DE3627151A1 - Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufdampfen von metallverbindungen - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufdampfen von metallverbindungenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum reaktiven Aufdampfen
von Metallverbindungen auf Substrate durch Verdampfen
mindestens eines Metalls mittels eines Elektronenstrahls
in einer aus dem Reaktionsgas bestehenden Atmosphäre bei
Drücken von höchstens 10-1 mbar, wobei im Bereich des
Dampfstroms zum Substrat eine gegenüber Masse positiv
vorgespannte Elektrode angeordnet ist.
Bei den Metallen handelt es sich vorzugsweise um solche, die
zu sogenannten Hartstoffen führen, wie beispielsweise
Titan, Zirkonium, Tantal, Vanadium und Hafnium. Bei
den Hartstoffen handelt es sich um Verbindungen mindestens
eines dieser Metalle mit Stickstoff (Nitride), Kohlen
stoff (Karbide) sowie gleichzeitig mit Kohlenstoff
und Stickstoff (sogenannte Karbonitride). Das Ver
fahren ist aber auch für das reaktive Verdampfen
anderer Metalle geeignet, die beispielhaft mit Sauer
stoff zu Oxiden umgesetzt werden.
Ein Verfahren der eingangs beschriebenen Gattung ist
durch den Aufsatz von Bunshah und Raghuram "Activated
Reactive Evaporation Process for High Rate Deposition of
Compounds", veröffentlicht in J. Vac. Sci. Technol.,
Band 9, Nr. 6, November-Dezember 1972, Seiten 1385 bis
1388, bekannt. Bei dem dort beschriebenen Verfahren wird
das Metall mittels eines Elektronenstrahls verhältnis
mäßig niedriger Beschleunigungsspannung (10 kV) un
mittelbar in der Vakuumkammer verdampft. Gleichfalls
unmittelbar im Dampfstrom befindet sich eine draht
förmige Elektrode, die gegenüber Masse positiv Vorge
spannt ist, beispielhaft auf eine Spannung zwischen
80 und 200 V. Beim Betrieb dieser Vorrichtung dient
der Elektronenstrahl nicht nur zum Verdampfen des
Metalls, sondern auch als Elektronenlieferant, während
die positive Elektrode negative Ladungsträger anzieht,
dadurch die Ionisationswahrscheinlichkeit erhöht, und
unmittelbar von einer Glimmentladung umgeben ist. Das
bekannte Verfahren bzw. die Vorrichtung sind jedoch
über die Anwendung im Labormaßstab nicht hinausgekommen,
da die Verdampfungsrate sich für großtechnische
Prozesse nicht in gewünschtem Maße erhöhen ließ. Alle
Versuche, die Verdampfungsrate durch Erhöhung des
Strahlstromes und damit der Strahlleistung zu erhöhen,
scheiterten daran, daß die Reaktion nicht mehr
stöchiometrisch ablief, obwohl eine Düse für die Zuleitung
des Reaktionsgases unmittelbar oberhalb der Ver
dampfungszone mündet. Die
Niederschlagsraten lagen zwar örtlich zwischen 4 und
9, 7 µm/min liessen sich jedoch nicht über eine
größere Fläche verteilen, und die niedergeschlagenen
Schichten enthielten in erheblichem Umfange nicht
an der Reaktion beteiligte Metallanteile.
Man hat daher bei der Beschichtung von Werkstoffen
mit Hartstoffschichten in großtechnischem Maßstabe
nahezu ausschließlich das Verfahren der Katodenzer
stäubung mit Magnetfeldunterstützung angewandt, ist
hierbei jedoch nicht oder zumindest nicht wesentlich
über Niederschlagsraten von etwa 1 bis 1,5 µm/min
hinausgekommen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren der eingangs beschriebenen Gattung dahin
gehend zu verbessern, daß auch bei hohen Nieder
schlagsraten Schichten mit stöchiometrisch umge
setzten Reaktionskomponenten aus Metallen und Gasen
erhalten werden, wobei das Verfahren in groß
technischem Maßstabe bei stabilen Betriebsbedingungen
durchgeführt werden kann.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei dem
eingangs beschriebenen Verfahren erfindungsgemäß
dadurch, daß
- a) der Metalldampf in einer den Verdampfer umgebenen Innenkammer erzeugt wird, die gegenüber dem Substrat eine Blendenöffnung aufweist,
- b) das Reaktionsgas in die Innenkammer eingeleitet wird,
- c) Metalldampf und Reaktionsgas durch die Blendenöffnung in Richtung auf das Substrat geleitet werden,
- d) der Elektronenstrahl in der Innenkammer mit dem Metalldampf und dem Reaktionsgas zu Ionisations zwecken in Wechselwirkung gebracht wird, wobei eine Beschleunigungsspannung von mindestens 20 kV gewählt wird, und daß
- e) die in der Innenkammer gebildeten bzw. in diese ein geschossenen negativen Ladungsträger durch die jenseits der Blende und außerhalb des Dampfstroms liegende gegenüber Masse positiv vorgespannte Elektrode durch die Blendenöffnung hindurch abgesaugt werden, wobei eine intensive, im Bereich von Blendenöffnung und Elektrode brennende Glimmentladung erzeugt wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren durchdringen und
fördern sich alle Merkmale a) bis e) gegenseitig.
Es kann angenommen werden, daß durch den Stau von Dampf
und Reaktionsgas und zumindest teilweise auch von den
Reaktionsprodukten aus Metalldampf und Reaktionsgas
in der Innenkammer in Verbindung mit dem in die Innen
kammer eingeschossenen Elektronenstrahl eine außer
ordentlich hohe Ionisation erzeugt wird, die zur
Freisetzung weiterer Elektronen führt. Durch die gegen
über dem Stand der Technik höhere Beschleunigungs
spannung des Elektronenstrahls von 20 kV und darüber,
vorzugsweise von etwa 30 bis 40 kV, entsteht ein
außerordentlich "steifer" Elektronenstrahl, der durch
das Magnetfeld des Anodenstroms nicht abgelenkt wird
und daher stabil bleibt. Durch das Absaugen der
negativen Ladungsträger durch die den Dampf- bzw. Gas
strom einschnürende Blende wird im Bereich von Blende
und Elektrode erneut die Ionisationswahrscheinlichkeit
erhöht. Bei einem Verfahren, das mit den weiter unten
noch näher angegebenen Betriebsparametern durchgeführt
wurde, ließ sich auf diese Weise ein weißglühendes,
im sichtbaren Bereich stark strahlendes Plasma er
zeugen, durch das auch die gewünschte vollständige
Umsetzung zwischen großen zugeführten Gasmengen und dem
Metalldampf ermöglicht wurde. Auf die angegebene
Weise liessen sich ohne weiteres Niederschlagsraten
von 5,0 µm/min erzeugen, wobei aber noch kein Ende der
Steigerungsmöglichkeiten abzusehen ist.
Dadurch, daß die positiv vorgespannte Elektrode außer
halb des Dampfstroms liegt, wird sie zumindest nicht
unmittelbar vom Dampfstrom getroffen, so daß sie auch
aus diesem Grunde ihre Betriebsfähigkeit über lange
Zeit behält. Die Bedingung "außerhalb des Dampfstroms"
wird im wesentlichen dadurch erfüllt, daß die be
treffende Elektrode - in der Projektion gesehen -
nicht in die Blendenöffnung hineinragt, sondern
allenfalls mit dem Rand der Blendenöffnung kongruent
angeordnet ist.
Es ist dabei von Vorteil, wenn die Innenkammer und der
Verdampfertiegel auf gleichem Potential, vorzugsweise
auf Massepotential, angeordnet sind. Dies geschieht
beispielhaft durch eine elektrisch gut leitende
metallische Verbindung der beiden Teile.
Es ist weiterhin von Vorteil, wenn die jenseits der
Blende liegende Elektrode auf eine Vorspannung von
+5 bis +100 V, vorzugsweise von +20 bis +40V, gelegt
wird.
Während das Substrat grundsätzlich auch auf Massepotential
gehalten werden kann, ist es vorteilhaft, an das Substrat
eine Spannung von -50 bis -2000 V anzulegen, um hierdurch
eine Art Ionen-Implantation positiver Ladungsträger zu
erreichen.
Die Erfindung betrifft außerdem eine Vorrichtung zur
Durchführung des eingangs beschriebenen Verfahrens
mit einer äußeren Vakuumkammer, einem Verdampfer
tiegel mit einer Elektronenkanone zum Beschuß des im
Verdampfertiegels befindlichen Verdampfungsguts
mit einem Elektronenstrahl, mit einer zwischen Ver
dampfertiegel und Substrat angeordneten, an eine gegen
über Masse auf positives Potential legbaren Elektrode.
