DE10018639C1 - Verfahren und Einrichtung zur ionengestützten Hochratebedampfung - Google Patents

Abstract

Bei der ionengestützten Hochratebedampfung ist es zur Erzielung dichter Schichten erforderlich, genügend Ionen mit ausreichend hoher Energie auf das Substrat zu leiten. Dazu ist ein Potentialgefälle in Bedampfungsrichtung nötig, was durch die Nutzung verdampfernaher Bauteile als Anode erzeugt werden kann. Allerdings durchlaufen dabei nur in Anodennähe erzeugte Ionen die gesamte Beschleunigungsstrecke. Erfindungsgemäß soll ein möglichst hoher Anteil der Ionen bereits in Anodennähe erzeugt werden. DOLLAR A Durch den Einsatz von Hohlanoden als Gaseinlass in Verdampfernähe erfolgt die Ionisierung überwiegend in der Nähe der Öffnungen der Hohlanoden, wodurch die meisten Ionen die gesamte Beschleunigungsstrecke durchlaufen. DOLLAR A Herstellung von Funktionsschichten für Verpackung, Abriebschutz, optische Schichtsysteme.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zur ionengestützten Hochrate­ bedampfung für die Beschichtung ebener oder gekrümmter Substrate mit leitfähigen oder elektrisch isolierenden Materialien im Hochvakuum.

Diese Schichten werden beispielsweise in der Elektronik als elektrische Leiterbahnen oder Kondensatorelektroden, in der Optik als verspiegelnde oder halbdurchlässige Schichten, in der Verpackungsindustrie als Barriereschichten oder in der Metallurgie als Korrosionsschutz­ schichten benötigt. Elektrisch isolierende oder halbleitende Schichten sind als transparente Abriebschutzschichten auf Kunststoffoberflächen, als transparente Barriereschichten auf Verpackungsfolien oder als transparente bzw. halbdurchlässige Schichten in optischen Schichtsystemen von Interesse.

Die Hochratebedampfung wird häufig dann eingesetzt, wenn die Beschichtungszeit bis zum Erreichen einer erforderlichen Schichtdicke verkürzt werden soll, um die Produktivität zu steigern und die Kosten zu senken. Wichtige Eigenschaften aufgedampfter Schichten, die wesentlich von der Schichtstruktur abhängen, sind eine hohe Härte und Abriebfestigkeit, eine gute Barrierewirkung gegenüber der Diffusion von Gasen und Dämpfen und eine hohe Beständigkeit gegenüber atmosphärischen Einwirkungen.

Es ist bekannt, durch Zünden einer Niedervolt-Bogenentladung zwischen einer Plasmaquelle und einem als Anode geschalteten Verdampfertiegel ein Potentialgefälle zwischen der Verdampferoberfläche und einem elektrisch isolierenden Substrat zu erzeugen und damit die durch eine Niedervolt-Bogenentladung generierten positiven Ionen in Richtung auf das Substrat zu beschleunigen (DE 35 43 316 A1). Ein Nachteil ist, dass dieses Verfahren auf das Verdampfen elektrisch leitfähiger Materialien beschränkt ist, weil das Verdampfungsmaterial selbst als elektrisch leitfähige Anode dient. Elektrisch isolierende Schichten wie z. B. Oxide können in diesem Falle nur durch Verdampfen von leitfähigen Materialien, meist Metallen, und unter Einlaß von Reaktivgas reaktiv abgeschieden werden.

