JPH0831909A - 半導体製造装置及び該装置に於けるウェーハ搬送方法 - Google Patents

半導体製造装置及び該装置に於けるウェーハ搬送方法

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JPH0831909A
JPH0831909A JP7094381A JP9438195A JPH0831909A JP H0831909 A JPH0831909 A JP H0831909A JP 7094381 A JP7094381 A JP 7094381A JP 9438195 A JP9438195 A JP 9438195A JP H0831909 A JPH0831909 A JP H0831909A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体製造装置に於いて、スループットの向上
を図ると共に装置を簡略化して拡散・ＣＶＤ装置の製造
コストの低減を図ろうとするものである。 【構成】反応室１５下方にボートを前記反応室に装入す
るボートエレベータ１９を設け、該ボートエレベータに
対向してウェーハカセットを収納するカセット受載手段
２４を設け、該カセット受載手段と前記ボートエレベー
タとの間に前記カセット受載手段と前記ボート間でウェ
ーハの移載を行う昇降可能なウェーハ搬送機２３を設
け、前記ボートエレベータを収納する１つのロードロッ
ク室を設けた半導体製造装置であり、又、ウェーハの搬
送を大気雰囲気で行うと共にウェーハに成膜する自然酸
化膜の増加が２オングストローム程度以下となる搬送時
間、或はウェーハの搬送に要する時間を室温状態で２０
分程度以下としたウェーハ搬送方法に係るものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハ上に薄
膜を生成して半導体を製造する半導体製造装置に関し、
特に縦型炉を有する拡散、又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体デバイスに於いては増々高集
積化が進み、ウェーハ表面に形成される自然酸化膜はで
きるだけ薄くすることが要求されている。特に、１６Mb
itＤＲＡＭ以上のデバイスでは前記自然酸化膜の厚みは
５オングストローム以下であることが必須である。
【０００３】斯かる自然酸化膜の生成を抑制する半導体
製造装置の１例としてロードロック式の拡散装置、又は
縦型ＣＶＤ装置がある。
【０００４】図６に於いて、従来のロードロック式縦型
ＣＶＤ装置の概略を示す。
【０００５】該縦型ＣＶＤ装置は装置内部の背面側上方
に反応室１を有し、該反応室１及び内部は該反応室１を
囲んだヒータ２により加熱される。該反応室１の下端に
はゲートバルブ３を介して気密室であるロードロック室
４が気密に連設されている。該ロードロック室４内部に
はボート５を前記反応室１内に装入、引出すボートエレ
ベータ６が設けられている。又、前記ロードロック室４
の側方にはゲートバルブ７を介して気密室であるウェー
ハ搬送室８が気密に連設され、該ウェーハ搬送室８には
ウェーハ搬送機９が設けられ、更に前記ウェーハ搬送室
８にはゲートバルブ１０を介して気密室であるカセット
収納室１１が気密に連設され、該カセット収納室１１に
はウェーハカセット１２が収納可能となっている。前記
カセット収納室１１には装置外部との搬入搬出口である
ゲートバルブ１３が設けられ、該ゲートバルブ１３を通
って前記カセット収納室１１に対しウェーハカセット１
２の搬入搬出が行われる様になっている。
【０００６】前記ロードロック室４、ウェーハ搬送室
８、カセット収納室１１にはそれぞれ窒素ガス供給ライ
ン（図示せず）、排気ライン（図示せず）が連設されて
おり、前記ロードロック室４、ウェーハ搬送室８、カセ
ット収納室１１が真空排気可能であると共に窒素ガスに
置換可能となっている。
【０００７】上記ＣＶＤ装置に於いて、ウェーハ２５を
反応室１に装入するには、予め前記ロードロック室４、
ウェーハ搬送室８を窒素ガス置換しておき、前記ゲート
バルブ１３を開放してウェーハカセット１２を搬入す
る。ゲートバルブ１３を閉じてカセット収納室１１内を
窒素ガス置換して、前記ロードロック室４、ウェーハ搬
送室８と同様窒素ガス雰囲気とする。
【０００８】前記ゲートバルブ１０、ゲートバルブ７を
開放し、前記ウェーハ搬送機９によりウェーハカセット
１２のウェーハ２５を所要枚数毎ロードロック室４迄搬
送し、前記ウェーハ搬送機９の水平方向の移載動作とボ
ートエレベータ６によるボート５の昇降動作との協働で
ウェーハをボート５に移載する。
【０００９】ところで、ウェーハを処理する場合は製品
用のウェーハ、即ちプロセスウェーハとその他ダミーウ
ェーハ、モニタウェーハの各種ウェーハも同時にボート
５に装填される。ここで１度の処理がプロセスウェーハ
１００枚とすると、通常はウェーハカセットは２５枚の
ウェーハを収納可能であり、従って１度の処理ではプロ
セスウェーハ用カセットが４個、ダミーウェーハ用カセ
ット、モニタウェーハ用カセットがそれぞれ１個、計６
個のカセットが必要となる。
【００１０】而して、カセット収納室１１の収容能力と
して６個のウェーハカセットを全て収納し得るもの、１
個又は２個程度のウェーハカセットを収納するものがあ
った。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の縦型Ｃ
ＶＤ装置に於いて、ロードロック室４、ウェーハ搬送室
８、カセット収納室１１という３組の気密室があり、そ
れぞれを窒素ガスにより置換可能としなければならない
為、窒素ガス供給装置、排気装置が複雑となり、装置の
製造コストが高くなるという問題があった。
【００１２】更に、前記カセット収納室１１の収容能力
として６個のウェーハカセットを全て収納し得るもので
は、カセット収納室１１へのウェーハカセット１２の搬
入搬出動作、窒素ガスの置換動作が一度で済むという利
点があるが、ウェーハ搬送機９が全てのウェーハカセッ
ト１２にアクセスできる様カセット収納室１１内にウェ
ーハカセット１２が載置される棚を移動する機構を設け
なければならない。この為、６個のウェーハカセット１
２を収納すると共に前記移動機構を収納しなければなら
ないのでカセット収納室１１が著しく大きくなり、又構
造が複雑になる。更に又、前記移動機構からのパーティ
クルの発生が考えられ、清浄雰囲気が要求される半導体
デバイスの製造に於いては好ましくない。更に、前記カ
セット収納室１１の内容積が大きくなるのでガス置換に
長時間を要するという問題もあった。
【００１３】１個又は２個程度のウェーハカセットを収
納するカセット収納室１１では、カセット収納室１１内
の容積も小さく、ガス置換に要される時間も少なく、移
動機構がなくてよいのでパーティクルの発生もなくてよ
いが、ウェーハカセット１２収納能力は当然ボート５の
ウェーハ保持数に対して充分でない。この為、ボート５
に予定数のウェーハを装填するにはカセット収納室１１
への複数回に亘るウェーハカセット１２の搬入搬出が伴
い、予定数のウェーハが全て前記ボート５に装填される
迄は、前記カセット収納室１１を複数回に亘って窒素ガ
ス置換を繰返さなければならない。斯かる窒素ガス置換
に要する時間がやはりスループット向上に大きく影響し
ていた。例えば、上記の縦型ＣＶＤ装置では７０分程度
を要していた。従って、ウェーハ処理のスループット向
上を改善する為には、カセット収納室１１の窒素ガス置
換時間を短縮する必要があった。
【００１４】窒素ガス置換時間を短縮する手段として
は、カセット収納室１１の容積を可及的に小さくするこ
とが有効であるが、小さくするとカセット収納室１１が
収納できるウェーハカセット１２の数に制約を生じ、結
局カセット収納室１１の置換回数が増え、置換時間の減
少には結付かない。
【００１５】更に又、上記従来の縦型ＣＶＤ装置では、
前記ウェーハ搬送機９の水平方向の移載動作とボートエ
レベータ６によるボート５の昇降動作との協働でウェー
ハをボート５に移載、即ちボート５の上部から順次ウェ
ーハを移載している。この為、ウェーハの移載がボート
５の下方に進行すると共にボート５の上部は前記反応室
１内に入込んでいく。この為、先に移載されたウェーハ
１２は反応室１内で加熱されることとなり、後で移載さ
れたウェーハとの間で温度差が生じる。従って、従来で
は全てのウェーハがボート５に移載された後に反応室１
内にボート５を装入後、全てのウェーハの温度が等しく
なる迄の予熱時間を設けるか、或はウェーハの移載時に
は反応室１の温度を下げておくということが行われてい
たが、いずれの場合も実際の処理開始迄に時間が掛か
り、スループットの低下の原因となっていた。
【００１６】本発明は斯かる実情に鑑み、スループット
の向上を図ると共に装置を簡略化してロードロック式縦
型半導体製造装置の製造コストの低減を図ると共にパー
ティクルによるウェーハの汚染を抑制し半導体デバイス
の製品品質を向上させるものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室下方に
ボートを前記反応室に装入するボートエレベータを設
け、該ボートエレベータに対向してウェーハカセットを
収納するカセット受載手段を設け、該カセット受載手段
と前記ボートエレベータとの間に前記カセット受載手段
と前記ボート間でウェーハの移載を行う昇降可能なウェ
ーハ搬送機を設け、前記ボートエレベータを収納する１
つのロードロック室を設けた半導体製造装置に係り、又
カセット受載手段がカセット棚であり、該カセット棚の
上方に予備収納室に収納されたバッファカセット棚を設
け、前記予備収納室に置換ガス供給ライン、排気ライン
を連通した半導体製造装置に係り、ウェーハ搬送機に対
向して設けられたゲート弁の開口部が、ボート下降位置
でボートの略全高に等しい高さを有する半導体製造装置
に係り、ウェーハ搬送機等の機構部を収納する空間にク
リーンエアの一様流れを形成し、該機構部がクリーンエ
アの下流側に位置する様配置した半導体製造装置に係
り、半導体製造装置内でのウェーハ搬送方法に於いて、
ウェーハの搬送を大気雰囲気で行うと共にウェーハに成
膜する自然酸化膜の増加が２オングストローム程度以下
となる搬送時間とした半導体製造装置に於けるウェーハ
搬送方法に係り、半導体製造装置内でのウェーハ搬送方
法に於いて、ウェーハの搬送を大気雰囲気で行うと共に
ウェーハの搬送に要する時間を室温状態で２０分程度以
下としたウェーハ搬送方法に係るものである。
【００１８】
【作用】大気雰囲気でカセット棚とロードロック室内の
ボートとの間でウェーハ搬送機によるウェーハの搬送を
行い、この搬送時間が自然酸化膜の増加が２オングスト
ローム程度以下となる様にし、或は搬送時間が室温状態
で２０分程度以下とする。
【００１９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
【００２０】先ず、本発明者は高温でない状態、即ち室
温（２０℃）程度で大気に晒した場合のウェーハの酸化
状態を観察し、そのデータを記録した。図５に温度２０
℃でのウェーハ表面に生成する自然酸化膜の成長状態を
示す。本発明者によるウェーハの酸化状態の観察から、
図５にも示される様に、大気に晒した状態が１５分程度
では自然酸化膜の厚みの増加は１オングストローム強程
度であることが分かった。そして、２オングストローム
程度迄の自然酸化膜の増加は実用上問題ないということ
も本発明者の実験等により解明した。
【００２１】本発明は斯かるウェーハの自然酸化状態に
着目してなしたものである。
【００２２】図１に於いて第１の実施例を説明する。
【００２３】ヒータ１４で囲まれた反応室１５の下端に
はゲートバルブ１６を介してロードロック室１７が気密
に連設されている。該ロードロック室１７の内部にはボ
ート１８を前記反応室１５内に装入し、引出すボートエ
レベータ１９が設けられている。前記ボート１８はボー
ト受台２０を介して前記ボートエレベータ１９に支持さ
れ、前記ボート受台２０は前記反応室１５の下端開口部
を気密に閉塞可能となっている。
【００２４】前記ロードロック室１７内にはボートエレ
ベータ３０が設けられ、該ボートエレベータ３０により
前記ボート１８を反応室１５内に装入、抜脱可能にする
と共にボート１８の回転機構３１を有し、反応室１５内
でのウェーハ処理中にボート１８を回転させ、単一ウェ
ーハ面内での処理均一性の向上をしている。又、前記ロ
ードロック室１７には排気ライン３２、窒素ガス供給ラ
イン３３、３４が連通されており、前記ロードロック室
１７が真空排気可能であると共に窒素ガスに置換可能と
なっている。
【００２５】前記ロードロック室１７の側方にはゲート
バルブ２１が設けられ、該ゲートバルブ２１は下降状態
のボート１８の全ての位置にボート１８の昇降動を伴わ
ないでウェーハを装填できる様、ボート１８の全高に略
等しい高さを有する開口形状となっている。前記ゲート
バルブ２１を挾み前記ボートエレベータ１９と対向して
搬送用エレベータ２２が設けられ、該搬送用エレベータ
２２にはウェーハ搬送機２３が設けられている。該ウェ
ーハ搬送機２３は前記搬送用エレベータ２２により昇降
可能であると共に垂直軸心を中心に回転可能且水平方向
に進退可能な構成を有している。又、所要枚数を１度に
例えば５枚を移載でき、又ウェーハ把持部はウェーハカ
セットのウェーハ収納ピッチとボート１８のウェーハ収
納ピッチとの相違に対応できる様ウェーハ把持部のピッ
チを可変できる機構を具備している（図示せず）。更
に、前記搬送用エレベータ２２に対峙してウェーハ移載
位置にカセット棚２４が設けられ、該カセット棚２４は
複数段、複数列のウェーハカセット収納棚を有してい
る。
【００２６】筐体３７の前面には上下に移動して開閉す
るフロントシャッタ３８が設けられ、該フロントシャッ
タ３８に臨みカセットステージ３９、更にカセットステ
ージ３９と前記カセット棚２４との間にカセットエレベ
ータ４１が設けられ、該カセットエレベータ４１にはカ
セット移載機４０が昇降可能に設けられている。前記カ
セットステージ３９にフロントシャッタ３８を通して搬
入されたウェーハカセット２６は前記カセット移載機４
０により、約９０度反転され、該カセット移載機４０の
昇降、進退動により前記カセット棚２４に移載される。
更に、予備収納室２７からカセット棚２４への移載、カ
セット棚２４からカセットステージ３９へのウェーハカ
セットの移載も前記カセット移載機４０を介して行われ
る。
【００２７】以下、作動を説明する。
【００２８】前記ボートエレベータ１９により前記ボー
ト１８が降下し、前記ゲートバルブ１６が前記反応室１
５を密閉し、又前記ゲートバルブ２１が閉塞した状態と
する。
【００２９】ウェーハ２５が装填されているウェーハカ
セット２６を前記図示しないカセット授受装置を介して
前記カセット棚２４に収納させ、前記ゲートバルブ２１
を開放し、前記ウェーハ搬送機２３と前記搬送用エレベ
ータ２２との協働により、カセット棚２４の上側のウェ
ーハカセット２６からウェーハ２５を取出し、ウェーハ
２５を静止した前記ボート１８の上側から装填してい
く。ここで、カセット棚２４からボート１８迄のウェー
ハ２５の移載は大気雰囲気で行われる。
【００３０】上記移載作動を繰返し、ボート１８に予定
する全てのウェーハ２５を装填する。ボート１８へのウ
ェーハ２５の移載が完了する迄に要する時間は、移載枚
数が１００枚で１５分程度である。
【００３１】上記した様に、ウェーハ２５を大気中に室
温で１５分放置した場合の自然酸化膜の増加は１オング
ストローム強程度であり、この程度の増加は製品製造上
影響が殆どない。
【００３２】装填が完了すると、前記ゲートバルブ２１
を閉じ、窒素ガス供給ライン（図示せず）、排気ライン
（図示せず）により前記ロードロック室１７内を窒素ガ
ス雰囲気とする。該ロードロック室１７内が１ppm の状
態になる迄待ち（約３０分程度）、目的値に達した時点
で前記ゲートバルブ１６を開き、前記ボートエレベータ
１９により、ボート１８を上昇させ、前記反応室１５内
にウェーハ２５を装入する。前記ボート１８を完全に挿
入した状態では反応室１５は前記ボート受台２０により
閉塞される。前記ヒータ１４により反応室１５を加熱
し、ウェーハ２５の表面に膜を生成する。
【００３３】反応室１５内での一貫処理が完了した時点
で、上記の逆の作動によりウェーハ２５をカセット棚２
４迄搬送し、ウェーハカセット２６を取出し、一連の処
理が完了する。
【００３４】図２、図３により他の実施例を説明する。
尚、図２中、図１中で示したものと同一のものには同符
号を付してある。
【００３５】前記ロードロック室１７内にはボートエレ
ベータ３０が設けられ、該ボートエレベータ３０により
前記ボート１８を反応室１５内に装入、抜脱可能にする
と共にボート１８の回転機構３１を有し、反応室１５内
でのウェーハ処理中にボート１８を回転させ、単一ウェ
ーハ面内での処理均一性の向上をしている。又、前記ロ
ードロック室１７には排気ライン３２、窒素ガス供給ラ
イン３３、３４が連通されている。
【００３６】カセット棚２４の上方に、予備収納室２７
を設け、該予備収納室２７の内部にバッファカセット棚
２８を設け、前記予備収納室２７にはカセット搬入搬出
を可能にする様図３中２点鎖線で示す様前方に大きく移
動し開口する蓋２９を設け、更にバッファカセット棚２
８の奥側にはクリーンユニット４９を設け、バッファカ
セット棚２８内に清浄空気の流れを生成する。又、前記
予備収納室２７には内部を窒素ガス置換可能な様に窒素
ガス供給ライン３５、排気ライン３６を連通する。
【００３７】筐体３７の前面には上下に移動して開閉す
るフロントシャッタ３８が設けられ、該フロントシャッ
タ３８に臨みカセットステージ３９、更にカセットステ
ージ３９と前記カセット棚２４、予備収納室２７との間
にカセットエレベータ４１が設けられ、該カセットエレ
ベータ４１にはカセット移載機４０が昇降可能に設けら
れている。
【００３８】前記カセットステージ３９にフロントシャ
ッタ３８を通して搬入されたウェーハカセット２６は前
記カセット移載機４０により、約９０度反転され、該カ
セット移載機４０の昇降、進退動により前記カセット棚
２４に、或は前記予備収納室２７に移載される。更に、
予備収納室２７からカセット棚２４への移載、カセット
棚２４からカセットステージ３９へのウェーハカセット
の移載も前記カセット移載機４０を介して行われる。
【００３９】前記バッファカセット棚２８にはウェーハ
が装填されたウェーハカセットが収納されるが、前記バ
ッファカセット棚２８に次工程のウェーハカセット２６
を装填しておくことで、外部から半導体製造装置へのウ
ェーハカセットの搬入動作と前記カセット棚２４とボー
ト１８間のウェーハ移載動作の干渉が避けられ、ウェー
ハ搬送動作における待ち時間がなくなるのでスループッ
トが向上する。
【００４０】前記予備収納室２７でのウェーハ収納時間
は略１バッチ分と長くなるので、予備収納室２７収納待
機中は、内部を前記排気ライン３６により排気し、更に
窒素ガス供給ライン３５で窒素ガスを供給して窒素ガス
置換してウェーハの自然酸化を防止する。
【００４１】本実施例で前記カセット棚２４が気密室に
収納されていないので、バッファカセット棚２８を収納
する予備収納室２７が容易に設けられ、バッファカセッ
ト棚２８とカセット棚２４間のウェーハカセットの移載
も複雑なシーケンスを要することなく簡単に行える。
【００４２】次に、装置内を流れるクリーンエアについ
て図４に於いて説明する。
【００４３】前記筐体３７の上面に空気取入れ口を設
け、該空気取入れ口にはエアフィルタ４２を設け、前記
カセットステージ３９の下方に排気部４３を設け、又前
記搬送用エレベータ２２に対峙する面の下部に排気部４
４を設ける。更に、前記予備収納室２７の背面にクリー
ンユニット４９、排気部４４の上部にクリーンユニット
４５、前記フロントシャッタ３８の上部にクリーンユニ
ット４６を設ける。
【００４４】而して、エアフィルタ４２から吸引された
空気はクリーンユニット４９から送出され一様流れ５０
を形成し、更に前記クリーンユニット４６から下方に送
出され、前記排気部４３から排気される一様流れ４８を
形成する。
【００４５】又、クリーンユニット４５側の装置側面に
空気取入れ口を設け、該空気取入れ口にエアフィルタ
（図示せず）を設け、該エアフィルタを介して吸引され
た空気は前記クリーンユニット４５より送出される。送
出されたクリーンエアによりウェーハ搬送機２３等の機
構部が含まれる空間に一様流れ５１が形成され、該一様
流れ５１はウェーハ搬送機下部側に設けられた仕切板
（図示せず）で画成される空間に折返して流れる一様流
れ４７，５２となる。搬送用エレベータ２２等の機構部
が下流側に位置する配置であり、発生したパーティクル
は前記一様流れ５１，４７，５２と共に内部を汚染する
ことなく排気部４４から排気され、ウェーハがパーティ
クルにより汚染されることが防止される。又、前記一様
流れ４８によりフロントシャッタ３８開放時にも外気の
侵入が防止され、装置内が外気により汚染されることが
防止される。
【００４６】尚、上記実施例に於いて窒素ガス置換は、
室内を排気すると共に窒素ガスを供給する場合と、室内
を真空排気して更に窒素ガスを供給する方法があるが、
適宜選択されることは言う迄もない。更に置換ガスも窒
素ガスに限られることなくアルゴンガス等の不活性ガス
を用いてもよい。又、許容される大気中での搬送時間は
温度により変更されることは言う迄もなく、自然酸化膜
の増加が２オングストローム程度迄に搬送が完了する様
に、即ち略２０分前後の間に搬送が完了する様にすれば
よい。更に、前記カセット棚はウェーハカセットを受載
する機能を有するカセット受載手段であればよく、従っ
て単なるウェーハカセット受載台であってもよい。
【００４７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、自然酸
化膜の増加を実用上支障ない範囲で許容する方式である
ので、気密室が１つでよく構造が簡単になり、装置の作
動シーケンスが簡単で、窒素ガス置換はロードロック室
について一度行うのみでよいので、搬送サイクルタイム
が大幅に減少し、スループットの向上が図れ、気密室は
１つでよいので、窒素ガス給排ラインも簡略化でき、半
導体製造装置の製造コストが低減できる、又ウェーハの
ボートへの移載を行う場合ボートを上昇させないで行う
ので、ウェーハに温度差が生じる等の問題がなく、更に
装置内には一様流れが形成されるのでウェーハのパーテ
ィクルによる汚染が著しく低減する等の優れた効果を発
揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図３】該他の実施例の概略構成図である
【図４】該他の実施例に於けるクリーンエアの流れを示
す斜視図である。
【図５】室温でのウェーハの自然酸化膜生成の状況を示
す線図である。
【図６】従来例を示す概略構成図である。
【符号の説明】 １５ 反応室 １６ ゲートバルブ １７ ロードロック室 １８ ボート １９ ボートエレベータ ２１ ゲートバルブ ２２ 搬送用エレベータ ２３ ウェーハ搬送機 ２４ カセット棚 ２５ ウェーハ ２６ ウェーハカセット ２７ 予備収納室 ２８ バッファカセット棚 ３９ カセットステージ ４０ カセット移載機 ４５ クリーンユニット ４６ クリーンユニット ４７ 一様流れ ４８ 一様流れ ４９ クリーンユニット
【手続補正書】
【提出日】平成７年７月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】該縦型ＣＶＤ装置は装置内部の背面側上方
に反応室１を有し、該反応室１及び内部は該反応室１を
囲んだヒータ２により加熱される。該反応室１の下端に
はゲートバルブ３を介して気密室であるロードロック室
４が気密に連設されている。該ロードロック室４内部に
はボート５を前記反応室１内に装入、引出すボートエレ
ベータ６が設けられている。又、前記ロードロック室４
の前面側にはゲートバルブ７を介して気密室であるウェ
ーハ搬送室８が気密に連設され、該ウェーハ搬送室８に
はウェーハ搬送機９が設けられ、更に前記ウェーハ搬送
室８にはゲートバルブ１０を介して気密室であるカセッ
ト収納室１１が気密に連設され、該カセット収納室１１
にはウェーハカセット１２が収納可能となっている。前
記カセット収納室１１には装置外部との搬入搬出口であ
るゲートバルブ１３が設けられ、該ゲートバルブ１３を
通って前記カセット収納室１１に対しウェーハカセット
１２の搬入搬出が行われる様になっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】前記ロードロック室１７内にはボートエレ
ベータ３０が設けられ、該ボートエレベータ３０により
前記ボート１８を反応室１５内に装入、抜脱可能にする
と共にボート１８の回転機構３１を有し、反応室１５内
でのウェーハ処理中にボート１８を回転させ、単一ウェ
ーハ面内での処理均一性の向上をしている。又、前記ロ
ードロック室１７には排気ライン３２，３３、窒素ガス
供給ライン３４が連通されており、前記ロードロック室
１７が真空排気可能であると共に窒素ガスに置換可能と
なっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】前記ロードロック室１７の正面側にはゲー
トバルブ２１が設けられ、該ゲートバルブ２１は下降状
態のボート１８の全ての位置にボート１８の昇降動を伴
わないでウェーハを装填できる様、ボート１８の全高に
略等しい高さを有する開口形状となっている。前記ゲー
トバルブ２１を挾み前記ボートエレベータ３０と対向し
て搬送用エレベータ２２が設けられ、該搬送用エレベー
タ２２にはウェーハ搬送機２３が設けられている。該ウ
ェーハ搬送機２３は前記搬送用エレベータ２２により昇
降可能であると共に垂直軸心を中心に回転可能且水平方
向に進退可能な構成を有している。又、所要枚数を１度
に例えば５枚を移載でき、又ウェーハ把持部はウェーハ
カセットのウェーハ収納ピッチとボート１８のウェーハ
収納ピッチとの相違に対応できる様ウェーハ把持部のピ
ッチを可変できる機構を具備している（図示せず）。更
に、前記搬送用エレベータ２２に対峙してウェーハ移載
位置にカセット棚２４が設けられ、該カセット棚２４は
複数段、複数列のウェーハカセット収納棚を有してい
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】筐体３７の前面には上下に移動して開閉す
るフロントシャッタ３８が設けられ、該フロントシャッ
タ３８に臨みカセットステージ３９、更にカセットステ
ージ３９と前記カセット棚２４との間にカセットエレベ
ータ４１が設けられ、該カセットエレベータ４１にはカ
セット移載機４０が昇降可能に設けられている。前記カ
セットステージ３９にフロントシャッタ３８を通して搬
入されたウェーハカセット２６は前記カセットステージ
３９により、約９０度反転され、該カセット移載機４０
の昇降、進退動により前記カセット棚２４に移載され
る。更に、カセット棚２４からカセットステージ３９へ
のウェーハカセットの移載も前記カセット移載機４０を
介して行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】前記ボートエレベータ３０により前記ボー
ト１８が降下し、前記ゲートバルブ１６が前記反応室１
５を密閉し、又前記ゲートバルブ２１が閉塞した状態と
する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】ウェーハ２５が装填されているウェーハカ
セット２６をカセット移載機４０を介して前記カセット
棚２４に収納させ、前記ゲートバルブ２１を開放し、前
記ウェーハ搬送機２３と前記搬送用エレベータ２２との
協働により、カセット棚２４の上側のウェーハカセット
２６からウェーハ２５を取出し、ウェーハ２５を静止し
た前記ボート１８の上側から装填していく。ここで、カ
セット棚２４からボート１８迄のウェーハ２５の移載は
大気雰囲気で行われる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】装填が完了すると、前記ゲートバルブ２１
を閉じ、窒素ガス供給ライン３４、排気ライン３２，３
３により前記ロードロック室１７内を窒素ガス雰囲気と
する。該ロードロック室１７内が１ｐｐｍの状態になる
迄待ち（約３０分程度）、目的値に達した時点で前記ゲ
ートバルブ１６を開き、前記ボートエレベータ３０によ
り、ボート１８を上昇させ、前記反応室１５内にウェー
ハ２５を装入する。前記ボート１８を完全に挿入した状
態では反応室１５は前記ボート受台２０により閉塞され
る。前記ヒータ１４により反応室１５を加熱し、ウェー
ハ２５の表面に膜を生成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】前記ロードロック室１７内にはボートエレ
ベータ３０が設けられ、該ボートエレベータ３０により
前記ボート１８を反応室１５内に装入、抜脱可能にする
と共にボート１８の回転機構３１を有し、反応室１５内
でのウェーハ処理中にボート１８を回転させ、単一ウェ
ーハ面内での処理均一性の向上をしている。又、前記ロ
ードロック室１７には排気ライン３２，３３、窒素ガス
供給ライン３４が連通されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】前記カセットステージ３９にフロントシャ
ッタ３８を通して搬入されたウェーハカセット２６は前
記カセットステージ３９により、約９０度反転され、該
カセット移載機４０の昇降、進退動により前記カセット
棚２４に、或は前記予備収納室２７に移載される。更
に、予備収納室２７からカセット棚２４への移載、カセ
ット棚２４からカセットステージ３９へのウェーハカセ
ットの移載も前記カセット移載機４０を介して行われ
る。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応室下方にボートを前記反応室に装入
    するボートエレベータを設け、該ボートエレベータに対
    向してカセット受載手段を設け、該カセット受載手段と
    前記ボートエレベータとの間に前記カセット受載手段と
    前記ボート間でウェーハの移載を行う昇降可能なウェー
    ハ搬送機を設け、前記ボートエレベータを収納する１つ
    のロードロック室を設けたことを特徴とする半導体製造
    装置。
  2. 【請求項２】 カセット受載手段が複数のウェーハカセ
    ットを収納するカセット棚である請求項１の半導体製造
    装置。
  3. 【請求項３】 カセット棚の上方に予備収納室に収納さ
    れたバッファカセット棚を設け、前記予備収納室に置換
    ガス供給ライン、排気ラインを連通した請求項２の半導
    体製造装置。
  4. 【請求項４】 ウェーハ搬送機に対向して設けられたゲ
    ート弁の開口部が、ボート下降位置でボートの略全高に
    等しい高さを有する請求項１又は請求項３の半導体製造
    装置。
  5. 【請求項５】 ウェーハ搬送機等の機構部を収納する空
    間にクリーンエアの一様流れを形成し、該機構部がクリ
    ーンエアの下流側に位置する様配置した請求項１又は請
    求項３の半導体製造装置。
  6. 【請求項６】 半導体製造装置内でのウェーハ搬送方法
    に於いて、ウェーハの搬送を大気雰囲気で行うと共にウ
    ェーハに成膜する自然酸化膜の増加が２オングストロー
    ム程度以下となる搬送時間としたことを特徴とする半導
    体製造装置に於けるウェーハ搬送方法。
  7. 【請求項７】 半導体製造装置内でのウェーハ搬送方法
    に於いて、ウェーハの搬送を大気雰囲気で行うと共にウ
    ェーハの搬送に要する時間を室温状態で２０分程度以下
    としたことを特徴とする半導体製造装置に於けるウェー
    ハ搬送方法。
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