Zur Lösung im wesentlichen der gleichen Aufgabe ist eine
solche Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch gekenn
zeichnet, daß
- a) der Raum über dem Verdampfertiegel von einer Innen kammer umgeben ist, die eine Eintrittsöffnung für den Elektronenstrahl und in Richtung auf das Substrat eine Blendenöffnung aufweist,
- b) die Innenkammer mit einer Zuführeinrichtung für ein Reaktionsgas versehen ist,
- c) jenseits der Blendenöffnung eine nicht in der Projektionsfläche der Blendenöffnung liegende Elektrode isoliert angeordnet ist, die mit einer Spannungsquelle mit einer gegenüber Masse positiven Ausgangsspannung verbunden ist.
Es ist dabei ganz besonders vorteilhaft, wenn die Innen
kammer quaderförmig ausgebildet ist und mit ihrer
offenen Unterseite auf den Verfampfertiegel aufge
setzt ist, wenn eine der vier senkrechten Seiten
wände der Innenkammer die Eintrittsöffnung für den
Elektronenstrahl aufweist, wenn in der oberen waag
rechten Wand der Innenkammer die Blendenöffnung ange
ordnet ist und wenn auf der oberen waagrechten
Wand isoliert die Elektrode befestigt ist.
Auf die angegebene Weise entsteht eine sehr kompakte
Bauweise, bei der die Innenkammer gleichzeitig
der Träger der Elektrode gegenüber den Substraten
ist.
Wegen der hohen Entladungsleistung speziell im Bereich
von Blendenöffnung und Elektrode ist es ganz be
sonders zweckmäßig, wenn die rahmenförmig ausgebildete
Elektrode einen Kühlkanal aufweist.
Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn beiderseits der
Innenkammer Polflächen eines Ablenkmagnetsystems ange
ordnet sind, und wenn der Elektronenstrahl zumindest
in seiner mittleren Stelllung in der Symmetrieebene
zwischen den beiden Polflächen verläuft.
Unter der "mittleren Stellung" des Elektronenstrahls
wird diejenige Stellung verstanden, von der die beiden
Endstellungen des periodisch bzw. oszillierend ausge
lenkten Elektronenstrahls gleich weit entfernt sind.
Die Oszillation des Elektronenstrahls ist besonders des
wegen zweckmäßig, um damit eine größere Fläche des Ver
dampfungsguts bestreichen zu können.
Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes
wird nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 4 näher er
läutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Prinzipdarstellung einer erfindungs
gemäßen Vorrichtung,
Fig. 2 einen Vertikalschnitt durch eine praktisch
ausgeführte Vorrichtung,
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Innenkammer mit
darüber angeordneter Elektrode und
Fig. 4 einen Blick auf den unteren Teil der Innen
kammer mit darin angeordneter Zuführein
richtung für das Reaktionsgas.
In Fig. 1 ist eine Vakuumkammer 1 dargestellt, die
über einen Saugstutzen 2 von einem nicht dargestellten
Pumpsatz evakuiert wird. In der äußeren Vakuumkammer 1
befindet sich eine Innenkammer 3, die einen waagrechten
Boden 4, vier senkrechte Seitenwände 5 und eine wieder
um waagrechte obere Wand 6 besitzt. Auf dem Boden 4
ruht ein Verdampfertiegel 7, in dem das schmelzflüssige
Verdampfungsgut 8 untergebracht ist, und der von einer
Kühlschlange 9 umgeben ist. In der linken Seitenwand 5
befindet sich eine Eintrittsöffnung 10 für einen
Elektronenstrahl 11, der auf einer bogenförmigen Bahn
auf die Oberfläche des Verdampfungsgutes 8 abgelenkt wird.
Die Mittel für die Stahlablenkung werden anhand von Fig. 2
noch näher erläutert. Hinter der Eintrittsöffnung 10
befindet sich eine Elektronenkanone 12 mit einem
Ablenksystem 13, durch das der Elektronenstrahl 11 nach
einem vorgegebenenen und von einem Programmgeber ge
steuerten Ablenkmuster auf der Oberfläche des
Verdampfungsgutes 8 periodisch abgelenkt wird.
