CN115461489A - Pvd装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及PVD装置。PVD装置具备：腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶，该靶暴露在腔室内的空间，并针对一个载置台设置至少一个。电力供给机构经由第一靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置于腔室内，一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。

Description

PVD装置
技术领域
本公开的各种方面以及实施方式涉及PVD装置。
背景技术
在下述的专利文献1中公开了通过物理气相沉积(PVD)使靶材料的构成物质层叠在基板上的PVD装置。
专利文献1：日本特表2018-537849号公报
发明内容
本公开提供一种PVD装置，能够提高对多个基板的成膜处理的生产率。
本公开的一方面是PVD装置，具备：腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶，该靶暴露在腔室内的空间，与一个载置台对置地设置至少一个靶。电力供给机构经由靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置在腔室内，屏蔽件的一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。
根据本公开的各个方面以及实施方式，能够提高对多个基板的成膜处理的生产率。
附图说明
图1是表示本公开的一个实施方式中的半导体装置的制造方法的一个例子的流程图。
图2是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图3是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图4是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图5是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图6是表示基板的加工过程的一个例子的示意图。
图7是表示本公开的一个实施方式中的PVD系统的一个例子的系统结构图。
图8是表示本公开的一个实施方式中的PVD装置的一个例子的简要俯视图。
图9是表示图8所例示的PVD装置的A-A截面的一个例子的简要剖视图。
图10是表示图8所例示的PVD装置的B-B截面的一个例子的简要剖视图。
图11是用于说明多个靶和多个载置台的位置关系的一个例子的示意图。
图12是用于说明多个靶和多个载置台的位置关系的其它例子的示意图。
具体实施方式
以下，基于附图对所公开的PVD装置的实施方式进行详细说明。此外，并不是通过以下的实施方式来限定所公开的PVD装置。
然而，在现有的PVD装置中，在腔室内收容一个基板，对所收容的一个基板进行成膜。因此，难以提高对多个基板的成膜处理的生产率。
因此，本公开提供能够提高对多个基板的成膜处理的生产率的技术。
[半导体装置的制造方法]
图1是表示本公开的一个实施方式中的半导体装置的制造方法的一个例子的流程图。在本实施方式中，通过对基板W进行加工来制造半导体装置。在以下，参照图2～图6对基板W的加工步骤进行说明。
首先，准备成为被加工物的基板W(S10)。例如如图2所示，在步骤S10中准备的基板W具有基座部件10和层叠在基座部件10上的含硅膜11。基座部件10例如是硅。含硅膜11可以是由单晶硅膜、多晶硅膜、氧化硅膜或者氮化硅膜等包含硅的任意材料形成的单一的膜。另外，含硅膜11可以是将从单晶硅膜、多晶硅膜、氧化硅膜以及氮化硅膜中选择的两种以上的膜层叠而成的多层膜。此外，基板W也可以是在基座部件10与含硅膜11之间设置有其它层或构造体的结构。
接下来，在基板W上对硬掩模进行成膜(S11)。由此，例如如图3所示，在含硅膜11上形成硬掩模12。硬掩模12包含第一硬掩模13以及第二硬掩模14。第一硬掩模13是用于在含硅膜11形成预先决定的形状的孔或者沟槽(以下，记载为孔等)的掩模。在第一硬掩模13中例如包含钨以及硅。另外，第一硬掩模13例如是非晶状态的膜。