Es ist auch bekannt, eine Niedervoltbogenentladung zwischen einer Plasmaquelle und einer der Plasmaquelle horizontal gegenüber angeordneten separaten Anode zu zünden, wobei auch elektrisch isolierendes Material verdampft werden kann (EP 0 545 863 B1; EP 0 666 933 B1). Allerdings müssen besondere Maßnahmen vorgesehen werden, damit die Anode nicht ebenfalls mit isolierendem Material beschichtet wird. Die Anode ist deshalb so hoch zu heizen, dass keine isolierenden Schichten aufwachsen können, oder die Anode ist durch Reaktivgas oder Inertgas zu spülen, so dass das Aufwachsen isolierender Schichten zumindest reduziert wird. Die Anordnung der Anode horizontal gegenüber der Plasmaquelle hat im Vergleich zur Verwendung des Verdampfertiegels als Anode den Nachteil, dass zwar das verdampfte Material durch die Plasmazone hindurchtritt und dort teilweise ionisiert wird, dass aber das Potentialgefälle entlang der Entladungsstrecke in horizontaler Richtung verläuft und somit die Dampf- und Reaktivgasionen nicht in Richtung auf das Substrat beschleunigt werden. Die Ionen aus dem Plasma werden nur durch das Selbstbiaspotential des Substrates von 10 bis 20 V auf die Substratoberfläche beschleunigt, was in vielen Fällen für das Erzielen einer dichten Schichtstruktur nicht ausreicht.

Es ist weiterhin bekannt, vom Verdampfertiegel elektrisch getrennte Anoden in unmittel­ barer Nähe der Verdampferoberfläche anzuordnen, während die Plasmaquellen sehr dicht an der Substratoberfläche angeordnet werden (DE 196 12 344 C1; DE 196 12 345 C1). Auf diese Weise entsteht, wenn mehrere Plasmaquellen nebeneinander angeordnet werden, ein Plasmaschild unmittelbar an der Substratoberfläche und eine annähernd vertikale Niedervolt-Bogenentladung brennt zwischen diesem Plasmaschild und einer bzw. mehreren in der Nähe der Verdampferoberfläche angeordneten Anoden. Durch eine solche An­ ordnung entsteht ein vertikales Potentialgefälle, durch welches die in der vertikalen Niedervolt-Bogenentladung erzeugten Dampf- und Reaktivgasionen in Richtung auf das Substrat beschleunigt werden. Es kann prinzipiell sowohl leitfähiges als auch isolierendes Material verdampft werden, weil der Verdampfertiegel bzw. das Verdampfungsmaterial nicht als Anode benutzt wird. Nachteilig ist jedoch, dass bei reaktiver Verdampfung von leitfähigem Material unter Verwendung einer neben dem Verdampfertiegel angeordneten Anode eine weniger dichte Schichtstruktur erzielt wird als bei Verwendung des Ver­ dampfertiegels bzw. des Verdampfungsmaterials als Anode. Vermutlich wird bei Ver­ wendung des Verdampfungsmaterials als Anode das Verdampfungsmaterial bereits unmittelbar an der Verdampferoberfläche ionisiert, wodurch sowohl eine höhere Ionen­ dichte als auch eine höhere Beschleunigung der Ionen auf das Substrat erreicht wird.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren mit hoher Produktivität zu schaffen, das es gestattet, ähnlich dichte Schichtstrukturen zu erzielen wie bei der Beschaltung des Verdampfertiegels bzw. des Verdampfungsmaterials als Anode und das sowohl für die Verdampfung elektrisch isolierender wie auch elektrisch leitfähiger Materialien eingesetzt werden kann.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe nach den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 12 beschrieben. Anspruch 13 betrifft eine Einrichtung zur Durchführung des erfindungs­ gemäßen Verfahrens. Die Ansprüche 14 bis 18 betreffen vorteilhafte Ausgestaltungen der Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

Das wesentliche Merkmal der Erfindung besteht darin, dass in der Nähe der Verdampfer­ oberfläche angeordnete Anoden einer vertikalen Niedervoltbogenentladung als Hohlanoden ausgeführt sind, deren Öffnungen annähernd in Richtung auf das Substrat ausgerichtet sind und durch deren Öffnungen Inertgase oder Reaktivgase in den Beschichtungsraum ein­ gelassen werden. In der Nähe des Substrates wird in bekannter Weise ein Plasmaschild erzeugt.

Überraschenderweise werden damit ähnlich dichte Strukturen und ähnliche Schicht­ eigenschaften erreicht wie bei Verwendung des Verdampfertiegels als Anode. Vermutlich wird das über die Hohlanoden eingelassene Inertgas bzw. Reaktivgas zu einem ähnlich hohen Prozentsatz ionisiert und ähnlich stark in Richtung auf das Substrat beschleunigt wie das Verdampfungsmaterial bei Verwendung des Verdampfertiegels als Anode. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, dass bei der reaktiven Beschichtung die Menge des in den Beschichtungsraum eingelassenen Reaktivgases reduziert werden kann. Das ist vermutlich dadurch bedingt, dass der Anteil der ionisierten und angeregten Reaktivgasmoleküle und ihre mittlere Energie durch den Einlass über die Hohlanode deutlich höher ist als bei diffusem Einlass in den Beschichtungsraum. Die positiven Effekte der erfindungsgemäßen Lösung treten in gleicher Weise auf, wenn die Schicht einer chemischen Verbindung, beispielsweise eine Oxidschicht, durch direkte Verdampfung der Verbindung anstelle der reaktiven Verdampfung des oxidbildenden Metalls abgeschieden wird. Auch in diesem Fall wird, allerdings in geringerer Menge als bei der vollreaktiven Verdampfung des Metalls, das entsprechende Reaktivgas oder ein Inertgas durch die Hohlanode eingelassen.

Generell wirken die mit Reaktivgas oder Inertgas gespeisten Hohlanoden wie stromstarke Ionenquellen, die auf das Substrat gerichtet sind und durch den intensiven Ionenbeschuss selbst bei hohen Beschichtungsraten zu einer starken Verdichtung der Schichtstruktur führen.

Die Brennspannung der Niedervolt-Bogenentladungen zwischen Plasmaschild in Substrat­ nähe und den Hohlanoden und damit die Anzahl und die Energie der auf das Substrat auftreffenden Ionen können in vorteilhafter Weise dadurch erhöht werden, dass zwischen Verdampfer und Substrat ein zur Entladungsrichtung annähernd senkrechtes Magnetfeld oder ein zur Entladungsrichtung annähernd paralleles und in Richtung auf das Substrat divergierendes Magnetfeld erzeugt wird. Dieser Effekt kann noch verstärkt werden, wenn im Bereich der Hohlanodenöffnungen weitere zur Entladungsrichtung annähernd senkrechte oder zur Entladungsrichtung annähernd parallele und in Richtung auf das Substrat divergierende Magnetfelder erzeugt werden.

Der dem Substrat vorgelagerte Plasmaschild kann sehr effektiv durch einen oder durch mehrere annähernd parallel nebeneinander verlaufende Niedervoltelektronenstrahlen gebildet werden, die zur Erzielung einer hohen Gleichmäßigkeit der Plasmadichte einer horizontalen Wechselablenkung unterworfen werden können. Zur Erzielung einer hohen Plasmadichte im Plasmaschild ist es zweckmäßig, die Niedervoltelektronenstrahlen durch Hohlkatodenplasmaquellen zu erzeugen.

Durch die Hohlanoden wird ein Inertgas, vorzugsweise Argon oder ein anderes Edelgas, eingelassen, wenn Schichten aus Elementen oder Legierungen ohne reaktive Umsetzung abgeschieden werden sollen. Es wird ein Reaktivgas, beispielsweise Sauerstoff oder Stick­ stoff, eingelassen, wenn Schichten aus chemischen Verbindungen, beispielsweise Oxide oder Nitride, reaktiv abgeschieden werden sollen. Für das Abscheiden von Misch­ verbindungen können auch Reaktivgasgemische und für ein erhöhtes Ionenbombardement der Substratoberfläche können auch Reaktivgas-Inertgas-Gemische eingelassen werden. Durch das Einlassen von gasförmigen Monomeren, Monomer-Reaktivgas-Gemischen oder Monomer-Reaktivgas-Inertgas-Gemischen können sehr effektiv organisch modifizierte Schichten hoher Dichte und gleichzeitig hoher Flexibilität abgeschieden werden. Für eine derartige organische Modifizierung eignen sich unter anderem verdampfbare silizium­ organische Flüssigmonomere wie Hexamethyldisiloxan (HMDSO), Hexamethyldisilazan (HMDSN), Hexamethyldisilan (HMDS), Tetraethylorthosilicat (TEOS) oder Tetramethoxysilan (TMOS).

Die örtliche Verteilung der Ionenstromdichte auf dem Substrat kann sowohl durch die räumliche Anordnung und Ausrichtung der Öffnungen der Hohlanoden als auch durch räumliche Verteilung der Magnetfelder zwischen Hohlanoden und Substrat beeinflusst werden. Dadurch kann insbesondere eine hohe Gleichmäßigkeit der Ionenstromdichte auf dem Substrat eingestellt werden.

An einem Ausführungsbeispiel soll die Erfindung näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt einen vertikalen Schnitt durch eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

In einem nicht dargestellten Rezipienten werden plattenförmige Substrate 1 aus Poly­ carbonat über einen Elektronenstrahl-Linienverdampfer geführt, der im Wesentlichen aus einem rotierenden Quarzrohr 2, einer Elektronenkanone 3 und einem Magnetsystem mit Polschuhplatten 4 und 5 besteht. Ein Elektronenstrahl 6 wird durch die Elektronenkanone 3 erzeugt und durch eine horizontale Wechselablenkung in der Elektronenkanone 3 in Richtung der Achse des Quarzrohres 2 hin und her gelenkt. Nach dem Eintreten in ein horizontales Magnetfeld 7 zwischen den Polschuhplatten 4 und 5 wird der Elektronenstrahl 6 zum Quarzrohr 2 hin umgelenkt und trifft auf das rotierende Quarzrohr 2, auf dem er infolge der horizontalen Wechselablenkung in der Elektronenkanone 3 eine Verdampfungs­ linie von etwa 1,2 m Länge erzeugt.

Dicht unterhalb der Substrate 1 sind über die Beschichtungsbreite von etwa einem Meter fünf Hohlkatodenplasmaquellen 8 angeordnet, die einen gleichmäßigen Plasmaschild 9 an der Unterseite der Substrate 1 erzeugen. Das vom Quarzrohr 2 verdampfte Siliziumoxid kondensiert nach Passieren des Plasmaschildes 9 auf den Substraten 1. Dabei werden die Dampfmoleküle teilweise angeregt und ionisiert, während sich die elektrisch isolierenden Substrate 1 auf ein negatives Selbstbiaspotential von etwa -15 V relativ zum Plasmaschild 9 aufladen. Das führt zu einer Beschleunigung der ionisierten Dampfmoleküle auf die Substratoberfläche und zu einer Verdichtung der kondensierenden Schicht.

Dicht neben dem rotierenden Quarzrohr 2 sind entsprechend der Anzahl der Hohlkatoden­ plasmaquellen 8 fünf Hohlanoden 10 nebeneinander angeordnet. Durch das Zünden von Niedervoltbogenentladungen zwischen den Hohlanoden 10 und dem Plasmaschild 9 werden zusätzliche Dampfatome und -moleküle zwischen Plasmaschild 9 und Hohlanoden 10 ionisiert. Außerdem entsteht ein Potentialgefälle zwischen Plasmaschild 9 und Hohl­ anoden 10, welches durch das horizontale Magnetfeld 7 auf Werte von ca. 40 V erhöht wird. Durch dieses Potentialgefälle werden die zwischen Plasmaschild 9 und Hohlanoden 10 ionisierten Dampfatome und -moleküle in Richtung auf das Substrat beschleunigt, wo sie eine weitere Verdichtung der kondensierenden Schicht bewirken.

Es wird in jede der Hohlanoden 10 ein Gemisch aus Sauerstoff und Monomerdampf eingelassen, welches durch eine Öffnung aus der zum Substrat 1 gerichteten Seite der Hohlanoden 10 austritt. Infolge der hohen Teilchendichte wird die Niedervolt­ bogenentladung zwischen Plasmaschild 9 und den Hohlanoden 10 auf die Öffnung der Hohlanoden 10 konzentriert, so dass dort mit hoher Wahrscheinlichkeit die Anregung oder Ionisierung der austretenden Gasmoleküle erfolgt. Die ionisierten Gasmoleküle werden in Richtung auf das Substrat 1 beschleunigt und durchlaufen das gesamte Potentialgefälle zwischen Hohlanoden 10 und Plasmaschild 9, so dass sie im Mittel mit einer höheren Energie auf das Substrat 1 auftreffen als die ionisierten Dampfmoleküle. Diese Energie kann noch erhöht werden, indem an jeder Hohlanode 10 ein weiteres Magnetfeld 11 erzeugt wird, das die Brennspannung der Niedervoltbogenentladung nochmals erhöht. Es werden zur Entladungsrichtung parallele und in Richtung zum Substrat 1 divergierende Magnet­ felder 11 durch zu den Hohlanoden 10 konzentrische Magnetspulen 12 erzeugt, durch welche die Brennspannung der Niedervoltbogenentladung um weitere 10 V auf ca. 50 V ansteigt.

Durch den intensiven Beschuss der auf dem Substrat 1 kondensierenden Schicht mit den ionisierten Sauerstoff- und Monomerdampf-Molekülen erfolgt zum einen eine weitere Verdichtung der Schicht und zum anderen eine Aufoxidation des ansonsten unter­ stöchiometrischen Siliziumoxids in der Schicht sowie der Einbau organischer Moleküle und Molekülgruppen, die zu einer erhöhten Flexibilität der aufwachsenden Schicht führen. Oxidationsgrad und organische Modifizierung können mit dem Sauerstoff- bzw. Monomer­ fluss durch die Hohlanoden 10 und dem Entladungsstrom bzw. der Entladungsspannung der Niedervolt-Bogenentladungen zwischen Plasmaschild 9 und Hohlanoden 10 gesteuert werden.

Der Gaseinlass über die Hohlanoden 10 hat darüberhinaus den Vorteil, dass die Niedervolt- Bogenentladungen zwischen Plasmaschild 9 und Hohlanoden 10 auch beim Verdampfen isolierender Materialien einen stabilen Betrieb über lange Zeiten ermöglicht, ohne dass die innere Oberfläche der Hohlanoden 10 mit isolierenden Schichten belegt wird.

Ein weiterer Vorteil der gerichteten Ionenbewegung von den Hohlanoden 10 über den Plasmaschild 9 zum Substrat 1 besteht darin, dass auch dreidimensionale konkave Substrate 1 auf der zum Verdampfer gerichteten hohlen Seite einem intensiven Ionenbeschuss ausgesetzt werden und somit auch hier eine entsprechend dichte Schicht abgeschieden wird.

Claims (18)

1. Verfahren zur ionengestützten Hochratebedampfung mindestens eines Substrates durch nicht reaktive oder reaktive Verdampfung, wobei mindestens eine Niedervolt­ bogenentladung zwischen einem dem mindestens einen Substrat vorgelagerten und als Kathode wirkenden Plasmaschild und mindestens einer Anode in der Nähe der Verdampferoberfläche gezündet wird, dadurch gekennzeichnet, dass durch mindestens eine als Hohlanode ausgebildete Anode in der Nähe der Verdampfer­ oberfläche Gas in den Beschichtungsraum eingelassen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gas durch mindestens eine Hohlanode annähernd in Richtung auf das Substrat eingelassen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Brenn­ spannung der Niedervoltbogenentladung zwischen dem Plasmaschild und mindestens einer Hohlanode durch ein zur Entladungsrichtung senkrechtes und/oder durch ein zur Entladungsrichtung annähernd paralleles und in Richtung auf das Substrat divergierendes Magnetfeld zwischen Verdampfer und Substrat um jeweils 5 bis 50 V, vorzugsweise um 10 bis 20 V, erhöht wird.

4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der dem Substrat vorgelagerte Plasmaschild durch mindestens einen Niedervolt­ elektronenstrahl gebildet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Nieder­ voltelektronenstrahl zur Bildung des dem Substrat vorgelagerten Plasmaschildes durch eine Hohlkatodenbogenquelle erzeugt wird.

6. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass durch mindestens eine Hohlanode ein Inertgas eingelassen wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Inertgas ein Edelgas, vorzugsweise Argon, eingelassen wird.

8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch mindestens eine Hohlanode ein Reaktivgas eingelassen wird.

9. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass durch mindestens eine Hohlanode ein Monomer für eine organische Modifizierung der aufzudampfenden Schicht eingelassen wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Monomer mindestens ein verdampfbares siliziumorganisches Flüssigmonomer wie Hexa­ methyldisiloxan (HMDSO), Hexamethyldisilazan (HMDSN), Hexamethyldisilan (HMDS), Tetraethylorthosilicat (TEOS) oder Tetramethoxysilan (TMOS) eingelassen wird.

11. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Verteilung der Ionenstromdichte auf dem Substrat durch Anordnung und Ausrichtung mindestens einer Hohlanode eingestellt wird.

12. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Verteilung der Ionenstromdichte auf dem Substrat durch Veränderung der räumlichen Verteilung der Magnetfelder zwischen mindestens einer Hohlanode und dem Substrat eingestellt wird.

13. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bestehend aus einem Rezipienten mit mindestens einem Verdampfer, aus Mitteln zum Halten und/oder Bewegen mindestens eines zu beschichtenden Substrates, aus mindestens einer Niedervoltbogenquelle zur Erzeugung eines Plasmaschildes vor dem Substrat, der als Kathode einer Niedervolt-Bogenentladung wirkt, und mindestens einer Anode in der Nähe des Verdampfers, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Anode in der Nähe des Verdampfers als Hohlanode (10) ausgeführt ist und dass Mittel zum Einlassen von Inertgasen und/oder Reaktivgasen und/oder Monomeren in mindestens eine Hohlanode (10) in der Nähe des Verdampfers vorhanden sind.

14. Einrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung mindestens einer Hohlanode (10) annähernd zum Substrat (1) ausgerichtet ist.

15. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine magnetfelderzeugende Einrichtung zur Erzeugung eines zur Entladungsrichtung der Niedervolt-Bogenentladung zwischen dem Plasmaschild (9) vor dem Substrat (1) und mindestens einer Hohlanode (10) senkrechten oder eines zur Entladungsrichtung der Niedervolt-Bogenentladung annähernd parallelen und in Richtung auf das Substrat (1) divergierenden Magnetfeldes zwischen Verdampfer und Substrat (1) enthalten ist.

16. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine magnetfelderzeugende Einrichtung zur Erzeugung eines zur Entladungsrichtung der Niedervolt-Bogenentladung zwischen dem Plasmaschild (9) vor dem Substrat (1) und mindestens einer Hohlanode (10) senkrechten oder eines zur Entladungsrichtung der Niedervolt-Bogenentladung annähernd parallelen und in Richtung auf das Substrat (1) divergierenden Magnetfeldes im Bereich der Öffnung mindestens einer Hohlanode (10) enthalten ist.

17. Einrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetfeld­ erzeugende Einrichtung zur Erzeugung des zur Entladungsrichtung der Niedervolt- Bogenentladung zwischen dem Plasmaschild (9) vor dem Substrat (1) und mindestens einer Hohlanode (10) senkrechten oder eines zur Entladungsrichtung der Niedervolt- Bogenentladung annähernd parallelen und in Richtung auf das Substrat (1) divergierenden Magnetfeldes zwischen Verdampfer und Substrat (1) im Bereich der Öffnung mindestens einer Hohlanode (10) mindestens eine die Hohlanode (10) umgebende Magnetspule (12) umfasst, deren Achse parallel zur Achse der Hohlanode (10) ausgerichtet ist.

18. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Niedervoltbogenquelle zur Erzeugung des Plasmaschildes (9) in der Nähe des Substrates (1) eine Hohlkatodenbogenquelle (8) ist.