Die obere Wand 6 ist als Blende ausgebildet, d.h.
sie besitzt eine Blendenöffnung 14, die gegenüber dem
Gesamtquerschnitt der Innenkammer 3 einen merklich
kleineren Querschnitt aufweist. In dem unteren
Teil der Innenkammer 3 befindet sich eine Zuführein
richtung 15, die aus zwei perforierten geraden Rohren
besteht, die senkrecht zur Zeichenebene verlaufen und zur
Zufuhr des Reaktionsgases dienen. Der durch die Wirkung
des Elektronenstrahls 11 gebildete Dampf des Verdampfungs
gutes 8 und das durch die Zuführeinrichtung 15 zuge
führte Gas werden durch die Blendenöffnung 14 hindurch
auf ein Substrat 16 geleitet, das sich stationär oder
beweglich oberhalb der Blendenöffnung 14 befindet. Im
vorliegenden Fall ist das Substrat 16 stationär darge
stellt.
Jenseits der Blendenöffnung 14, d.h. zwischen der oberen
Wand 6 und dem Substrat 16 befindet sich eine nicht in der
Projektionsfläche der Blendenöffnung 14 liegende
Elektrode 17, die sich mittels Isolatoren 18 auf der
oberen Wand 6 abstützt. Die Innenkanten 14 a der Blenden
öffnung 14 bilden ein Rechteck; das gleiche gilt auch
für die Innenkanten 17 a der Elektrode 17, die in
folgedessen einen rechteckigen Rahmen bildet. Die
Anordnung ist dabei so getroffen, daß die Innen
kanten 14 a und 17 a im wesentlichen miteinander
fluchten, wobei allerdings geringfügige Ab
weichungen von der Fluchtstellung nicht weiter
kritisch sind. Die Elektrode 17 ist an ihren Außen
kanten von einem Kühlkanal 19 umgeben, der zur Durchleitung
von Kühlwasser dient.
Während die Innenkammer 3 ebenso wie die äußere
Vakuumkammer 1 und der Verdampfertiegel 7 an Masse
gelegt ist, ist die Elektrode 17 über eine Leitung 20
und eine Isolierdurchführung 21 mit einer Spannungs
quelle 22 verbunden, durch die sie auf ein gegenüber
Masse positives Potential gelegt ist. Während es
möglich ist, das Substrat 16 gleichfalls auf Masse
potential zu legen, kann es , wie in Fig. 1 darge
stellt, auch über eine Leitung 23 und eine Isolierdurch
führung 24 an eine Gleichspannungsquelle 25 gelegt
werden. Durch die angegebene Potentialdifferenz
zwischen der Elektrode 17 und der Innenkammer 3 im
Bereich der Blendenöffnung 14 wird eine äußerst
intensive Glimmentladung erzeugt, deren obere und
seitliche Begrenzung in etwa durch die gestrichelte
Linie 26 angedeutet werden kann.
Beispielhaft beträgt der Abstand zwischen der Ober
seite der oberen Wand 6 und der Oberseite der-
Elektrode 17 31 mm, und der Abstand zwischen der
Oberseite der Elektrode 17 und der Unterseite des
Substrats 16 beträgt 34 mm.
In Fig. 2 sind gleiche Teile wie in Fig. 1 oder
Teile mit gleicher Funktion mit gleichen Bezugszeichen
versehen. Zusätzlich ist folgendes dargestellt:
Mehrere Substrate 16 sind in einem fahrbaren Substrat
halter 27 befestigt, der mittels einer Rollen- und
Schienenführung 28 senkrecht zur Zeichenebene ober
halb der Blendenöffnung verfahrbar ist. Zum An
trieb (periodisch hin- und hergehend) dienen ein
Getriebemotor 29, ein Zahnritzel 30 und eine Zahn
stange 31. Die gegenüberliegende Seite des Substrat
halters 27 stützt sich über eine Rolle 32 auf einer
Laufschiene 33 ab. Oberhalb der Substrate 16 be
findet sich eine aus Graphitstäben bestehende Heiz
einrichtung 34 für die Beheizung der Substrate 16,
eine Wärmedämmung 35 und eine Kabel-Schleppein
richtung 36, für die Zufuhr des Heizstroms und
(falls erforderlich) der negativen Vorspannung für
die Substrate 16.
Es ist weiterhin erkennbar, daß die Innenkammer 3 einen
nach unten offenen Boden 37 aufweist, der sich auf
Auslegern 38 im unteren Teil der Vakuumkammer 1 ab
stützt. Unmittelbar darunter bzw. in den Boden 37
eingesetzt, befindet sich der Verdampfertiegel 7.
Beiderseits der Innenkammer 3 befinden sich - teilweise
gestrichelt dargestellt - Polflächen 39, die von den
Innenseiten der Schenkel eines U-förmigen Ablenkmagnet
systems 40 gebildet wird. Die beiden Schenkel sind
durch ein Joch 41 miteinander verbunden, auf dem sich
- hier nicht dargestellt - eine Magnetwicklung be
findet. Durch das Ablenkmagnetsystem wird der
Elektronenstrahl 11 in der in den Fig. 1 und 2
dargestellten gekrümmten Bahn abgelenkt und gezielt
auf das Verdampfungsgut 8 gerichtet.
Fig. 2 zeigt noch eine zweite Zuführeinrichtung 42 für
ein weiteres Reaktionsgas, falls dieses benötigt wird.
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf die aus Kupfer be
stehende Elektrode 17 mit dem sie auf drei Seiten
umgebenden Kühlkanal 19. Zum Anschluß der Stromver
sorgung dienen Kontaktschrauben 43. Die lichten Ab
messungen der Elektrode 17, gegeben durch den Abstand
der paarweise zueinander parallel verlaufenden Innen
kanten 17 a betragen 90×135 mm2. Den Anblick von
Fig. 3 hat man, wenn man sich in Fig. 2 den Substrat
halter 27 und alle anderen Bauteile abgenommen denkt.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf den Verdampfertiegel 7
mit dem Verdampfungsgut 8. Beiderseits der Tiegel
öffnung, die durch die Innenkanten 7 a vorgegeben ist,
verläuft die aus perforierten Rohrabschnitten be
stehende Zufuhreinrichtung 15 für das Reaktionsgas. Den
Anblick gemäß Fig. 4 hat man, wenn man sich die Innen
kammer 3 und alle darüberliegenden Bauteile abgenommen
denkt.
In einer Vorrichtung mit den Einzelheiten nach den
Fig. 2 bis 4 wurden aus Edelstahl bestehende Blech
streifen als Substrate 16 angeordnet. Das Verdampfungs
gut bestand aus Titan. Der Druck in der äußeren
Vakuumkammer 1 wurde durch dosierten Einlaß von Stick
stoff (N2) auf etwa 10-2 mbar eingestellt. Durch Be
schuß des Verdampfungsgutes 8 mit einem Elektronenstrahl 11
mit einer Beschleunigungsspannung von 35 kV bei einem
Strahlstrom von 1,7 A wurde der reaktive Verdampfungsprozeß
eingeleitet. Die Spannung an der Elektrode 17 betrug +30V,
wobei sich an der Elektrode ein Anodenstrom von 200 A
einstellte. Die negative Vorspannung an den Substraten
betrug -100 V. Der Beschichtungsprozeß wurde bei mehr
maligen Hin- und Herfahren der Substrate für die Dauer
von 50 Sekunden fortgesetzt. Die sich hieraus er
rechnende Beschichtungsrate betrugt 5,0 µm/min.
Die aufgebrachte, goldfarbene Schicht besaß eine Härte
von HV=1200 kp/mm2 bei einer ausgezeichneten Haft
festigkeit, die sich auch nicht durch scharfkantiges
Biegen der Edelstahlbleche beseitigen ließ.
Durch Raster-Elektronenmikroskop-Aufnahmen wurde festge
stellt, daß die Schicht äußerst kompakt und frei von
Stengelwachstum war, und zwar im Gegensatz zu Unter
suchungsergebnissen, wie sie beim Verfahren nach dem
Stand der Technik zu beobachten sind.
Claims (8)
1. Verfahren zum reaktiven Aufdampfen von Metallver
bindungen auf Substrate durch Verdampfen mindestens
eines Metalls mittels eines Elektronenstrahls in
einer aus dem Reaktionsgas bestehenden Atmosphäre
bei Drücken von höchstens 10-1 mbar, wobei im
Bereich des Dampfstroms zum Substrat eine gegen
über Masse positiv vorgespannte Elektrode angeordnet
ist, dadurch gekennzeichnet, daß
- a) der Metalldampf in einer den Verdampfer um gebenden Innenkammer erzeugt wird, die gegen über dem Substrat eine Blendenöffnung auf weist,
- b) das Reaktionsgas in die Innenkammer eingeleitet wird,
- c) Metalldampf und Reaktionsgas durch die Blenden öffnung in Richtung auf das Substrat geleitet werden,
- d) der Elektronenstrahl in der Innenkammer mit dem Metalldampf und dem Reaktionsgas zu Ionisations zwecken in Wechselwirkung gebracht wird, wobei eine Beschleunigungsspannung von mindestens 20 kV ge wählt wird, und daß
- e) die in der Innenkammer gebildeten bzw. in diese eingeschossenen negativen Ladungsträger durch die jenseits der Blendenöffnung und außerhalb des Dampfstroms liegende, gegenüber Masse positiv vorgespannte Elektrode durch die Blenden öffnung hindurch abgesaugt werden, wobei eine intensive, im Bereich von Blendenöffnung und Elektrode brennende Glimmentladung erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die jenseits der Blende liegende Elektrode auf
eine Vorspannung von +5 bis +100 V, vorzugsweise
von +20 bis +40 V, gelegt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat an eine Spannung von -50 bis
-2000 V gelegt wird.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach
Anspruch 1 mit einer äußeren Vakuumkammer, einem
Verdampfertiegel mit einer Elektronenkanone zum
Beschuß des im Verdampfertiegel befindlichen Ver
dampfungsguts mit einem Elektronenstrahl, mit
einer zwischen Verdampfertiegel und Substrat ange
ordneten, an eine gegenüber Masse auf positives
Potential legbaren Elektrode, dadurch gekennzeichnet,
daß
- a) der Raum über dem Verdampfertiegel (7) von einer Innenkammer (3) umgeben ist, die eine Eintritts öffnung (10) für den Elektronenstrahl (11) und in Richtung auf das Substrat (16) eine Blendenöffnung (14) aufweist,
- b) die Innenkammer (3) mit einer Zuführein richtung (15) für ein Reaktionsgas versehen ist, und
- c) jenseits der Blendenöffnung (14) eine nicht in der Projektionsfläche der Blendenöffnung (14) liegende Elektrode (17) isoliert angeordnet ist, die mit einer Gleichspannungsquelle (22) mit einer gegenüber Masse positiven Ausgangsspannung ver bunden ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Innenkammer (3) quaderförmig ausgebildet ist,
und mit ihrer offenen Unterseite auf den Verdampfer
tiegel (7) aufgesetzt ist, daß eine der vier senkrechten
Seitenwände (5) der Innenkammer die Eintritts
öffnung (10) für den Elektronenstrahl (11) aufweist,
daß in der oberen waagrechten Wand (6) der Innen
kammer die Blendenöffnung (14) angeordnet ist, und
daß auf der oberen waagrechten Wand (6) isoliert
die Elektrode (17) befestigt ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Blendenöffnung (14) rechteckig ausgebildet
und die Elektrode (17) als rechteckiger Rahmen
ausgebildet ist, dessen Innenkanten (17 a) im wesent
lichen mit den Innenkanten (14 a) der Blenden
öffnung (14) fluchten.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die rahmenförmige Elektrode (17) einen Kühl
kanal (19) aufweist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß beiderseits der Innenkammer (3) Polflächen (39)
eines Ablenkmagnetsystems (40) angeordnet sind und
daß der Elektronenstrahl zumindest in seiner mittleren
Stellung in der Symmetrieebene zwischen den beiden
Polflächen (39) verläuft.
Priority Applications (3)
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Family Applications (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LEYBOLD AG, 6450 HANAU, DE |
|
8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: BAUER, VOLKER FEUERSTEIN, ALBERT, DR., 6451 NEUBERG, DE HARTIG, KLAUS, DR., 6451 RONNEBURG, DE KIENEL, GERHARD, DR., 6450 HANAU, DE LAEMMERMANN, HELMUTH, 8755 ALZENAU, DE ZIRKEL, WOLFGANG, 6464 LINSENGERICHT, DE NISHIIKE, UJIHIRO, DR., FUNABASHI, CHIBA, JP |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG, 63450 |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |