DE2725885C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2725885C2
DE2725885C2 DE2725885A DE2725885A DE2725885C2 DE 2725885 C2 DE2725885 C2 DE 2725885C2 DE 2725885 A DE2725885 A DE 2725885A DE 2725885 A DE2725885 A DE 2725885A DE 2725885 C2 DE2725885 C2 DE 2725885C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gas
base
metal electrode
chamber
atomization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2725885A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2725885A1 (de
Inventor
Geoffrey Lester Dr. Sydney Neusuedwales/New South Wales Au Harding
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Sydney
Original Assignee
University of Sydney
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Sydney filed Critical University of Sydney
Publication of DE2725885A1 publication Critical patent/DE2725885A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2725885C2 publication Critical patent/DE2725885C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • C23C14/0063Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufbringen einer Oberflächenbeschichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 sowie auf eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Solche Verfahren und zu deren Durchführung geeignete Vorrichtungen sind bereits bekannt (US-PS 38 97 325); dort ist eine metallische Elektrode vorhanden, die konzentrisch innerhalb einer zylindrischen Halterung für die Substrate angeordnet ist. Die Ausbildung einer mehrschichtigen Oberfläche auf der Unterlage ist bei der bekannten Vorrichtung nicht vorgesehen.
Bekannt ist auch ein Zerstäubungsverfahren zum fortlaufenden Aufbringen metallischer Überzüge (DE-AS 22 41 634), bei dem das strömende Gas gegen Schirmplatten gerichtet wird, so daß der Gasstrom abgelenkt und verwirbelt wird.
Es ist auch bereits eine Einrichtung zur Beschichtung von Oberflächen mit einem organischen Material bekannt (US-PS 3 24 825); das Auftragen des Werkstoffs geschieht dort unter Anwendung einer Glimmentladung, die durch Anlegen eines elektrischen Wechselfeldes an ein Metallgitter erzeugt wird. Das aufzutragende Material, bei dem es sich um ein organisches Monomer in Gasform handelt, wird zusammen mit einem zweiten Gas, beispielsweise Luft, in einen Reaktionsraum eingeleitet.
Auch ein Trioden-Zerstäubungsverfahren ist bereits bekannt, bei welchem neben der Anode und der Kathode noch eine Fangelektrode vorgesehen ist, die eine Begrenzung des Plasmas innerhalb der Zerstäubungskammer erlaubt (DE-OS 17 65 287).
Die Zerstäubungstechnik wird bekanntlich auch zum Beschichten von Unterlagen mit einem hochreflektierenden Metall, wie Chrom, verwendet. Das Chrom wird aus einer Metallelektrode ausgeschleudert, die in Folge einer elektrischen Entladung in einem inerten Gas zwischen einer Anode und der die Kathode bildenden Chromelektrode mit Ionen bzw. Atomen beaufschlagt wird. Das inerte Gas ist normalerweise Argon mit einem niedrigen Druck.
Beim reaktiven Zerstäuben wird bekanntlich das inerte Gas mit einer geringen Menge eines reaktiven Gases gemischt, das die Atome eines anderen Materials liefert, welche auf der zu beschichtenden Fläche gleichzeitig mit dem zerstäubten Metall der Kathode abgelagert werden. Ein solches reaktives Gas ist beispielsweise Kohlenwasserstoff, aus dem Kohlenstoffatome abgespalten werden, die mit dem Metall der Kathode ein Metallkarbid bilden. Mit diesem Zerstäubungsverfahren können auch Oxid- und Nitradschichten auf einer Unterlage gebildet werden. Bei bekannten reaktiven Zerstäubungsverfahren strömt zumeist das reaktive Gas während des Zerstäubungsvorgangs entlang der zu beschichtenden Fläche, so daß unterschiedliche Flächenbereiche in verschiedenen Gasatmosphären beschichtet werden und deshalb die so erhaltene aufgesprühte Schicht nicht die notwendige Gleichförmigkeit von Qualität und Dicke besitzt, die beispielsweise für eine selektive Schicht eines Sonnenenergiekollektors erforderlich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß sich metallische Schichten unterschiedlichen Materials nacheinander mit hoher Gleichmäßigkeit auch durch reaktive Zerstäubung aufbringen lassen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Mittel gelöst.
Dadurch lassen sich vorteilhafterweise die Bedingungen, unter denen die Unterlage beschichtet wird, so wählen, daß die Konsistenz, die Qualität und die Dicke der aufgetragenen Schichten genau eingehalten werden können.
Vorteile ergeben sich auch, wenn der Gasstrom entlang einer in der Zerstäubungskammer verlaufenden und sich zwischen der Elektrode und der Unterlage erstreckenden Bahn strömt und wenn die Zufuhrrate des Methans als reaktives Gas im wesentlichen gleich dem Verbrauch beim Zerstäuben gehalten, d. h. sorgfältig kontrolliert wird. Dadurch wird in jedem Bereich der Zerstäubungskammer das zugeführte Gas verbraucht, so daß es tatsächlich keinen Überschuß an reaktivem Gas gibt, der in einen benachbarten Bereich strömen und dort die atmosphärischen Bedingungen verändern könnte. Die "Qualität" der Atmosphäre kann daher über den ganzen Zerstäubungsbereich gleich gehalten werden.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 ist ein Längsschnitt nach der Linie I-I der Fig. 2 mit weggebrochenen Teilen einer Vorrichtung für die Zerstäubungsbeschichtung eines zylindrischen Rohres eines Sonnenenergiekollektors. Fig. 2 ist ein Querschnitt durch den Mittelteil der Vorrichtung gemäß Fig. 1 entlang der Ebene A-A, und Fig. 3 veranschaulicht einen Querschnitt durch eine Zerstäubungsvorrichtung zum gleichzeitigen Beschichten einer Partie von rohrförmigen Substraten.
Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung mit einer Glashülle 1, die eine zylindrische Kammer 2 umschließt, deren eines Ende durch eine mit Öffnungen versehene Kappe 3 verschlossen ist, wogegen das andere Ende mit einer Absaugleitung 4 verbunden ist, die bis zu einer nicht dargestellten Hochvakuumpumpe führt.
Ein zylindrisches, ein Substral bildendes Rohr 5 erstreckt sich axial durch die Kammer 2 und ist an seinen Enden mittels Verschlüssen 6, 7 verstöpselt. Der Verschluß 6 ist gegen den Verschluß 7 hin durch eine Anordnung federbelastet, die durch eine auf einem Stift 9 gleitende und eine Druckfeder 10 beeinhaltende zylindrische Hülse 8 gebildet ist. Die Anordnung erlaubt ein Drehen des Verschlusses 6. Der zweite Verschluß 7 sitzt an einem Ende einer Welle 11, die sich bis zu einem elektrischen Motor 12 erstreckt und einen drehbaren Dichtungspfropfen 13 in der Mitte der Kappe durchsetzt.
Die Außenseite des Rohres 5 und die Innenfläche der Hülle 1 begrenzen einen Ringraum (Fig. 2), der ein Paar von diametral einander gegenüberliegender Elektroden 15, 16 enthält. Diese Elektroden sind beide rohrförmig und gleichartig aufgebaut, doch besteht die Elektrode 16 aus rostfreiem Stahl, die Elektrode 15 hingegen aus Kupfer. Wie aus Fig. 1 hervorgeht, enthält die Elektrode 15 ein axial sich erstreckendes Rohr 17, dessen innerhalb der Elektrode gelegenes Ende offen ist, wogegen es mit seinem anderen Ende durch einen Abschluß 18 hindurch zu einem nicht dargestellten Kühlwasserabfluß herausführt. Die Wand der Elektrode 15 durchsetzt einen Dichtungspfropfen 20, der in das Ende eines mit der Kappe 3 abgedichteten Isolierrohres 21 eingepaßt ist. Eine Einmündung 22 ermöglicht einen Kaltwasserkreislauf durch die Elektrode 15 und heraus durch das Rohr 17, wie die Pfeile zeigen. Ein in einer Trägerplatte befestigter Isolierkörper 23 aus Glas hält das innere, geschlossene Ende der Elektrode 15. Dieser Glasisolator durchsetzt nicht die volle Wandstärke der Trägerplatte 29, so daß er selbst während der Zerstäubung nicht mit leitendem Material beschichtet wird.
Teile der Elektrode 16, die jenen der Elektrode 15 entsprechen, tragen die gleichen, jedoch mit einem Strich versehenen Bezugsziffern und werden nicht gesondert beschrieben.
In dem Ringraum, auf halbem Wege zwischen den rohrförmigen Elektroden 15 und 16, befindet sich ein Einlaßrohr 27 und ein Auslaßrohr 28 (Fig. 2). Beide durchsetzen Abdichtungen in der Kappe 3 und sind an ihren innerhalb der Hülle 1 gelegenen Enden geschlossen. Ihre anderen, äußeren Enden führen einerseits zu einer Quelle für einen kontrollierten Anteil an reaktivem Gas in Form von Methan enthaltendes Argon und anderseits zu einer Saugpumpe.
Jedes der Rohre 27, 28 besteht aus Kupfer und hat eine Reihe von Löchern, die an der der Außenseite des Ringraumes zugewandten Seite über seine Länge verteilt sind. Der Gesamtquerschnitt der Einlaßlöcher, durch welche Gas in die Kammer strömt, ist geringer als der Gesamtquerschnitt der Löcher des Gasauslaßrohres, so daß unter gleichmäßigen Betriebsbedingungen im Durchschnitt ein konstanter Unterdruck in der Kammer 2 aufrechterhalten wird. Dabei strömt das Gas bogenförmig über die beiden Hälften des Ringraumes (Fig. 2), wogegen die Strömung in Axialrichtung des Ringraumes vernachlässigbar ist.
Die Vorrichtung wird mit Unterdruck betrieben. Die elektrisch leitenden Teile der Vorrichtung mit Ausnahme der Kupferelektrode 15 sind geerdet, und die Kupferelektrode hat relativ zur Masse negatives Potential. In der Kammer 2 erfolgt eine Ionenentladung, und der Aufschlag positiver Ionen auf der Kupferelektrode bewirkt, daß metallisches Kupfer radial abgesprüht wird.
Ein Teil des Kupfers zerstäubt auf der Außenwand des rohrförmigen, sich drehenden Substrates 5. Während dieser Anfangsphase der Beschichtung der rohrförmigen Unterlage mit einer Kupferschicht wird nur reines Argon zwischen dem Einlaßrohr 27 und dem Auslaßrohr 28 gefördert. Das Verfahren ist deshalb ein herkömmliches Plasmaverfahren. Gewünschtenfalls kann die Zerstäubung auch stattfinden, ohne daß Argon durch die Kammer 2 strömt, obwohl dies viel mehr vorzuziehen ist.
Sobald die Kupferschicht auf dem Rohr 5 die gewünschte Dicke hat, was empirisch durch die Zerstäubungsparameter bestimmt wird, ist eine Lage in Form eines metallischen Überzuges mit einem hohen Grad an Reflexionsfähigkeit für Infrarot gebildet.
Die Anschlüsse der Elektroden 15, 16 werden dann umgekehrt und das reine Argon durch einen Argonstrom mit einem kontrollierten Anteil von Methan ersetzt.
Die reaktive Zerstäubung findet nun zwischen der Elektrode 16 und dem Kupferbelag bzw. der Schicht auf dem Substrat 5 statt. Die reaktive Zerstäubung bewirkt, daß Kohlenstoff und Eisen, Chrom und Nickel von der Elektrode 16 aus rostfreiem Stahl an der Oberseite der Kupferschicht kontinuierlich über ihre Länge abgelagert wird. Die Zerstäubung wird dann eine empirisch bestimmte Zeit hindurch fortgesetzt, die notwendig ist, um die gewünschte Dicke eines Metallkarbidbelages auf dem Rohr zu schaffen. Dies wird durch Parameter bestimmt, die während der Zerstäubung fixiert und bekannt werden. Da der Gasstrom innerhalb des Ringraumes im wesentlichen in der gleichen Ebene wie die Entladungsrichtung des zerstäubten Metalles liegt, der Gasstrom aber quer über die Zerstäubungsebene des Metalles von der Elektrode zum Rohr 5 läuft (Fig. 2), sind die Gasverhältnisse, unter denen die Zerstäubung zwischen Elektrode und dem Rohr 5 erfolgt, über die Länge des Rohres jeweils die selben. Die Konsistenz der Dicke und Zusammensetzung der aufgesprühten Schicht ist deswegen gesichert, weil das Gas, durch das die Zerstäubung erfolgt ist, aus dem Ringraum abgezogen wird, bevor es Zeit hat, in axialer Richtung in andere Bereiche der Zerstäubungszone zu zirkulieren.
Zum Bilden des Belages hoher Reflexionsfähigkeit auf dem Unterlagerohr können verschiedene Metalle für die Zerstäubungsschicht verwendet werden. Beispielsweise ist Silber oder Gold an Stelle von Kupfer brauchbar. Ebenso mögen statt rostfreiem Stahl für die Elektrode 16 auch andere Metalle wie Molybden, Chrom, Eisen, Tungsten, Nickel, Tantal oder sogar Titan Verwendung finden, obwohl die Resultate mit Titan nicht so gut sind. Obgleich Methan und Argon für das Gasgemisch zur reaktiven Zerstäubung bevorzugt werden, können in gleicher Weise andere Kohlenwasserstoffe entsprechend der gewünschten Schichtzusammensetzung angewandt werden. So mögen andere reaktive Gase zum Bilden von Silziden, Boriden und anderen Verbindungen dienen.
Die besten Resultate erhält man, wenn die Kammer bis zu einem Druck unterhalb 10-6 Torr während einiger Stunden evakuiert wird, so daß sich in der Kammer nur eine vernachlässigbare Konzentration an Restgasen befindet, die das inerte, durch das System während der ersten Zerstäubungsphase strömende Gas verschmutzen könnten. Typischerweise wird Kupfer mit einem Potential von minus 1400 V an der Kupferelektrode und bei einem Gasdruck in der Kammer 2 von 0,2 Torr zerstäubt. Während der Kupferzerstäubung soll eine größere Durchflußrate von Argon durch die Kammer aufrechterhalten werden.
Die Konzentration des Methans in Argon während der zweiten Zerstäubungsphase hängt vom Zerstäubungsstrom, von der Oberfläche der Zerstäubungselektrode und der Durchflußmenge ab. Die Methankonzentration bestimmt die Zusammensetzung der Karbidschicht hinsichtlich des Verhältnisses von Metall- zu Kohlenstoffatomen im Belag. Eine Anzeige dieser Zusammensetzung liefert der elektrische Widerstand pro Quadrateinheit. In der Praxis hat sich eine optimale Qualität der Schicht bei einem elektrischen Widerstand pro Flächeneinheit des Metallkarbidbelages zwischen 10 kΩ und 1 MΩ ergeben. Die Ablagerung wird so lange fortgesetzt, bis sich eine Metallkarbidschicht mit einer Dicke von etwa 10-7 m gebildet hat.
Die folgenden Einzelheiten beziehen sich auf eine versuchsweise Anwendung der oben beschriebenen Vorrichtung:
Beschichtungsspannung1400 V Beschichtungsstrom300 mA Beschichtungszeit für eine doppelte Schicht
(Kupfer+ Gemisch von Eisen-, Chrom- und Nickelkarbiden)50 Minuten Gasdruck (typisch)1,5×10-1 Torr Zusammensetzung des Gases für die Karbidbeschichtung8% Methan in Argon Umdrehungsgeschwindigkeit des Unterlagerohres11 U/min Länge des Unterlagerohres1,5 m Maximaldurchmesser des Unterlagerohres50 mm Gaszufuhr1 cm Rohrlängen mit Bohrung
von 0,305 mm Durchmesser,
70 mm Mitten im Rohr von
13 mm Außendurchmesser und
1 mm Wandstärke GasauslaßLöcher von 1 mm Durchmesser
in einem Rohr mit 1 mm Wand-
stärke, Außendurchmesser 13 mm,
100 mm Lochmittenabstand Durchflußrate0,11 ml/sek bei Normaltempera-
tur und Druck (S.T.P.) Außendurchmesser der Glaskammer10 cm Wandstärke der Kammer5 mm Außendurchmesser der negativen Elektroden13 mm
Fig. 3 zeigt im Querschnitt ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung der reaktiven Zerstäubungsbeschichtung in schematischer und stark vereinfachter Form.
Die Zerstäubung wird in einem von einer rohrförmigen Stahlelektrode 30 ummantelten zylindrischen Hohlraum mit vertikaler Achse durchgeführt, der an seinen Enden durch nicht dargestellte Endplatten abgeschlossen ist. Die Elektrode 30 ist an ihrer Außenfläche von nicht dargestellten Kühlschlangen für eine Wasserkühlung umwunden. Eine rohrförmige Kupferelektrode 32 erstreckt sich axial entlang der Mitte des Hohlraumes und ist mit acht sich über ihre Länge hinziehenden Reihen von Löchern 33 sowie einem inneren, nicht dargestellten U-Rohr versehen, das an der Kupferelektrode anliegt und zur Wasserkühlung dient. Jede der Lochreihen 33 ist gegen ein zugehöriges rohrförmiges Substrat 34 gerichtet. Acht solcher Beschichtungsunterlagen 34 sind in einem konzentrischen Ring rund um die Elektrode 32 angeordnet, und jedes Substrat ist an seinem oberen Ende in einer drehbaren Halterung 35 befestigt. Jede Halterung 35 wird über ein nicht dargestelltes Kettenrad von einem biegsamen, durch eine unterbrochene Linie angedeuteten Kettentrieb angetrieben, der seinerseits seinen Antrieb von einer nicht dargestellten Drehwelle erhält, die eine Abdichtung in der oberen Endplatte des Hohlraumes durchsetzt. Die Endplatten des Hohlraumes liegen an Erdpotential und sind von der Außenelektrode 30 durch O-Ringe isoliert, deren Querschnitt einen derartigen Durchmesser aufweist, daß ein Zwischenraum von 1 bis 2 mm zwischen der ringförmigen Stirnfläche der Außenelektrode 30 und jeder Endplatte besteht. Der ringförmige Zwischenraum rund um die untere Endplatte steht mit einer Absaugleitung in Verbindung, die an eine Saugpumpe angeschlossen ist. Die Mittelelektrode 32 ist gegenüber der oberen Endplatte durch einen Glasring isoliert und durchsetzt die Endplatte durch ein Loch, dessen Durchmesser 2 bis 4 mm größer ist als jener der Elektrode 32.
Wenn ein nichtreaktives Zerstäubungsverfahren zur Herstellung der ersten Schicht eines Zweischichtbelages auf der Unterlage durchgeführt werden soll, so wird die Hülle mit Argon bei Unterdruck gefüllt und die Kupferelektrode 32 als Kathode oder Materialquelle und die Endplatten sowie die Außenelektrode als Anode benutzt. Argon wird durch die Löcher in der Kupferelektrode 32 in die Kammer gefördert und durch die Öffnung rund um die Bodenplatte abgesaugt. Sodann findet die Zerstäubung zwecks Ablagerung einer Kupferschicht auf jeder der rohrförmigen Unterlagen statt, die gemeinsam gedreht werden, so daß auf jeder eine Schicht gleicher Dicke aufgebaut wird.
Um die Karbidschicht über der Kupferschicht zu bilden, wird die Kupferelektrode 32 gemeinsam mit den Endplatten als Anode, hingegen die Außenelektrode 30 als Kathode benützt, so daß die Zerstäubung von der stählernen Außenhülle her erfolgt. Argon wird durch einen Einlaß in der oberen Platte hineingefördert und Methan in das Innere der Elektrode 32 so eingelassen, daß seine Durchflußrate durch die Löcher 33 dem Verbrauch während der Zerstäubung gleich ist. Die in den acht Zerstäubungszonen herrschenden Bedingungen sind die gleichen und hängen in jeder Zone nicht vom von der oberen Endplatte parallel zur Substratachse gemessenen Abstand der Zone ab. Daher ist die auf den Unterlagen hergestellte Karbidschicht von einen Punkt der Unterlage zum anderen von gleichförmiger Zusammensetzung und Dicke.
Die Vorrichtung nach Fig. 3 hat den Vorteil, daß eine Partie von acht rohrförmigen Elektroden gleichzeitig beschichtet werden können.
Die folgenden Einzelheiten beziehen sich auf eine versuchsweise Anwendung der an Hand der Fig. 3 beschriebenen Vorrichtung:
Beschichtungsspannung1000 V Beschichtungsstrom2,5 A Beschichtungszeit für 8 mit einer Doppelschicht beschichtete Rohre50 Minuten Gesamtgasdruck (typisch)1,5×10-1 Torr Umdrehungsgeschwindigkeit des Substrates11 U/min Länge der Unterlagerohre1,5 m Durchmesser der Unterlagerohre22 mm Außendurchmesser der Innenelektrode25,4 mm Innendurchmesser der Außenelektrode150 mm Gaszufuhr1 cm Rohrlängen mit Bohrung
von 0,2 mm Durchmesser,
70 mm Mitten Argondurchflußrate0,5 ml sek-1 Methandurchflußrate (annähernd)0,07 ml sek-1
Bei der Durchführung des beschriebenen Verfahrens kann das inerte Gas in die Zerstäubungskammer entweder bereits mit dem reaktiven Gas gemischt oder durch einen getrennten Einlaß zugeführt werden, und es wird durch eine Absaugleitung in einem solchen Ausmaß abgezogen, daß der Druck in der Kammer auf einem gewählten Niveau gehalten wird. Die Zustrommenge inerten Gases kann durch ein regulierbares, mit der Zufuhr reaktiven Gases verbundenen Gassteuerventil geregelt werden, wie dem Fachmanne bekannt ist.
Vorzugsweise wird das reaktive Gas von Löchern in einem an eine sorgfältig gesteuerte Gasquelle angeschlossenen Rohr aus gegen die Unterlage gerichtet. Das inerte Gas, z. B. Argon, wird in die Kammer über einen Einlaß eingeführt und gleich wieder über einen Auslaß aus der Kammer so abgezogen, daß der Teildruck des inerten Gases über die Zeit konstant bleibt und die Atmosphäre inerten Gases in einem solchen Ausmaß ausgetauscht wird, daß der Aufbau von Verunreinigungen verhindert wird. Solche Verunreinigungen können während des Zerstäubungsvorganges durch Freisetzen von in oder an den dem Unterdruck ausgesetzten Flächen eingeschlossenen Gasen entstehen.
In einer weiteren Ausführung des beschriebenen Verfahrens wird die Bewegung des reaktiven Gases zwischen verschiedenen Bereichen der Zerstäubungszone durch Mitreißen mit einem inerten Gas verhindert, das im rechten Winkel der rohrförmigen Unterlage zuströmt. Das von der Zerstäubungszone strömende Gas wird von einem unter Saugwirkung stehenden Gasauslaß abgezogen. Zweckmäßig weist der Gasauslaß ein Saugrohr auf, das sich der Länge einer länglichen Kammer nach parallel zu den Achsen der Elektrode und der Unterlage erstreckt. Der Überschuß an reaktivem Gas wird in dem inerten Gasstrom mitgerissen und deshalb gezwungen, sich quer zur Zerstäubungszone zu bewegen. Sodann wird der Überschuß aus der Zone fortgerissen, bevor er von einem Bereich der Zerstäubungszone in einen anderen eindringen kann. Bei dieser Ausführungsform kann das reaktive Gas sowohl nach dem Mischen mit dem inerten Gas und/oder getrennt in die Kammer eingelassen werden.
Die beschriebene Vorrichtung zur Durchführung einer reaktiven Zerstäubung zwecks Erzeugung eines Beschichtungsbelages auf einer länglichen rohrförmigen Unterlage weist eine längliche Elektrode sowie Halterungen zum Tragen einer rohrförmigen Beschichtungsunterlage im Abstand und parallel zur Elektrode auf, die in einer von einer Hülle ummantelten Kammer angeordnet sind, in der die Zerstäubung zwischen Elektrode und Unterlage stattfindet und in die das reaktive Gas durch einen Einlaß einführbar ist, deren Strömung in einer Zerstäubungszone zwischen Elektrode und Unterlage durch Führungen leitbar ist, durch die die Gasströmung zwischen verschiedenen Bereichen über die Länge der Zerstäubungszone auf ein Mindestmaß verringerbar bzw. verhinderbar ist, wobei Einrichtungen zur Erzeugung einer relativen Drehbewegung ohne axiale Verschiebung zwischen Elektrode und Unterlage vorgesehen ist, durch die alle Punkte des Umfanges der Unterlage durch die Zerstäubungszone führbar sind, entlang welcher Material von der ganzen Länge der Elektrode gleichzeitig gegen die Unterlage sprühbar ist.
In einer solchen Vorrichtung befinden sich eine Absaugleitung zum Aufbau und/oder zum Aufrechterhalten eines Unterdruckes in der Zone, in der die Zerstäubung stattfindet, Einlaßeinrichtungen zum Zuführen eines inerten Gases und einer kontrollierten Menge eines reaktiven Gases in die Zone sowie ein Auslaß zum Abziehen von Gas und jedweden Überschusses an Verunreinigungsgas aus der Zone, wobei die Einlaßeinrichtungen und der Auslaß bezüglich der Lage des zu beschichtenden Substrates so angeordnet sind, daß der Gasstrom in der Ebene der Zone quer zur statt in der Richtung des von der Elektrode gegen die Lage des Substrates zerstäubten Materiales fließt. Gleichzeitig findet an allen Punkten entlang der Zone die Zerstäubung zur Beschichtung der rohrförmigen Unterlage statt, die gegen axiale Bewegung festgehalten sich einfach um ihre Achse dreht, um ihre Oberfläche mit zerstäubtem Material zu bedecken.
Bei der beschriebenen Vorrichtung ist eine Partie von rohrförmigen Beschichtungsunterlagen mit parallelen Achsen koaxial in einem Ring rund um eine in der Mitte befestigte Elektrode angeordnet, deren Länge etwa gleich oder größer als die Länge der zu besprühenden Unterlage ist. Jedes Substrat wird um seine Achse während des Zerstäubens gedreht, so daß eine ganze Partie davon in einem einzigen Zerstäubungsvorgang beschichtet wird. Das reaktive Gas kann durch Löcher in der für diese Zwecke rohrförmig ausgebildeten Elektrode in einem kontrollierten Ausmaße eingelassen werden, so daß seine Zufuhrmenge zur Zerstäubungszone gleich dem Verbrauch bei der Zerstäubung ist. Gemäß einer besonderen Ausführung der Vorrichtung ist eine Partie von rohrförmigen Beschichtungsunterlagen mit parallelen Achsen koaxial in einem Ring innerhalb einer hohlen zylindrischen Elektrode angeordnet, deren Achse jeweils parallel zu dem zu beschichtenden Rohr liegt.
In einer für das Aufsprühen auf eine zylindrische, rohrförmige Unterlage besonders geeigneten Ausführung der Vorrichtung liegt das Unterlagerohr axial in einer zylindrischen, von einer Hülle umgebenen Kammer. Die Zerstäubungselektrode erstreckt sich der Länge des zwischen dem Unterlagerohr und der zylindrischen Wand der Kammer ausgebildeten Ringraumes nach. Innerhalb des Ringraumes an hinsichtlich der Elektrode jeweils diametral gegenüberliegenden Seiten liegen die Ein- und Auslässe, die zweckmäßig in Form gerader Rohre mit über ihre Länge verteilten Löchern ausgebildet sind, die vorzugsweise auswärts gegen die zylindrische Wand der Kammer gerichtet sind. Die Elektrode besitzt zweckmäßig die Form einer Stange, die sich parallel zum und im Abstand von dem Unterlagerohr auf halbem Wege zwischen den Ein- und Auslaßrohren erstreckt. Während der Zerstäubung wird ein Teil des Elektrodenmaterials gegen die Unterlage gesprüht und bewegt sich quer zu dem von den Löchern des Einlaßrohres zu den Löchern des Auslaßrohres fließenden Gasstrom. Wie in der bevorzugten Ausbildung sind diese Löcher auswärts gerichtet und dienen auch dazu, daß Verunreinigungen zwischen Kammerwand und Sprühelektrode gegen das Auslaßrohr mitgerissen werden. Bei der Zerstäubung wird das Rohr, zweckmäßig mit gleichförmiger Geschwindigkeit, gedreht, um eine gleichmäßige Schicht von zerstäubtem Material über seine ganze Länge aufzubauen.

Claims (9)

1. Verfahren zum Aufbringen einer Oberflächenbeschichtung auf eine bewegte Unterlage durch Zerstäubung metallischen Materials von einer Metallelektrode in Gegenwart eines in einer Zerstäubungskammer befindlichen Gases, dadurch gekennzeichnet, daß die zu beschichtende Unterlage (5, 34) rohrförmig ausgebildet ist, daß nacheinander zwei Schichten aus Materialien zweier verschiedener Metallelektroden (15, 16) aufgetragen werden, daß die rohrförmige Unterlage (5, 34) während der Beschichtung um ihre Längsachse gedreht wird, während gleichzeitig ein Gasstrom über die gesamte Länge der Unterlage (5, 34) gegen ihre Oberfläche strömt, und daß für das Aufbringen der ersten Schicht ein reines und für das Aufbringen der zweiten Schicht ein mit reaktiven Anteilen versehenes inertes Gas verwendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zuerst eine Kupferschicht unter Verwendung einer Metallelektrode (15) aus Kupfer und eines Gasstromes aus Argon auf die Unterlage (5) aufgetragen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als zweite Schicht eine Verbindung aus der Gruppe der Karbide und/oder Silizide aufgetragen wird, wofür eine Metallelektrode (16) aus rostfreiem Stahl und ein Gasstrom, bestehend aus Argon mit einem kontrollierten Anteil von Methan als reaktivem Gasanteil, verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom entlang einer in der Zerstäubungskammer (1) verlaufenden und sich zwischen der Metallelektrode (15, 16, 30, 32) und der Unterlage (5, 34) erstreckenden Bahn strömt, und daß die Zufuhrrate des Methans im wesentlichen gleich dem Verbrauch beim Zerstäuben gehalten wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömung des Methans in der Zerstäubungskammer (1) parallel zur Längsachse der Unterlage (5, 34) durch Mitreißen in dem Argonstrom verhindert wird, der quer zur Ebene der Zerstäubungskammer (1) zu einem Gasauslaß (28) strömt, und daß zwischen den Zuführungsöffnungen (27, 33) und dem Gasauslaß (28) ein Druckabfall aufrechterhalten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasauslaß (28) ein Saugrohr aufweist, das sich längs der länglichen Kammer (1) parallel zu den Längsachsen der Metallelektrode (15, 16) und der Unterlage (5) erstreckt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallelektrode (32) koaxial zu einem Ring von im Abstand voneinander liegenden rohrförmigen Unterlagen (34) angeordnet ist, welche um ihre Längsachse gedreht werden, während die Schicht aus zerstäubtem Material auf ihnen aufgebaut wird.
8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Halterung (6, 7, 35) zum Tragen der Unterlagen (5, 34) im Abstand und parallel zur Metallelektrode (15, 16, 32) angeordnet und in einer Kammer (1) installiert ist, in der sich ein Gas befindet, daß wenigstens zwei langgestreckte Metallelektroden (15, 16, 30, 32) aus unterschiedlichen Werkstoffe vorgesehen sind, die nacheinander als Kathode anschließbar sind, daß ein Gasstrom in die Zerstäubungskammer (1) durch Führungen leitbar ist, durch die eine Strömung des Gases ausschließlich senkrecht zur Längsachse der Unterlage (5, 34) ausgerichtet ist, daß Einrichtungen (12, 13, 36) zur Erzeugung einer relativen Drehbewegung unter Vermeidung einer axialen Verschiebung zwischen der Metallelektrode (15, 15, 30, 32) und der Unterlage (4, 34) vorgesehen sind, durch die alle Punkte des Umfangs der Unterlage (5, 34) durch die Zerstäubungskammer (1) führbar sind, entlang welcher Material von der gesamten Länge der Metallelektrode (5, 16, 30, 32) gegen die Unterlage (5, 34) sprühbar ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallelektrode (15, 32) mit Löchern (33) versehen ist, welche die Zuführöffnungen für den Gasstrom bilden.
DE19772725885 1976-06-10 1977-06-08 Verfahren und vorrichtung zum reaktiven zerstaeuben Granted DE2725885A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU622876 1976-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2725885A1 DE2725885A1 (de) 1977-12-22
DE2725885C2 true DE2725885C2 (de) 1987-07-09

Family

ID=3696752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772725885 Granted DE2725885A1 (de) 1976-06-10 1977-06-08 Verfahren und vorrichtung zum reaktiven zerstaeuben

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4128466A (de)
JP (1) JPS52150790A (de)
AU (1) AU507748B2 (de)
CA (1) CA1076521A (de)
CH (1) CH622828A5 (de)
DE (1) DE2725885A1 (de)
ES (1) ES459671A1 (de)
FR (1) FR2354393A1 (de)
GB (1) GB1570044A (de)
IL (1) IL52212A (de)
IT (1) IT1083425B (de)
NL (1) NL7706230A (de)
SE (1) SE440369B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0303161A2 (de) * 1987-08-11 1989-02-15 HARTEC GESELLSCHAFT FUR HARTSTOFFE UND DUNNSCHICHTTECHNIK MBH & CO. KG Verfahren zum Aufbringen von Überzügen auf Gegenstände mittels magnetfeldunterstützter Kathodenzerstäubung im Vakuum

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151064A (en) * 1977-12-27 1979-04-24 Coulter Stork U.S.A., Inc. Apparatus for sputtering cylinders
GB2010676B (en) * 1977-12-27 1982-05-19 Alza Corp Diffusional drug delivery device with block copolymer as drug carrier
JPS5594479A (en) * 1979-01-06 1980-07-17 Coulter Systems Corp Spattering method and apparatus
DE3002194A1 (de) * 1980-01-22 1981-07-23 Berna AG Olten, Olten Vorrichtung zur (teil) beschichtung eines substrates durch kathodenzerstaeubung, vefahren zur beschichtung und deren anwendung
US4309261A (en) * 1980-07-03 1982-01-05 University Of Sydney Method of and apparatus for reactively sputtering a graded surface coating onto a substrate
US4290877A (en) * 1980-09-08 1981-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior Sputtering apparatus for coating elongated tubes and strips
FR2490246A1 (fr) * 1980-09-17 1982-03-19 Cit Alcatel Dispositif de deposition chimique activee sous plasma
JPS57111031A (en) * 1980-12-27 1982-07-10 Clarion Co Ltd Sputtering device
CA1155798A (en) * 1981-03-30 1983-10-25 Shmuel Maniv Reactive deposition method and apparatus
JPS6037188B2 (ja) * 1981-08-27 1985-08-24 三菱マテリアル株式会社 スパツタリング装置
FR2524618B1 (fr) * 1982-03-31 1987-11-20 Commissariat Energie Atomique Revetement pour la conversion photothermique
JPS599166U (ja) * 1982-07-08 1984-01-20 日産自動車株式会社 内燃機関の点火制御装置
EP0106638A1 (de) * 1982-10-12 1984-04-25 National Research Development Corporation Verfahren und Vorrichtung zum Züchten von Material mittels einer Glimmentladung
US4704339A (en) * 1982-10-12 1987-11-03 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Infra-red transparent optical components
JPS5991360U (ja) * 1982-12-12 1984-06-21 シロキ工業株式会社 反応性蒸着膜形成装置
JPS6016755U (ja) * 1982-12-12 1985-02-04 白木金属工業株式会社 被膜蒸着装置
JPS5991361U (ja) * 1982-12-12 1984-06-21 日東工器株式会社 被膜蒸着装置
DE3306738A1 (de) * 1983-02-25 1984-08-30 Berna AG Olten, Olten Vorrichtung und verfahren zur beschichtung von substraten mittels glimmentladung, sowie deren anwendung
US4420385A (en) * 1983-04-15 1983-12-13 Gryphon Products Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films
CH659346A5 (de) * 1983-05-10 1987-01-15 Balzers Hochvakuum Vorrichtung zum behandeln der innenwand eines rohres.
US4491509A (en) * 1984-03-09 1985-01-01 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for sputtering material onto a substrate
US4885070A (en) * 1988-02-12 1989-12-05 Leybold Aktiengesellschaft Method and apparatus for the application of materials
US5225057A (en) * 1988-02-08 1993-07-06 Optical Coating Laboratory, Inc. Process for depositing optical films on both planar and non-planar substrates
US5618388A (en) * 1988-02-08 1997-04-08 Optical Coating Laboratory, Inc. Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
US5798027A (en) * 1988-02-08 1998-08-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Process for depositing optical thin films on both planar and non-planar substrates
DE4402883A1 (de) * 1994-02-01 1995-08-03 Henkel Kgaa Optimiertes Verfahren zur Aufarbeitung von wasserdampfbasierten Brüdenströmen
JPH07316810A (ja) * 1994-05-27 1995-12-05 Fuji Xerox Co Ltd スパッタリング装置
JP2001521990A (ja) * 1997-11-03 2001-11-13 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト MoSi2含有層を製造するためのガスジェットPVD法
US6436252B1 (en) 2000-04-07 2002-08-20 Surface Engineered Products Corp. Method and apparatus for magnetron sputtering
US6495010B2 (en) 2000-07-10 2002-12-17 Unaxis Usa, Inc. Differentially-pumped material processing system
US6669824B2 (en) 2000-07-10 2003-12-30 Unaxis Usa, Inc. Dual-scan thin film processing system
ITFI20020042A1 (it) * 2002-03-08 2002-06-06 Galileo Vacuum Systems S R L Impianto per la metallizzazione sotto vuoto di oggetti trattati in lotti
CN102598286A (zh) * 2009-09-06 2012-07-18 张晗钟 管状光伏器件和制造方法
US9392678B2 (en) 2012-10-16 2016-07-12 Asml Netherlands B.V. Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2476592A (en) * 1944-12-13 1949-07-19 Fruth Hal Frederick Cathodic deposition apparatus
US3324825A (en) * 1964-11-25 1967-06-13 Mhd Res Inc Glow discharge reactor
FR1415251A (fr) * 1964-11-27 1965-10-22 Fuji Photo Film Co Ltd Procédé et appareil d'application de revêtements sous vide
NL130959C (de) * 1965-12-17
FR1492429A (fr) * 1966-08-31 1967-08-18 Libbey Owens Ford Glass Co Procédé et appareil pour éliminer les éléments contaminants de la surface d'un substrat
US3501393A (en) * 1967-05-05 1970-03-17 Litton Systems Inc Apparatus for sputtering wherein the plasma is confined by the target structure
GB1147318A (en) * 1968-02-22 1969-04-02 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in r.f. cathodic sputtering systems
US3725238A (en) * 1969-07-28 1973-04-03 Gillette Co Target element
IL34931A (en) * 1969-07-28 1973-04-30 Gillette Co Metal articles with protective metal layers and methods and apparatus for their manufacture
DE2109061A1 (en) * 1970-02-27 1971-09-09 Varian Associates Vacuum coating of multiface substrate
FR2088659A5 (de) * 1970-04-21 1972-01-07 Progil
JPS473154U (de) * 1971-01-29 1972-09-02
GB1365492A (en) * 1971-02-05 1974-09-04 Triplex Safety Glass Co Metal oxide films
US3856654A (en) * 1971-08-26 1974-12-24 Western Electric Co Apparatus for feeding and coating masses of workpieces in a controlled atmosphere
US3757733A (en) * 1971-10-27 1973-09-11 Texas Instruments Inc Radial flow reactor
JPS49125285A (de) * 1973-04-06 1974-11-30
US3897325A (en) * 1972-10-20 1975-07-29 Nippon Electric Varian Ltd Low temperature sputtering device
US3976555A (en) * 1975-03-20 1976-08-24 Coulter Information Systems, Inc. Method and apparatus for supplying background gas in a sputtering chamber
US3979273A (en) * 1975-05-27 1976-09-07 United Technologies Corporation Method of forming aluminide coatings on nickel-, cobalt-, and iron-base alloys

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0303161A2 (de) * 1987-08-11 1989-02-15 HARTEC GESELLSCHAFT FUR HARTSTOFFE UND DUNNSCHICHTTECHNIK MBH & CO. KG Verfahren zum Aufbringen von Überzügen auf Gegenstände mittels magnetfeldunterstützter Kathodenzerstäubung im Vakuum
EP0303161A3 (en) * 1987-08-11 1990-08-22 Hartec Gesellschaft Fur Hartstoffe Und Dunnschichttechnik Mbh & Co. Kg Method for coating objects by means of vacuum sputtering supported by magnetic fields

Also Published As

Publication number Publication date
AU2514177A (en) 1978-11-16
IL52212A0 (en) 1977-08-31
CA1076521A (en) 1980-04-29
DE2725885A1 (de) 1977-12-22
FR2354393A1 (fr) 1978-01-06
IL52212A (en) 1979-10-31
SE7706649L (sv) 1977-12-11
ES459671A1 (es) 1978-05-01
SE440369B (sv) 1985-07-29
JPS572272B2 (de) 1982-01-14
CH622828A5 (de) 1981-04-30
NL7706230A (nl) 1977-12-13
AU507748B2 (en) 1980-02-28
GB1570044A (en) 1980-06-25
IT1083425B (it) 1985-05-21
JPS52150790A (en) 1977-12-14
US4128466A (en) 1978-12-05
FR2354393B1 (de) 1982-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2725885C2 (de)
DE2653242C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Überziehen eines Isoliersubstrats durch reaktive Ionenbeschichtung mit einer Oxidschicht
EP0282836B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufstäuben hochohmiger Schichten durch Katodenzerstäubung
EP0596830B1 (de) Plasmaspritzgerät
DE3815006A1 (de) Vorrichtung zum herstellen von beschichtungen mit abgestufter zusammensetzung
DE2610444C2 (de) Verfahren und Einrichtung zur Beschichtung von Trägermaterialien, insbesondere durch Kathodenzerstäubung
DE1515296A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten
DE2307649B2 (de) Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat
DE4126236C2 (de) Rotierende Magnetron-Kathode und Verwendung einer rotierenden Magnetron-Kathode
WO1991019827A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substratmaterial
DE3206622C2 (de)
DE69928739T2 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf einem metallischen Gegenstand
DE3516078A1 (de) Verfahren zur glimmentladungsaktivierten reaktiven abscheidung von elektrisch leitendem material aus einer gasphase
DE1914747B2 (de) H.f.-kathodenzerstaeubungsvorrichtung
DE2951453C2 (de)
DE19505258C2 (de) Beschichtungsvorrichtung
DE10359508B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Magnetronsputtern
DE2856309A1 (de) Sputter-beschichtungsverfahren und einrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens
DE3319448A1 (de) Verfahren zur herstellung von lichtwellenleitern
DE102018114819B4 (de) Verfahren zur Beschichtung eines Substrats und Beschichtungsanlage
DE2655942C2 (de)
DE2350322C3 (de) Zerstäubungsvorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
EP1427265A2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Beschichtung auf einem Substrat
DE3408053C2 (de)
DE2027301A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bildung eines Überzugs an Gegenständen

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8339 Ceased/non-payment of the annual fee