此处，在利用等离子蚀刻在含硅膜11形成预先决定的形状的孔等的情况下，大多使用含氟气体。在通过化学气相沉积(CVD)法形成第一硬掩模13的情况下，第一硬掩模13中的硅化钨的组成是WSi2。这样的组成的硅化钨的膜包含金属晶体。包含金属晶体的膜在晶界对等离子蚀刻的耐性较低，在存在晶界的部分被迅速蚀刻。
与此相对，本实施方式的第一硬掩模13是实质上不具有晶界的非晶状态的膜。因此，本实施方式的第一硬掩模13对等离子蚀刻具有较高的耐性。由此，在含硅膜11的等离子蚀刻中，能够提高孔等的LCDU(Local Critical Dimension Uniformity：局部临界尺寸均匀性)以及孔的真圆率。
第二硬掩模14是用于在第一硬掩模13上形成预先决定的形状的孔等的掩模。在本实施方式中，第二硬掩模14例如是在使用TEOS(Tetra EthOxy Silane：正硅酸乙酯)成膜的氧化硅膜上层叠含碳膜，在含碳膜上层叠SiON膜的构造。
接下来，在硬掩模12上层叠抗蚀剂膜15，例如如图4所示，将抗蚀剂膜15图案化为预先决定的形状(S12)。
接下来，将图案化为预先决定的形状的抗蚀剂膜15作为掩模，对硬掩模12进行蚀刻(S13)。由此，例如如图5所示，在第一硬掩模13形成与抗蚀剂膜15的开口对应的孔等16。
接下来，将形成有孔等16的第一硬掩模13作为掩模，对第一硬掩模13的下层的含硅膜11进行蚀刻(S14)。由此，例如如图6所示，在含硅膜11形成与第一硬掩模13的孔等16对应的孔等17。然后，结束图1的流程图所例示的半导体装置的制造方法。
[PVD系统100的结构]
第一硬掩模13由例如图7所示的PVD系统100形成。图7是表示本公开的一个实施方式中的PVD系统100的一个例子的系统结构图。在图7中，为了便于说明，描绘成能够看见一部分装置中的部件。
PVD系统100具备：真空搬送装置101、多个负载锁定装置102、大气搬送装置103、多个负载端口104以及多个PVD装置20。PVD系统100是多腔室类型的真空处理系统。真空搬送装置101内由未图示的真空泵排气而保持为预先决定的真空度。在真空搬送装置101内设置有机械臂等搬送装置。在真空搬送装置101的侧壁经由闸阀G1连接有多个PVD装置20。此外，在图7的例子中，在真空搬送装置101连接有三个PVD装置20，但与真空搬送装置101连接的PVD装置20的数量可以比三个少，也可以比三个多。
各个PVD装置20对作为被加工物的基板W通过溅射进行第一硬掩模13的成膜。在各个PVD装置20内设置有多个载置一个基板W的载置台23。此外，在图7的例子中，在各个PVD装置20内设置有两个载置台23，但设置于PVD装置20内的载置台23的数量也可以比两个多。
在真空搬送装置101的其它侧壁经由闸阀G2连接有多个负载锁定装置102。在图7的例子中，在真空搬送装置101连接有两个负载锁定装置102，但与真空搬送装置101连接的负载锁定装置102的数量可以比两个少，也可以比两个多。
在各个负载锁定装置102内设置有载置基板W的载置台102a。在各个负载锁定装置102的一个侧壁经由闸阀G2连接有真空搬送装置101，在另一个侧壁经由闸阀G3连接有大气搬送装置103。在与设置有闸阀G3的大气搬送装置103的侧壁相反侧的大气搬送装置103的侧壁设置有多个负载端口104。在各个负载端口104连接有能够收容多个基板W的FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)等容器。在大气搬送装置103内设置有机械臂等搬送装置。此外，在大气搬送装置103也可以设置变更基板W的方向的对准器装置等。
控制装置120具有：存储器、处理器以及输入输出接口。在存储器内储存配方等数据、程序等。存储器例如是RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read OnlyMemory：只读存储器)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)或者SSD(Solid State Drive：固态驱动器)等。处理器通过执行从存储器读出的程序，从而基于储存于存储器内的配方等数据，经由输入输出接口控制PVD系统100的各部。处理器是CPU(Central ProcessingUnit：中央处理器)或者DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)等。
例如，控制装置120控制大气搬送装置103内的搬送装置，以从与负载端口104连接的容器取出基板W并搬送至负载锁定装置102内。而且，控制装置120控制真空搬送装置101内的搬送装置，以从负载锁定装置102取出基板W并载置于PVD装置20内的载置台23。而且，控制装置120控制PVD装置20，以在载置于载置台23的基板W对第一硬掩模13进行成膜。由此，在基板W形成第一硬掩模13。
[PVD装置20的构造]
接下来，使用图8～图11对PVD装置20的详细的构造进行说明。图8是表示本公开的一个实施方式中的PVD装置20的一个例子的简要俯视图。在图8中，为了便于说明，用虚线描绘PVD装置20中的一部分部件。图9是表示图8所例示的PVD装置20的A-A截面的一个例子的简要剖视图。图10是表示图8所例示的PVD装置20的B-B截面的一个例子的简要剖视图。图11是用于说明多个靶和多个载置台的位置关系的一个例子的示意图。
PVD装置20具有例如由铝等导电性的部件形成的腔室21。腔室21接地。在腔室21的侧壁形成有用于供基板W通过的多个开口，各个开口通过闸阀G1进行开闭。
腔室21内的空间通过屏蔽件21a以及屏蔽件21b被分为两个处理空间22a以及处理空间22b。即，被屏蔽件21a包围的腔室21内的空间是处理空间22a，被屏蔽件21b包围的腔室21内的空间是处理空间22b。处理空间22a是第一处理空间的一个例子，处理空间22b是第二处理空间的一个例子。此外，在本实施方式中，PVD装置20内的空间被分为两个处理空间22a以及处理空间22b，但作为其它方式，PVD装置20内的空间也可以通过屏蔽件被分为多于两个的处理空间。
例如如图9所示，在处理空间22a内设置有载置基板W的载置台23a。另外，例如如图10所示，在处理空间22b内设置有载置基板W的载置台23b。载置台23a是第一载置台的一个例子，载置台23b是第二载置台的一个例子。载置台23a以及载置台23b也可以具有保持基板W的静电吸盘。另外，载置台23a以及载置台23b也可以具有加热器等温度调整机构。
例如如图10所示，屏蔽件21a的一部分以及屏蔽件21b的一部分配置在载置台23a与载置台23b之间。即，例如如图10所示，屏蔽件21a的一部分配置在比载置台23a的上表面的位置(图10的虚线的位置)更靠支承部221a侧。同样地，屏蔽件21b的一部分配置在比载置台23b的上表面的位置(图10的虚线的位置)更靠支承部221b侧。另外，屏蔽件21a的一部分以及屏蔽件21b的一部分配置在载置台23a上的处理空间22a与载置台23b上的处理空间22b之间。
例如如图9以及图10所示，载置台23a由从载置台23a的正下方贯通腔室21的底部并延伸至腔室21的外部的大致圆筒状的支承部221a支承。在支承部221a与腔室21的底部之间配置有磁性流体密封件等密封材料。驱动部220a通过使支承部221a上下移动，能够调整载置台23a的高度。另外，驱动部220a能够以载置台23a的中心轴X为中心使支承部221a旋转。通过支承部221a旋转，从而载置台23a以载置台23a的中心轴X为中心旋转。
例如如图10所示，载置台23b由从载置台23b的正下方贯通腔室21的底部并延伸至腔室21的外部的大致圆筒状的支承部221b支承。在支承部221b与腔室21的底部之间配置有磁性流体密封件等密封材料。驱动部220b通过使支承部221b上下移动，能够调整载置台23b的高度。另外，驱动部220b能够以载置台23b的中心轴为中心使支承部221b旋转。通过支承部221b旋转，从而载置台23b以载置台23b的中心轴为中心旋转。
例如如图9所示，在载置台23a的上方设置有由导电性的部件形成的靶保持部24a以及靶保持部25a。靶保持部24a以及靶保持部25a通过由绝缘体形成的固定部件218被固定于腔室21的顶部。靶保持部24a保持靶26a。靶保持部25a保持靶27a。例如如图9所示，靶保持部24a以及靶保持部25a以隔着通过载置台23a的中心轴X的平面相互对置的方式保持靶26a以及靶27a。靶26a以及靶27a是第一靶的一个例子。例如如图9所示，靶保持部24a以靶26a的面成为随着远离载置台23a而接近中心轴X的倾斜的方式保持靶26a。例如如图9所示，靶保持部25a以靶27a的面成为随着远离载置台23a而接近中心轴X的倾斜的方式保持靶27a。
在本实施方式中，靶26a以及靶27a的一方是包含硅的靶，另一方是包含钨的靶。此外，也可以靶26a以及靶27a的一方是包含硅及钨的靶，另一方是包含钨的靶。另外，靶26a以及靶27a的至少任意一方也可以包含碳。
虽然图示省略，但在载置台23b的上方设置有由导电性的部件形成的靶保持部24b以及靶保持部25b。靶保持部24b以及靶保持部25b通过由绝缘体形成的固定部件被固定于腔室21的顶部。靶保持部24b保持靶26b。靶保持部25b保持靶27b。靶保持部24b以及靶保持部25b以隔着通过载置台23b的中心轴的平面相互对置的方式保持靶26b以及靶27b。靶26b以及靶27b是第二靶的一个例子。靶保持部24b以靶26b的面成为随着远离载置台23b而接近载置台23b的中心轴的倾斜的方式保持靶26b。靶保持部25b以靶27b的面成为随着远离载置台23b而接近载置台23b的中心轴的倾斜的方式保持靶27b。
在本实施方式中，靶26b以及靶27b的一方是包含硅的靶，另一方是包含钨的靶。此外，也可以靶26b以及靶27b的一方是包含硅及钨的靶，另一方是包含钨的靶。另外，靶26b以及靶27b的至少任意一方也可以包含碳。
例如如图9以及图11所示，在靶保持部24a经由布线202a连接有电力供给部200a。电力供给部200a将直流或者交流的电力经由布线202a以及靶保持部24a供给到靶26a。在靶保持部25a经由布线203a连接有电力供给部201a。电力供给部201a将直流或者交流的电力经由布线203a以及靶保持部25a供给到靶27a。电力供给部200a以及布线203a是电力供给机构的一个例子。
另外，例如如图11所示，在靶保持部24b经由布线202b连接有电力供给部200b。电力供给部200b将直流或者交流的电力经由布线202b以及靶保持部24b供给到靶26b。在靶保持部25b经由布线203b连接有电力供给部201b。电力供给部201b将直流或者交流的电力经由布线203b以及靶保持部25b供给到靶27b。电力供给部200b以及布线203b是电力供给机构的一个例子。
例如如图9所示，在设置有靶26a的靶保持部24a的面的背面侧设置有磁铁212a。磁铁212a由磁铁保持部210a保持。螺杆轴211贯通磁铁保持部210a。磁铁保持部210a沿着螺杆轴211往复移动。例如如图11所示，螺杆轴211沿着靶26a配置。螺杆轴211是引导件的一个例子。马达240使螺杆轴211旋转。马达240是驱动部的一个例子。通过螺杆轴211旋转，从而磁铁保持部210a沿着螺杆轴211移动。磁铁保持部210a沿着螺杆轴211移动，从而由磁铁保持部210a保持的磁铁212a沿着靶26a移动。由此，能够抑制从磁铁212a产生的磁场局部集中在靶26a，能够抑制等离子体局部集中在靶26a。磁铁保持部210a、螺杆轴211以及马达240是驱动机构的一个例子。
例如如图9所示，在设置有靶27a的靶保持部25a的面的背面侧设置有磁铁215a。磁铁215a由磁铁保持部213a保持。螺杆轴214贯通磁铁保持部213a。磁铁保持部213a沿着螺杆轴214往复移动。如图9以及图11所示，螺杆轴214例如沿着靶27a配置。螺杆轴214是引导件的一个例子。马达241使螺杆轴214旋转。马达241是驱动部的一个例子。通过螺杆轴214旋转，从而磁铁保持部213a沿着螺杆轴214移动。磁铁保持部213a沿着螺杆轴214移动，从而由磁铁保持部213a保持的磁铁215a沿着靶27a移动。由此，能够抑制从磁铁215a产生的磁场局部集中在靶27a，能够抑制等离子体局部集中在靶27a。磁铁保持部213a、螺杆轴214以及马达241是驱动机构的一个例子。
虽然图示省略，但在设置有靶26b的靶保持部24b的面的背面侧设置有磁铁212b。磁铁212b由磁铁保持部210b保持。螺杆轴211贯通磁铁保持部210b。磁铁保持部210b沿着螺杆轴211往复移动。例如如图11所示，螺杆轴211沿着靶26b配置。马达240使螺杆轴211旋转，从而磁铁保持部210b沿着螺杆轴211移动。磁铁保持部210b沿着螺杆轴211移动，从而由磁铁保持部210b保持的磁铁212b沿着靶26b移动。由此，能够抑制从磁铁212b产生的磁场局部集中在靶26b，能够抑制等离子体局部集中在靶26b。磁铁保持部210b、螺杆轴211以及马达240是驱动机构的一个例子。
例如如图11所示，在设置有靶27b的靶保持部25b的面的背面侧设置有磁铁215b。磁铁215b由磁铁保持部213b保持。螺杆轴214贯通磁铁保持部213b。磁铁保持部213b沿着螺杆轴214往复移动。例如如图11所示，螺杆轴214沿着靶27b配置。马达241使螺杆轴214旋转，从而磁铁保持部213b沿着螺杆轴214移动。磁铁保持部213b沿着螺杆轴214移动，从而由磁铁保持部213b保持的磁铁215b沿着靶27b移动。由此，能够抑制从磁铁215b产生的磁场局部集中在靶27b，能够抑制等离子体局部集中在靶27b。磁铁保持部213b、螺杆轴214以及马达241是驱动机构的一个例子。
另外，例如如图11所示，螺杆轴211贯通磁铁保持部210a以及磁铁保持部210b。通过马达240旋转，从而保持磁铁212a的磁铁保持部210a以及保持磁铁212b的磁铁保持部210b沿着螺杆轴211移动。由此，能够通过一个螺杆轴214以及一个马达241使多个磁铁往复移动。同样地，螺杆轴214贯通磁铁保持部213a以及磁铁保持部213b。通过马达241旋转，从而保持磁铁215a的磁铁保持部213a以及保持磁铁215b的磁铁保持部213b沿着螺杆轴214移动。由此，能够通过一个螺杆轴214以及一个马达241使多个磁铁往复移动。
在腔室21连接有配管28。在配管28连接有未图示的气体供给部。气体供给部经由配管28向腔室21内的处理空间22a以及处理空间22b供给稀有气体、氮气等惰性气体。配管28以及气体供给部是气体供给机构的一个例子。
另外，例如如图8以及图10所示，在腔室21的底部形成有排气口232。在排气口232经由APC(Automatic Pressure Control：压力自动控制)阀231连接有排气装置230。排气装置230包括干式泵以及涡轮分子泵等减压泵。排气装置230以及APC阀231是排气机构的一个例子。
在本实施方式的PVD装置20中，在设置有分别各配置一个基板W的处理空间22a以及处理空间22b的腔室21内，从配管28供给气体，从排气口232排出气体。即，在具有处理空间22a以及处理空间22b的腔室21内，共同设置一个供给气体的配管28和排出气体的排气口232。由此，能够使处理空间22a以及处理空间22b内的压力差更少。由此，能够将在处理空间22a以及处理空间22b的每个空间中成膜的基板W的特性的偏差抑制得较低。
在这样的结构的PVD装置20中，例如按照以下的步骤在基板W对第一硬掩模13进行成膜。首先，打开两个闸阀G1，向腔室21内搬入两个基板W，在载置台23a以及载置台23b各载置一个基板W。而且，通过驱动部220a以及驱动部220b分别调整载置台23a以及载置台23b的高度。而且，驱动部220a以及驱动部220b分别开始载置台23a以及载置台23b的旋转。
接下来，经由配管28从气体供给部向腔室21内开始供给惰性气体，通过排气装置230开始腔室21内的气体的排气。而且，通过APC阀231调整腔室21内的压力。
接下来，从电力供给部200a向靶26a、从电力供给部201a向靶27a、从电力供给部200b向靶26b、从电力供给部201b向靶27b分别开始供给电力。由此，在处理空间22a内以及处理空间22b内分别产生等离子体。而且，等离子体中的离子与靶26a、靶26b、靶27a以及靶27b碰撞，从而从靶26a、靶26b、靶27a以及靶27b释放每个构成物质。而且，释放出的构成物质在基板W上沉积，从而在基板W上形成第一硬掩模13。
而且，通过马达240使螺杆轴211在正转方向以及反转方向上旋转，从而磁铁212a以及磁铁212b沿着螺杆轴211开始往复移动。另外，通过马达241使螺杆轴214在正转方向以及反转方向上旋转，从而磁铁215a以及磁铁215b沿着螺杆轴214开始往复移动。由此，缓和向靶26a、靶26b、靶27a以及靶27b的局部的等离子体的集中。
此外，在处理空间22a中，在仅使靶26a以及靶27a中的任意一方的构成物质沉积在基板W上的情况下，也可以仅向靶26a以及靶27a中的任意一方供给电力。同样地，在仅使靶26b以及靶27b中的任意一方的构成物质沉积在基板W上的情况下，也可以仅向靶26b以及靶27b中的任意一方供给电力。该情况下，马达仅使配置在被供给电力的靶的附近的磁铁往复移动。
这样，在本实施方式的PVD装置20中，能够对两个基板W进行成膜，因此与对一个基板W进行成膜的单片型的PVD装置相比，能够提高对多个基板W的成膜处理的生产率。另外，在本实施方式的PVD装置20中，能够对两个基板W并行进行成膜。因此，与对一个基板W进行成膜的单片型的PVD装置相比，能够将对多个基板W进行成膜处理的情况下的基板W的特性的偏差抑制得较低。此外，在本实施方式的PVD装置20中，对两个基板W进行成膜，但公开的技术并不限于此，也可以对多于两个的数量的基板W进行成膜。由此，能够进一步提高对多个基板W的成膜处理的生产率，并且能够将基板W的特性的偏差进一步抑制得较低。
[实验结果]
此处，说明对包括由本实施方式的PVD装置20形成的第一硬掩模13的基板W(参照图4)进行图1所例示的处理的实验结果。在步骤S13中，将在步骤S12中进行了图案化的抗蚀剂膜15作为掩模对第二硬掩模14进行蚀刻，在第二硬掩模14形成CD(Critical Dimension：临界尺寸)为22nm的孔。然后，将形成有孔的第二硬掩模14作为掩模对第一硬掩模13进行蚀刻。第一硬掩模13可以是由氧化硅膜或者氮化硅膜等包含硅的任意材料形成的单一的膜。在以下的条件下进行第一硬掩模13的蚀刻。
压力：10mTorr
RF(Radio Frequency：射频)功率：上部电极/下部电极＝200W/300W
蚀刻气体：Cl2/O2/N2/Ar
蚀刻后的第一硬掩模13的LCDU得到与非晶硅(钨浓度0at.％)相同的值。
在步骤S14中，将第一硬掩模13作为掩模，通过等离子蚀刻对含硅膜11进行蚀刻。在以下的条件下进行含硅膜11的蚀刻。
压力：10mTorr
RF功率：上部电极/下部电极＝1500W/10000W
蚀刻气体：NF3/C4F6/C4F8/O2
在蚀刻含硅膜11时，第一硬掩模13也被蚀刻，因此使含硅膜11的蚀刻膜厚和第一硬掩模13的蚀刻膜厚成比例，计算出选择比。在钨浓度60at.％的情况下，与非晶硅(钨浓度0at.％)相比得到2倍以上的高选择比。若选择比变高，则例如在非晶硅为600nm的膜厚的情况下，将钨硅用于第一硬掩模13，从而能够变薄至400nm。一般而言，若硬掩模膜厚变薄，则能够垂直引入蚀刻时的离子，因此能够抑制纵横比较高的孔等的扭曲(Twisting)。
以上，对本公开的一个实施方式进行了说明。本实施方式中的PVD装置20具备：腔室21、多个载置台、多个靶、保持部以及电力供给机构。多个载置台设置在腔室21内，在每个载置台上各载置一个基板W。多个靶暴露在腔室21内的空间，针对一个载置台设置至少一个靶。保持部保持靶。电力供给机构经由保持部向靶供给电力。气体供给机构向腔室21内供给气体。气体供给机构排出腔室21内的气体。由此，能够提高对多个基板W的成膜处理的生产率。
另外，上述的实施方式中的PVD装置20具备多个磁铁和驱动机构。多个磁铁设置在设置有靶的靶保持部的面的背面侧，针对一个靶设置一个。驱动机构使多个磁铁沿着设置有靶的靶保持部的面的背面移动。由此，能够抑制从磁铁产生的磁场局部集中在靶，能够抑制等离子体局部集中在靶。
另外，在上述的实施方式中的PVD装置20中，沿着磁铁的移动方向排列配置多个载置台。另外，靶保持部以多个靶沿着磁铁的移动方向排列的方式保持多个靶。驱动机构具有：引导件、多个磁铁保持部以及驱动部。引导件沿着磁铁的移动方向延伸。多个磁铁保持部保持磁铁，沿着引导件移动。驱动部使多个磁铁保持部沿着引导件往复移动。由此，能够通过一个引导件以及一个驱动部使多个磁铁往复移动。
另外，上述的实施方式中的PVD装置20具备设置在腔室21内的屏蔽件21a以及屏蔽件21b。屏蔽件21a以及屏蔽件21b区分载置台23a以及与载置台23a对应而设置的第一靶之间的处理空间22a、和载置台23b以及与载置台23b对应而设置的第二靶之间的处理空间22b。由此，能够在一个腔室21内对各个基板W个别地在预先决定的条件下进行成膜。
另外，在上述的实施方式中的PVD装置20中，对一个载置台23a设置有两个靶26a以及靶27a。另外，在靶26a以及靶27a的一方包含靶26a以及靶27a的另一方中没有包含的构成物质。由此，能够将混合有不同的物质的膜形成于基板W。
[其它]
此外，本申请所公开的技术并不限定于上述的实施方式，能够在其主旨的范围内进行各种变形。
例如，在上述的实施方式的PVD装置20中，经由靶保持部24a从电力供给部200a向靶26a供给电力，经由靶保持部24b从电力供给部200b向靶26b供给电力。另外，在上述的实施方式的PVD装置20中，经由靶保持部25a从电力供给部201a向靶27a供给电力，经由靶保持部25b从电力供给部201b向靶27b供给电力。但是，公开的技术并不限于此。作为其它方式，例如如图12所示，靶26a以及靶26b也可以保持于一个靶保持部24，靶27a以及靶27b也可以保持于一个靶保持部25。在图12的例子中，靶保持部24以及靶保持部25沿着多个载置台23a以及载置台23b的排列方向延伸。而且，电力供给部200也可以经由布线202以及靶保持部24向靶26a以及靶26b供给电力。另外，电力供给部201也可以经由布线203以及靶保持部25向靶27a以及靶27b供给电力。由此，能够减少电力供给部200、电力供给部201、布线202以及布线203的数量。由此，能够抑制从电力供给部200及电力供给部201输出的电力的大小等的误差、以及布线202及布线203的电阻值等的误差引起的成膜特性的偏差。
此外，应当认为，本次公开的实施方式在所有方面是例示而并非限制性的。实际上，上述的实施方式可以通过多种方式体现。另外，上述的实施方式可以在不脱离附加的权利要求书及其主旨的情况下以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
G…闸阀；W…基板；10…基座部件；11…含硅膜；12…硬掩模；13…第一硬掩模；14…第二硬掩模；15…抗蚀剂膜；16…孔等；17…孔等；100…PVD系统；101…真空搬送装置；102…负载锁定装置；102a…载置台；103…大气搬送装置；104…负载端口；120…控制装置；20…PVD装置；21…腔室；21a…屏蔽件；21b…屏蔽件；22…处理空间；23…载置台；24…靶保持部；25…靶保持部；26…靶；27…靶；28…配管；200…电力供给部；201…电力供给部；202…布线；203…布线；210…磁铁保持部；211…螺杆轴；212…磁铁；213…磁铁保持部；214…螺杆轴；215…磁铁；218…固定部件；220…驱动部；221…支承部；230…排气装置；231…APC阀；232…排气口；240…马达；241…马达。

Claims (4)

1.一种PVD装置，具备：
腔室；
多个载置台，设置在上述腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板；
第一靶保持部，能够保持靶，上述靶是暴露在上述腔室内的空间的靶，并针对一个上述载置台设置至少一个靶；
电力供给机构，经由上述第一靶保持部向上述靶供给电力；以及
屏蔽件，设置在上述腔室内，上述屏蔽件的一部分配置在多个上述载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及上述第一载置台上的第一处理空间与上述第二载置台上的第二处理空间之间。
2.一种PVD装置，具备：
腔室；
多个载置台，设置在上述腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板；
第一靶保持部，能够保持靶，上述靶是暴露在上述腔室内的空间的靶，并针对一个上述载置台设置至少一个靶；
电力供给机构，经由上述第一靶保持部向上述靶供给电力；
多个磁铁，设置在设置上述靶的上述第一靶保持部的面的背面侧，并针对一个靶设置至少一个磁铁；以及
驱动机构，使多个上述磁铁沿着上述背面移动，
沿着上述磁铁的移动方向排列配置多个上述载置台，
上述第一靶保持部能够以多个上述靶沿着上述移动方向排列的方式保持多个上述靶，
上述驱动机构具有：
引导件，沿着上述移动方向延伸；
多个磁铁保持部，保持上述磁铁，并沿着上述引导件移动；以及
驱动部，使多个上述磁铁保持部沿着上述引导件往复移动。
3.根据权利要求1或2所述的PVD装置，其中，
上述第一靶保持部沿着多个上述载置台的排列方向延伸，能够保持多个上述靶，
上述电力供给机构通过向上述第一靶保持部供给电力而能够经由上述第一靶保持部向多个上述靶的每个上述靶供给电力。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的PVD装置，其中，
具备第二靶保持部，能够相对于一个上述载置台以与上述第一靶保持部不同的角度保持上述靶。
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