FI118474B - Laite ohutkalvojen valmistamiseksi - Google Patents
Laite ohutkalvojen valmistamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI118474B FI118474B FI992797A FI19992797A FI118474B FI 118474 B FI118474 B FI 118474B FI 992797 A FI992797 A FI 992797A FI 19992797 A FI19992797 A FI 19992797A FI 118474 B FI118474 B FI 118474B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- reactants
- substrate
- substrates
- gas
- thin film
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 124
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 76
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 7
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012364 cultivation method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- -1 e.g. Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000010944 pre-mature reactiony Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S206/00—Special receptacle or package
- Y10S206/832—Semiconductor wafer boat
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
\ , 118474
Laite ohutkalvojen valmistamiseksi Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen laite ohutkalvojen kasvattamiseksi substraatin pin-5 nalle saattamalla substraatti alttiiksi höyryfaasissa olevien reaktanttien vuorottaisille pintareaktioille.
Tällaisessa laitteessa on reaktiokammio, joka käsittää reak-tiotilan, reaktiotilaan yhdistetyt syöttöelimet ohutkalvon 10 kasvattamiseen käytettävien reaktanttien syöttämiseksi reak tiotilaan sekä reaktiotilaan yhdistetyt poistoelimet reaktanttien ylimäärän ja reaktiokaasujen poistamiseksi reak-tiotilasta. Reaktiotilaan on sovitettu ainakin yksi substraatti ja toinen, substraatin ohutkalvolla kasvatettavan 15 pinnan kanssa vastakkainen pinta, joka on välimatkan päässä ohutkalvolla kasvatettavasta pinnasta, jolloin reaktantit on sovitettu liikkumaan pintojen suhteen näiden välissä.
Ohutkalvojen kasvatus tapahtuu perinteisesti tyhjöhöyrystyk- 20 sellä, Molecular Beam Epitaxy:llä (MBE) ja muilla vastaavilla vakuumikasvatusmenetelmillä, Chemical Vapor Deposition: in
:T: (CVD) eri muodoilla (kuten matalapaine- ja metallo-organo-CVD
I *·· ja plasma-avus.teinen CVD) tai vuorottaisiin pintareaktioihin • * ϊ,*·· perustuvalla kasvatuksella, josta käytetään nimitystä Atomic • · * V * 25 Layer Epitaxy, eli lyhennettynä ALE tai ALCVD. MBErssa ja ··· *.* * CVD:ssa kalvon kasvu on verrannollinen muiden prosessiarvojen lisäksi myös syötettyjen lähtöaineiden pitoisuuksiin. Jotta * · * *.* ’ kyseisillä menetelmillä valmistetuista kalvoista tulisi ta- • · · • · * *·* * saisia, niin lähdeaineiden määrien ja reaktiivisuuksien on :^.:30 oltava yhtäsuuret eri puolilla substraattia. Mikäli eri läh- töaineet pääsevät kosketuksiin toistensa kanssa ennen sub- » straatin pintaa, niin kuin esimerkiksi CVD:ssa on asianlaita, • * ;*·,· on aina olemassa sellainen mahdollisuus, että ne reagoivat • · 2 118474 keskenään. Tällöin on vaarana, että mikropartikkeleita muodostuu jo kaasujen syöttökanavistoissa. Tällaiset mikropar-tikkelit yleensä huonontavat kalvoa. Ennenaikaisten reaktioiden välttämiseksi MBE- ja CVD-reaktoreissa lähtöaineet esi-5 merkiksi lämmitetään vasta substraateilla. Reaktion käynnistämiseksi voidaan lämmön lisäksi käyttää esim. plasmaa tai muuta vastaavaa aktivaattoria.
MBE- ja CVD-prosesseissa ohutkalvojen kasvu säädetään ensisi-10 jaisesti substraatille saapuvan lähdeainevirran suuruuden avulla. ALE-prosessissa kasvua kontrolloi sen sijaan substraatin pinta eikä niinkään lähtöainevirran pitoisuudet tai virtausominaisuudet. ALE-prosessissa edellytetään vain, että lähtöainetta on riittävästi kalvon kasvuun eripuolilla sub-15 straattia. ALE-tekniikkaa on kuvattu esim. FI- patenttijulkaisuissa 52359 ja 57975 sekä US-patenttijul-kaisuissa 4 058 430 ja 4 389 973. Myös patenttijulkaisuissa US 5 855 680 ja FI 100409 on myös esitetty eräitä kyseistä menetelmää soveltavia laiteratkaisuja. Laitteita ohutkalvojen 20 kasvatukseen löytyy myös seuraavista julkaisuista: Material
Science Report 4 (7) (1989) 261 ja Tyhjiötekniikka ISBN 951-794-422-5 s. 253-261.
* • · * · • *
Patenttijulkaisussa FI 57975 kuvatun ALE-tekniikan mukaisesti » · 25 reaktantin atomit tai molekyylit virtaavat substraattien yli a · * ί pommittaen niiden pintaa, kunnes pintaan on muodostunut täy sin kyllästynyt molekyylikerros. Tämän jälkeen ylimääräinen »·· ·/· : reaktantti ja kaasumaiset reaktiotuotteet poistetaan sub- • · V * straateilta näiden yli johdettavilla suojakaasupulsseilla tai ♦’·,· 30 vakuumipumppauksella ennen seuraavaa, eri reaktanttia sisäl- • · ·:··· tävää pulssia. Eri reaktanttipulssien ja niitä erottavien t·*·, suojakaasupulssien tai vakuumipumppauksen muodostamat dif- « · ♦ « « .·.: fuusiovallit aikaansaavat pintakemiansa kontrolloiman kalvon • · · • · 3 118474 kasvun. Vakuumipumppausta voidaan tarvittaessa tehostaa suo-jakaasun virtauksella. Prosessin kannalta ei ole merkitystä liikkuvatko reaktantit vai substraatit, vaan että reaktion eri reaktantit on erotettu toisistaan ja että ne saapuvat 5 substraatille vuorottain.
Useimmat tyhjöhöyrystimet toimivat ns. "single shot" -periaatteella, jossa höyrystetty atomi tai molekyyli törmää vain kerran substraattiin. Mikäli se ei reagoi substraatin pinnan 10 kanssa, niin se kimpoaa tai uudelleen höyrystyy kohti laitteiston seinämiä tai vakuumipumppua ja kondensoituu sinne. Kuumareaktiotilan prosessikammioissa seinämään tai substraattiin osunut atomi tai molekyyli voi höyrystyä uudestaan ja törmätä substraattiin uudemman kerran. Tämä "multi-shot" -15 periaate ALE-prosessikammioissa parantaa mm. laitteiston ma- teriaalihyötysuhdetta.
"Multi-shot"-periaatteella toimivissa ALE-reaktoreissa käytetään yleensä kasettia, jonka avulla useita substraatteja vie-20 dään samanaikaisesti prosessikammioon tai substraatit sijoi- tetaan painekuorena toimivan prosessitilan sisään sellaise-naan, jolloin prosessitila toimii reaktiokammiona, jossa höy- * ryfaasissa olevat reaktantit reagoivat substraatin kanssa * ohutkalvojen kasvattamiseksi. Useita substraatteja käsittävää » « * '*t‘ *· 25 kasettia käytettäessä reaktiokammio muodostuu kasetin sisään.
*·· V * Kasetin käyttö lyhentää substraattia kohden laskettua kasva- tusaikaa yksittäisten substraattien prosessointiin verrattu- * · · \· *· na, mikä lisää tuotantotehokkuutta. Lisäksi prosessikammiosta ♦ * · : ulos otettava kasetti voidaan purkaa ja puhdistaa tuotannon 30 häiriintymättä, koska prosessikammiossa voidaan käyttää puh- « · *:·*: distuksen aikana eri kasettia.
» • * • · * « « * « « .·. j· Tavanomaisessa ALE-kasvatuksessa käytetään panosprosessointia • · 4 118474 sen takia, että ALE-menetelmä on moniin muihin ohutkalvonkas-vatusmenetelmiin verrattuna suhteellisen hidas. Panosproses-sissa kasvatusaika substraattia kohden saadaan laskettua kilpailukykyiselle tasolle. Myös substraattien kokoja on kas-5 vatettu samasta syystä.
Eräässä ALE-tekniikan sovellusmuodossa kasetin runko muodostuu ylä- ja alapäistään avonaisesta, esimerkiksi titaanista valmistetusta pidinlaatikosta (holder box), jossa on leveys-10 suunnassa rinnakkain sijoitettuja substraatteja. Substraatti en päätyihin tai ympärille on asetettu kehykset, jotka on edelleen sijoitettu pidinlaatikon päädyissä oleviin vastakkaisiin uriin. Kuhunkin kehykseen on asetettu kaksi substraattia selkäpuolet vastakkain. Selkäpuolella tarkoitetaan 15 substraatin sitä puolta, johon ohutkalvoa ei kasvateta. Reak-tanttien pääsy samaan kehykseen sijoitettujen substraattien selkäpuolten väliin estetään substraattien ylä- ja alasivut peittävillä suojaprofiileilla. Reaktantit ja suojakaasu johdetaan pidinlaatikkoon tämän päälle sijoitetun suihkupään 20 (sprayhead) rinnakkaisten syöttökanavien syöttörei'istä.
Sprayhead voidaan konstruoida myös muulla tavalla. Ylimääräi-·*·*: set reaktantit ja reaktiokaasut poistetaan pidinlaatikosta ·*·.. tämän alaosaan liitetyn imulaatikon (suction box) poisto- kanavien kautta. Kaasut siis virtaavat pidinlaatikon läpi • · 25 substraattien ohutkalvolla päällystettävien pintojen välissä.
• · · • t * • · · «
Reaktanttien syöttäminen pidinlaatikkoon ainoastaan toisesta * · « : päästä saattaa aiheuttaa voimakkaampaa kalvonkasvua sub- * · * V : straattien syöttöpään puoleisilla pinnoilla. Tämän kompensoi- * 30 miseksi kaasut voidaan syöttää substraateille vastakkaisista • · *:·*· suunnista vuorottain. Tällöin myös poistokanavien poistoimu ·*·. suoritetaan vuorottain vastakkaisista suunnista. Vuorottaisen « * * • * * • # ,·, : syötön takia sekä pidinlaatikon ylä- että alapäähän on sijoi- » II * · 5 118474 tettava syöttö- ja poistoyhteet, mikä tekee rakenteesta huomattavasti monimutkaisemman.
Tämän keksinnön tarkoituksena on saada aikaan aivan uudenlai-5 nen ALE-reaktiokammio, jossa on aiempaa paremmat reaktanttien virtausolosuhteet, jolloin kalvonkasvu substraatin pinnalla on tasaista.
Keksintö perustuu siihen, että substraatit sijoitetaan kase-10 tin pidinlaatikkoon selkäpuolet vastakkain A-asentoon siten, että niiden vastakkaisten ohutkalvolla päällystettävien pintojen etäisyys, joiden välissä kaasut virtaavat, on pienempi kasetin syöttöpäässä kuin poistopäässä. Vastakkaisten ohutkalvolla päällystettävien pintojen A-asento siis avautuu re-15 aktanttikaasujen virtaussuuntaan, jolloin virtauspinta-ala kasvaa ja virtausnopeus pienenee pidinlaatikon poistopäätä lähestyttäessä. Lisäksi keksinnön yhdessä edullisessa sovel-lusmuodossa suihkupään rinnakkaiset syöttökanavat on sijoitettu substraatteihin nähden ainakin likimain kohtisuoraan, 20 jolloin pidinlaatikkoon sijoitettujen substraattien määrää voidaan muuttaa syöttökanavien välistä etäisyyttä muuttamat- * • · · .
• · · ta.
• · * · * · · Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle laitteelle on • · ί 25 tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tun- * 1 1 ::ί nusmerkkiosassa.
* 1 « V : Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.
• 1 · * · · • « « » **·.· 30 Sijoittamalla substraatit reaktanttien ja reaktiokaasun vir- « · ·:1·· taussuunnassa avautuvaan A-asentoon, substraattien pinnalle kasvatettavasta ohutkalvosta muodostuu tasaisempi kuin pitä- t · · • « ,·.: mällä substraatit vakioetäisyydellä toisistaan tai sijoitta- • 1 · 6 118474 maila vastakkaiset ohutkalvolla päällystettävät pinnat kaasun virtaussuunnassa sulkeutuvaan A-asentoon.
Jos reaktanttien ja suojakaasujen syöttöpää sijaitsee kasetin 5 yläosassa, ovat samaan kehykseen selkäpuolet vastakkain sijoitetut kaksi substraattia siis ylöspäin avautuvassa A-asennossa. Kun kehykset asetetaan pidinlaatikkoon, ne painautuvat omalla painollaan pidinlaatikon päädyissä olevien, ylöspäin aukenevien urien seinämiä vasten, jolloin kaasun 10 tunkeutuminen substraattien selkäpuolille vaikeutuu tarkan asemoinnin ansiosta.
Yleensä eri reaktanttien syöttökanavat pyritään pitämään erillisinä mahdollisimman pitkään, jotta reaktantit eivät se-15 koittuisi keskenään. Aiemmissa ratkaisuissa reaktanttien ja suojakaasun syöttökanavat on sijoitettu kasettiin substraattien kanssa samansuuntaisesti, jolloin substraattien lukumäärää muutettaessa on myös muutettava syöttökanavien välistä etäisyyttä tai lukumäärää, jotta kaikkiin vastakkaisten ohut-20 kalvolla päällystettävien pintojen väliin saataisiin johdet- ♦ · · tua kaasua. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa substraatit ja • · ♦ suihkupään syöttökanavat on sijoitettu toisiinsa nähden koh- • ·· φ : tisuoraan asentoon, minkä ansiosta kasetissa olevien sub- • »· • · straattien määrää voidaan helposti muuttaa syöttökanavien vä-25 listä etäisyyttä tai lukumäärää muuttamatta.
Keksintöä kuvataan seuraavassa tarkemmin oheisten piirustus-ten mukaisten esimerkkien avulla.
• · · • · • · • · · ,···. 30 Kuvio 1 esittää räjäytyskuvantona yhtä keksinnön mukaisen • · • laitteen reaktiokammiota.
• · 1 · 7 118474
Kuvio 2 esittää kuvion 1 mukaisen reaktiokammion pidinlaatik-koa yksityiskohtaisemmin kuvattuna.
Kuvio 3 esittää kaaviollisena poikkileikkauskuvantona rinnak-5 kaisiin kehyksiin sijoitettuja substraatteja.
Tämän keksinnön yhteydessä tarkoitetaan käsitteellä "reak-tantti" kaasua tai höyrystettävissä olevaa kiinteää tai nestemäistä ainetta, joka pystyy reagoimaan substraatin pinnan 10 kanssa. ALE-menetelmässä käytetään tavallisesti kahteen eri ryhmään kuuluvia reaktantteja. "Metallisiksi reaktanteiksi" kutsutaan metalliyhdisteitä tai jopa alkuainemuodossa olevia metalleja. Sopivia metallireaktantteja ovat metallien halo-genidit, esim. kloridit ja bromidit, ja organometalliyh-15 disteet, kuten thd-kompleksit. Esimerkkeinä metallisista re- aktanteista mainittakoon Zn, ZnCl2, Ca(thd)2, (CH3)3A1 ja Cp2Mg. "Epämetallisiksi reaktanteiksi" kutsutaan yhdisteitä ja alkuaineita, jotka reagoivat metalliyhdisteiden kanssa. Viimeksi mainittuja edustavat tyypillisesti vesi, rikki, rik-20 kivety ja ammoniakki.
• 4 • · · ]·;·, "Suojakaasu" tarkoittaa kaasua, joka johdetaan reaktiotilaan * « · ♦ ··. ja jolla estetään reaktanttien ja vastaavasti substraatin ei- • ·· ,·. : halutut reaktiot. Näitä ovat esim. reaktanttien ja substraa- • ·· • ♦ 25 tin reaktiot mahdollisten epäpuhtauksien kanssa. Suojakaasul- .'Ϊ*. la estetään myös eri reaktant ti ryhmiin kuuluvien aineiden vä- liset reaktiot esim. syöttökanavistoissa. Suojakaasua käyte- **·': tään keksinnön mukaisessa menetelmässä edullisesti myös reak- *'**: tanttien höyrypulssien kantajakaasuna. Erään edullisen sovel- ,·’ · 30 lusmuodon mukaan, jossa vaihtoehdossa eri reaktant ti ryhmiin * · · • · kuuluvat reaktant it johdetaan eri syöttökanavistoj a pitkin reaktiotilaan, toisesta syöttökanavasta syötetään reaktantti- 4 · · 4 4 4 t *. höyrytaasipulssi ja toisesta suojakaasua, jolloin suoja- 4 *4· 4 · 8 118474 kaasuvirtauksella estetään reaktanttien pääsy toisen reak-tanttiryhmän syöttökanavaan. Esimerkkeinä sopivista suoja-kaasuista mainittakoon inerttikaasut, kuten typpikaasu ja ja-lokaasut, esim, argon. Suojakaasuna voidaan myös käyttää si-5 nänsä reaktiivista kaasua, kuten vetykaasua, jonka tarkoituksena on estää ei-haluttujen reaktioiden (esim. hapetusreakti-oiden) tapahtuminen substraatin pinnassa.
Käsitteeseen "reaktiokammio" sisältyy keksinnön mukaan sekä 10 reaktiotila, johon substraatti on sijoitettu ja jossa höyry-faasissa olevien reaktanttien annetaan reagoida substraatin kanssa ohutkalvojen kasvattamiseksi, että reaktiotilaan välittömästi johtavat kaasukanavat, joiden kautta reaktantit johdetaan reaktiotilaan (syöttökanavat) sekä joiden kautta 15 reaktiotilasta voidaan poistaa ohutkalvokasvatuksen kaasumaiset reaktiotuotteet ja reaktanttien ylimäärä (poistokanavat). Tällaiseen reaktiokammioon sijoitettu substraatti saatetaan alttiiksi ohutkalvon muodostamiseen käytettävän ainakin kahden eri reaktantin vuorottaisille pintareaktioille. Höyryfaa- ··. 20 sissa olevia reaktantteja syötetään toistuvasti ja vuorot- • ·· taisesti kukin omasta lähteestään reaktiokammioon, jossa ne • · · ♦ saatetaan reagoimaan substraatin pinnan kanssa kiinteässä * ·· .·. : olomuodossa olevan ohutkalvotuotteen muodostamiseksi sub- ·· • · straatille. Substraatille kiinnittymättömät reaktiotuotteet 25 ja mahdollinen reaktanttiylimäärä poistetaan kaasufaasissa reaktiokammiosta.
·· • » • ♦· ;***; "Substraatin pinnalla" tarkoitetaan substraatin sitä ··· ./ pintaa, jonka reaktiokammioon virtaava reaktanttihöyry koh- • ·· 30 taa. Eli ohutkalvokasvatuksen ensimmäisellä jaksolla kyseinen • · ***# pinta on substraatin, esim. lasin pinta tai muu aloituspinta, ] toisella jaksolla ensimmäisen jakson aikana substraatille muodostunut kerros, joka koostuu reaktanttien välisestä kiin- 9 118474 teästä reaktiotuotteesta, joka on kiinnittynyt substraatille, jne.
"Prosessikammiolla" puolestaan tarkoitetaan tilaa, jossa 5 ohutkalvojen kasvatusprosessi tapahtuu ja joka on eristetty muusta ympäristöstä sekä tiiviisti suljettavissa. Reaktiokam-mio on sijoitettu prosessikammioon, ja samassa prosessikammi-ossa voi olla myös useita reaktiokammioita.
10 Kuvioissa 1 ja 2 reaktiokammio käsittää reaktiotilana toimivan kasetin 1 ja tämän yläosaan kiinnitettävissä olevan suih-kupään 2, johon reaktanttien ja suojakaasun syöttökanavat on sijoitettu. Kasetti 1 on edullisesti valmistettu titaanista ja sen molemmissa sisäpäädyissä on kiinnityselimiä, kuten 15 uria 3. Substraattien 4 väliin näiden molempiin päätyihin on sijoitettu tukikappale 5. Kuhunkin tukikappaleeseen 5 on sijoitettu kaksi substraattia 4 selkäpuolet vastakkain. Selkä-puolella tarkoitetaan substraatin 4 sitä puolta, johon ohutkalvoa ei kasvateta. Vastakkaisten substraattien 4 selkäpuo-20 let voivat olla kosketuksessa keskenään, niiden väliin voi-, daan jättää ilmarako tai selkäpuolten väliin voidaan sijoit- f ·· *...4 taa lämpöä tasaava tai aktiivisesti lämpenevä välilevy. Sa- maan tukikappaleeseen 5 sijoitettujen substraattien 4 ylä- ja • ·♦ *·, · alasivut on peitetty profiililla 6, jonka tarkoituksena on • ·* • · .···. 25 estää kaasun pääsy substraattien 4 selkäpuolten väliin. Sa- • · ,···, maan kehykseen 5 selkäpuolet vastakkain sijoitetut substraa- • * · tit 4 asetetaan kasetin 1 uriin 3.
··· • · · • · ·
Suihkupää 2, kasetti 1 sekä tähän sijoitettujen substraattien • / .30 4, tukikappaleiden 5 ja profiilien 6 muodostama kokonaisuus i '·· voidaan siirtää prosessikammion ulkopuolelle. Kasetti 1 ase- * · · • tetaan prosessikammioon edullisesti kiinteästi liitetyn kaa-·*· · ***\ sujen poistokanavat 7 käsittävän imulaatikon 8 päälle, joi- »'· | • ·· • · 1 1 8474 10 loin kasetti 1, suihkupää 2 ja imulaatikko 8 muodostavat ALE-laitteen reaktiokammion. Reaktantit ja suojakaasu johdetaan reaktiokammioon suihkupään 2 rinnakkaisista syöttökanavista. Suihkupää 2 voidaan konstruoida myös muulla tavalla. Kaasu 5 virtaa vastakkaisten ohutkalvolla päällystettävien pintojen muodostamien virtauskanavien välissä kohti imulaatikkoa 8. Lopuksi kaasu poistetaan reaktiokammiosta imulaatikon 8 poistokanavien 7 kautta. Kaasuvirtauksen tehostamiseksi kasetin 1 ja imulaatikon 8 väliin voidaan sijoittaa suppilomainen vir-10 tauksenohjain 12, jonka virtauspoikkipinta-ala pienenee imu- laatikkoa 8 kohti mentäessä.
Imulaatikon 8 ja kasetin 1 lämpölaajenemisesta aiheutuvat liikkeet saattavat aiheuttaa lämpöjännityksiä imulaatikkoon 15 8, jos se on tuettu prosessikammioon esimerkiksi reunoistaan.
Lämpölaajenemisesta johtuvat liikkeet saattavat olla jopa useita millimetrejä. Tällaiset liikkeet vaikeuttavat esimerkiksi kasetin 1 asemointia prosessikammioon automaattisen purun ja latauksen yhteydessä. Tämän takia imulaatikko 8 on 20 edullista tukea prosessikammion seinämiin siten, että tuenta- . kohdan keskipiste on ainakin likimain imulaatikon 8 pohjan • ·· keskikohdassa, jolloin imulaatikko 8 pääsee vapaammin laaje- • · · nemaan tuentapisteen ulkopuolella ja kasetin 1 paikoitus py- • ·· *·. · syy paremmin kohdallaan.
• ·· a · ··· 25 « · » ♦ · ·
Prosessikammioon siirrettävässä kasetissa 1 ja suihkupäässä 2 • · · olevat kaasujen syöttö- ja poistokanavat liitetään prosessi-kammion ja prosessikammioon kiinteästi asennetun imulaatikon 8 vastaaviin kanaviin esimerkiksi tarkasti asemoitujen hios-.* .30 pintojen avulla. Suihkupää 2 muodostaa substraattien 4 päälle
• M
kannen, joka suojaa substraattien pintoja 4 pölypartikkeleil- • · ta kasetin 1 ollessa irrotettuna imulaatikosta 8. Suihkupää 2 • a * *f** estää lämpimien substraattien 4 välissä olevaa lämpenevää • a a • aa * 9 11 118474 kaasua nousemasta ylöspäin ja tuomasta näin mukanaan haitallisia partikkeleita.
Kuvion 3 poikkileikkauksessa substraatit 4 on päädyistään 5 kiinnitetty tukikappaleisiin, jotka on sijoitettu pidinlaati- kon päädyissä oleviin uriin. Kuhunkin tukikappaleeseen on kiinnitetty kaksi substraattia 4 selkäpuolet vastakkain. Samaan tukikappaleeseen sijoitettujen substraattien 4 ylä- ja alasivut on peitetty profiileilla 6, jotka estävät kaasuja 10 pääsemästä samaan tukikappaleeseen sovitettujen substraattien 4 väliin. Substraattien 4 yläpuolelle, näiden pituussuuntaa vasten ainakin likimain kohtisuoraan on sijoitettu suihkupään 2 rinnakkaisia syöttökanavia 9, joiden rei'istä 10 reaktant-teja ja suojakaasua syötetään vierekkäisiin tukikappaleisiin 15 sijoitettujen substraattien 4 ohutkalvolla päällystettävien pintojen muodostamiin virtauskanaviin tai substraattien 4 yläsivuja peittävien profiilien 6 päälle, jolloin profiili 6 tasaa virtausta.
20 Substraatit 4 on sijoitettu A-asentoon siten, että syöttö- . kanavista 9 syötettävän kaasun virtauspoikkipinta-ala laaje- • • ft nee alaspäin kohti imulaatikkoa 8 ja kaasun poistokanavia 7 • t · • · * .* mentäessä, jolloin vastakkaisten ohutkalvolla kasvatettavien i * f ·· *.t . pintojen välimatka on pienempi reaktanttien tulopäässä kuin • ft 25 poistopäässä. Vierekkäisissä kehyksissä olevien vastakkaisten ··# substraattien 4 ohutkalvolla päällystettävien pintojen väli- • f f nen kulma 11 on edullisesti noin 0-10°, matalilla substraa-teillä jopa tätä suurempi. Vastakkaisten päällystettävien • · f t pintojen välinen rako kaasujen syöttöpäässä on tyypillisesti t .* , 30 noin 4-8 mm ja poistopäässä tyypillisesti noin 5-20 mm noin « f · • *f • I 500 mm korkeilla substraateilla 4.
• f « • f f · · *·*.* ALE-tekniikan mukaisesti reaktantin atomit tai molekyylit • · • f · f · · • · 12 118474 virtaavat substraattien 4 yli pommittaen niiden ohutkalvolla päällystettäviä pintoja, kunnes niihin on muodostunut täysin kyllästynyt molekyylikerros. Tämän jälkeen ylimääräinen reak-tantti ja kaasumaiset reaktiotuotteet poistetaan substraa-5 teiltä 4 näiden yli johdettavilla suojakaasupulsseilla tai vakuumipumppauksella ennen seuraavaa, eri reaktanttia sisältävää pulssia. Eri reaktanttipulssien ja niitä erottavien suojakaasupulssien tai vakuumipumppauksen muodostamat dif-fuusiovallit aikaansaavat pintakemiansa kontrolloiman kalvon 10 kasvun. Vakuumipumppausta voidaan tarvittaessa tehostaa suo- jakaasun virtauksella. Prosessin kannalta ei ole merkitystä liikkuvatko reaktantit vai substraatit 4, vaan että reaktion eri reaktantit on erotettu toisistaan ja että ne saapuvat substraattien 4 ohutkalvolla päällystettäville pinnoille vuo-15 rottain.
Vaikka ALE-menetelmässä kaasun tasaisella virtauksella ja re-aktanttien lähtöaineiden pitoisuuksilla ei sinänsä ole vaikutusta kalvon kasvatusprosessiin, on lähtöainetta kuitenkin 20 oltava riittävästi kalvon kasvuun substraatin 4 eri kohdissa.
. Reaktanttien virratessa substraattien 4 ohutkalvolla päällys- ft ft > «ft tettävien pintojen välissä ja reagoidessa substraattien 4 • ft ft · · pintojen kanssa, kaasuvirrassa olevien reaktanttien suhteel- ft *·* · linen pitoisuus laskee ja reaktioissa syntyvien reaktiokaasu- * ·· ,···, 25 jen kasvaa. Tällöin alan ammattimies luultavasti sijoittaisi • · * ,··*. substraatit A-asentoon siten, että reaktanttien ja reaktio- • · · ft kaasujen virtauspoikkipinta-ala pienenee kasetin 1 poistopää-tä lähestyttäessä, jotta kaasuvirran koko ajan vähenevät re- • · · «·:*. aktantit kohtaisivat varmemmin substraattien 4 pinnat. Kek- . 30 sinnön mukaisessa ratkaisussa substraatit 4 on kuitenkin si- • ft ft • ·· *2 joitettu päinvastaiseen A-asentoon, jossa substraattien 4 • ft • pinnoiteprofiilin on havaittu olevan tasaisempi. Tarkkaa syy- ·* f · '·*·* tä tähän ei vielä tiedetä, mutta sen arvellaan johtuvan reak- • · · • ft · • ft 13 118474 tanttien virtausnopeuden laskiessa pidentyvästä reaktioajasta tai reaktiotuotteiden reaktioista substraattien päällystettävillä pinnoilla.
5 Koska vastakkaisten substraattien 4 ohutkalvolla päällystet tävien pintojen välimatka on pienempi kaasujen syöttöpäässä, kuristavat vastakkain sovitetut substraatit 4 reaktiokammioon syötettyä kaasuvirtausta, jolloin virtaus jakaantuu tasaisemmin eri kohdissa olevien vastakkaisten substraattien 4 ohut-10 kalvolla päällystettävien pintojen väliin.
Keksinnöllä on myös edellä kuvatusta poikkeavia sovellusmuo-toj a.
15 Imulaatikko 8 voi myös olla osa prosessikammion ulkopuolelle siirrettävää kokonaisuutta, jolloin kasettiin 1 liitettävät syöttö- ja poistokanavat kytketään suoraan prosessikammion vastaaviin kanaviin. Vaikka keksinnön edullisimmassa sovel- lusmuodossa reaktantit ja suojakaasu on järjestetty virtaa- 20 maan ylhäältä alaspäin, voi virtaussuunta olla myös päinvas- j *·· täinen eli alhaalta ylöspäin. Tällöin suihkupää 2 syöttö- • · · '·/* · kanavineen 9 sijoitetaan kasetin alaosaan ja imulaatikko 8 • *·. poistokanavineen 7 kasetin yläosaan. Tällöin luonnollisesti • · :.*** myös substraattien 4 A-asento on päinvastainen. Vastakkaiset • * · V : 25 substraatit 4 voidaan sijoittaa myös esimerkiksi siten, että • · · *.· * kaasut virtaavat niiden välistä vaakasuuntaisesta tai vaa- kasuuntaan nähden tietyssä kulmassa. Tällöin substraattien 4 • · · » » · * vastakkaiset ohutkalvolla päällystettävät pinnat on sovitet- • · · * · · *·| ' tava kaasujen virtaussuunnassa avautuvaan A-asentoon.
30 « *ϊ**ϊ Suihkupää 2 voi erillisten virtauskanavien 9 sijasta olla myös yhtenäinen kaasutila, jossa on reikiä tai muita vir- • φ • · » t · • · · • · 14 118474 tausaukkoja kaasujen syöttämiseksi substraattien 4 vastakkaisten päällystettävien pintojen väliin.
Vastakkaisten substraattien 4 suihkupäätä 2 vasten olevat 5 päätypinnat voivat olla esimerkiksi kaarevia, jolloin suhku- pää 2 voidaan tehdä siten, että rinnakkaiset syöttökanavat 9 ovat eri tasossa, jolloin ne saadaan paremmin myötäilemään substraattien 4 päätypintojen kaarevia muotoja.
10 Keksinnön mukaista ratkaisua voidaan soveltaa myös muissa kuin edellä kuvatun tyyppisissä panosprosesseissa. Keksintöä voidaan käyttää myös yksittäisten substraattien ohutkalvolla kasvattamiseen. Tällöin keksinnön mukainen A-asento voidaan muodostaa esimerkiksi sijoittamalla substraatti toisen pinnan 15 kanssa vastakkain siten, että substraatin ohutkalvolla kasva tettava pinta ja toinen pinta ovat reaktanttien virtaussuun-nassa avautuvassa asennossa. Toinen pinta voi olla esimerkiksi seinä tai levy. Koska ALE-prosessin kannalta ei ole merkitystä liikkuvatko reaktantit vai substraatit, voidaan keksin-20 töä soveltaa myös tilanteissa, joissa reaktanttien sijasta substraatit liikkuvat reaktiokammiossa. Myös tällöin reaktan-: Γ: tit saadaan liikkumaan vastakkaisten ohutkalvolla kasvatetta- : vien pintojen suhteen näiden välissä.
• · • 1 · • ·· * · ·#· · · • · · m m ·· • · · * · · * * · · • · 1
III
* · 1 * 1 1 • 1 · • · • · · * 1« • · • · • · • t · * · · « · · • · · * · 1 * ·
Claims (16)
1. Laite ohutkalvojen kasvattamiseksi substraatin (4) pinnalle saattamalla substraatti (4) alttiiksi höyryfaasissa 5 olevien reaktanttien vuorottaisille pintareaktioille, jo ka laite käsittää reaktiokammion, joka käsittää reaktiotilan (1), reaktiotilaan (1) yhdistetyt syöttöelimet (2) 10 ohutkalvon kasvattamiseen käytettävien reaktant tien syöttämiseksi reaktiotilaan (1) sekä reak-tiotilaan (1) yhdistetyt poistoelimet (8) reaktanttien ylimäärän ja reaktiokaasujen poistamiseksi reaktiotilasta (1), ainakin yhden reaktiotilaan (1) sovitetun substraatin (4) , ja reaktiotilaan (1) sovitetun toisen, substraatin 20 (4) ohutkalvolla kasvatettavan pinnan kanssa * : '·* vastakkaisen pinnan, joka on välimatkan päässä · · V : ohutkalvolla kasvatettavasta pinnasta, jolloin • · : ** reaktantit on sovitettu liikkumaan pintojen suh- • · * * * *. ” teen näiden välissä, • * * • * · *.* " 25 • · · « · * ’·* tunnettu siitä, että » « · • * * - substraatin (4) ohutkalvolla kasvatettava pinta • * * • · * *. ja sen kanssa vastakkainen toinen pinta on sovi- • · *. *ϊ 30 tettu reaktiokammioon reaktanttien liikesuunnas- *^ * sa pintojen suhteen avautuvaan kulmaan (11), • · 5^: jolloin pintojen välimatka on pienempi reaktant- • » i/·· tien tulopäässä kuin poistopäässä. 118474
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktantit on sovitettu liikkumaan reaktiokammiossa substraatin (4) ohutkalvolla kasvatettavan pinnan ja sen 5 kanssa vastakkaisen toisen pinnan välissä.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen laite, tunnettu siitä, että substraatin (4) ohutkalvolla kasvatettava pinta ja sen kanssa vastakkainen toinen pinta on sovitet- 10 tu liikkumaan reaktiokammiossa.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että toinen pinta on substraatin (4) ohutkalvolla kasvatettava pinta. 15
5. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 4 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktiotila käsittää - kasetin (1), joka on avoin sekä syöttöpäästään, 20 johon reaktanttien syöttöelimet (2) on kiinni- : *** tetty, että poistopäästään, johon reaktiotuot- *.1 ’ teiden ja reaktanttien ylimäärän poistoelimet «♦ ί 2' (8) on kiinnitetty, ja • 1 • · · • »» « · «·· « · · *;!/ 25 - kasettiin (1) sovitettuja substraatteja (4) , • ♦ · • joiden ohutkalvolla kasvatettavat pinnat on so- ... vitettu vastakkain välimatkan päähän toisistaan, φ · φ • 1 · jolloin reaktantit on sovitettu liikkumaan sub- Φ 1 1 * 1 1 straattien (4) ohutkalvolla kasvatettavien pin- • · *· 1: 30 tojen välissä. • · « • · • · · • « · • · ♦ • · · 2 • Il • · 118474
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että substraatin (4) ohutkalvolla kasvatettavan pinnan ja sen kanssa vastakkaisen toisen pinnan välinen kulma (11) kaasun suhteellisessa liikesuun- 5 nassa on 0-10°.
7. Patenttivaatimuksen 1 tai 5 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktanttien syöttöelimet (2) käsittävät rinnakkaisia syöttökanavia (9), jotka on sovitettu ainakin 10 likimain kohtisuoraan substraattien (4) pituus- tai leve- yssuuntaa vastaan.
8. Patenttivaatimuksen 1, 5 tai 7 mukainen laite, tunnettu siitä, että syöttöelimet (2) on sovitettu myötäile- 15 mään substraatin (4) syöttöelinten (2) kanssa vastakkain sovitetun päätypinnan muotoa.
9. Patenttivaatimuksen 5 mukainen laite, tunnettu siitä, että kaasun syöttöpää on kasetin (1) yläosassa ja kaasun 20 poistopää kasetin (1) alaosassa, jolloin kaasu on sovi- tettu virtaamaan kasetin (1) läpi ylhäältä alaspäin. ··· • · · * · · i
10.Patenttivaatimuksen 1 tai 5 mukainen laite, tunnettu • · ϊ/·· siitä, että selkäpuolet vastakkain sovitettujen sub- ι·« V · 25 straattien (4) yläsivut on peitetty profiililla (6).
• · · • · · 11.Patenttivaatimuksen 1, 5 tai 10 mukainen laite, tunnet- • · · V ’ tu siitä, että selkäpuolet vastakkain sovitettujen sub- ··· V * straattien (4) alasivut on peitetty profiililla (6). 30
• « *:*·: 12. Patenttivaatimuksen 1 tai 5 mukainen laite, tunnettu siitä, että kaasun poistoelimet käsittävät imulaatikon • · # • · (8) , johon kaasun poistokanavat (7) on liitetty. • · 118474
13. Patenttivaatimuksen 1, 5 tai 12 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktiokammion prosessikammioon tuenta-kohta on ainakin likimain kaasun poistoelinten (8) pohjan 5 keskikohdassa.
14. Patenttivaatimuksen 5, 12 tai 13 mukainen laite, tunnettu siitä, että kaasun poistopään ja poistoelinten (8) väliin on sovitettu suppilomainen virtauksenohjain 10 (12), jolloin kaasun virtauspoikkipinta-ala pienenee kaa sun poistopäästä kohti poistoelimiä (8) mentäessä.
15. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että vastakkain sovitettujen sub-15 straattien (4) ohutkalvolla päällystettävät pinnat on so vitettu kuristamaan reaktanttien virtausta.
16.Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktantteja on sovitettu syötet- 20 täväksi syöttöelimistä (2) vastakkain sovitettujen sub- j 1·. straattien (4) yläosat peittävien profiilien (6) päälle • · · ί ϊ: reaktanttien virtauksen tasaamiseksi. aa • · • aa a Φ · • a · a a# * a aa« a a a a a a a aa1 a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a • a a a a a a a a a a aa a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a • aa a a 19 1 1 8474
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI992797A FI118474B (fi) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| CA002329568A CA2329568A1 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-22 | Apparatus for growing thin films |
| TW089127893A TW524876B (en) | 1999-12-28 | 2000-12-26 | Apparatus for growing thin films |
| JP2000009189U JP3079231U (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | 薄膜を成長させる装置 |
| US09/749,339 US6551406B2 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | Apparatus for growing thin films |
| KR2020000036813U KR200224419Y1 (ko) | 1999-12-28 | 2000-12-28 | 박막 성장 장치 |
| US10/365,926 US6835416B2 (en) | 1999-12-28 | 2003-02-13 | Apparatus for growing thin films |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI992797A FI118474B (fi) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| FI992797 | 1999-12-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI19992797A FI19992797A (fi) | 2001-06-29 |
| FI118474B true FI118474B (fi) | 2007-11-30 |
Family
ID=8555821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI992797A FI118474B (fi) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6551406B2 (fi) |
| JP (1) | JP3079231U (fi) |
| KR (1) | KR200224419Y1 (fi) |
| CA (1) | CA2329568A1 (fi) |
| FI (1) | FI118474B (fi) |
| TW (1) | TW524876B (fi) |
Families Citing this family (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671223B2 (en) * | 1996-12-20 | 2003-12-30 | Westerngeco, L.L.C. | Control devices for controlling the position of a marine seismic streamer |
| FI118474B (fi) * | 1999-12-28 | 2007-11-30 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6825447B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
| US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7166170B2 (en) * | 2001-05-17 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Cylinder-based plasma processing system |
| US7037574B2 (en) | 2001-05-23 | 2006-05-02 | Veeco Instruments, Inc. | Atomic layer deposition for fabricating thin films |
| US20030198754A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-10-23 | Ming Xi | Aluminum oxide chamber and process |
| US9051641B2 (en) | 2001-07-25 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Cobalt deposition on barrier surfaces |
| US8110489B2 (en) | 2001-07-25 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Process for forming cobalt-containing materials |
| US20090004850A1 (en) | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
| WO2003030224A2 (en) * | 2001-07-25 | 2003-04-10 | Applied Materials, Inc. | Barrier formation using novel sputter-deposition method |
| US7085616B2 (en) * | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US6718126B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
| US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6773507B2 (en) * | 2001-12-06 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition |
| US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
| AU2003238853A1 (en) | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
| US6998014B2 (en) * | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6866746B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-03-15 | Applied Materials, Inc. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6972267B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-12-06 | Applied Materials, Inc. | Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor |
| US7186385B2 (en) * | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
| US6955211B2 (en) | 2002-07-17 | 2005-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system |
| US7066194B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Valve design and configuration for fast delivery system |
| US6772072B2 (en) | 2002-07-22 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery |
| US6915592B2 (en) | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
| US6821563B2 (en) * | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| US20040069227A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber configured for uniform gas flow |
| US6905737B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition |
| EP1420080A3 (en) | 2002-11-14 | 2005-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes |
| US6994319B2 (en) * | 2003-01-29 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Membrane gas valve for pulsing a gas |
| US6868859B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Rotary gas valve for pulsing a gas |
| US20040177813A1 (en) | 2003-03-12 | 2004-09-16 | Applied Materials, Inc. | Substrate support lift mechanism |
| US7342984B1 (en) | 2003-04-03 | 2008-03-11 | Zilog, Inc. | Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character |
| US20050067103A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Applied Materials, Inc. | Interferometer endpoint monitoring device |
| US20050095859A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Precursor delivery system with rate control |
| US7071118B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-07-04 | Veeco Instruments, Inc. | Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
| US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
| FI117728B (fi) * | 2004-12-21 | 2007-01-31 | Planar Systems Oy | Monikerrosmateriaali ja menetelmä sen valmistamiseksi |
| US20060216548A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Ming Mao | Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition |
| US20060272577A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Ming Mao | Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film |
| US20070049043A1 (en) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement |
| US7402534B2 (en) * | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
| US7464917B2 (en) | 2005-10-07 | 2008-12-16 | Appiled Materials, Inc. | Ampoule splash guard apparatus |
| US20070119371A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-31 | Paul Ma | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
| US7413982B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-08-19 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
| US7456429B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-11-25 | Eastman Kodak Company | Apparatus for atomic layer deposition |
| US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
| US7601648B2 (en) | 2006-07-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors |
| US9109287B2 (en) * | 2006-10-19 | 2015-08-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Solid source container with inlet plenum |
| US20080099436A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Michael Grimbergen | Endpoint detection for photomask etching |
| US20080176149A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-07-24 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
| US7775508B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor |
| US8821637B2 (en) | 2007-01-29 | 2014-09-02 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition |
| KR20090116809A (ko) * | 2007-03-02 | 2009-11-11 | 오를리콘 트레이딩 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐 | 진공 코팅 장치 |
| US7572686B2 (en) * | 2007-09-26 | 2009-08-11 | Eastman Kodak Company | System for thin film deposition utilizing compensating forces |
| US10041169B2 (en) * | 2008-05-27 | 2018-08-07 | Picosun Oy | System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor |
| US8282334B2 (en) * | 2008-08-01 | 2012-10-09 | Picosun Oy | Atomic layer deposition apparatus and loading methods |
| US8146896B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes |
| US8778204B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process |
| TWI475129B (zh) * | 2010-12-15 | 2015-03-01 | Ncd Co Ltd | 薄膜沉積方法及其系統 |
| DE102011053229A1 (de) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Solibro Gmbh | Abscheideverfahren und Abscheidevorrichtung |
| US8961804B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for photomask etching |
| US8808559B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for reflective multi-material layers etching |
| US8900469B2 (en) | 2011-12-19 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching |
| GB201206096D0 (en) * | 2012-04-05 | 2012-05-16 | Dyson Technology Ltd | Atomic layer deposition |
| KR20140030977A (ko) * | 2012-09-04 | 2014-03-12 | 삼성테크윈 주식회사 | 촉매 금속 지지 장치, 그래핀 다매 합성 장치 및 그래핀 다매 합성 방법. |
| US9805939B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-10-31 | Applied Materials, Inc. | Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks |
| US8778574B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask |
| TWI723024B (zh) | 2015-06-26 | 2021-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備 |
| US10947640B1 (en) * | 2016-12-02 | 2021-03-16 | Svagos Technik, Inc. | CVD reactor chamber with resistive heating for silicon carbide deposition |
| KR101915207B1 (ko) | 2018-06-08 | 2018-11-05 | 한화에어로스페이스 주식회사 | 그래핀 다매 합성을 위한 촉매 금속 지지 장치 |
| JP6739831B1 (ja) | 2020-02-20 | 2020-08-12 | 黒沢建設株式会社 | ネジ棒付き圧着グリップ及びそれを備えた緊張材 |
| US11502160B2 (en) * | 2020-03-02 | 2022-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for forming metal-insulator-metal capacitors |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| US4389973A (en) | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
| US4651673A (en) * | 1982-09-02 | 1987-03-24 | At&T Technologies, Inc. | CVD apparatus |
| US4582720A (en) * | 1982-09-20 | 1986-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for forming non-single-crystal layer |
| US4522149A (en) * | 1983-11-21 | 1985-06-11 | General Instrument Corp. | Reactor and susceptor for chemical vapor deposition process |
| US4694779A (en) | 1984-10-19 | 1987-09-22 | Tetron, Inc. | Reactor apparatus for semiconductor wafer processing |
| US4823736A (en) * | 1985-07-22 | 1989-04-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Barrel structure for semiconductor epitaxial reactor |
| US4747367A (en) * | 1986-06-12 | 1988-05-31 | Crystal Specialties, Inc. | Method and apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition |
| US5092728A (en) | 1987-10-15 | 1992-03-03 | Epsilon Technology, Inc. | Substrate loading apparatus for a CVD process |
| US4993360A (en) * | 1988-03-28 | 1991-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vapor growth apparatus having a diffuser section containing a flow regulating member |
| JPH0360027A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 気相成長装置 |
| GB2264957B (en) | 1992-03-12 | 1995-09-20 | Bell Communications Res | Deflected flow in a chemical vapor deposition cell |
| TW293983B (fi) | 1993-12-17 | 1996-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JPH07245332A (ja) | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置 |
| JP3239977B2 (ja) | 1994-05-12 | 2001-12-17 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
| FI100409B (fi) * | 1994-11-28 | 1997-11-28 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| FI97730C (fi) | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| JP3028462B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2000-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5814561A (en) * | 1997-02-14 | 1998-09-29 | Jackson; Paul D. | Substrate carrier having a streamlined shape and method for thin film formation |
| US5879459A (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-09 | Genus, Inc. | Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition |
| US6214116B1 (en) * | 1998-01-17 | 2001-04-10 | Hanvac Corporation | Horizontal reactor for compound semiconductor growth |
| SE9801190D0 (sv) * | 1998-04-06 | 1998-04-06 | Abb Research Ltd | A method and a device for epitaxial growth of objects by Chemical Vapour Deposition |
| US6159287A (en) * | 1999-05-07 | 2000-12-12 | Cbl Technologies, Inc. | Truncated susceptor for vapor-phase deposition |
| FI118474B (fi) * | 1999-12-28 | 2007-11-30 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| FI118343B (fi) * | 1999-12-28 | 2007-10-15 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| JP4211185B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2009-01-21 | 株式会社デンソー | Ｃｖｄ，ａｌｅ装置用ガラス基板収納治具 |
-
1999
- 1999-12-28 FI FI992797A patent/FI118474B/fi active IP Right Grant
-
2000
- 2000-12-22 CA CA002329568A patent/CA2329568A1/en not_active Abandoned
- 2000-12-26 TW TW089127893A patent/TW524876B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-27 US US09/749,339 patent/US6551406B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 JP JP2000009189U patent/JP3079231U/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-28 KR KR2020000036813U patent/KR200224419Y1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-13 US US10/365,926 patent/US6835416B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3079231U (ja) | 2001-08-10 |
| KR200224419Y1 (ko) | 2001-05-15 |
| US6551406B2 (en) | 2003-04-22 |
| CA2329568A1 (en) | 2001-06-28 |
| US20030140854A1 (en) | 2003-07-31 |
| US20010014371A1 (en) | 2001-08-16 |
| FI19992797A (fi) | 2001-06-29 |
| US6835416B2 (en) | 2004-12-28 |
| TW524876B (en) | 2003-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI118474B (fi) | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi | |
| FI118342B (fi) | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi | |
| FI118343B (fi) | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi | |
| FI97731C (fi) | Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi | |
| US6572705B1 (en) | Method and apparatus for growing thin films | |
| US7105054B2 (en) | Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate | |
| KR20200020608A (ko) | 고체 소스 승화기 | |
| US7020981B2 (en) | Reaction system for growing a thin film | |
| JP2002508033A (ja) | 薄膜を成長させる方法および装置 | |
| JP7029192B2 (ja) | 流体透過性材料のコーティング | |
| US20240344197A1 (en) | An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor | |
| CN109881180B (zh) | 一种用于微纳米颗粒的快速循环原子层沉积设备 | |
| FI20205586A1 (fi) | Hiukkasmateriaalien päällystäminen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 118474 Country of ref document: FI |