JP5249098B2 - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理システム及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5249098B2
JP5249098B2 JP2009064171A JP2009064171A JP5249098B2 JP 5249098 B2 JP5249098 B2 JP 5249098B2 JP 2009064171 A JP2009064171 A JP 2009064171A JP 2009064171 A JP2009064171 A JP 2009064171A JP 5249098 B2 JP5249098 B2 JP 5249098B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrate holding
support
processing
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009064171A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010219281A (ja
Inventor
博充 阪上
孝 堀内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009064171A priority Critical patent/JP5249098B2/ja
Priority to KR20100021369A priority patent/KR101127048B1/ko
Priority to US12/724,763 priority patent/US8814489B2/en
Publication of JP2010219281A publication Critical patent/JP2010219281A/ja
Priority to US13/449,409 priority patent/US9011075B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5249098B2 publication Critical patent/JP5249098B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781Batch transfer of wafers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)

Description

本発明は、複数の基板に所定の処理をバッチ式に施す基板処理システム及び基板処理方法に関する。
例えば半導体デバイスなどの製造プロセスにおいては、基板に対してイオン注入処理、エッチング処理、成膜処理などの各種処理が行われる。そして、例えばイオン注入処理装置のように、処理チャンバ内で複数の基板の処理が行われるバッチ処理装置においては、処理チャンバ内から処理済の基板を搬出する作業と、処理チャンバ内に未処理の基板を搬入する作業とを並行して行い、未処理の基板と処理済の基板の入れ替え作業を短時間で行うことが好ましい。未処理の基板と処理済の基板の入れ替え作業中は処理装置が稼動しない待機状態となり、処理装置のスループットを低下させる要因となるためである。
そこで従来、例えば特許文献1に開示されるように、基板を多段に収容する基板収容容器と基板収容容器と処理チャンバとの間で、基板の搬送を行う搬送アームが、処理チャンバへ基板の搬入用及び処理チャンバからの基板の搬出用として、それぞれ独立に設けたれた基板搬送装置が提案されている。
ところで、例えば特許文献1に開示される基板搬送装置を用いた際に、処理装置が待機状態となる他の要因としては、例えば、基板収容容器内の基板が全て処理チャンバ内に搬送された後に、系外に設置されている他の基板収容容器から、他の搬送アームを用いて未処理の基板を再度基板収容容器内に収容する作業等がある。この点について、多段に構成された基板収容容器と他の搬送アームとの基板の受け渡しを効率よく行う手段として、例えば特許文献2には、複数の基板保持部を多段に備えた搬送アームが開示されている。
特開平5−67668号公報 特開2007−123592号公報
しかしながら、基板収容容器と他の搬送アームとの基板の受け渡しを効率よく行ったとしても、最終的な処理装置のスループットを左右するのは、処理装置内における未処理の基板と処理済の基板の入れ替え作業に要する時間である。そして、例えば特許文献1に開示される搬送アームは基板収容容器との間で基板の受け渡しを行う際に、基板収容容器内の各基板の収容高さにアクセスする際の昇降動作、昇降させた後に基板収容容器内の基板の収容位置に向かって水平に移動する動作、基板の下方で昇降させて基板収容容器との間で基板の受け渡しを行う動作など複数の動作を行っており、この搬送アームの動作時間を短縮することは依然として大きな課題であった。そのため、発明者らが処理チャンバ内での基板の入れ替え作業に要する時間を短縮すべく鋭意検討し、例えば下記に示す搬送装置を考案した。
図24、25に示すように、搬送装置100は、例えばバッチ式に基板Wを処理する処理装置101に搬入する基板Wを多段に収容する基板収容部102と、処理装置101から搬出される処理済の基板Waを多段に収容する基板収容部103と、基板収容部101の基板Wを保持して処理装置101内に搬入する基板保持部104と、処理装置101内の基板Waを保持して搬出し基板収容部103に収容する基板保持部105を備えている。基板収容部102及び基板収容部103は昇降自在に構成されている。そして、基板収容部102及び基板収容部103内に設けられた、基板を支持する支持部110と、基板保持部104及び基板保持部105とは、干渉することなく上下にすれ違うことができるように構成されている。
このような構成の搬送装置100においては、先ず、例えば基板保持部104を基板収容部102の下方で待機させ、その状態で基板収容部102を下降させる。そうすることで、図25に示すように、支持部110と基板保持部103とが上下にすれ違う際に、支持部110に支持されていた基板が支持部104に受け渡される。そして、この支持部110と基板保持部104との基板の受け渡しは、支持部104上の基板を処理装置101内の回転テーブル111に載置した後に、支持部104を基板の受け渡し位置に移動させ、再度基板収容部102を支持部110間の距離だけ下降させることで行うことができる。したがって、支持部110と基板収容部102との間で基板を受け渡す際に従来行っていた、基板保持部104を、基板収容部102内の各基板の収容高さにアクセスする際の昇降動作、昇降させた後に基板収容部102内の基板の収容位置に向かって水平に移動する動作、及び基板の下方で昇降させて基板収容部との間で基板の受け渡しを行う動作が不要となる。そして、この受け渡し方法は、上述と逆の手順を基板収容部103と基板保持部105に適用することで、処理装置101内から処理済の基板を搬出する場合においても用いることができる。このため、処理装置101と基板収容部103、104との間での基板W、Waの入れ替え時間を短縮し、処理装置101のスループットをさらに向上させることができる。
しかしながら、この搬送装置100に設置された基板収容部102、103と系外に設置されている基板収容容器との間で、上述の特許文献2に開示される、複数の基板保持部を多段に備えた搬送アームを用いる場合に新たな問題が生じた。
上述の新たな問題について記載する。搬送装置100を用いて処理装置101への基板の搬入出を行う場合、系外から例えば基板収容部102内に下からW1の順に収容された基板Wは、処理装置101内で処理を終え、処理装置101から搬出され基板保持部105により基板収容部103内に収容される際に、上からW1の順に収容される。すなわち、当初とは基板Wの位置が逆転するという現象が生じる。これは、図26に示されるように、基板収容部102内から基板を搬出する際は、基板収容部102を下降させることで基板保持部104への受け渡しを例えば下からW1の順番で行うのに対して、基板収容部103に処理済の基板を収容する際は、上からWa1の順番で収容を行うためである。
そして、基板の順序が逆転した状態で複数の基板保持部を多段に備えた搬送アームを用いると、系外の基板収容容器に収容される際に、基板の順序が逆転したままとなり、その後工程に支障をきたすこととなり問題である。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板収容容器に収容される処理済の基板の順序を維持しつつ、従来よりも短時間で処理装置と基板収容容器との間で基板の受け渡しを行うことを目的としている。
