JP2017199735A - 基板の入れ替えシステム、基板の入れ替え方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】真空容器内の複数の載置台と真空搬送室との間で、載置台を公転させずに、少ない工程でウエハを入れ替える技術を提供すること。【解決手段】真空処理室1内にて搬入出口20に臨む2つの載置台50C、50D上の処理済みウエハW3、W4と、搬送アーム30A、30Bに設けられた上下2段の搬送体36、37のうちの上段側搬送体36上の未処理ウエハWa、Wbと、を昇降ピン57と旋回可能な移載機構4とを、搬送アーム30A、30Bとに対して相対的に昇降させて入れ替える。次いで後方側の載置台50A、50Bの上方の処理済みウエハW1、W2と未処理ウエハWa、Wbとの配置を移載機構4の旋回により入れ替えると共に処理済みウエハW1、W2を移載機構4から載置台50C、50Dの昇降ピン57に移載し、同様にして後続の未処理ウエハWc、Wdとの入れ替えを行う。【選択図】図1
Description
本発明は、基板を処理するための処理容器と搬送室内の基板搬送機構との間で基板を入れ替える技術分野に関する。
半導体デバイスの製造工程の一つである真空処理を高いスループットで行う装置として、真空処理室を形成する処理容器内にて、一度に複数枚の半導体ウエハ(以下「ウエハ」とする)を処理する真空処理装置が知られている。例えば特許文献1には、真空容器内に周方向に配置された複数の載置台と各載置台に対応する天板との組によりウエハの処理雰囲気を形成する装置が記載されている。この装置は、大気雰囲気あるいは常圧の不活性ガスの雰囲気からロードロック室及び真空搬送室を介して真空容器にウエハを搬送するように構成されている。そして真空搬送室内に設けた基板搬送機構により、真空容器内の処理済みウエハと未処理ウエハとの入れ替えが行われる。
このような真空処理装置においては、真空容器と真空搬送室との間で処理済みウエハと未処理ウエハとの入れ替えを行うときに基板搬送機構の入れ替え動作が多くなり、ウエハの入れ替えに時間がかかる問題があった。
例えば特許文献1では、複数の載置台を公転させて順次ウエハの搬入出口に臨む位置に移動させて、基板搬送機構によりウエハの入れ替えを行っている。しかしながら載置部を公転させるためには、大掛かりな回転駆動部、強度の大きな支持構造が必要となりコストも高くなる。
例えば特許文献1では、複数の載置台を公転させて順次ウエハの搬入出口に臨む位置に移動させて、基板搬送機構によりウエハの入れ替えを行っている。しかしながら載置部を公転させるためには、大掛かりな回転駆動部、強度の大きな支持構造が必要となりコストも高くなる。
特許文献2には、4つの基板処理部を備えた基板処理装置内に4つの基板保持部を備えた移載機を設け、移載機により各基板処理部にウエハを受け渡す構成が記載されているが、基板搬送機構の入れ替え動作を少なくする技術については記載されていない。
特許文献3及び特許文献4には、一度に複数枚のウエハを真空処理装置に搬送する技術が記載されているが、処理済みのウエハの回収を行うために搬送機構をもう一度往復させる必要がある。
特許文献3及び特許文献4には、一度に複数枚のウエハを真空処理装置に搬送する技術が記載されているが、処理済みのウエハの回収を行うために搬送機構をもう一度往復させる必要がある。
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、処理容器内に周方向に配置された複数の載置部に載置された基板に対して処理を行った後、基板搬送機構との間で基板の入れ替えを行うにあたって、基板の入れ替えに要する時間の短縮化を図ることのできる技術を提供することにある。
本発明の基板の入れ替えシステムは、水平な円に沿って等間隔に配置された複数の載置部をその内部に備え、各載置部に載置された基板に対して処理が行われる処理容器と、
前記複数の載置部に載置された基板を夫々独立して昇降させるための昇降部と、
前記処理容器に搬入出口を介して隣接する搬送室に設けられ、各々基板を水平に保持する上段側搬送体及び下段側搬送体が一体で進退する基板搬送機構と、
前記複数の載置部に対応して前記円に沿って等間隔に配置されると共に前記円の中心を旋回軸として旋回自在にかつ昇降自在に構成された、基板を保持する複数の保持部を備えた移載機構と、
前記複数の載置部のうち、前記搬入出口に臨む位置に設けられた載置部を前方側載置部、前記搬入出口から見て前方側載置部よりも奥側に設けられた載置部を後方側載置部と夫々呼ぶものとすると、基板の処理後に、
(1)前方側載置部上の処理済み基板を昇降部により上昇させた状態で、上段側搬送体の上に未処理基板を保持した基板搬送機構を処理容器内に進入させ、下から順に下段側搬送体、当該処理済み基板、保持部及び上段側搬送体を位置させるステップと、
(2)次いで、前記前方側載置部の上方において、昇降部を下降させて当該昇降部から前記処理済み基板を下段側搬送体が受け取り、移載機構を上昇させて上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取るステップと、
(3)しかる後、基板搬送機構を後退させて前記処理済み基板を処理容器の外に搬出するステップと、
(4)前記移載機構と後方側載置部の昇降部との相対的昇降動作により当該後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持するステップと、
(5)前記(2)〜(4)の各ステップを行った後、移載機構の旋回動作により、前記前方側載置部の上方に処理済み基板を、前記後方側載置部の上方に未処理基板を夫々位置させ、続いて当該前方側載置部の昇降部及び移載機構の相対的動作により前記保持部から当該昇降部が前記処理済み基板を受け取るステップと、
(6)その後、前記保持部を、移載機構の旋回動作により当該処理済み基板の下方から退避するステップと、
(7)次に、前記搬送室内で前記上段側搬送体の上に後続の未処理基板を保持した前記基板搬送機構を用いて、前記(1)〜(3)のステップを繰り返すステップと、を実行する制御部と、を備え、
基板の受け取り位置において、保持部と昇降部と、及び保持部と上段側搬送体、並びに昇降部と下段側搬送体との各位置関係は、平面的に互いに干渉しないように設定されていることを特徴とする。
前記複数の載置部に載置された基板を夫々独立して昇降させるための昇降部と、
前記処理容器に搬入出口を介して隣接する搬送室に設けられ、各々基板を水平に保持する上段側搬送体及び下段側搬送体が一体で進退する基板搬送機構と、
前記複数の載置部に対応して前記円に沿って等間隔に配置されると共に前記円の中心を旋回軸として旋回自在にかつ昇降自在に構成された、基板を保持する複数の保持部を備えた移載機構と、
前記複数の載置部のうち、前記搬入出口に臨む位置に設けられた載置部を前方側載置部、前記搬入出口から見て前方側載置部よりも奥側に設けられた載置部を後方側載置部と夫々呼ぶものとすると、基板の処理後に、
(1)前方側載置部上の処理済み基板を昇降部により上昇させた状態で、上段側搬送体の上に未処理基板を保持した基板搬送機構を処理容器内に進入させ、下から順に下段側搬送体、当該処理済み基板、保持部及び上段側搬送体を位置させるステップと、
(2)次いで、前記前方側載置部の上方において、昇降部を下降させて当該昇降部から前記処理済み基板を下段側搬送体が受け取り、移載機構を上昇させて上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取るステップと、
(3)しかる後、基板搬送機構を後退させて前記処理済み基板を処理容器の外に搬出するステップと、
(4)前記移載機構と後方側載置部の昇降部との相対的昇降動作により当該後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持するステップと、
(5)前記(2)〜(4)の各ステップを行った後、移載機構の旋回動作により、前記前方側載置部の上方に処理済み基板を、前記後方側載置部の上方に未処理基板を夫々位置させ、続いて当該前方側載置部の昇降部及び移載機構の相対的動作により前記保持部から当該昇降部が前記処理済み基板を受け取るステップと、
(6)その後、前記保持部を、移載機構の旋回動作により当該処理済み基板の下方から退避するステップと、
(7)次に、前記搬送室内で前記上段側搬送体の上に後続の未処理基板を保持した前記基板搬送機構を用いて、前記(1)〜(3)のステップを繰り返すステップと、を実行する制御部と、を備え、
基板の受け取り位置において、保持部と昇降部と、及び保持部と上段側搬送体、並びに昇降部と下段側搬送体との各位置関係は、平面的に互いに干渉しないように設定されていることを特徴とする。
本発明の基板の入れ替え方法は、水平な円に沿って等間隔に配置された複数の載置部をその内部に備え、各載置部に載置された基板に対して処理が行われる処理容器と、前記複数の載置部に載置された基板を夫々独立して昇降させるための昇降部と、前記処理容器に搬入出口を介して隣接する搬送室に設けられ、各々基板を水平に保持する上段側搬送体及び下段側搬送体が一体で進退する基板搬送機構と、前記複数の載置部に対応して前記円に沿って等間隔に配置されると共に前記円の中心を旋回軸として旋回自在にかつ昇降自在に構成された、基板を保持する複数の保持部を備えた移載機構と、を用い、基板の受け取り位置において、保持部と昇降部、及び保持部と上段側搬送体、並びに昇降部と下段側搬送体との各位置関係は、平面的に互いに干渉しないように設定され、
前記複数の載置部のうち、前記搬入出口に臨む位置に設けられた載置部を前方側載置部、前記搬入出口から見て前方側載置部よりも奥側に設けられた載置部を後方側載置部と夫々呼ぶものとすると、基板の処理後に、
(1)前方側載置部上の処理済み基板を昇降部により上昇させた状態で、上段側搬送体の上に未処理基板を保持した基板搬送機構を処理容器内に進入させ、下から順に下段側搬送体、当該処理済み基板、保持部及び上段側搬送体を配列させる工程と、
(2)次いで、前記前方側載置部の上方において、昇降部を下降させて当該昇降部から前記処理済み基板を下段側搬送体が受け取り、移載機構を上昇させて上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取る工程と、
(3)しかる後、基板搬送機構を後退させて前記処理済み基板を処理容器の外に搬出する工程と、
(4)前記移載機構と後方側載置部の昇降部との相対的昇降動作により当該後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持する工程と、
(5)前記(2)〜(4)の各工程を行った後、移載機構の旋回動作により、前記前方側載置部の上方に処理済み基板を、前記後方側載置部の上方に未処理基板を夫々位置させ、続いて当該前方側載置部の昇降部及び移載機構の相対的動作により前記保持部から当該昇降部が前記処理済み基板を受け取る工程と、
(6)その後、前記保持部を、移載機構の旋回動作により当該処理済み基板の下方から退避する工程と、
(7)次に、前記搬送室内で前記上段側搬送体の上に後続の未処理基板を保持した前記基板搬送機構を用いて、前記(1)〜(3)の工程を繰り返す工程と、含むことを特徴とする。
前記複数の載置部のうち、前記搬入出口に臨む位置に設けられた載置部を前方側載置部、前記搬入出口から見て前方側載置部よりも奥側に設けられた載置部を後方側載置部と夫々呼ぶものとすると、基板の処理後に、
(1)前方側載置部上の処理済み基板を昇降部により上昇させた状態で、上段側搬送体の上に未処理基板を保持した基板搬送機構を処理容器内に進入させ、下から順に下段側搬送体、当該処理済み基板、保持部及び上段側搬送体を配列させる工程と、
(2)次いで、前記前方側載置部の上方において、昇降部を下降させて当該昇降部から前記処理済み基板を下段側搬送体が受け取り、移載機構を上昇させて上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取る工程と、
(3)しかる後、基板搬送機構を後退させて前記処理済み基板を処理容器の外に搬出する工程と、
(4)前記移載機構と後方側載置部の昇降部との相対的昇降動作により当該後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持する工程と、
(5)前記(2)〜(4)の各工程を行った後、移載機構の旋回動作により、前記前方側載置部の上方に処理済み基板を、前記後方側載置部の上方に未処理基板を夫々位置させ、続いて当該前方側載置部の昇降部及び移載機構の相対的動作により前記保持部から当該昇降部が前記処理済み基板を受け取る工程と、
(6)その後、前記保持部を、移載機構の旋回動作により当該処理済み基板の下方から退避する工程と、
(7)次に、前記搬送室内で前記上段側搬送体の上に後続の未処理基板を保持した前記基板搬送機構を用いて、前記(1)〜(3)の工程を繰り返す工程と、含むことを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、基板に対して処理が行われる処理容器と、前記処理容器に隣接する搬送室に設けられた基板搬送機構と、を備えた基板入れ替えシステムに用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の基板の入れ替え方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする。
本発明は、処理容器内に周方向に配置される複数の基板の載置部に夫々対応する保持部を備えた移載機構と、搬送室内の基板搬送機構の上段側搬送体及び下段側搬送体と、載置部上の基板を昇降させる昇降部と、の相対的な昇降動作、及び移載機構の旋回動作を組み合わせて基板の入れ替えを行っている。具体的には、基板処理後に、移載機構の保持部と上段側搬送体及び下段側搬送体と昇降部とを用いて、搬入出口に臨む載置部(前方側載置部)上の処理済み基板を下段側の搬送体に受渡し、上段側の搬送体上の未処理基板を移載機構の保持部に受け渡している。その後移載機構の旋回動作を伴って、前方側載置部の奥側の載置部上の処理済み基板を前方側載置部上の昇降部に受け渡した後、先の基板の入れ替えと同様にして当該処理済み基板と未処理基板との入れ替えを行う。従って基板の入れ替えに伴う基板搬送機構の進退動作の回数が抑えられるので、スループットの向上に寄与し、また基板の載置部の公転機構が不要になる。
本発明の基板入れ替えシステムを真空処理装置に適用した実施の形態について説明する。図1に示すように、この真空処理装置は、その内部雰囲気が乾燥ガス、例えば乾燥した窒素ガスにより常圧雰囲気とされる横長の常圧搬送室12を備え、常圧搬送室12の手前には、ウエハWが収納されるキャリアCを載置するための搬入出ポート11が左右方向に3個並べて設置されている。常圧搬送室12の正面壁には、前記キャリアCの蓋と一緒に開閉されるドア17が取り付けられている。常圧搬送室12内には、ウエハWを搬送するための関節アームで構成された搬送アーム14が設けられている。
常圧搬送室12における搬入出ポート11の反対側には、例えば2個のロードロック室13が左右に並ぶように配置されている。ロードロック室13と常圧搬送室12との間には、ゲートバルブ18が設けられている。ロードロック室13の常圧搬送室12側から見て奥側には、真空搬送室2がゲートバルブ19を介して配置されている。真空搬送室2には、後述する基板搬送機構3が設けられ、真空搬送室2の奥側には、ゲートバルブ20を介して、真空処理モジュール、例えば成膜装置1が接続されている。
成膜装置1について図2も参照して説明する。成膜装置1は、処理容器である横断面が矩形の真空容器10を備え、真空容器10における真空搬送室2側の側壁には、ウエハWを搬入出するための搬入出口9が形成され、既述のゲートバルブ20により開閉されるように構成されている。真空容器10内には、周方向等間隔に配置された複数の基板処理部、例えば4つの成膜処理部(第1〜第4の成膜処理部)5A〜5Dが設けられている。本明細書中では、図1に示すように搬入出口9から見て奥側の右に位置する成膜処理部を第1の成膜処理部5Aとし、他の成膜処理部は、上方から見て反時計回りの順番で第2〜第4の成膜処理部5B〜5Dとする。
第1〜第4の成膜処理部5A〜5Dは、図2に示すようにウエハWを載置する載置部である載置台50と、ウエハWに向けて処理ガスを供給するための天板部52とを備えている。載置台の符号については、成膜処理部5A〜5Dに夫々対応するものとして説明した方が適切な個所においては、符号「50A〜50D」を付し、いずれの載置台であるか特定する必要がないと思われる個所については、符号「50」を付す。なお本実施の形態では、載置台50C、50Dが搬入出口9に臨む載置部、即ち前方側載置部に相当し、載置台50A、50Bが後方側載置部に相当する。
載置台50は、例えばアルミニウムやニッケルなどからなる扁平な円柱状に形成されている。各載置台50には、載置面上のウエハWを加熱するための、例えばシート状の抵抗発熱体より構成される加熱手段を成すヒータ51が埋設されており、ウエハWを300℃〜450℃程度に加熱するように構成されている。各載置台50の中心部には、周方向等間隔に3か所の貫通孔56が形成されており、各貫通孔56には、昇降部に相当する昇降ピン57が設けられている。昇降ピン57は、真空容器10の底面を貫通し、真空容器10の下方に設けられた昇降機構58に接続されている。昇降ピン57は、昇降機構58により昇降し、載置台50の表面から突没するように構成されている。なお図2中の59は、真空容器10内を気密に保つためのベローズである。
第1〜第4の成膜処理部5A〜5Dの各々の載置台50は、下部にて支持腕53によって支持されており、これら支持腕53の基端側は、支柱54の頂部に接続されている。支柱54は、真空容器10の底面を貫通し、支柱54の下端側には、昇降機構55が接続されている。この昇降機構55により、支柱54及び支持腕53が昇降され、全ての載置台50が同時に昇降するように構成されている。そして載置台50は、図2に実線で示す成膜処理を行う「処理位置」と、図2中鎖線で示すウエハWの入れ替えを行うために待機する「待機位置」との間で昇降する。
第1〜第4の成膜処理部5A〜5Dにおける載置台50の上方には、天板部52が設けられ、天板部52の下面の中央部には、ガス供給口64が開口している。また天板部52の下面はガス供給口64から外周側に向かって低くなる傾斜面として形成されている。
各天板部52におけるガス供給口64には、ガス供給管65の一端が接続され、各ガス供給管65の他端側は、共通のガス拡散室66に接続されている。ガス拡散室66には、ガス供給路67の下流側端部が接続され、このガス供給路67の上流側は、分岐されて原料ガス供給源であるビスターシャルブチルアミノシラン(BTBAS)ガス供給源68、反応ガス供給源である酸素(O2)ガス供給源69及びパージガス供給源であるアルゴン(Ar)ガス供給源70が接続されている。なお図2中71〜73は流量を調整すると共に、バルブを開閉してガスの供給停止を行うガス供給部である。
各天板部52におけるガス供給口64には、ガス供給管65の一端が接続され、各ガス供給管65の他端側は、共通のガス拡散室66に接続されている。ガス拡散室66には、ガス供給路67の下流側端部が接続され、このガス供給路67の上流側は、分岐されて原料ガス供給源であるビスターシャルブチルアミノシラン(BTBAS)ガス供給源68、反応ガス供給源である酸素(O2)ガス供給源69及びパージガス供給源であるアルゴン(Ar)ガス供給源70が接続されている。なお図2中71〜73は流量を調整すると共に、バルブを開閉してガスの供給停止を行うガス供給部である。
そして載置台50を上昇させたときに載置台50の載置面の周縁部と、天板部52の下面の周縁部とが隙間を介して対向するように配置される。これにより天板部52の下面と載置台50の上面とによって囲まれた概ね扁平な円錐状の処理空間60が形成される。これらの処理空間60は既述のBTBAS、及びO2ガスの反応ガスを切り替えて拡散させ、ウエハWの表面にて吸着、反応させて成膜を行う。そして処理空間60内に供給された各種ガスは、当該処理空間60の周方向に沿って載置台50と天板部52との間に形成された前述の隙間を介して真空容器10内へと流出する。また載置台50を下降させることにより、載置台50の上方の処理空間60が開放され、載置台50が、搬入出口9を介してウエハWの受け渡しを行う位置に下降する。
図2に示すように真空容器10の底面には、真空容器10内の雰囲気を排気するための排気口81が設けられている。この排気口81には排気管82が接続されており、当該排気管82は、真空容器10内の圧力調整を行う圧力調整部83を介して真空排気手段を成す真空ポンプ84に接続されている。
図2に示すように真空容器10の底面には、真空容器10内の雰囲気を排気するための排気口81が設けられている。この排気口81には排気管82が接続されており、当該排気管82は、真空容器10内の圧力調整を行う圧力調整部83を介して真空排気手段を成す真空ポンプ84に接続されている。
真空容器10の内部には。各載置台50A〜50Dの上方領域の間でウエハWの移載を行うための移載機構4が設けられる。移載機構4は、図1に示すように各成膜処理部5A〜5Dの中心部を結ぶ円の中心部を回転中心とする軸部42を備え、軸部42の頂部には、4本の旋回アーム44が周方向等間隔に設けられている。図2に示すように軸部42は真空容器10の底面を軸受部41を介して貫通するように設けられ、真空容器10の下方における軸部42の下端は、軸部42を昇降及び回転させる駆動機構43に接続されている。
図1に示すように各旋回アーム44の先端部には、軸部42側から見て右側に互いに水平に伸び出す2本の保持梁45を備えている。言い換えれば、各旋回アーム44A〜44Dの先端部に平面形状がコ字型の部位が形成されている。この旋回アーム44と保持梁45とを併せて保持部とし、4個の保持部の符号として40A〜40Dを割り当てることとする。そして各保持部40A〜40Dは、ほぼ同じ高さにてウエハWを保持するように構成される。また各保持部40A〜40Dは、旋回アーム44を時計回りに回転させて図1中点線で示す各載置台50の上方領域における基板の受け渡しを行う位置に位置させたときには、平面で見てコ字型部分の中に昇降ピン57が収まるように、即ち平面的に昇降ピン57と干渉しないように構成されている。さらに各旋回アーム44を図1中実線で示す互いに隣り合う載置台50A〜50Dの間に配置させたときに平面的に見て載置台50と移載機構4とが互いに干渉しない位置に配置されている。なお平面的に見て保持部40Aが載置台50Aと載置台50Bとの間に位置している状態(図1に実線で示す位置)を移載機構4の「ホーム位置」とする。
続いて真空搬送室2に設けられる基板搬送機構3について説明する。図3に示すように基板搬送機構3は、鉛直軸周りに回転する回転基台300と、各々回転基台300に左右に並べて接続された第1の搬送アーム30A及び第2の搬送アーム30Bと、を備えている。第1の搬送アーム30A及び第2の搬送アーム30Bは、互いに鏡像対称に構成されている。第1の搬送アーム30Aは、図3及び図4に示すように、回転基台300に軸支された基端アーム部33、中間アーム部34及びウエハWを保持するピック部35を互いに連結した関節アーム構造体を備えている。回転基台300には駆動アーム部31が従動アーム部32を介して基端アーム部33の中央部に連結されており、駆動アーム部31を図3において時計回りに回動させることにより関節アーム構造体が伸び出し、駆動アーム部31を元のホーム位置に戻すことにより関節アーム構造体が縮退する。第2の搬送アーム30Bについては、駆動アーム部31を図3において反時計回りに回動し、次いで元の位置に戻すことにより関節アーム構造体が伸び出し、次いで縮退する。
ピック部35は、図5に示すように各々ウエハWを保持するピック部が上下2段に積層されて構成されている。図6は、上下2段のピック部にウエハWが保持されている状態を示している。上段側のピック部を上段側搬送体、下段側のピック部を下段側搬送体と呼ぶものとし、夫々符号「36」、「37」を割り当てる。上段側搬送体36は、2本のフォーク部361、362を備えたフォーク形状として構成されている。左側の第1の搬送アーム30Aにおいては、右側のフォーク部362が左側のフォーク部361よりも短く形成され、右側の第2の搬送アーム30Bにおいては、左側のフォーク部362が右側のフォーク部361よりも短く形成されている。下段側搬送体37についても、2本のフォーク部371、372を備えていて、上段側搬送体36と同様に構成されている。なお、ピック部に関する各部については、符号の煩雑さを避けるため、第1の搬送アーム30A及び第2の搬送アーム30Bの間で同一の符号を用いている。
以上の説明から分かるように、基板搬送機構3は、互いに独立して伸縮可能な第1の搬送アーム30A及び第2の搬送アーム30Bの一方の伸縮により、上段側搬送体36及び下段側搬送体37が一体となって進退し、回転基台300の回動により、各搬送アーム30A、30Bの向きを変えることができるものである。真空容器10内における搬入出口9に臨む位置には、左右に載置台50C、50Dが位置しており、第1の搬送アーム30Aは図1にて左側の載置台50Cの上方領域にて、第2の搬送アーム30Bは右側の載置台50Dの上方領域にて、夫々後述するウエハWの受け渡しを行う。
そしてウエハWの受け渡しを行うときには、後述するように上段側搬送体36及び下段側搬送体37と移載機構4の保持部40A〜40Dとが相対的に昇降するため、上段側搬送体36及び下段側搬送体37(ピック部35)と保持部40A〜40Dとが平面的に干渉しないようにピック部35が形成されている。図7は、載置台50C上におけるウエハWの受け渡し位置にあるピック部35と保持部40A〜40Dとの位置関係を示しており、フォーク形状について既述したように、両者の平面的干渉が起こらないように、一方のフォーク部362、372の先端がいわば切り落とされた形状となっている。また載置台50D上においてもウエハWの受け渡し位置にある第2の搬送アーム30Bの一方のフォーク部362、372の先端が切り落とされることでピック部35と保持部40A〜40Dとの平面的干渉が起こらないようになっている。
図1に戻って、真空処理装置は、成膜装置1における成膜処理のプロセス、昇降ピン57の昇降動作、載置台50の昇降動作、移載機構4の旋回動作、及び基板搬送機構3の搬送動作を制御する制御部100を備えている。制御部100は例えば図示しないCPUと記憶部とを備えたコンピュータからなり、この記憶部には成膜装置1における成膜処理のレシピや、当該真空処理装置において、真空容器10内と基板搬送機構3との間でウエハWの入れ替えを行うためのステップ(命令)群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
続いて上述の実施の形態の作用について説明する。以下の明細書中の記載及び図8〜図26においては、未処理ウエハの符号にWa〜Wdを割り当て、第1〜第4の成膜処理部5A〜5Dにて成膜処理を行われた処理済みウエハの符号に夫々W1〜W4を割り当てる。また図8〜図26は、模式的に示しており、一部を簡略化して記載し、図8〜図26では、旋回アーム44、保持梁45の番号を省略している。
ウエハWを収容したキャリアCが搬入出ポート11上に載置されると、当該キャリアC内のウエハWが、搬送アーム14によって取り出されロードロック室13→真空搬送室2の経路で搬送される。そして基板搬送機構3は、ロードロック室13から、ウエハWを取り出した後、成膜装置1に搬送し、4つの成膜処理部5A〜5DにてウエハWに成膜処理が行われる。
ウエハWを収容したキャリアCが搬入出ポート11上に載置されると、当該キャリアC内のウエハWが、搬送アーム14によって取り出されロードロック室13→真空搬送室2の経路で搬送される。そして基板搬送機構3は、ロードロック室13から、ウエハWを取り出した後、成膜装置1に搬送し、4つの成膜処理部5A〜5DにてウエハWに成膜処理が行われる。
成膜処理について簡単に述べておくと、まず原料ガスであるBTBASガスを処理空間60に供給して、ウエハWの表面にBTBASを吸着させる。次いでパージガスであるArガスを処理空間60に供給して処理空間60内を置換する。続いて反応ガスであるO2ガスを処理空間60に供給するとSiO2の分子膜がウエハWの表面に形成される。こうして処理空間60内に原料ガス→置換ガス→反応ガス→置換ガスを供給するサイクルを複数回繰り返すことにより、SiO2膜の成膜を行う。
成膜処理が行われている間に、後続の未処理ウエハWa、Wbは、キャリアCから搬出され、同様な経路にてロードロック室13に搬送される。そして図8に示すように基板搬送機構3における第1及び第2の搬送アーム30A、30Bの各ピック部35における上段側搬送体36により、ロードロック室13から後続の未処理ウエハWa、Wbを受け取る。さらに回転基台300を回転させて、第1の搬送アーム30Aのピック部35を第3の成膜処理部5C(載置台50C)の方向に向ける。
