JP2001160584A - 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置 - Google Patents
半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置Info
- Publication number
- JP2001160584A JP2001160584A JP2000316685A JP2000316685A JP2001160584A JP 2001160584 A JP2001160584 A JP 2001160584A JP 2000316685 A JP2000316685 A JP 2000316685A JP 2000316685 A JP2000316685 A JP 2000316685A JP 2001160584 A JP2001160584 A JP 2001160584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- substrates
- transfer
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
- B65G2249/02—Controlled or contamination-free environments or clean space conditions
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
トを向上させる。 【解決手段】搬送機構60のキャッチャ66の上フォー
ク66aに未処理基板S1を支持させ、且つ載置台10
上方の第2の位置で処理済み基板S2を支持ピン11に
支持させる。この状態で、キャッチャ66を載置台10
の上方の所定位置まで進出させる。次に、キャッチャ6
6を停止させた状態で、支持ピン11を下降させると共
に支持ロッド12を上昇させる。これにより、未処理基
板S1を上フォーク66aから支持ロッド12に受け渡
し、それと同時に、処理済み基板S2を支持ピン11か
ら下フォーク66bに受け渡す。
Description
スプレイ)基板や半導体ウェハに半導体処理を施すため
の半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並
びに半導体処理装置及び基板搬送装置に関する。ここ
で、半導体処理とは、LCD基板、半導体ウェハ等の被
処理基板上に半導体デバイスを製造するために実施され
る種々処理を意味する。
程においては、減圧雰囲気下でLCD基板にエッチン
グ、アッシング等の所定の半導体処理を施す真空処理室
を複数備えた、いわゆるマルチチャンバー型の真空処理
装置が使用されている。
ーム等を有する基板搬送機構が設けられたロードロック
室と、その周囲に設けられた複数の真空処理室とを有す
る。ロードロック室内の搬送アームにより、被処理基板
が各真空処理室に搬入されると共に、処理済みの基板が
各真空処理室から搬出される。
は、一定期間に処理可能な基板の処理枚数、つまり装置
のスループットをいかにして向上させるかが大きな技術
課題となっている。そのために上述したように装置をマ
ルチチャンバータイプにしたり、搬送アームを上下2段
にしたりして対応している。
ームに未処理基板を載置した状態で、搬送アームを真空
処理室内の載置台にアクセスし、まず下アームを進出さ
せて処理済み基板を受取った後、下アームを退避させ、
次いで上アームを進出させて未処理基板を載置台上に搬
送する。
ような基板の交換動作では時間短縮にも一定の限界があ
り、LCD基板に対するさらなるスループット向上が要
求されている。
であって、基板処理におけるスループットを向上させる
ことが可能な半導体処理装置の基板支持機構及び基板交
換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置を提供
することを目的とする。
半導体処理装置において被処理基板を支持するための機
構であって、前記基板の1つを載置すると共に搬送部材
により前記基板の交換が行われるように配設された載置
台と、前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うよ
うに、進退可能で且つ前記基板の1つを前記載置台上方
の第1の位置で支持可能に配設された複数の第1の支持
部材と、前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行う
ように、進退可能で且つ、前記第1の支持部材により前
記基板の1つが前記第1の位置で支持された状態におい
て、前記基板の他の1つを前記載置台上方で且つ前記第
1の位置に対して上下に重なる第2の位置で支持可能に
配設された複数の第2の支持部材と、を具備することを
特徴とする。
において、前記第1の支持部材は前記載置台の外側に配
設されることを特徴とする。
において、前記第1の支持部材の夫々は、退避状態にお
いて蓋によりカバーされた状態でシールド部材中に収容
されることを特徴とする。
において、前記第1の支持部材は、夫々が進退可能な支
持棒と前記支持棒の先端に配設された張出し部材とから
なり、複数の前記張出し部材は前記載置台の上方に張出
す位置において協働して前記基板の1つを支持すること
を特徴とする。
において、前記張出し部材は、前記支持棒の回転によ
り、前記載置台の上方に張出す位置と前記載置台の上方
から退避する位置との間で移動されることを特徴とす
る。
視点の機構において、前記支持棒は、退避状態において
前記張出し部材によりカバーされた状態でシールド部材
中に収容されることを特徴とする。
ずれかの視点の機構において、前記第2の支持部材は前
記載置台の内側に配設されることを特徴とする。
ずれかの視点の機構において、前記第1の位置は前記第
2の位置よりも上方にあり、前記第1及び第2の位置に
は夫々未処理及び処理済みの基板が支持されることを特
徴とする。
ずれかの視点の機構を使用した基板交換方法であって、
前記基板の1つである第1の基板を前記搬送部材に保持
する一方、前記第1の支持部材を進出位置に配置する工
程と、前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進
出させた後、前記第1の基板を前記搬送部材から前記第
1の支持部材上に移載する第1の移載工程と、前記第1
の支持部材により前記第1の基板を前記第1の位置に支
持した状態において、前記基板の別の1つである第2の
基板を前記第2の支持部材により前記第2の位置に支持
する工程と、前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位
置に進出させた後、前記第2の基板を前記第2の支持部
材から前記搬送部材上に移載する第2の移載工程と、を
具備することを特徴とする。
法において、前記搬送部材は第1及び第2の保持部を有
し、前記第1及び第2の移載工程を同時に行うことを特
徴とする。
して半導体処理を施すための装置であって、ゲートを介
して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能
なロードロック室と、前記ロードロック室にゲートを介
して接続され且つ減圧雰囲気に設定可能な搬送室と、前
記搬送室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気で前
記半導体処理を行うための処理室と、前記ロードロック
室と前記処理室との間で前記基板を搬送するために前記
搬送室内に配設された搬送部材と、を具備し、前記ロー
ドロック室は、前記基板の1つを夫々支持可能で且つ上
下に重なる第1及び第2の支持レベルを有すると共に、
前記第1及び第2の支持レベルを貫通して上下に移動可
能で且つ前記基板を支持可能な複数の支持ピンを具備す
ることを特徴とする。
装置において、前記第1及び第2の支持レベルの夫々
は、前記基板を支持する開閉可能な一対のフィンガによ
り規定され、前記フィンガは閉状態において前記基板を
支持し、開状態において前記基板が前記一つのフィンガ
間を上下に通過することを許容することを特徴とする。
して半導体処理を施すための装置であって、ゲートを介
して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能
な第1のロードロック室と、ゲートを介して前記基板を
搬出入可能で且つ減圧雰囲気に設定可能であると共に、
前記第1のロードロック室に対して上下に重なるように
配設された第2のロードロック室と、前記第1及び第2
のロードロック室にゲートを介して接続され且つ減圧雰
囲気に設定可能な搬送室と、前記搬送室にゲートを介し
て接続され且つ減圧雰囲気で前記半導体処理を行うため
の処理室と、前記第1及び第2のロードロック室と前記
処理室との間で前記基板を搬送するために前記搬送室内
に配設された、上下動可能な搬送部材と、を具備するこ
とを特徴とする。
板を収納するカセットと半導体処理装置との間で前記基
板を搬送するための装置であって、前記基板の1つを載
置する上フィンガを有する上フォークと、前記基板の1
つを載置する下フィンガを有する下フォークと、前記上
下フォークを駆動するための駆動部と、を具備し、前記
駆動部は、前記上下フォークを一体的に上下動可能且つ
回転可能且つ水平に直線摺動可能に駆動すると共に、前
記上下フィンガが同一平面上に位置する状態と同一平面
上に位置しない状態との間で前記上下フォークを相対的
に上下動可能に駆動することを特徴とする。
の実施の形態について具体的に説明する。
体デバイス等を形成するため、エッチング処理及びアッ
シング処理を行うためのマルチチャンバータイプの真空
処理装置について説明する。
装置の概観を示す斜視図、図2はその内部を示す概略横
断平面図である。
を介して接続された搬送室5とロードロック室3とが配
設される。搬送室5は、平面が略正方形であり、ロード
ロック室3と面しない残りの各側面には、開口部を気密
にシールし且つ開閉可能なゲートバルブ9aを介して3
つの処理室2、4、6が夫々接続される。
を供給するための供給手段と、室内を排気するための排
気手段とが接続され、従って、各処理室2、4、6は任
意の減圧雰囲気に設定し且つ維持することが可能となっ
ている。例えば、処理室2、6では同一のエッチング処
理が行われ、他の1つ処理室4ではアッシング処理が行
われる。処理室の組み合わせはこれに限らず、適宜の処
理を組み合わせることもでき、シリアル処理、パラレル
処理等任意の処理を複数の処理室を用いて実施すること
が可能である。
設される。載置台10には基板Sを支持するための4本
の支持ピン11が配設される。載置台10の周囲にはや
はり基板を支持するための4本の支持部材12が配設さ
れる。支持ピン11及び支持部材12については、詳細
を後述する。
定し且つ維持することが可能となっている。ロードロッ
ク室3内には、図4図示の如く、基板Sを支持するため
の一対のスタンド31を具備するバッファラック30が
配設される。バッファラック30は、一度に2枚の基板
Sを保持するように構成されており、これにより真空引
き、パージの効率が向上する。
上下に具備する。棚32、33は搬送機構50の2枚の
アーム52、53に対応する水平な2段の基板支持レベ
ルを形成する。本実施の形態では、バッファラック30
の支持レベル間隔は、カセット42における基板Sの支
持間隔よりも大きく設定される。また各棚32、33の
上面には、摩擦係数の高い合成ゴムからなる突起34が
設けられており、これによって基板のずれ及び落下が防
止される。
は一体的に昇降可能となる。バッファラック30の昇降
により、搬送室5内に設けられた搬送機構60が昇降す
ることなく、2枚の基板のうちの一方を選択的に取出す
ことができる。
度にアライメントするための一対のポジショナ35、3
5及び基板のアライメントの完了を確認するための光学
的センサ(図示せず)が配置される。一対のポジショナ
35は、基板の対角線の延長線上にて相互に対向するよ
うに配置される。各ポジショナ35は、図中の往復矢印
A方向に起動可能なサポート36と、サポート36上に
回転フリーに支持された一対のローラ37、37を具備
する。
支持された2枚の基板を対角線方向に挟み込む態様で、
基板のアライメントを行う。ローラ37は基板Sの側面
を4点で押圧することにより位置合わせするため、略矩
形状の基板の位置合わせを行うのに特に適する。ローラ
37はサポート36上に着脱可能に取付けられ、処理さ
れるLCD基板の寸法に応じて適宜交換することが可能
である。
して外部雰囲気と接続される。ロードロック室3の外部
側には、2つのカセットインデクサ41が配設され、そ
の上に夫々LCD基板を収容するカセット42が載置さ
れる。カセット42の一方には未処理基板が収容され、
他方には処理済み基板が収容される。カセット42は、
昇降機構43により昇降可能となっている。
上に基板搬送機構50が配設される。搬送機構50は上
下2段に配設されたアーム52、53と、これらを一体
的に進出退避及び回転可能に支持するベース54とを有
する。アーム52、53上には基板を支持する4つの突
起55が形成される。突起55は摩擦係数の高い合成ゴ
ム製の弾性体からなり、基板支持中に基板がずれたり、
落下することが防止される。
2枚の基板を一度に搬送可能となっている。即ち、カセ
ット42に対して、2枚の基板が一度に取出しまたは装
入することが可能となる。各カセット42の高さは昇降
機構43により調整され、アーム52、53による基板
の取出しまたは装入位置が設定される。2枚のアーム5
2、53の間隔は、各種のカセットの基板支持間隔の最
大値よりも大きくなるように設定される。このため、種
々のカセットに対応可能である。
る。この場合には、同一のカセット内の空いたスペース
に処理済みの基板を戻していくことになる。
維持することが可能となっている。搬送室5内には、図
3図示の如く、搬送機構60と、複数のLCD基板を保
持可能に構成されたバッファ枠体70が配設される。搬
送機構60により、ロードロック室3と、処理室2、
4、6との間で基板が搬送される。また、バッファ枠体
70により、未処理基板または処理済み基板が一時的に
保持される。このように基板を一時保持することにより
スループットの向上を図っている。
され、ベース68に回動可能に配設された第1アーム6
2と、第1アーム62の先端部に回動可能に配設された
第2アーム64と、第2アーム64に回動可能に配設さ
れ且つ基板を保持するためのキャッチャ66とを有す
る。ベース68に内蔵された駆動機構により第1アーム
62、第2アーム64及びキャッチャ66を移動させる
ことにより、基板を搬送することが可能となる。また、
搬送機構60は、ベース68の下に配設されたシリンダ
機構69により上下動が可能であると共に、シリンダを
軸として回転可能となっている。
構成されたフォーク66a、66bを有する。上フォー
ク66aにより未処理基板が支持され、下フォーク66
bにより処理済み基板が支持されるようになっている。
なお、図示しないが、各フォークには、基板のずれや落
下を防止するために、摩擦係数の高い合成ゴム製の突起
が配設される。
に、ベース68に対して昇降可能に設置される。枠体7
0は、4つのバッファ72、74、76、78を具備
し、これらは水平な4段の基板支持レベルを形成してい
る。これらバッファには、基板を支持するための突起7
9が配設される。突起79は摩擦係数の高い合成ゴム製
であり、基板支持中に基板がずれることまたは落下する
ことを防止する。
リンダ69を軸としてベース68と一体となって回転す
る。このようにベース68を回転させることにより、搬
送機構60は、処理室2、4、6、ロードロック室3の
いずれかに対して選択的に対面することができる。
に載置台10が配設される。載置台10はプラズマを形
成するための下部電極として機能する。載置台10の周
囲には、図5図示の如く、セラミック製のシールドリン
グ13が配設される。
載置台10の縁部に進出退避可能に配設される。4本の
支持部材12(第1の支持部材)は、載置台10の周囲
のシールドリング13に進出退避可能に配設された支持
棒12aと、その先端に配設された張出し部材12bと
を有する。支持棒12aは進出することにより、基板を
支持することが可能となり、基板の受取りの際に第1の
位置で未処理基板S1を支持する。また、支持ピン11
は進出することにより、基板を支持することが可能とな
り、基板受渡しの際に第1の位置よりも下方の第2の位
置で処理済み基板S2を支持する。
(a)図示の如く、張出し部材12bが載置台10にか
からないような状態にある。しかし、支持部材12は支
持位置において、図9(b)図示の如く、支持棒12a
が回転されることにより、張出し部材12bが載置台1
0側に突出した支持位置にある状態となる。
が前記第1の位置に対応し、下フォーク66bが前記第
2の位置に対応する位置になるように高さが設定され
る。後述するように、上フォーク66aに未処理基板を
支持した状態で処理室に装入された際に、未処理基板が
第1の位置にある支持部材12に受け渡されると同時
に、第1の位置で支持ピン11に支持される処理済み基
板がフォーク66bに受け渡される。
について説明する。
53を進退駆動させて、未処理基板を収容した一方のカ
セット42(図1の左側のカセット)から2枚の基板S
を一度にロードロック室3に搬入する。
ラック30の棚32、33により2枚の基板Sを保持す
る。アーム52、53が退避した後、ロードロック室の
大気側のゲートバルブ9bを閉じる。その後、ロードロ
ック室3内を排気して、内部を所定の真空度、例えば1
0-1Torr程度まで減圧する。真空引き終了後、一対
のポジショナ35の4つのローラ37により基板を押圧
することにより基板Sの位置合わせを行う。
5及びロードロック室3間のゲートバルブ9aを開く。
汚染防止の観点から下段の棚33の基板Sから搬送機構
60により搬送室5内に搬入し、バッファ枠体70の最
上のバッファ72に保持する。この場合に、基板Sはバ
ファラック30上に予め決められた所定の間隔で支持さ
れているので、搬送機構の動作制御をカセット42の基
板支持間隔に依存せずに行うことができる。即ち、異な
る基板の支持間隔毎に搬送機構60の動作量等を変更す
るという複雑な制御手段が不要となる。従って、装置内
の汚染を低減することができる。
-4Torr程度に更に真空引きする。これにより、装置
内の汚染を低減することができる。次に、搬送機構60
により搬送室5内に搬入し且つバッファ72に保持した
基板Sを所定の処理室、例えば処理室2に搬送する。こ
の場合に、最初に搬送する場合以外は、処理室内には処
理済み基板が存在しており、処理済み基板と未処理基板
との交換を行うこととなる。
ながら説明する。
板S2を載置した状態で、支持部材12を図9(a)の
状態から進出させる。更に、図9(b)のように支持棒
12aを回転させて、張出し部材12bが載置台10側
に突出する位置になるようにする。この状態でこの支持
部材12は第1の位置で未処理基板S1を受取ることが
可能な状態となる。
基板S2を上昇させ、第2の位置で支持するようにす
る。以上のような動作により、図5の状態が形成され
る。この場合に、搬送機構60のキャッチャ66は、そ
の上フォーク66aが前記第1の位置に対応し、下フォ
ーク66bが前記第2の位置に対応する位置になるよう
に高さが設定されており、上フォーク66aに未処理基
板S1を支持している。
載置台10の上方に進出させ、未処理基板S1を載置台
10上方の第1の位置まで搬送する。この場合に、フォ
ーク66bは第2の位置にある処理済み基板S2の直下
に位置する。この状態で支持部材12の支持棒12aを
僅かに上昇させ、同時に支持ピン11を下降させる。こ
れにより、未処理基板S1は支持部材12に支持された
状態となると共に、処理済み基板はキャッチャ66の下
フォーク66bに支持された状態となる。
2を支持した状態のキャッチャ66を退避させる。そし
て、図8図示の如く、再び支持ピン11を進出させて未
処理基板S1を支持し、支持部材12を退避させて図9
(a)の状態に戻す。この図8の動作と並行して、処理
室と搬送室5との間のゲートバルブ9aを閉じる動作に
入り、プロセス前処理を開始する。従って、図8の動作
はスループットには影響を与えない。
おいて、未処理基板の搬入と処理済み基板の搬出とを保
持部(キャッチャ)の1回の移動によって行うことがで
きる。このため、基板の交換時間を著しく低減すること
ができる。ちなみに、従来この交換操作にかかる時間が
17秒であったものが8秒と半分以下に短縮された。
ック室3内の棚32の基板も搬送室5に搬入し、いずれ
かのバッファに保持する。このような動作をカセット4
2内の基板に対して順次に行う。この際に第1及び2ロ
ードロック室20、3内のバッファの存在により、待ち
時間なく連続的に基板を装置内に搬入することができる
ので、スループットの向上に寄与する。
搬送室5に戻し、更にロードロック室3を経て、搬送機
構50のアーム52、53により、処理済み基板用のカ
セット42(図1の右側のカセット)に挿入する。
構の存在、及び特に処理室における基板の交換の高効率
化により、従来にない極めて高いスループットを実現す
ることができる。
ングの連続処理を行うことが可能であり、この点でも効
率が高い。また、プログラムを変更することにより、エ
ッチング、エッチングの連続処理、エッチングの単一処
理など、ユーザーのニーズに対応した種々処理を行うこ
とができ、極めて汎用性が高い。
の先端に平板状の張出し部材12bを設けたものを用い
たが、図10図示の如く、先端に鉤状部12cを有する
ピン状の支持部材12xであってもよい。そして、支持
部材12xは退避位置においては、図11(a)図示の
如く、シールド部材13中に完全に収容され、その上に
蓋12dがされる。支持部材12xが支持位置に進出す
る際には、図11(b)図示の如く、蓋12が開き、支
持位置まで上昇すると回転し、鉤状部12cが載置台1
0側へ突出した状態となる。また、未処理基板を支持す
る支持部材(第1の支持部材)は、進出退避即ち上昇下
降するタイプのものに限らず、例えば回転移動して退避
するタイプのものであってもよい。
ものに限定されず種々のものを採用することができる。
またキャッチャとして上下2段のフォークが固定的に配
設されたものを用いたが、これらフォークが独立して移
動できるものとすることもできる。更に、基板支持部は
フォーク状に限らず搬送機構50のアーム52、53の
ように板状のものであってもよい。
空処理装置の概観を示す斜視図、図13及び図14はそ
の内部を示す概略横断平面図及び概略側面図である。こ
れらの図中、図1乃至図11を参照して述べた先の実施
の形態と共通する部分については、同一の符号を付して
詳細な説明を省略する。
12図示の如く、先の実施の形態と同じ3つ処理室2、
4、6を有する。処理室2、4、6は、平面が正方形の
搬送室5の3つの辺に夫々ゲートバルブ9aを介して接
続される。例えば、処理室2、6では同一のエッチング
処理が行われ、他の1つ処理室4ではアッシング処理が
行われる。
態と同様、4本の支持ピン11及び4本の支持部材12
を有する載置台10が配設される。従って、前述の如
く、各処理室2、4、6においては、処理済み基板と未
処理基板との交換操作を、搬送室5内に配設された搬送
機構60の一進出動作で行うことができる。
ロードロック室3a、3bが夫々ゲートバルブ9aを介
して接続される。また、ロードロック室3a、3bと基
板カセット42との間でLCD基板Sを搬送するため、
先の実施の形態の搬送機構50とは異なる構造の搬送機
構80が配設される。
長手方向に沿って摺動駆動可能にスライダ82が配設さ
れる。スライダ82上には、水平面内で回転駆動可能に
L字形のスタンド83が取付けられる。更に、スタンド
83の垂直部には、昇降駆動可能に水平板84が取付け
られる。
上フォーク85及び下フォーク86が配設される。下フ
ォーク86は、水平板84の長手方向に沿って摺動駆動
可能に水平板84に取付けられる。下フォーク86の基
部86aにはサブスタンド87が立設され、上フォーク
85はサブスタンド87に昇降駆動可能に取付けられ
る。従って、上フォーク85は下フォーク86と共に、
水平板84の長手方向に沿って一体的に摺動することと
なる。
と、下フォーク86のフィンガ86b、86cとは、上
下方向の厚さが同一で、基板Sのカセット42内への収
納間隔よりも小さくなっている。また、上フォーク85
のフィンガ85b、85cの内エッジ間の幅は、下フォ
ーク86のフィンガ86b、86cの外エッジ間の幅よ
りも僅かに大きく設定される。更に、下フォーク86の
基部86aは、そのフィンガ86b、86cよりも、上
フォーク85の基部85aの厚さ分だけ下に凹んでい
る。
際、上フォーク85のフィンガ85b、85cと下フォ
ーク86のフィンガ86b、86cとは横方向から見て
一枚の板のように相互に重なり合うことができる。この
時、上フォーク85のフィンガ85b、85cは、下フ
ォーク86のフィンガ86b、86cのちょうど外側で
同一平面上に位置する。また、この時、少なくとも両フ
ォーク85、86の上側の支持面を整一させるようにす
る。ここでは、両上フォーク85、86の厚さが同じで
あるから、両フォーク85、86の上側の支持面も、下
側の底面も整一する。
と、処理済み基板のカセット42への収納と、未処理基
板のカセットからの取り出しとを同時に並行して行うこ
とができ、スループットが向上する。搬送機構80は、
回転系が1カ所で、他は全て直線摺動系であるから、高
速且つ安定した動作を行うことができる。
減圧雰囲気に設定し且つ維持することが可能となってい
る。従って、ロードロック室3a、3bは、個別動作可
能なゲートバルブ9aを介して搬送室5に接続される一
方、個別動作可能なゲートバルブ9bを介して外部雰囲
気に接続される。
室3a、3bは、図15図示の様な同一の内部構造を有
する。即ち、各ロードロック室3a、3bは、水平な2
段の基板支持レベルを有し、一度に2枚の基板Sを保持
するように構成される。上段支持レベルは対向する一対
のハンド91により規定され、下段支持レベルは対向す
る一対のハンド92により規定される。
るように配設された一対のフィンガ93を有する。フィ
ンガ93は内側壁に取付けられた駆動部94に取付けら
れ、駆動部94により、図15図示の位置と、フィンガ
93が側壁に向かって退避する退避位置との間で旋回駆
動される。
壁の下に配設された駆動部(図示せず)により上下に駆
動される4本の支持ピン96が配設される。支持ピン9
6は、底壁の下に退避する退避位置と、ハンド91によ
り規定される上段支持レベルよりも上に突出する突出位
置との間で移動可能であると共に、任意の位置で停止可
能となる。
にある時、各ハンド91、92により基板Sを対応の支
持レベルに支持可能となる。反対に、各フィンガ93が
退避位置に開くと、支持ピン96に支持された基板S
が、対向する一対のハンド91、91間、或いは一対の
ハンド92、92間を通過することができる。
5内に配設された搬送機構60xには、上下2フォーク
66a、66bを有するキャッチャ66が具備される
が、バッファ枠体70は付設されていない。これは、上
下2つのロードロック室3a、3bが配設されると共
に、処理室2、4、6だけでなく、ロードロック室3
a、3bにおいても、処理済み基板と未処理基板との交
換操作を搬送機構60xの一進出動作で行うことができ
るため、バッファ枠体70を省略することができるから
である。また、キャッチャ66をバッファ枠体70側に
向ける必要がないため、キャッチャ66とベース68と
は一つの中間アーム63で接続される。更に、ベース6
8は、シリンダ機構69を介して上下に駆動可能となっ
ている。
室3a、3bにおいては、搬送機構60xの一進出動作
で、処理済み基板と未処理基板との交換操作が可能とな
る。この操作は、処理室2、4、6の載置台10に支持
ピン11と支持部材12とを配設することにより実現し
た、処理済み基板と未処理基板との交換操作と類似して
いる。
ド91、92のフィンガ93が開閉可能であるのは、例
えば、空き時間に処理済みの基板Sを上段支持レベルか
ら下段支持レベルに移す等の付随的な動作に対応するた
めのものである。従って、処理済み基板と未処理基板と
の交換操作を搬送機構60xの一進出動作で行うためだ
けであれば、各ハンド91、92のフィンガ93は開閉
動作せず、図15図示の位置に固定されたものでよい。
て、搬送室5の搬送機構60xにより処理済み基板と未
処理基板とを交換する操作について説明する。ここで
は、搬送機構60xの下フォーク66bに処理済み基板
S1が支持され、ロードロック室3aのハンド91(上
段支持レベル)に未処理基板S2が支持された状態を想
定する。また、ロードロック室3aの上下段支持レベル
間の間隔が搬送機構60xの上下段支持レベル間の間隔
よりも十分大きく設定されるものとする。なお、ゲート
バルブ9a等の付随的な操作の説明は省略する。
1を支持するキャッチャ66を、ハンド91で未処理基
板S2を支持するロードロック室3a内に挿入する。こ
の時、キャッチャ66の上下フォーク66a、66bの
両者がロードロック室3aの上下ハンド91、92間に
位置するようにする。
96によりキャッチャ66の下フォーク66bから処理
済み基板S1を受取る。次に、支持ピン96と共にキャ
ッチャ66を上昇させ、上フォーク66aによりハンド
91から未処理基板S2を受取る。
を支持するキャッチャ66を搬送室5へ退避させる。次
に、支持ピン96を下降させ、ハンド92(下段支持レ
ベル)上に処理済み基板S1を載置する。
3a、3bにおいて、外部雰囲気側の搬送機構80によ
り処理済み基板と未処理基板とを交換する操作について
説明する。ここでは、ロードロック室3aのハンド92
(下段支持レベル)に処理済み基板S1が支持され、搬
送機構80の上フォーク85に未処理基板S3が支持さ
れた状態を想定する。なお、ゲートバルブ9b等の付随
的な操作の説明は省略する。
支持する搬送機構80を、ハンド92で処理済み基板S
1を支持するロードロック室3a内に挿入する。この
時、搬送機構80の上下フォーク85、86間の間隔を
予め広げておき、上下フォーク85、86間にロードロ
ック室3aの上下ハンド91、92が位置するようにす
る。
せながら、上フォーク85を下フォーク86に向けて移
動させる。この操作により、上下フォーク85、86を
上昇させながら両者間の間隔を狭めることができる。従
って、上フォーク85から上ハンド91に未処理基板S
3を載置すると共に、下フォーク86により下ハンド9
2から処理済み基板S1を受取ることができる。
た実施の形態に係る真空処理装置におけるLCD基板S
の搬送シーケンスを順に示す説明図である。ここでは、
処理室2、6で同一のエッチング処理を、処理室4でア
ッシング処理を行うことを想定している。図16におい
ては混同を避けるため、(a)のみに処理装置の各室の
参照符号を付してある。(b)〜(s)中の数字は、L
CD基板Sである基板S1〜S8の係数のみを取上げて
示すものである。
上ロードロック室3aに基板S2を導入する(図16
(b)、(c))。次に、基板S1を下ロードロック室
3bから搬送室5を経由し(図16(d))、処理室2
にロードし、基板S1のエッチングを開始する。また、
基板S1を処理室2にロードするのと並行して下ロード
ロック室3bに基板S3を搬入する(図16(e))。
そして、基板S1の処理中、基板S2を上ロードロック
室3aから搬送室5を経由し(図16(f))、処理室
6にロードし、基板S2のエッチングを開始する。ま
た、基板S2を処理室6にロードするのと並行して上ロ
ードロック室3aに基板S4を搬入する(図16
(g))。
を下ロードロック室3bから搬送室5に移動する(図1
6(h))。更に、基板S2の処理中、エッチング処理
済みの基板S1と基板S3とを搬送機構60xの一進出
動作で交換し、基板S1を搬送室5にアンロードすると
共に基板S3を処理室2にロードする。また、これと並
行して、下ロードロック室3bに基板S5を搬入する
(図16(i))。
を搬送室5から処理室4にロードし、基板S1のアッシ
ングを開始する(図16(j))。更に、基板S2、S
3、S1の処理中、基板S4を上ロードロック室3aか
ら搬送室5に移動する(図16(k))。そして、基板
S3、S1の処理中、エッチング処理済みの基板S2と
基板S4とを搬送機構60xの一進出動作で交換し、基
板S2を搬送室5にアンロードすると共に基板S4を処
理室6にロードする。また、これと並行して、上ロード
ロック室3aに基板S6を搬入する(図16(l))。
グ処理済みの基板S1と基板S2とを搬送機構60xの
一進出動作で交換し、基板S1を搬送室5にアンロード
すると共に基板S2を処理室4にロードする(図16
(m))。更に、基板S3、S4、S2の処理中、処理
完了基板S1と基板S5とを搬送機構60xの一進出動
作で交換し、基板S1を下ロードロック室3bに戻すと
共に基板S5を搬送室5に移動する(図16(n))。
そして、基板S4、S2の処理中、エッチング処理済み
の基板S3と基板S5とを搬送機構60xの一進出動作
で交換し、基板S3を搬送室5にアンロードすると共に
基板S5を処理室2にロードする。また、これと並行し
て、処理完了基板S1と基板S7とを外部雰囲気側の搬
送機構80の一進出動作で交換し、基板S1を搬出する
と共に基板S7を下ロードロック室3bに搬入する(図
16(o))。
16(p)〜(s))、基板S1〜S8を、それらの係
数の小さい順に処理を完了して、真空処理装置から搬出
することができる。
ロードロック室における基板の交換の高効率化により、
従来にない極めて高いスループットを実現することがで
きる。
れず、本発明の要旨の範囲内で種々変形が可能である。
特に、処理装置の各特徴部分を各実施の形態に別けて述
べたが、それらの特徴部分は、任意に組み合わせ可能で
ある。例えば、図1図示の処理装置に、図12を参照し
て述べた搬送機構80や、図15を参照して述べたロー
ドロック室3a、3bを用いることができる。また、図
12図示の処理装置に、図3を参照して述べた搬送機構
60や図4を参照して述べたロードロック室3を用いる
ことができる。
有する処理装置にも有効に適用することができ、真空処
理に限らず常圧または陽圧の処理装置にも適用すること
ができる。また、エッチング、アッシング装置に限ら
ず、成膜装置等、他の種々の処理装置に適用することが
できる。更にまた、被搬送基板はLCD基板に限らず、
半導体基板等、他の基板であってもよい。
処理室、ロードロック室或いは基板カセットにおける処
理済み基板と未処理基板との交換操作を効率よく行うこ
とができるため、スループットを著しく向上させること
ができる。
を示す斜視図。
構及びバッファ枠体を示す斜視図。
たバッファラック及びポジショナを示す斜視図。
作を説明するための図。
作を説明するための図。
作を説明するための図。
作を説明するための図。
支持する支持部材の動作を示す図。
を支持する支持部材の変形例を示す図。
の概観を示す斜視図。
図。
示す概略斜視図。
ンスを順に示す説明図。
Claims (14)
- 【請求項1】半導体処理装置において被処理基板を支持
するための機構であって、 前記基板の1つを載置すると共に搬送部材により前記基
板の交換が行われるように配設された載置台と、 前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、
進退可能で且つ前記基板の1つを前記載置台上方の第1
の位置で支持可能に配設された複数の第1の支持部材
と、 前記搬送部材と協働して前記基板の交換を行うように、
進退可能で且つ、前記第1の支持部材により前記基板の
1つが前記第1の位置で支持された状態において、前記
基板の他の1つを前記載置台上方で且つ前記第1の位置
に対して上下に重なる第2の位置で支持可能に配設され
た複数の第2の支持部材と、を具備することを特徴とす
る半導体処理装置の基板支持機構。 - 【請求項2】前記第1の支持部材は前記載置台の外側に
配設されることを特徴とする請求項1に記載の半導体処
理装置の基板支持機構。 - 【請求項3】前記第1の支持部材の夫々は、退避状態に
おいて蓋によりカバーされた状態でシールド部材中に収
容されることを特徴とする請求項2に記載の半導体処理
装置の基板支持機構。 - 【請求項4】前記第1の支持部材は、夫々が進退可能な
支持棒と前記支持棒の先端に配設された張出し部材とか
らなり、複数の前記張出し部材は前記載置台の上方に張
出す位置において協働して前記基板の1つを支持するこ
とを特徴とする請求項2に記載の半導体処理装置の基板
支持機構。 - 【請求項5】前記張出し部材は、前記支持棒の回転によ
り、前記載置台の上方に張出す位置と前記載置台の上方
から退避する位置との間で移動されることを特徴とする
請求項4に記載の半導体処理装置の基板支持機構。 - 【請求項6】前記支持棒は、退避状態において前記張出
し部材によりカバーされた状態でシールド部材中に収容
されることを特徴とする請求項4または5に記載の半導
体処理装置の基板支持機構。 - 【請求項7】前記第2の支持部材は前記載置台の内側に
配設されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか
に記載の半導体処理装置の基板支持機構。 - 【請求項8】前記第1の位置は前記第2の位置よりも上
方にあり、前記第1及び第2の位置には夫々未処理及び
処理済みの基板が支持されることを特徴とする請求項1
乃至7のいずれかに記載の半導体処理装置の基板支持機
構。 - 【請求項9】請求項1乃至8のいずれかに記載の基板支
持機構を使用した基板交換方法であって、 前記基板の1つである第1の基板を前記搬送部材に保持
する一方、前記第1の支持部材を進出位置に配置する工
程と、 前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させ
た後、前記第1の基板を前記搬送部材から前記第1の支
持部材上に移載する第1の移載工程と、 前記第1の支持部材により前記第1の基板を前記第1の
位置に支持した状態において、前記基板の別の1つであ
る第2の基板を前記第2の支持部材により前記第2の位
置に支持する工程と、 前記搬送部材を前記載置台の上方の所定位置に進出させ
た後、前記第2の基板を前記第2の支持部材から前記搬
送部材上に移載する第2の移載工程と、を具備すること
を特徴とする半導体処理装置の基板交換方法。 - 【請求項10】前記搬送部材は第1及び第2の保持部を
有し、前記第1及び第2の移載工程を同時に行うことを
特徴とする請求項9に記載の半導体処理装置の基板交換
方法。 - 【請求項11】被処理基板に対して半導体処理を施すた
めの装置であって、 ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気
に設定可能なロードロック室と、 前記ロードロック室にゲートを介して接続され且つ減圧
雰囲気に設定可能な搬送室と、 前記搬送室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気で
前記半導体処理を行うための処理室と、 前記ロードロック室と前記処理室との間で前記基板を搬
送するために前記搬送室内に配設された搬送部材と、を
具備し、前記ロードロック室は、前記基板の1つを夫々
支持可能で且つ上下に重なる第1及び第2の支持レベル
を有すると共に、前記第1及び第2の支持レベルを貫通
して上下に移動可能で且つ前記基板を支持可能な複数の
支持ピンを具備することを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項12】前記第1及び第2の支持レベルの夫々
は、前記基板を支持する開閉可能な一対のフィンガによ
り規定され、前記フィンガは閉状態において前記基板を
支持し、開状態において前記基板が前記一つのフィンガ
間を上下に通過することを許容することを特徴とする請
求項11に記載の半導体処理装置。 - 【請求項13】被処理基板に対して半導体処理を施すた
めの装置であって、 ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気
に設定可能な第1のロードロック室と、 ゲートを介して前記基板を搬出入可能で且つ減圧雰囲気
に設定可能であると共に、前記第1のロードロック室に
対して上下に重なるように配設された第2のロードロッ
ク室と、 前記第1及び第2のロードロック室にゲートを介して接
続され且つ減圧雰囲気に設定可能な搬送室と、 前記搬送室にゲートを介して接続され且つ減圧雰囲気で
前記半導体処理を行うための処理室と、 前記第1及び第2のロードロック室と前記処理室との間
で前記基板を搬送するために前記搬送室内に配設され
た、上下動可能な搬送部材と、を具備することを特徴と
する半導体処理装置。 - 【請求項14】複数の被処理基板を収納するカセットと
半導体処理装置との間で前記基板を搬送するための装置
であって、 前記基板の1つを載置する上フィンガを有する上フォー
クと、 前記基板の1つを載置する下フィンガを有する下フォー
クと、 前記上下フォークを駆動するための駆動部と、を具備
し、前記駆動部は、前記上下フォークを一体的に上下動
可能且つ回転可能且つ水平に直線摺動可能に駆動すると
共に、前記上下フィンガが同一平面上に位置する状態と
同一平面上に位置しない状態との間で前記上下フォーク
を相対的に上下動可能に駆動することを特徴とする基板
搬送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000316685A JP3554534B2 (ja) | 1995-12-12 | 2000-10-17 | 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32309495 | 1995-12-12 | ||
JP7-323094 | 1995-12-12 | ||
JP2000316685A JP3554534B2 (ja) | 1995-12-12 | 2000-10-17 | 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31342096A Division JP3650495B2 (ja) | 1995-12-12 | 1996-11-25 | 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004062576A Division JP3816929B2 (ja) | 1995-12-12 | 2004-03-05 | 半導体処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001160584A true JP2001160584A (ja) | 2001-06-12 |
JP3554534B2 JP3554534B2 (ja) | 2004-08-18 |
JP2001160584A5 JP2001160584A5 (ja) | 2004-10-28 |
Family
ID=26571057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000316685A Expired - Fee Related JP3554534B2 (ja) | 1995-12-12 | 2000-10-17 | 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3554534B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310471A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置システム |
KR100980024B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 기판지지장치 |
JP2010245127A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板交換方法及び基板処理装置 |
JP2011504288A (ja) * | 2007-05-18 | 2011-02-03 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 高速スワップロボット付コンパクト基板搬送システム |
JP2011530189A (ja) * | 2008-08-06 | 2011-12-15 | セメス カンパニー リミテッド | 基板処理装置及びこれの基板移送方法 |
KR101186545B1 (ko) | 2009-03-24 | 2012-10-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 교환 기구 및 기판 교환 방법 |
WO2019038902A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置 |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2000316685A patent/JP3554534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100980024B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 기판지지장치 |
JP2006310471A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置システム |
KR100796052B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2008-01-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리장치 시스템 |
US9401294B2 (en) | 2007-05-18 | 2016-07-26 | Brooks Automation, Inc. | Compact substrate transport system |
JP2011504288A (ja) * | 2007-05-18 | 2011-02-03 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 高速スワップロボット付コンパクト基板搬送システム |
US8562271B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-10-22 | Brooks Automation, Inc. | Compact substrate transport system |
JP2011530189A (ja) * | 2008-08-06 | 2011-12-15 | セメス カンパニー リミテッド | 基板処理装置及びこれの基板移送方法 |
KR101186545B1 (ko) | 2009-03-24 | 2012-10-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 교환 기구 및 기판 교환 방법 |
JP4707749B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板交換方法及び基板処理装置 |
JP2010245127A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板交換方法及び基板処理装置 |
WO2019038902A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置 |
JPWO2019038902A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2020-11-05 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置 |
US11684999B2 (en) | 2017-08-25 | 2023-06-27 | Jsw Aktina System Co., Ltd | Laser irradiation apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3554534B2 (ja) | 2004-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3650495B2 (ja) | 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法 | |
US5989346A (en) | Semiconductor processing apparatus | |
JP4642619B2 (ja) | 基板処理システム及び方法 | |
KR100639765B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조방법 | |
KR0179385B1 (ko) | 진공처리장치 | |
JP3139155B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP4227623B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH0831909A (ja) | 半導体製造装置及び該装置に於けるウェーハ搬送方法 | |
JP5249098B2 (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法 | |
TW563184B (en) | Method and apparatus for processing substrates and method for manufacturing a semiconductor device | |
JP3554534B2 (ja) | 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置 | |
JP3570827B2 (ja) | 処理装置 | |
JPH07335717A (ja) | 被処理体のバッファ装置、これを用いた処理装置及びその搬送方法 | |
JPH09205127A (ja) | 基板搬送方法、基板搬送装置及び処理システム | |
JP3816929B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
JP2002237507A (ja) | 処理システム及び処理システムの被処理体の搬送方法 | |
JP3662154B2 (ja) | 基板処理システム | |
JPH06252245A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2001160584A5 (ja) | ||
JPH11329989A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH03241853A (ja) | 処理装置 | |
JP3242145B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
JPH1012695A (ja) | 処理装置 | |
JP4004260B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11329988A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040427 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |