DE3844630C2

DE3844630C2 -

Info

Publication number: DE3844630C2
Application number: DE19883844630
Authority: DE
Inventors: Shinichi Inoue; Kenichiro Yamanishi; Seiji Yasunaga; Katsuhiro Imada; Yasuyuki Kawagoe; Masaaki Tanaka; Keisuke Nanba; Shigenori Amagasaki Hyogo Jp Yagi
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1987-11-25
Filing date: 1988-11-25
Publication date: 1990-11-22
Anticipated expiration: 2008-11-26
Also published as: DE3839903C2; DE3839903A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und deren Verwendung zum Aufdampfen von Dünnschichten.

Es ist eine Vorrichtung zum Erzeugen von SiO₂-Schichten auf einem Substrat bekannt, bei der in einem Vakuumgefäß verdampftes Si ionisiert und unter Zufuhr von O₂ im Ionenclusterstrahl- Verfahren auf das Substrat aufgedampft wird (US-PS 46 25 895).

Ferner ist eine Vorrichtung der eingangs erwähnten Gattung aus JP-GM 4920/1983 bekannt.

Beim Ausbilden z. B. einer supraleitenden Oxid-Dünnschicht unter Benutzung der bekannten Aufdampfvorrichtung befindet sich das Gas im Vakuum im molekularen Zustand und hat geringe Aktivität; die Schichtdichte ist deshalb gering und schafft Probleme insofern, als die Supraleitfähigkeit nicht erzielt werden kann, wenn doch, nicht zufriedenstellend ist oder nicht dauerhaft ist usw. Zur Überwindung dieser Schwierigkeiten ist durch Behandeln der aufgedampften Dünnschicht mit Sauerstoffplasma versucht worden, die Supraleitfähigkeit zu verbessern und haltbar zu machen. Weil jedoch die Wirkung dieser Maßnahmen auf die Oberfläche der Dünnschicht begrenzt ist, ist eine vollständige Lösung noch nicht erreicht worden. Außerdem, wenngleich es ein Verfahren zum Ionisieren und Beschleunigen der reaktionsfähigen Gase nach der Aufdampfung und zum Aufstrahlen auf die Substratoberfläche gab, wird, weil die Energie je einzelnes Atom der reaktionsfähigen Gasionen hoch ist, die Substratoberfläche beschädigt und dadurch möglicherweise die Supraleitfähigkeit der Dünnschicht herabgesetzt oder aufgehoben.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehend beschriebenen Schwierigkeiten zu überwinden und eine Vorrichtung sowie deren Verwendung zum Herstellen von Dünnschichten großer Schichtdicke und hoher Güte, insbesondere von supraleitenden Oxidschichten, anzugeben.

Eine Vorrichtung nach der Erfindung ist im Anspruch 1 angegeben. Eine Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist in Anspruch 5 angegeben.

Weitere Merkmale und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen 2 bis 4.

Mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand schematischer Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 eine Darstellung des Aufbaus einer Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten nach dem Herstellungsverfahren für Oxid-Dünnschichten in einer zweiten Ausführungsform,

Fig. 2 eine Darstellung in größerem Maßstab des Aufbaus in der Umgebung des Substrates bei einer weiteren Ausführungsform,

Fig. 3 eine Darstellung des Aufbaus einer Vorrichtung zum Ausbilden von Dünnschichten nach dem Herstellungsverfahren gemäß einer anderen Ausführungsform.

Fig. 4 ein Blockschaltbild mit einer Darstellung des Aufbaus einer Ausführungsform eines nach dem Adsorptionsprinzip arbeitenden Ozongenerators für die Vorrichtung zum Ausbilden von Dünnschichten,

Fig. 5 ein Blockschaltbild mit einer Darstellung des Aufbaus eines nach dem Adsorptionsprinzip arbeitenden Ozongenerators für eine andere Ausführungsform der Vorrichtung,

Fig. 6 ein Blockschaltbild mit einer Darstellung des Aufbaus eines nach dem Verflüssigungsprinzip arbeitenden Ozongenerators gemäß einer weiteren Ausführungsform,

Fig. 7 eine Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform einer Einrichtung zur Ozonzersetzung für die Vorrichtung zum Ausbilden von Dünnschichten,

Fig. 8 eine Schrägansicht einer Zersetzungskammer, gemäß einer Ausführungsform,

Fig. 9 eine Darstellung des Aufbaus von einem Teil einer Einrichtung zur Ozonzersetzung für eine noch andere Ausführungsform,

Fig. 10 eine Ansicht einer Einrichtung zur Oxidationsbehandlung für eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zum Ausbilden von Oxid-Dünnschichten nach dem erfindungsgemäßen Verfahren.

Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung zur Herstellung von Oxid-Dünnschichten wird im Zusammenhang mit der Herstellung von z. B. bei hohen Temperaturen supraleitenden Dünnschichten aus der Y-Ba-Cu-O-Serie mittels einer mit Mehrstoff-Ionenclusterstrahl arbeitenden Vorrichtung beschrieben. Beim gezeigten Beispiel umfaßt die Vorrichtung ein Vakuumgefäß 31, das sich mittels einer Pumpe 31 a evakuieren läßt, einen Tiegel 32 zum Erwärmen von Yttrium (Y), Barium (Ba) und Kupfer (Cu), die als aufdampfbares Material 33 in den Tiegel 32 aufgegeben werden, eine Düse 32 a am Tiegel 32, einen Heizdraht 34 zum Erwärmen des Tiegels 32, blockähnliche Atomanhäufungen (Cluster) 36, die durch die adiabatische Entspannung der von der Düse 32 a ausgestrahlten Dämpfe des aufdampfbaren Materials 33 entstanden sind, einen Ionisationsdraht 37 zur Abgabe von Elektronen für die Ionisierung der Cluster 36, ein Substrat 38, auf dem Dünnschichten ausgebildet werden, Beschleunigungselektroden 39 zum Beschleunigen der Ionencluster, und einen mit einer nicht dargestellten Anzeige verbundenen Monitor 40 zur Überwachung der Geschwindigkeit, mit der jedes Aufdampfmaterial 33 auf das Substrat 38 aufgedampft wird. Ferner sind vorgesehen eine Einrichtung 41 zur Ozoneinleitung, eine Heizvorrichtung 42 zum Erwärmen des Substrats 38 auf eine hohe Temperatur mit, z. B. einem Heizdraht, sowie eine Ionenclusterstrahl-Quelle 43 und einen mit elektrischer Hochdruckentladung arbeitenden Ozongenerator 44. Weil bei diesem Beispiel drei Arten von Aufdampfmaterial 33 benutzt werden, sind drei Ionenclusterstrahl-Quellen 43 vorgesehen.

Die Arbeitsweise ist folgende: Metallisches Yttrium (Y), Barium (Ba) und Kupfer (Cu) als Aufdampfmaterial 33 sind jeweils in einen der Tiegel 32 aufgegeben, die aus einem Werkstoff mit hohem Schmelzpunkt oder Graphit usw. hergestellt und im Vakuumgefäß 31 angeordnet sind, welches unter einem Unterdruck von weniger als 1,33×10^-5 mbar gehalten wird. Der Tiegel 32 wird durch Strahlungswärme oder durch die Energie der vom auf eine Temperatur von etwa 1000 bis 2500°C gebrachten Heizdraht 34 emittierten Elektronen auf eine Temperatur von etwa 900 bis 2000°C erwärmt. Yttrium, Barium und Kupfer, als die erwärmten Aufdampfmaterialien 33, werden bei einem Druck von etwa 0,13 bis 13,3 mbar im Tiegel 32 verdampft. Die unter diesem Druck stehenden Dämpfe werden von der Düse 32 a im Tiegel 32 in den Innenraum des Vakuumgefäßes 31 in Richtung auf das Substrat 38 gerichtet. Beim gezeigten Beispiel bilden die Dämpfe von jedem der Aufdampfmaterialien 33 infolge der adiabatischen Entspannung blockähnliche Atomanhäufungen (Cluster) 36. Dadurch daß man vom Ionisationsdraht 37 emittierte Elektronen auf die so gebildeten Cluster 36 jedes der Aufdampfmaterialien 33 auftreffen läßt, wird ein Teil der Cluster 36 ionisiert. Diese jeweiligen ionisierten Cluster 36 werden von der Beschleunigungselektrode 39 mit einer Energie unter 10 kV beschleunigt und erreichen zusammen mit den nichtionisierten neutralen Cluster 36 das Substrat 38. Die Aufdampfgeschwindigkeit jedes der Aufdampfmaterialien 33, welches das Substrat 38 erreicht und auf des aufgedampft wird, wird mit einem jeweils einem Element zugeordneten Monitor 40 überwacht.

Beim gezeigten Beispiel wird vom Ozongenerator 44 erzeugtes Ozon aus der Ozon-Einleitungseinrichtung 41 direkt auf das Substrat 38 gestrahlt, um in dessen Nähe eine Ozonatmosphäre hoher Konzentration zu schaffen. Das Substrat 38 wird von seiner Heizvorrichtung 42 auf einer hohen Temperatur, etwa zwischen 150 und 900°C, gehalten. Innerhalb dieses Temperaturbereiches wird das Ozon am Substrat 38 rasch in molekularen und atomaren Sauerstoff zerlegt. Die Sauerstoffatome sind reaktionsfreudiger als Ozon oder auch als molekularer Sauerstoff und gehen somit rasch in Reaktion mit Yttrium, Barium und Kupfer als den aufdampfbaren Materialien 33, derart, daß bei hoher Temperatur supraleitende YBa₂Cu₃O₇_-x-Schichten mit Perowskit-Struktur auf dem Substrat 38 entstehen. Der Druck auf der Außenseite des Substrats 38 wird im Falle von Ozoneinleitung höher gehalten, wogegen die Außenseite des Tiegels 32 im Vakuumgefäß 31 auf einem niedrigen Druck von weniger als 4×10^-4 mbar gehalten wird.

In der nachstehenden Tabelle 1 sind für die bei hohen Temperaturen supraleitenden Dünnschichten aus der Y-Ba-Cu-O-Serie, wie sie nach dem Verfahren zur Herstellung von Oxid-Dünnschichten gemäß der beschriebenen Ausführungsform hergestellt wurden, Meßergebnisse angegeben für den elektrischen Widerstand, für die Temperatur, bei welcher der elektrische Widerstand in den supraleitenden Zustand übergeht, für den Fall der Einleitung von Sauerstoff statt Ozon unter Benutzung der beschriebenen Vorrichtung (zum Vergleich), sowie für nach herkömmlichen Verfahren hergestellte Dünnschichten.

Tabelle 1

Weil gemäß vorstehender Tabelle 1 beim gezeigten Beispiel das Oxid jedes Einzelelementes, z. B. Y₂O₃, BaO, CuO, weniger in dem Raum gebildet wird, der von der Bewegungsbahn der gegen das Substrat 38 gerichteten Aufdampfmaterialien 33 durchkreuzt wird, die Oxidationsreaktion aber mit hohem Wirkungsgrad und hoher Reaktionsgeschwindigkeit auf dem Substrat 38 stattfindet, lassen sich bei hoher Temperatur supraleitende Dünnschichten von ausgezeichneten Eigenschaften erzielen. Bei dem vorstehend beschriebenen Versuch wurden bei der Untersuchtung von Fremdstoffen in den so ausgebildeten Dünnschichten mittels der Auger-elektronen photospektrometrischen Methode Oxide des Wolfram als dem Werkstoff des Heizdrahtes 34 und des Ionisationsdrahtes 37 nur in den Dünnschichten festgestellt, die durch Ozoneinleitung nach dem herkömmlichen Verfahren hergestellt wurden.

Weil bei der beschriebenen Ausführungsform das Aufdampfen in einer Ozonatmosphäre hoher Konzentration in der Nähe des Substrates 38 durchgeführt wird und das Substrat 38 erwärmt wird, findet auf dem Substrat 38 eine Oxidationsreaktion mit hohem Wirkungsgrad und großer Geschwindigkeit statt, derart, daß Oxid-Dünnschichten mit hoher Geschwindigkeit hergestellt werden können. Weil ferner Ozon- oder Sauerstoffatome in der Nähe des Substrats 38 erzeugt werden, kann eine im herkömmlichen Fall innerhalb der Ionenclusterstrahl-Quelle 43 verursachte Reaktion verhindert werden. Weil ferner der Unterdruck im Hochtemperaturteil, z. B. am Verdampfer usw. im Vakuumgefäß 31 niedrig gehalten werden kann, ist es möglich, das Entstehen von Fremdstoffoxiden durch die Reaktion solcher Hochtemperatur-Teile mit Sauerstoff oder Ozon zu unterdrücken, um die Ausbildung von Oxid-Dünnschichten hoher Reinheit zu ermöglichen. Weil auch der Unterdruck in dem Raum, in dem das Aufdampfmaterial 33 im Vakuumgefäß 31 das Substrat 38 erreicht, niedrig gehalten werden kann, verursacht das aufdampfbare Material 33 vor Erreichen des Substrats 38 kaum eine Oxidationsreaktion, und das Oxid jedes der Elemente vermengt sich während der Ausbildung der Mehrstoff- Oxid-Dünnschichten mit den Schichten nicht und folglich lassen sich Mehrelement- bzw. Mehrstoff-Oxid-Dünnschichten mit ausgezeichneten Eigenschaften erzielen.

Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform wird das Substrat 38 mittels seiner Heizvorrichtung 42 auf einer hohen Temperatur gehalten. Es ist auch möglich, Oxid-Dünnschichten von hoher, mit der im beschriebenen Beispiel erzielten Güte vergleichbarer Güte herzustellen, ohne daß das Substrat 38 mit der Heizvorrichtung 42 erwärmt wird, weil im Vergleich mit molekularem Sauerstoff stärker reaktionsfähiges Ozon, wenngleich von geringer Aktivität als atomarer Sauerstoff, auf dem Substrat 38 eine direkte Reaktion mit jedem der Aufdampfmaterialien 33 hervorruft. Ferner ist die Ausführung der Heizvorrichtung nicht auf einen Draht beschränkt, sondern kann eine Lampe o. dgl. sein. Wenngleich bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform als Ozongenerator 44 ein elektrisches Hochdruck-Entladungssystem verwendet wird, können als Ozongenerator 44 auch andere Systeme benutzt werden. Beim gezeigten Beispiel wird als Ozon-Einleitungseinrichtung 41 nur ein gegen das Substrat 38 gerichtetes kleines Rohr benutzt; gemäß Fig. 3, welche die Umgebung des Substrats 38 in größerem Maßstab zeigt, kann auch ein das Substrat 38 umgebendes ringförmiges Rohr mit einer Vielzahl von Düsen 41 a verwendet werden. Ferner ist beim gezeigten Beispiel die Ionenclusterstrahl-Quelle 43 im Vakuumgefäß 31 angeordnet; eine Reaktion zwischen den Bauteilen der Ionenclusterstrahl-Quelle 43 und den eingeleiteten Gasen kann geringer gehalten werden, wenn gemäß Fig. 4 am Unterteil des Vakuumgefäßes 31 eine kleine Kammer 45 zur Aufnahme der Ionenclusterstrahl- Quelle 43 vorgesehen wird, derart, daß die Außenseite der Ionenclusterstrahl-Quelle 43 durch die zwischen den Pumpen 31 a und 43 a differentielle bzw. unterschiedliche Evakuierung auf einem höheren Vakuum gehalten wird.

Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist die Einrichtung 41 zur Ozoneinleitung der Ionenclusterstrahl- Quelle 43 gegenüber angeordnet; es können andere Vorrichtungen zur Ausbildung von Dünnschichten vorgesehen sein, z. B. eine Vakuum-Aufdampfvorrichtung oder ein Ionenstrahl-Zerstäuber usw., mit denen sich die gleichen Wirkungen wie mit dem gezeigten Beispiel erzielen lassen.

Die vorstehend beschriebene Ausführungsform wird bei der Ausbildung von bei hohen Temperaturen supraleitenden Dünnschichten der Y-Ba-Cu-O-Serie als Mehrstoff- Oxidschicht verwendet; sie ist auch anwendbar auf die Herstellung anderer Mehrstoffoxide und Einelementoxide, wodurch ähnliche Wirkungen wie beim gezeigten Beispiel erzielt werden.

Weil bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform die Aufdampfung in einem Zustand durchgeführt wird, in dem die Ozonatmosphäre in der Nähe des Substrats durch direktes Einpressen von Ozon gegen das Substrat beibehalten wird, ist die Durchführung einer Oxidationsreaktion am Substrat mit hohem Wirkungsgrad und großer Geschwindigkeit möglich, wodurch das Entstehen von Fremdstoffoxid relativ verhindert werden kann und ein Verfahren ermöglicht wird, mit dem sich Oxid-Dünnschichten von hoher Güte mit großer Geschwindigkeit herstellen lassen.

Die vorstehend beschriebenen Wirkungen können weiter verbessert werden, wenn Ozon direkt in Richtung auf das Substrat ausgestrahlt wird, wodurch die Nachbarschaft des Substrats in einer Ozonatmosphäre gehalten wird, und wenn das Aufdampfen an einem erwärmten Substrat vorgenommen wird.

Bei der in Fig. 1 und 3 dargestellten abgewandelten Ausführungsform erzeugt der Ozongenerator 44 eine hohe Ozonkonzentration, wofür eine nach dem Adsorptionsprinip arbeitende Einrichtung verwendet wird. Weil der übrige Aufbau bei den Ausführungsformen gemäß Fig. 1 und 3 gleich ist, wird auf seine Beschreibung verzichtet.

Das Blockschaltbild der Fig. 4 zeigt den Aufbau eines nach dem Adsorptionsprinzip arbeitenden Ozongenerators. Bei diesem Beispiel ist eine Ozonadsorptionssäule 141 mit einem Ozonadsorptionsmittel, z. B. Kieselgel, gefüllt und durch ein Kühlaggregat 142 auf eine Temperatur von z. B. tiefer als -20°C gekühlt. Als Ozongenerator 143 wird ein bekannter Ozongenerator, wie er bei der herkömmlichen Vorrichtung verwendet wird, benutzt. Es sind ferner vorgesehen ein Sauerstoffzylinder 144, Elektromagnetventile 145, 146 und 147 und ein Nadelventil 148.

Die Arbeitsweise des Adsorptions-Ozongenerators 143 ist folgende: Der Generator 44 zum Erzeugen von Ozon hoher Konzentration wird vor Ausbildung von Dünnschichten betätigt. Bei dem in Fig. 4 gezeigten Beispiel wird das Kieselgel usw. in der Adsorptionssäule 141 mittels des Kühlaggregates 142 bis zu dem Grade gekühlt, daß es Ozon rasch adsorbiert, wobei das Elektromagnetventil 147 geschlossen und die Elektromagnetventile 145 und 146 geöffnet sind. Sodann wird vom Sauerstoffzylinder 144 bei oder über atmosphärischem Druck abgegebener Sauerstoff durch den Ozongenerator 143 zum Teil in Ozon umgewandelt. Die mit dem Ozongenerator 143 erreichte Ozonkonzentration beträgt üblicherweise etwa 50 mg/l. Wenn der Ozon enthaltende Sauerstoff in die Adsorptionssäule 141 eingeleitet wird, wird dort Ozon adsorbiert, wogegen der Sauerstoff über das Elektromagnetventil 145 ausgeleitet wird. Dieser Vorgang wird fortgesetzt, bis die Abgabe von Ozon aus der Adsorptionssäule 141 beginnt, und nach ausreichender Ansammlung von Ozon in der Adsorptionssäule 141 werden die Elektromagnetventile 145 und 146 geschlossen und der Betrieb des Ozongenerators 143 unterbrochen. Die Einrichtung zum Erzeugen von Ozon hoher Konzentration ist damit betriebsbereit.

Die Arbeitsweise der gesamten Vorrichtung zum Ausbilden von Dünnschichten gemäß dieser Ausführungsform ist die gleiche wie bei Fig. 1 und 3.

Gleichzeitig mit der weiter oben beschriebenen Ionisierung der Cluster wird der Ozon hoher Konzentration erzeugende Generator 44, welcher zuvor ausreichend Ozon adsorbiert hat, so betrieben, daß Ozon aus der Einleitungs einrichtung 41 in das Vakuumgefäß 31 eingeleitet wird. Dabei wird gemäß Fig. 4 bei richtiger Einstellung des Nadelventils 148 und geöffnetem Elektromagnetventil 147 in der Adsorptionssäule 144 adsorbiertes Ozon durch die Druckdifferenz zwischen der Adsorptionssäule 141 und dem Vakuumgefäß 31 desorbiert und in hoher Konzentration vom Einleitungsrohr eingespeist. Weil bei dieser Ausführungsform Ozon durch Adsorption konzentriert wird, läßt sich eine um eine Stelle höhere Ozonkonzentration als mit herkömmlichen Ozonerzeugern erreichen.

In Tabelle 2 sind Meßergebnisse angegeben für den elektrischen Widerstand von bei hoher Temperatur supraleitenden Dünnschichten der Y-Ba-Cu-O-Serie, welche mit einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten ausgebildet wurden, sowie für die Temperatur, bei welcher der elektrische Widerstand in den supraleitenden Zustand übergeht.

Weil, wie die Ergebnisse in Tabelle 2 zeigen, mit der Vorrichtung eine außergewöhnlich hohe Ozonkonzentration von 1000 bis 1500 mg/l erzielt wird, findet die Oxidationsreaktion mit einem höheren Wirkungsgrad und mit größerer Geschwindigkeit statt als bei der Herstellung von Dünnschichten mit der herkömmlichen Vorrichtung bei einer Ozonkonzentration von etwa 50 mg/l, wodurch bei hohen Temperaturen supraleitende Dünnschichten von herkömmlichen Dünnschichten überlegenen ausgezeichneten Eigenschaften erzielt werden können. Weil außerdem Ozon mit hoher Konzentration erhalten werden kann, kann die Menge an ozonisiertem Sauerstoff, die zur Herbeiführung einer bestimmten Anteils an der Oxidationsreaktion zugeführt wird, herabgesetzt werden, und folglich läßt sich der Vorteil schaffen, daß die Evakuierungsleistung der an das Vakuumgefäß 31 angeschlossenen Vakuumpumpe reduziert werden kann. Wird z. B. die Ozonkonzentration um das Zehnfache erhöht, kann die Leistung der Absaugpumpe auf 1/10 herabgesetzt werden, wodurch eine Verkleinerung der Vorrichtung und eine Senkung ihrer Kosten möglich sind.

Tabelle 2

Fig. 4 zeigt ein System zur Ableitung nach außen von nicht umgesetztem Sauerstoff, der im Ozongenerator 143 nicht in Ozon umgewandelt worden ist (etwa 90%). In Fig. 5 ist ein sogenanntes Sauerstoff-Recycling-System dargestellt, das nicht umgesetzten Sauerstoff dem Ozongenerator 143 zur Wiederverwendung wieder zuführt. Das System gemäß Fig. 5 umfaßt ein Gebläse 149. Bei diesem Typ eines nach dem Adsorptionsprinzip arbeitenden Erzeugers von Ozon hoher Konzentration lassen sich die Kosten für den Ausgangssauerstoff senken, wodurch die Betriebskosten dank der Wiederverwendung des nicht umgesetzten Sauerstoffs verringerbar sind, wenngleich das System etwas komplizierter aufgebaut ist als die Ausführungsform gemäß Fig. 4.

Bei einer anderen Ausführungsform eines Erzeugers hoher Ozonkonzentration wird flüssiges Ozon verwendet. Weil die Bauteile der Vorrichtung zum Ausbilden von Dünnschichten die gleichen wie die in Fig. 1 oder 3 dargestellten sind, wird auf ihre Beschreibung verzichtet. Das Blockschaltbild in Fig. 6 zeigt den Aufbau des nach dem Verflüssigungsprinzip arbeitenden Ozongenerators, bei dem ein Tank 140 auf eine Temperatur unter -114°C, der Verflüssigungstemperatur von Ozon, gekühlt wird. Die Vorgehensweise ist die gleiche wie weiter oben beschrieben; der einzige Unterschied besteht darin, daß vom Generator 143 erzeugtes Ozon verflüssigt und im Tank 140 aufgefangen wird, und daß flüssiges Ozon durch Verbinden mit dem Innenraum des Vakuumgefäßes wieder verdampft wird. Wenngleich bei diesem System die Kühltemperatur für den Tank 140 auf weniger als -114°C gesenkt werden muß und somit als Kühlmittel flüssiger Sauerstoff oder flüssiger Stickstoff erforderlich wird, kann, weil Ozon mit einer Reinheit von nahezu 100% erzielt und eine große Menge Ozon aufgefangen werden kann, das System als in hohem Maße wirkungsvoll und schnell und für die Ausbildung großer Mengen Dünnschichten geeignet betrachtet werden.

Als nach dem Verflüssigungsprinzip arbeitender Erzeuger hoher Ozonkonzentrationen kann zusätzlich zu dem in Fig. 6 dargestellten Generator auch eine mit Sauerstoff- Recycling arbeitende Ausführungsform in Betracht gezogen werden, bei der nicht umgesetzter Sauerstoff, der aus dem Tank 40 abgegeben wurde, mittels eines Gebläses dem Ozongenerator 143 wiederzugeführt wird.

Wenngleich sich die vorstehende Beschreibung auf supraleitende Dünnschichten bezieht, kann die beschriebene Ausführungsform auf andere Aufdampf- oder Zerstäubervorrichtungen angewendet werden.

Mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen, nämlich dem nach dem Adsorptionsprinzip arbeitenden Ozongenerator mit einem Ozonadsorptionsteil, der vom Generator erzeugtes Ozon von Adsorptionsmitteln adsorbieren läßt, oder dem nach dem Verflüssigungsprinzip arbeitenden Ozongenerator mit einem Verflüssigungsteil zum Verflüssigen von vom Generator erzeugtem Ozon, bei denen der Adsorptions- bzw. der Verflüssigungsteil mit dem Innenraum des Vakuumgefäßes so verbunden ist, daß adsorbiertes oder flüssiges Ozon durch Desorption oder Verdampfung in den Innenraum des Vakuumgefäßes zugeführt wird, können vorteilhafte Wirkungen erzielt werden, mit denen sich Dünnschichten mit hohem Wirkungsgrad und rasch herstellen lassen, ebenso Hochleistungs- Dünnschichten, und weil mit hoher Konzentration erhalten werden kann, kann die Leistung der Vakuumpumpe reduziert werden, wodurch sich die Vorrichtung gegenüber üblichen Vorrichtungen verkleinern und ihre Kosten senken lassen.

Bei der in Fig. 1 oder 3 dargestellten Ausführungsform ist gemäß Fig. 7 und 8 an der Öffnung für Ozon-Einleitungs einrichtung 41 eine Ozon-Zersetzungseinrichtung befestigt. Weil dabei andere Bauteile der Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten, an der eine solche Ozon-Zersetzungseinrichtung angeordnet ist, mit den in Fig. 1 oder 3 dargestellten gleich sind, wird auf eine entsprechende Beschreibung verzichtet.

Gemäß Fig. 7 ist zum Erwärmen von zersetzungsfähigem Ozon, das von der Einleitungseinrichtung 41 gegen das Substrat 38′ gestrahlt wird, eine Zersetzungskammer 55 vorgesehen, um die zu ihrer Erwärmung eine Heizvorrichtung 56 angeordnet ist. Die Zersetzungskammer 55 und die Heizvorrichtung 56 bilden eine Einrichtung 57 zum Zersetzen von aus der Einleitungseinrichtung 41 ausgestrahltem Ozon in atomaren und molekularen Sauerstoff.

Die Arbeitsweise dieser Ausführungsform ist folgende: Weil die Cluster auf gleiche Weise wie bei der herkömmlichen Vorrichtung erzeugt werden, wird bei gezeigten Beispiel der Wirkungsgrad der Oxidationsreaktion für das aufdampfbare Material 33 auf dem Substrat 38 bei Verwendung der Ozon-Zersetzungseinrichtung 57 erläutert.

Gemäß Fig. 7 umfaßt die Ozon-Zersetzungseinrichtung 57 die Zersetzungskammer 55, welche durch die Heizvorrichtung 56 auf eine hohe Temperatur zwischen 150 und 800°C erwärmt wird. Von der Einleitungseinrichtung 41 ausgestrahltes und durch die Zersetzungskammer 55 hindurchgeleitetes Ozon wird aufgrund seiner Kollision mit den Wänden der erwärmten Zersetzungskammer 55 oder durch die Strahlung von den Kammerwänden erwärmt, in molekularen und atomaren Sauerstoff zerlegt, der reaktionsfreudiger als Ozon ist, und dann gegen das Substrat 38 gestrahlt. Somit können auch dann, wenn die Substrattemperatur nur etwa 150°C oder weniger beträgt, bei der also Ozon nicht ohne weiteres auf dem Substrat 38 zersetzt werden kann, Yttrium, Barium und Kupfer als Aufdampfmaterial 33 mit dem in hohem Maße reaktionsfähigen atomaren Sauerstoff zur Reaktion gebracht werden. Bei gleicher Menge des mit der Einrichtung 41 eingeleiteten Ozons findet bei Verwendung der Ozon-Zersetzungseinrichtung 57 eine wirkungsvollere Oxidation statt, wodurch bei hoher Temperatur supraleitende Dünnschichten mit der Perowskit-Struktur in der Zusammensetzung YBa₂Cu₃O_7-x mit hoher Qualität und rasch auf dem Substrat 38 entstehen.

Es ist für die Zersetzung bzw. Zerlegung von Ozon nützlich, wenn die Zersetzungskammer 55 gemäß Fig. 8 aufgebaut ist, wonach der Kammerinnenraum durch Wände stark unterteilt oder mit Gittern versehen ist, um durch Vergrößern der Wandoberfläche die Kollisionsmöglichkeiten zwischen dem Ozon und den Wänden zu vergrößern und die Aufnahmee von Strahlungswärme von den Wänden zu verbessern.

Wenngleich beim gezeigten Beispiel die Heizvorrichtungg 56 zur Bildung der Ozon-Zersetzungseinrichtung 57 um die Zersetzungskammer 55 angeordnet ist, ist eine Anpassung in der Weise möglich, daß die Heizvorrichtung 56 gemäß Fig. 10 direkt auf der Außenfläche der Ozon- Einleitungseinrichtung 41 angeordnet ist.

