DE2307649B2 - Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat - Google Patents

Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat

Info

Publication number
DE2307649B2
DE2307649B2 DE2307649A DE2307649A DE2307649B2 DE 2307649 B2 DE2307649 B2 DE 2307649B2 DE 2307649 A DE2307649 A DE 2307649A DE 2307649 A DE2307649 A DE 2307649A DE 2307649 B2 DE2307649 B2 DE 2307649B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cathode
materials
arrangement according
shielding means
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE2307649A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2307649A1 (de
Inventor
Helmut Adam
Hans Lutz
Gert Dipl.-Phys. Dr. 7253 Renningen Siegle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE2307649A priority Critical patent/DE2307649B2/de
Priority to FR7344510A priority patent/FR2218402B1/fr
Priority to CH33974A priority patent/CH564096A5/xx
Priority to US05/438,792 priority patent/US3985635A/en
Priority to IT20292/74A priority patent/IT1007287B/it
Priority to DD176548A priority patent/DD109670A5/xx
Priority to JP49018410A priority patent/JPS49114585A/ja
Priority to GB692774A priority patent/GB1465745A/en
Publication of DE2307649A1 publication Critical patent/DE2307649A1/de
Publication of DE2307649B2 publication Critical patent/DE2307649B2/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3464Sputtering using more than one target
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Description

55
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat, bei der in einem Zerstäubungsger'äß eine einzige Glimmentladung angeregt ist und bei der Trennbleche als elektrisch leitfähige Abschirmmittel vorgesehen sind, wobei die Materialien gleichzeitig in der Glimmentladung zerstäubt werden.
Solche Anordnungen sind bereits bekannt (US-PS 24 019). Dort wird mittels Hilfselektroden eine Glimmentladung aufrechterhalten und dort werden mittels separater Spannungssteuerungen an verschiedenen Teilelektroden die zu zerstäubenden Materialien abgestäubt. Hierdurch ergibt sich bei der bekannten Anordnung eine Legierungsbildung auf den Substraten, deren Bestandteile aus den verschiedenen Kathodenmaterialien bestehen.
Üblicherweise werden durch Zerstäubung in einer Glimmentladung nur dünne Schichten aus einem einzigen Material hergestellt Will man Schichten aus mehreren verschiedenen Substanzen oder Legierungen aus den einzelnen Bestandteilen durch Zerstäubung entsprechender Kathodenmaterialien in einem Vakuumkessel erzeugen, so kann eine gegenseitige Bestäubung der verschiedenen Kathoden auftreten, unabhängig davon, ob alle oder nur eine der Kathoden an Spannung liegen und somit zerstäubt werden. Dadurch verändern sich bereits nach wenigen Minuten bis Stunden die Oberflächen der Kathoden so, daß sich die Abstäubraten und damit bei konstant gehaltenen Zerstäubungsparametern wie Gasdruck, Kathodenspannung und Bestäubungszeit die Eigenschaften der erzeugten Schichten auf Substraten in der Nähe der Kathoden ändern.
Unter den bekannten Anordnungen zur Zerstäubung verschiedener Materialien befinden sich sowohl solche mit mehreren getrennten Kathoden als auch solche mit einer gemeinsamen Kathode, auf der die verschiedenen Materialien nebeneinander angeordnet sind. Beim Zerstäuben der verschiedenen Materialien nimmt man bei der zuletzt geschilderten, gemeinsamen Kathode, insbesondere bei Versuchsanordnungen, eine Reihe von Nachteilen in Kauf, wenn auch ohne Substratbewegung eine einheitliche Legierungsschicht entsteht. Zu diesen Nachteilen zählen insbesondere die Bildung von Kegeln auf dem leichter zu zerstäubenden Material und die Erhöhung der Stromdichte an der schlechter zu zerstäubenden Kathode auf Kosten der ersteren. Die Kegelbildung tritt dadurch auf, daß Partikel des schwerer zu zerstäubenden Materials sich auf dem leichter zu zerstäubenden Material ablagern und dessen Zerstäubung behindern. Die Schichtzusammensetzung ändert sich dadurch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Anordnung der eingangs genannten Art eine gegenseitige Bestäubung der Kathoden untereinander zu vermeiden. Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß zur Erzeugung aufeinanderfolgender Schichten aus den verschiedenen Kathodenmatcrialicn im Bereich zwischen den bewegten Substraten und den Grenzlinien der als Kathode geschalteten, zu zerstäubenden Materialien Trennbleche angeordnet sind, welche gleichzeitig elektrisch leitfähige Abschirmmittel an der Kathode bilden.
Dadurch kann vorteilhafterweise mit einer kompakten Apparatur ohne gegenseitige Beeinflussung, d. h. insbesondere ohne gegenseitige Bestäubung und verschiedenen Kathodenbereiche, eine gewünschte Schichtenfolge auf vorbeigeführte Substrate aufgestäubt werden kann. Die Anordnung erlaubt mit minimalem Aufwand eine kontinuierliche Arbeitsweise auf engstem Raum.
Im folgenden sind Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine schematische Abbildung einer Zerstäubungsanordnung für kontinuierlichen Betrieb,
Fig. 2a—c schematische Abbildungen einer Mehrfachkathode mit unterschiedlich gestalteten Trennblechen,
Fig. 3 eine schematisierte Seitenansicht einer Zerstäubungsanordnung mit einem Trennbleeh und
K i g. 4 eine Zerstäubungsanordnung mit zwei ge-
«.rennten Kathoden mit einer gemeinsamen Abschirmung und einem Trennblech.
Die Abbildung zeigt ein Zerstäubungsgeiäß 10 mit einer Grundplatte 11 und einer Haube 12. In der Grundplatte ist ein Auslaß 13 zum Anschluß einer nicht dargestellten Pumpe vorgesehen. In der Haube sitzt ein mit einem Einlaßventil 31 versehenes Rohr zum Einlassen des Zerstäubungsgases, vorliegenden Fall Argon.
Weiterhin ist in der Haube 12 ein Isolator 14 befestigt, durch den eine Zuführung IS in das Innere des Zerstäubungsgefäßes 10 hindurchgeführt ist. An die Zuführung 15 ist eine Leitung 16 angeschlossen, welche zu einem Gleichspannungs- oder Hochfrequenzgenerator 17 führt.
An den Isolator 14 schließt sich eine Abschirmung 18 an, in deren Hals 19 die Zuführung 15 mittels eines Isolierstückes 20 zentriert ist. Die Abschü/mung 18 überdeckt die Rückseite und die seitliche Stirnfläche einer Kathodengrundplatte 21, welche mit der Zuführung 15 elektrisch und mechanisch verbunden ist und auf deren von der Zuführung 15 abgekehrten Vorderseite die verschiedenen, zu verdampfenden Materialien beispielsweise durch nicht dargestellte Schrauben befestigt sind. Die verschiedenen Materialien sind mit 22,23 und 24 bezeichnet. Im Ausführungsbeispiel st das Material 22 Kupfer. Die Abschirmung 18 liegt an Masse. Die Kathodengrundplatte 21 mit den darauf befestigten Materialien 22, 23 und 24 bilden eine gemeinsame Kathode 25.
Die zu bedampfenden Substrate sind mit 26 bezeichnet und sitzen auf einem Substratträger 27, welcher beim Ausführungsbeispiel in der durch einen Pfeil 28 bezeichneten Richtung bewegbar ist. Die Substrate 26 liegen über den Substratträger 27 an Masse.
Zwischen der Substratebene und der Kathode 25 sind entlang der Grenzlinie zwischen den verschiedenen Materialien 22, 23, 24 Abschirmmittel angeordnet, welche als doppelwandige Trcnnbleche 29 ausgebildet und ebenfalls geerdet sind. Die Trennbleche bestehen aus einem schwer verdampfbaren Material, vorzugsweise aus Edelstahl, und reichen sehr dicht bis auf wenige Millimeter an die Oberfläche der Kathode 25 heran. Im Ausführungsbeispiel übergreifen die Trennbleche 29 die Substrate U-förmig und sind in den Punkten 30 mechanisch befestigt. Sie liegen elektrisch auf Erdpotential oder auf einer gegenüber den Substraten nicht mehr als ± 50 V abweichenden Spannung.
Bei der beschriebenen Zerstäubungs-Anordnung sind also die verschiedenen Kathodenmaterialien nicht als getrennte voneinander elektrisch isolierte Kathoden mit getrennter Abschirmung und Stromzuführung angeordnet, sondern nebeneinander — beispielsweise durch Aufschrauben auf den Substratträger 27 — zusammengefaßt zu einer einzigen großen Kathode, welche wiederum unter einer einzigen Abschirmung 18 angeordnet ist. Die gegenseitige Bestäubung der verschiedenen Kathodenteile wird durch die vorzugsweise auf Erdpotential liegenden Trennbleche 29 soweit reduziert, daß Bestäubungszeiten bis zu mehreren 100 Stunden ohne Änderung der relativen Dicken aufeinanderfolgender Schichten beim einmaligen Vorbeiführen des Substrats 26 um mehr als typial 10% möglich werden. Durch die doppelwandige Ausführung der Trennbleche 29, wird die noch verbleibende gegenseitige Bestäubung der einzelnen Kathodenteile gegenüber Anordnungen mit einfachen Trennblechen noch weiter verringert
Die Bildung von Kegeln auf dem leichter zu zerstäubenden Material — im Ausführungsbeispiel Kupfer — und die Erhöhung der Stromdichte an dem schlechter zu zerstäubenden Kathodenmaterial — im Ausführungsbeispiel Eisen — auf Kosten des ersteren Materials wird durch die beschriebene Anordnung soweit verlangsamt, daß die zuvor genannten Zerstäubungszeiten möglich werden. Ohne Trennwände hingegen verringert sich bei einer Cu-Fe-Kathode die Schichtzusammensetzung bereits nach etwa 10 Stunden derart, daß die Abstäubrate des Cu um den Faktor 2 in einer Gleichstromentladung mit zwei 10 χ 10 cm2 großen Cu- und Fe-Flächen vergrößert werden kann.
ι > Die beschriebene Anordnung kann verwendet werden für Zerstäubungsanlagen vom sogenannten Diodenoder Trioden- bzw. Tetrodentyp bei Gleich- oder Wechselspannungsentladungen.
Es ist bekannt, daß Kathoden in Gasentladungsröhren durch den intensiven lonenbeschuß zerstäuben und daß sich das abgestäubte Material als dünne Schicht in der Nähe der Kathode niederschlägt. Aus dieser bekannten Tatsache ergab sich die Möglichkeit, durch Kathodenzerstäubung dünne Schichten auch in technischem
>> Umfang herzustellen. Der industrielle Einsatz der Kathodenzerstäubung erfolgt vor allem zur Herstellung elektrischer Widerstände aus dünnen, metallisch leitenden Schichten sowie von Isolier- und Passivierungsschichten auf Halbleiter-Bauelementen. Die Zahl der
«ι Anwendungsfälle steigt laufend, wobei Schichten aus nahezu allen Substanzen — Metalle". Isolatoren, Halbleitern, Legierungen, Gemischen von Metallen und Isolatoren, ferroelektrischen und sogar einigen hochpolymeren Materialien — in hoher Reinheit, Dichte und
i> Haftfestigkeit erzeugt werden können. Im Ausführungsbeispiel ist nur die Zerstäubung von Metallen in einer sogenannten Dioden-Anlage hergestellt.
Die Diode stellt die einfachste Anordnung zur Herstellung dünner Schichten durch Kathodenzerstäu-
w bung dar. Hierbei wird in dem Zerstäubungsgefäß 10 dem zu metallisierenden Teil, dem sogenannten Substrat 26 in einigen 7entimeter Abstand eine Platte aus dem Material oder den Materialien 22 bis 24 gegenübergestellt, woraus die Schicht bestehen soll. Diese Platte, die
4r> Kathode 25, wird später durch Anlegen einer gegen die übrige Apparatur und das Substrat 26 negativen Spannung von einigen kV, in der Regel etwa 3 bis 8 kV, als Kathode geschaltet. Zuvor wird die Apparatur zunächst auf wenigstens 10-4Torr evakuiert. Anschlie-
r>o ßend wird über ein Regelventil 31 ein Gas, vorzugsweise Argon, bis zu einem Druck von etwa 10-2Torr zugelassen und durch das Einschalten der Kathodenspannung eine Glimmentladung gezündet. Bei dem üblicherweise verwendeten Argon leuchtet die Entla-
v, dung intensiv violett. Die Entladungsgrenze ist in der Abbildung gestrichelt angedeutet, der Raum der Glimmentladung ist dünn schraffiert. Die gestrichelte Linie stellt die Dunkelraumgrenze dar. Druck und Abstand zwischen der Kathode 25 und den Substraten
M) 26 sind so gewählt, daß die Dunkelraumgrenze vor den Substraten liegt. Die Zerstäubungsrate entspricht dem Verlauf der Dunkelrauingrenze, d. h. in der Mitte der einzelnen, durch die Trennbleche 29 abgeteilten Kathoden-Teilflächen ist die Zerstäubung der Katho-
>r> denmaterialien am größten, an den Rändern der Kathode und im Bereich der Trennbleche 29 ist die Zerstäubung ungefähr 0.
