DE2951453C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Durchführung ei­ nes Plasma-CVD-Verfahrens gemäß dem Oberbegriff von Patentan­ spruch 1 (CVD = chemische Aufdampfung). Diese Vorrichtung dient zur Erzeugung dünner Schichten (nachstehend als "Dünn­ schichten" bezeichnet), z. B. von photoleitfähigen Dünnschich­ ten, Halbleiter-Dünnschichten, isolierenden anorganischen Dünnschichten oder Harz-Dünnschichten durch Glimmentladung.

Wenn eine Dünnschicht mit gewünschten Eigenschaften auf einem Substrat durch das Plasma-CVD-Verfahren erzeugt wird, bei dem ein als Ausgangsmaterial für die Erzeugung der Dünnschicht dienendes Gas dissoziiert wird, ist es im Vergleich mit der üblichen Vakuumaufdampfung besonders in dem Fall, daß die Dünnschicht eine große Oberfläche hat, sehr schwierig, eine Dünnschicht zu erhalten, die überall eine gleichmäßige Dicke und gleichmäßige physikalische Eigenschaften wie elektrische, optische oder photoelektrische Eigenschaften hat. Als Bei­ spiel sei die Erzeugung einer Dünnschicht aus amorphem, Was­ serstoffatome enthaltendem Silicium (nachstehend als "a-Si : H" bezeichnet) betrachtet. Wenn unter Anwendung der Energie ei­ ner Glimmentladung zum Dissoziieren von SiH₄-Gas auf einem Substrat eine a-Si : H-Dünnschicht gebildet wird und die elek­ trisch-physikalischen Eigenschaften der auf diese Weise er­ haltenen Dünnschicht genutzt werden, muß an der gesamten Oberfläche, auf der die Dünnschicht erzeugt wird, eine gleichmäßige Entladungsintensität erzielt werden, um eine Dünnschicht zu erhalten, die überall gleichmäßige elektrisch- physikalische Eigenschaften hat. Dies ist darauf zurückzufüh­ ren, daß die elektrisch-physikalischen Eigenschaften in hohem Maße von der Entladungsintensität abhängen, die während der Erzeugung der Dünnschicht angewandt wird. Bei dem üblichen Plasma-CVD-Verfahren ist es jedoch sehr schwierig, eine gleichmäßige Entladungsintensität zu erzielen, und zwar ins­ besondere im Fall der Erzeugung einer Dünnschicht mit einer großen Oberfläche.

Ferner ist die Abscheidungsgeschwindigkeit der Dünnschicht bei dem unter Anwendung der Glimmentladung durchgeführten Plasma-CVD-Verfahren im Vergleich zur Abscheidungsgeschwin­ digkeit bei der üblichen Vakuumaufdampfung niedrig. Wenn zur Erhöhung der Abscheidungsgeschwindigkeit bei dem üblichen un­ ter Anwendung der Glimmentladung durchgeführten Plasma-CVD- Verfahren die Strömungsmenge des in eine Abscheidungskammer einzuleitenden Gases vergrößert wird, ist es schwierig, an der gesamten Oberfläche, auf der die Dünnschicht erzeugt wird, die gleiche Strömungsmenge zu erzielen. Deshalb ist in die­ sem Fall die Strömungsmenge ortsabhängig, so daß es außeror­ dentlich schwierig ist, eine Dünnschicht zu erhalten, die überall eine gleichmäßige Dicke und gleiche Eigenschaften hat.

Darüber hinaus hängen die Gleichmäßigkeit der Dicke und die Gleichheit der Eigenschaften einer erzeugten Dünnschicht in hohem Maße sowohl von der Lagebeziehung zwischen den Elektro­ den und dem Substrat als auch von der Gestaltung der Elektrode ab. Das übliche Plasma-CVD-Verfahren ist in dieser Hinsicht nicht ganz zufriedenstellend, so daß es für eine wiederholte Erzeugung von Dünnschichten mit einer großen Oberfläche und für die Massenfertigung von Dünnschichten, die überall gleiche Eigenschaften haben, ungeeignet ist.

Aus der DE-AS 10 72 815 ist ein Plasma-CVD-Verfahren bekannt, bei dem für die Erzeugung von Metallen und anderen Elementen metallischen Charakters von hohem Reinheitsgrad durch Glimm­ entladung eine flüchtige Verbindung des Metalls wie z. B. Si­ liciumhalogenide, ZrCl₄, TiCl₄, TaCl₅ oder NbCl₅ und ein re­ duzierendes Gas wie z. B. Wasserstoff eingesetzt werden.

Aus der US-PS 37 48 169 ist ein Verfahren bekannt, durch das auf einem zylindrischen, auf einer Drehdurchführung befindli­ chen Substrat durch thermische Dissoziation eines gasförmigen Ausgangsmaterials wie z. B. einer SiHCl₃-H₂-Atmosphäre unter Anwendung eines Hochfrequenzfeldes (durch induktive Erhitzung) Halbleiterhohlkörper aus z. B. Silicium abgeschieden werden.

Aus der FR-PS 23 71 524 ist eine Vorrichtung zur Durchführung eines Hochfrequenzplasma-CVD-Verfahrens bekannt, durch das eine Dünnschicht aus z. B. amorphem Silicium auf einem Sub­ strat abgeschieden werden kann. Bei der Vorrichtung, die aus der FR-PS 23 71 524 bekannt ist, befindet sich das Substrat, das als eine erste Elektrode dient, zusammen mit einer als Befestigungselement dienenden Quarzunterlage in einem Metall­ behälter unterhalb einer zweiten Elektrode, deren Oberfläche im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Substrats ange­ ordnet ist. Das als Ausgangsmaterial für die Erzeugung der Dünnschicht dienende Gas wie z. B. SiH₄, H₂ und ein Edelgas als Verdünnungsgas werden durch ein Gaszuführungs-Rohrsystem, das unterhalb der zweiten Elektrode im wesentlichen in der Mitte der evakuierbaren Abscheidungskammer oberhalb des Sub­ strats angeordnet ist, eingeleitet. Ein Gas-Auslaßteil befin­ det sich neben dem Metallbehälter, in dem das Substrat ange­ ordnet ist. Es hat sich gezeigt, daß es mit dieser bekannten Vorrichtung insbesondere im Fall der Erzeugung einer Dünn­ schicht mit großer Oberfläche schwierig war, eine gleichmäßi­ ge Entladungsintensität und reproduzierbare Bedingungen für eine wirtschaftliche Erzeugung von Dünnschichten zu erzielen. Insbesondere war es nicht möglich, die Strömungsmenge des in die Abscheidungskammer eingeleiteten Gases so zu steigern, daß die Abscheidungsgeschwindigkeit der Dünnschicht wirt­ schaftlich interessant ist, da die Dünnschicht bei einer Steigerung der Strömungsmenge in ungleichmäßiger Weise abge­ schieden wurde.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Durchführung eines Plasma-CVD-Verfahrens gemäß dem Ober­ begriff von Patentanspruch 1 bereitzustellen, durch die auf dem Substrat mit guter Reproduzierbarkeit auch Dünnschichten mit größeren Oberflächen hergestellt werden können, die hin­ sichtlich der Dicke und der physikalischen Eigenschaften in jedem Teilbereich der gesamten Oberfläche so gleichmäßig wie möglich sind, wobei sich die Vorrichtung auch für eine Massen­ fertigung eignen soll.

Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den im kenn­ zeichnenden Teil von Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.

Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.

Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer erfindungsgemä­ ßen Vorrichtung.

Fig. 2 ist eine schematische Schnittzeichnung längs der Linie X-Y in Fig. 1.

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung dienen ein Substrat, auf dem eine Dünnschicht herzustellen ist, oder ein zum Hal­ ten des Substrats vorgesehenes Befestigungselement oder das Substrat und das Befestigungselement als eine erste Elektro­ de, während wenigstens ein Teil der Wandung einer Abschei­ dungskammer als Gegenelektrode, d. h., als zweite Elektrode, dient. Die zweite Elektrode und das Substrat sind so angeord­ net, daß die Oberfläche der zweiten Elektrode und die zur Er­ zeugung der Dünnschicht dienende Oberfläche des Substrats im wesentlichen zueinander parallel sind. Mit diesem Aufbau ist über einen großen Oberflächenbereich des Substrats eine gleichmäßige Entladungsintensität erzielbar, wobei die Gestal­ tung der Abscheidungskammer und die Anordnung von die Abschei­ dungskammer bildenden Bauteilen vereinfacht werden kann, so daß im Vergleich zu dem üblichen Plasma-CVD-Verfahren die nachteiligen Einflüsse der Gestaltung der Abscheidungskammer und der Anordnung ihrer Bauteile auf die Eigenschaften einer zu erzeugenden Dünnschicht so weit wie möglich verringert wer­ den können. Ferner sind ein Gas-Einlaßteil und ein Gas-Auslaß­ teil im wesentlichen drehsymmetrisch angeordnet. Durch den Gas-Einlaßteil wird das als Ausgangsmaterial für die Erzeu­ gung der Dünnschicht dienende Gas in die Abscheidungskammer eingeleitet, um in dieser eine Glimmentladung herbeizuführen. Als Folge davon wird selbst dann, wenn die Einströmungsmenge des Gases in die Abscheidungskammer erheblich gesteigert wird, eine mögliche Ungleichmäßigkeit der Entladungsintensi­ tät an verschiedenen Stellen wirkungsvoll vermieden.

Daher können mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung Dünnschichten mit gleichmäßiger Dicke und überall gleichen Eigenschaften in großen Mengen hergestellt werden, wobei die Ausbeute der Massenfertigung im Vergleich zu den Plasma-CVD- Verfahren, die unter Anwendung bekannter Vorrichtungen durchgeführt werden, in hohem Maße verbessert ist. Weiterhin kann im Vergleich zu dem mit üblicher Vorrichtung durchgeführten Verfahren die Gas-Einströmungsmenge be­ trächtlich gesteigert werden, z. B. bis auf 20 bis 300 ml/min. Als Folge davon kann die Geschwindig­ keit der Bildung einer Dünnschicht erheblich gesteigert werden, wodurch die Zeitdauer für die Erzeugung einer Dünnschicht verkürzt wird, so daß die Produktivität bei der Her­ stellung einer Dünnschicht außerordentlich gesteigert ist und darüber hinaus die Gesamtkosten erheblich verringert werden können.

Fig. 1 zeigt schematisch ein Beispiel für eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung eines Plasma-CVD-Verfahrens zur Erzeugung einer Dünnschicht durch Glimmentladung. Eine evakuierbare Abscheidungskammer 1 hat eine Grundplatte 2 mit einem Aufbau, wie er bei einer üblichen Glimm­ entladungs-Abscheidungsvorrichtung verwendet wird, einen an der Grundplatte 2 angebrachten Isolierring 3, eine an dem Isolierring 3 angebrachte zylindrische Metallelektrode 4, die als zweite Elektrode dient, und einen auf die Metallelektrode 4 aufge­ setzten Isolierdeckel 5. Diese die Abscheidungskammer 1 bildenden Bauteile sind über O- Ringe verbunden. Der Isolierring 3 und der Isolierdeckel 5 bestehen vorzugsweise aus Quarzglas. Die Metallelektrode 4 ist mit einem Gas-Einlaßteil 6 zum Ein­ leiten von als Ausgangsmaterial für die Erzeugung einer Dünnschicht dienenden Gas, das nötigenfalls in Form eines Gemisches mit einem Verdünnungs­ gas eingesetzt wird, sowie mit einem Gas-Auslaßteil 8 zum Auslassen des Gases aus dem Inneren der Abscheidungs­ kammer 1 versehen. Der Gas-Einlaßteil 6 hat mindestens einen Einlaß 7 mit einem festgelegten Durchlaß­ vermögen. Der Gas-Auslaßteil 8 weist mindestens einen Auslaß 9 mit einem festgelegten Durchlaßvermögen auf. Der Gas-Einlaßteil 6 und der Gas-Auslaßteil 8 sind im wesent­ lichen drehsymmetrisch mit der Mittelachse der Metallelektrode 4 als Drehachse angeordnet.

An einer festgelegten Stelle in der Abscheidungs­ kammer 1 ist ein Substrat 10 für die Erzeugung einer Dünnschicht angeordnet, das mittels eines Befestigungselements 11 gehalten wird. Das Befestigungselement 11 ist so ausgebildet, daß es zur Herstellung einer Dünnschicht mit gleichmäßigen Eigenschaften auf dem ganzen Dünnschichter­ zeugungs-Oberflächenbereich des Substrats 10 mit seiner Mittelachse als Drehachse drehbar ist. Ferner ist das Befestigungselement 11 elektrisch leitend mit Masse verbunden, damit es beispielsweise in dem Fall als erste Elektrode wirkt, daß das Substrat 10 nichtleitend ist. Wenn das Substrat 10 beispielsweise eine Metalltrommel für ein elektro­ photographisches Aufzeichnungsmaterial ist, wird es als erste Elektrode benützt. In letzterem Fall wird das Substrat 10 elektrisch leitend mit dem Befestigungselement 11 verbunden, das dann elektrisch leitend mit Masse verbunden wird. Alternativ kann das Substrat 10 ohne Verbindung mit dem Befestigungselement 11 direkt geerdet werden.

Damit an jeder Stelle in der Abscheidungskammer 1 wirkungsvol­ ler eine gleichmäßige Gasströmungsmenge erzielt wird, wird das Substrat 10 vorzugsweise zylinderförmig ge­ staltet.

Zum Evakuieren der Luft aus der Abscheidungskammer 1 bei Beginn der Erzeugung der Dünnschicht wird ein Hauptventil 12 geöffnet und geschlossen. 13 bezeichnet ein Hilfsventil, das zum Auslassen des Gases aus der Abscheidungskammer 1 über den Gas-Auslaßteil 8 während der Erzeugung der Dünnschicht ver­ wendet wird. 14 bezeichnet ein Ventil, das beim Ein­ leiten des als Ausgangsmaterial verwendeten Gases aus einem (nicht ge­ zeigten) Druckbehälter geöffnet und geschlossen wird und das auch zum Einstellen und Steuern der Strömungsmenge des eingeleiteten Gases dient.

Während der Erzeugung der Dünnschicht ist das Hauptventil 12 geschlossen, während das Hilfsventil 13 und das Ventil 14 geregelt werden, um das Gas in der gewünschten Strö­ mungsmenge und Strömungsgeschwindigkeit zur Erzielung einer gleichmäßigen Strömungsmenge und Strömungsge­ schwindigkeit des Gases in der Abscheidungskammer 1 einzuleiten.

Durch eine Heizvorrichtung 15 wird das Substrat 10 während der Erzeugung der Dünnschicht oder aber vor und nach der Erzeugung der Dünnschicht auf einer festen Temperatur gehalten.

Die als zweite Elektrode dienende Metallelektrode 4 ist an eine Hochfrequenz- Stromquelle 16 für die Erzeugung einer Glimmentladung in der Abscheidungskammer 1 angeschlossen. Der zweite Anschluß der Stromquelle 16 ist gemäß der Darstellung in Fig. 1 mit Masse verbunden. Alternativ kann der zweite Anschluß mit dem Substrat 10 und/oder dem Befestigungselement 11 verbunden sein, die als erste Elektrode verwendet werden.

Bei der Anwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Durch­ führung eines Plasma-CVD-Verfahrens wird über dem ganzen Dünnschichterzeugungs- Oberflächenbereich selbst dann eine gleichmäßige Dünnschicht gebildet, wenn das Substrat 10 nicht gedreht wird. Zur Erzielung einer weiter verbesserten Gleich­ mäßigkeit oder Gleichheit der Dünnschichteigenschaften ist es jedoch von Vorteil, während der Erzeugung der Dünnschicht das Substrat 10 in eine langsame Drehbewegung mit gleich­ mäßiger Geschwindigkeit oder gleichmäßig beschleunig­ ter Geschwindigkeit zu versetzen. In diesem Fall wird die Drehgeschwindigkeit des Substrats nach Gutdünken in Abhängigkeit von dem wechselseitigen Zusammenhang mit der Dünnschichterzeugungsgeschwindigkeit festgelegt. Bei­ spielsweise werden bei einem zylindrischen Substrat gute Ergebnisse dann erzielt, wenn das Substrat in eine Drehbewegung mit gleichmäßiger Geschwindigkeit bei ungefähr 5 Umdrehungen je Minute versetzt wird. Durch Drehen des Substrats 10 mit dem Befestigungselement 11 als Drehmitte ist die Gleichheit der Entladungsintensität erzielbar, so daß daher im Vergleich zu dem Fall, daß das Substrat 10 nicht in Drehung versetzt wird, auf dem Substrat 10 eine Dünnschicht mit gleichmäßigeren Eigenschaften und gleichmäßigerer Dicke erhalten werden kann.