基板の処理システムであって、複数の基板に所定の処理をバッチ式に施す処理チャンバと、前記処理チャンバの内部に設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台と、複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第1の基板収容部と、複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第2の基板収容部と、前記第1の基板収容部と前記処理チャンバとの間で搬送する基板を保持する第1の基板保持部と、前記第2の基板収容部と前記処理チャンバとの間で搬送する基板を保持する第2の基板保持部と、前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させ、前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部との間で基板の受け渡しを行う第1の昇降機構と、前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させ、前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部との間で基板の受け渡しを行う第2の昇降機構と、前記基板載置台の回転と、前記第1の昇降機構及び前記第2の昇降機構の上下の移動と、前記第1の基板保持部及び前記第2の基板保持部による基板の搬送を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、未処理基板の収容された前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第1の基板収容部から前記第1の基板保持部に前記未処理基板を受け渡すと共に、前記基板載置台を一の方向に順次所定の角度で回転させながら、前記第1の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する制御と、前記処理チャンバ内で前記複数の基板に所定の処理を実行する制御と、前記基板処理の完了後に、前記第1の基板保持部により前記処理チャンバから処理済基板を搬出した後、前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部に対して相対的に上昇させ、前記第1の基板保持部から前記第1の基板収容部に前記処理済基板の受け渡しを行うと共に、前記基板載置台を他の方向に順次所定の角度で回転させながら、未処理基板の収容された前記第2の基板収容部を前記第2の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第2の基板収容部から前記第2の基板保持部に前記未処理基板を受け渡し、前記第2の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する制御と、を行うことを特徴としている。なお、相対的に上下方向に移動させるとは、例えば基板保持部の位置を固定したまま基板を上下動させる、基板の位置を固定したまま基板保持部を上下動させる、あるいは基板保持部と基板を共に上下動させるといった動作を意味する。
本発明によれば、複数の基板を同心円上に載置する基板載置台が正転及び逆転自在に構成されているので、処理チャンバでの基板の処理を行った後に、未処理の基板を処理チャンバ内に搬入する際の回転方向とは逆の方向に基板載置台を回転させながら、未処理の基板を処理チャンバ内に搬入する際に用いた基板保持部で処理チャンバから処理済の基板を搬出することで、最後に搬入した基板を最初に搬出することができる。そのため、未処理基板を搬入し終わった状態で待機させている基板収容部に、最後に搬入した基板から順に処理済の基板を収容することで、基板収容部に収容される処理済の基板の順序を維持しつつ、従来よりも短時間で処理装置と基板収容部との間で基板の受け渡しを行うことができる。
前記第1の基板収容部及び前記第2の基板収容部と、基板収容容器との間で基板の搬送を行う基板搬送体を有し、前記基板搬送体には、基板を保持する基板保持体が鉛直方向に多段に設けられていてもよい。
前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられていてもよい。
前記第1の昇降機構は前記第1の基板収容部を上下方向に移動させ、前記第2の昇降機構は前記第1の基板収容部を上下方向に移動させてもよく、前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、前記第1の昇降機構は前記第1の基板保持部を上下方向に移動させ、前記第2の昇降機構は前記第2の基板保持部を上下方向に移動させてもよい。
また、前記第1の基板収容部の基板を支持する第1の支持ピンと、前記第2の基板収容部の基板を支持する第2の支持ピンと、を有し、前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、前記第1の昇降機構は、前記第1の支持ピンを上下方向に移動させ、前記第2の昇降機構は、前記第2の支持ピンを上下方向に移動させてもよい。
別の観点による本発明は、基板の処理方法であって、複数の基板に所定の処理を施す処理チャンバと、前記処理チャンバに設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台と、複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第1の基板収容部と、複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第2の基板収容部と、前記第1の基板収容部と前記処理チャンバとの間で基板の搬送を行う第1の基板保持部と、前記第2の基板収容部と前記処理チャンバとの間で基板の搬送を行う第2の基板保持部と、前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させる第1の昇降機構と、前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させる第2の昇降機構と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、未処理基板の収容された前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第1の基板収容部から前記第1の基板保持部に前記未処理基板を受け渡すと共に、前記基板載置台を一の方向に順次所定の角度で回転させながら、前記第1の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する工程と、前記処理チャンバ内で前記複数の基板に所定の処理を施すバッチ処理工程と、前記基板処理の完了後に、前記第1の基板保持部により前記処理チャンバから処理済基板を搬出した後、前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部の処理済基板に対して相対的に上昇させ、前記第1の基板保持部から前記第1の基板収容部に前記処理済基板の受け渡しを行うと共に、前記基板載置台を他の方向に順次所定の角度で回転させながら、前記第2の基板収容部を前記第2の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第2の基板収容部から前記第2の基板保持部に前記未処理基板を受け渡し、前記第2の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する工程と、を有することを特徴としている。
前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられ、前記第1の基板収容部内の未処理基板と前記第1の基板保持部、及び前記第1の基板保持部の処理済基板と前記第1の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第1の基板収容部を上下方向に移動させることにより行い、前記第2の基板収容部内の未処理基板と前記第2の基板保持部、及び前記第2の基板保持部の処理済基板と前記第2の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第2の基板収容部を上下方向に移動させることにより行ってもよい。
また、前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられ、前記第1の基板収容部内の未処理基板と前記第1の基板保持部、及び前記第1の基板保持部の処理済基板と前記第1の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第1の基板保持部を上下方向に移動させることにより行い、前記第2の基板収容部内の未処理基板と前記第2の基板保持部、及び前記第2の基板保持部の処理済基板と前記第2の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第2の基板保持部を上下方向に移動させることにより行い、前記支持部は、基板を支持していない状態では平面視で基板と重ならない位置に退避し、基板が当該支持部の下方から当該支持部の上方に移動した際に、基板を支持する位置に移動してもよい。
さらには、前記第1の基板収容部の基板を支持する第1の支持ピンと、前記第2の基板収容部の基板を支持する第2の支持ピンと、を有し、前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられ、前記第1の基板収容部内の未処理基板と前記第1の基板保持部、及び前記第1の基板保持部の処理済基板と前記第1の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第1の支持ピンを上下方向に移動させることにより行い、前記第2の基板収容部内の未処理基板と前記第2の基板保持部、及び前記第2の基板保持部の処理済基板と前記第2の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第2の支持ピンを上下方向に移動させることにより行い、前記支持部は、基板を支持していない状態では平面視で基板と重ならない位置に退避し、基板が当該支持部の下方から当該支持部の上方に移動した際に、基板を支持する位置に移動してもよい。
また別の観点による本発明の基板の処理方法は、複数の基板に所定の処理をバッチ式に施す処理チャンバと、前記処理チャンバの内部に設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台と、複数の基板を鉛直方向多段に収容可能な第1の基板収容部と、複数の基板を鉛直方向多段に収容可能な第2の基板収容部と、前記基板載置台と前記第1の基板収容部との間で基板を搬送する第1の基板保持部と、前記基板載置台と前記第2の基板収容部との間で基板を搬送する第2の基板保持部と、を備えた基板処理装置の基板処理方法であって、前記第1の基板収容部に複数の未処理基板を収容する工程と、前記基板載置台から処理済基板の一枚を前記第2の基板保持部に受け渡し、前記第2の基板収容部に搬送する工程と、前記第1の基板収容部から前記第1の基板保持部に未処理基板を受け渡すと共に前記第2の基板保持部から前記第2の基板収容部に処理済基板を受け渡す動作、前記第1の基板保持部に受け渡された未処理基板を前記基板載置台に搬送する動作、前記基板載置台に搬送された未処理基板を前記載置台に載置すると共に前記基板載置台に載置されている処理済基板を前記第2の基板保持部で受け取る動作、前記基板載置台から受け取った処理済基板を前記第2の基板収容部に搬送する動作、および前記基板載置台を所定の角度だけ一方向に回転させる動作、を複数回行う工程と、前記第1の基板収容部から未処理基板を前記第1の基板保持部に受け渡し、前記基板載置台に載置する工程と、前記処理チャンバで前記複数の基板に所定の処理を施すバッチ処理工程と、前記第2の基板収容部から処理済基板を搬出すると共に当該第2の基板収容部に複数の未処理基板を収容する工程と、前記基板載置台から処理済基板の一枚を前記第1の基板保持部に受け渡し、前記第1の基板収容部に搬送する工程と、前記第2の基板収容部から前記第2の基板保持部に未処理基板を受け渡すと共に前記第1の基板保持部から前記第1の基板収容部に処理済基板を受け渡す動作、前記第2の基板保持部に受け渡された未処理基板を前記基板載置台に搬送する動作、前記基板載置台に搬送された未処理基板を前記載置台に載置すると共に前記基板載置台に載置されている処理済基板を前記第1の基板保持部で受け取る動作、前記基板載置台から受け取った処理済基板を前記第1の基板収容部に搬送する動作、および前記基板載置台を所定の角度だけ他方向に回転させる動作、を複数回行う工程と、を有することを特徴としている。
本発明によれば、基板収容部に収容される処理済の基板の順序を維持しつつ、従来よりも短時間で処理装置と基板収容部との間で基板の受け渡しを行うことができる。
本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。 基板保持部が多段に設けられたアームの構成の概略を示す説明図である。 基板搬送装置及び処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 基板収容部の構成の概略を示す説明図である。 支持部と基板保持部との位置関係を示す説明図である。 基板保持部を上昇位置及び下降位置に移動させた状態を示す説明図である。 基板が基板保持部に受け渡された状態を示す説明図である。 基板保持部を受け渡し位置に移動させた状態を示す説明図である。 基板が基板載置台に載置された後、基板載置台を所定の角度回転させた状態を示す説明図である。 基板が基板保持部に受け渡された状態を示す説明図である。 基板の入れ替え動作を示すタイムチャートである。 基板が昇降ピンから基板保持部に受け渡された状態を示す説明図である。 基板収容部が上昇位置及び下降位置に位置する状態を示す説明図である。 基板収容部と基板保持部との間で基板の受け渡しが行われた状態を示す説明図である。 基板の搬出後に基板載置台を所定の角度回転させた状態を示す説明図である。 連結部材を有する基板保持部の説明図である。 他の実施の形態に係る基板搬送装置及び処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 支持部移動機構を備えた基板収容部の構成の概略を示す説明図である。 基板保持部を所定の基板高さまで上昇させた状態を示す説明図である。 基板収容部と基板保持部との間で基板の受け渡しが行われた状態を示す説明図である。 基板収容部の下方に支持ピンを備えた基板収容部の構成の概略を示す説明図である。 支持部を退避させた状態で支持ピンにより基板を支持した状態を示す説明図である。 基板保持部と昇降ピンの位置関係を示す説明図である。 基板搬送装置と基板処理装置の構成の概略を示す平面図である。 基板収容部の構成の概略を説明する側面図である。 基板収容部内の基板の配置順を示す説明図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる基板処理システム1の構成の概略を示す平面図である。なお、本実施の形態の基板Wとしては、例えば半導体ウェハが用いられる。
基板処理システム1は、図1に示すように複数の基板Wをカセット単位で搬入出するカセットステーション2と、複数の基板Wを、例えばバッチ処理する複数の処理装置を備えた処理ステーション3と、処理ステーション3における基板Wの処理の制御を行う制御装置4とを有している。カセットステーション2と処理ステーション3とは、一体に接続した構成となっている。
カセットステーション2は、カセット載置部10と、カセット載置部10に隣接して設けられた搬送室11と、を備えている。カセット載置部10には、複数の基板Wを収容可能な、基板収容容器としてのカセットCをX方向(図1中の左右方向)に複数、例えば3つ並べて載置できる。搬送室11には、X基板搬送体14が設けられている。基板搬送体14は、旋回、伸縮及び昇降自在な多関節のアーム15を備えており、カセット載置部10のカセットCと、処理ステーション3に設けられた、後述する基板収容部50、51に対して基板Wを搬送できる。アーム15は図2に示すように、基板Wを保持する基板保持体16が鉛直方向に多段に設けられており、複数の基板Wを同時に保持することができる構造となっている。
処理ステーション3は、内部を減圧可能な搬送チャンバである2つのロードロック室20、20と、複数の基板Wをバッチ式に処理する処理装置22、23と、ロードロック室20と処理装置22、23との間で基板の搬送を行う基板搬送装置24をそれぞれ備えている。ロードロック室20は、搬送室11と処理装置22、23の間にそれぞれ配置され、搬送室11と処理装置22、23を接続している。基板搬送装置24は、ロードロック室20内に配置されている。
ロードロック室20の側面には、図3に示すように、ロードロック室20内にアーム15を介して基板Wを搬送するための開口部25と、ロードロック室20と処理装置22、23との間で基板搬送装置24を介して基板Wを搬送するための開口部26が設けられている。搬送室11とロードロック室20との間であって開口25に対応する位置、及びロードロック室20と処理装置22、23との間であって開口26に対応する位置には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバルブ27、28がそれぞれ設けられている。
処理装置22は、開口部26に対応する位置が開口し内部を減圧可能な処理チャンバ40と、処理チャンバ40内に設けられ、正転及び逆転自在、即ち、例えば平面視で時計回り及び反時計回りの両方向に回転自在に構成された、複数の基板Wを同心円上に載置可能な、例えば円盤状の基板載置台41と、を有している。基板載置台41は、制御装置4により制御される。なお、本実施の形態においては、基板載置台41は、例えば6枚の基板Wを載置するようになっている。
基板載置台41上であって基板Wが載置される位置の下方には、基板Wを下方から支持し昇降させるための支持機構である昇降ピン42が設けられている。昇降ピン42は、図3に示すように、基板載置台41の厚み方向に貫通し、昇降駆動機構(図示せず)により上下動できる。そして、昇降ピン42は、基板Wを搬送する際には、基板載置台41の上方の、後述する基板保持部56、57と基板Wの受け渡しを行う受け渡し位置A、Bまで上昇され、それ以外のときには基板載置台41内に没した状態となる。なお、処理チャンバ40内で行われるバッチ式処理は、本実施の形態においては、例えば成膜処理である。
基板搬送装置24は、搬送室11と処理装置22との間で授受される基板Wを一旦収容する基板収容部50、51と、基板収容部50、51と処理装置22との間で基板Wの搬送を行う搬送機構52、53と、基板収容部50、51を上下方向に昇降させる昇降機構54、55とを備えている。基板収容部50、51は、例えば図1のX方向に並んで配置され、搬送機構52、53はそれぞれ処理装置22と基板収容部50、51に挟まれた位置に配置されている。昇降機構54、55及び搬送機構52、53は制御装置4により制御される。
搬送機構52、53は、基板Wの搬送の際に基板Wを保持する、例えばU字状の基板保持部56、57と、基板保持部56、57を移動させる移動機構58、59をそれぞれ備えている。基板保持部56、57は、移動機構58、59により基板載置台41の昇降ピン42の上方(受け渡し位置A、B)と基板収容部50、51内に載置されている基板の下方(待機位置C、D)との間で移動自在となっている。なお、移動機構58、59は、基板保持部56、57を受け渡し位置A、Bと待機位置C、Dとの間で移動する時間を短縮するために、基板保持部56、57を直線的に移動させることが好ましく、移動機構58、59は本実施の形態では、例えば図示しない駆動機構を備えた搬送レールである。