また成膜処理を行っている時には、移載機構4は、隣り合う第1〜第4の成膜処理部5A〜5Dの間に保持部40A〜40Dを配置させた位置(ホーム位置)で、かつ待機位置における載置台50A〜50Dの載置台50A〜50Dの載置面の高さよりも低い位置にて待機している。
成膜処理が行われている間に、後続の未処理ウエハWa、Wbは、キャリアCから搬出され、同様な経路にてロードロック室13に搬送される。そして図8に示すように基板搬送機構3における第1及び第2の搬送アーム30A、30Bの各ピック部35における上段側搬送体36により、ロードロック室13から後続の未処理ウエハWa、Wbを受け取る。さらに回転基台300を回転させて、第1の搬送アーム30Aのピック部35を第3の成膜処理部5C(載置台50C)の方向に向ける。
また成膜処理を行っている時には、移載機構4は、隣り合う第1〜第4の成膜処理部5A〜5Dの間に保持部40A〜40Dを配置させた位置(ホーム位置)で、かつ待機位置における載置台50A〜50Dの載置台50A〜50Dの載置面の高さよりも低い位置にて待機している。
成膜処理を終えると、まず図9に示すように移載機構4を載置台50A〜50Dの待機位置における載置面の高さよりも高い位置まで上昇させる。次いで図10に示すように載置台50A〜50Dを待機位置まで下降させる。その後、後方側載置部である載置台50A、50B上の処理済みウエハW1、W2を昇降ピン57により、保持部40A、40Bよりも高い位置まで突き上げる。続いて図11に示すように前方側載置部の内の例えば第1の搬送アーム30A側の処理済みウエハW3を昇降ピン57により上段側搬送体36と下段側搬送体37との間の高さまで突き上げる。また移載機構4の保持部40Cを昇降ピン57に保持された処理済みウエハW3と、上段側搬送体36の間の高さになるように高さを調整する。なお図9に示した移載機構4を上昇させる工程にて、保持部40Cを昇降ピン57に保持された処理済みウエハW3と、上段側搬送体36の間の高さに位置させてもよい。この時処理済みウエハW4は、例えば載置台50上に載置されたままであるが、昇降ピン57により上昇させて処理済みウエハW3と同じ高さ位置に設定されていてもよい。次いで図11に示すように、また図12にも示すように移載機構4を上方から見て時計回りに45度回転させて、各保持部40A〜40Dを夫々第1〜第4の載置台50A〜50Dの上方に位置させる。
続いて図12に示すようにゲートバルブ20を開き第1及び第2の搬送アーム30A、30Bの内、載置台50Cに対応した第1の搬送アーム30Aのピック部35を、上段側搬送体36に未処理ウエハWaを保持した状態で、載置台50Cの上方に前進させる(図12の状態)。これにより図13に示すように、載置台50Cの上方領域にて、下から下段側搬送体37、昇降ピン57に保持された処理済みウエハW3、移載機構4の保持部40C、未処理ウエハWaを保持した上段側搬送体36の配列が形成される。例えばこのタイミングで載置台50A及び載置台50Bにおいて各昇降ピン57を下降させ、当該各昇降ピン57上の処理済みウエハW1、W2を移載機構4の保持部40A及び40Bに夫々受け渡す。
次いで図14に示すように載置台50Cにおいて、昇降ピン57を下降させる。これにより当該昇降ピン57上に保持されていた処理済みウエハW3が下段側搬送体37に受け渡される。
また移載機構4を上昇させる。図7に示したようにピック部35と移載機構4の保持部40Cとは、ウエハWの受け取り位置において平面的に干渉しないため、保持部40Cが上段側搬送体36上の未処理ウエハWaを掬い上げて受け取る。その後図15に示すように第1の搬送アーム30Aのピック部35は、真空搬送室2に退避する。載置台50Cの上方領域における昇降ピン57の上昇と移載機構4の上昇とは、例えば同時に行われるが、タイミングをずらして行われるようにしてもよい。
また移載機構4を上昇させる。図7に示したようにピック部35と移載機構4の保持部40Cとは、ウエハWの受け取り位置において平面的に干渉しないため、保持部40Cが上段側搬送体36上の未処理ウエハWaを掬い上げて受け取る。その後図15に示すように第1の搬送アーム30Aのピック部35は、真空搬送室2に退避する。載置台50Cの上方領域における昇降ピン57の上昇と移載機構4の上昇とは、例えば同時に行われるが、タイミングをずらして行われるようにしてもよい。
そして例えば第1の搬送アーム30Aが処理済みウエハW3を受け取って縮退する前までに、前方側載置部である載置台50D上の処理済みウエハW4を昇降ピン57により上段側搬送体36と下段側搬送体37との間の高さ位置まで突き上げる。次いで移載機構4を下降させて保持部40Dを上段側搬送体36と処理済みウエハW4との間の高さ位置に設定する。さらに図16に示すように基板搬送機構3の回転基台300を反時計回りに回転させて、第2の搬送アーム30Bのピック部35を成膜処理部5Dの方向に向ける。
その後既述の未処理ウエハWaと処理済みウエハW3との入れ替え動作と同様のシーケンスが実行される。即ち図17に示すように第2の搬送アーム30Bのピック部35を上段側搬送体36に未処理ウエハWbを保持した状態で、載置台50Dの上方まで前進させる。これにより載置台50Dの上方領域においては、下から下段側搬送体37、昇降ピン57に支持された処理済みウエハW4、移載機構4の保持部40D、上段側搬送体36及び未処理ウエハWbの配列が形成される。
そして既述のシーケンスと同様に昇降ピン57を下降させると共に移載機構4を上昇させる。これにより昇降ピン57上の処理済みウエハW4が下段側搬送体37に受け渡されると共に、上段側搬送体36に保持された未処理ウエハWbが移載機構4の保持部40Dに受け渡される。その後図18に示すように第2の搬送アーム30Bを縮退させてピック部35を真空搬送室2に退避させる。
さらに図19(基板搬送機構3は図示を省略している)に示すように各保持部40A〜40Dに夫々処理済みウエハW1、W2、未処理ウエハWa、Wbを保持した状態で移載機構4を時計回りに180度回転させる。これにより処理済みウエハW1、W2と未処理ウエハWa、Wbとの位置が入れ替わる(図18→図19)。
そして図20に示すように移載機構4の下降と、載置台50A〜50Dにおける各昇降ピン57の上昇との協働作用により、保持部40C、40D上の未処理ウエハWa、Wbが夫々後方側載置部である載置台50A、50Bにおける昇降ピン57に受け渡され、また保持部40A、40B上の処理済みウエハW1、W2が夫々前方側載置部である載置台50C、50Dにおける昇降ピン57に受け渡される。
その後図21(基板搬送機構3は図示を省略している)に示すように移載機構4を反時計回りに45度回転させて、各保持部40A〜40Dを、隣り合う載置台50A〜50Dの上方領域の間、即ち平面的に見て載置台50A〜50Dと、移載機構4とが互いに干渉しない位置に退避させる。
その後図21(基板搬送機構3は図示を省略している)に示すように移載機構4を反時計回りに45度回転させて、各保持部40A〜40Dを、隣り合う載置台50A〜50Dの上方領域の間、即ち平面的に見て載置台50A〜50Dと、移載機構4とが互いに干渉しない位置に退避させる。