Gemäß den vorstehenden Ausführungen sind bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung der Gas-Einlaßteil und der Gas-Auslaßteil im wesentlichen drehsymmetrisch zueinander angeordnet. Im einzelnen sind der Gas-Einlaßteil und der Gas-Auslaßteil vorzugsweise so angeordnet, daß im Querschnitt des Substrats und der Abscheidungskammer der Gas-Aus­ laßteil dem Gas-Einlaßteil in bezug auf eine Grenzlinie entgegengesetzt angeordnet ist, die eine die Drehsymmetrieachse mit dem Ort des Gas-Einlaß­ teils verbindende Linie rechtwinklig schneidet und im rechtem Winkel auf die Drehsymmetrieachse trifft.

Die Lagebeziehung zwischen dem Gas-Einlaßteil 6 und dem Gas-Auslaßteil 8 ist in Fig. 2 gezeigt, die eine schematische Querschnittsansicht längs der Linie X-Y in Fig. 1 dar­ stellt. In Fig. 2 ist ein Beispiel gezeigt, gemäß dem ein einziger Gas-Einlaßteil 6 und ein einziger Gas-Auslaßteil 8 drehsymmetrisch um 180° versetzt angeordnet sind. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht jedoch keine Einschränkung auf diese Anordnung; vielmehr können mehr als ein Gas-Einlaßteil und mehr als ein Gas-Auslaßteil verwendet werden, solange die Lagebeziehung der Drehsymmetrie eingehalten ist. Die Gas-Einlaßteile und die Gas-Auslaßteile werden beispielsweise in folgenden Lagen angeordnet:

Wenn beispielsweise ein einziger Gas-Einlaßteil an einer Stelle "a₁" angeordnet ist, wird ein Gas-Auslaßteil an einer Stelle "a₅" angebracht, oder es werden mehrere Gas- Auslaßteile an Stellen "a₄" und "a₆" oder Stellen "a₄", "a₅" und "a₆" angeordnet. Wenn die Gas-Einlaßteile an den Stellen "a₁", "a₂" und "a₈" angeordnet werden, wird der Gas-Auslaßteil an der Stelle "a₅" angebracht oder es werden mehrere Gas-Auslaßteile an den Stellen "a₄", "a"₅ und "a₆" oder an den Stellen "a₄" und "a₆" angeordnet. In einem solchen Fall wird das Durchlaßvermögen eines jeden Gas-Einlaßteils und eines jeden Gas-Auslaßteils so ausge­ legt oder gesteuert, daß in der Abscheidungskammer 1 die Strömungsmenge und die Strömungsgeschwindigkeit bzw. der Durchsatz des Gases gleichmäßig gemacht werden.

Wenn unter Anwendung einer Vorrichtung gemäß der Darstellung in Fig. 1 eine gewünschte Dünnschicht erzeugt wird, wird ein zylindrisches Substrat 10, das nötigenfalls gereinigt worden ist, an dem Befestigungselement 11 befestigt, wonach der elektrisch isolierende bzw. Isolierring 3, die zylinderförmige Metallelektrode 4 und der Isolierdeckel 5 in der genannten Reihenfolge auf die Grundplatte 2 aufgesetzt werden; danach wird durch Öffnen des Hauptventils 12 die Luft in der Ab­ scheidungskammer 1 vom Boden her evakuiert, um die Abscheidungskammer 1 auf einen festgelegten Vakuum- Wert zu bringen. Die Metallelektrode 4 wird mit einem Koaxialkabel 17 an die Hochfrequenz-Stromquelle 16 angeschlossen.

Sobald die Abscheidungskammer 1 den festgelegten Vakuum-Wert bzw. Unterdruck erreicht hat, wird das Hauptventil 12 geschlossen, während das Hilfsventil 13 und dann das Ventil 14 geöffnet werden, um das Gas für die Erzeugung einer Dünnschicht in einer festgelegten Strömungsmenge über ein Rohr 18 aus dem Gas-Einlaßteil 6 in die Abscheidungskammer 1 einzuleiten. Im Fall der Herstellung einer a-Si : H- Dünnschicht wird beispielsweise Siliciumwasserstoff eingeleitet. Danach wird das Hilfsventil 13 so geregelt, daß die Abscheidungskammer 1 auf einen festgelegten Innendruck gebracht wird. Wenn das Innere der Abschei­ dungskammer 1 mit dem Gas für die Dünnschichterzeugung unter einem festgelegten Druck gefüllt ist, wird zwischen der Metallelektrode 4 und dem Substrat 10 eine Glimmentladung herbeigeführt, um das Gas in der Abscheidungskammer 1 in die Form von Gas-Plasma zu bringen und dadurch auf dem Substrat 10 eine Dünnschicht auszubilden.

Wenn bei dem Fall gemäß der vorstehenden Beschrei­ bung das Substrat 10 in Drehung versetzt wird, kann unabhängig von der Gestalt der Metallelektrode 4 bzw. des Substrats 10 die Entladungsintensität selbst dann ausgeglichen werden, wenn die Gas-Strömungsmenge nicht gleichmäßig ist; folglich wird eine gute Dünnschicht erzielt, die überall gleichmäßige physikalische Eigenschaften und eine gleich­ mäßige Dicke aufweist und eine große Ober­ fläche hat. Die Strömungsgeschwindigkeit des Gases wird ferner unter Berücksichtigung der Dissoziationsgeschwindigkeit des Gases bestimmt; wenn die Dissoziationsgeschwindigkeit hoch ist, wird die Strömungsgeschwindigkeit bzw. der Durchsatz vorzugsweise hoch gewählt. Der Vakuum-Zustand in der Abscheidungskammer 1 wird durch Öffnen eines Durchlaß- bzw. Nebenventils 19 aufgehoben.

Bei der in Fig. 1 gezeigten Vorrichtung hat das Befestigungselement 11 die Form einer Stange, da diese Form zum Halten eines Substrats 10 in Form eines Zylinders geeignet ist. Selbstverständlich ist es notwendig, entsprechend der Form des Substrats sowohl die Form des Befestigungselements als auch die Anordnung desselben so zu verändern, daß das Substrat mittels des Befestigungselements zweckdienlich gehalten wird.

Claims (3)

1. Vorrichtung zur Durchführung eines Plasma-CVD-Verfahrens mit einer evakuierbaren Abscheidungskammer mit einem Gas-Ein­ laßteil und einem Gas-Auslaßteil, in der ein Substrat mittels eines Befestigungselements gehalten wird, wobei das Substrat und/oder das Befestigungselement als eine erste Elektrode dient und wobei eine zweite Elektrode vorgesehen ist, deren Oberfläche im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Sub­ strats angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß wenig­ stens ein Teil der Wandung der Abscheidungskammer (1) als zweite Elektrode dient und daß der Gas-Einlaßteil (6) und der Gas-Auslaßteil (8) im wesentlichen drehsymmetrisch angeordnet sind.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (10) die Form eines Zylinders hat und drehbar gelagert ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß im Querschnitt des Substrats (10) und der Abschei­ dungskammer (1) der Gas-Auslaßteil (8) dem Gas-Einlaßteil (6) in bezug auf eine Grenzlinie entgegengesetzt angeordnet ist, die eine die Drehsymmetrieachse mit dem Ort des Gas-Einlaß­ teils verbindende Linie rechtwinklig schneidet und im rech­ ten Winkel auf die Drehsymmetrieachse trifft.