基板収容部50、51は、図4に示すように、例えば搬送室11及び処理装置22に対向する側面と下面が開口する、略角柱状の形状を有している。基板収容部50、51の開口していない側面には、基板Wを支持する平板状の支持部70が垂直方向に、例えば所定の間隔Pで多段に等間隔で設けられ、この支持部70により複数の基板Wを収容することができるように構成されている。支持部70は、例えば図5に示すように、平面視において基板保持部56、57と重ならない位置に設けられ、昇降機構54、55により基板収容部50、51が昇降した際に、基板保持部56、57とそれぞれ干渉しないよう構成されている。昇降機構54、55は、基板収容部50、51を昇降させた際に、下端の支持部70bが搬送機構52、53の基板保持部56、57よりも上方となる位置(以後、上昇位置という)までの上昇、及び上端の支持部70hが搬送機構52、53の基板保持部56、57よりも下方となる位置(以後、下降位置という)までの下降が可能に構成されている。すなわち、最低でも基板収容部50、51の上端の支持部70hと下端の支持部70bとの間の距離Q以上の距離を、昇降可能に構成されている。なお、図4においては、基板収容部50、51では、処理装置22でバッチ処理することのできる基板Wの枚数に合わせて、例えば6枚の基板を同時に収容できる多段型の棚を構成しているが、支持部70の数は図4の内容に限定されるものではなく、自由に変更が可能である。また、支持部70の形状は基板Wを支持して、且つ平面視において基板保持部56、57と重ならない形状及び配置であれば、他の形状であってもよい。
なお、処理装置23の構成については、上述の処理装置22の場合と同様であるので説明を省略する。処理装置22、23として用いる装置は、成膜処理装置に限らず、例えば塗布処理装置、エッチング処理装置、プラズマ処理装置等の装置であってもよいし、処理装置22と処理装置23はそれぞれ異なる装置であってもよい。
本実施の形態にかかる基板処理システム1は以上のように構成されており、次にこの基板処理システム1で行われる処理動作について説明する。
基板Wの処理を行う際には、先ず、複数の未処理の基板Wが基板搬送体14のアーム15によってカセットステーション2のカセットCから取り出され、ロードロック室20内の基板収容部50,51に、カセットCに収容されていた時と同じ順序で収容される。
基板収容部50内への基板Wの収容が完了すると、基板搬送体14がロードロック室20外に退避し、ロードロック室20の大気側、すなわち搬送室11側のゲートバルブ27が閉まる。そして、ロードロック室20内を排気して、内部を所定の圧力まで減圧する。
次いで、ロードロック室20と、内部が真空状態に維持されている処理チャンバ40との間のゲートバルブ28を開けて、基板収容部50内の基板Wを搬送機構52により処理チャンバ40内に搬入する。
基板Wを処理チャンバ40内へ搬入する際の動作について詳述する。基板Wを処理チャンバ40内へ搬入する際は、先ず基板収容部50を昇降機構54により上昇位置まで上昇させる。それと並行して、基板収容部51も昇降機構55により下降位置まで下降させる(図6)。次いで、基板保持部56、57を待機位置C、Dまでそれぞれ移動させる。その後、基板収容部50を、支持部70bに載置されている基板W1の下面と基板保持部56の上面とが当接する付近まで下降させる。そして、その状態からさらに、基板収容部50を隣り合う支持部70の間隔Pよりも短い距離、概ねP/2程度下降させる。それと並行して、基板収容部51を基板収容部50が下降した距離と同じ距離上昇させる(図7)。この際、支持部70は、平面視において基板保持部56と重ならない位置に設けられているので、基板収容部50をP/2程度の距離下降させることで、基板保持部56と支持部70とが干渉することなく上下にすれ違うことが可能である。そして、すれ違うと同時に支持部70bに載置されていた基板W1が基板保持部56に受け渡される。また、基板W1が基板保持部56に受け渡されると共に、未処理の基板Wが基板保持部56受け渡されたことを検出した制御装置4により、基板載置台41が、例えば時計回りに所定の角度αだけ回転される。なお、角度αは基板載置台41を一周させる角度2πを基板載置台41に載置される基板Wの枚数nで割ったものである。また、例えば最初の基板搬入時のように、基板載置台41に基板が全く載置されていな状態で未処理の基板Wが基板保持部56受け渡される場合は、この基板載置台41の回転は不要である。
基板W1を保持する基板保持部56及び基板Wを保持していない基板保持部57は、搬送機構52によって開口部26を介してロードロック室20から処理チャンバ40内に導入され、受け渡し位置A、B、すなわち昇降ピン42a、42bの上方で待機する(図8)。次いで、基板載置台41から昇降ピン42aが上昇し、基板Wが基板保持部56から昇降ピン42a上に受け渡される。基板W1の昇降ピン42aへの受け渡しが完了すると、基板保持部56、57は処理チャンバ40内からロードロック室20へ退避し、待機位置C、Dまで移動する。それと並行して、昇降ピン42aが下降し、昇降ピン42aに支持されていた基板W1が基板載置台41上に載置される。そして、制御装置4により基板W1の基板載置台41への載置が検出されると、基板載置台41は、再度時計回りに所定の角度αだけ回転される(図9)。
続いて、基板保持部56、57を待機位置C、Dに待機させた状態で、再度基板収容部50、51を間隔Pだけそれぞれ下降及び上昇させ、2枚目の基板W2の基板保持部56への受け渡しを行う(図10)そして、基板W2を再度搬送機構52によって処理チャンバ40内に導入する。このとき、基板載置台41は時計回りに所定の角度αだけ回転されているので、図9に破線で示すように、先ほど基板W1を載置した位置に基板W2が載置可能となっている。したがって、基板W2は、受け渡し位置Aで昇降ピン42aに受け渡され、基板載置台41に載置される。そして、この動作を基板W6まで順次繰り返し行うことで、基板収容部50内の全ての基板W1〜W6が処理チャンバ40内に搬入される。
処理チャンバ40内に全ての基板Wが搬入されると、ゲートバルブ28が閉じられ、制御装置4により基板Wの処理が実行される。そして、各基板W1〜W6に成膜処理が施される。また、処理装置22で基板Wの処理が行われている間に、空の状態の基板収容部51は、制御装置4により上昇位置まで上昇され、新たな未処理の基板W1〜W6がアーム15により収容される。なお、この際全ての基板W1〜W6の搬送が終了して空となった状態で下降位置に位置している基板収容部50は、そのままの状態を維持される。
処理装置22での成膜処理が終了すると、ゲートバルブ28が開けられる。次いで、搬送機構52の基板保持部56により、処理済の基板Waが処理チャンバ40から搬出され、基板収容部50に収容されると共に、未処理の基板Wが基板収容部51から処理チャンバ40に搬入される、基板Wの入れ替えが行われる。
基板Wと基板Waを入れ替える際の動作について詳述する。図11は基板W、Waの入れ替え動作を示すタイムチャートである。図11において、A〜Dは、基板保持部56、57が、受け渡し位置A、Bまたは待機位置C、Dのいずれに位置しているかを示し、一点鎖線の矢印は、基板W、Waの所在を示している。また、基板収容部50、51の欄にはそれぞれ、基板収容部50、51を上昇位置及び下降位置から距離Pずつ下降及び上昇した際の、高さ方向の位置の変化を示している。具体的には例えば、基板収容部51が上昇位置から距離Pだけ下降した場合、タイムチャート上では、上昇位置−Pとして表される。
処理チャンバ40内で成膜処理が施された基板Wa6は、受け渡し位置Aにおいて、昇降ピン42aにより上昇する(図11のT1)。次いで、搬送機構52、53の基板保持部56、57を受け渡し位置Aに移動させ(図11のT2)、その状態で昇降ピン42aを下降させることで、基板Wa6が昇降ピン42aから基板保持部56に受け渡される(図11のT3及び図12)。そして、搬送機構52、53の基板保持部56、57を処理チャンバ40内からロードロック室20へ退避させ、待機位置C、Dまで移動させる(図11のT4)。この際、基板収容部50の上下方向の位置は、上述のとおり、処理チャンバ40内への未処理基板Wの搬入が完了した状態で維持されており、下降位置に位置している(図13)。そして基板収容部50を距離Pだけ上昇させると共に、基板収容部51を、基板収容部50と逆の方向に同じ距離、すなわち距離Pだけ下降させる。これにより、基板保持部56から基板収容部50への基板Wa6の受け渡し、及び基板収容部51から基板保持部57への基板Wの受け渡しが同時に行われる(図11のT5及び図14)。なお、図10においては、基板保持部56が、図14においては、基板保持部57が破線で示される位置から実線で示される位置に上昇した記載となっているが、これは基板収容部50、51と基板保持部56、57との相対的な高さ方向の位置が変化したことを便宜上示すものであり、実際に昇降しているのはいずれも基板保持部56、57ではなく、基板収容部50、51である。