Um die Zerstäubung der Kathode 25 aut die den
Substraten 26 zugekehrte Seite zu begrenzen, ist die andere Seite der Kathode 25 mit einer geerdeten Abschirmung 18 umgeben, die in einem Abstand angebracht ist, der kleiner als der Dunkelraumabstand ist. Dadurch kann sich zwischen der Kathode 25 und der r, Abschirmung 18 kein Plasma ausbilden; lonenstrom und Zerstäubung sind in diesen Bereichen deshalb nicht möglich.
Da bei einer bestimmten Kombination von Kathodenmaterial und Zerstäubungsionen die Zerstäubungs- ι ο rate von der Kathodentemperatur in gewissen Grenzen unabhängig ist, kann man die Kathode 25 auch ohne wesentlichen Verlust an Niederschlagsrate kühlen.
Die bekannten Anordnungen zur Kathodenzerstäubung arbeiten entweder mit selbständiger oder unselbständiger Entladung.
Im ersten Fall ist das Produkt aus Gasdruck und Abstand Kathode-Anode so groß, daß sich ein Plasma ausbilden kann. Da im einfachsten Fall Kathode und Anode zum Aufbau ausreichen, spricht man auch von der Diodenanordnung, wie sie in der Abbildung dargestellt ist. Im zweiten Fall ist das Produkt aus Gasdruck und Abstand zwischen Kathode und Anode wesentlich kleiner, so daß keine selbständige Entladung entstehen kann und daß Zerstäubungsgas künstlich >■> ionisiert werden muß. Dazu läßt man einen zusätzlichen Elektronenstrom von einer Glühkathode durch das Gas zu einer Hilfsanode fließen. Das zu zerstäubende Material wird wieder an ein gegenüber der restlichen Apparatur negatives Potential gelegt. Die zur Kathode jo hin beschleunigten Ionen zerstäuben diese, und die freigesetzten Atome kondensieren auf dem Substrat. Wegen der zusätzlichen Elektroden, der Glühkathode und der Hilfsanode, bezeichnet man diese Anordnungen auch als Trioden oder Tetroden. Die beschriebene Ji Anordnung ist auch dort verwendbar. Dioden werden bevorzugt eingesetzt bei der Herstellung von Schichten aus Metallen, Legierungen, Nitriden und Oxiden, Trioden dagegen bei der Herstellung von Schichten aus Halbleitern, Supraleitern oder auch Metallen und Legierungen. Bei gleichen Abständen Kathode-Substrat benötigt die Diode einen um ein bis zwei Größenordnungen höheren Gasdruck als die Triode. In die mit Triodenanordnungen hergestellten Schichten ist daher weniger Gas eingebaut, sie werden folglich dichter und reiner als Schichten aus Diodenanlagen. Umgekehrt bieten die Stöße der abgestäubten Atome in dem Zerstäubungsgas bei der Diode die Möglichkeit reaktiver Aufstäubungen, d. h. Abscheiden von Oxiden, Nitriden und Karbiden trotz metallischer Kathoden.
Die Anordnung kann sowohl eine mit Gleichspannung wie auch mit hochfrequenter Wechselspannung beaufschlagte Kathode enthalten. Für den industriellen Einsatz von Kathodenzerstäubungsanordnungen wird vorzugsweise die Diodenanordnung gewählt wegen des einfachen, wenig störanfälligen Aufbaus und der guten Gleichmäßigkeit der Schichtdicken auch über größere Flächen hinweg.
An den Rändern der Kathode 25, bzw. der Teilkathoden, oder an den Rändern der Substrate 26 ändern sich Dichte, Impedanz und Ausdehnung des Plasmas, weshalb dort nicht die gleiche Ab- bzw. Aufstäubrate besteht wie im Zentrum der einzelnen Kathoden-Teilflächen oder Substratflächen. Macht man jedoch die Kathoden größer als die Substrate oder bewegt man die Substrate unter den Kathoden hinweg, so wird man von Randeffekten der Kathode bzw. der Kathodenabschnitte unabhängig.
Durch die Trennbleche 29 verhindert man die Kegelbildung auf den leichter zu zerstäubenden Materialien der Kathode 25, im Ausführungsbeispiel dem Kupfer in den Kathodenbereichen 22 und 24. Beim Abstäuben wird ein Teil der Atome an Gasatomen gestreut und kann dadurch zur Kathode zurückkehren. Bei einer Kathode aus zwei oder mehr verschiedenen Metallen erreichen dabei Atome des einen Metalls auch Kathodenteile mit dem anderen Metall und umgekehrt. Zerstäubt das eine Metall wesentlich leichter als das andere, können sich nach längerer Abstäubung Inseln aus dem schwerer zerstäubbaren Metall auf dem leichter zerstäubbaren Metall bilden, die dort das Zerstäuben des Metalls verhindern. Auf den Spitzen der sich so bildenden Kegeln ist das schwer zerstäubbare Metall chemisch leicht nachweisbar, bei geeigneter Färbung ist es manchmal auch im Mikroskop sichtbar.
Die Hauptvorteile der beschriebenen Anordnung liegen darin, daß der Aufbau der Anordnung sehr einfach und die Baulänge der Apparatur gegenüber Anlagen mit getrennter Anordnung der Kathoden für verschiedene Materialien um 20% verkürzt sind, bei der besonders vorteilhaften Ausgestaltung mit einer gemeinsamen Kathode weiterhin darin, daß Kühlung, Stromzufuhr, Halterung und Abschirmung nur für eine Kathode nötig sind.
Auch wenn im Bereich der Trennwände 29 die Kathode 25 dort nicht zerstäubt, wo die Trennwände der Kathode nahe kommen, erreicht man dennoch eine Verkürzung der Anordnung.
F i g. 2 zeigt drei unterschiedliche Ausgestaltungen der Trennbleche an den Grenzen der verschiedenen, zu zerstäubenden Kathodenmaterialien. In Fig.2a ist ein ebenes, normales Abschirmblech angedeutet, in F i g. 2b ist eine labyrinthartige Ausgestaltung eines Abschirmbleches dargestellt, welches sich in der Praxis besonders bewährt hat, und Fig. 2c zeigt ein T-förmiges Abschirmblech. Letzteres verringert die gegenseitige Bestäubung ebenfalls sehr effektiv.
F i g. 3 zeigt eine schematisierte Seitenansicht einer Zerstäubungsanordnung, worin die Form eines das Substrat U-förmig umgreifenden Trennbleches deutlich erkennbar ist.
Fig.4 zeigt eine Zerstäubungsanordnung mit zwei getrennten Kr.thoden mit einer gemeinsamen Abschirmung und einem Trennblech 29, welches zwischen den beiden Kathoden 25a und 256 hindurchreicht und an die Kathoden-Abschirmung 18 anstößt. Das Trennblech 29 kann auch einen geringen Abstand von weniger als 5 mm von der gemeinsamen Kathodenabschirmung 18 haben, wie vorher bereits ausgeführt ist.
Neben den dargestellten Ausführungsformen können die Zerstäubungsanordnungen auch mit kreisförmigen Kathoden ausgerüstet sein und — insbesondere bei der kreisförmigen Ausgestaltung der Kathoden, können die Substrate unter der oder den Kathoden im Kreis herumgeführt werden.
Soll eine Legierungsbildung zwischen den nach der Beschreibung erzeugten Schichten erreicht werden, so läßt man entweder die Schichten rasch und häufig die Bereiche unter den verschiedenen Kathodenmaterialien passieren oder man läßt die Abschirmungen einige Millimeter bis Zentimeter über den Substraten enden. Die verschiedenen Materialien werden dort dann ineinanderstäuben und eine Legierung oder ein Gemenge bilden.
HieTZU 2 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentensprüche:
1. Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat, bei der in einem Zerstäubungsgefäß eine einzige Glimmentladung angeregt ist und bei der Trennbleche als elektrisch leitfähige Abschirmmittel vorgesehen sind, wobei die Materialien gleichzeitig in der Glimmentladung zerstäubt werden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung aufeinanderfolgender Schichten aus den verschiedenen Kathodenmaterialien im Bereich zwischen den bewegten Substraten (26, 2) und den Grenzlinien der als Kathode geschalteten, zu zerstäubenden Materialien (22, 23, 24) Trennbleche (29) angeordnet sind, welche gleichzeitig elektrisch leitfähige Abschirmmittel (29) an der Kathode (25) bilden.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäubung mittels einer gemeinsamen Kathode (25) erfolgt, die aus den verschiede- nen Materialien zusammengesetzt ist
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zu zerstäubenden Materialien (22,23,24) unter einer gemeinsamen, elektrisch leitfähigen und auf Erdpotential befindlichen Abschirmung (18) angeordnet sind.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zu zerstäubenden Materialien (22, 23, 24) auf einer gemeinsamen, elektrisch leitfähigen Kathodengrundplatte (21) to befestigt sind, welche beim Aufbringen von neuem, zu zerstäubenden Kathodenmaterial nicht oder nur in größeren Zeitabständen ausgewechselt wird.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmmittel ιΓ> (29) aus einem schwer verdampfbaren Material, vorzugsweise aus Edelstahl, bestehen.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Abschirmmittel (29) sehr dicht, vorzugsweise bis auf wenige Millimeter, an die Oberfläche der Kathode (25) heranreichen.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche I bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmmittel mit der Kathodenabschirmung mechanisch und/oder elektrisch verbunden sind.
8. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Abschirmmittel (29) zwischen wenigstens zwei Kathoden hindurchreicht bis kurz vor oder bis zur Kathoden-Abschirmung
DE2307649A 1973-02-16 1973-02-16 Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat Ceased DE2307649B2 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2307649A DE2307649B2 (de) 1973-02-16 1973-02-16 Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat
FR7344510A FR2218402B1 (de) 1973-02-16 1973-12-13
CH33974A CH564096A5 (de) 1973-02-16 1974-01-11
US05/438,792 US3985635A (en) 1973-02-16 1974-02-01 Apparatus for concurrently sputtering different materials
IT20292/74A IT1007287B (it) 1973-02-16 1974-02-08 Disposizione per polverizzare materiali diversi
DD176548A DD109670A5 (de) 1973-02-16 1974-02-14
JP49018410A JPS49114585A (de) 1973-02-16 1974-02-15
GB692774A GB1465745A (en) 1973-02-16 1974-02-15 Sputtering apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2307649A DE2307649B2 (de) 1973-02-16 1973-02-16 Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2307649A1 DE2307649A1 (de) 1974-08-29
DE2307649B2 true DE2307649B2 (de) 1980-07-31

Family

ID=5872099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2307649A Ceased DE2307649B2 (de) 1973-02-16 1973-02-16 Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3985635A (de)
JP (1) JPS49114585A (de)
CH (1) CH564096A5 (de)
DD (1) DD109670A5 (de)
DE (1) DE2307649B2 (de)
FR (1) FR2218402B1 (de)
GB (1) GB1465745A (de)
IT (1) IT1007287B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3248121A1 (de) * 1982-12-24 1984-06-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Hochleistungs-katodenanordnung fuer die erzeugung von mehrfachschichten
DE3710497A1 (de) * 1987-03-30 1988-10-20 Tzn Forschung & Entwicklung Verfahren und vorrichtung zur herstellung von duennen, aus mehreren elementaren komponenten bestehenden filmen

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4060471A (en) * 1975-05-19 1977-11-29 Rca Corporation Composite sputtering method
JPS6040507B2 (ja) * 1978-07-08 1985-09-11 テルマク・アンラ−ゲンバウ・アクチエンゲゼルシャフト 誘電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層させる方法およびこの方法を実施するための装置
US4239611A (en) * 1979-06-11 1980-12-16 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering devices
WO1982002906A1 (en) * 1981-02-23 1982-09-02 Leonid Pavlovich Sablev Consumable cathode for electric-arc evaporator of metal
FR2504116A1 (fr) * 1981-04-15 1982-10-22 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention de couches de verres luminescents, application a la realisation de dispositifs munis de ces couches et a la realisation de photoscintillateurs.
US4362611A (en) * 1981-07-27 1982-12-07 International Business Machines Corporation Quadrupole R.F. sputtering system having an anode/cathode shield and a floating target shield
US4420385A (en) * 1983-04-15 1983-12-13 Gryphon Products Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films
US4626336A (en) * 1985-05-02 1986-12-02 Hewlett Packard Company Target for sputter depositing thin films
DE3530074A1 (de) * 1985-08-22 1987-02-26 Siemens Ag Vorrichtung zum herstellen mehrerer aufeinanderfolgender schichten durch hochleistungs-kathodenzerstaeubung
JPS6260865A (ja) * 1985-09-11 1987-03-17 Sony Corp 積層構造薄膜の作製装置
JPS6383261A (ja) * 1986-09-26 1988-04-13 Tokyo Electron Ltd スパツタリング装置
US4814056A (en) * 1987-06-23 1989-03-21 Vac-Tec Systems, Inc. Apparatus for producing graded-composition coatings
JPH0194454U (de) * 1987-12-10 1989-06-21
US4865710A (en) * 1988-03-31 1989-09-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Magnetron with flux switching cathode and method of operation
DE69216685T2 (de) * 1991-05-31 1997-05-28 Deposition Sciences Inc Sputteranlage
GB2273110B (en) * 1992-12-03 1996-01-24 Gec Marconi Avionics Holdings Depositing different materials on a substrate
GB9225270D0 (en) * 1992-12-03 1993-01-27 Gec Ferranti Defence Syst Depositing different materials on a substrate
EP0625792B1 (de) * 1993-05-19 1997-05-28 Applied Materials, Inc. Vorrichtung und Verfahren zur Erhöhung der Zerstäubungsrate in einem Zerstäubungsgerät
US5772858A (en) * 1995-07-24 1998-06-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a target in a sputtering source
WO1997035044A1 (en) * 1996-03-22 1997-09-25 Materials Research Corporation Method and apparatus for rf diode sputtering
JP3249408B2 (ja) * 1996-10-25 2002-01-21 昭和シェル石油株式会社 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置
EP0803587B1 (de) * 1997-07-15 2000-10-04 Unaxis Trading AG Verfahren und Vorrichtung zur Sputterbeschichtung
US6168690B1 (en) * 1997-09-29 2001-01-02 Lam Research Corporation Methods and apparatus for physical vapor deposition
US6086735A (en) * 1998-06-01 2000-07-11 Praxair S.T. Technology, Inc. Contoured sputtering target
US6309516B1 (en) 1999-05-07 2001-10-30 Seagate Technology Llc Method and apparatus for metal allot sputtering
US6503380B1 (en) 2000-10-13 2003-01-07 Honeywell International Inc. Physical vapor target constructions
JP2002363745A (ja) * 2001-06-08 2002-12-18 Canon Inc スパッタによる膜の形成方法、光学部材、およびスパッタ装置
US6994775B2 (en) * 2002-07-31 2006-02-07 The Regents Of The University Of California Multilayer composites and manufacture of same
US7172681B2 (en) * 2003-02-05 2007-02-06 Bridgestone Corporation Process for producing rubber-based composite material
US7192647B2 (en) * 2003-06-24 2007-03-20 Cardinal Cg Company Concentration-modulated coatings
US8084400B2 (en) * 2005-10-11 2011-12-27 Intermolecular, Inc. Methods for discretized processing and process sequence integration of regions of a substrate
JP2008525645A (ja) * 2004-12-27 2008-07-17 日本板硝子株式会社 円筒形揺動シールドターゲットアセンブリおよびその使用方法
US8776717B2 (en) * 2005-10-11 2014-07-15 Intermolecular, Inc. Systems for discretized processing of regions of a substrate
US7902063B2 (en) * 2005-10-11 2011-03-08 Intermolecular, Inc. Methods for discretized formation of masking and capping layers on a substrate
US20070158181A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Seagate Technology Llc Method & apparatus for cathode sputtering with uniform process gas distribution
WO2007095194A2 (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for combinatorially varying materials, unit process and process sequence
US8772772B2 (en) * 2006-05-18 2014-07-08 Intermolecular, Inc. System and method for increasing productivity of combinatorial screening
US7815782B2 (en) * 2006-06-23 2010-10-19 Applied Materials, Inc. PVD target
US7867904B2 (en) * 2006-07-19 2011-01-11 Intermolecular, Inc. Method and system for isolated and discretized process sequence integration
US8011317B2 (en) * 2006-12-29 2011-09-06 Intermolecular, Inc. Advanced mixing system for integrated tool having site-isolated reactors
US9567666B2 (en) * 2009-01-12 2017-02-14 Guardian Industries Corp Apparatus and method for making sputtered films with reduced stress asymmetry
KR101610556B1 (ko) 2011-06-30 2016-04-07 캐논 아네르바 가부시키가이샤 성막 장치
WO2013035225A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置
KR20230005882A (ko) * 2020-04-30 2023-01-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Pvd 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3324019A (en) * 1962-12-11 1967-06-06 Schjeldahl Co G T Method of sputtering sequentially from a plurality of cathodes
US3361659A (en) * 1967-08-14 1968-01-02 Ibm Process of depositing thin films by cathode sputtering using a controlled grid
DE1790178A1 (de) * 1967-10-11 1972-01-20 Varian Associates Kathoden-Zerstaeubungsvorrichtung
US3652444A (en) * 1969-10-24 1972-03-28 Ibm Continuous vacuum process apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3248121A1 (de) * 1982-12-24 1984-06-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Hochleistungs-katodenanordnung fuer die erzeugung von mehrfachschichten
DE3710497A1 (de) * 1987-03-30 1988-10-20 Tzn Forschung & Entwicklung Verfahren und vorrichtung zur herstellung von duennen, aus mehreren elementaren komponenten bestehenden filmen

Also Published As

Publication number Publication date
CH564096A5 (de) 1975-07-15
GB1465745A (en) 1977-03-02
IT1007287B (it) 1976-10-30
US3985635A (en) 1976-10-12
JPS49114585A (de) 1974-11-01
DD109670A5 (de) 1974-11-12
FR2218402B1 (de) 1976-10-08
FR2218402A1 (de) 1974-09-13
DE2307649A1 (de) 1974-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2307649B2 (de) Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat
EP0205028B1 (de) Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
DE69814687T2 (de) Plasmavorrichtung mit einem mit einer spannungsquelle verbundenen metallteil, das zwischen einer rf-plasma-anregungsquelle und dem plasma angeordnet ist
EP2272080B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum vorbehandeln und beschichten von körpern
EP0755461B1 (de) Verfahren und einrichtung für die ionengestützte vakuumbeschichtung
EP0275018B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Glimmentladung
DE4217450C3 (de) Ionenbedampfungsverfahren und Vorrichtung
EP0803587B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Sputterbeschichtung
DE2513216A1 (de) Verfahren zur beschichtung eines substrats
DE4126236C2 (de) Rotierende Magnetron-Kathode und Verwendung einer rotierenden Magnetron-Kathode
DE2215151A1 (de) Verfahren zum herstellen von duennen schichten aus tantal
EP0783174A2 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
EP0504477B1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
DE1927253A1 (de) Aufstaeubverfahren
DE1515309A1 (de) Verfahren zum Herstellen gleichfoermiger duenner Schichten hoher Guete aus dielektrischem Material durch Kathodenzerstaeubung und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE2254434A1 (de) Vorrichtung zum niederschlagen von metall mittels aufstaeuben aus fluessiger phase
DE1765582B1 (de) Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung und zum anschliessenden bedampfen
DE102013107659B4 (de) Plasmachemische Beschichtungsvorrichtung
CH691686A5 (de) Vakuumbehandlungskammer.
DE2655942C2 (de)
DE2624005A1 (de) Verfahren zum aufbringen von duennen schichten nach dem ion-plating- verfahren und vorrichtung dazu
DE3408053C2 (de)
DE3737404C2 (de)
DE1765144B1 (de) Anordnung und verfahren zur herstellung von schichten mittels kathodenzerstaeubung
DE2800852A1 (de) Einrichtung zum ionenplasma-beschichten

Legal Events

Date Code Title Description
8220 Willingness to grant licences (paragraph 23)
8235 Patent refused