Beim gezeigten Beispiel wird Ozon unter Ausnutzung von Wärme zersetzt. Die Zersetzung von Ozon kann auch dadurch erreicht werden, daß Elektroden in der Zersetzungskammer 55 angeordnet werden, an die zur Ozonzerlegung eine Spannung angelegt und dadurch eine elektrische Entladung in der Ozonatmosphäre ausgelöst wird. Dies kann eine ähnliche Wirkung schaffen wie bei der zuvor beschriebenen Ausführungsform. Die Temperatur des Substrates 38 beträgt bis herunter zu etwa 150°C oder weniger; sie kann auch bis zwischen 150 und 900°C betragen, bei der von der Zersetzungseinrichtung 57 nicht zersetztes Ozon am Substrat 38 in molekularen und atomaren Sauerstoff aufgespalten wird, der reaktionsfreudiger als Ozon ist, derart, daß mehr Sauerstoffatome gebildet werden als bei der gerade beschriebenen Ausführungsform. Weil das Aufdampfmaterial 33 zu einem höheren Wirkungsgrad der Oxidationsreaktion auf dem Substrat 38 führt, können, verglichen mit der vorstehend beschriebenen Ausführungsform, bei hoher Temperatur supraleitende Dünnschichten mit gleicher oder höherer Güte bei hoher Geschwindigkeit ausgebildet werden.

Die Ozon-Zersetzungseinrichtung 57 ist bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform mit der Ionenclusterstrahl- Quelle vorgesehen. Es können andere Vorrichtungen zum Ausbilden von Dünnschichten vorgesehen sein, z. B. solche, die mit Vakuumbedampfung oder Ionenstrahlzerstäubung arbeiten, mit denen ähnliche Wirkungen wie mit der vorstehend beschriebenen Ausführungsform erzielt werden können.

Wenngleich die vorstehend beschriebene Ausführungsform eine Anwendung auf die Ausbildung von bei hoher Temperatur supraleitenden Dünnschichten der Y-Ba-Cu-O-Serie als dem Mehrelement-Oxid ist, ist sich auch auf andere Mehrelement-Oxide und Einelement-Oxide anwendbar, wodurch ähnliche Wirkungen wie beim oben gezeigten Beispiel erzielt werden können.

Das zersetzte Ozon wird bei der beschriebenen Ausführungsform in Richtung auf das Substrat ausgestrahlt; es kann auch in den Innenraum des Vakuumgefäßes eingeleitet werden und dadurch eine Ozonatmosphäre bilden.

Die Ozon-Zersetzungseinrichtung 57 ist am Ozon-Ausstrahlteil der Einleitungseinrichtung 41 im Vakuumgefäß 31 angeordnet. Eine Anordnung außerhalb des Vakuumgefäßes 31 zur Zersetzung des vom Ozongenerator 44 erzeugten Ozons ist ebenfalls möglich. Das zersetzte Ozon wird dann über die Einleitungseinrichtung 41 in den Innenraum des Vakuumgefäßes 31 eingeleitet.

Wie bei den vorstehenden Beispielen beschrieben, kann das aufdampfbare Material 33 mit atomarem Sauerstoff direkt zur Reaktion gebracht werden; es entstehen dann Dünnschichten von hoher Güte, auch dann, wenn Ozon nicht auf dem Substrat zersetzt wird. Außerdem kann eine vorteilhafte Wirkung geschaffen werden, die eine Oxidationsreaktion mit höherer Rate zu rascheren Ausbildung von Dünnschichten auch bei gleicher Menge des eingeleiteten Ozons ermöglicht.

Es läßt sich ferner eine vorteilhafte Wirkung erzielen, welche die Herstellung von Oxid-Dünnschichten hoher Güte ermöglicht, ohne daß in den Fällen, in denen Dünnschichten durch Erwärmen des Substrats nicht ausgebildet werden können, eine Erwärmung des Substrats erforderlich ist.

In Fig. 10 ist zur Vorrichtung für die Dünnschicht-Herstellung gemäß Fig. 1 oder 3 eine Vorrichtung zur Oxidationsbehandlung von auf das Substrat aufgedampften Dünnschichten vorgesehen. Von supraleitendem Material der Y-Ba-Cu-O-Serie ist allgemein bekannt, daß aus der Perowskit-Struktur Sauerstoff mit dem Absenken der Sprungtemperatur (Tc) der Supraleitung entfernt wird, wenn die Temperatur für die Atmosphäre ansteigt oder der Sauerstoffdruck in der Atmosphäre gesenkt wird. Weil die Dünnschichten nach dem Aufdampfen Sauerstoffmangel und eine niedrige Sprungtemperatur Tc haben, ist ein Oxidationsschritt zur nachträglichen Einbettung von Sauerstoff notwendig.

Bei dieser Oxidationsbehandlung kann auch bei Temperaturen im Bereich unter 500°C, in dem das Substrat aus z. B. SiO₂ und Dünnschichten nicht zur Reaktion kommen, oxidierendes Gas, das im angeregten Zustand hohe Aktivität besitzt, an Dünnschichten gebunden werden. Als oxidierendes Gas kann Ozon oder atomarer Sauerstoff, der durch Zersetzung von Ozon erzeugt wurde, verwendet werden.

In diesem Falle umfaßt die in Fig. 10 dargestellte Ausführungsform eine Ozon-Zersetzungseinrichtung und eine Oxidationseinrichtung 410. Dabei wird Ozon während der Oxidationsbehandlung aus einem Einleitungsrohr 41 für reaktionsfähiges Gas eingeleitet, auf die Innenseite einer Heizvorrichtung 420 zur Ozonzersetzung gerichtet, thermisch in molekularen und atomaren Sauerstoff zerlegt und dann auf das Substrat 38 geblasen.

Weil atomarer Sauerstoff eine größere Oxidationswirkung hat als Ozon, kann die Oxidationsbehandlung zeitlich verkürzt werden.

Es wird nun die Oxidationsbehandlung mit Ozon gemäß der Erfindung mit der herkömmlichen Oxidationsbehandlung mit gasförmigem Sauerstoff verglichen.

In der nachstehenden Tabelle 3 ist die Sprungtemperatur (Tc) der Supraleitung für den Fall angegeben, daß supraleitende Oxid-Dünnschichten auf einem MgO-Substrat und einem SiO₂-Substrat einer Oxidationsbehandlung bei etwa 400°C in einer Ozon- und Sauerstoffgas-Atmosphäre unterworfen werden.

Tabelle 3

Gemäß der vorstehenden Tabelle 3 ist bei einer Oxidationsbehandlung mit Ozon Tc anscheinend höher als bei Verwendung von gasförmigen Sauerstoff, was anzeigt, daß sich die Oxidation fortsetzt. Wird andererseits für die Oxidation eine höhere Temperatur als 500°C gewählt, wenngleich Tc bei etwa 80 K im Falle eines MgO-Substrats auch für die Oxidationsbehandlung mit gasförmigem Sauerstoff zufriedenstellend ist, findet eine Reaktion zwischen dem Substrat und der Dünnschicht statt, wobei es im Falle des SiO₂-Substrats nicht zum Sprung kommt. Wenn also ein solches Substrat verwendet wird, das bei hoher Temperatur mit Dünnschichten reagiert, muß die Oxidationsbehandlung bei niedriger Temperatur durchgeführt werden, und es wird als außergewöhnlich nützlich angesehen, hierbei ein angeregtes hochaktives oxidierendes Gas zu verwenden, z. B. Ozon oder durch die Zersetzung von Ozon gewonnener atomarer Sauerstoff.

Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform handelt es sich um supraleitende Oxid-Dünnschichten; diese Ausführungsform ist auch auf Dünnschichen aus anderen Materialien anwendbar, insbesondere auf die Verwendung von Dünnschicht- und Substratmaterialien, bei denen unter dem Einfluß hoher Temperatur im Verlaufe der Oxidation Nachteile entstehen.

Das Verfahren zum Ausbilden von Dünnschichten wird gemäß vorstehender Beschreibung mit einer Ionenclusterstrahl- Quelle durchgeführt; es ist auch auf jene Fälle anwendbar, in denen verdampfbares Material oder ein Target in einem Gefäß, das in einem dichtverschlossenen Vakuumgefäß unter Vakuum oder einer zweckentsprechenden Atmosphäre angeordnet ist, unter der Einwirkung von Wärme oder Ionenstrahlen usw. verdampft oder zerstäubt wird und Dünnschichten auf dem im dichtverschlossenen Gefäß angeordneten Substrat ausgebildet werden, wobei die Oxidation nach der Schichtausbildung ungenügend ist und eine nachträgliche Oxidationsbehandlung notwendig wird.

Aus dem Vorstehenden ergibt sich, daß bei der erfindungsgemäßen Ausführungsform in einem Schritt Dünnschichten auf das Substrat im dichtverschlossenen Gefäß aufgedampft werden und in einem anderen Schritt die so entstandenen Dünnschichten in der Atmosphäre eines angeregten hochaktiven oxidierenden Gases oxidiert werden; aus diesem Grunde können vorteilhafte Wirkungen geschaffen werden, welche die Anwendung der Oxidationsbehandlung auf aufgedampfte Dünnschichten bei relativ niedriger Temperatur und folglich auch auf billige Substrate ermöglichen.

Claims

1. Vorrichtung zum Aufdampfen von Dünnschichten, gekennzeichnet durch ein Vakuumgefäß (31), einen im Vakuumgefäß (31) angeordneten Verdampfer (43) zum Verdampfen von Ausgangsmaterial (33), einen Generator (44; 143) zum Erzeugen von Ozon, und einer Einrichtung (41; 41 a) zum Einleiten von vom Generator (44; 143) erzeugtem Ozon zu einem im Vakuumgefäß (31) angeordneten Substrat (38).

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ozon-Adsorptionsteil (141) zum Adsorbieren von durch den Generator (143) erzeugtem Ozon an ein Adsorptionsmittel vorgesehen und mit dem Innenraum des Vakuumgefäßes (31) über die Einleitungseinrichtung (41; 41 a) verbunden ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verflüssigungsteil (140) zum Verflüssigen von durch den Generator (143) erzeugtem Ozon vorgesehen und mit dem Innenraum des Vakuumgefäßes (31) über die Einleitungseinrichtung (41; 41 a) verbunden ist.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Einleitungseinrichtung eine Einrichtung zum Zersetzen von durch den Generator (143) erzeugtem Ozon und dann Einleiten derselben in den Innenraum des Vakuumgefäßes (31) umfaßt.

5. Verwendung der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zur reaktiven Aufdampfung von Oxid-Dünnschichten, insbesondere von supraleitenden Oxidschichten.