CN101859801B - 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列 - Google Patents

薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列 Download PDF

Info

Publication number
CN101859801B
CN101859801B CN2010101987101A CN201010198710A CN101859801B CN 101859801 B CN101859801 B CN 101859801B CN 2010101987101 A CN2010101987101 A CN 2010101987101A CN 201010198710 A CN201010198710 A CN 201010198710A CN 101859801 B CN101859801 B CN 101859801B
Authority
CN
China
Prior art keywords
feed
electrode plate
plate
assembly
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010101987101A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101859801A (zh
Inventor
李志坚
李毅
何祝兵
胡盛明
王春柱
周建华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd filed Critical Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Priority to CN2010101987101A priority Critical patent/CN101859801B/zh
Publication of CN101859801A publication Critical patent/CN101859801A/zh
Priority to PCT/CN2010/001655 priority patent/WO2011153671A1/zh
Priority to JP2013513507A priority patent/JP2013531373A/ja
Priority to US13/698,747 priority patent/US8525417B2/en
Priority to EP10852664.1A priority patent/EP2581948B1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN101859801B publication Critical patent/CN101859801B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池沉积室用放电电极板阵列，属于太阳能电池技术领域。放电电极板阵列其特征在于信号馈入组件的端面是矩形，腰部呈扁平状对应带屏蔽罩的阴极板背面中心区域内下凹矩形面内馈入口以面接触连接馈入电源信号放电。电极板阵列至少一组阴极板和一块阳极板，两块阴极板共用一块阴极板。效果在于以电极板中心面馈入，克服了一点或多点馈入因馈线距离造成的损耗。以射频/甚高频功率电源驱动可获得均匀电场大面积稳定放电，有效的消除驻波和趋肤效应，使产率提高，成本降低。

Description

薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
技术领域
本发明公开一种太阳能电池技术，确切的说一种由甚高频电源(27.12MHz～100MHz)驱动的硅基薄膜太阳能电池沉积室用放电电极板阵列。
背景技术
目前，硅基薄膜太阳能电池，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)获取单结或多结的光电转换P-I-N膜层，在薄膜太阳能电池制造行业通用这种射频电容耦合平行电极板反应室。由电极板组件构成电极板阵列在反应室内进行等离子体化学气相沉积。射频电容耦合平行板电极反应室广泛应用于非晶硅、非晶硅锗、碳化硅、氮化硅、氧化硅等材料薄膜的大面积沉积。行业内通常把具有支撑框架的电极称为“夹具”，将该装置安装在腔室内进行等离子体化学气相沉积的装置又称为“沉积盒”。硅基薄膜太阳能电池是太阳能行业的一个重要分支，所采用的平行电极板容性放电模式是太阳能电池行业的核心技术之一。13.56MHz射频广泛应用于非晶硅基薄膜材料的高速制备，生产效率高、工艺成本低。随着太阳能市场对硅基薄膜技术要求不断提高，微晶、纳米晶硅基薄膜材料受到行业高度关注。但是在微晶工艺环境下，13.56MHz射频波衍生的等离子体浓度小，沉积速率低，沉积足够厚度薄膜所需时间长，背景污染大，从而制备出的薄膜杂质含量高，光电学性能差，严重影响产品品质性能。如何高速沉积成为晶化硅基薄膜技术能够成功服务于产业的关键。
甚高频指频率为13.56MHz的两倍或者更高倍的合法射频。在行业内，应用较多的甚高频一般为27.12～200MHz的范围。然而，在容性放电模式中，甚高频引发的驻波效应和趋肤效应非常明显，而且随着驱动频率的增加而增强。美国加州大学Berkeley分校的M.A.Lieberman教授对这两种效应做了深入研究。研究结果表明，甚高频PECVD沉积均匀薄膜的临界条件在于激发频率的自由空间波长(λ0)远大于容性放电电极板腔室尺寸因子(X)，趋肤深度(δ)远大于容厚因子(ηo)以放电面积1m2为例，60MHz的激发频率下，λ0≈X，δ≈η。因此在此激发频率下，趋肤和驻波效应非常明显，导致1m2电极板上放电极不均匀。所以如何实现甚高频驱动的均匀大面积放电是晶化硅基薄膜技术亟待解决的技术难题之一，这引起了行业的极大兴趣。2003年，美国专利2003/0150562A1公开了平板电容耦合放电中利用磁镜改善甚高频造成的电场不均匀性。中国专利200710150227.4，200710150228.9，200710150229.3，公开了甚高频电极的三种设计，通过甚高频信号的不同馈入形式，获得均匀电场。但现存在的问题是：1)VHF-PECVD反应室电极设计结构复杂；2)仍需要继续改进的理由是生产中要对反应室及电极经常装卸和不断的清洗，都会造成异形电极变形；3)现有专利中的多点馈入结构接触面积较小，要求各个馈入点路径对称，馈入点之间的连接导体与阴极板之间不能有接触，准确的说连接导体需要与阴极板之间隔离屏蔽才能实现有效放电。这些结构设计的实际要求比较苛刻，决定放电均匀程度的因素太多，而且不能满足生产中拆洗等实际需求。因此在行业设备中，单点馈入为主流结构设计，但是由于驻波和趋肤效应，单点馈入结构不能满足馈入高频频率提升的要求。为此，需要对现有沉积夹具及电极朝实用性方面作进一步开发和改进，面对当前市场需求，使质量提高，成本降低。同时，对于处理或沉积多片玻璃的CVD夹具体系，也是一个发展趋势。因此，对于能满足大批量生产，采用有效甚高频馈入模式的工业化产品开发和设计，对产业发展具有重要的实际意义。
发明内容
本发明目的旨在解决甚高频电源驱动的放电不均匀性问题，而提供一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD沉积室使用一种全新概念设计的电极板组件构成的电极板阵列，以适用于产业化的大面积VHF-PECVD电极板多片阵列。
本发明为实现以上任务提出的技术解决方案包括：电极板组件、信号馈入组件，其特征在于还包括由带屏蔽罩的电极板组件和信号馈入组件构成的电极板阵列，该电极板阵列至少一组阴极板和一块阳极板，两个信号馈入组件，分别对应一组阴极板的两个工作面以面接触连接馈入口，馈入射频/甚高频功率电源信号。馈入口位于具有屏蔽罩的阴极板背面的中心区域下凹的矩形平面内。信号馈入组件由铜质馈入芯带和外表屏蔽层构成Z字形条状馈入带，其一个端面呈矩形。
解决方案的电极板阵列包括阳极板、阴极板及阴极屏蔽罩和馈入口配套的信号馈入组件，本发明所说的一块阳极板有两个工作面，其两个面分别朝向对称放置的两个阴极板的有效工作面放电。信号馈入组件由铜质馈入芯带和外表屏蔽层构成Z字形条状的信号馈入带，该信号馈入组件的导电端面呈矩形。电极板阵列可以是由多套信号馈入组件配套于带屏蔽罩的阴极板与少于阴极板一半的接地阳极板，构成具有一定放电间距的电极板阵列。
方案的单面放电的阴极板，在其非工作面上有陶瓷绝缘层、屏蔽层构成的屏蔽罩覆盖整个阴极板背面和侧面，及射频/甚高频功率电源信号馈入至阴极板背面的中心位置及四周侧面的屏蔽。
所说的信号馈入组件其中一端面呈矩形接馈入口，另一端接包括射频/甚高频功率电源信号在内的阴极输出口和功率电源匹配器。
解决方案的信号馈入方法，由电极板组件、信号馈入组件构成的电极板阵列以面馈入信号模式，其特征在于由信号馈入组件一端面呈矩形以面接触连接馈入口位于对应电极板阵列中的电极板组件，馈入射频/甚高频功率电源信号。所说的电极板组件馈入口，它位于具有屏蔽罩的阴极板背面的中心区域的下凹矩形内。
解决方案所说电极板阵列是指由多套信号馈入组件和配套的电极板组件以面馈入方式将射频/甚高频功率电源信号馈入到电极板馈入口，形成具有一定放电间距的电极板阵列。信号馈入组件是呈Z字形的金属带，其一头端面呈矩形，外壳屏蔽绝缘，其内有耐高温陶瓷绝缘层和金属馈入芯，该馈入芯是一甚高频馈线。
本发明所产生的积极有益效果是，区别于插槽式阴极板侧面馈入方式，本发明能够获得更高均匀度和更大放电面积的稳定放电，接入电容小，实际放电功率大，电极板阵列之间射频干扰小。也区别于单室沉积系统的阴极板中心点式馈入，接入电容小、驻波和趋肤效应小，可集成阵列式多室沉积，极大提高生产效率。因此，通过优化甚高频电源馈入形式、电极板的结构，解决射频/甚高频大面积放电均匀性问题，也是晶化硅基薄膜高速高效制备技术的前提。本发明适用于任何功率、27.12MHz～200MHz区间任何法定频率的甚高频电源的大面积均匀放电。这种结构能够适用于多片沉积系统，大大提高产率和降低了电池成本。该发明突破常规电极设计技术的限制，有效的消除了甚高频引发的驻波和趋肤效应，达到适用于均匀放电的工业化应用水平。
附图说明
图1、是本发明电极板阵列示意图及实施例1图。
图2、图1中信号馈入组件201结构示意图。
图3、图1中203阴极板结构示意图。
图4、图1中204阴极板屏蔽罩结构示意图。
图5、是本发明实施例2的示意图。
图6、是本发明实施例3的示意图。
图7、实施案例中膜厚测试取样点分布图。
图8、是本发明实施例2中，4个不同电极玻璃在电极板中沉积的微晶硅薄膜厚度分布。
图9、是本发明实施例2中典型的微晶硅拉曼谱。
图10、是本发明实施例3中，24片不同电极玻璃在夹具中沉积的微晶硅薄膜厚度分布。
以下结合附图进一步说明本发明内容：
图1-4中，电极板组件包括阴极板203和阴极板屏蔽罩204之间有绝缘条207，阴极板屏蔽罩204和阳极板208接地。Z字形馈入组件201包括腰部带有外壳绝缘屏蔽层202和矩形端面201-1与位于具有屏蔽罩204的阴极板203背面中心区域内下凹的矩形面馈入口203-1对应，其腰部扁平便于安装，信号馈入损耗少。电极板阵列在真空室01内放电，将P-I-N膜层沉积在基片206上。真空室01上气体系统接入口101，电源系统接入口102，真空室活动门，真空系统接入口105。
本发明的电极板阵列，以面馈入模式实现了以上提出的发明任务。克服了现有多点馈入对晶化硅基薄膜VHF-PECVD沉积技术难以克服的诸多问题，如反应室电极结构复杂；电极易变形、接触面积较小；各馈入点之间路径距离要求完全对称以及完全屏蔽等。而本发明的面馈入设计不存在这些问题，解决了能够获取均匀电场大面积腔室放电。尤其高效利用阳极板双工作面，对于处理或沉积多片玻璃基片的CVD电极板阵列体系，采用有效甚高频面馈入模式，取得了工业化生产可操作工艺，能够满足硅基薄膜太阳能电池大批量生产的需要。
本发明贡献还在于基本解决了甚高频电源驱动的高速沉积膜层的均匀性和一致性问题。由阳极板208，阴极板203，阴极板屏蔽罩204，信号馈入组件201组成的电极阵列安装在真空室01内，阴极板203中心区域的馈入口203-1是矩形。配套使用的信号馈入组件201的馈入端面201-1矩形，馈入组件201呈Z字形，其腰部扁平便于安装，信号馈入损耗少。其一端面呈矩形与电极板面接触连接的馈入口构成电极板组件在接地装置的真空室内，均具有有绝缘屏蔽保护装置。
具体实施方式
实施例1：
结合图1-4说明本实施例工作原理。两个阴极板203共用一个阳极板208，组成两对电极，可同时镀膜四片基片206，依次可以构成阵列，以提高本发明阵列的工作效率，从而提高电池芯片产率。气相沉积系统主要由气相沉积室、气体系统、电源系统、真空系统、加热系统、控制系统等组成，气体系统主要是提供气相沉积的各种所需气体和气体管路，电源系统主要是提供沉积时所需要的电离成等离子体状态的射频或甚高频电源，真空系统主要是提供沉积时抽取真空状态用设备及管路，加热系统主要是给气相沉积室加热，控制系统主要是对沉积过程及参数进行控制，而气相沉积室是实现将气体沉积在基片206上并完成镀膜的装置。气相沉积室主要由真空室01、电极板阵列组成。真空室01用来实现真空状态，电极板阵列用来实现等离子放电，将P-I-N膜层沉积在基片206上。电极板阵列主要由阴极板203、阴极板屏蔽罩204、陶瓷绝缘层207、阳极板208、信号馈入组件201、外表绝缘屏蔽层202组成。真空室01上连接有接地金属导槽209，用来固定阳极板208、阴极板203、阴极屏蔽罩204，阳极板208直接插入金属导槽209内并与槽接触，并使阴极板屏蔽罩204与金属导槽209接触，阴极板203与阴极屏蔽罩204之间加装陶瓷绝缘层207使其不能接触。阳极板208和阴极屏蔽罩204通过与金属导槽209接触再与真空室01接触实现接地。在阴极板203背面中心区域下凹矩形面内有馈入口203-1，信号馈入组件201为一Z字形条状的信号馈入带，其信号馈入带的一个端面呈矩形与阴极板馈入口203-1面接触，将射频/甚高频功率电源信号馈入至阴极板203，阴极板屏蔽罩204覆盖整个阴极板背面和侧面，在阴极板屏蔽罩204中间相应于馈入口203-1位置开有孔204-1，使得信号馈入组件201从阴极板203引出时不与阴极板屏蔽罩204接触，信号馈入组件201上套有外表绝缘屏蔽层202，以防与阴极板屏蔽罩204接触。将基片206固定在电极板上，将电极板阵列置于真空室01中，通过真空系统先抽真空到理想状态，再进行通气沉积工艺，完成气相沉积镀膜。
实施例2：
阴极板馈入口为矩形，信号馈入组件腰部为扁平的馈入带，一端面为矩形面接触阴极板馈入口。
图5采用电极板阵列同实施例1。本实施例采用立式沉积室，两个阴极板203共用一个阳极板208，组成两对电极，可同时镀膜四片基片206。具体步骤如下：
a)将4块带有600nm厚透明导电膜的玻璃基片206(1640mm×707mm×3mm)放置于真空室01中的四个基片位置，膜面朝外，玻璃面朝电极板。
b)真空抽到5.0×10-4Pa之后，通入氩气，当腔内压力达到60Pa时，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电清洗真空室2分钟，关闭电源。
c)之后抽高真空至5.0×10-4Pa左右，用氩气清洗两次。
d)按照5slpm通入混和气(硅烷加氢气)，当腔内气压达到60Pa，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电，沉积微晶硅本征层40分钟。
e)关闭电源，抽高真空。
f)充入氮气至大气压，打开真空室炉门，在室温中冷却TCO玻璃。
镀膜过程结束之后在该玻璃上取样40个点(如图7所示)，检测各点膜厚。其中一块基片206上沉积的微晶硅膜厚测试结果如表1所示：
Figure BSA00000162358100081
四块玻璃板微晶硅薄膜厚度差异如图8所示。
其薄膜典型的微晶化程度如图9所示。
从以上数据可得出如下结论：采用这种馈入形式，可以实现40.68MHz甚高频电源的均匀电场，在1640mm×707mm(长×宽)的TCO玻璃上能够沉积膜厚不均匀度为5％左右的微晶硅薄膜，微晶度可调。
实施例3：
阴极板馈入口为矩形，信号馈入组件腰部为扁平的馈入带。一端面为矩形面接触阴极板馈入口。
图6采用电极板阵列同实施例1。本实施例为立式沉积室，由6个阳极板208与12个阴极板203组成12对电极，每两个阴极板203共用一个阳极板208形成两对电极，可同时镀膜24片基片206。
a)将24块带有600nm厚透明导电膜的玻璃基片206(1640mm×707mm×3mm)放置于真空室01中从左到右的24个基片位置，膜面朝外，玻璃面朝电极板。
b)真空抽到5.0×10-4Pa之后，通入氩气，当腔内压力达到60Pa时，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电清洗腔室2分钟，关闭电源。
c)之后抽高真空至5.0×10-4Pa左右，用氩气清洗两次。
d)按照5slpm通入混和气(硅烷加氢气)，当腔内气压达到60Pa，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电，沉积微晶硅本征层60分钟。
e)之后关闭电源，抽高真空。
f)充入氮气至大气压，打开真空室炉门，在室温中冷却TCO玻璃。
镀膜过程结束之后在该玻璃上取样40个点(如图7所示)，检测各点膜厚。其中一块基片206上沉积所得膜厚数据如表2所示。
Figure BSA00000162358100091
24块玻璃板微晶硅薄膜厚度差异如图10所示。
从以上数据可得出如下结论：采用这种馈入形式，可以实现40.68MHz甚高频电源的均匀电场，在1640mm×707mm(长×宽)的TCO玻璃上能够沉积膜厚不均匀度为4.8％左右的微晶硅薄膜。
以上结合附图对本发明的实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，尤其是馈入组件及阴极板的形状，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (13)

1.一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，包括电极板组件、信号馈入组件，其特征在于还包括由带屏蔽罩的电极板组件和信号馈入组件构成的电极板阵列，该电极板阵列包括至少一组阴极板和一块阳极板，至少一对信号馈入组件，其端面面接触连接电极板组件的馈入口，馈入射频/甚高频功率电源信号至电极板组件的每块阴极板背面的中心区域下凹面内的馈入口。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，其特征在于所说的一组阴极板和一块阳极板，是说两块阴极板对称放置，其有效工作面分别朝向对应的一块阳极板双面放电。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，其特征在于所说的信号馈入组件包括由铜质馈入芯带和外表屏蔽层构成Z字形条状的信号馈入带，其信号馈入带的一个端面呈矩形。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，其特征在于所说的电极板组件包括单面放电的阴极板、陶瓷绝缘层、屏蔽罩，所说的屏蔽罩覆盖整个阴极板背面和侧面。
5.根据权利要求1或2所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，其特征在于所说的电极板组件由阴极板屏蔽罩的阴极板背面及其上的馈入口与接地的阳极板构成，是具有一定间距的射频/甚高频信号的放电体。
6.根据权利要求5所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，其特征在于所说的阴极板屏蔽罩，还包括射频/甚高频功率电源信号馈入至阴极板背面的中心位置及四周侧面的屏蔽。
7.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，其特征在于所说的信号馈入组件的其中另一端接包括射频/甚高频功率电源信号在内的阴极输出口和功率电源匹配器。
8.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列，其特征在于所说电极板阵列可以是由多套信号馈入组件配套于带屏蔽罩的阴极板与少于阴极板一半的接地阳极板，构成具有一定放电间距的电极板阵列。
9.一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列的信号馈入方法，由电极板组件、信号馈入组件构成的面馈入电极板放电模式，其特征在于带屏蔽罩的电极板阵列放电，由至少一组阴极板和一块阳极板，至少一对信号馈入组件，以面接触连接电极板组件的馈入口，该馈入口位于具有屏蔽罩的阴极板背面的中心区域下凹面的矩形内，馈入射频/甚高频功率电源信号屏蔽放电。
10.根据权利要求9所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列的信号馈入方法，其特征在于所说电极板阵列由多套信号馈入组件与对应的电极板阵列以面馈入方式将射频/甚高频功率电源信号馈入至馈入口，形成具有一定放电间距的电极板阵列。
11.根据权利要求9所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列的信号馈入方法，特征在于所说信号馈入组件的一头端面呈矩形，以面馈入方式将射频/甚高频功率电源信号馈入至每块阴极板背面中心区域下凹面内的矩形馈入口。
12.根据权利要求9所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列的信号馈入方法，特征在于所说的信号馈入组件是一个呈Z字形的金属带，外壳屏蔽绝缘，该信号馈入组件内有陶瓷绝缘层和金属馈入芯，该馈入芯是一甚高频馈线。
13.根据权利要求11所述的一种薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列的信号馈入方法，特征在于所说的信号馈入带的另一端接包括射频/甚高频功率电源信号在内的阴极输出口和功率电源匹配器。
CN2010101987101A 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列 Expired - Fee Related CN101859801B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101987101A CN101859801B (zh) 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
PCT/CN2010/001655 WO2011153671A1 (zh) 2010-06-11 2010-10-21 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
JP2013513507A JP2013531373A (ja) 2010-06-11 2010-10-21 膜太陽電池堆積のための放電電極板アレイ
US13/698,747 US8525417B2 (en) 2010-06-11 2010-10-21 Discharge electrode array for thin-film solar cell deposition
EP10852664.1A EP2581948B1 (en) 2010-06-11 2010-10-21 Discharge electrode plate array for film solar cell disposition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101987101A CN101859801B (zh) 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101859801A CN101859801A (zh) 2010-10-13
CN101859801B true CN101859801B (zh) 2013-02-20

Family

ID=42945566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101987101A Expired - Fee Related CN101859801B (zh) 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8525417B2 (zh)
EP (1) EP2581948B1 (zh)
JP (1) JP2013531373A (zh)
CN (1) CN101859801B (zh)
WO (1) WO2011153671A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101882646B (zh) * 2010-06-11 2012-01-25 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积夹具
CN101857953B (zh) * 2010-06-11 2012-04-18 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
CN101880868B (zh) * 2010-06-11 2012-03-07 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
CN101882647B (zh) * 2010-06-11 2012-01-25 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池活动夹具
CN101859801B (zh) * 2010-06-11 2013-02-20 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159763A (en) * 1996-09-12 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming semiconductor thin film, and method and device for forming photovoltaic element
CN2937098Y (zh) * 2005-06-03 2007-08-22 北京汉纳源纳米科技有限公司 一种制备线型纳米碳管复合场发射源的装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5914633A (ja) * 1982-07-16 1984-01-25 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置
US4576830A (en) * 1984-11-05 1986-03-18 Chronar Corp. Deposition of materials
JP2608456B2 (ja) * 1988-05-06 1997-05-07 富士通株式会社 薄膜形成装置
JP3697110B2 (ja) * 1998-05-29 2005-09-21 三菱重工業株式会社 プラズマ化学蒸着装置
JP2001102518A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Sharp Corp 電力用半導体装置
JP4416140B2 (ja) * 2000-04-14 2010-02-17 日本インター株式会社 樹脂封止型半導体装置
TW511398B (en) 2000-09-12 2002-11-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method to control the uniformity of plasma by reducing radial loss
JP3886046B2 (ja) * 2002-12-18 2007-02-28 シャープ株式会社 プラズマｃｖｄ装置と、それを用いた成膜方法および半導体装置の製造方法
JP4623422B2 (ja) * 2005-03-17 2011-02-02 富士電機システムズ株式会社 プラズマ処理装置
JP4788504B2 (ja) * 2006-07-12 2011-10-05 富士電機株式会社 プラズマ処理装置の給電構造
JP5119830B2 (ja) * 2007-09-26 2013-01-16 富士電機株式会社 プラズマ装置
CN100567567C (zh) * 2007-11-19 2009-12-09 南开大学 可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室背馈入式平行板功率电极
JP5455405B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-26 日本碍子株式会社 シリコン系薄膜量産方法
WO2009148087A1 (ja) * 2008-06-06 2009-12-10 株式会社アルバック 薄膜太陽電池製造装置
CN101626049A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 福建钧石能源有限公司 薄膜太阳能电池的制造方法
CN101882647B (zh) * 2010-06-11 2012-01-25 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池活动夹具
CN101857953B (zh) * 2010-06-11 2012-04-18 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
CN101859801B (zh) * 2010-06-11 2013-02-20 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
CN101882646B (zh) * 2010-06-11 2012-01-25 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积夹具
CN101880868B (zh) * 2010-06-11 2012-03-07 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159763A (en) * 1996-09-12 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming semiconductor thin film, and method and device for forming photovoltaic element
CN2937098Y (zh) * 2005-06-03 2007-08-22 北京汉纳源纳米科技有限公司 一种制备线型纳米碳管复合场发射源的装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20130063018A1 (en) 2013-03-14
EP2581948A1 (en) 2013-04-17
US8525417B2 (en) 2013-09-03
EP2581948B1 (en) 2015-10-07
EP2581948A4 (en) 2014-08-13
CN101859801A (zh) 2010-10-13
WO2011153671A1 (zh) 2011-12-15
JP2013531373A (ja) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101880868B (zh) 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
CN101882647B (zh) 一种硅基薄膜太阳能电池活动夹具
CN101882646B (zh) 薄膜太阳能电池沉积夹具
CN101857953B (zh) 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
CN101859801B (zh) 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
CN201994322U (zh) 太阳能电池沉积用放电电极板阵列
CN201756586U (zh) 太阳能电池的沉积盒
CN201756585U (zh) 太阳能电池沉积夹具
CN201756584U (zh) 太阳能电池沉积用放电电极组件
CN201780981U (zh) 太阳能电池活动夹具

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130220