DE3128022A1 - Verfahren zum erzeugen von kohlenstoffueberzuegen fuer optische zwecke - Google Patents
Verfahren zum erzeugen von kohlenstoffueberzuegen fuer optische zweckeInfo
- Publication number
- DE3128022A1 DE3128022A1 DE19813128022 DE3128022A DE3128022A1 DE 3128022 A1 DE3128022 A1 DE 3128022A1 DE 19813128022 DE19813128022 DE 19813128022 DE 3128022 A DE3128022 A DE 3128022A DE 3128022 A1 DE3128022 A1 DE 3128022A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carbon
- plasma
- coatings
- coating process
- torr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces
- H01J2237/3385—Carburising
Description
Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff überzügen auf optischen Materialien gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1. "Kohlenstoffüberzüge" in
diesem Sinne sind entweder Überzüge aus reinem Kohlenstoff oder solche Überzüge, die neben Kohlenstoff nur noch Verunreinigungen
in geringer Konzentration enthalten, z.B. an Kohlenstoff gebundenen Wasserstoff.
Es sind bereits mehrere Verfahren zur Vakuum-Abscheidung von Kohlenstoff in verschiedener Form bekannt, doch besitzen diese
bekannten Verfahren Nachteile, die zu einem Endprodukt von unzureichender Qualität führen, vergl. dazu die Besprechung in der
DE-OS 27 36 514 der Fa. NRDC. Es ist von der Fa. NRDC vorgeschlagen
worden, zum Erzeugen von Kohlenstoffüberzügen eine llochfrequenzquelle
mit Frequenzen von 50U kHz bis 250 MHz zu verwenden, welche mit usr zu beschichtenden Oberfläche kapazitiv gekoppelt
ist und auf dieser Oberfläche eine Vorspannung erzeugt, durch welche die in der Nähe der Oberfläche sich befindenden positiven
Ionen eines ionisierten Kohlenwasserstoffgases angezogen werden; die derart hergestellten Überzüge sollen nach Angaben der Pa. NRDC
überwiegend aus Kohlenstoff bestehen.
— 4 —
Die Erfinder haben durch Untersuchungen festgestellt, daß
bei den von der Fa. NRDC vorgeschlagenen Frequenzen, d.h. bei 500 kHz und mehr, durch Ionisierung von Kohlenwasserstoffgasen
wie z.B. Butan ein Plasma mit einer elektrischen Impedanz gebildet wird, welche in komplexer Weise von einer
Anzahl von Parametern abhängt, und diese Parameter ändern sich während des Beschichtungsvorgangs mit der Folge, daß
sich auch die Impedanz des Plasmas ändert, sodaß mangels hinreichender Kontrolle über die Abscheidebedingungen der Beschichtungsvorgang
nicht reproduzierbar ist. Dies äußert sich darin, daß sich von Beschichtungsvorgang zu Beschichtungsvorgang
die Dicke des abgeschiedenen Kohlenstoffüberzuges ändert. Die Erfinder haben versucht, das Problem dadurch in den
Griff zu bekommen, daß sie die Hochfrequenzquelle über eine einstellbare Impedanzanpassungsschaltung mit der Abscheidekammer
gekoppelt, den Abscheideprozess und die Leistungspegel überwacht und für eine demgemäße Einstellung der Impedanzanpassungsschaltung
gesorgt haben, um auf diese Weise gleichbleibende und reproduzierbare Abscheidebedingungen zu erhalten.
Dies hat sich jedoch als sehr umständlich und aufwendig erwiesen.
Die Erfinder haben herausgefunden, daß die Impedanz des
Plasmas u.a. vom Druck in der Vakuumkammer und von der Änderung dieses Drucks, von der Natur des Kohlenwasserstoffgases,
vom Material der zu beschichtenden Oberfläche, von der Gestalt und Anordnung sowie vom Abstand der Elektroden
in die Abscheidekammer und von der (Jröße der zwischen den Elektroden bestehenden Spannung abhängt, und völlig überraschend
haben die Erfinder festgestellt, daß für eine vorgegebene
Gesamtheit solcher Parameter die Impedanz sich während eines Abscheidevorgangs i.w. nicht verändert, sofern die Abscheidung
unterhalb einer bestimmten Frequenz erfolgt, die niedriger als 500 kHz liegt und durch Ausprobieren auffindbar ist, wohingegen
bei Wahl einer oberhalb dieser bestimmten Frequenz liegenden Frequenz die Impedanz des Plasmas während des Beschichtungsvorgangs
in unübersichtlicher Weise variiert. Unter einer sich i.w. nicht verändernden Impedanz wird dabei
eine Impedanz verstanden, deren während des Abscheidevorgangs noch auftretenden Änderungen so gering sind, daß sie eine
sonst zur Erzielung von gleichmäßig dicken und reproduzierbaren Kohlenstoffüberzügen erforderliche Kontrolle und
Nachführung der die Abscheidung bestimmenden Parameter
überflüssig machen und daß insbesondere keine Impedanzanpassungsschaltung benötigt wird. Die Anforderungen an
die Gleichmäßigkeit und Reproduzierbarkeit der Kohlenstoffüberzüge
sind durch die Anforderungen an die Güte und den Einsatzzweck der so beschichteten optischen Bauelemente
vorgegeben.
Um möglichst reine Kohlenstoffüberzüge zu erhalten, ist es erforderlich,
die zu beschichtende Oberfläche mit relativ hochenergetischen Ionen zu bombardieren, und zwar muß die Energie
der Ionen so hoch sein, daß sie ausreicht um alle oder zumindest die allermeisten Kohlenstoff-Wasserstoff-Bindungen
aufzubrechen, welche in dem Kohlenwasserstoffgas, aus welchem
das Plasma erzeugt wird, vorhanden sind. Man erreicht dies durch Verwendung einer Spannunysquelle mit einer genügend hohen
Ausgangspannung (größenordnungsmäßig 1 kV oder höher); bekannte Verfahren, welche mit wesentlich niedrigeren Spannungen (größenordnungsmäßig
500 V oder weniger) arbeiten, produzieren kohlenstoffhaltige Überzüge mit anderen optischen Eigenschaften und
wesentlichen Anteilen von C-H-Bindungen, welche nicht als Kohlenstoff
überzüge im Sinne der Erfindung anzusehen sind.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren mit den im Patentanspruch 1
angegebenen Merkmalen gelingt es, Kohlenstoffüberzüge mit gleichbleibender
Dicke reproduzierbar herzustellen. Das erfindungsgemäße
Verfahren bietet den weiteren Vorteil, daß wegen der relativ geringen,
unterhalb von 500 kHz liegenden Frequenz die Frequenzerzeugung ohne teure Gerätschaften möglich ist. Weil der Beschichtungsvorgang
bei i.w. gleichbleibender Impedanz des Plasmas erfolgt, ist er vom Ablauf her recht sicher und bedarf keiner
dynamischen Überwachung und keiner Nachstellung während des Ablaufs
des Beschxchtungsvorgangs, insbesondere benötigt man keine Schaltung zur Impedat •'.anpassung zwischen der Wechselspannungsquelle und der
Vakuumkammer.
Vorzugsweise wird das erf induncjsgemäße Verfahren bei einem Druck
in der Gegend von 6 . 10" Torr und bei einer Spannung von ungefähr
2 kV (effektiv) durchgeführt. Bei Wahl dieses Drucks und dieser
Spannung ist die Auswahl des Kohlenwasserstoffgases nicht kritisch; zwar wird Butan bevorzugt, weil es jederzeit im Handel
verfügbar ist, jedoch können auch Kohlenwasserstoffgase mit höherem
oder niedrigerem Molekulargewicht verwendet werden.
Bei Wahl dieses Drucks und dieser Spannung und bei Wahl des elektrischen Aufbaus gemäß der beiliegenden Zeichnung beträgt
die verwendete Frequenz vorzugsweise ca. 300 kHz und wird konstant
gehalten. Unter derartigen Abscheidebedingungen erhält man qualitativ hochwertige optische KohlenstoffÜberzüge von diamantähnlicher
Struktur auf Materialien wie Glas oder Germanium.
Die beiliegende Zeichnung zeigt schematisch den Aufbau einer Apparatur zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens,
In der Apparatur ist ein Substrat 10 aus dem zu beschichtenden Material mit seiner zu beschichtenden Oberfläche nach oben gewandt
auf einer metallischen Elektrode 11 gelagert, welche ihrerseits von einem J-förmigen Arm 13 getragen, jedoch von diesem
durch einen Isolator 12 isoliert ist; der J-förmige Arm 13 ist geerdet
und im Innern der ebenfalls geerdeten Vakuumkammer 14 aufgehängt. Die Elektrode 11 ist mittels zweier metallischer Röhren
12A, durch welche zugleich Kühlwasser zur Elektrode 11 geleitet wird ,über einen 800 pF Koppelkondensator 26 mit einer der Aus-
gangsklemmen einer 300 kHz-Spannungsquelle 15 verbunden. Die
andere Ausgangsklemme der Spannungsquelle 15 ist geerdet. Ein dünner Metallschirm 8, welcher vom J-förmigen Arm 13 getragen
und mit diesem elektrisch leitend verbunden ist, ist um die Elektrode 11 herum angeordnet und begrenzt zusammen mit einer
hängend in der Vakuumkammer 14 angeordneten Platte 24 die in der Vakuumkammer 14 stattfindende Entladung. Die Spannungsquelle
15 enthält einen Konstantspannungsgenerator sowie einen Transformator
zur Spannungseinstellung j die Betriebsfrequenz kann fest oder veränderbar sein. Die das Kühlwasser transportierenden
Röhren 12A befinden sich unter atmosphärischem Druck innerhalb des J-förmigen Arms 13 und der Elektrode 11.
Die Vakuumkammer 14 besitzt einen Auslaß 16, der - wie durch den Pfeil 17 angedeutet - mit einer Vakuumpumpe bzw. mit einem Lufteinlaßventil
18 verbunden werden kann; ferner besitzt die Vakuumkammer 14 eine vakuumdichte Durchführung für ein Thermoelement
19 und ein ju einem Nadelventil 20 führendes Anschlußrohr, durch
welches, wie durch die Pfeile 21 und 2IA angedeutet, in die
Vakuumkammer 14 ein ausgewähltes Gas eingeleitet werden kann.
Im Betrieb wird die Vakuumkammer 14 zunächst auf einen Druck von ungefähr 2 χ 10" Torr evakuiert und dann über den Weg des Pfeils
-10 -
-ίο -
und durch das Nadelventil 20 Argon eingeleitet. Anschließend
wird die Spannungsquelle 15 eingeschaltet, sodaß zwischen der. Elektrode 11 und der geerdeten Resonatorplatte 24, welche von
der Elektrode 11 einen Abstand von ca. 9 cm aufweist, eine Entladung stattfindet und ein Plasma aus Argon-Ionen entsteht.
Bei einem Druck von 5 χ 10 Torr wird die Entladung ungefähr 15 Minuten lang aufrechterhalten, und zwar bei einer Ausgangsspannung
der Spannungsquelle 15 von ungefähr 1,9 kV, wodurch die nach oben weisende Oberfläche des Substrates 10 sehr gründlich
gereinigt und auf die gewünschte Temperatur aufgeheizt wird. Anschließend wird die Zufuhr von Argon unterbrochen und statt
dessen über den Weg des Pfeils 21A ohne Unterbrechung der Entladung
ein Kohlenwasserstoffgas (z.B. Butan) in die Vakuumkammer
— 14 eingeleitet. Die Entladung wird bei einem Druck von 5 χ 10
Torr fortgesetzt solange nötig. Unter diesen Bedingungen baut sich auf dem Substrat 10 allmählich ein extrem harter Film 23
aus praktisch reinem Kohlenstoff auf.
Das Substrat 10 kann elektrisch leitend, nichtleitend oder halbleitend
sein und der Kondensator 26 kann, wenn gewünscht, auch kurzgeschlossen werden, jedoch bietet der Kondensator 26 auf einfache
Weise die Möglichkeit,bei leitendem Substrat die Lichtbogenbildung
unter Kontrolle zu haben.
- 11 -
In einem anderen Beispiel erzeugten die Erfinder Plasmas
bei 390 kHz mit einer zwischen 200 V und 600 V (Gleichspannung)
Verwendung
betragenden Vorspannung auf der Elektrode 11 mter'einer Spannungsquelle, welche bei einem Spannungspegel von ungefähr 1,5 kV im Leistungsbereich
zwischen 0,5 kW und 1,5 kW arbeitete. Die anfängliche Temperatur der Elektrode 11 betrug 300C und der Druck während des
Beschichtungsvorgangs lag zwischen 0,1 und 1 Torr. Unter diesen Bedingungen wurden rasch dauerhafte Kohlenstoffüberzüge von guter
Qualität auf Substraten wie Germanium erhalten. Überzüge mit ähnlich guten Eigenschaften wird man auch bei höheren Drücken (bis zu
10 Torr) und auch bei Drücken aischen 10~ Torr und 0,1 Torr erhalten. Im Vergleich mit dem bekannten Verfahren der Fa. NRDC wurde
die Beschichtungszeit bei 390 kHz um den Faktor 2 vermindert und die Beschichtungsflache um den Faktor 2 vergrößert und zugleich die
Gleichförmigkeit der Dicke der Überzüge verbessert und die Absorption
von Strahlung im Wellenlängenband von 8-^12 .um um 20 %
vermindert. Die Dauerhaftigkeit von nach diesem Verfahren hergestellten
überzügen wurde mit einem Wischtest in einem Standard-Wischtestgerät
in Einklang mit der "RSRE Technical Specification for Infra Red Optical Coatings, No. TS 1888" überprüft und es wurden
dabei mehr als 200.000 Wischvorgänge erreicht. Die gewählte Frequenz lag natürlich unterhalb jener Grenzfrequenz, oberhalb der
die Plasmaimpedanz Schwankungen unterliegt und deshalb war die
- 12 -
Spannungsquelle 15 unmittelbar (d.h. ohne eine dazwischengefügte Anpassungsschaltung und ohne eine dynamische Regelung)
an die Vakuumkammer 14 angeschlossen.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten optischen
Überzüge dienen in erster Linie der Verminderung des Reflexionsvermögens der Oberfläche von Substraten, welche für sichtbares
Licht aus Glas und für infrarotes Licht aus Germanium bestehen
können. Die erfindungsgemäßen Überzüge können einen einzigen
Film bilden oder auch Teil eines mehrschichtigen Überzuges sein und können auch als Absprptionsfilter mit kontrollierter Dihte
z.B. auf Augengläsern dienen. Eine andere Anwendung ist das Aufbringen
von abriebfesten Überzügen (welche zugleich reflexmindernde Eigenschaften haben können, aber nicht müssen) auf relativ
weiche optische Materialien.
-S-
Claims (6)
- Barr & Stroud Limited, Glasgow G13 HiZ (Schottland) Großbritannien"Verfahren zum Erzeugen von Kohlenstoffüberzügen für optische Zwecke"Patentansprüche:r)/Ι·· Verfahren zum Erzeugen eines Kohlenstoffüberzuges auf ^ einer Oberfläche durch Abscheidung von Kohlenstoff im Vakuum, wobei der Kohlenstoff einem aus einem Kohlenwasserstoff gas gebildeten Plasma entstammt, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche mit einer Wechselspannungsquelle gekoppelt und diese b.^i einer solchen unterhalb 500 kHz liegenden Frequenz betrieben wird, bei welcher die elektrische Impedanz des Plasmas sich während des Beschichtungsvorgangs i.w. nicht ändert.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck während des Beschichtungsvorgangs und dieHöhe der Wechselspannung, welche von der Wechselspannungsquelle abgegeben wird, so gewählt werden, daß die Auswahl des Kohlenwasserstoff gases, aus welchem das Plasma gebildet wird, unkritisch ist.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck im Bereich zwischen 10" Torr und 10 Torr gewählt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung zu ungefähr 2 kV gewählt wird.
- 5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß vor Beginn des Beschichtungsvorgangesdas zu beschichtende Substrat durch Einwirkung eines Ionenplasmas, welche aus einem Inertgas gebildet wird, gereinigt wird,
- 6. - Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, daß das Substrat zu Anfang auf eine vorgewählte Temperatur oberhalb der Umgebungstemperatur aufgeheizt wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8023435 | 1980-07-17 | ||
GB8118713 | 1981-06-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3128022A1 true DE3128022A1 (de) | 1984-01-26 |
Family
ID=26276256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813128022 Withdrawn DE3128022A1 (de) | 1980-07-17 | 1981-07-16 | Verfahren zum erzeugen von kohlenstoffueberzuegen fuer optische zwecke |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4444805A (de) |
DE (1) | DE3128022A1 (de) |
FR (1) | FR2518581B3 (de) |
IT (1) | IT1144745B (de) |
NL (1) | NL8103333A (de) |
NO (1) | NO812436L (de) |
SE (1) | SE8104410L (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3630418C1 (de) * | 1986-09-06 | 1987-12-17 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur Beschichtung von Werkstuecken mit amorphem,wasserstoffhaltigem Kohlenstoff |
DE3630419A1 (de) * | 1986-09-06 | 1988-03-10 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur beschichtung von hoher waermebelastung ausgesetzten bauelementen mit einer amorphen wasserstoffhaltigen kohlenstoffschicht |
DE3719616A1 (de) * | 1987-06-12 | 1988-12-29 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats |
DE19819414A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-04 | Leybold Ag | Für ein Kunststoffsubstrat bestimmtes Schichtpaket und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Schichtpaketes |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0142176A1 (de) * | 1983-10-24 | 1985-05-22 | George Gergely Merkl | Kubischer Kohlenstoff |
US4645713A (en) * | 1985-01-25 | 1987-02-24 | Agency Of Industrial Science & Technology | Method for forming conductive graphite film and film formed thereby |
US4626447A (en) * | 1985-03-18 | 1986-12-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Plasma confining apparatus |
US4603082A (en) * | 1985-04-29 | 1986-07-29 | Rca Corporation | Diamond-like film |
GB2175016B (en) * | 1985-05-11 | 1990-01-24 | Barr & Stroud Ltd | Optical coating |
US5283087A (en) * | 1988-02-05 | 1994-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
US4994298A (en) * | 1988-06-07 | 1991-02-19 | Biogold Inc. | Method of making a biocompatible prosthesis |
US5055318A (en) * | 1988-10-11 | 1991-10-08 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
US4992298A (en) * | 1988-10-11 | 1991-02-12 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
CA2065581C (en) | 1991-04-22 | 2002-03-12 | Andal Corp. | Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition |
GB9420089D0 (en) * | 1994-10-05 | 1994-11-16 | Applied Vision Ltd | Coatings for optical lens having low surface energy properties |
US8545995B2 (en) * | 2009-12-14 | 2013-10-01 | Lawrence Livermore National Security, Llc. | Systems having optical absorption layer for mid and long wave infrared and methods for making the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3776762A (en) * | 1971-10-18 | 1973-12-04 | Kote Corp Du | Dry lubrication |
US3961103A (en) * | 1972-07-12 | 1976-06-01 | Space Sciences, Inc. | Film deposition |
US4170662A (en) * | 1974-11-05 | 1979-10-09 | Eastman Kodak Company | Plasma plating |
GB1582231A (en) * | 1976-08-13 | 1981-01-07 | Nat Res Dev | Application of a layer of carbonaceous material to a surface |
CH634424A5 (fr) * | 1978-08-18 | 1983-01-31 | Nat Res Dev | Procede et appareil de detection et de commande de depot d'une pellicule fine. |
JPS5846057B2 (ja) * | 1979-03-19 | 1983-10-14 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
1981
- 1981-06-22 US US06/276,259 patent/US4444805A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-07-14 NL NL8103333A patent/NL8103333A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-07-15 NO NO812436A patent/NO812436L/no unknown
- 1981-07-16 DE DE19813128022 patent/DE3128022A1/de not_active Withdrawn
- 1981-07-16 SE SE8104410A patent/SE8104410L/xx unknown
- 1981-07-16 FR FR8113844A patent/FR2518581B3/fr not_active Expired
- 1981-07-17 IT IT67986/81A patent/IT1144745B/it active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3630418C1 (de) * | 1986-09-06 | 1987-12-17 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur Beschichtung von Werkstuecken mit amorphem,wasserstoffhaltigem Kohlenstoff |
DE3630419A1 (de) * | 1986-09-06 | 1988-03-10 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur beschichtung von hoher waermebelastung ausgesetzten bauelementen mit einer amorphen wasserstoffhaltigen kohlenstoffschicht |
US4950543A (en) * | 1986-09-06 | 1990-08-21 | Kernforschungsanlage Julich Gmbh | Process for making a structural element subjected to thermal stress with a protective coating |
DE3719616A1 (de) * | 1987-06-12 | 1988-12-29 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats |
DE19819414A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-04 | Leybold Ag | Für ein Kunststoffsubstrat bestimmtes Schichtpaket und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Schichtpaketes |
US6610393B1 (en) | 1998-04-30 | 2003-08-26 | Balzers Und Leybold Duetschland Holding Ag | Laminated packet for a plastic substrate and method for producing such a laminated packet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8104410L (sv) | 1983-08-02 |
US4444805A (en) | 1984-04-24 |
FR2518581B3 (de) | 1984-09-07 |
IT8167986A0 (it) | 1981-07-17 |
FR2518581A1 (de) | 1983-06-24 |
NL8103333A (nl) | 1983-04-05 |
IT1144745B (it) | 1986-10-29 |
NO812436L (no) | 1984-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2736514C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Oberflächen mit Kohlenstoff | |
EP0182889B1 (de) | Verfahren zur herstellung von diamantartigen kohlenstoffschichten | |
DE3128022A1 (de) | Verfahren zum erzeugen von kohlenstoffueberzuegen fuer optische zwecke | |
EP0003020B1 (de) | Hochfrequenz-Zerstäubungsvorrichtung | |
DE2444898C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum raschen Aufdampfen von Oxyden in dünnen und festhaftenden Schichten auf Kunststoffsubstrate | |
DE2215151C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal | |
EP0502385B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen Beschichtung von optischen Werkstücken | |
DE3322680C2 (de) | ||
DE2911336C2 (de) | Sonde und Verfahren zur Kontrolle plasmachemischer Reaktionen und Anwendung des Verfahrens | |
DE2251571A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von beschichtungen auf substraten | |
DE2148132A1 (de) | Verfahren zur Herstellung dünner piezoelektrischer Filme | |
EP0221968A1 (de) | Verfahren zur entfernung von metallionen aus körpern aus glas oder keramischen werkstoffen | |
DE19740792A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas durch Einstrahlung von Mikrowellen | |
AT514555A4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmastrahls | |
DE3112604C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines amorphen Siliciumfilmes | |
DE2951453C2 (de) | ||
WO1994014183A1 (de) | Verfahren zur durchführung von stabilen niederdruck-glimmprozessen | |
DE2624005A1 (de) | Verfahren zum aufbringen von duennen schichten nach dem ion-plating- verfahren und vorrichtung dazu | |
DE19716107A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bildung eines Kohlenstoffilmes | |
DE2039514A1 (de) | Methode fuer den Niederschlag von Gallium-phosphid-Widerstandsschichten durch kathodische Zerstaeubung | |
DE1521561B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen dünner Schichten | |
DE19844538C2 (de) | Verfahren zur Diamant-Beschichtung von Oberflächen | |
DE2163077C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Eisenoxid auf einem Substrat | |
DE2344581A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufdampfen duenner schichten | |
DE10052082A1 (de) | Verfahren zum Behandeln und Beschichten von Oberflächen aus nichtleitenden, dielektrischen Materialien mittels mokrowellenangeregter Plasmen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |