DE2610444C2

DE2610444C2 - Verfahren und Einrichtung zur Beschichtung von Trägermaterialien, insbesondere durch Kathodenzerstäubung

Info

Publication number: DE2610444C2
Application number: DE2610444A
Authority: DE
Inventors: Herbert von Dipl.-Ing. Lexington Mass. Hartel
Original assignee: Coulter Systems Corp 01730 Bedford Mass; Coulter Systems Corp
Current assignee: STORK COLORPROOFING BOXMEER NL BV
Priority date: 1975-03-20
Filing date: 1976-03-12
Publication date: 1983-03-31
Also published as: JPS5912744B2; NL7602706A; DE2610444A1; IT1058018B; FR2304683A1; BE839598A; GB1541039A; FR2304683B1; CA1066663A; CH612998A5; JPS51139580A; US3976555A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung von Trägermaterialien, insbesondere durch Kathodenzerstäubung gemäß dem Oberbegriff des gültigen Patentanspruchs 1 und eine zu dessen Durchführung geeignete Einrichtung.

Solche Verfahren und Einrichtungen sind bereks bekannt (US-PS 37 48 253), wobei dort ein Gas übt r einen zwischen der Zerstäubungskathode und einer diese umgebenden Abschirmung liegenden Spalt in du.. Sputterkammer einströmt.

Bekannt sind auch bereits solche Kathocicnzerstau

bungsverfahren mit zugehörigen Einrichtungen, bei denen das Gas im wesentlichen ganzflächig unmittelbar aus der Oberfläche der Zerstäubungskathode austritt und infolgedessen nach allen Richtungen über die Oberfläche der Zerstäubungskalhode hinwegströmt (DE-OS 19 38 131). Bekanntlich besteht eine als Auftreffelektrode ausgebildete Kauiode aus einem Material, das durch Zerstäuben auf einen Träger aufgebracht werden soll und das im Bedarfsfall aus mehr als einem Element besteht. Wenn z. B. Cadmiumsulfid auf einen Träger aus flexiblem dünnem Polyestermaterial aufgebracht werden soll, enthält die Atmosphäre in der Zerstäubungskammer vorzugsweise Argon als Gas, das ionisiert wird und als Plasma die Atome liefert welche die Moleküle aus Cadmiumsulfid aus der Auftreffelektrode herausschlagen und zum Träger treiben. Falls die Elemente des Elektrodenmaterials in einem stöchiometrischen Verhältnis stehen, ist es theoretisch nicht notwendig, der Atmosphäre in der Zerstäubungskammer zusätzliche Stoffe zuzusetzen. Tatsächlich aber ist der Verdampfungsdruck von Schwefel kleiner als der von Cadmium. Das Material der Auftreffelektrode neigt daher dazu, sich unter Beschüß aufzuspalten und den Schwefel als erstes abzustoßen. Der Schwefel entweicht und wird von einer Vakuumpumpe, mittels derer die Zerstäubungskammer auf niedrigem Druck gehalten wird, abgesaugt.

Um den Zerfall des Materials der Auftreffelektrode zu verhindern, ist es bekannt, ein Hintergrundgas zu verwenden. Hierbei handelt es sich um Gas, das dasjenige Element enthält, welches am leichtesten aus dem Material der Auftreffelektrode entweicht. Bei einer Auftreffelektrode aus Cadmiumsulfid ist dies Schwefel. Als Hintergrundgas eignet sich in diesem Fall am besten Schwefelwasserstoff.

Es gibt bisher wenig Erfahrungen bezüglich der Verwendung von Auftreffelektroden und Trägermaterialien, deren Durchmesser größer ist als etwa 150 mm. Insbesondere Hegen für Hochfrequenz-PIasma-Beschichtung mit aus mehreren Elementen bestehenden Verbindungen keine Anhaltspunkte dafür vor, daß die Beschichtung von Trägermaterialien großer Abmessungen möglich ist. Es lassen sich die Verhältnisse im Zerstäubungsbereich nicht ohne weiteres aufrechterhalten, wenn die Oberflächen der Auftreffelektrode und die des zu beschichtenden Bereiches wesentlich vergrößert werden. Ebensowenig kann man ohne weiteres eine der Vergrößerung der Einrichtung entsprechende größere Ausbeute erwarten. Es treten vielmehr Probleme auf, die durch die Größe der Fläche bedingt sind. Das wichtigste dieser Probleme betrifft die Gleichförmigkeit der Beschichtung und die stöchiometrischen Verhältnisse.

Die Notwendigkeit, ein Hintergrundgas zu verwenden, besteht sowohl bei Beschichtungseinrichtungen mit kleinen Auftreffelektroden als auch bei solchen mit großen Elektroden. Bei kleinen Beschichtungseinrichtungen genügt jedoch das bloße Zuführen des Gases in den Zerstäubungsraum und eine entsprechende Anpassung des Druckes, um gute Ergebnisse zu erzielen. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß bei größeren Beschichtungseinrichtungen das bloße Einführen das Gases und eine Einstellung des Druckes zur Erzielung einwandfreier Ergebnisse nicht genügen. Es zeigt sich vielmehr, daß die Auftreffelektroden angegriffen werden und zerspringen, die Beschichtung nicht gleichförmig wird und die stöchiometrischen Verhältnisse nicht eingehalten werden. Wenn die Stöchiometrie beispielsweise vollkommen ist, lassen sich Eigenschaften der Beschichtung durch Wärmebehandlung nicht mehr wesentlich verbessern.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß sich auch bei großen wirksamen Oberflächen der Zerstäubungskathode eine hohe Gleichförmigkeit der Beschichtung und ihrer chemischen Zusammensetzung erzielen und die oben angesprochene Beschädigung der

ίο Zerstäubungskathode vermeiden läßt. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 beschriebenen Maßnahmen gelöst.

Dadurch wird vorteilhafterweise eine bevorzugte Strömungsrichtung des Gases erreicht; denn die unsymmetrische Gaszuführung an der bzw. an jeder Auftreffelektrode führt zu der gewünschten gerichteten Strömung über die Kathodenoberfläche hinweg. Diese Gasströmung gewährleistet einen ausreichenden Schutz des Elektrodenmaterials sowie die gewünschte Gleichförmigkeit des Niederschlages.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt im einzelnen

F i g. 1 einen sehr vereinfachten schematischen Axialschnitt durch eine Beschichtungseinrichtung der beschriebenen Art,

F i g. 2 einen schematischen Radialschnitt durch eine Beschichtungseinrichtung entsprechend der in F i g. 1 angegebenen Schnittebene 2-2 sowie in der angegebenen Blickrichtung,

Fig.3 eine vergrößerte perspektivische Ansicht einer Auftreffelektrode der Beschichtungseinrichtung nach F i g. 1 und 2, und

Fig.4 eine Teilansicht entsprechend der in Fig.3 angegebenen Schnittebene 4-4 sowie der angegebenen Blickrichtung.

Die in F i g. 1 und 2 gezeigte Beschichtungseinrichtung 10 besteht aus einem Behälter 12 aus rostfreiem Stahl oder dergleichen, der an einem geeigneten Tragrahmen mit geeigneten Mitteln, Dichtungen und dergleichen, wie bei 16 dargestellt, befestigt ist. Der Tragrahmen kann des weiteren der Aufnahme von elektrischen, mechanischen und sonstigen Einrichtungen für den Betrieb der Beschichtungseinrichtung dienen. Der Behälter 12 bildet eine Kammer 18, in der eine in üblicher Weise durch einen Wellenzapfen angetriebene Trommel vorgesehen ist, die an einem von dem Tragrahmen 14 getragenen Halterung 22 montiert so ist. Die Trommel besteht aus rostfreiem Stahl und ist so ausgebildet, daß sie in herkömmlicher Weise durch geeignete Flüssigkeiten gekühlt oder erhitzt werden kannt. Die Trommel dient als Anode des Zerstäubungssystems, das im vorliegenden Falle mit Hochfrequenz arbeitet und nicht reaktiv ist. Mit anderen Worten, in der Kammer 18 findet keine Reaktion statt, obwohl das beschriebene Verfahren und die zugehörige Einrichtung ebenso in Verbindung mit einem reaktiven Beschichtungsverfahren angewendet werden kann, fco Das Trägermaterial der Einrichtung, auf das das zerstäubte Material aufgebracht werden soll, ist im vorliegenden Falle ein längliches Band aus flexibler und transparenter Polyesterfolie, das auf einer Vorratsspule 26 aufgebracht ist und entlang der unteren Außenwand der Trommel 20 zu einer Aufnahmespule 28 geführt ist. Diese Spulen sind in üblicher Weise montiert und angetrieben, was symbolisch durch die Einrichtungen 30 und 32 angedeutet ist. Die Antriebsmittel selbst sind

nicht gezeigt und können innerhalb des Tragrahmens 14 untergebracht sein.

Der Zerstäubungsvorgang wird durch die am Boden der Kammer 18 angebrachten Auftreffelektroden 34 bewirkt. Diese Auftreffelektroden bilden die Kathoden > des Systems. Sie sind über geeignete Anschlüsse mit einer Hochfrequenzstromquelle außerhalb der Kammer 18 verbunden. Die weiteren Rohre 36 sollen die elektrischen und mechanischen Anschlüsse für die Auftreffelektroden andeuten. Zwischen den Auftreff- in elektroden 34 und dem Behälter 12 sowie der Abschirmung 38 besteht keine elektrisch leitende Verbindung. Die letzteren sind ebenfalls geerdet. Die Rohre 36 führen zu Anschlüssen 40 außerhalb des Behälters 12. Dabei sind an den Stellen, an denen die r, Anschlüsse die Kesselwand durchdringen, druckdichte Abdichtungen vorgesehen.

Die Arbeitsweise der Einrichtung 10 ist folgende: Sobald die Kammer 18 leergepumpt ist, wird in der Kammer eine Atmosphäre aus Argon hergestellt. Das Argon wird durch das Hochfrequenzfeld ionisiert, das sich zwischen den Auftreffelektroden 34 und der Trommel 20 ausbildet und die Bildung eines Plasmas im Zwischenraum 42 bewirkt. Ionen des ionisierten Argongases schlagen Moleküle aus dem Elektronenmaterial der Auftreffelektrode. Diese Moleküle überqueren den Zwischenraum 42 und schlagen sich an den gegenüberliegenden Stellen auf dem Träger 24 nieder, der an diesen Stellen die Trommel bedeckt. Der Träger wird dabei langsam durch den Zwischenraum bewegt, so daß das von den Auftreffelektroden losgeschlagene Material denselben beschichtet.

Für den Fall, daß Auftreffelektroden verwendet werden, deren Material aus einer Verbindung von mehreren Grundstoffen besteht, wird ein Hintergrundgas mit verhältnismäßig niedrigem Druck zugeführt, um zu verhindern, daß das Elektronenmaterial zersetzt wird, so daß eine gleichförmige und stöchiometrisch einwandfreie Beschichtung erzielt wird und die Auftreffelektroden selbst nicht zerstört werden.

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel sind zwei Auftreffelektroden 34 vorgesehen, von denen beide eine Oberfläche von 240 mm · 560 mm aufweisen. Beide Elektroden sind im Abstand von 150 bis 200 mm voneinander am Umfang der Trommel 20 angeordnet. Die axiale Länge der Trommel 20 beträgt 540 mm und das Trägermaterial 24 hat eine Dicke von ungefähr 0.127 mm und eine Breite von 500 mm. Der Zwischenraum 42 hat eine Höhe von 4 bis 5 cm und der Trommeldurchmesser beträgt ungefähr 500 mm. Während des Zcrstäubungsvorganges herrscht in dem Behälter ein Druck zwischen 10 und 20 Millitorr, in der Regel einer von 10 Millitorr. Das Elektrodenmaterial besteht aus sehr reinem Cadmiumsulfid (CdS), das in mehrere rechteckige kleine Stücke gepreßt und gesintert ist. Diese Stücke sind mosaikförmig auf einer Basispiatte aus Kupfer angebracht, die durch einen Nickelüberzug gegen Korrosion geschützt ist. Auch Basisplatten aus rostfreiem Stahl sind bereits verwendet worden, diese lassen sich aber schlechter kühlen. to

Auf die Darstellung der mit Wasser betriebenen Kühleinrichtungen für die Auftreffelektroden und Abschirmungen sowie der mit erhitztem Öl betriebenen Heizschlangen für die Trommel wurde verzichtet.

Das aus reinem Schwefelwasserstoff (H2S) bestehen- hi de Hintergrundgas wird der Kammer mit Argongas im Verhältnis von 15,7 Anteilen Argon zu einem Antei! Schwefelwasserstoff gemischt zugeführt. Der Schwefelwasserstoffanteil an dem Gemisch beträgt somit ungefähr 6%. Dieses Gemisch kann vorgemischt in einzelnen druckdichten Behältern von Handelsfirmen bezogen werden. Zweck des Schwefelwasserstoffes ist es, den Abbau des Cadmiumsulfids zu verhindern, so daß es sich in stöchiometrisch einwandfreier molekularer Bindung niederschlägt. Der Gasdruck in der Kammer wird in der Regel bei 9,5 bis 10 Millitorr gehalten, obwohl gelegentlich ein Ansteigen des Gasdruckes bis zu 20 Millitorr vorkommen kann.

Weitere Einzelheiten seien nachfolgend anhand der F i g. 3 und 4 beschrieben, die eine der Auftreffelektroden 34 und die zugehörige Abschirmung 38 zeigen. Die Auftreffelektrode 34 ist aus Mosaikteilchen aus Cadmiumsulfid zusammengesetzt, die auf eine aus mit Nickel überzogenem Kupfer bestehende Basisplatte 44 aufzementiert sind. Diese Basisplatte ist auf einer Halterung 46 montiert, die durch das Rohr 36 hindurchführt. Die Auftreffelektrode 34 und die dazugehörige Basisplatte 44 sind so isoliert, daß keine elektrisch leitende Verbindung zu der übrigen Einrichtung besteht. Die Halterung 46 schließt gleichzeitig den elektrischen Anschluß für die benötigte Hochfrequenzversorgung ein. Die Abschirmung 38 ist kastenförmig ausgebildet und besteht aus Kupfer oder einem anderen gut wärmeleitenden Material, das gegen Korrosion oder Verschmutzung in geeigneter Weise überzogen ist. Die Abschirmung wird von dem Rohr 36 getragen und ist geerdet. Die Seitenwände 48, 50, 52 und 54 dieser Abschirmung enden mit ihrer Längskante alle in einer Ebene mit Abstand von den Außenkanten der Auftreffelektrode 34, so daß ein Ringspalt 56 um die Auftreffelektrode herum gebildet wird. Diese Abschirmung 38 verhindert, daß sich zerstäubtes Elektrodenmaterial an den Seiten und auf der Rückseite der Auftreffelektrode niederschlägt. Der Spalt 56 ist entsprechend eng dimensioniert.

Die Rückseite der Auftreffelektrode ist ebenfalls durch das Teil 58 abgeschirmt, so daß auch die Rückseite der Basisplatte 44 geschützt ist.

Wie der Zeichnung weiterhin zu entnehmen ist, bildet die Abschirmung 38 eine Art Abdeckhaube mit einem eingeschlossenen Raum 60. Gemäß dem beschriebenen Verfahren wird das Hintergrundgas — im vorliegenden Falle Schwefelwasserstoff — und das beigemischte Argongas zusammen in diesen eingeschlossenen Raum 60 eingeleitet, von wo es dann durch den Spalt 56 abströmt. Dies bewirkt, daß die Gase unmittelbar und zum frühestmöglichen Zeitpunkt mit der Zerstäuberoberfläche der Auftreffelektrode in Berührung kommen, so daß der Schwefelwasserstoff eine Aufspaltung des Elektrodenmaterials und der austretenden Moleküle überaus wirkungsvoll verhindert.

Eine bevorzugte Möglichkeit, die Gase in den eingeschlossenen Raum 60 einzuleiten, besteht darin, daß die Gasrohrleitung 62 von außerhalb des Behälters 12 durch eine gasdichte Fassung 64 zu einer Fassung 65 an einer der Kopfseiten 50 der Abschirmung 38 und dann durch diese hindurchgeführt ist. Im Inneren des eingeschlossenen Raumes 60 ist ein langgestrecktes Rohr 66 vorgesehen, das entlang seiner Oberseite perforiert ist, wie 68 zeigt, und das an seinem zweiten Ende mit einer Kappe abgeschlossen ist. Auf diese Weise wirkt das Rohr 66 wie ein Verteilerrohr. Diesem zugeführtes G.-s kann in den eingeschlossenen Raum 60 einströmen und in überwiegendem Maße durch den Spalt 56 entlang der einen Längsseite 48 der Abschirmung 38 ausströmen, so daß es unmittelbar über

die Zerstäuberoberfläche der Auftreffelektrode 34 geleitet wird.

Es sei angemerkt, daß zu diesem Zeitpunkt die Trommel 20 und der Träger 24 gerade einen kurzen Abstand zu der Zerstäuberoberfläche der Auftreffelektrode einnehmen, so daß die Gase zwangsläufig den durch die in Fig. 3 und 4 eingezeichneten Pfeile vorgeschriebenen Weg einnehmen. Natürlich wird etwas Gas an der Oberfläche der Auftreffelektrode vorbeiströmen, jedoch ist der über die Oberfläche der Auftreffelektrode hinwegströmende Anteil des Gases wirksam genug, um einen bei weitem ausreichenden Schutz des Elektrodenmaterials und die gewünschte Gleichförmigkeit des Niederschlages zu gewährleisten. Ohne das beschriebene Verfahren wäre es sehr schwierig, das Elektrodenmaterial vor einem Zerfall zu schützen und eine ausreichend gleichförmige Beschichtung zu ermöglichen.

Wie aus Fig. 2 zu ersehen ist, ist bei beiden

Auftreffelektroden das Verteilerrohr 66 jeweils an der rechten Seite angeordnet. Die Neigung eines Teils des der linken Auftreffelektrode zugeführten Gases, sich von dieser Elektrode nach rechts weg zu bewegen, s bedeutet keinen unerwünschten Effekt, da es sich zu der rechten Auftreffelektroden hin bewegt.

Das beschriebene Verfahren ist nicht nur in Hinblick auf Einrichtungen mit nichtreaktivem Prozeßablauf anwendbar, sondern auch in Verbindung mit allen anderen Einrichtungen von Wert, bei denen es von Bedeutung ist, daß ein zugeführtes Gas so nah wie möglich an der Oberfläche der Auftreffelektrode reagiert. Es sei weiterhin angemerkt, daß die Anordnung des Verteilerrohres 6 innerhalb der Abschirmung

i) es zuläßt, daß das Gas in unmittelbarer Nähe der Auftreffelektrode freigesetzt werden kann, ohne daß sich Elektrodenmaterial auf dem Verteilerrohr niederschlägt. Das Verteilerrohr selDst und seine Austrittslöcher bleiben auf diese Weise sauber.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

1 Patentansprüche:

1. Verfahren zur Beschichtung von Trägermaterialien, insbesondere durch Kathodenzerstäubung, unter Verwendung einer Auftreffelektrode, die von einer Abschirmung mit vorgegebenem Abstand umgeben ist, so daß zwischen dem äußeren Rand der Auftreffelektrode und der Abschirmung ein Spalt besteht, und unter Verwendung von Gas, das der die Auftreffelektrode umgebenden Atmosphäre zügeführt wird, wobei das Gas auf der Rückseite der Auftreffelektrode zwischen dieser und der Abschirmung eingeleitet wird, so daß es durch den Spalt zwischen Abschirmung und Außenrand der Auftreffelektrode austritt, dadurch gekennzeich-i5 nat, daß das Gas im wesentlichen nur an einer Seitenkante der Auftreffelektrode (34) aus dem Spalt (56) zwischen der.", äußeren Rand der Auftreffelektrode (34) und der Abschirmung (38) ausströmt und während des Betriebes unmittelbar nach Verlassen dieses Spaltes (56) in einem Spaltraum (42) zwischen Auftreffelektrode (34) und Trägermaterial (24) über die Oberfläche der Auftreffelektrode <34) hin im wesentlichen nur in einer Richtung strömt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas aus dem Spalt (56) entlang der Auftreffelektrode (34) gleichzeitig und im wesentlichen über die volle Länge austritt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere gleichartig aufgebaute Auftreffelektroden (34) verwendet werden und daß das Gas bei jeder Auftreffelektrode (34) von derselben Seite her die Oberfläche der Auftreffelektrode (34) überströmt. J5

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas entlang der einen Seitenkante der Auftreffelektrode (34) an einer Vielzahl von gleichmäßig verteilten Stellen austritt.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas die Auflreffelektrode (34) in Querrichtung von einer Seitenkante aus überströmt.

6. Verfahren nach sinem der Ansprüche 1 bis 5. dadurch gekennzeichnet, daß ein Hintergrundgas in der Weise zugeführt wird, daß es gleichfalls entlang einer Seitenkante der Auftreffelektrode (34) austritt und gleichförmig quer über die Zerstäubungsoberfläche hinwegströmt.

7. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bestehend aus einem Behälter mit einer Auftreffeleklrode, einer Anode und einer Vorrichtung für die Zuführung des Gases über eine Rohrleitung von außerhalb des Behälters, bei der die Auftreffelektrode an ihren Seitenflächen und der Rückseite von einer Abschirmung umgeben ist, so daß eine Seite als Zerstäubungsoberfläche ".ngeschirmt ist, wobei zwischen den Kanten der Abschirmung und der Auftreffelektrode ein Spalt und auf der Rückseite der Auftreffelektrode ein eingeschlossener Raum besteht, der über den Spalt mit der Behälterkammer in Verbindung steht, bei der des weiteren die Anode mit Abstand parallel zur Oberfläche der Auftreffelek- t> > trode angeordnet ist und den Zerstäubungsspah bildet, und bei der eine Rohrleitung die Behälterwand durchdringt und in geeigneter Weise mit der Gasquelle außerhalb des Behälters verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohrleitung (62) an der Abschirmung (38) befestigt ist und in den eingeschlossenen Raum (60) an der Rückseite der Auftreff elektrode (34) mündet, so daß das zugeführte Gas, bevor es in die Behälterkammer (18) gelangt, erst in den eingeschlossenen Raum (60) und von dort über wenigstens einen Teil des Spalts (56) in den Zerstäubungsraum (42) an der Oberfläche der Auftreffelektrode gelangt und diese im wesentlichen in Querrichtung gleichförmig überströmt.

8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohrleitung (62) ein längliches, perforiertes Verteilerrohr (66) umfaßt, das in dem eingeschlossenen Raum (60) angeordnet ist und sich in Längsrichtung der Auftreffelektrode (34) erstreckt, wobei die Austrittslöcher (68) des Verteilerrohres (66) in den Spalt (56) gerichtet sind.

9. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Auftreffelektrode (34) und die Wände der Abschirmung (38) zueinander planparaflele Oberflächen aufweisen, die den eingeschlossenen Raum (60) bilden, daß die Rohrleitung (62) in ein längliches Verteilerrohr (66) übergeht, daß in dem eingeschlossenen Raum (60) in der Nähe einer der Seiten der Auftreffelektrode (34) angeordnet ist und wenigstens eine Reihe von Austrit'siöchern (68) in Längsrichtung aufweist, die in den Spalt (56) gerichtet sind.

10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei Auftreffelektroden (34) vorgesehen sind, von denen jede von einer Abschirmung (38) umgeben ist, so daß ein die Zerstäubungsoberfläche der Auftreffelektrode jeweils ringförmig umgebender Spalt (56) gebildet wird, daß an jeder Abschirmung (38) eine Rohrleitung (62) für die Gaszufuhr angeschlossen ist. die eine als perforiertes Verteilerrohr (66) ausgebildete Verlängerung aufweist, die entlang jeweils nur einer Seitenkante der Auftreffelektrode (34) angeordnet ist, wobei jedes Verteilerrohr (66) die Zufuhr von Gas aus der Rohrleitung (62) zu der Zerstäubungsoberfläche der zugehörigen Auftreffelektrode (34) ermöglicht.

11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Verteilerrohre (66) jeweils auf derselben Seite der zugehörigen Auftreffelektrode (34) angebracht sind.

12. Einrichtung nach Anspruch 10. dadurch gekennzeichnet, daß die Austrittslöcher (68) der Verteilerrohre (66) so angebracht sind, daß sie in den Spalt (56) zwischen der Aultreffelektrode (34) und der Abschirmung (38) gerichtet sind.