また、基板Wa6が処理チャンバ40から搬出されると共に、基板Wの処理の完了を検出した制御装置4により、基板載置台41が基板Wの処理を行う前とは逆方向、すなわち反時計回りに所定の角度αだけ回転させられる。これにより、受け渡し位置Bの下方に対応する基板載置台41の位置に新たな未処理の基板W1が載置可能となる(図15)。そして、基板載置台41の回転動作が終了した後、昇降ピン42aで基板Wa2を支持した状態で待機させる(図11のT6)。その後、未処理基板W1を保持する基板保持部57及び基板を保持していない基板保持部56を処理チャンバ40内に移動させる(図11のT7)。その後、昇降ピン42aを下降させ、受け渡し位置Aにおいて基板保持部56に処理済の基板Wa5を受け渡すと共に、昇降ピン42bを上昇させ、受け渡し位置Bにおいて基板Wが昇降ピン42bに受け渡される(図11のT8)。その後、基板保持部56、57をロードロック室20に退避させ、待機位置C、Dまで移動させる(図11のT9)。そして、基板収容部50、51をそれぞれ上昇、下降させ、基板収容部51から基板保持部57への基板W2の受け渡し、及び基板保持部56から基板収容部50への基板Wa5の受け渡しを行う(図11のT10)。これにより、例えば図11のT8〜T10の間に、基板保持部56から基板収容部50への基板Wa5の受け渡し、及び基板収容部51から基板保持部57への基板W2の受け渡しが同時に行われる。そして、それと並行して基板載置台41を反時計回りに所定の角度αだけ回転させ、全ての基板W及びWaの入れ替えが終了する図11のTnまでこの作業を繰り返し行う。こうすることで、処理済基板Wa1〜Wa6が、未処理基板W1〜W6が収容されていたときと同じ順序で基板収容部50に収容される。その後、処理チャンバ40内の基板が全て未処理基板Wに入れ替わったところで、再び成膜処理を実施する。
成膜処理の実施中には、基板収容部50に収容された処理済の基板Waが、基板収容部50からアーム15を介してカセットCに戻され、新たな未処理基板Wがアーム15を介して基板収容部50に収容される。そして、成膜処理が終了した後は、再度基板載置台41の回転を逆転、すなわち時計回りに順次回転させながら、処理チャンバ40内に搬入した未処理基板Wを収容していた側の基板収容部、すなわち基板収容部51に上述の基板処理容器50と同様の手順で処理済基板Waを順次収容する。それと並行して、基板収容部50の未処理基板Wを処理チャンバ40内に順次搬入し、この一連の処理が繰り返し行われる。なお、処理装置23で行われる処理は処理装置22で行われる処理と同様であるので、ここでは説明を省略する。
以上の実施の形態によれば、複数の基板Wを同心円上に載置する基板載置台41が正転及び逆転自在に構成されているので、処理チャンバ40での基板Wの処理を行った後に、未処理の基板Wを処理チャンバ内に搬入する際の回転方向とは逆の方向に基板載置台を回転させながら、未処理の基板Wを処理チャンバ40内に搬入する際に用いた、例えば基板保持部50で処理チャンバ40から処理済の基板Waを搬出することで、例えば最後に搬入した基板Wa6から順に基板保持部50に収容することができる。そのため、例えば未処理基板Wの処理チャンバ40への搬入が終了した状態で待機させている基板収容部50に、最後に搬入した基板Wから順に処理済の基板Waを収容することで、基板収容部50に収容される処理済の基板Waの順序を維持しつつ、従来よりも短時間で処理装置22と基板収容部50との間で基板の受け渡しを行うことができる
また、基板保持部56、57と基板収容部50、51の支持部70が、平面視において互いに重ならない位置に設けられ、基板収容部50、51が昇降機構54、55により昇降自在に構成されているので、基板保持部56、57を基板収容部50、51内に進入させた状態、すなわち待機位置A、Bに待機させた状態で、基板収容部50、51を支持部70間の間隔Pだけ上下方向に移動させれば、基板保持部56、57が支持部70とすれ違う際に、支持部70との基板W、Waの受け渡しを行うことができる。このため、例えば基板収容部50の上端の支持部70hと基板Wの受け渡しを行う場合に、従来の搬送アームのように、例えば基板収容部50の高さ方向の距離Qに亘って上下方向に移動する必要がなくなる。したがって、処理装置22と基板収容部50、51との間での基板W、Waの入れ替え時間を短縮し、基板処理システム1のスループットをさらに向上させることができる。
以上実施の形態では、基板収容部50、51にそれぞれ昇降機構54、55を設けていたが、例えば昇降機構を基板収容部50、51に対して1つ設け、当該昇降機構の駆動力を分岐伝達する駆動力伝達機構として、例えばギヤを設け、基板収容部50と基板収容部51が互いに逆方向に同時に上下方向に移動するように構成してもよい。これにより、基板収容部50、51に対して独立に設けていた昇降機構54、55が不要となり、基板搬送装置24をコンパクトに構成できる。
また、基板保持部56、57にそれぞれ設けられていた移動機構58、59についても、移動機構58、59に代わって、例えば図16に示すように基板保持部56、57に対して一つの移動機構60を設け、移動機構60により、例えば下方に凸に湾曲した略U字状の連結部材61により基板保持部56と基板保持部57を締結してもよい。この場合も、基板保持部56、57に対して独立に設けていた移動機構58、59が不要となり、基板搬送装置24をコンパクトに構成できる。なお、図16において連結部材61を下方に凸に湾曲した略U字状としたのは、基板保持部56、57が移動する際に、連結部材61と基板収容部50、51とが干渉しないように、連結部材61に垂直部61aを設けるためである。したがって、連結部材61の形状は、基板収容部50、51との干渉が発生しない形状であれば、図16の形状に限定されるものではない。なお、連結部材61の水平部61bは、基板保持部56、57が処理チャンバ40内の受け渡し位置A、Bまで進入した際に、連結部材61の垂直部61aが、ロードロック室20の開口26と干渉しない長さとなっている。
また、連結部材61を用いる場合、移動機構60の駆動部60aは、ロードロック室20の開口25より下方に配置されるので、この場合、例えば駆動部60cをロードロック室20の搬送室11に対向する側であって、開口25より下方の部分を、例えば図17に示すように搬送室11側に突出した形状とし、当該突出した箇所に駆動部60aを配置すれば、ロードロック室20の大きさを変えることなく移動機構60を配置することができる。
以上実施の形態では、昇降機構54、55により基板収容部50、51をそれぞれ昇降させたが、例えば図18に示すように、基板収容部50、51の支持部70を基板W、Waの内側と外側との間、すなわち図1のX方向に移動させる支持部移動機構71を設け、昇降機構54、55により基板保持部56、57を昇降させるように構成してもよい。このような構成の基板搬送装置24により、例えば基板収容部50、51との間で基板Waの受け渡しを行う際は、例えば基板保持部57に基板Waを保持した状態で基板保持部56、57をそれぞれ待機位置C、Dまで移動させる。次いで、例えば図19に示すように支持部移動機構71により支持部70を平面視において基板Waと重ならない位置まで退避させた状態で基板保持部57を所定の基板高さまで上昇させる。それと並行して、基板保持部56を所定の高さまで上昇させ、基板Wを支持部70から基板保持部56に受け渡す。なお、例えば図18において、基板保持部56を上昇させる際は、基板保持部56は基板Wを保持しておらず、基板Wと支持部70との干渉が発生しないため、この時点で基板収容部50の支持部70を退避させておく必要はない。そして、基板収容部56、57を所定の高さに上昇させた後、基板収容部50においては、支持部70を基板Wと干渉しない位置まで退避させ、基板保持部56を下降させる。基板収容部51においては、支持部70を退避前の位置に移動させ、その後に基板保持部57を下降させて、支持部70への基板Waの受け渡しを行う(図20)。これにより、支持部70の間を基板保持部57が基板Waを保持したまま上昇し、基板Waの受け渡しを行うことができる。かかる場合、従来の搬送アームにおいてバッファ領域である基板収容部50、51と処理チャンバ40との間での基板の受け渡しの際に行われていた、搬送アームの旋回動作が不要となり、処理容器22と基板収容部50、51との間での基板W、Waの入れ替え時間が短縮できる。これにより、基板処理システム1のスループットを向上させることができる。
また、基板収容部50、51と基板保持部56、57との間での基板W、Waの受け渡しは、上述の基板収容部50、51を昇降させる方法、及び支持部70を退避させ、基板保持部56、57を昇降させる方法の他に、例えば図21に示すように、基板収容部50、51の下方に、基板W,Waを支持する他の支持部として支持ピン80、81を設け、この支持ピン80を昇降機構54、55により昇降させることで行う方法が提案できる。具体的には、支持部70を基板W、Waと干渉しない位置まで退避させる支持部移動機構71を有する基板収容部50、51の下方であって、基板保持部56、57が待機位置C、Dから処理装置22に向かって移動する際に干渉しない位置に、支持ピン80、81を設ける。そして、例えば基板保持部56が基板Wを保持していない状態で待機位置Cまで移動させ、次いで支持ピン80を上昇させ支持ピン80により基板Wを支持する。それと並行して、基板保持部57を、基板Waを保持した状態で待機位置Dまで移動させ、次いで支持ピン81を上昇させ、支持ピン81により基板Waを支持する(図22)。そして、基板収容部50においては、支持部70を退避させ、その後、支持ピン80を下降させれば、支持ピン80と基板収容部50との間で基板Wの受け渡しが行われる。この際、基板保持部56、57が待機位置C、Dから処理装置22に向かって移動する際に干渉しない位置に支持ピン80、81が設けられているので、例えば基板収容部50から基板保持部56に基板Wを受け渡す際に、予め支持ピン80により基板Wを、例えばP/2だけ待機位置Cの上方で支持しておけば、基板保持部56を待機位置Cに移動させた後に、最小限の動作、すなわち支持ピンをP/2だけ下降させることで、基板収容部50と基板保持部56との受け渡しを行うことができる。したがって、処理容器22と基板収容部50、51との間での基板W、Waの入れ替え時間を短縮し、基板処理システム1のスループットを向上させることができる。
なお、基板保持部56、57が待機位置C、Dから処理装置22に向かって移動する際に干渉しないような支持ピン80の配置としては、例えば図23に示すように、基板保持部56、57の外側を囲むような配置が提案できる。
以上実施の形態では、搬送機構52、53は移動機構58、59により水平方向にスライドする構成であったが、移動機構として例えば基板搬送体14と同様の伸縮自在のアームを有する構造としてもよい。
また、以上の実施の形態では、カセットステーション2のカセットCと基板収容部50、51との間の基板のやり取りは、多段に設けられた複数の基板保持体16を備えたアーム15を有する一の基板搬送体14により行われているが、ロス無く基板収容部50、51においての基板W、Waの入れ替えが行えるものであれば、例えば一の基板保持体16を備えたアーム(図示せず)を複数設けていてもよく、基板搬送体14を複数設けてもよい。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。また、本発明は、処理装置で行われる処理がCVD処理以外のプラズマ処理、例えばエッチング処理にも適用でき、さらにプラズマ処理以外の処理にも適用できる。さらに、本発明は、本実施の形態の搬送アームの形状に限定されず、他の種々の搬送アームにも適用できる。
本発明は、基板に所定の処理を施す処理装置に対して基板の搬送を行うのに有用である。
1 基板処理システム
2 カセットステーション
3 処理ステーション
4 制御装置
11 搬送室
13 搬送レール
14 基板搬送体
15 アーム
16 基板保持体
20 ロードロック室
22、23 処理装置
24 基板搬送装置
25 開口部
26 開口部
27、28 ゲートバルブ
40 処理チャンバ
41 基板載置台
42 昇降ピン
50、51 基板収容部
52、53 搬送機構
54、55 昇降機構
56、57 基板保持部
58、59 移動機構
60 移動機構
60a 駆動部a
61 連結部材
61a 垂直部
61b 水平部
70 支持部
70h 支持部
70b 支持部
71 支持部移動機構
80、81 支持ピン

Claims (11)

  1. 基板の処理システムであって、
    複数の基板に所定の処理をバッチ式に施す処理チャンバと、
    前記処理チャンバの内部に設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台と、
    複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第1の基板収容部と、
    複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第2の基板収容部と、
    前記第1の基板収容部と前記処理チャンバとの間で搬送する基板を保持する第1の基板保持部と、
    前記第2の基板収容部と前記処理チャンバとの間で搬送する基板を保持する第2の基板保持部と、
    前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させ、前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部との間で基板の受け渡しを行う第1の昇降機構と、
    前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させ、前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部との間で基板の受け渡しを行う第2の昇降機構と、
    前記基板載置台の回転と、前記第1の昇降機構及び前記第2の昇降機構の上下の移動と、前記第1の基板保持部及び前記第2の基板保持部による基板の搬送を制御する制御装置と、を有し、
    前記制御装置は、
    未処理基板の収容された前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第1の基板収容部から前記第1の基板保持部に前記未処理基板を受け渡すと共に、前記基板載置台を一の方向に順次所定の角度で回転させながら、前記第1の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する制御と、
    前記処理チャンバ内で前記複数の基板に所定の処理を実行する制御と、
    前記基板処理の完了後に、前記第1の基板保持部により前記処理チャンバから処理済基板を搬出した後、前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部に対して相対的に上昇させ、前記第1の基板保持部から前記第1の基板収容部に前記処理済基板の受け渡しを行うと共に、前記基板載置台を他の方向に順次所定の角度で回転させながら、未処理基板の収容された前記第2の基板収容部を前記第2の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第2の基板収容部から前記第2の基板保持部に前記未処理基板を受け渡し、前記第2の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する制御と、を行うことを特徴とする基板処理システム。
  2. 前記第1の基板収容部及び前記第2の基板収容部と、基板収容容器との間で基板の搬送を行う基板搬送体を有し、
    前記基板搬送体には、基板を保持する基板保持体が鉛直方向に多段に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。
  3. 前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、
    前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられていることを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載の基板処理システム。
  4. 前記第1の昇降機構は前記第1の基板収容部を上下方向に移動させ、
    前記第2の昇降機構は前記第2の基板収容部を上下方向に移動させることを特徴とする、請求項3に記載の基板処理システム。
  5. 前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、
    前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、
    前記第1の昇降機構は前記第1の基板保持部を上下方向に移動させ、
    前記第2の昇降機構は前記第2の基板保持部を上下方向に移動させることを特徴とする、請求項3に記載の基板処理システム。
  6. 前記第1の基板収容部の基板を支持する第1の支持ピンと、
    前記第2の基板収容部の基板を支持する第2の支持ピンと、を有し、
    前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、
    前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、
    前記第1の昇降機構は、前記第1の支持ピンを上下方向に移動させ、
    前記第2の昇降機構は、前記第2の支持ピンを上下方向に移動させることを特徴とする、請求項3に記載の基板処理システム。
  7. 複数の基板に所定の処理を施す処理チャンバと、
    前記処理チャンバに設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台と、
    複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第1の基板収容部と、
    複数の基板を鉛直方向に多段に収容可能な第2の基板収容部と、
    前記第1の基板収容部と前記処理チャンバとの間で基板の搬送を行う第1の基板保持部と、
    前記第2の基板収容部と前記処理チャンバとの間で基板の搬送を行う第2の基板保持部と、
    前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させる第1の昇降機構と、
    前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部とを相対的に上下方向に移動させる第2の昇降機構と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
    未処理基板の収容された前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第1の基板収容部から前記第1の基板保持部に前記未処理基板を受け渡すと共に、前記基板載置台を一の方向に順次所定の角度で回転させながら、前記第1の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する工程と、
    前記処理チャンバ内で前記複数の基板に所定の処理を施すバッチ処理工程と、
    前記基板処理の完了後に、前記第1の基板保持部により前記処理チャンバから処理済基板を搬出した後、前記第1の基板収容部を前記第1の基板保持部の処理済基板に対して相対的に上昇させ、前記第1の基板保持部から前記第1の基板収容部に前記処理済基板の受け渡しを行うと共に、前記基板載置台を他の方向に順次所定の角度で回転させながら、前記第2の基板収容部を前記第2の基板保持部に対して相対的に下降させて前記第2の基板収容部から前記第2の基板保持部に前記未処理基板を受け渡し、前記第2の基板保持部により順次前記未処理基板を前記処理チャンバに搬入する工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
  8. 前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、
    前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられ、
    前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部、及び前記第1の基板保持部と前記第1の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第1の基板収容部を上下方向に移動させることにより行い、
    前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部、及び前記第2の基板保持部と前記第2の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第2の基板収容部を上下方向に移動させることにより行うことを特徴とする、請求項7に記載の基板処理方法
  9. 前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、
    前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、
    前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、
    前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられ、
    前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部、及び前記第1の基板保持部と前記第1の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第1の基板保持部を上下方向に移動させることにより行い、
    前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部、及び前記第2の基板保持部と前記第2の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第2の基板保持部を上下方向に移動させることにより行い、
    前記支持部は、基板を支持していない状態では平面視で基板と重ならない位置に退避し、基板が当該支持部の下方から当該支持部の上方に移動した際に、基板を支持する位置に移動することを特徴とする、請求項7に記載の基板処理方法。
  10. 前記第1の基板収容部の基板を支持する第1の支持ピンと、
    前記第2の基板収容部の基板を支持する第2の支持ピンと、を有し、
    前記第1の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第1の支持部移動機構を備え、
    前記第2の基板収容部は、前記支持部を基板の内側と外側との間で移動させる第2の支持部移動機構を備え、
    前記第1の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第1の基板保持部と重ならない位置に設けられ、
    前記第2の基板収容部の内側には、基板を支持する支持部が、平面視で前記第2の基板保持部と重ならない位置に設けられ、
    前記第1の基板収容部と前記第1の基板保持部、及び前記第1の基板保持部と前記第1の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第1の支持ピンを上下方向に移動させることにより行い、
    前記第2の基板収容部と前記第2の基板保持部、及び前記第2の基板保持部と前記第2の基板収容部との相対的な上下方向の移動は、前記第2の支持ピンを上下方向に移動させることにより行い、
    前記支持部は、基板を支持していない状態では平面視で基板と重ならない位置に退避し、基板が当該支持部の下方から当該支持部の上方に移動した際に、基板を支持する位置に移動することを特徴とする、請求項7に記載の基板処理方法。
  11. 複数の基板に所定の処理をバッチ式に施す処理チャンバと、前記処理チャンバの内部に設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台と、
    複数の基板を鉛直方向多段に収容可能な第1の基板収容部と、
    複数の基板を鉛直方向多段に収容可能な第2の基板収容部と、
    前記基板載置台と前記第1の基板収容部との間で基板を搬送する第1の基板保持部と、
    前記基板載置台と前記第2の基板収容部との間で基板を搬送する第2の基板保持部と、を備えた基板処理装置の基板処理方法であって、
    前記第1の基板収容部に複数の未処理基板を収容する工程と、
    前記基板載置台から処理済基板の一枚を前記第2の基板保持部に受け渡し、前記第2の基板収容部に搬送する工程と、
    前記第1の基板収容部から前記第1の基板保持部に未処理基板を受け渡すと共に前記第2の基板保持部から前記第2の基板収容部に処理済基板を受け渡す動作、前記第1の基板保持部に受け渡された未処理基板を前記基板載置台に搬送する動作、前記基板載置台に搬送された未処理基板を前記載置台に載置すると共に前記基板載置台に載置されている処理済基板を前記第2の基板保持部で受け取る動作、前記基板載置台から受け取った処理済基板を前記第2の基板収容部に搬送する動作、および前記基板載置台を所定の角度だけ一方向に回転させる動作、を複数回行う工程と、
    前記第1の基板収容部から未処理基板を前記第1の基板保持部に受け渡し、前記基板載置台に載置する工程と、
    前記処理チャンバで前記複数の基板に所定の処理を施すバッチ処理工程と、
    前記第2の基板収容部から処理済基板を搬出すると共に当該第2の基板収容部に複数の未処理基板を収容する工程と、
    前記基板載置台から処理済基板の一枚を前記第1の基板保持部に受け渡し、前記第1の基板収容部に搬送する工程と、
    前記第2の基板収容部から前記第2の基板保持部に未処理基板を受け渡すと共に前記第1の基板保持部から前記第1の基板収容部に処理済基板を受け渡す動作、前記第2の基板保持部に受け渡された未処理基板を前記基板載置台に搬送する動作、前記基板載置台に搬送された未処理基板を前記載置台に載置すると共に前記基板載置台に載置されている処理済基板を前記第1の基板保持部で受け取る動作、前記基板載置台から受け取った処理済基板を前記第1の基板収容部に搬送する動作、および前記基板載置台を所定の角度だけ他方向に回転させる動作、を複数回行う工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
JP2009064171A 2009-03-17 2009-03-17 基板処理システム及び基板処理方法 Expired - Fee Related JP5249098B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009064171A JP5249098B2 (ja) 2009-03-17 2009-03-17 基板処理システム及び基板処理方法
KR20100021369A KR101127048B1 (ko) 2009-03-17 2010-03-10 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
US12/724,763 US8814489B2 (en) 2009-03-17 2010-03-16 Substrate processing system and substrate processing method
US13/449,409 US9011075B2 (en) 2009-03-17 2012-04-18 Substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009064171A JP5249098B2 (ja) 2009-03-17 2009-03-17 基板処理システム及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010219281A JP2010219281A (ja) 2010-09-30
JP5249098B2 true JP5249098B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=42738026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009064171A Expired - Fee Related JP5249098B2 (ja) 2009-03-17 2009-03-17 基板処理システム及び基板処理方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8814489B2 (ja)
JP (1) JP5249098B2 (ja)
KR (1) KR101127048B1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5806463B2 (ja) * 2010-12-24 2015-11-10 川崎重工業株式会社 搬送ロボット及びその基板搬送方法
JP5706682B2 (ja) * 2010-12-24 2015-04-22 川崎重工業株式会社 基板搬送中継装置
KR101495241B1 (ko) * 2010-12-24 2015-02-24 카와사키 주코교 카부시키 카이샤 반송 로봇, 그의 기판 반송 방법 및 기판 반송 중계 장치
US8936994B2 (en) * 2011-04-28 2015-01-20 Mapper Lithography Ip B.V. Method of processing a substrate in a lithography system
KR102164707B1 (ko) * 2013-08-14 2020-10-13 삼성디스플레이 주식회사 원자층 증착 방법 및 원자층 증착 장치
EP3218926A2 (en) * 2014-11-14 2017-09-20 Mapper Lithography IP B.V. Load lock system and method for transferring substrates in a lithography system
KR101999838B1 (ko) * 2015-08-11 2019-07-15 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 시스템
US10325789B2 (en) * 2016-01-21 2019-06-18 Applied Materials, Inc. High productivity soak anneal system
KR20220106900A (ko) * 2021-01-22 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 기판 적재용 카세트 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6355429U (ja) * 1986-09-27 1988-04-13
FR2656599B1 (fr) * 1989-12-29 1992-03-27 Commissariat Energie Atomique Dispositif de rangement d'objets plats dans une cassette avec rayonnages intermediaires.
US5174067A (en) * 1990-10-19 1992-12-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic wafer lapping apparatus
JPH05275511A (ja) * 1991-03-01 1993-10-22 Tokyo Electron Ltd 被処理体の移載システム及び処理装置
JPH04298060A (ja) * 1991-03-26 1992-10-21 Tokyo Electron Ltd ウエハの位置合わせ装置
JPH0785469B2 (ja) * 1991-09-05 1995-09-13 日新ハイボルテージ株式会社 イオン注入装置におけるウエファ搬送装置
DE4340522A1 (de) * 1993-11-29 1995-06-01 Leybold Ag Vorrichtung und Verfahren zum schrittweisen und automatischen Be- und Entladen einer Beschichtungsanlage
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5944940A (en) * 1996-07-09 1999-08-31 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system and method of using the same
US6234788B1 (en) * 1998-11-05 2001-05-22 Applied Science And Technology, Inc. Disk furnace for thermal processing
JP2000174091A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Fujitsu Ltd 搬送装置及び製造装置
JP2000174094A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Hitachi Ltd 半導体製造装置
DE10232731A1 (de) * 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
DE10329868A1 (de) * 2003-07-02 2005-01-20 Dynamic Microsystems Semiconductor Equipment Gmbh Lagersystem für Wafer
JP4688637B2 (ja) * 2005-10-28 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
KR20070095098A (ko) * 2006-03-20 2007-09-28 삼성전자주식회사 반도체 기판의 이송 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
KR100829920B1 (ko) * 2006-07-25 2008-05-16 세메스 주식회사 복층 구조의 반도체 제조 설비 및 그의 웨이퍼 이송 방법
US7690881B2 (en) * 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010219281A (ja) 2010-09-30
KR101127048B1 (ko) 2012-03-27
KR20100105395A (ko) 2010-09-29
US20120201646A1 (en) 2012-08-09
US20100240200A1 (en) 2010-09-23
US9011075B2 (en) 2015-04-21
US8814489B2 (en) 2014-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5249098B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP5336885B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
US6331095B1 (en) Transportation system and processing apparatus employing the transportation system
JP3650495B2 (ja) 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法
KR101161296B1 (ko) 프로세스 모듈, 기판 처리 장치 및, 기판 반송 방법
JP5482500B2 (ja) 基板処理装置
JP2012004536A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007088279A (ja) 基板処理システム及び方法
JP5290890B2 (ja) 基板処理装置
TW202029392A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW201140732A (en) Method for transferring target object and apparatus for processing target object
KR101409752B1 (ko) 기판 이송 로봇을 이용한 멀티 챔버 기판 처리 장치
US8845262B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium storing substrate processing program
JP2006216982A (ja) 半導体処理装置
JP2015141916A (ja) 基板熱処理装置、基板熱処理装置の設置方法
US8545158B2 (en) Loading unit and processing system
JPH09205127A (ja) 基板搬送方法、基板搬送装置及び処理システム
JP2017199735A (ja) 基板の入れ替えシステム、基板の入れ替え方法及び記憶媒体
JP3816929B2 (ja) 半導体処理装置
JP2001160584A (ja) 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置
JP2019106517A (ja) 移載設備、移載方法
JP2013055363A (ja) プロセスモジュール、基板処理装置、および基板搬送方法
KR101661217B1 (ko) 로드 포트 그리고 그것을 갖는 클러스터 설비
JPH06329209A (ja) 半導体製造装置のウェーハカセット搬送装置
KR20240034353A (ko) 기판 증착 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120301

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130411

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5249098

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees