KR20230005882A - Pvd 장치 - Google Patents
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Abstract
PVD 장치는, 챔버와, 복수의 스테이지와, 제1 타깃 보유 지지부와, 전력 공급 기구와, 실드를 구비한다. 복수의 스테이지는, 챔버 내에 마련되어, 각각 상면에 기판을 적어도 하나 올려놓는 것이 가능하다. 제1 타깃 보유 지지부는, 챔버 내의 공간에 폭로되어, 하나의 스테이지에 대하여 적어도 하나 마련되는 타깃을 보유 지지 가능하다. 전력 공급 기구는, 제1 타깃 보유 지지부를 통해 타깃에 전력을 공급한다. 실드는, 챔버 내에 마련되고, 일부가, 복수의 스테이지 중 제1 스테이지와 제2 스테이지 사이, 및 제1 스테이지 상의 제1 처리 공간과 제2 스테이지 상의 제2 처리 공간 사이에 배치되어 있다.
Description
본 개시의 다양한 측면 및 실시 형태는, PVD 장치에 관한 것이다.
하기의 특허문헌 1에는, 물리적 기상 퇴적(PVD)에 의해, 타깃 재료의 구성 물질을 기판 상에 적층시키는 PVD 장치가 개시되어 있다.
본 개시는, 복수의 기판에 대한 성막 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있는 PVD 장치를 제공한다.
본 개시의 일측면은, PVD 장치이며, 챔버와, 복수의 스테이지와, 제1 타깃 보유 지지부와, 전력 공급 기구와, 실드를 구비한다. 복수의 스테이지는, 챔버 내에 마련되어, 각각 상면에 기판을 적어도 하나 올려놓는 것이 가능하다. 제1 타깃 보유 지지부는, 챔버 내의 공간에 폭로되어, 하나의 스테이지에 대향하여 적어도 하나 마련되는 타깃을 보유 지지 가능하다. 전력 공급 기구는, 타깃 보유 지지부를 통해 타깃에 전력을 공급한다. 실드는, 챔버 내에 마련되고, 일부가, 복수의 스테이지 중 제1 스테이지와 제2 스테이지 사이, 및 제1 스테이지 상의 제1 처리 공간과 제2 스테이지 상의 제2 처리 공간 사이에 배치되어 있다.
본 개시의 다양한 측면 및 실시 형태에 따르면, 복수의 기판에 대한 성막 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 2는, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 3은, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 4는, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 5는, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 6은, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 7은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 PVD 시스템의 일례를 도시하는 시스템 구성도이다.
도 8은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 PVD 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 9는, 도 8에 예시된 PVD 장치의 A-A 단면의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은, 도 8에 예시된 PVD 장치의 B-B 단면의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 11은, 복수의 타깃과 복수의 스테이지의 위치 관계의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는, 복수의 타깃과 복수의 스테이지의 위치 관계의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 3은, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 4는, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 5는, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 6은, 기판의 가공 과정의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 7은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 PVD 시스템의 일례를 도시하는 시스템 구성도이다.
도 8은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 PVD 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 9는, 도 8에 예시된 PVD 장치의 A-A 단면의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은, 도 8에 예시된 PVD 장치의 B-B 단면의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 11은, 복수의 타깃과 복수의 스테이지의 위치 관계의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는, 복수의 타깃과 복수의 스테이지의 위치 관계의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
이하에, 개시되는 PVD 장치의 실시 형태에 대해서, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해, 개시되는 PVD 장치가 한정되는 것은 아니다.
그런데, 종래의 PVD 장치에서는, 챔버 내에 하나의 기판이 수용되고, 수용된 하나의 기판에 대하여 성막이 행하여진다. 그 때문에, 복수의 기판에 대한 성막 처리의 스루풋의 향상이 어렵다.
그래서, 본 개시는, 복수의 기판에 대한 성막 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기술을 제공한다.
[반도체 장치의 제조 방법]
도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다. 본 실시 형태에서는, 기판 W가 가공됨으로써 반도체 장치가 제조된다. 이하에서는, 도 2 내지 도 6을 참조하면서, 기판 W의 가공 수순에 대하여 설명한다.
먼저, 피가공물이 되는 기판 W가 준비된다(S10). 스텝 S10에 있어서 준비되는 기판 W는, 예를 들어 도 2에 도시되는 바와 같이, 베이스 부재(10)와, 베이스 부재(10) 상에 적층된 실리콘 함유막(11)을 갖는다. 베이스 부재(10)는, 예를 들어 실리콘이다. 실리콘 함유막(11)은, 단결정 실리콘막, 다결정 실리콘막, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등의 실리콘을 포함하는 임의의 재료로 형성된 단일의 막일 수 있다. 또한, 실리콘 함유막(11)은, 단결정 실리콘막, 다결정 실리콘막, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중에서 선택된 2 이상의 막이 적층된 다층막일 수 있다. 또한, 기판 W는, 베이스 부재(10)와 실리콘 함유막(11) 사이에 다른 층이나 구조체가 마련된 구조여도 된다.
이어서, 기판 W 상에 하드 마스크가 성막된다(S11). 이에 의해, 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이, 실리콘 함유막(11) 상에 하드 마스크(12)가 성막된다. 하드 마스크(12)에는, 제1 하드 마스크(13) 및 제2 하드 마스크(14)가 포함된다. 제1 하드 마스크(13)는, 실리콘 함유막(11)에 미리 정해진 형상의 홀 또는 트렌치(이하, 홀 등이라고 기재함)를 형성하기 위한 마스크이다. 제1 하드 마스크(13)에는, 예를 들어 텅스텐 및 실리콘이 포함된다. 또한, 제1 하드 마스크(13)는, 예를 들어 아몰퍼스 상태의 막이다.
여기서, 실리콘 함유막(11)에 미리 정해진 형상의 홀 등을 플라스마 에칭에 의해 형성하는 경우, 불소 함유 가스가 사용되는 경우가 많다. 제1 하드 마스크(13)가 화학 기상 성장(CVD)법에 의해 형성된 경우, 제1 하드 마스크(13)에 있어서의 텅스텐 실리사이드의 조성은, WSi2이다. 이러한 조성의 텅스텐 실리사이드의 막은, 금속 결정을 포함한다. 금속 결정을 포함하는 막은, 결정립계에 있어서 플라스마 에칭에 대한 내성이 낮고, 결정립계가 존재하는 부분에서 빨리 에칭된다.
이에 비해, 본 실시 형태의 제1 하드 마스크(13)는, 결정립계를 실질적으로 갖고 있지 않은 아몰퍼스 상태의 막이다. 그 때문에, 본 실시 형태의 제1 하드 마스크(13)는, 플라스마 에칭에 대하여 높은 내성을 갖는다. 이에 의해, 실리콘 함유막(11)의 플라스마 에칭에 있어서, 홀 등의 LCDU(Local Critical Dimension Uniformity) 및 홀의 진원율을 향상시킬 수 있다.
제2 하드 마스크(14)는, 제1 하드 마스크(13)에 미리 정해진 형상의 홀 등을 형성하기 위한 마스크이다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 하드 마스크(14)는, 예를 들어 TEOS(Tetra EthOxy Silane)를 사용하여 성막된 실리콘 산화막 상에 탄소 함유막이 적층되고, 탄소 함유막 상에 SiON막이 적층된 구조이다.
이어서, 하드 마스크(12) 상에 레지스트막(15)이 적층되고, 예를 들어 도 4에 도시하는 바와 같이, 레지스트막(15)이 미리 정해진 형상으로 패터닝된다(S12).
이어서, 미리 정해진 형상으로 패터닝된 레지스트막(15)을 마스크로 하여, 하드 마스크(12)가 에칭된다(S13). 이에 의해, 제1 하드 마스크(13)에는, 예를 들어 도 5에 도시하는 바와 같이, 레지스트막(15)의 개구에 대응한 홀 등(16)이 형성된다.
이어서, 홀 등(16)이 형성된 제1 하드 마스크(13)를 마스크로서, 제1 하드 마스크(13)의 하층 실리콘 함유막(11)이 에칭된다(S14). 이에 의해, 실리콘 함유막(11)에는, 예를 들어 도 6에 도시되는 바와 같이, 제1 하드 마스크(13)의 홀 등(16)에 대응한 홀 등(17)이 형성된다. 그리고, 도 1의 흐름도에 예시된 반도체 장치의 제조 방법이 종료된다.
[PVD 시스템(100)의 구성]
제1 하드 마스크(13)는, 예를 들어 도 7에 도시되는 PVD 시스템(100)에 의해 성막된다. 도 7은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 PVD 시스템(100)의 일례를 도시하는 시스템 구성도이다. 도 7에서는, 설명의 편의를 위하여, 일부의 장치 중 부재가 보이도록 그려져 있다.
PVD 시스템(100)은, 진공 반송 장치(101), 복수의 로드 로크 장치(102), 대기 반송 장치(103), 복수의 로드 포트(104) 및 복수의 PVD 장치(20)를 구비한다. PVD 시스템(100)은, 멀티 챔버 타입의 진공 처리 시스템이다. 진공 반송 장치(101) 내는, 도시하지 않은 진공 펌프에 의해 배기되어서 미리 정해진 진공도로 유지되어 있다. 진공 반송 장치(101) 내에는, 로봇 암 등의 반송 장치가 마련되어 있다. 진공 반송 장치(101)의 측벽에는, 게이트 밸브 G1을 통해 복수의 PVD 장치(20)가 접속되어 있다. 또한, 도 7의 예에서는, 진공 반송 장치(101)에 3개의 PVD 장치(20)가 접속되어 있지만, 진공 반송 장치(101)에 접속되는 PVD 장치(20)의 수는, 3개보다 적어도 되고, 3개보다 많아도 된다.
각각의 PVD 장치(20)는, 피가공물인 기판 W에 대하여, 스퍼터링에 의해 제1 하드 마스크(13)의 성막을 행한다. 각각의 PVD 장치(20) 내에는, 하나의 기판 W가 적재되는 스테이지(23)가 복수 마련되어 있다. 또한, 도 7의 예에서는, 각각의 PVD 장치(20) 내에 2개의 스테이지(23)가 마련되어 있지만, PVD 장치(20) 내에 마련되는 스테이지(23)의 수는, 2개보다 많아도 된다.
진공 반송 장치(101)의 다른 측벽에는, 게이트 밸브 G2를 통해 복수의 로드 로크 장치(102)가 접속되어 있다. 도 7의 예에서는, 진공 반송 장치(101)에 2개의 로드 로크 장치(102)가 접속되어 있지만, 진공 반송 장치(101)에 접속되는 로드 로크 장치(102)의 수는, 2개보다 적어도 되고, 2개보다 많아도 된다.
각각의 로드 로크 장치(102) 내에는, 기판 W가 적재되는 스테이지(102a)가 마련되어 있다. 각각의 로드 로크 장치(102)의 하나의 측벽에는, 게이트 밸브 G2를 통해 진공 반송 장치(101)가 접속되어 있고, 그 밖의 하나의 측벽에는, 게이트 밸브 G3을 통해 대기 반송 장치(103)가 접속되어 있다. 게이트 밸브 G3이 마련된 대기 반송 장치(103)의 측벽과 반대측의 대기 반송 장치(103)의 측벽에는, 복수의 로드 포트(104)가 마련되어 있다. 각각의 로드 포트(104)에는, 복수의 기판 W를 수용 가능한 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등의 용기가 접속된다. 대기 반송 장치(103) 내에는, 로봇 암 등의 반송 장치가 마련되어 있다. 또한, 대기 반송 장치(103)에는, 기판 W의 방향을 변경하는 얼라이너 장치 등이 마련되어도 된다.
제어 장치(120)는, 메모리, 프로세서 및 입출력 인터페이스를 갖는다. 메모리 내에는, 레시피 등의 데이터나 프로그램 등이 저장된다. 메모리는, 예를 들어 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), HDD(Hard Disk Drive) 또는 SSD(Solid State Drive) 등이다. 프로세서는, 메모리로부터 판독된 프로그램을 실행함으로써, 메모리 내에 저장된 레시피 등의 데이터에 기초하여, 입출력 인터페이스를 통해 PVD 시스템(100)의 각 부를 제어한다. 프로세서는, CPU(Central Processing Unit) 또는 DSP(Digital Signal Processor) 등이다.
예를 들어, 제어 장치(120)는, 로드 포트(104)에 접속된 용기로부터 기판 W를 꺼내어 로드 로크 장치(102) 내에 반송하도록 대기 반송 장치(103) 내의 반송 장치를 제어한다. 그리고, 제어 장치(120)는, 로드 로크 장치(102)로부터 기판 W를 꺼내어 PVD 장치(20) 내의 스테이지(23)에 올려놓도록 진공 반송 장치(101) 내의 반송 장치를 제어한다. 그리고, 제어 장치(120)는, 스테이지(23)에 적재된 기판 W에 제1 하드 마스크(13)를 성막하도록 PVD 장치(20)를 제어한다. 이에 의해, 기판 W에 제1 하드 마스크(13)가 성막된다.
[PVD 장치(20)의 구조]
이어서, PVD 장치(20)의 상세한 구조에 대해서, 도 8 내지 도 11을 사용하여 설명한다. 도 8은, 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 PVD 장치(20)의 일례를 도시하는 개략 평면도이다. 도 8에서는, 설명의 편의를 위하여, PVD 장치(20) 중 일부의 부재가 파선으로 그려져 있다. 도 9는, 도 8에 예시된 PVD 장치(20)의 A-A 단면의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 10은, 도 8에 예시된 PVD 장치(20)의 B-B 단면의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 11은, 복수의 타깃과 복수의 스테이지의 위치 관계의 일례를 설명하기 위한 모식도이다.
PVD 장치(20)는, 예를 들어 알루미늄 등의 도전성의 부재로 형성된 챔버(21)를 갖는다. 챔버(21)는, 접지되어 있다. 챔버(21)의 측벽에는, 기판 W가 통과하기 위한 복수의 개구가 형성되어 있고, 각각의 개구는, 게이트 밸브 G1에 의해 개폐된다.
챔버(21) 내의 공간은, 실드(21a) 및 실드(21b)에 의해 2개의 처리 공간(22a) 및 처리 공간(22b)으로 나뉘어 있다. 즉, 실드(21a)로 둘러싸인 챔버(21) 내의 공간이 처리 공간(22a)이고, 실드(21b)로 둘러싸인 챔버(21) 내의 공간이 처리 공간(22b)이다. 처리 공간(22a)은, 제1 처리 공간의 일례이고, 처리 공간(22b)은, 제2 처리 공간의 일례이다. 또한, 본 실시 형태에서는, PVD 장치(20) 내의 공간이 2개의 처리 공간(22a) 및 처리 공간(22b)으로 나뉘어 있지만, 다른 형태로서, PVD 장치(20) 내의 공간은 실드에 의해 2개보다 많은 처리 공간으로 나뉘어 있어도 된다.
처리 공간(22a) 내에는, 예를 들어 도 9에 도시되는 바와 같이, 기판 W가 적재되는 스테이지(23a)가 마련되어 있다. 또한, 처리 공간(22b) 내에는, 예를 들어 도 10에 도시되는 바와 같이, 기판 W가 적재되는 스테이지(23b)가 마련되어 있다. 스테이지(23a)는, 제1 스테이지의 일례이고, 스테이지(23b)는, 제2 스테이지의 일례이다. 스테이지(23a) 및 스테이지(23b)는, 기판 W를 보유 지지하는 정전 척을 갖고 있어도 된다. 또한, 스테이지(23a) 및 스테이지(23b)는, 히터 등의 온도 조정 기구를 갖고 있어도 된다.
실드(21a)의 일부 및 실드(21b)의 일부는, 예를 들어 도 10에 도시되는 바와 같이, 스테이지(23a)와 스테이지(23b) 사이에 배치되어 있다. 즉, 실드(21a)의 일부는, 예를 들어 도 10에 도시되는 바와 같이, 스테이지(23a)의 상면의 위치(도 10의 파선 위치)보다도 지지부(221a)측에 배치되어 있다. 마찬가지로, 실드(21b)의 일부는, 스테이지(23b)의 상면의 위치(도 10의 파선 위치)보다도 지지부(221b)측에 배치되어 있다. 또한, 실드(21a)의 일부 및 실드(21b)의 일부는, 스테이지(23a) 상의 처리 공간(22a)과 스테이지(23b) 상의 처리 공간(22b) 사이에 배치되어 있다.
스테이지(23a)는, 예를 들어 도 9 및 도 10에 도시되는 바와 같이, 스테이지(23a)의 바로 아래로부터 챔버(21)의 저부를 관통하여 챔버(21)의 외부까지 연장되어 있는 대략 원통상의 지지부(221a)에 의해 지지되어 있다. 지지부(221a)와 챔버(21)의 저부 사이에는, 자성 유체 시일 등의 시일재가 배치되어 있다. 구동부(220a)는, 지지부(221a)를 상하로 이동시킴으로써, 스테이지(23a)의 높이를 조정할 수 있다. 또한, 구동부(220a)는, 스테이지(23a)의 중심축 X를 중심으로 하여 지지부(221a)를 회전시킬 수 있다. 지지부(221a)가 회전함으로써, 스테이지(23a)의 중심축 X를 중심으로 하여 스테이지(23a)가 회전한다.
스테이지(23b)는, 예를 들어 도 10에 도시되는 바와 같이, 스테이지(23b)의 바로 아래에서 챔버(21)의 저부를 관통하여 챔버(21)의 외부까지 연장되어 있는 대략 원통상의 지지부(221b)에 의해 지지되어 있다. 지지부(221b)와 챔버(21)의 저부 사이에는, 자성 유체 시일 등의 시일재가 배치되어 있다. 구동부(220b)는, 지지부(221b)를 상하로 이동시킴으로써, 스테이지(23b)의 높이를 조정할 수 있다. 또한, 구동부(220b)는, 스테이지(23b)의 중심축을 중심으로 하여 지지부(221b)를 회전시킬 수 있다. 지지부(221b)가 회전함으로써, 스테이지(23b)의 중심축을 중심으로 하여 스테이지(23b)가 회전한다.
스테이지(23a)의 상방에는, 예를 들어 도 9에 도시되는 바와 같이, 도전성의 부재로 형성된 타깃 보유 지지부(24a) 및 타깃 보유 지지부(25a)가 마련되어 있다. 타깃 보유 지지부(24a) 및 타깃 보유 지지부(25a)는, 절연체로 형성된 고정 부재(218)에 의해 챔버(21)의 천장 부분에 고정되어 있다. 타깃 보유 지지부(24a)는, 타깃(26a)을 보유 지지한다. 타깃 보유 지지부(25a)는, 타깃(27a)을 보유 지지한다. 타깃 보유 지지부(24a) 및 타깃 보유 지지부(25a)는, 예를 들어 도 9에 도시되는 바와 같이, 스테이지(23a)의 중심축 X를 통하는 평면을 사이에 두고 서로 대향하도록, 타깃(26a) 및 타깃(27a)을 보유 지지하고 있다. 타깃(26a) 및 타깃(27a)은, 제1 타깃의 일례이다. 타깃 보유 지지부(24a)는, 예를 들어 도 9에 도시되는 바와 같이, 타깃(26a)의 면이 스테이지(23a)로부터 이격됨에 따라 중심축 X에 접근하는 것과 같은 경사가 되도록 타깃(26a)을 보유 지지하고 있다. 타깃 보유 지지부(25a)는, 예를 들어 도 9에 도시되는 바와 같이, 타깃(27a)의 면이 스테이지(23a)로부터 이격됨에 따라 중심축 X에 접근하는 것과 같은 경사가 되도록 타깃(27a)을 보유 지지하고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 타깃(26a) 및 타깃(27a)의 한쪽은 실리콘을 포함하는 타깃이고, 다른 쪽은 텅스텐을 포함하는 타깃이다. 또한, 타깃(26a) 및 타깃(27a)의 한쪽은 실리콘 및 텅스텐을 포함하는 타깃이고, 다른 쪽은 텅스텐을 포함하는 타깃이어도 된다. 또한, 타깃(26a) 및 타깃(27a) 중 적어도 어느 한쪽에는 카본이 포함되어 있어도 된다.
도시는 생략하지만, 스테이지(23b)의 상방에는, 도전성의 부재로 형성된 타깃 보유 지지부(24b) 및 타깃 보유 지지부(25b)가 마련되어 있다. 타깃 보유 지지부(24b) 및 타깃 보유 지지부(25b)는, 절연체로 형성된 고정 부재에 의해 챔버(21)의 천장 부분에 고정되어 있다. 타깃 보유 지지부(24b)는, 타깃(26b)을 보유 지지한다. 타깃 보유 지지부(25b)는, 타깃(27b)을 보유 지지한다. 타깃 보유 지지부(24b) 및 타깃 보유 지지부(25b)는, 스테이지(23b)의 중심축을 통과하는 평면을 사이에 두고 서로 대향하도록, 타깃(26b) 및 타깃(27b)을 보유 지지하고 있다. 타깃(26b) 및 타깃(27b)은, 제2 타깃의 일례이다. 타깃 보유 지지부(24b)는, 타깃(26b)의 면이 스테이지(23b)로부터 이격됨에 따라 스테이지(23b)의 중심축에 접근하는 것과 같은 경사가 되도록 타깃(26b)을 보유 지지하고 있다. 타깃 보유 지지부(25b)는, 타깃(27b)의 면이 스테이지(23b)로부터 이격됨에 따라 스테이지(23b)의 중심축에 접근하는 것과 같은 경사가 되도록 타깃(27b)을 보유 지지하고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 타깃(26b) 및 타깃(27b)의 한쪽은 실리콘을 포함하는 타깃이고, 다른 쪽은 텅스텐을 포함하는 타깃이다. 또한, 타깃(26b) 및 타깃(27b)의 한쪽은 실리콘 및 텅스텐을 포함하는 타깃이고, 다른 쪽은 텅스텐을 포함하는 타깃이어도 된다. 또한, 타깃(26b) 및 타깃(27b) 중 적어도 어느 한쪽에는 카본이 포함되어 있어도 된다.
타깃 보유 지지부(24a)에는, 예를 들어 도 9 및 도 11에 도시되는 바와 같이, 배선(202a)을 통해 전력 공급부(200a)가 접속되어 있다. 전력 공급부(200a)는, 직류 또는 교류의 전력을 배선(202a) 및 타깃 보유 지지부(24a)를 통해 타깃(26a)에 공급한다. 타깃 보유 지지부(25a)에는, 배선(203a)을 통해 전력 공급부(201a)가 접속되어 있다. 전력 공급부(201a)는, 직류 또는 교류의 전력을 배선(203a) 및 타깃 보유 지지부(25a)를 통해 타깃(27a)에 공급한다. 전력 공급부(200a) 및 배선(203a)은, 전력 공급 기구의 일례이다.
또한, 타깃 보유 지지부(24b)에는, 예를 들어 도 11에 도시되는 바와 같이, 배선(202b)을 통해 전력 공급부(200b)가 접속되어 있다. 전력 공급부(200b)는, 직류 또는 교류의 전력을 배선(202b) 및 타깃 보유 지지부(24b)를 통해 타깃(26b)에 공급한다. 타깃 보유 지지부(25b)에는, 배선(203b)을 통해 전력 공급부(201b)가 접속되어 있다. 전력 공급부(201b)는, 직류 또는 교류의 전력을 배선(203b) 및 타깃 보유 지지부(25b)를 통해 타깃(27b)에 공급한다. 전력 공급부(200b) 및 배선(203b)은, 전력 공급 기구의 일례이다.
타깃(26a)이 마련되어 있는 타깃 보유 지지부(24a)의 면의 이면측에는, 예를 들어 도 9에 도시되는 바와 같이, 자석(212a)이 마련되어 있다. 자석(212a)은, 자석 보유 지지부(210a)에 의해 보유 지지되어 있다. 자석 보유 지지부(210a)에는, 나사축(211)이 관통하고 있다. 자석 보유 지지부(210a)는, 나사축(211)을 따라 왕복 이동한다. 나사축(211)은, 예를 들어 도 11에 도시되는 바와 같이, 타깃(26a)을 따라 배치되어 있다. 나사축(211)은, 가이드의 일례이다. 모터(240)는, 나사축(211)을 회전시킨다. 모터(240)는, 구동부의 일례이다. 나사축(211)이 회전함으로써, 자석 보유 지지부(210a)가 나사축(211)을 따라 이동한다. 자석 보유 지지부(210a)가 나사축(211)을 따라 이동함으로써, 자석 보유 지지부(210a)에 보유 지지되어 있는 자석(212a)은 타깃(26a)을 따라 이동한다. 이에 의해, 자석(212a)에서 발생하는 자계가 타깃(26a)에 국소적으로 집중하는 것을 억제할 수 있고, 타깃(26a)에 국소적으로 플라스마가 집중하는 것을 억제할 수 있다. 자석 보유 지지부(210a), 나사축(211) 및 모터(240)는, 구동 기구의 일례이다.
타깃(27a)이 마련되어 있는 타깃 보유 지지부(25a)의 면의 이면측에는, 예를 들어 도 9에 도시되는 바와 같이, 자석(215a)이 마련되어 있다. 자석(215a)은, 자석 보유 지지부(213a)에 의해 보유 지지되어 있다. 자석 보유 지지부(213a)에는, 나사축(214)이 관통하고 있다. 자석 보유 지지부(213a)는, 나사축(214)을 따라 왕복 이동한다. 나사축(214)은, 예를 들어 도 9 및 도 11에 도시되는 바와 같이, 타깃(27a)을 따라 배치되어 있다. 나사축(214)은, 가이드의 일례이다. 모터(241)는, 나사축(214)을 회전시킨다. 모터(241)는, 구동부의 일례이다. 나사축(214)이 회전함으로써, 자석 보유 지지부(213a)가 나사축(214)을 따라 이동한다. 자석 보유 지지부(213a)가 나사축(214)을 따라 이동함으로써, 자석 보유 지지부(213a)에 보유 지지되어 있는 자석(215a)은 타깃(27a)을 따라 이동한다. 이에 의해, 자석(215a)으로부터 발생하는 자계가 타깃(27a)에 국소적으로 집중하는 것을 억제할 수 있고, 타깃(27a)에 국소적으로 플라스마가 집중하는 것을 억제할 수 있다. 자석 보유 지지부(213a), 나사축(214) 및 모터(241)는, 구동 기구의 일례이다.
도시는 생략하지만, 타깃(26b)이 마련되어 있는 타깃 보유 지지부(24b)의 면의 이면측에는, 자석(212b)이 마련되어 있다. 자석(212b)은, 자석 보유 지지부(210b)에 의해 보유 지지되어 있다. 자석 보유 지지부(210b)에는, 나사축(211)이 관통하고 있다. 자석 보유 지지부(210b)는, 나사축(211)을 따라 왕복 이동한다. 나사축(211)은, 예를 들어 도 11에 도시되는 바와 같이, 타깃(26b)을 따라 배치되어 있다. 모터(240)가 나사축(211)을 회전시킴으로써, 자석 보유 지지부(210b)가 나사축(211)을 따라 이동한다. 자석 보유 지지부(210b)가 나사축(211)을 따라 이동함으로써, 자석 보유 지지부(210b)에 보유 지지되어 있는 자석(212b)은 타깃(26b)을 따라 이동한다. 이에 의해, 자석(212b)에서 발생하는 자계가 타깃(26b)에 국소적으로 집중하는 것을 억제할 수 있고, 타깃(26b)에 국소적으로 플라스마가 집중하는 것을 억제할 수 있다. 자석 보유 지지부(210b), 나사축(211) 및 모터(240)는, 구동 기구의 일례이다.
타깃(27b)이 마련되어 있는 타깃 보유 지지부(25b)의 면의 이면측에는, 예를 들어 도 11에 도시되는 바와 같이, 자석(215b)이 마련되어 있다. 자석(215b)은, 자석 보유 지지부(213b)에 의해 보유 지지되어 있다. 자석 보유 지지부(213b)에는, 나사축(214)이 관통하고 있다. 자석 보유 지지부(213b)는, 나사축(214)을 따라 왕복 이동한다. 나사축(214)은, 예를 들어 도 11에 도시되는 바와 같이, 타깃(27b)을 따라 배치되어 있다. 모터(241)가 나사축(214)을 회전시킴으로써, 자석 보유 지지부(213b)가 나사축(214)을 따라 이동한다. 자석 보유 지지부(213b)가 나사축(214)을 따라 이동함으로써, 자석 보유 지지부(213b)에 보유 지지되어 있는 자석(215b)은 타깃(27b)을 따라 이동한다. 이에 의해, 자석(215b)에서 발생하는 자계가 타깃(27b)에 국소적으로 집중하는 것을 억제할 수 있고, 타깃(27b)에 국소적으로 플라스마가 집중하는 것을 억제할 수 있다. 자석 보유 지지부(213b), 나사축(214) 및 모터(241)는, 구동 기구의 일례이다.
또한, 예를 들어 도 11에 도시되는 바와 같이, 나사축(211)은, 자석 보유 지지부(210a) 및 자석 보유 지지부(210b)를 관통하고 있다. 모터(240)가 회전함으로써, 자석(212a)을 보유 지지하는 자석 보유 지지부(210a) 및 자석(212b)을 보유 지지하는 자석 보유 지지부(210b)는, 나사축(211)을 따라 이동한다. 이에 의해, 하나의 나사축(214) 및 하나의 모터(241)에 의해, 복수의 자석을 왕복 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 나사축(214)은, 자석 보유 지지부(213a) 및 자석 보유 지지부(213b)를 관통하고 있다. 모터(241)가 회전함으로써, 자석(215a)을 보유 지지하는 자석 보유 지지부(213a) 및 자석(215b)을 보유 지지하는 자석 보유 지지부(213b)는, 나사축(214)을 따라 이동한다. 이에 의해, 하나의 나사축(214) 및 하나의 모터(241)에 의해, 복수의 자석을 왕복 이동시킬 수 있다.
챔버(21)에는, 배관(28)이 접속되어 있다. 배관(28)에는, 도시하지 않은 가스 공급부가 접속되어 있다. 가스 공급부는, 배관(28)을 통해 챔버(21) 내의 처리 공간(22a) 및 처리 공간(22b)에, 희가스나 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급한다. 배관(28) 및 가스 공급부는, 가스 공급 기구의 일례이다.
또한, 챔버(21)의 저부에는, 예를 들어 도 8 및 도 10에 도시되는 바와 같이, 배기구(232)가 형성되어 있다. 배기구(232)에는, APC(Automatic Pressure Control) 밸브(231)를 통해 배기 장치(230)가 접속되어 있다. 배기 장치(230)에는, 드라이 펌프 및 터보 분자 펌프 등의 감압 펌프가 포함되어 있다. 배기 장치(230) 및 APC 밸브(231)는, 배기 기구의 일례이다.
본 실시 형태의 PVD 장치(20)에서는, 기판 W가 각각 하나씩 배치되는 처리 공간(22a) 및 처리 공간(22b)이 마련된 챔버(21) 내에, 배관(28)으로부터 가스가 공급되고, 배기구(232)로부터 가스가 배기된다. 즉, 처리 공간(22a) 및 처리 공간(22b)을 갖는 챔버(21) 내에, 가스를 공급하는 배관(28)과, 가스를 배기하는 배기구(232)가 공통으로 하나 마련되어 있다. 이에 의해, 처리 공간(22a) 및 처리 공간(22b) 내의 압력차를 보다 적게 할 수 있다. 이에 의해, 처리 공간(22a) 및 처리 공간(22b) 각각에서 성막되는 기판 W의 특성의 변동을 낮게 억제할 수 있다.
이와 같은 구성의 PVD 장치(20)에 있어서, 예를 들어 이하의 수순으로 기판 W에 제1 하드 마스크(13)가 성막된다. 먼저, 2개의 게이트 밸브 G1이 개방되고, 챔버(21) 내에 2개의 기판 W가 반입되어, 스테이지(23a) 및 스테이지(23b)에 기판 W가 하나씩 적재된다. 그리고, 구동부(220a) 및 구동부(220b)에 의해, 스테이지(23a) 및 스테이지(23b)의 높이가 각각 조정된다. 그리고, 구동부(220a) 및 구동부(220b)는, 스테이지(23a) 및 스테이지(23b)의 회전을 각각 개시한다.
이어서, 배관(28)을 통해 가스 공급부로부터 챔버(21) 내에 불활성 가스의 공급이 개시되고, 배기 장치(230)에 의해 챔버(21) 내의 가스 배기가 개시된다. 그리고, APC 밸브(231)에 의해 챔버(21) 내의 압력이 조정된다.
이어서, 전력 공급부(200a)로부터 타깃(26a)에, 전력 공급부(201a)로부터 타깃(27a)에, 전력 공급부(200b)로부터 타깃(26b)에, 전력 공급부(201b)로부터 타깃(27b)에, 각각 전력의 공급이 개시된다. 이에 의해, 처리 공간(22a) 내 및 처리 공간(22b) 내에 각각 플라스마가 발생한다. 그리고, 타깃(26a), 타깃(26b), 타깃(27a) 및 타깃(27b)에 플라스마 중의 이온이 충돌함으로써, 타깃(26a), 타깃(26b), 타깃(27a) 및 타깃(27b)으로부터 각각의 구성 물질이 방출된다. 그리고, 방출된 구성 물질이 기판 W 상에 퇴적함으로써, 기판 W 상에 제1 하드 마스크(13)가 성막된다.
그리고, 모터(240)가 나사축(211)을 정회전 방향 및 역회전 방향으로 회전시킴으로써 자석(212a) 및 자석(212b)이 나사축(211)을 따라 왕복 이동을 개시한다. 또한, 모터(241)가 나사축(214)을 정회전 방향 및 역회전 방향으로 회전시킴으로써 자석(215a) 및 자석(215b)이 나사축(214)을 따라 왕복 이동을 개시한다. 이에 의해, 타깃(26a), 타깃(26b), 타깃(27a) 및 타깃(27b)에 대한 국소적인 플라스마의 집중이 완화된다.
또한, 처리 공간(22a)에 있어서, 타깃(26a) 및 타깃(27a) 중, 어느 한쪽의 구성 물질만을 기판 W 상에 퇴적시키는 경우에는, 타깃(26a) 및 타깃(27a) 중, 어느 한쪽에만 전력을 공급해도 된다. 마찬가지로, 타깃(26b) 및 타깃(27b) 중, 어느 한쪽의 구성 물질만을 기판 W 상에 퇴적시키는 경우에는, 타깃(26b) 및 타깃(27b) 중, 어느 한쪽에만 전력을 공급해도 된다. 그 경우, 모터는, 전력이 공급된 타깃의 근방에 배치된 자석만을 왕복 이동시킨다.
이와 같이, 본 실시 형태의 PVD 장치(20)에서는, 2개의 기판 W에 대하여 성막을 행할 수 있기 때문에, 하나의 기판 W에 대하여 성막을 행하는 매엽형의 PVD 장치에 비하여, 복수의 기판 W에 대한 성막 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 PVD 장치(20)에서는, 2개의 기판 W에 대하여 병행하여 성막을 행할 수 있다. 그 때문에, 하나의 기판 W에 대하여 성막을 행하는 매엽형의 PVD 장치에 비하여, 복수의 기판 W에 대하여 성막 처리를 행한 경우의 기판 W의 특성의 변동을 낮게 억제할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 PVD 장치(20)에서는, 2개의 기판 W에 대하여 성막을 행하지만, 개시의 기술은 이것에 한정되지는 않고, 2개보다 많은 수의 기판 W에 대하여 성막을 행해도 된다. 이에 의해. 복수의 기판 W에 대한 성막 처리의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있음과 함께, 기판 W의 특성의 변동을 더 낮게 억제할 수 있다.
[실험 결과]
여기서, 본 실시 형태의 PVD 장치(20)에 의해 성막된 제1 하드 마스크(13)를 포함하는 기판 W(도 4 참조)에 대하여, 도 1에 예시된 처리를 행한 실험 결과에 대하여 설명한다. 스텝 S13에서는, 스텝 S12에 있어서 패터닝된 레지스트막(15)을 마스크로 하여 제2 하드 마스크(14)가 에칭되고, 제2 하드 마스크(14)에 CD(Critical Dimension)가 22nm의 홀이 형성되었다. 그리고, 홀이 형성된 제2 하드 마스크(14)를 마스크로 하여 제1 하드 마스크(13)가 에칭되었다. 제1 하드 마스크(13)는, 실리콘 산화막, 또는, 실리콘 질화막 등의 실리콘을 포함하는 임의의 재료로 형성된 단일의 막일 수 있다. 제1 하드 마스크(13)의 에칭은, 이하의 조건에서 행하여졌다.
압력: 10mTorr
RF(Radio Frequency) 전력: 상부 전극/하부 전극=200W/300W
에칭 가스: Cl2/O2/N2/Ar
에칭 후의 제1 하드 마스크(13)의 LCDU는, 아몰퍼스 실리콘(텅스텐 농도 0at.％)과 동등한 값이 얻어졌다.
스텝 S14에서는, 제1 하드 마스크(13)를 마스크로 하여, 플라스마 에칭에 의해 실리콘 함유막(11)이 에칭된다. 실리콘 함유막(11)의 에칭은, 이하의 조건에서 행하여졌다.
압력: 10mTorr
RF 전력: 상부 전극/하부 전극=1500W/10000W
에칭 가스: NF3/C4F6/C4F8/O2
실리콘 함유막(11)의 에칭 시에 제1 하드 마스크(13)도 에칭되기 때문에, 실리콘 함유막(11)의 에칭막 두께와 제1 하드 마스크(13)의 에칭막 두께를 비로 하고, 선택비를 계산하였다. 텅스텐 농도 60at.％의 경우에 있어서는, 아몰퍼스 실리콘(텅스텐 농도 0at.％)보다도 2배 이상의 고선택비가 얻어졌다. 선택비가 높아지면, 예를 들어 아몰퍼스 실리콘이 600nm의 막 두께인 경우, 텅스텐 실리콘을 제1 하드 마스크(13)에 사용함으로써, 400nm까지 얇게 할 수 있다. 일반적으로 하드 마스크 막 두께가 얇아지면, 에칭 시의 이온을 수직으로 인입할 수 있기 때문에, 애스펙트비가 높은 홀 등의 비틀림(Twisting)을 억제할 수 있다.
이상, 본 개시의 일 실시 형태에 대하여 설명하였다. 본 실시 형태에 있어서의 PVD 장치(20)는, 챔버(21)와, 복수의 스테이지와, 복수의 타깃과, 보유 지지부와, 전력 공급 기구를 구비한다. 복수의 스테이지는, 챔버(21) 내에 마련되고, 각각에 기판 W가 하나씩 적재된다. 복수의 타깃은, 챔버(21) 내의 공간에 폭로되어 있고, 하나의 스테이지에 대하여 적어도 하나 마련되어 있다. 보유 지지부는, 타깃을 보유 지지한다. 전력 공급 기구는, 보유 지지부를 통해 타깃에 전력을 공급한다. 가스 공급 기구는, 챔버(21) 내에 가스를 공급한다. 가스 공급 기구는, 챔버(21) 내의 가스를 배기한다. 이에 의해, 복수의 기판 W에 대한 성막 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기한 실시 형태에 있어서의 PVD 장치(20)는, 복수의 자석과, 구동 기구를 구비한다. 복수의 자석은, 타깃이 마련되어 있는 타깃 보유 지지부의 면의 이면측에 마련되고, 하나의 타깃에 대하여 하나 마련되어 있다. 구동 기구는, 복수의 자석을, 타깃이 마련되어 있는 타깃 보유 지지부의 면의 이면을 따라 이동시킨다. 이에 의해, 자석에서 발생하는 자계가 타깃에 국소적으로 집중하는 것을 억제할 수 있고, 타깃에 국소적으로 플라스마가 집중하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기한 실시 형태에 있어서의 PVD 장치(20)에서는, 복수의 스테이지가, 자석의 이동 방향을 따라서 나란하게 배치되어 있다. 또한, 타깃 보유 지지부는, 자석의 이동 방향을 따라서 복수의 타깃이 나열되도록 복수의 타깃을 보유 지지하고 있다. 구동 기구는, 가이드와, 복수의 자석 보유 지지부와, 구동부를 갖는다. 가이드는, 자석의 이동 방향을 따라서 연장되어 있다. 복수의 자석 보유 지지부는, 자석을 보유 지지하고, 가이드를 따라서 이동한다. 구동부는, 복수의 자석 보유 지지부를 가이드를 따라서 왕복 이동시킨다. 이에 의해, 하나의 가이드 및 하나의 구동부에 의해, 복수의 자석을 왕복 이동시킬 수 있다.
또한, 상기한 실시 형태에 있어서의 PVD 장치(20)는, 챔버(21) 내에 마련된 실드(21a) 및 실드(21b)를 구비한다. 실드(21a) 및 실드(21b)는, 스테이지(23a) 및 스테이지(23a)에 대응하여 마련된 제1 타깃 사이의 처리 공간(22a)과, 스테이지(23b) 및 스테이지(23b)에 대응하여 마련된 제2 타깃 사이의 처리 공간(22b)을 나누고 있다. 이에 의해, 하나의 챔버(21) 내에서, 각각의 기판 W에 개별로 미리 정해진 조건에서 성막을 행할 수 있다.
또한, 상기한 실시 형태에 있어서의 PVD 장치(20)에서는, 하나의 스테이지(23a)에 대하여 2개의 타깃(26a) 및 타깃(27a)이 마련되어 있다. 또한, 타깃(26a) 및 타깃(27a)의 한쪽에는, 타깃(26a) 및 타깃(27a)의 다른 쪽에는 포함되어 있지 않은 구성 물질이 포함되어 있다. 이에 의해, 다른 물질이 혼합된 막을 기판 W에 형성할 수 있다.
[기타]
또한, 본원에 개시된 기술은, 상기한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지의 범위 내에서 수많은 변형이 가능하다.
예를 들어, 상기한 실시 형태의 PVD 장치(20)에서는, 타깃 보유 지지부(24a)를 통해 전력 공급부(200a)로부터 타깃(26a)에 전력이 공급되고, 타깃 보유 지지부(24b)를 통해 전력 공급부(200b)로부터 타깃(26b)에 전력이 공급된다. 또한, 상기한 실시 형태의 PVD 장치(20)에서는, 타깃 보유 지지부(25a)를 통해 전력 공급부(201a)로부터 타깃(27a)에 전력이 공급되고, 타깃 보유 지지부(25b)를 통해 전력 공급부(201b)로부터 타깃(27b)에 전력이 공급된다. 그러나, 개시의 기술은 이것에 한정되지는 않는다. 다른 형태로서, 예를 들어 도 12에 도시되는 바와 같이, 타깃(26a) 및 타깃(26b)은, 하나의 타깃 보유 지지부(24)에 보유 지지되어도 되고, 타깃(27a) 및 타깃(27b)은, 하나의 타깃 보유 지지부(25)에 보유 지지되어도 된다. 도 12의 예에서는, 타깃 보유 지지부(24) 및 타깃 보유 지지부(25)는, 복수의 스테이지(23a) 및 스테이지(23b)의 배열 방향을 따라서 연장되어 있다. 그리고, 전력 공급부(200)는, 배선(202) 및 타깃 보유 지지부(24)를 통해, 타깃(26a) 및 타깃(26b)에 전력을 공급해도 된다. 또한, 전력 공급부(201)는, 배선(203) 및 타깃 보유 지지부(25)를 통해, 타깃(27a) 및 타깃(27b)에 전력을 공급해도 된다. 이에 의해, 전력 공급부(200), 전력 공급부(201), 배선(202) 및 배선(203)의 수를 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 전력 공급부(200) 및 전력 공급부(201)로부터 출력되는 전력의 크기 등의 오차 및 배선(202) 및 배선(203)의 저항값 등의 오차에 기인하는 성막 특성의 변동을 억제할 수 있다.
또한, 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
G: 게이트 밸브
W: 기판
10: 베이스 부재
11: 실리콘 함유막
12: 하드 마스크
13: 제1 하드 마스크
14: 제2 하드 마스크
15: 레지스트막
16: 홀 등
17: 홀 등
100: PVD 시스템
101: 진공 반송 장치
102: 로드 로크 장치
102a: 스테이지
103: 대기 반송 장치
104: 로드 포트
120: 제어 장치
20: PVD 장치
21: 챔버
21a: 실드
21b: 실드
22: 처리 공간
23: 스테이지
24: 타깃 보유 지지부
25: 타깃 보유 지지부
26: 타깃
27: 타깃
28: 배관
200: 전력 공급부
201: 전력 공급부
202: 배선
203: 배선
210: 자석 보유 지지부
211: 나사축
212: 자석
213: 자석 보유 지지부
214: 나사축
215: 자석
218: 고정 부재
220: 구동부
221: 지지부
230: 배기 장치
231: APC 밸브
232: 배기구
240: 모터
241: 모터
W: 기판
10: 베이스 부재
11: 실리콘 함유막
12: 하드 마스크
13: 제1 하드 마스크
14: 제2 하드 마스크
15: 레지스트막
16: 홀 등
17: 홀 등
100: PVD 시스템
101: 진공 반송 장치
102: 로드 로크 장치
102a: 스테이지
103: 대기 반송 장치
104: 로드 포트
120: 제어 장치
20: PVD 장치
21: 챔버
21a: 실드
21b: 실드
22: 처리 공간
23: 스테이지
24: 타깃 보유 지지부
25: 타깃 보유 지지부
26: 타깃
27: 타깃
28: 배관
200: 전력 공급부
201: 전력 공급부
202: 배선
203: 배선
210: 자석 보유 지지부
211: 나사축
212: 자석
213: 자석 보유 지지부
214: 나사축
215: 자석
218: 고정 부재
220: 구동부
221: 지지부
230: 배기 장치
231: APC 밸브
232: 배기구
240: 모터
241: 모터
Claims (4)
- 챔버와,
상기 챔버 내에 마련되어, 각각 상면에 기판을 적어도 하나 올려놓는 것이 가능한 복수의 스테이지와,
상기 챔버 내의 공간에 폭로되는 타깃이며, 하나의 상기 스테이지에 대하여 적어도 하나 마련되는 타깃을 보유 지지 가능한 제1 타깃 보유 지지부와,
상기 제1 타깃 보유 지지부를 통해 상기 타깃에 전력을 공급하는 전력 공급 기구와,
상기 챔버 내에 마련되고, 일부가, 복수의 상기 스테이지 중 제1 스테이지와 제2 스테이지 사이, 및 상기 제1 스테이지 상의 제1 처리 공간과 상기 제2 스테이지 상의 제2 처리 공간 사이에 배치되어 있는 실드를
구비하는 PVD 장치. - 챔버와,
상기 챔버 내에 마련되어, 각각 상면에 기판을 적어도 하나 올려놓는 것이 가능한 복수의 스테이지와,
상기 챔버 내의 공간에 폭로되는 타깃이며, 하나의 상기 스테이지에 대하여 적어도 하나 마련되는 타깃을 보유 지지 가능한 제1 타깃 보유 지지부와,
상기 제1 타깃 보유 지지부를 통해 상기 타깃에 전력을 공급하는 전력 공급 기구와,
상기 타깃이 마련되는 상기 제1 타깃 보유 지지부의 면의 이면측에 마련되고, 하나의 타깃에 대하여 적어도 하나 마련된 복수의 자석과,
복수의 상기 자석을, 상기 이면을 따라 이동시키는 구동 기구를
구비하고,
복수의 상기 스테이지는, 상기 자석의 이동 방향을 따라서 나란하게 배치되어 있고,
상기 제1 타깃 보유 지지부는, 상기 이동 방향을 따라서 복수의 상기 타깃이 나열되도록 복수의 상기 타깃을 보유 지지 가능하고,
상기 구동 기구는,
상기 이동 방향을 따라서 연장되는 가이드와,
상기 자석을 보유 지지하고, 상기 가이드를 따라서 이동하는 복수의 자석 보유 지지부와,
복수의 상기 자석 보유 지지부를 상기 가이드를 따라서 왕복 이동시키는 구동부를
갖는 PVD 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 타깃 보유 지지부는, 복수의 상기 스테이지의 배열 방향을 따라서 연장되고, 복수의 상기 타깃을 보유 지지 가능하고,
상기 전력 공급 기구는, 상기 제1 타깃 보유 지지부에 전력을 공급함으로써, 상기 제1 타깃 보유 지지부를 통해 복수의 상기 타깃의 각각에 전력을 공급 가능한 PVD 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 하나의 상기 스테이지에 대하여 상기 제1 타깃 보유 지지부와는 다른 각도로 상기 타깃을 보유 지지 가능한 제2 타깃 보유 지지부를 구비하는 PVD 장치.
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|---|---|---|---|
| US202063017787P | 2020-04-30 | 2020-04-30 | |
| US63/017,787 | 2020-04-30 | ||
| US202063024153P | 2020-05-13 | 2020-05-13 | |
| US63/024,153 | 2020-05-13 | ||
| PCT/JP2021/015661 WO2021220839A1 (ja) | 2020-04-30 | 2021-04-16 | Ｐｖｄ装置 |
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Citations (1)
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