于辅助部件20呈长条形，在将辅助部件20放置在凹槽11内时，辅助部件20可以更佳的起到凹槽11内壁的作用，使得辅助部件20与凹槽11的内壁形成一与非标准基片200完全相适配的镀膜空间，保证镀膜效果，并且呈长条形的辅助部件20结构简单、易于生产加工。当然，在其他实施例中，对辅助部件20的形状不作具体限定。
进一步地，在本实施例中，辅助部件20为硅片。即本实施例中的辅助部件20与非标准基片200采用同种材质，进一步保证淀积氮化硅的边沿效益只会出现在辅助部件20上，而不会影响非标准基片200。
在本实施例中，每一辅助部件20的宽度相同，且每一辅助部件20的厚度相同。对于不同形状和大小的非标准基片200，均采用同种宽度、同种厚度、仅长度不同的辅助部件20，不仅可以使得辅助部件20与凹槽11的内壁起到良好的包围效果，而且避免因辅助部件20的宽度和厚度影响不同非标准基片200的边沿色差改善效果。
进一步地，在本实施例中，辅助部件20的宽度为500-1000微米，辅助部件20的厚度为340-360微米。当辅助部件20的宽度和厚度分别位于此范围内时，镀膜过程中的边沿色差改善效果最佳，整个非标准基片200看起来更加美观，非标准基片200良率较高。
此外，在本实施例中，凹槽11的内壁及辅助部件20均与非标准基片200之间留有间隙。如此，便于对非标准基片200的边沿进行镀膜，且凹槽11的内壁及辅助部件20与非标准基片200之间均只需留有较小的可供镀膜的间隙即可。
另外，本发明另一实施例还提供一种可对非标准基片200在镀膜时改善边沿色差，使得非标准基片200外观更加美观，提高非标准基片200良率的镀膜方法，其中，该镀膜方法是用于板式PECVD镀膜。镀膜方法包括将非标准基片200放置在镀膜装置100内以及将镀膜装置100送入PECVD机台。
上述镀膜方法，将非标准基片200放置在镀膜装置100的镀膜空间内，由于镀膜空间与非标准基片200的形状相适配，对于非标准基片200，避免了残缺部分与凹槽11的内壁之间存在较大的间隙，造成氮化硅的堆积对等离子场淀积到非标准基片200表面的影响，有效改善在镀膜过程中的边沿色差，提高非标准基片200良率，最后再将整个镀膜装置100送入PECVD机台进行镀膜即可。
在本实施例中，将非标准基片200放置在镀膜装置100内包括将非标准基片200放置在载板10上开设的凹槽11内以及通过辅助部件20与凹槽11的内壁将非标准基片200包围。即将非标准基片200放置在凹槽11内时，辅助部件20与凹槽11的内壁之间形成合适的镀膜空间，避免影响非标准基片200。
进一步地，在本实施例中，通过辅助部件20与凹槽11的内壁将非标准基片200包围包括以凹槽11的部分内壁作为放置非标准基片200的基准，辅助部件20配合凹槽11的内壁，对非标准基片200进行包围。镀膜时，将非标准基片200完整部分以凹槽11的部分内壁作为基准放置在凹槽11内，然后辅助部件20起到凹槽11内壁的作用，且辅助部件20与凹槽11的内壁形成的镀膜空间与非标准基片200相适配，从而便于非标准基片200的定位放置。
在本实施例中，在通过辅助部件20与凹槽11的内壁将非标准基片200包围之前，根据非标准基片200不同的形状选择不同的辅助部件20。镀膜时，对于放置在凹槽11内的非标准基片200，根据其不同的形状和大小选择不同长度的辅助部件20包围残缺部分，使得不同辅助部件20与凹槽11的内壁形成的不同镀膜空间可以与不同非标准基片200相适配。在镀膜前先根据不同非标准基片200选择不同长度的辅助部件20，对于不同非标准基片200边沿色差问题，可通过不同的辅助部件20包围得以解决，从而满足不同非标准基片200的镀膜需求。
进一步地，在本实施例中，在根据非标准基片200不同的形状选择不同的辅助部件20之前，划切形成多个长度不等的辅助部件20。具体地，在本实施例中，将厚度为340-360微米的完整硅片划切形成宽度为500-1000微米的长度不等的并呈长条形的辅助部件20。如此，在镀膜过程中，可根据非标准基片200在凹槽11内的实际情况，选择合适长度的辅助部件20放置在凹槽11内，辅助部件20起到凹槽11内壁的作用，使得淀积氮化硅的边沿效益出现在辅助部件20上，防止非标准基片200边沿区域与中间区域存在色差。
此外，本实施例中的镀膜装置100和镀膜方法对标准基片同样适用，可有效改善边沿色差问题。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种镀膜装置，其特征在于，包括：
载板，所述载板上开设有凹槽，所述凹槽呈圆形；以及
辅助部件，位于所述凹槽内，所述辅助部件与所述凹槽的内壁之间形成一用于放置基片的镀膜空间，且所述镀膜空间与所述基片的形状相适配，所述镀膜装置包括多个长度不等的所述辅助部件，根据所述基片不同的形状选择不同的所述辅助部件设置在所述凹槽内，所述辅助部件呈长条形，所述辅助部件为硅片，每一所述辅助部件的宽度相同，且每一所述辅助部件的厚度相同，所述辅助部件的宽度为500-1000微米，所述辅助部件的厚度为340-360微米。
2.一种镀膜方法，其特征在于，包括：
将基片放置在如权利要求1所述的镀膜装置内；以及
将所述镀膜装置送入PECVD机台。
3.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述将基片放置在所述镀膜装置内包括：
将所述基片放置在所述载板上开设的所述凹槽内；以及
通过所述辅助部件与所述凹槽的内壁将所述基片包围。
4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述通过所述辅助部件与所述凹槽的内壁将所述基片包围包括：
以所述凹槽的部分内壁作为放置所述基片的基准，所述辅助部件配合所述凹槽的内壁，对所述基片进行包围。
5.根据权利要求3或4所述的镀膜方法，其特征在于：在所述通过所述辅助部件与所述凹槽的内壁将所述基片包围之前：
根据所述基片不同的形状选择不同的所述辅助部。
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