CN102703883A - 一种板式pecvd镀膜载板 - Google Patents

一种板式pecvd镀膜载板 Download PDF

Info

Publication number
CN102703883A
CN102703883A CN2012101653862A CN201210165386A CN102703883A CN 102703883 A CN102703883 A CN 102703883A CN 2012101653862 A CN2012101653862 A CN 2012101653862A CN 201210165386 A CN201210165386 A CN 201210165386A CN 102703883 A CN102703883 A CN 102703883A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
film
carrier plate
vapor deposition
chemical vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101653862A
Other languages
English (en)
Inventor
姚骞
杨怀进
林大成
黄勇
王虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Original Assignee
Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Altusvia Energy Taicang Co Ltd filed Critical Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Priority to CN2012101653862A priority Critical patent/CN102703883A/zh
Publication of CN102703883A publication Critical patent/CN102703883A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种板式PECVD镀膜载板,包括载板本体和凹槽,所述凹槽的内壁呈下坡斜面,下坡斜面的高度为8mm~15mm,斜面与水平面的倾角为45°-65°。与现有技术相比,本发明可以避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到硅片表面的影响,改善硅片在镀膜过程中的边沿色差问题。

Description

一种板式PECVD镀膜载板
技术领域
本发明涉及一种硅片载板,主要涉及一种在镀膜工程中可以改善边缘色差的硅片载板。
背景技术
板式PECVD采用上镀膜方式时,采用如图1所示的载板,在载板边沿容易使氮化硅堆积,导致边沿色差;尤其是在设备维护后的运行周期末期,边沿色差较为严重。
发明内容
发明目的:针对上述现有技术存在的问题和不足,本实用型新提供一种板式PECVD镀膜载板,可以有效改善边沿色差的问题。
技术方案:为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案一种板式PECVD镀膜载板,包括载板本体2和凹槽1,所述凹槽1的内壁呈下坡斜面3。
为了使边沿色差改善的效果达到最好,下坡斜面的高度最好为8mm~15mm,下坡斜面与水平面的倾角优选45°-65°。
有益效果:本发明与现有技术相比,可以避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到硅片表面的影响,有效地改善在镀膜过程中边沿色差的问题。
附图说明
图1为现有技术板式PECVD镀膜载板的俯视图;
图2为图1的主视图;
图3为本发明板式PECVD镀膜载板的俯视图;
图4为图3的主视图;
图5为膜厚测量示意图;
图6为现有技术和本发明膜厚测量点差值比较图;
图中,1、凹槽,2、载板本体,3、下坡斜面。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
如图3和图4所示,本实用型新板式PECVD镀膜载板与现有技术的区别在于:在载板本体2上的凹槽1内壁为下坡斜面3。下坡斜面3的高度最好为8mm~15mm,下坡斜面3与水平面的倾角优选45°-65°,这样可以使改善边沿色差的效果达到最好。
图5为膜厚测试示意图,在硅片上随意选择四个点做膜厚测试。图6为现有技术和本发明膜厚测量点差值比较图,▽为四个膜厚测量点间的差值,差值越小,说明均匀性越好,镀膜效果越佳,由图可见本发明的差值小于现有技术的差值。
在凹槽的中心位置还可以设置一个凹槽或者通孔,这样有助于硅片的镀膜效率更高。

Claims (3)

1.一种板式PECVD镀膜载板,包括载板本体和凹槽,其特征在于:凹槽的内壁呈下坡斜面。
2.根据权利要求1所述的一种板式PECVD镀膜载板,其特征在于:所述下坡斜面的倾斜高度为8mm-15mm。
3.根据权利要求1所述的一种板式PECVD镀膜载板,其特征在于:所述下坡斜面与水平面之间的倾斜角度为45°-65°。
CN2012101653862A 2012-05-25 2012-05-25 一种板式pecvd镀膜载板 Pending CN102703883A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101653862A CN102703883A (zh) 2012-05-25 2012-05-25 一种板式pecvd镀膜载板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101653862A CN102703883A (zh) 2012-05-25 2012-05-25 一种板式pecvd镀膜载板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102703883A true CN102703883A (zh) 2012-10-03

Family

ID=46896925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101653862A Pending CN102703883A (zh) 2012-05-25 2012-05-25 一种板式pecvd镀膜载板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102703883A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103805950A (zh) * 2012-11-02 2014-05-21 矽品精密工业股份有限公司 用于溅镀工艺的夹具与溅镀半导体封装件的方法
CN111748797A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种平板式pecvd设备用石墨框
CN112779522A (zh) * 2020-12-28 2021-05-11 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 镀膜装置及镀膜方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08277193A (ja) * 1995-03-31 1996-10-22 Sumitomo Sitix Corp 気相成長装置用サセプター
JPH1098048A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Nippon Pillar Packing Co Ltd ウエハー熱処理装置
US5837058A (en) * 1996-07-12 1998-11-17 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor
JP2002265295A (ja) * 2001-03-05 2002-09-18 Mitsubishi Materials Silicon Corp 気相成長用サセプタ及びこれを用いた気相成長方法
CN101521150A (zh) * 2001-06-01 2009-09-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP2011144091A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長用サセプタ及び気相成長方法
CN202717845U (zh) * 2012-05-25 2013-02-06 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种板式pecvd镀膜载板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08277193A (ja) * 1995-03-31 1996-10-22 Sumitomo Sitix Corp 気相成長装置用サセプター
US5837058A (en) * 1996-07-12 1998-11-17 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor
JPH1098048A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Nippon Pillar Packing Co Ltd ウエハー熱処理装置
JP2002265295A (ja) * 2001-03-05 2002-09-18 Mitsubishi Materials Silicon Corp 気相成長用サセプタ及びこれを用いた気相成長方法
CN101521150A (zh) * 2001-06-01 2009-09-02 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP2011144091A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長用サセプタ及び気相成長方法
CN202717845U (zh) * 2012-05-25 2013-02-06 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种板式pecvd镀膜载板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103805950A (zh) * 2012-11-02 2014-05-21 矽品精密工业股份有限公司 用于溅镀工艺的夹具与溅镀半导体封装件的方法
CN111748797A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种平板式pecvd设备用石墨框
CN112779522A (zh) * 2020-12-28 2021-05-11 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 镀膜装置及镀膜方法
CN112779522B (zh) * 2020-12-28 2023-11-28 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 镀膜装置及镀膜方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203529438U (zh) 一种真空吸盘
CN102703883A (zh) 一种板式pecvd镀膜载板
WO2009086257A8 (en) Susceptor with support bosses
WO2009132181A3 (en) Low profile process kit
CN104538333A (zh) 一种消除晶圆片翘曲的托盘
CN203926341U (zh) 真空吸盘
CN202725449U (zh) 一种硅片甩胶装置
CN202717845U (zh) 一种板式pecvd镀膜载板
CN203174197U (zh) 一种反应腔组件
CN103236410B (zh) 一种开有斜槽的石英舟结构
CN204874731U (zh) 一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板及加热装置
WO2013023157A3 (en) Thin film structure for high density inductors and redistribution in wafer level packaging
CN206163510U (zh) 一种板式pecvd机台的双面镀膜结构
CN201855588U (zh) 一种管式塔汽液分布器
CN204868607U (zh) 一种v形定位块
CN102691053A (zh) 板式pecvd加热载板
CN103031526A (zh) 用于在硅衬底上形成钽沉积膜的反应腔及其应用
CN203983243U (zh) 一种半导体镀膜设备采用的晶圆陶瓷柱
CN206827283U (zh) 钢片载带的防呆结构
CN203593628U (zh) 一种可退座退棒的多晶硅还原炉用石墨组件
CN104367116B (zh) 一种新型杯架
CN205295456U (zh) 一种mocvd反应腔室用的无相差转盘结构
CN104900567A (zh) 一种托盘以及腔室
CN106271797B (zh) 一种主轴箱
CN203856829U (zh) 石墨框防变形螺丝和与其配合的石墨框

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121003