さらに図22に示すように載置台50A、50Bにおける昇降ピン57を下降させて昇降ピン57上の未処理ウエハWa、Wbを夫々載置台50A、50Bに載置する。また載置台50C、50Dにおいて、昇降ピン57を下降させて処理済みウエハW1、W2を基板搬送機構3の上段側搬送体36と下段側搬送体37との間の高さに位置させる。その後移載機構4を上昇させて、保持部40A(40B)を第1の搬送アーム30A(第2の搬送アーム30B)のピック部35における上段側搬送体36と載置台50C(50D)における昇降ピン57上の処理済みウエハW1との間の高さに位置させる。続いて移載機構4を時計回りに45度回転させて、図23に示すように保持部40A、40Bを載置台50C、50Dの上方に位置させる。また移載機構4の保持部40Aを昇降ピン57に保持された処理済みウエハW1と、上段側搬送体36の間の高さに位置させる。
一方真空搬送室2内においては、第2の搬送アーム30Bのピック部35が処理済みウエハW4を保持して退避した後(図18の状態)、第1の搬送アーム30A及び第2の搬送アーム30Bはロードロック室13側に向くように回転し、処理済みウエハW3、W4を夫々ロードロック室13に搬入する。そしてロードロック室13内に予め待機させておいた未処理ウエハWc、Wdを夫々第1の搬送アーム30Aの上段側搬送体36及び第2の搬送アーム30Bの上段側搬送体36により受け取り、回転基台300を回転させて、第1の搬送アーム30A、及び第2の搬送アーム30Bを真空容器10における搬入出口9側に向ける(図23の状態)。
そして第1の搬送アーム30Aのピック部35を載置台50Cの上方位置まで前進させる。これにより既述の図12に示した状態と同様に載置台50Cの上方領域にて、下から下段側搬送体37、昇降ピン57に保持された処理済みウエハW1、移載機構4の保持部40A、未処理ウエハWcを保持した上段側搬送体36の配列が形成される。以降は既述の図12〜図18を用いて説明したと同様にして、処理済みウエハW1と未処理ウエハWcとの入れ替え、及び処理済みウエハW2と未処理ウエハWdとの入れ替えが行われる。図24は、移載機構4の保持部40A、40Bに未処理ウエハWc、Wdが保持されている状態を示しており、第1及び第2の搬送アーム30A、30Bは真空搬送室2に退避し、ゲートバルブ20が閉じられている。
その後載置台50C、50Dの各昇降ピン57を上昇させて、移載機構4の保持部40A、40Bに保持された未処理ウエハWc、Wdを受け取る。そして図25に示すように移載機構4を反時計回りに45度回転させた後、載置台50C、50Dの各昇降ピン57を下降させて未処理ウエハWc、Wdを夫々載置台50C、50Dに載置する。また真空搬送室2内においては、第1の搬送アーム30A及び第2の搬送アーム30Bに保持された処理済みウエハW1、W2をロードロック室13に搬送する。さらに図26に示すように移載機構4を180度回転させてホーム位置に設定する。即ち各保持部40A〜40Dを夫々載置台50A〜50Dに対応する位置に戻す。そして載置台50の待機位置の載置面の高さよりも低い位置まで下降させておく。その後真空容器10内を所定の真空度まで真空引きすると共に載置台50を処理位置に上昇させて、既述のようにして各成膜処理部5A〜5Dにて成膜処理を行う。
一方成膜装置1から搬出された処理済みウエハW1〜W4は、ロードロック室13→常圧搬送室12の順に搬送され、キャリアCに戻される。
一方成膜装置1から搬出された処理済みウエハW1〜W4は、ロードロック室13→常圧搬送室12の順に搬送され、キャリアCに戻される。
上述の実施の形態によれば、成膜装置1と真空搬送室2との間でウエハを入れ替えるにあたって、上段側搬送体36及び下段側搬送体37を備えた基板搬送機構3の上段側搬送体36に未処理ウエハWa、Wbを保持し、搬入出口9に臨む載置台50C(50D)の上方に搬送している。そして載置台50C(50D)に載置された処理済みウエハW3(W4)を昇降ピン57により昇降させて、下段側搬送体37に載置すると共に、上段側搬送体36上の未処理ウエハWa(Wb)を移載機構4により受け取っている。従って未処理ウエハWa(Wb)と処理済みウエハW1〜W4との入れ替えを、基板搬送機構3による一回の進退で済ませることができる。
さらに後方側載置部である載置台50A(50B)上の処理済みウエハW1(W2)と前方側載置部である載置台50C(50D)の上方の未処理ウエハWa、Wbを移載機構の旋回により入れ替えている。従って載置台50A〜50Dを公転させることなく真空容器10内にて搬入出口9に臨む位置と奥側の位置との間でウエハWの入れ替え(未処理ウエハWa、Wbと処理済みウエハW1、W2との入れ替え)を行うことができる。
そして続いて既述の動作と同様にして基板搬送機構3と真空容器10との間で後続の未処理ウエハWc、Wdと処理済みウエハW1、W2との入れ替えを行っている。この結果、4枚の処理済みウエハW1〜W4と未処理ウエハWa〜Wdとの入れ替えを、第1の搬送アーム30A、及び第2の搬送アーム30Bによる各2回の伸縮により行うことができ、スループットの向上に寄与する。また4個の載置台50の公転機構が不要であることから、大型の駆動機構を用いずに済み、構成が簡素化されると共にコストアップを抑えることができる。
そして続いて既述の動作と同様にして基板搬送機構3と真空容器10との間で後続の未処理ウエハWc、Wdと処理済みウエハW1、W2との入れ替えを行っている。この結果、4枚の処理済みウエハW1〜W4と未処理ウエハWa〜Wdとの入れ替えを、第1の搬送アーム30A、及び第2の搬送アーム30Bによる各2回の伸縮により行うことができ、スループットの向上に寄与する。また4個の載置台50の公転機構が不要であることから、大型の駆動機構を用いずに済み、構成が簡素化されると共にコストアップを抑えることができる。
またすべての処理済みウエハW1〜W4を払い出し、未処理ウエハWa〜Wdを各載置台50A〜50Dに受け渡した後で、移載機構4を180度回転させて元のホーム位置に設定している。そのため移載機構4から見て、未処理ウエハWの受け渡し先である載置台50A〜50Dと保持部40A〜40Dとが対応している。例えば保持部40Aで受け取った未処理ウエハW(先の例ではWc)は常に載置台50Cに受け渡され、保持部40Bで受け取った未処理ウエハW(先の例ではWd)は常に載置台50Dに受け渡される。また保持部40Cで受け取った未処理ウエハW(先の例ではWa)は常に載置台50Aに受け渡され、保持部40Dで受け取った未処理ウエハW(先の例ではWb)は常に載置台50Bに受け渡される。このようにすれば、各載置台50A〜50Dにて処理したウエハWの処理結果を解析するときに、保持部40A〜40Dの機械的誤差によるウエハWの載置位置のずれが常に一定であることから、解析しやすくなる利点がある。しかしながら、本発明は、未処理ウエハWa〜Wdを受け渡した後で、移載機構4を180度回転させてホーム位置に設定することに限定されるものではない。
また基板搬送機構3は1本の搬送アーム30A(あるいは30B)を備える構成であってもよいが、スループットの効率をより一層向上させる観点からは、第1及び第2の搬送アーム30A、30Bを備えることが望ましい。
そして基板搬送機構は、図27に示すように2つのピック部35´が同時に進退する構成を採用してもよい。例えば基板搬送機構3´に設けられた搬送アーム30´は、回転基台300´に軸支された基端アーム部33´及び中間アーム部34´並びに先端アーム部34aにより構成された関節アーム構造体である。先端アーム部34aは、先端が左右に分岐し、各分岐端には、上段側搬送体36及び下段側搬送体37を備えたピック部35´が設けられている。即ち、先端アーム部34aの左右には、上段側搬送体36及び下段側搬送体37の組である第1の組と第2の組とが夫々設けられている。
そして基板搬送機構は、図27に示すように2つのピック部35´が同時に進退する構成を採用してもよい。例えば基板搬送機構3´に設けられた搬送アーム30´は、回転基台300´に軸支された基端アーム部33´及び中間アーム部34´並びに先端アーム部34aにより構成された関節アーム構造体である。先端アーム部34aは、先端が左右に分岐し、各分岐端には、上段側搬送体36及び下段側搬送体37を備えたピック部35´が設けられている。即ち、先端アーム部34aの左右には、上段側搬送体36及び下段側搬送体37の組である第1の組と第2の組とが夫々設けられている。
このような基板搬送機構3´を用い、2つのピック部35´の上段側搬送体36に未処理ウエハWa、Wbを夫々保持し、左側のピック部35´を載置台50Cの上方に移動させ、同時に右側のピック部35´を載置台50Dの上方に移動させる。そして昇降ピン57により処理済みウエハW3、W4を夫々第1の搬送アーム30A及び第2の搬送アーム30Bの下段側搬送体37に同時に載置すると共に、移載機構4を上昇させて上段側搬送体36上の未処理ウエハWa、Wbを同時に受け取る。この場合、例えば移載機構4の上昇と昇降ピン57の上昇とを同時に行うことにより、未処理ウエハWa、Wb、処理済みウエハW3、W4、の受け渡しが同時に行われる。
さらに後方側載置部である載置台50A、50B上方の処理済みウエハW1、W2と、前方側載置部である載置台50C、50Dの上方の未処理ウエハWa、Wbと、を移載機構4の180度の旋回により入れ替える。その後は、先の実施の形態にて既述した動作を載置台50C、50Dの上方にて同時に行うことにより未処理ウエハWa、Wbと処理済みウエハW3、W4との入れ替え動作と同様に、未処理ウエハWcと処理済みウエハW1との入れ替えと、未処理ウエハWdと処理済みウエハW2との入れ替えを同時に行う。このような例によればウエハWの入れ替えに要する時間をより一層短縮することができる。なお載置台50C、50Dの各上方の間で昇降ピン57を下降させて各ピック部35´に処理済みウエハW1、W2あるいは、W3、W4を受け渡すタイミングは、ずれていてもよい。
さらに処理容器10内において、載置部が点対称に2個配置され搬入出口9に臨む前方側載置部と、後方側載置部と、を備えた構成であればよい。さらには、周方向等間隔に3個配置されていてもよく、あるいは5つ以上の載置部を周方向等間隔に配置してもよい。このような場合には、前方側載置部において未処理ウエハWa〜Wdと処理済みウエハW1〜W4とを入れ替えるときに基板搬送機構3による進退の回数を少なくすることができ、各載置部を公転させる必要がないため効果が得られる。
また真空処理としては成膜処理、ドライエッチング処理、アニール処理などであってもよい。更には、常圧雰囲気で処理を行う基板処理装置であってもよい。
さらに基板にガスを供給して処理するにあたって、各基板処理部にて、個別にガスを供給する構成ではなく、複数の載置台を備えた処理室内全体にガスを供給して処理する装置に適用してもよい。
また真空処理としては成膜処理、ドライエッチング処理、アニール処理などであってもよい。更には、常圧雰囲気で処理を行う基板処理装置であってもよい。
さらに基板にガスを供給して処理するにあたって、各基板処理部にて、個別にガスを供給する構成ではなく、複数の載置台を備えた処理室内全体にガスを供給して処理する装置に適用してもよい。
1 成膜装置
2 真空搬送室
3 基板搬送機構
4 移載機構
5A〜5D 第1〜第4の成膜処理部
10 真空容器
20 ゲートバルブ
30A、30B 第1、第2の搬送アーム
35 ピック部
36 上段側搬送体
37 下段側搬送体
40A〜40D 保持部
42 軸部
50A〜50D 載置台
57 昇降ピン
Wa〜Wd 未処理ウエハ
W1〜W4 処理済みウエハ
2 真空搬送室
3 基板搬送機構
4 移載機構
5A〜5D 第1〜第4の成膜処理部
10 真空容器
20 ゲートバルブ
30A、30B 第1、第2の搬送アーム
35 ピック部
36 上段側搬送体
37 下段側搬送体
40A〜40D 保持部
42 軸部
50A〜50D 載置台
57 昇降ピン
Wa〜Wd 未処理ウエハ
W1〜W4 処理済みウエハ
Claims (12)
- 水平な円に沿って等間隔に配置された複数の載置部をその内部に備え、各載置部に載置された基板に対して処理が行われる処理容器と、
前記複数の載置部に載置された基板を夫々独立して昇降させるための昇降部と、
前記処理容器に搬入出口を介して隣接する搬送室に設けられ、各々基板を水平に保持する上段側搬送体及び下段側搬送体が一体で進退する基板搬送機構と、
前記複数の載置部に対応して前記円に沿って等間隔に配置されると共に前記円の中心を旋回軸として旋回自在にかつ昇降自在に構成された、基板を保持する複数の保持部を備えた移載機構と、
前記複数の載置部のうち、前記搬入出口に臨む位置に設けられた載置部を前方側載置部、前記搬入出口から見て前方側載置部よりも奥側に設けられた載置部を後方側載置部と夫々呼ぶものとすると、基板の処理後に、
(1)前方側載置部上の処理済み基板を昇降部により上昇させた状態で、上段側搬送体の上に未処理基板を保持した基板搬送機構を処理容器内に進入させ、下から順に下段側搬送体、当該処理済み基板、保持部及び上段側搬送体を位置させるステップと、
(2)次いで、前記前方側載置部の上方において、昇降部を下降させて当該昇降部から前記処理済み基板を下段側搬送体が受け取り、移載機構を上昇させて上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取るステップと、
(3)しかる後、基板搬送機構を後退させて前記処理済み基板を処理容器の外に搬出するステップと、
(4)前記移載機構と後方側載置部の昇降部との相対的昇降動作により当該後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持するステップと、
(5)前記(2)〜(4)の各ステップを行った後、移載機構の旋回動作により、前記前方側載置部の上方に処理済み基板を、前記後方側載置部の上方に未処理基板を夫々位置させ、続いて当該前方側載置部の昇降部及び移載機構の相対的動作により前記保持部から当該昇降部が前記処理済み基板を受け取るステップと、
(6)その後、前記保持部を、移載機構の旋回動作により当該処理済み基板の下方から退避するステップと、
(7)次に、前記搬送室内で前記上段側搬送体の上に後続の未処理基板を保持した前記基板搬送機構を用いて、前記(1)〜(3)のステップを繰り返すステップと、を実行する制御部と、を備え、
基板の受け取り位置において、保持部と昇降部、及び保持部と上段側搬送体、並びに昇降部と下段側搬送体との各位置関係は、平面的に互いに干渉しないように設定されていることを特徴とする基板の入れ替えシステム。 - 前記(1)における、上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取るステップは、前記(4)における、後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持するステップと同時に行われることを特徴とする請求項1に記載の基板の入れ替えシステム。
- 前記前方側載置部及び前記後方側載置部は2個ずつ設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板の入れ替えシステム。
- 前記前方側載置部として、左右の一方側に配置された一方の前方側載置部と他方側に配置された他方の前方側載置部とが設けられ、
前記基板搬送機構は、互に独立して進退するように構成されると共に各々前記上段側搬送体及び下段側搬送体を備え、前記一方の前方側載置部及び前記他方の前方側載置部に夫々対応して設けられた第1の搬送アーム及び第2の搬送アームを備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板の入れ替えシステム。 - 前記前方側載置部として、左右の一方側に配置された一方の前方側載置部と他方側に配置された他方の前方側載置部とが設けられ、
前記基板搬送機構は、前記一方の前方側載置部及び前記他方の前方側載置部に夫々対応して設けられた上段側搬送体及び下段側搬送体の第1の組と、上段側搬送体及び下段側搬送体の第2の組と、を備えると共に前記第1の組及び第2の組が同時に進退するように構成されたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板入れ替えシステム。 - 前記前方側載置部及び後方側載置部は2個ずつ設けられ、
前記制御部は、前記一方の前方側載置部の上方及び前記他方の前方側載置部の上方にて、前記(1)のステップを同時に行い、次いで(2)のステップを同時に行い、その後、移載機構が180度旋回して、2個の前方側載置部の各未処理基板と2個の後方側載置部の処理済み基板とを同時に入れ替えるように制御信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の入れ替えシステム。 - 前記複数の載置部と複数の保持部との間において、載置部と、当該載置部に受け渡される未処理基板を保持する保持部と、は対応していることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板の入れ替えシステム。
- 水平な円に沿って等間隔に配置された複数の載置部をその内部に備え、各載置部に載置された基板に対して処理が行われる処理容器と、前記複数の載置部に載置された基板を夫々独立して昇降させるための昇降部と、前記処理容器に搬入出口を介して隣接する搬送室に設けられ、各々基板を水平に保持する上段側搬送体及び下段側搬送体が一体で進退する基板搬送機構と、前記複数の載置部に対応して前記円に沿って等間隔に配置されると共に前記円の中心を旋回軸として旋回自在にかつ昇降自在に構成された、基板を保持する複数の保持部を備えた移載機構と、を用い、基板の受け取り位置において、保持部と昇降部、及び保持部と上段側搬送体、並びに昇降部と下段側搬送体との各位置関係は、平面的に互いに干渉しないように設定され、
前記複数の載置部のうち、前記搬入出口に臨む位置に設けられた載置部を前方側載置部、前記搬入出口から見て前方側載置部よりも奥側に設けられた載置部を後方側載置部と夫々呼ぶものとすると、基板の処理後に、
(1)前方側載置部上の処理済み基板を昇降部により上昇させた状態で、上段側搬送体の上に未処理基板を保持した基板搬送機構を処理容器内に進入させ、下から順に下段側搬送体、当該処理済み基板、保持部及び上段側搬送体を配列させる工程と、
(2)次いで、前記前方側載置部の上方において、昇降部を下降させて当該昇降部から前記処理済み基板を下段側搬送体が受け取り、移載機構を上昇させて上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取る工程と、
(3)しかる後、基板搬送機構を後退させて前記処理済み基板を処理容器の外に搬出する工程と、
(4)前記移載機構と後方側載置部の昇降部との相対的昇降動作により当該後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持する工程と、
(5)前記(2)〜(4)の各工程を行った後、移載機構の旋回動作により、前記前方側載置部の上方に処理済み基板を、前記後方側載置部の上方に未処理基板を夫々位置させ、続いて当該前方側載置部の昇降部及び移載機構の相対的動作により前記保持部から当該昇降部が前記処理済み基板を受け取る工程と、
(6)その後、前記保持部を、移載機構の旋回動作により当該処理済み基板の下方から退避する工程と、
(7)次に、前記搬送室内で前記上段側搬送体の上に後続の未処理基板を保持した前記基板搬送機構を用いて、前記(1)〜(3)の工程を繰り返す工程と、含むことを特徴とする基板の入れ替え方法。 - 前記(1)における、上段側搬送体から未処理基板を保持部が受け取る工程は、前記移載機構の上昇動作を伴って、前記(4)における、後方側載置部上の処理済み基板を保持部に保持する工程と同時に行われることを特徴とする請求項8に記載の基板の入れ替え方法。
- 前記前方側載置部及び前記後方側載置部は2個ずつ設けられていることを特徴とする請求項8または9に記載の基板の入れ替え方法。
- 前記前方側載置部として、左右の一方側に配置された一方の前方側載置部と他方側に配置された他方の前方側載置部とが設けられ、
前記基板搬送機構は、前記一方の前方側載置部及び前記他方の前方側載置部に夫々対応して設けられた上段側搬送体及び下段側搬送体の第1の組と、上段側搬送体及び下段側搬送体の第2の組と、を備えると共に前記第1の組及び第2の組が同時に進退するように構成され、
前記一方の前方側載置部の上方及び前記他方の前方側載置部の上方にて、前記(1)の工程を同時に行い、次いで(2)の工程を同時に行い、その後、移載機構が180度旋回して、2個の前方側載置部の各未処理基板と2個の後方側載置部の処理済み基板とを同時に入れ替えることを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一項に記載の基板入れ替え方法。 - 基板に対して処理が行われる処理容器と、前記処理容器に隣接する搬送室に設けられた基板搬送機構と、を備えた基板入れ替えシステムに用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、請求項8ないし11のいずれか一項に記載の基板の入れ替え方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
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