DE4221361C1

DE4221361C1 - Plasma-supported deposition of thin insulating layers on substrates - buy vaporising insulating material and ionising in plasma of low energetic arc discharge

Info

Publication number: DE4221361C1
Application number: DE19924221361
Authority: DE
Inventors: Werner Dr.Rer.Nat. O-8054 Dresden De Grimm; Hagen O-8028 Dresden De Cernohorsky; Michael O-8038 Dresden De Falz; Ruediger O-8019 Dresden De Wilberg
Original assignee: VTD Vakuumtechnik Dresden GmbH
Current assignee: VTD Vakuumtechnik Dresden GmbH
Priority date: 1992-06-29
Filing date: 1992-06-29
Publication date: 1993-07-01
Anticipated expiration: 2012-06-30

Abstract

Plasma-supported deposition of thin insulating layers on substrates comprises vaporising an insulating material or a material, which is deposited as insulating material in a reactive atmos., and ionising in a plasma of a low energetic arc discharge. The low energetic arc discharge is produced between a hollow cathode (4) and an anode, in which the anode (5) is heated to a temp. above the melting temp. of the vaporised material or the decompsn. temp. of the reaction prod. of the vaporised material. An appts. for carrying out the process is also claimed. USE/ADVANTAGE - To form optically transparent, mechanically or chemically resistant oxide and nitride layers.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine zugehörige Einrichtung zur plasmagestützten Abscheidung von dünnen Iso lierschichten auf Substraten. Insbesondere handelt es sich dabei um optisch transparente, mechanisch sowie chemisch be ständige Oxid- und Nitridschichten, aber auch andere Schich ten, wie z. B. Magnesiumfluorid.The invention relates to a method and an associated Device for plasma-assisted deposition of thin iso layers on substrates. In particular it is thereby optically transparent, mechanically and chemically permanent oxide and nitride layers, but also other layers ten such. B. Magnesium fluoride.

Zur Herstellung von optischen Schichten, z. B. zum Entspie geln von Optiken, sind seit längerem Verfahren der Vakuumbe dampfungstechnik bekannt. Beim Aufdampfen in einer neutralen Reaktivgasatmosphäre treten dabei Probleme mit den abgeschie denen Schichtstrukturen auf. Bei Schichtabscheidungen in einer O₂-Atmosphäre entstehen z. B. säulenförmige Gefüge stöchiometrischer Schichten, die erhebliche optische Verluste aufweisen. In zunehmenden Maße wurden Versuche unternommen, die Schichtabscheidung in einer Atmosphäre mit angeregten Ionen bzw. mit Ionenbeschuß, während und nach der Abscheidung der Schichten, durchzuführen. Die optischen Verluste konnten dabei erheblich reduziert werden. In jüngerer Zeit hat sich das sogenannte reaktive Niedervoltionenplattieren bewährt, bei dem in Ar/O₂- oder Ar/N₂-Atmosphäre Schichten mit dichtem amorphen Gefüge und glatter Oberfläche hergestellt werden konnten. Diese Schichten weisen auch bessere Adhäsionswerte und eine gute Stöchiometrie auf. Ein derartiges Verfahren wird z. B. in der DE 35 43 316 A1 beschrieben. Das jeweilige schichtbildende Material wird dabei in einem Tiegel durch einen hochenergetischen Elektronenstrahl verdampft. Gleich zeitig wird zwischen einer Glühkatode und dem Verdampfungs tiegel, der als Anode geschaltet ist, eine Niedervoltboge nentladung aufrechterhalten, die die Ausbildung eines Plasmas in der Beschichtungskammer bewirkt. Verfahrensgemäß wird durch den hochenergetischen Elektronenstrahl das schichtbil dende Material verdampft und der Dampf in dem Plasma zumin dest teilweise ionisiert. Die Substrate werden auf einer negativ vorgespannten Halterung montiert, so daß die Abscheidung unter wesentlicher Beeinflussung durch das Plasma erfolgt. Wie bereits erwähnt, werden grundsätzlich vorteil hafte Schichten mit dieser Verfahrensführung erzielt. Nach teilig ist bei diesem Verfahren jedoch, daß die Verdampfung und die Plasmaerzeugung über den Verdampfer verkoppelt sind, was die Regelung des Gesamtprozesses kompliziert. Die Ionen des Plasmas können dadurch auch nicht zur Vor- und Nachbe handlung der Substrate eingesetzt werden. Dieser Nachteil könnte an sich beseitigt werden, indem eine separate Anode für die Niedervoltbogenentladung eingesetzt wird. Bei der Ab scheidung von dünnen isolierenden Schichten führt diese Maß nahme jedoch nicht zum Erfolg, da zwangsläufig eine solche Anode im Beschichtungsraum in kurzer Zeit mit einer isolieren den Schicht bedeckt würde, und damit die Niedervoltbogenent ladung erlischt.For the production of optical layers, e.g. B. for relaxation of optics, vaporization technology have been known for some time. When vapor deposition in a neutral reactive gas atmosphere, problems arise with the deposited layer structures. With layer deposits in an O ₂ atmosphere z. B. columnar structure of stoichiometric layers that have significant optical losses. Attempts have increasingly been made to carry out the layer deposition in an atmosphere with excited ions or with ion bombardment during and after the deposition of the layers. The optical losses could be reduced considerably. So-called reactive low-ion plating has recently proven itself, in which layers with a dense amorphous structure and smooth surface could be produced in an Ar / O ₂ or Ar / N ₂ atmosphere. These layers also have better adhesion values and good stoichiometry. Such a method is e.g. B. described in DE 35 43 316 A1. The respective layer-forming material is evaporated in a crucible by a high-energy electron beam. At the same time, a low-voltage arc discharge is maintained between a hot cathode and the evaporation crucible, which is connected as an anode, which causes the formation of a plasma in the coating chamber. According to the method, the layer-forming material is evaporated by the high-energy electron beam and the vapor in the plasma is at least partially ionized. The substrates are mounted on a negatively biased holder so that the deposition takes place under the substantial influence of the plasma. As already mentioned, in principle advantageous layers are achieved with this procedure. After part of this method, however, is that the evaporation and the plasma generation are coupled via the evaporator, which complicates the regulation of the overall process. As a result, the ions in the plasma cannot be used for pre- and post-treatment of the substrates. This disadvantage could in itself be eliminated by using a separate anode for the low-voltage arc discharge. In the separation of thin insulating layers, however, this measure does not lead to success, since such an anode in the coating room would inevitably be covered with an insulating layer in a short period of time, and the low-voltage arc discharge would be extinguished.

In der US 47 77 908 wird eine Einrichtung zur plasmagestütz ten Abscheidung von dünnen Schichten angegeben, bei der in einer Vakuumkammer parallel zu einem hochenergetischen Elek tronenstrahlverdampfer, zur Verdampfung des Ausgangsmaterials für die Schichtbildung, eine niederenergetische Hochstrom plasmaquelle betrieben wird. Die Hochstromplasmaquelle weist dabei eine gesonderte Plasmakammer zur Erzeugung eines ersten intensiven Plasmas eines ausgewählten Gases auf und ist der art an der Vakuumkammer angeordnet, daß sich das Plasma all gemein in der Vakuumkammer ausbreitet. Die Hochstromplasma quelle ist mit dem Tiegel des Elektronenstrahlverdampfers elektrisch verbunden. Bei der Verfahrensführung wirkt das allgemeine Plasma in der Vakuumkammer mit dem Magnetfeld über dem Tiegel des Elektronenstrahlverdampfers zusammen und es wird in diesem Bereich ein intensives zweites Plasma ausge bildet. Das verdampfte Material, welches auf dem Weg zu den Substraten diesen Bereich durchquert, wird dabei aktiviert bevor es auf den Substraten als dünne Schicht abgeschieden wird. Bei der Abscheidung von isolierenden Schichten, was unmittelbar auch zur Beschichtung aller Einbauten in der Vakuumkammer führt, kommt es auch bei dieser Einrichtung in logischer Folge zu Problemen bei der Zündung und Aufrechterhaltung des Plasmas. Das Plasma brennt zwischen der Plasmaquelle und dem Verdampfertiegel. Von Nachteil ist, daß das Plasma vom Verdampfungsmaterial und der Verdampfungsrate wesentlich beeinflußt wird. Die Plasmaerzeugung und der Ver dampfungsprozeß bedingen sich bereits während der Zündung des Plasmas, wobei das Plasma nur während der Verdampfung zusätz lich gezündet und aufrechterhalten werden kann.In US 47 77 908 a device for plasma support th deposition of thin layers specified, in which in a vacuum chamber parallel to a high-energy elec electron beam evaporator, for evaporation of the starting material for stratification, a low-energy high current plasma source is operated. The high current plasma source points a separate plasma chamber for generating a first intense plasma of a selected gas and is the Art arranged on the vacuum chamber that the plasma all spreads common in the vacuum chamber. The high current plasma source is with the crucible of the electron beam evaporator electrically connected. This works in the conduct of the process general plasma in the vacuum chamber with the magnetic field above the crucible of the electron beam evaporator and it an intense second plasma is emitted in this area forms. The vaporized material that is on the way to the Substrates crossing this area is activated before it deposited on the substrates as a thin layer becomes. When depositing insulating layers what immediately also for coating all internals in the Leads to vacuum chamber, it also comes in at this facility logical consequence to problems with the ignition and Maintenance of the plasma. The plasma burns between the Plasma source and the evaporator crucible. The disadvantage is that the plasma from the evaporation material and the evaporation rate is significantly influenced. Plasma generation and ver damping process are already during the ignition of the Plasmas, the plasma only being added during the evaporation can be ignited and maintained.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur plasmagestützten Abscheidung von dünnen isolierenden Schich ten auf Substraten zu schaffen, bei dem ein isolierendes Material oder ein Material, welches sich in einer reaktiven Atmosphäre als isolierendes Material abscheidet, verdampft und in einem Plasma einer niederenergetischen Bogenentladung ionisiert wird, ohne daß eine Beschichtung der Anode für die niederenergetische Bogenentladung mit einer isolierenden Schicht erfolgt. Des weiteren ist eine Einrichtung zur Reali sierung des Verfahrens anzugeben.The invention has for its object a method for Plasma-assisted deposition of thin insulating layers to create on substrates, in which an insulating Material or a material that is in a reactive Separates atmosphere as insulating material, evaporates and in a plasma of a low energy arc discharge is ionized without a coating of the anode for the low energy arc discharge with an insulating Layer takes place. Furthermore there is a facility for Reali of the procedure.

Die Erfindung wird durch ein Verfahren gelöst, bei dem die niederenergetische Bogenentladung zwischen einer Katode und einer Anode erzeugt wird, wobei die Anode durch die Bogenent ladung auf Temperaturen erhitzt wird, die wesentlich über der Schmelztemperatur des verdampften schichtbildenden Materials bzw. der Zersetzungstemperatur des Reaktionsproduktes aus einem verdampften Material und einem Reaktiv liegt. Als we sentlich höhere Anodentemperatur gelten dabei Temperaturen, die zwischen 5 und 30% über der Schmelztemperatur des ver dampften Materials bzw. der Zersetzungstemperatur des Reak tionsproduktes liegen.The invention is achieved by a method in which the low energy arc discharge between a cathode and an anode is generated, the anode being defined by the arc Charge is heated to temperatures that are significantly higher than the Melting temperature of the evaporated layer-forming material or the decomposition temperature of the reaction product a vaporized material and a reactive. As we Considerably higher anode temperatures apply which are between 5 and 30% above the melting temperature of the ver steamed material or the decomposition temperature of the reak tion product.

Als niederenergetische Bogenentladung kann sowohl eine Glüh katodenbogenentladung als auch eine Hohlkatodenbogenentladung eingesetzt werden. Die Art der Verdampfung des isolierenden Materials ist dabei unwesentlich. Die Verdampfung kann mit tels Widerstandsverdampfung wie durch Elektronenstrahlver dampfung erfolgen. Die Regelung der Verdampfungsrate des isolierenden Materials erfolgt völlig unabhängig von der Plasmaerzeugung. Sie wird ausschließlich von den technologi schen Parametern bestimmt. Dadurch ist es auch möglich, die niederenergetische Bogenentladung unabhängig zu betreiben und z. B. als Ionenquelle zur Oberflächenreinigung der Substrate durch Ionenbeschuß zu nutzen, ohne daß parallel eine störende Verdampfung des isolierenden Materials stattfindet.A glow can be used as a low-energy arc discharge cathode arc discharge as well as a hollow cathode arc discharge be used. The type of evaporation of the insulating Materials are immaterial. The evaporation can with resistance evaporation as by electron beam damping. The regulation of the evaporation rate of the insulating material is completely independent of the Plasma generation. It is used exclusively by technology determined parameters. This also makes it possible to operate low-energy arc discharge independently and e.g. B. as an ion source for surface cleaning of the substrates to be used by ion bombardment without a disruptive Evaporation of the insulating material takes place.

Das Verfahren wird mittels einer erfindungsgemäßen Einrich tung realisiert, bei der die Anode der niederenergetischen Bogenentladungseinrichtung aus einem gekühlten Grundkörper besteht, an dessen, der Katode zugewandten Seite, drahtförmi ge Anodenstäbe aus hochschmelzenden Material angeordnet sind. Dabei haben sich insbesondere Anodenstäbe aus Wolfram oder Tantal bewährt. Als drahtförmige Anodenstäbe können auch ein oder mehrere zylinder-, spiral- und kegelförmig gewendelte Drähte eingesetzt werden.The method is carried out by means of a device according to the invention realized in which the anode of the low-energy Arc discharge device from a cooled base body exists, on its side facing the cathode, wire-shaped Ge anode rods made of high-melting material are arranged. In particular, anode rods made of tungsten or Proven tantalum. A can also be used as wire-shaped anode rods or several cylindrical, spiral and conical coiled Wires are used.

Beim verfahrensgemäßen Betrieb dieser Einrichtung wird die Bogenentladung in bekannter Weise gezündet und auf die erfin dungsgemäße Anode gelenkt. Die Bogenentladung führt zur in tensiven Einwirkung der Ladungsträger auf die drahtförmigen Anodenstäbe, die durch den Beschuß und die Widerstandserwär mung, die durch die Ableitung des Bogenstromes zum gekühlten Rundkörper auftritt, intensiv erwärmt. Die Erwärmung der erfindungsgemäßen drahtförmigen Anodenstäbe kann sehr leicht bis zur thermischen Stabilitätsgrenze des eingesetzten Mate rials geführt werden. Die Folge ist, daß es an derart hoch erhitzten Oberflächen zu keiner Abscheidung von Verdampfungs materialien und Reaktionsprodukten, wie es beim Stand der Technik auftritt, kommen kann. Sobald verdampfte Materialien oder Reaktionsprodukte auf die hocherhitzten drahtförmigen Anodenstäbe auftreffen, werden sie unmittelbar wieder ver dampft. Die Anodenstäbe bleiben dadurch über die gesamte Verfahrensführung unbeschichtet und damit leitfähig. Die niederenergetische Bogenentladung kann während des gesamten Abscheidungsprozesses stabil aufrechterhalten werden. Das wiederum führt zu einer Schichtabscheidung unter homogenen Plasmabedingungen als Voraussetzung für homogene hochwertige Schichten. Die erfindungsgemäße Einrichtung wird wegen der hohen Temperaturen der Anodenstäbe vorteilhafterweise mit einem Strahlungsmantelblech aus ebenfalls hochschmelzenden Material umgeben, damit die Kammereinbauten nicht unnötig erwärmt werden. Andererseits können die Substrate, über die zu diesen hin offene Abschirmung hindurch, mittels der Strah lungswärme der Anodenstäbe leicht auf vorteilhafte Substrat temperaturen gebracht werden.When this facility is operated in accordance with the procedure, the Arc discharge ignited in a known manner and on the invented directed anode according to the invention. The arc discharge leads to the in intensive action of the charge carriers on the wire-shaped Anode rods, which by the bombardment and the resistance heating mung by the derivation of the arc current to the cooled Round body occurs, intensely heated. The warming of the wire-shaped anode rods according to the invention can be very easily up to the thermal stability limit of the mate used rials. The result is that it is so high heated surfaces for no deposition of evaporation materials and reaction products, as is the case with the Technology occurs, can come. Once vaporized materials or reaction products to the highly heated wire-shaped Impact anode rods, they are immediately ver steams. The anode rods remain over the entire Process control uncoated and therefore conductive. The Low energy arc discharge can occur throughout Deposition process are stably maintained. The in turn leads to a layer deposition under homogeneous Plasma conditions as a prerequisite for homogeneous high quality Layers. The device according to the invention is because of high temperatures of the anode rods advantageously with a radiation cladding sheet also made of high-melting Surround material so that the chamber internals are not unnecessary be heated. On the other hand, the substrates over which to this open shield through the beam heat of the anode rods easily on advantageous substrate temperatures are brought.

Die Erfindung soll nachfolgend an einem Beispiel einer plas magestützten Beschichtung von Glassubstraten mit SiO₂-Schich ten näher erläutert werden.The invention will be explained in more detail below using an example of a plasma-based coating of glass substrates with SiO ₂ layers.

Die zugehörigen Zeichnungen zeigen in Fig. 1 eine schemati sche Darstellung einer Beschichtungseinrichtung und in Fig. 2 eine erfindungsgemäße Anode für eine niederenergetische Bogenentladung.The associated drawings show in Fig. 1 a schematic representation of a coating device and in Fig. 2 an anode according to the invention for a low-energy arc discharge.

In Fig. 1 ist innerhalb einer Vakuumkammer 1 mit einem Saug stutzen 2, an dem die Vakuumpumpanordnung angeschlossen ist, ein Elektronenstrahlverdampfer 3 und eine Niedervoltbogenent ladungsverdampfungseinrichtung, bestehend aus einer Hohlkato de 4, und der erfindungsgemäßen Anode 5 dargestellt. Im obe ren Teil der Vakuumkammer 1 befinden sich die Substrate 6, die auf einem drehbaren Substratträger 7 montiert sind.In Fig. 1 is shown within a vacuum chamber 1 with a suction nozzle 2 , to which the vacuum pump arrangement is connected, an electron beam evaporator 3 and a low-voltage arc charge evaporation device, consisting of a Hohlkato de 4 , and the anode 5 according to the invention. In the upper part of the vacuum chamber 1 are the substrates 6 , which are mounted on a rotatable substrate carrier 7 .

In Fig. 2 ist die erfindungsgemäß ausgebildete Anode näher dargestellt. Auf einem gekühlten Grundkörper 9 befindet sich eine kegelförmig gewendelte Drahtwendel 11 aus Wolfram, die durch Federspannung einseitig auf einem zylinderförmigen Ansatz 10 des Grundkörpers 9 sitzt. Umgeben ist die Drahtwen del 11 von einem Strahlungsmantelblech 13 und eine, mit einer zentrischen Öffnung versehenen Abdeckblende 14. Strahlungs mantelblech 13 und Abdeckblende 14 sind auf dem Grundkörper 9 isoliert angeordnet und liegen unter Einwirkung des Plasmas auf Floatingpotential. Sie wirken dabei als elektrostatische Blende für die Bogenentladung. In Fig. 2 according to the invention formed anode is shown in detail. On a cooled base body 9 there is a conically coiled wire coil 11 made of tungsten, which is seated on one side by spring tension on a cylindrical extension 10 of the base body 9 . The Drahtwen del 11 is surrounded by a radiation cladding sheet 13 and a cover 14 provided with a central opening. Radiation jacket plate 13 and cover 14 are arranged insulated on the base body 9 and are under the action of the plasma on floating potential. They act as an electrostatic diaphragm for arc discharge.

Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren unter Nutzung der erfindungsgemäßen Einrichtung näher beschrieben. Nach den nicht zur Erfindung gehörenden Verfahrensschritten, z. B. einer Ionenbeschußreinigung, wird, soweit nicht bereits er folgt, die Hohlkatodenbogenentladung gezündet. Die Bogenent ladung brennt dabei zwischen der Hohlkatode 4 und der Anode. Mittels bekannter Magnetfelder wird die Bogenentladung durch die Öffnung der Abdeckblende 14 in das Innere der Anode ge lenkt, und die Ladungsträger des Bogenstromes wirken auf die Drahtwendel 11 ein. Durch diese Ladungsträger, in erster Linie Elektronen, und die Widerstandserwärmung durch den Stromfluß, wird die Drahtwendel 11 auf Temperaturen von ca. 2500°C erwärmt. Diese hohen Temperaturen treten insbesondere im Bereich des freien Endes der Drahtwendel 11 auf. In der Nähe des gekühlten Grundkörpers 9 sind die Temperaturen nied riger. Statt der beschriebenen Drahtwendel 11 können auch andere, als Anodenstäbe bezeichnete, Elemente eingesetzt werden.The method according to the invention using the device according to the invention is described in more detail below. After the method steps not belonging to the invention, for. B. an ion bombardment cleaning, unless he already follows, the hollow cathode arc discharge is ignited. The Bogenent charge burns between the hollow cathode 4 and the anode. Using known magnetic fields, the arc discharge is directed through the opening of the cover plate 14 into the interior of the anode, and the charge carriers of the arc current act on the wire coil 11 . These charge carriers, primarily electrons, and the resistance heating due to the current flow, heat the wire coil 11 to temperatures of approximately 2500 ° C. These high temperatures occur in particular in the area of the free end of the wire coil 11 . In the vicinity of the cooled base body 9 , the temperatures are lower. Instead of the wire coil 11 described , other elements, referred to as anode rods, can also be used.

Nachfolgend wird zur Schichtabscheidung das Verdampfungs material, im Beispiel SiO₂-Granulat, aus dem Elektronen strahlverdampfer 3 verdampft. Das verdampfte SiO₂ scheidet sich im gewünschten Maße unter Einwirkung des Plasmas der Hohlkatodenbogenentladung auf den Substraten 6 als dichte SiO₂-Schicht mit guter Adhäsion ab. Gleichzeitig scheidet sich im unerwünschten Maße SiO₂ auch in der gesamten Vakuum kammer 1 und an den daran befindlichen Einrichtungen ab. Derart kommt es auch dazu, daß SiO₂ auf die Anode der Hohlka todenbogenentladung gelangt und es kann dort zu Abscheidungen kommen. Im Bereich der hocherhitzten Drahtwendel 11 mit Tem peraturen von ca. 2500°C, das liegt wesentlich über der Ver dampfungstemperatur des SiO₂ von ca. 2000°C, kann sich der SiO₂-Dampf nicht abscheiden, sondern wird unmittelbar wieder verdampft. Das freie Ende der Drahtwendel 11 bleibt über den gesamten Verfahrenszyklus sauber, und die Hohlkatodenboge nentladung kann unbeeinflußt von SiO₂-Abscheidungen stabil und gleichmäßig aufrechterhalten werden. Subsequently, the evaporation material, in the example SiO ₂ granulate, is evaporated from the electron beam evaporator 3 for layer deposition. The evaporated SiO ₂ deposits to the desired extent under the action of the plasma of the hollow cathode arc discharge on the substrates 6 as a dense SiO ₂ layer with good adhesion. At the same time, SiO ₂ separates to an undesirable extent in the entire vacuum chamber 1 and in the facilities attached to it. In this way it also happens that SiO ₂ arrives at the anode of the Hohlka electrode discharge and there may be deposits. In the area of the highly heated wire coil 11 with temperatures of approx. 2500 ° C., which is substantially above the evaporation temperature of the SiO ₂ of approx. 2000 ° C., the SiO ₂ vapor cannot separate, but is immediately evaporated again. The free end of the wire coil 11 remains clean over the entire process cycle, and the hollow cathode arc discharge can be stably and uniformly maintained unaffected by SiO ₂ deposits.

Vorteilhaft ist auch, daß die Plasmaerzeugung, gegenüber dem praktischen Stand der Technik, von der Verdampfung des iso lierenden Materials unabhängig erfolgt.It is also advantageous that the plasma generation compared to the practical state of the art, from the evaporation of the iso material is done independently.

Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der zugehörigen Einrichtung hergestellten Schichten zeichnen sich durch be sondere Homogenität aus. Vor allem die optischen Parameter können sehr stabil realisiert werden.The with the inventive method and the associated Established layers are characterized by be special homogeneity. Especially the optical parameters can be realized very stably.

Claims

1. A method for plasma-assisted deposition of thin insulating layers on substrates, in which an iso lierendes material or a material that separates out in a reactive atmosphere as the insulating material is vaporized and ionized in a plasma of a niederener Getian arc, characterized that the low-energy arc discharge Zvi rule a hollow cathode (4) and an anode is produced, wherein the anode is heated to a temperature which is the essential structure above the melting temperature of the evaporated film-forming material or the decomposition temperature of the reaction product of the vaporized material.

2. The method according to claim 1, characterized in that the anode temperature to 5 to 30% above the melting point temperature of the evaporated material or the decomposition temperature of the reaction product of the vaporized matter than is set.

3.Device for the plasma-assisted deposition of thin insulating layers on substrates, in which an insulating material or a material which separates as an insulating material in a reactive atmosphere is vaporized by means of a high-energy electron beam source and the vapor is ionized in a plasma of a lower getic arc discharge, characterized in that the low-energy plasma source consists of a hollow cathode, the associated anode of which has a cooled base body ( 9 ), on the side facing the cathode, wire-shaped anode rods made of high-melting material are arranged.

4. Device according to claim 3, characterized in that the wire-shaped anode rods made of tungsten or tantalum consist.

5. Device according to claim 3, characterized in that the wire-shaped anode rods one or more cylindrical, are spiral or conical coiled wires.

6. Device according to claim 3, characterized in that the wire-shaped anode rods from a radiation jacket sheet are surrounded by high-melting material.