FI118342B - Laite ohutkalvojen valmistamiseksi - Google Patents

Laite ohutkalvojen valmistamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI118342B
FI118342B FI991078A FI991078A FI118342B FI 118342 B FI118342 B FI 118342B FI 991078 A FI991078 A FI 991078A FI 991078 A FI991078 A FI 991078A FI 118342 B FI118342 B FI 118342B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
substrate
reaction chamber
reaction
base part
movable part
Prior art date
Application number
FI991078A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI991078A7 (fi
FI991078A0 (fi
Inventor
Leif Keto
Janne Kesaelae
Niklas Bondestam
Pekka T Soininen
Original Assignee
Asm Int
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=8554642&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=FI118342(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Asm Int filed Critical Asm Int
Priority to FI991078A priority Critical patent/FI118342B/fi
Publication of FI991078A0 publication Critical patent/FI991078A0/fi
Priority to TW089107029A priority patent/TW527433B/zh
Priority to JP2000137175A priority patent/JP3649323B2/ja
Priority to KR10-2000-0024933A priority patent/KR100415475B1/ko
Priority to US09/568,077 priority patent/US6562140B1/en
Priority to EP00660085A priority patent/EP1052309B1/en
Publication of FI991078A7 publication Critical patent/FI991078A7/fi
Priority to US09/769,562 priority patent/US6579374B2/en
Priority to US10/383,291 priority patent/US7833352B2/en
Publication of FI118342B publication Critical patent/FI118342B/fi
Application granted granted Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

j 118342
Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
Esillä olevan keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen laite ohutkalvojen valmistamiseksi.
5 Tällaisessa laitteessa reaktiotilaan sijoitettu substraatti saatetaan alttiiksi ohutkalvon muodostamiseen käytettävän ainakin kahden eri reaktantin vuorottaisille pintareaktioille. Höyryfaasissa olevia reaktantteja syötetään toistuvasti ja vuorottaisesti kukin omasta lähteestään reaktiotilaan, jossa ne saatetaan reagoimaan substraatin pinnan kanssa 10 kiinteässä olomuodossa olevan ohutkalvotuotteen muodostamiseksi substraatille.
Substraatille kiinnittymättömät reaktiotuotteet ja mahdollinen reaktanttiylimäärä poistetaan kaasufaasissa reaktiotilasta.
Ohutkalvojen kasvatus tapahtuu perinteisesti tyhjöhöyrystyksellä, Molecular Beam 15 Epitaxy :llä (MBE) ja muilla vastaavilla vakuumikasvatusmenetelmillä, Chemical Vapor
Deposition:in (CVD) eri muodoilla (kuten matalapaine-ja metallo-organo-CVD ja plasma-avusteinen CVD) tai yllä mainitulla, vuorottaisiin pintareaktioihin perustuvalla kasvatuksella, josta käytetään nimitystä Atomic Layer Epitaxy, eli lyhennettynä ALE tai . ALCVD. MBE:ssa ja CVD:ssa kalvon kasvu on verrannollinen muiden prosessiarvojen • · ♦ * ·.. 20 lisäksi myös syötettyjen lähtöaineiden pitoisuuksiin. Jotta kyseisillä menetelmillä : " ' : valmistetuista kalvoista tulisi tasaisia, niin lähdeaineiden määrien ja reaktiivisuuksien on oltava yhtäsuuret eri puolilla substraattia. Mikäli eri lähtöaineet pääsevät kosketuksiin ··· *.· · toistensa kanssa ennen substraatin pintaa, niinkuin esimerkiksi CVD:ssa on asianlaita, on ·· *. * * aina olemassa sellainen mahdollisuus, että ne reagoivat keskenään. Tällöin on vaarana 25 mikropartikkelien muodostuminen jo kaasujen syöttökanavistoissa. Tällaiset mikropartik- ·*· · *kelit yleensä huonontavat kalvoa. Ennenaikaisten reaktioiden välttämiseksi MBE- ja CVD- • · · • · · *. raktoreissa lähtöaineet esimerkiksi lämmitetään vasta substraateilla. Reaktion käynnis- • · • * « :·'· : tämiseksi voidaan lämmön lisäksi käyttää esim. plasmaa tai muuta vastaavaa aktivaattoria.
• · · * · • · ti* • ·· ·...* 30 MBE-ja CVD-prosesseissa ohutkalvojen kasvu säädetään ensisijaisesti alustalle saapuvan * * lähdeainevirran suuruuden avulla. ALE-prosessissa kasvua kontrolloi sen sijaan alustan pinta eikä niinkään lähdeainevirran pitoisuudet tai virtausominaisuudet. ALE:ssa 118342 2 edellytetään vain, että lähtöainetta on riittävästi kalvon kasvuun eripuolilla substraattia.
ALE-tekniikkaa on kuvattu esim. FI-patenttijulkaisuissa 52359 ja 57975 sekä US-patentti-julkaisuissa 4 058 430 ja 4 389 973. FI-patenttijulkaisuissa 97730, 97731 ja 100409 on 5 myös esitetty eräitä kyseistä menetelmää soveltavia laiteratkaisuja. Laitteita ohutkalvojen kasvatukseen löytyy myös seuraavista julkaisuista: Material Science Report 4 (7) (1989) 261 ja Tyhjiötekniikka ISBN 951-794-422-5 s. 253-261.
ALE-kasvatuksessa atomit tai molekyylit viilaavat substraattien yli pommittaen niiden 10 pintaa jatkuvasti siten, että pintaan muodostuu täysin kyllästynyt molekyylikerros.
FI-patenttijulkaisusta 57975 tunnetun tekniikan mukaisesti seuraavana saapuva inertti-kaasupulssi muodostaa diffuusiovallin, joka poistaa ylimääräisen lähtöaineen ja kaasumaiset reaktiotuotteet substraatilta. Toisiaan seuraavat eri lähtöainepulssit ja niitä erottavat inerttikaasun muodostamat diffuusiovallit aikaansaavat pintakemiansa kontrolloiman 15 kalvon kasvun. Prosessin kannalta ei ole merkitystä, liikkuvatko kaasut vai substraatit, vaan että reaktion eri lähtöaineet ovat erotetut toisistaan ja että ne saapuvat substraatille vuorottain.
Useimmat tyhjöhöyrystimet toimivat ns. "single shot" -periaatteella. Siinä höyrystetty • · . 20 atomi tai molekyyli törmää vain kerran substraattiin. Mikäli se ei reagoi substraatin pinnan • · · •..,: kanssa, niin se kimpoaa tai uudelleen höyrystyy kohti laitteiston seinämiä tai vakuumi- *: * * * pumppua j a kondensoituu sinne. Kuumaseinämäisen reaktiothan seinämään tai substraat- ·»· • · · ‘ · * * tiin osunut atomi tai molekyyli voi höyrystyä uudestaan j a siten törmätä substraattiin • « · • · · ' · * * uudemman kerran. Tämä "multi-shot" -periaate ALE-reaktoreissa parantaa mm. laitteiston ... 25 materiaalihyötysuhdetta.
• » ( • · · »·» » · · • · · Käytännössä tällaiset "multi-shot"-periaatteella toimivat ALE-reaktorit on varustettu • · · reaktiokammiorakenteella, joka koostuu useasta vierekkäin tai päällekkäin ladotusta • * * · * *. ’ rakenneosasta, j öistä ainakin osa on samanlaisia j a j oihin esim. on työstetty reaktio- ··· • · ’ · · · * 30 kammioita sekä syöttö- j a poistokanavia vastaavat kaiverrukset j a avanteet. Vaihto- ehtoisesti substraatit sijoitetaan vapaasti painekuorena toimivan reaktiothan sisään. Molemmissa tapauksissa reaktori joudutaan paineistamaan substraattienvaihdon 3 118342 yhteydessä.
Ohutkalvojen kasvatuksessa on tavallista, että reaktorit pyritään pitämään jatkuvasti prosessiolosuhteissa niin lämpötilan, paineen, kuin muidenkin parametrien osalta. Tämä 5 siksi, ettei huoneilman partikkelit ja kemialliset epäpuhtaudet pääse vaikuttamaan substraatteihin sekä siksi, että vältyttäisiin reaktoreiden aikaavieviltä ja luotettavuutta heikentäviltä lämpösyklauksilta. Käytännössä asia ratkaistaan käyttämällä erillistä lataus* ja siirtokammiota. Latauskammio on yhdistetty reaktoreihin ja sitä pidetään jatkuvasti vakuumissa. Substraattien lataus ja poisto tehdään siten, että sekä reaktori että lataus-10 kammio ovat vakuumissa, minkä jälkeen näiden välinen venttiili (esim. porttiventtiili) avataan, latauskammiossa sijaitseva robottikäsi käy hakemassa prosessoidun substraatin pois ja asettaa uuden substraatin reaktoriin. Tämän jälkeen venttiili sulkeutuu ja prosessi voi käynnistyä substraatin ja reaktorin saavutettua prosessiolosuhteet. Toisaalla prosessoitu substraatti siirretään toisen avattavan venttiilin kautta latauskammiosta vakuumissa ole-15 vaan ilmalukkoon, minkä jälkeen venttiili suljetaan. Ilmalukko voidaan tämän jälkeen paineistaa, jolloin substraatti voidaan poistaa laitteistosta huonetilaan avautuvan kolmannen venttiilin kautta. Vastaavalla tavalla prosessoitava substraatti voidaan viedä latauskammion kautta reaktoriin.
• · *.·.· 20 Tunnetuissa ratkaisuissa substraatti asetetaan lämmittimen päälle siten, että robottikäsi tuo • · • · • ** substraatin reaktorin haluttuun kohtaan, minkä jälkeen substraatti nostetaan tyypillisesti ··· • · *···[ kolmen tapin avulla suoraan ylös robottikäden poiston ajaksi. Sitten substraatti lasketaan lämmitettävälle alustalle laskemalla em. tapit alustan pinnan alapuolelle, jolloin substraatti • · · • · · I., saa hyvän termisen kosketuksen alustaan.
• · · ♦ · * * 25 :·. Näissä ratkaisuissa kaasu tuodaan substraatin päällä olevan "spray-head:n" avulla jaettuna • «· . · · ·. kuuman substraatin päälle, jolloin haluttu reaktio tapahtuu ja substraatin pinnalle muodos- • · · * tuu haluttua kalvoa. Tällainen syöttötapa aiheuttaisi ALCVD-reaktorilla sen, että kunkin • · · j... # reaktanttipulssin alussa ja lopussa jouduttaisiin odottamaan pulssin pituuteen nähden mer- • « 30 kittävä aika kaasun homogenisoitumista ja edellisen kaasupulssin huuhtoutumista. Käytän- • · · nössä tämä tarkoittaisi sitä, että eri reaktanttihöyryt pääsisivät sekoittumaan keskenään, joi- • · • · loin kasvu tapahtuisi ALE-moodin sijasta CVD-tyyppisesti. Tällöin joudutaan joko hilaa- 118342 4 seen prosessointiin, huonoon materiaalihyötysuhteeseen ja/tai suuriin paksuusvaihteluihin.
Vastaavasti vakuumiastian seinämiin kondensoituisi lähtöaineita edellisen kohdan mukaisin seurauksin varsinkin käytettäessä kiinteitä lähteitä.
5
Tavanomaisessa ALE-kasvatuksessa käytetään panosprosessointia sen takia, että ALE-menetelmä on moniin muihin ohutkalvonkasvatusmenetelmiin verrattuna suhteellisen hidas. Panosprosessissa kasvatusaika per substraatti saadaan laskettua kilpailukykyiselle tasolle. Myös substraattien kokoja on kasvatettu samasta syystä.
10 ALE-menetelmällä on myös mahdollista rakentaa kerrosrakenteita, jolloin samalla ajo-kerralla voidaan tehdä useampia eri kaivorakenteita samalla latauksella. Tämän avulla saadaan myös yksikkökohtaista prosessointiaikaa laskemaan.
15 Panosprosesseissa tarvittavat suuret pakkakokonaisuudet on tyypillisesti kasattu jossain sivummalla, minkä jälkeen ne on siirretty kokonaisuuksina avatun reaktorin sisään.
Reaktiokammiorakenteen lämmitys kestää tyypillisesti muutaman tunnin (1-4 h.), prosessointi (n. 2-4h., 300 nm A1203) ja jäähdytys jopa kymmeniä tunteja rakenteen koon : * · *: mukaan. Lisäksi on laskettava aikaa myös reaktiokammion purkamiselle ja kokoamiselle.
• · 20 • · · :": Prosessointiajan suhde muiden työvaiheiden vaatimaan työaikaan muuttuu entistäkin epä- ' · * * · edullisemmaksi kun kasvatetaan hyvin ohuita kalvoja (esim. 1-50 nm), jolloin kasvatus- • · · :: : ajat ovat yhden tai useamman minuutin luokkaa. Kyseisessä tilanteessa kokonaisproses- • · · • · · * · * sointiaj asta menee valtaosa reaktiokammiorakenteen lämmittämiseen, j äähdyttämiseen, 25 reaktorin paineistamiseen, reaktiokammion purkuun ja kokoamiseen, vakuumin pump- • » · • · · *,. paukseen sekä uudelleenlämmittämiseen verrattuna varsinaiseen prosessointiaikaan.
• · I
• I · • • · • · · •;;t: Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on poistaa tunnettuun tekniikkaan liittyvät epäkoh- i · * *.* dat ja saada aikaan aivan uudenlainen laite tasalaatuisten ohutkalvojen kasvattamiseksi • a · • · * ·. · ‘ 30 tuotannollisesti ALE-tekniikan avulla. Etenkin keksinnön tarkoituksena on saada aikaan ····· laiteratkaisu, jolla voidaan valmistaa hyvin ohuita kalvoja sellaisissa olosuhteissa, joissa reaktori ja reaktiokammion muodostava rakenne koko ajan pidetään stabiileissa prosessi- 118342 s olosuhteissa siten, että lämmitys-, paineistus- ja vakuumin pumppaussykli tehdään vain substraateille.
Keksintö perustuu siihen periaatteelliseen ratkaisuun, että yhdistetään reaktiokammio-5 rakenteen ja kylmäseinämäisen ALE-reaktorin edut latauskammiolla varustetun reaktorin etuihin konstruoimalla reaktiokammiorakenne siten, että se voidaan avata ja sulkea reaktorin sisällä substraattien vaihtamiseksi.
Keksinnön mukaan reaktiokammiorakenteesta käsittää siksi ainakin kaksi pääosaa, 10 nimittäin kiinteästi asennetun rakenteen perusosan sekä rakenteen liikuteltavan osan, joka on sovitettu sulkeutumaan tiiviisti perusosaa vasten, jolloin perusosan ja liikuteltavan osaan väliin jäävä reaktiotila saa sille tyypillisen muodon. Toinen reaktiokammiorakenteen perusosasta ja liikuteltavasta osasta muodostaa substraatin tukipinnan eli pohjan, jolle substraatti voidaan asemoida robottikäden ja/tai tämän osan liikkeiden avulla.
15 Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle laitteelle on pääasiallisesti tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
. V. Keksinnöllä saavutetaan huomattavia etuja. Niinpä keksinnön mukainen rakenne mahdol- • · • 1 ·.. 20 listaa välitilan pitämisen puhtaana, mikä kasvattaa latauskammion puhtautta, vähentää substraattien kontaminoitumista sekä mahdollistaa nopean peruspaineen eli Base pressures saavuttamisen. Keksinnön mukaisen laitteen mahdollistama yksittäisen Φ·· V 1 substraattien tuotannollinen prosessointi on eduksi myös siten, että tarvittaessa kukin ··· 1 .1 1 substraatti voidaan prosessoida räätälöidysti. Lisäksi vain ALE-prosessia varten ei tarvitse 25 muodostaa panosta, kun muu tuotanto toimii jatkuvatoimisesti.
**·'· i · » ··· • · · • · ♦ *. Keksinnön mukainen laite soveltuu käytettäväksi erilaisten ohutkalvojen, niin puolijohde- · • · · "· : kalvojen kuin näyttöihin käytettävien kalvojen valmistamiseksi ALE-tekniikalla.
·1 2 • · ··♦ kuviossa 1 on esitetty keksinnön mukaisen reaktoriratkaisun yksinkertaistettu rakenne ## · :...1 30 Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan yksityiskohtaisen selityksen ♦ ♦··· 2 * 1 avulla. Oheen liitetyissä piirustuksissa on kuvattu keksinnön edullinen sovellus, jolloin 118342 6 kokoonpanokuvana ylhäältä, kuviossa 2 on esitetty reaktoriratkaisun yksinkertaistettu rakenne sivukuvantona, ja kuviossa 3 on esitetty reaktoriratkaisun yksinkertaistettu rakenne halkileikattuna sivukuvantona.
5 Tämän keksinnön yhteydessä tarkoitetaan käsitteellä "reaktantti" höyrystettävissä olevaa ainetta, joka pystyy reagoimaan substraatin pinnan kanssa. Reaktantit voivat olla kiinteitä aineita, nesteitä tai kaasuja. ALE-menetelmässä käytetään tavallisesti kahteen eri ryhmään kuuluvia reaktantteja. "Metallisiksi reaktanteiksi" kutsutaan metalliyhdisteitä tai jopa 10 alkuainemuodossa olevia metalleja. Sopivia metallireaktantteja ovat metallien halogenidit, esim. kloridit ja bromidit, ja organometalliyhdisteet, kuten thd-kompleksit. Esimerkkeinä metallisista reaktanteista mainittakoon Zn, ZnCl2, Ca(thd)2, (CH3)3A1 ja Cp2Mg. "Epämetallisiksi reaktanteiksi" kutsutaan yhdisteitä ja alkuaineita, jotka reagoivat metalli-yhdisteiden kanssa. Viimeksi mainittuja edustavat tyypillisesti vesi, rikki, rikkivetyjä 15 ammoniakki.
"Suojakaasu" tarkoittaa kaasua, joka johdetaan reaktiotilaan ja jolla estetään reaktanttien ja vastaavasti substraatin ei-halutut reaktiot. Näitä ovat esim. reaktanttien ja substraatin reak- • · •. ·. * tiot mahdollisten epäpuhtauksien kanssa. Suoj akaasulla estetään myös eri reaktanttiryhmiin ; *·* 20 kuuluvien aineiden väliset reaktiot esim. syöttöputkistoissa. Suojakaasua käytetään keksin- •... * non mukaisessa menetelmässä edullisesti myös reaktanttien höyrypulssien kantaj a-kaasu- na. Erään edullisen sovellutusmuodon mukaan, jossa vaihtoehdossa eri reaktanttiryhmiin • · · *;!/ kuuluvat reaktantit johdetaan eri syöttökanavistoja pitkin reaktiotilaan, toisesta syöttö- • · ♦ • · · * kanavasta syötetään reaktanttihöyryfaasipulssi ja toisesta suojakaasua, jolloin suoja- (...( 25 kaasuvirtauksella estetään reaktanttien pääsyn toisen reaktanttiryhmän syöttökanavaan.
* » · . · · ·. Esimerkkeinä sopivista suoj akaasuista mainittakoon inerttikaasut, kuten typpikaasu ja « · · . *. jalokaasut, esim. argon. Suojakaasuna voidaan myös käyttää sinänsä reaktiivista kaasua, « » « * ♦ · kuten vetykaasua, jonka tarkoituksena on estää ei-haluttujen reaktioiden (esim. hapetus- • · e · t reaktioiden) tapahtuminen substraatin pinnassa.
• » *·"*. 30 • · Käsitteeseen "reaktiotila" sisältyy keksinnön mukaan sekä se osa reaktiokammiosta, johon substraatti on sijoitettu ja jossa höyryfaasissa olevien reaktanttien annetaan reagoida 118342 7 substraatin kanssa ohutkalvojen kasvattamiseksi, että reaktiokammioon välittömästi johtavat kaasukanavat, joiden kautta reaktantit johdetaan reaktiokammioon (syöttökanavat) tai joiden kautta reaktiokammiosta voidaan poistaa ohutkalvokasvatuksen kaasumaiset reaktiotuotteet ja reaktanttien ylimäärä (poistokanavat). Laiteratkaisun mukaan syöttö- ja 5 vastaavasti poistokanavia voi olla yksi tai useampi. Ne voivat sijaita myös substraattien vastakkaisissa päissä, jolloin kutakin reaktanttiryhmää vastaava poistoaukko sijaitsee toisen ryhmän syötön päässä edullisimmin siitä kielellä erotettuna. Kaasut voidaan syöttää substraatille vastakkaisista suunnista vuorottain. Näin voidaan kompensoida havaittua substraatin syötön puoleisessa päässä tapahtuvaa voimakkaampaa kalvonkasvua. Myös 10 poistokanavan poistoimu j äij estetään vuorottaiseksi ko. järjestelyssä.
"Substraatin pinnalla" tarkoitetaan sitä substraatin päällä olevaa pintaa, jonka reaktiotilaan virtaava reaktanttihöyry kohtaa. Eli ohutkalvokasvatuksen ensimmäisellä jaksolla kyseinen pinta on substraatin, esim. lasin tai piikiteen, pinta, toisella jaksolla ensimmäisen jakson 15 aikana substraatille muodostunut kerros, joka koostuu reaktanttien välisestä kiinteästä reaktiotuotteesta, joka on kiinnittynyt substraatille, jne.
Keksinnön mukaan paineastian sisään jäljestetty reaktorikammio käsittää kaksi osaa, joista toinen on kiinteästi asennettu paineastian suhteen ja toinen on liikuteltavissa. Liikuteltavan *· • *·· 20 osan siirtoliike voi tapahtua sivuttaissuunnassa, eli yhdensuuntaisesti substraatin tason ··· kanssa, tai kohtisuoraan perusosan (ja substraatin) tasoa vasten. Liikkeessä voi myös olla : * sekä sivuttaissuuntaista että kohtisuuntaista liikettä. Substraatti voidaan jäljestää liikutelta- M· • « · * vaan osaan tai perusosaan tai joskus jopa molempiin.
· · • · i ,.. 25 Ratkaisussa, jossa liikuteltavaa osaa siirretään kohtisuoraan perusosaa vasten, perusosaan ' S ' (Ι.·( työstetään sisäreunus ja liikuteltavaan osaan ulkoreunus, joka on muotoiltu sisäreunusta * « · e · t myötäileväksi liikuteltavan osan tiivistämiseksi perusosaa vasten.
• · * * · · • · * · I* • · • · * · * Keksinnön mukainen ratkaisu käsittää muutaman erityisen edullisen sovellusmuodon.
··· • · **·*' 30 Niinpä keksinnön ensimmäisen edullisen sovellutusmuodon mukaan reaktorikammio ····· • · sijoitetaan esim. FI-patenttijulkaisun 97730 mukaisen kylmäseinämisen vakuumiastian sisään. “Kylmäseinämäisellä reaktorilla" tarkoitetaan laitteistoa, jossa painekuoren sisälle 118342 8 sijoitettua reaktiotilaa ja mahdollisesti reagenssilähdettä lämmitetään kutakin erikseen. Lämmitys voidaan toteuttaa jäljestämällä kunkin laitteen ympärille kuori, jossa reaktorin (lähteen) puoleiselle sivulle on sijoitettu ensimmäinen lämmöntasausvaippa tai -levy ja painekuoren puoleiselle sivulle mahdollisesti toinen lämmöntasausvaippa tai -levy. Esim.
5 ensimmäisen ja toisen vaipan väliin on tällöin sovitettu lämmityslaite, jolla lämmön- tasausvaippojen pinnat ovat lämmitettävissä. Lämmityslaitteena voidaan esim. käyttää putkivastuksia tai tasolämmittimiä. Reaktiotilaa ja lähteitä ympäröivien kuorien vaipat on sopivimmin valmistettu metallista, kuten ruostumattomasta teräksestä, titaanista tai alumiinista, tai metalliseoksesta. Pitämällä reaktiotila ja reaktanttilähteet toisistaan ja paine-10 astiasta termisesti eristettyinä voidaan painekuoren sisälämpötila asetella lähteiden ja reaktiotilan lämpötilasta riippumattomasti. Se voidaan pitää huomattavasti reaktiolämpö-tilaa alempana. Kuten alla esitettävästä esimerkistä käy ilmi, kylmäseinämäinen reaktori voidaan toteuttaa myös siten, että reagenssilähteet eivät ole painekuoren sisällä.
1S Kylmäseinämäisen vakuumiastian tilalla voidaan reaktion mukaan käyttää jotain toista kaasutiivistä astiaa. Tämä koskee etenkin tilannetta, jossa reaktion lämpötila on alle noin 200 °C. Rakennetta kutsutaan tämän keksinnön yhteydessä yleisesti ’’painekuoreksi” tai ’’paineastiaksi”, mihin käsitteeseen sisällytetään ’’vakuumiastiat”. Ohutkalvon kasvattaminen voidaan suorittaa normaali-ilmanpaineessa tai jopa ylipaineessa, vaikka alipaineessa • » t 20 saavutetaan eräitä etuja mm. reaktantti- ja huuhtelukaasujen puhtauden suhteen.
• · • ·· • · · • · • ·
Sopivimmin reaktorikammion perusosa tuetaan vakuumikammion seinämiin siten, että • · .···, tuennan keskiakseli menee substraatin keskipisteen kautta. Tällä estetään lämpöliikkeiden • · · . ·: ·. vaikutus substraatin erittäin tarkkaan asemointiin reaktorikammion sulkeutuessa.
• · · 25 Lämpöliikkeiden vaikutuksen minimoimiseksi on myös edullista viedä reaktanttien :' ·.. syöttökanavat ja reaktio-tuotteiden poistokanavat painekuoren (yhden ja) saman seinämän läpi. Kun liikuteltava osa käsittää korkeussuunnassa siirrettävän levyn, jota liikutellaan •*.>( akselin varassa, tämä akseli on edullisesti viety painekuoren läpi saman seinämän kautta :***: kuin kaasukanavat. Akselia voidaan liikuttaa manuaalisesti tai toimilaitteen avulla.
··· :·: 30 « ·· Lämpöliikkeiden voimien vaikutus paikannukseen voidaan eliminoida esim. joustavalla putkistolla.
118342 9
Perusosa voidaan myös muotoilla osaksi painekuoren seinämää.
Keksinnön toisen edullisen sovellutusmuodon mukaan reaktorin perusosa ja/tai sen liikkuva osa on varustettu lämmittimin ja niiden eristykseen voidaan tarvittaessa käyttää esim.
5 säteilysuojia tai aktiivisia lämmönerotuselementtejä. Lämmittimien, säteilysuojien ja aktiivisten lämmönerotuselementtien osalta viittaamme siihen, mitä on esitetty FI-patentti-julkaisussa 97730. Yleisesti voidaan kuitenkin todeta, että “aktiivisiksi lämmönerotus-elimiksi” kutsuttavat laitteet sisältävät tyypillisesti jäähdytyksen sekä säteilysuojan. Kahden lämpimän pisteen välille muodostetaan vyöhyke, jonka lämpötila on alempi kuin 10 pisteistä kylmemmän lämpötila. Lämmityselinten ympärille on tyypillisesti jäljestetty lämmönsäteilyä heijastavia vaippoja, joita on ainakin yksi mutta joita voi olla useitakin sisäkkäin. Lähteiden ympärille on edelleen jäljestetty jäähdytys, jolloin yllä mainittu vyöhyke saadaan aikaan. Tämä koskee tapausta, jossa lähteet on jäljestetty vakuumiastian sisälle. Jäädytys voi esim. koostua vesijäähdytyksestä. Samanlainen jäähdytys voidaan 15 järjestää painekuoreen.
Liikutettavan osan tiivistyksessä (eli reaktiokammiorakenteen tiivistykseen) voidaan käyttää esim. elastomeeritiivistintä prosessin ja lämpötilan niin salliessa. Muutoin tiivistys ;Y: voidaan tehdä esim. imu-uralla. Imu-uran vaikutusta voidaan tehostaa myös virtauttamalla • * 20 suojakaasua urassa. Kyseessä on suojakaasutiivistys, joka on toteutettu esim. siten, :*”ϊ levymäisten rakenneosien pintaan, lähelle levyjen reunoja on muodostettu levyn ääriviivaa kiertävä imu-ura mahdollisten vuotojen keräämiseksi. Imu-ura yhdistetään alipaineiseen V * poistokanavaan. Imu-uralla voidaan estää reaktorin ulkopuolelta tulevien epäpuhtauksien «»· • ♦ · * · * * pääsy reaktiollaan tai reaktioihin osallistuvien aineiden pääsy reaktiotilan ulkopuolelle.
25 Imu-urassa kulkeva eristysvirtaus toimii mahdollisimman hyvin, jos reaktiokaasujen • « · • · m ;.. voimakkain kuristus on substraatin loppupäässä, lähellä poistokanavaa.
• t · • · * * • · • · · : Reaktiokammion vastakkain tulevien kappaleiden laitoihin on sopivimmin muodostettu • · '·“ levyn tason suhteen poikittaiset avanteet, jotka ulottuvat levyn läpi ja jotka muodostavat ··· : ·. · * 30 reaktiotilan kaasu-kanavat, kun reaktiokammiorakenne on suljettu.
• ·
Reaktiokammio voidaan muotoilla siten, että siinä voidaan käsitellä useita substraatteja.
118342 ίο
Reaktiokammiossa voi siksi olla tukirakenteita, joiden varaan on asetettavissa ainakin kaksi substraattia ohutkalvojen samanaikaiseksi kasvattamiseksi näiden päälle. Yleisesti kyseiset tukirakenteet voivat käsittää hyllykön, jossa on hyllylevyt tai kannattimet substraattien kannattamiseksi, tai keskenään samanlaisista, päällekkäin ladottavista kappaleista 5 koostuvan kasettirakenteen, joissa kappaleiden sisään on muotoiltu substraattien kannattimet tai kannatinpinnat. Tukirakenteet voidaan jäljestää kiinteän osan päälle tai liikutettavan pohjalevyn päälle.
Hyllyköt voivat olla avoimet tai suljetut. Avoimessa hyllykössä on avoimet sivut, joiden 10 kautta reaktanttikaasut pääsevät vapaasti virtaamaan syöttökanavasta substraateille ja substraateilta poistokanavaan. Suljetussa hyllykössä sivut ovat osittain umpinaisia, jolloin reaktanttikaasuille on jäljestetty yhteen sivuun substraattien kohdalla olevat syöttöaukot ja vastakkaiseen sivuun on muodostettu poistoaukko. Hyllykköratkaisussa substraatinpitimet voivat koostua hyllylevyistä tai kannattimista, jotka kannattavat substraatteja. Jälkim-15 mäinen tapaus mahdollistaa substraattien molemminpuoleisen päällystämisen. Hyllylevy-tapauksessa hyllylevyihin voidaan jäljestää lämmityselimet reaktiolämpötilan ylläpitämiseksi.
Hyllykkörakenteen sijasta reaktiokammio voi kostua pohjalevyn päälle sovitetuista, * · :. V 20 keskenään samanlaisista (jopa identtisistä) kappaleista, jolloin tällaisissa päällekkäin • · a a I 1 1 ladotuissa kappaleissa muodostuu syvennysten ja avanteiden välille kapeita rakoja, jotka ··· • · '··1! toimivat reaktiotilassa virtaavan kaasun kuristimena. Kappaleisiin on muodostettu [ (a 1 syvennykset, joissa on substraattien kannatinpintoja. Tällaisen kasettirakenteen osat • · · • · · *.. valmistetaan materiaalista, joka on inertti ALE-kasvatuksessa käytettävien ieaktanttien • · · • · · 25 suhteen. Edullisia materiaaleja ovat lasi ja sentapaiset silikaatti-pohjaiset aineet sekä ; · a erilaiset keraamiset materiaalit. Samat materiaalit sopivat myös hyllyköiden materiaaliksi, • · · « . · · ·. kuten myös erilaiset metalliseokset.
• · • · 1 · • φ • · · \ „ Tarvittaessa prosessointilaitteisto voidaan sisäpinnaltaan passivoida esim. AI2O3- • ^ Ϊ ·’ 30 kerroksella, joka voidaan muodostaa ALCVD:llä sopivista lähtöaineista, kuten • φ 1
I «I
;, t 1 alumiinikloridista j a vedestä.
• · • ·
»M
118342 11
Monisubstraattilaitesovelluksia varten on edullista rakentaa reaktanttikaasujen syöttö- ja poistoputket kiinteiksi reaktiokammion suhteen. Edelleen on edullista jäljestää hyllykkö tai kasettirakenne siten reaktiokammioon, että poistoputken pää myötäilee mahdollisimman tiiviisti hyllykön tai kasettirakenteen kaasun poistopäätä. Substraatit voidaan myös 5 järjestää reaktiotilaan oleellisesti pystysuoraan asentoon.
Keksinnön kolmannen edullisen sovellutusmuodon mukaan liikutettava osa on varustettu substraatinnostolaitteella, jonka nostoliikkeen avulla substraatti on helppo sijoittaa robottikädelle. Substraatinnostolaitteet käsittävät esim. substraatin tukipintaan tehtyihin 10 aukkoihin sovitetut tapit, jotka on sovitettu liikkumaan kohtisuoraan suhteessa tukipintaan. Tapit voivat olla jousikuormitteisia, jolloin ne automaattisesti nostavat ylös substraatin tukipinnalta, kun pakka avataan. Tappien nostopää on muotoiltu alaspäin kartiomaisesti suippeneviksi. Tukipinnan aukot on muotoiltu kartiopäätä myötäilevästi, jolloin kartiopää aikaansaa tapin tiivistymisen aukkoa vasten, kun substraatti on sijoitettu reaktiotilaan.
15 Kaikkinainen tiiviys on hyvin tärkeää, jottei reaktantteja pääsisi vapaasti virtaamaan reaktiokammioon. Reaktiokammiosta reaktantit saattaisivat tulla väärään aikaan takaisin reaktiotilaan sotkemaan seuraavien pulssien toimintaa. Lisäksi ne ovat usein korrodoivia ja niiden pääsy myös latauskammion puolelle on haitallista.
• · • · * • · * · • * *.. 20 Tii vistysongelmien ratkaisemiseksi toinen lähtöaineryhmä voidaan kytkeä reaktiotilaan i’**i yläpinnalta ja toinen alapinnalta.
• · • i» V * Huomautettakoon, että liikutettavaa osaa voidaan tietenkin liikutella myös tason suuntai- ··« • · * *·* * sesti eli sivuttaisliikkeellä. Liikutettavaa osaa (esim. kantta) siirretään tällöin robotin 25 puskuliikkeellä.
·*! · * · ·
t « I
* Φ
On edullista tiivistää myös kaasujen syöttö- ja poistoputket välitilaan nähden.
• · * · ♦ ·"/ Lataus- ja siirtokammio pidetään tyypillisesti n. 10"6 -10 mbar paineessa ja ALE-kasvatus 4 * *" * puolestaan tehdään tyypillisesti n. 0,1 -30 mbar paineessa. Siten lataus/purku-tilanteita ***» 30 varten on ALE-kone pumpattava tähän alhaisempaan paineeseen. Tämän nopeuttamiseksi reaktori on edullista varustaa erillisellä, tätä tarkoitusta varten varatulla pumpulla. Tällaisena pumppuna voi käyttää esim. turbo- tai kryopumppua.
118342 12
Koska kalvoa saattaa syntyä myös muualle kuin substraatille, niin reaktorikammion pitäminen tasalämpöisenä vähentää partikkelien muodostumista pinnoille kasvaneen kalvon hilseilyn seurauksena. Hilseilyn on todettu pitkälti johtuvan kalvon ja reaktorikammio-materiaalin erilaisista lämpölaajenemiskertoimista.
5
Keksinnön tarkemmat yksityiskohdat ja edut käyvät ilmi seuraavasta yksityiskohtaisesta selityksestä, joissa on viitattu oheisiin piirustuksiin:
Kuviossa 1 on esitetty yläkuvanto keksinnön mukaisesta laitteesta, jolloin vakuumiastia on 10 merkitty viitenumerolla 1. Reaktanttien syöttöputket on merkitty viitenumerolla 6.
Vakuumiastiaan on sijoitettu reaktiokammio 2, jonka kiinteäksi jäljestetty perusosa (ks. alla) on asennettu vakuumiastiaan kolmen tukijalan avulla. Kuviossa on katkoviivoin hahmoteltu substraatin ympyränmuotoinen ääriviiva. Kuvioon on myös merkitty katkoviivoin perusosan tuennan keskiakselit, jotka menevät substraatin keskipisteen kautta. 15 Kuten yllä mainittiin voidaan tällaisella ratkaisulla estää lämpöliikkeiden vaikutus substraatin asemointiin pakan sulkeutuessa; pakan liikuteltava osa kohtaa aina tarkkaan pakan kiinteän osan ja reaktiotilasta tulee tiivis.
; 1; 1: Kuvioissa 2 ja 3 on esitetty laitteen tarkempi rakenne. Niinpä vakuumiastiaan 1 sijoitettu · : 1 1.. 20 reaktiokammio 2 käsittää päällekkäin ladotuista levymäisistä kappaleista 3 koostuvan *** :...· reaktiothan. Levymäisiä kappaleita 3 ovat kansi 9, pohjalevy 10 ja lämmityslevy 24 (ks.
kuvio 3). Reaktiokammiossa substraatille kasvatetaan ohutkalvoja ALE-prosessilla. Viite- '. 1 1 numerolla 4 on merkitty reaktiokammion liitäntä pumpun imuaukkoon menevälle putkelle, ··· • · · *·1 1 joka on erotettu reaktiokammion ulkopuolisesta tilasta tiivisteellä 5. Viitenumerolla 6 on ... 25 puolestaan merkitty hyöryfaasissa olevien reaktanttien syöttöputki, joka on vuorostaan * · · • ♦ · !.. yhdistetty reaktanttien syöttölevyyn 7.
* 1 1 * • 1 * 1 1
Kuviossa 3 esitetään, miten levyihin on muodostettu kiertävä imu-ura 8 mahdollisten • · • · I 1 vuotojen keräämiseksi. Imu-ura on yhteydessä pumpun imuaukkoon menevälle putkelle 4.
··1 • · *···1 30 Imu-urilla voidaan välttää reaktorin ulkopuolelta tulevien epäpuhtauksien pääsy reaktio-tilaan ja vastaavasti reaktanttien vuoto reaktiothan ulkopuolelle. Se muodostaa siten eräänlaisen kaasutiivisteen reaktorille.
118342 13
Kuten yllä todettiin, levyjen keskinäinen tiivistäminen voidaan eräissä tapauksissa tehdä polymeeritiivistein. On myös mahdollista saada aikaan riittävä tiiviys käyttämällä tasaisia tasopintoja, jotka muodostavat tiivistyspinnat levyjen välille.
5 Reaktiothan ylempi puolisko muodostaa reaktiokammion kansilevyn 9 ja alimman reaktio-tilan alempi puolisko vastaavasti pohjalevyn 10. Pohjalevy on asennettu tukijaloille 11. Kansi- ja pohjalevyn väliin on sijoitettu jakolevy 12, jolla on erotettu reaktanttivirtaukset toisistaan. Pohjalevyn alapintaan on kiinnitetty syöttölevy 7, jossa kaasuvirtaukset jaetaan tasaiseksi rintamaksi reaktiothan leveyssuunnassa. Syöttö- ja poistoputkistot 6,4 ja 10 reaktiokammio 2 ovat poikkileikkaukseltaan pituussuunnassaan kapeita ja pitkänomaisia "litistetyn" kaasuvirtauksen mahdollistamiseksi ja reaktiothan koon minimoimiseksi.
Kuvion 3 mukaisessa sovellutusmuodossa eri reaktanttiryhmään kuuluvat reaktanttihöyry-faasipulssit syötetään vuorottain syöttöputkeen 6. Ennen syöttöä ne ovat sopivimmin 15 homogenoitu suojakaasuvirtauksen avulla syöttöputkessa 6 tai ennen sitä. Syöttöputkessa kukin levymäiseksi litistynyt reaktanttihöyryfaasipulssi etenee reuna edellä kulkevana virtauksena. Virtauksen leveys on substraattialustan levyinen, eli esimerkiksi 5-50 cm.
: V: Syöttökanavistossa etenevä virtaus jaetaan tasaisesti mitoittamalla reaktiotila kuristimineen : *.· 20 siten, että syöttökanavan 13 konduktanssi on paljon suurempi kuin konduktanssi kapil- • · * laarien 14 läpi. Reaktiokammion 2 sisällä virtaus tasoittuu kammion poistopäähän muodos- ': ‘" tetun kapean imuraon 15 vaikutuksesta, joka toimii kuristimena. Käytännön kokeissa • · · » · · ’·* (vajaa-annostuskokeet) kaasurintaman on todettu olevan hyvin suora. Kaasurintaman • · · * * * * leveyssuunnassa poiston tasaisuuden varmistaminen on ensiarvoisen tärkeää, koska kaasu- ... 25 molekyylit suuntaavat kulkunsa alimman paineen (tehokkain imu) suuntaan ja siten tasai- » * · t · * nen rintama vääristyy, mikäli siihen kohdistuu epätasainen imuvoima. Tasainen imu-voima • < · puolestaan korjaa mahdollisesti muista syistä vääristynyttä rintamaa.
• · · • · * ··· · • · · • · • *
Kuvion 3 mukaisessa ratkaisussa on kaasun virtaukselle jäljestetty kuristuskohdat sekä n* • · *···’ 30 ennen substraatteja 16 että niiden jälkeen 15. Tällä järjestelyllä voidaan taata varsin homogeeninen virtaus substraattien yli.
118342 14
Reaktiokarmnion tuennan keskiakseli kulkee substraatin 17 keskiakselin kautta. Tukijaloissa 11 on säätöruuvit 29, joiden avulla voidaan säätää ja lukita reaktorikammion asema suhteessa vakuumiastiaan. Tällä konstruktiolla on pyritty pitämään substraatin keskiö paikallaan ja suuntaamaan lämpöliikkeet keskiöstä poispäin. Substraatin aseman on oltava 5 tarkasti kohdallaan, jotta robotti pystyy sitä käsittelemään ja jolloin se osuu upotukseen tarkasti.
Kuviossa 3 on esitetty laiteratkaisu, jossa reaktiokammioon 2 tiivistyy liikuteltava pohja 18 ja sen mukana lämmityslevy 19. Liikuteltava reaktiokammion pohja toimii tässä sovelluk-10 sessa substraatin pitimenä. Liikuteltavassa osassa on kartiopinta, joka tiivistää sen suh teessa reaktiokammioon. Kartiopintaan on lisätty ura tai uria, joita voidaan käyttää typpi-huuhtelu-urina, tiivisteurina tai imu-urina. Pohjan 18 reunassa voi olla kartiotapit 30, jotka ohjaavat substraatin pohjalevylle 18.
15 Substraatin nostimet 20 on tiivistetty liikuteltavaan pohjaan kartiomuodolla, jolloin reaktiotila on saatu eristetyksi reaktiokammion ulkopuolisesta tilasta. Prosessin aikana kartiotapit on vedetty vastinpintaan jousien 21 avulla. Kartiotapit 30 on kiinnitetty tuki-levyyn 22, jota voidaan siirtää akselin 23 avulla mekaanisesti tai toimilaitteen avulla.
• * • · · ♦ · · m 9 ··. 20 Lämmityslevyyn 19 ja 24 sisään voidaan sijoittaa erilaisia lämmityselementtejä 25.
# .***: Lämmityslevyt 19 ja 24 on puristettu reaktiokammion levyjä vasten, jolla on saatu aikaan ··· •: · *: tehokas lämmitys. Reaktiokammion lämmitystä on tehostettu käyttämällä lämmönheijas- : tuspeltejä 26,27,28 reaktiopakan ympärillä.
• · · • · * • ♦ · • f· • · · * · · *·· • · · * · · * m • · • · • * · ··· · ·· • · • *· ·»· : : ····< * ·

Claims (24)

118342
1. Laite ohutkalvojen kasvattamiseksi substraatin päälle saattamalla substraatti alttiiksi höyryfaasissa olevien reaktanttien vuorottaisille pintareaktioille ohutkalvon muodostami- 5 seksi substraatin päälle pintareaktioiden avulla, joka laite käsittää - painekuoren (1), - painekuoren sisälle sovitetun ainakin yhden reaktiokammion (2), jonka reaktiollaan substraatti on sijoitettavissa, - reaktiokammioon yhdistetyt syöttökanavat (6) ohutkalvon kasvattamiseen 10 käytettävien reaktanttien syöttämiseksi, sekä - reaktiokammioon yhdistetyt poistokanavat (4) kaasumaisten reaktiotuotteiden ja reaktanttien ylimäärän poistamiseksi, tunnettu siitä, että - reaktiokammio (2) käsittää perusosan (9,10), joka on kiinteästi asennettu 15 painekuoren (1) suhteen, sekä liikuteltavan osan (18), joka on sovitettu tiiviisti su sulkeutumaan reaktiokammion perusosaa vasten.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että liikuteltava osa (18) on • · siirrettävissä oleellisesti substraatin tason suunnassa tai kohtisuoraan substraatin tasoa • · * • · · ··. 20 vasten. • *· ·· • · • t ·«*
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen laite, tunnettu siitä, että liikuteltava osa (18) on siirrettävissä sekä substraatin tason suunnassa että kohtisuoraan sitä vasten. ··♦ • · · • « ·
4. Patenttivaatimuksen 2 tai 3 mukainen laite, tunnettu siitä, että perusosassa (9,10) · : * * · on sisäreunus ja liikuteltavassa osassa (18) on ulkoreunus, joka on muotoiltu sisäreunusta ··· •.,, · myötäileväksi liikuteltavan osan tiivistämiseksi perusosaa vasten.
·· • » • ·* :**]: 5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktio- ;·, 30 kammion liikuteltava osa (18) muodostaa substraatin tukipinnan, jolle substraatti voidaan ·:··· asemoida. 118342
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1-4 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktiokam-mion (2) perusosa muodostaa substraatin tukipinnan, jolle substraatti voidaan asemoida.
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktio-5 kammio (2) on sijoitettu vakuumiastian sisään siten, että sen perusosa on tuettu astian seinämiin tai perusosa muodostaa astian seinämän osan.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktiokammio (2) on tuettu astian seinämiin siten, että tuennan keskiakseli menee substraatin keskipisteen kautta 10 lämpöliikkeiden substraatin asemointiin kohdistuvan vaikutuksen estämiseksi reaktiokammion sulkeutuessa.
9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että ainakin toinen reaktiokammion perusosasta ja liikkuvasta osasta (18) on varustettu lämmitys- 15 elementillä (19).
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen laite, tunnettu siitä, että sekä reaktiokammion perusosa että sen liikkuva osa on varustettu lämmityselementillä. 0. m · · • · 1 • 1
11. Patenttivaatimuksen 9 tai 10 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktiokammion :'ι(! perusosa (9,10) ja sen liikkuva osa (18) on termisesti eristetty vakuumiastiasta passivi- *: : eristeillä, säteilysuojilla ja/tai aktiivisilla lämmönerotuselementeillä. • · · » · · • · · ·«· • · « * ·1 1
12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että liikutel- 25 tava osa (18) on varustettu substraatinnostolaitteella (20), jonka nostoliikkeen avulla • · · • · 1 substraatti on nostettavissa tuennastaan ja sijoitettavissa kuljetuslaitteelle.
• « · ♦ · · · « ♦ · :·: · 13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen laite, tunnettu siitä, että kuljetuslaite on robotti- • · ’1·.1’ käsi. • M !...; 30
* 14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen laite, tunnettu siitä, että substraatinnostolaite käsittää substraatin tukipintaan järjestetyt tapit (20), jotka on sovitettu liikkumaan 118342 kohtisuoraan tukipintaa vasten tukipinnan päälle järjestetyn substraatin nostamiseksi pinnasta.
15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen laite, tunnettu siitä, että tapit (20) ovat 5. ousikuormitetut (21) j a ne on sovitettu liikkumaan tukipintaan muodostetuissa aukoissa.
16. Patenttivaatimuksen 14 tai 15 mukainen laite, tunnettu siitä, että tappien päät (20) ovat tukipintaa vasten kartiomaisesti suippenevat ja tukipinnan aukot ovat tappien päiden syvyydelle kartiomaisesti muotoillut, jolloin tapit painautuvat tiivistyvästi tukipinnan aukio koja vasten.
17. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että liikuteltava osa on tiivistetty perusosaa vasten metalli- ja/tai elastomeeritiivistein.
18. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että liikutel tava osa on tiivistetty perusosaa vasten imu-uralla, jossa valinnanvaraisesti voidaan virtauttaa suojakaasua. .1·1.
19. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että liikuteltava • · •' 1.. 20 osa on tiivistetty perusosaa vasten tasopinnoilla. «2 3 * · • · ·«·
20. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktori- • · · V : rakenne on kylmäseinämäinen, ··· • · · • « ·
21. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktant- « · · • · · .. tien syöttökanavat ja kaasumaisten reaktiotuotteiden ja reaktanttien ylimäärän poistokana- • · · ( \ vat on viety painekuoren saman seinämän, edullisesti pohjan, kautta. • • · · • 9· · ·· • · • · 2
"·’ 22. Jonkin patenttivaatimuksen 1-20 mukainen laite, tunnettu siitä, että reaktanttien 3 · ’ · 1 11 30 syöttökanavat on viety painekuoren läpi sekä ylhäältä että alhaalta (suhteessa reaktio-• · tilaan). 118342
23. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen laite, tunnettu reaktiokammioon sovitettavasta tukirakenteesta, jonka varaan on asetettavissa ainakin kaksi substraattia
24. Patenttivaatimuksen 23 mukainen laite, tunnettu siitä, että tukirakenne käsittää hyllykön, jossa on hyllylevyt tai kannattimet substraattien kannattamiseksi tai keskenään samanlaisista, päällekkäin ladottavista kappaleista koostuvan kasettirakenteen, joissa kappeleiden sisään on muotoiltu substraattien kannattimet tai kannatinpinnat. • · • 1 φ • 1 · m · « · • « • · · ·»· ♦ · • · ·«· • · *·· * · · * · · ··· • · · • · « «M f · I » # · • M * 1 · * · I k 1 • · · • · 1 • · 1 · • k · • · • • e » · • · • · · • · 118342
FI991078A 1999-05-10 1999-05-10 Laite ohutkalvojen valmistamiseksi FI118342B (fi)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI991078A FI118342B (fi) 1999-05-10 1999-05-10 Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
TW089107029A TW527433B (en) 1999-05-10 2000-04-14 Apparatus for fabrication of thin films
EP00660085A EP1052309B1 (en) 1999-05-10 2000-05-10 Apparatus for fabrication of thin films
KR10-2000-0024933A KR100415475B1 (ko) 1999-05-10 2000-05-10 기판 상에 박막을 성장시키는 장치
JP2000137175A JP3649323B2 (ja) 1999-05-10 2000-05-10 薄膜製造装置
US09/568,077 US6562140B1 (en) 1999-05-10 2000-05-10 Apparatus for fabrication of thin films
US09/769,562 US6579374B2 (en) 1999-05-10 2001-01-25 Apparatus for fabrication of thin films
US10/383,291 US7833352B2 (en) 1999-05-10 2003-03-06 Apparatus for fabrication of thin films

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI991078A FI118342B (fi) 1999-05-10 1999-05-10 Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
FI991078 1999-05-10

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI991078A0 FI991078A0 (fi) 1999-05-10
FI991078A7 FI991078A7 (fi) 2000-11-11
FI118342B true FI118342B (fi) 2007-10-15

Family

ID=8554642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI991078A FI118342B (fi) 1999-05-10 1999-05-10 Laite ohutkalvojen valmistamiseksi

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6562140B1 (fi)
EP (1) EP1052309B1 (fi)
JP (1) JP3649323B2 (fi)
KR (1) KR100415475B1 (fi)
FI (1) FI118342B (fi)
TW (1) TW527433B (fi)

Families Citing this family (193)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6936538B2 (en) 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US20020036780A1 (en) * 2000-09-27 2002-03-28 Hiroaki Nakamura Image processing apparatus
DE10048881A1 (de) * 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
AU2002232844A1 (en) 2000-12-06 2002-06-18 Angstron Systems, Inc. System and method for modulated ion-induced atomic layer deposition (mii-ald)
US6800173B2 (en) 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US6630201B2 (en) 2001-04-05 2003-10-07 Angstron Systems, Inc. Adsorption process for atomic layer deposition
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US20020144786A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
KR100422199B1 (ko) * 2001-05-04 2004-03-12 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치
US6596643B2 (en) * 2001-05-07 2003-07-22 Applied Materials, Inc. CVD TiSiN barrier for copper integration
JP2002339071A (ja) * 2001-05-18 2002-11-27 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Ａｌｃｖｄシステムにおける処理ガス供給機構
US7037574B2 (en) 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
US6849545B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Applied Materials, Inc. System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US20030198754A1 (en) * 2001-07-16 2003-10-23 Ming Xi Aluminum oxide chamber and process
JP2005518088A (ja) * 2001-07-16 2005-06-16 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド タングステン複合膜の形成
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
WO2003030224A2 (en) 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7049226B2 (en) 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
TW589684B (en) * 2001-10-10 2004-06-01 Applied Materials Inc Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
KR100956189B1 (ko) 2001-10-26 2010-05-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원자층 증착용 가스 전달 장치
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
JP4615859B2 (ja) * 2001-10-26 2011-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 原子層堆積のためのガス配送装置
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7780789B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Vortex chamber lids for atomic layer deposition
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6809026B2 (en) 2001-12-21 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Selective deposition of a barrier layer on a metal film
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
AU2003238853A1 (en) 2002-01-25 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US6869838B2 (en) * 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US20030194825A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Kam Law Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US20030235961A1 (en) * 2002-04-17 2003-12-25 Applied Materials, Inc. Cyclical sequential deposition of multicomponent films
US6861094B2 (en) * 2002-04-25 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming thin layers of materials on micro-device workpieces
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7041335B2 (en) * 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7066194B2 (en) * 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
JP2004095770A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置
DE10245553A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Infineon Technologies Ag Verfahren und Ofen zur Gasphasenabscheidung von Komponenten auf Halbleitersubstrate mit veränderbarer Hauptstromrichtung des Prozessgases
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
EP1420080A3 (en) 2002-11-14 2005-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
US7244683B2 (en) 2003-01-07 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials
US6994319B2 (en) 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7914847B2 (en) 2003-05-09 2011-03-29 Asm America, Inc. Reactor surface passivation through chemical deactivation
JP4959333B2 (ja) * 2003-05-09 2012-06-20 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 化学的不活性化を通じたリアクタ表面のパシベーション
US7211508B2 (en) 2003-06-18 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials
US7344755B2 (en) 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7235138B2 (en) 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7422635B2 (en) 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US20050067103A1 (en) 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US7323231B2 (en) 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US7071118B2 (en) * 2003-11-12 2006-07-04 Veeco Instruments, Inc. Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
JP2005310757A (ja) * 2004-03-23 2005-11-04 Sii Nanotechnology Inc 微細３次元構造物作製装置及び方法
US7584942B2 (en) 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
CN101684550B (zh) * 2004-06-28 2012-04-11 剑桥纳米科技公司 设计为用于气相沉积系统中的阱
KR100636036B1 (ko) * 2004-11-19 2006-10-18 삼성전자주식회사 티타늄 질화막 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR100636037B1 (ko) * 2004-11-19 2006-10-18 삼성전자주식회사 티타늄 질화막 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
US7429402B2 (en) 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
WO2006078585A2 (en) * 2005-01-18 2006-07-27 Asm America, Inc. Wafer support pin assembly
EP1851360A2 (en) * 2005-02-22 2007-11-07 Nanoscale Components, Inc. Pressurized reactor for thin film deposition
US8211235B2 (en) * 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US8486845B2 (en) * 2005-03-21 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US20060216548A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Ming Mao Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition
US20060272577A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Ming Mao Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
KR100711885B1 (ko) * 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
KR100645689B1 (ko) * 2005-08-31 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 선형 증착원
KR100711886B1 (ko) * 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
CN1937175B (zh) * 2005-09-20 2012-10-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于半导体器件的使用大气压的材料原子层沉积的方法
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
WO2007142690A2 (en) 2005-11-04 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
FI121750B (fi) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktori
FI121543B (fi) * 2005-11-17 2010-12-31 Beneq Oy Järjestely ALD-reaktorin yhteydessä
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7976898B2 (en) * 2006-09-20 2011-07-12 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US7521379B2 (en) 2006-10-09 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
US20080176149A1 (en) * 2006-10-30 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US20080099436A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Michael Grimbergen Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
KR101355638B1 (ko) * 2006-11-09 2014-01-29 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
US8821637B2 (en) 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
US20080213479A1 (en) 2007-02-16 2008-09-04 Tokyo Electron Limited SiCN film formation method and apparatus
US20080241384A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
US7939932B2 (en) * 2007-06-20 2011-05-10 Analog Devices, Inc. Packaged chip devices with atomic layer deposition protective films
US7939447B2 (en) * 2007-10-26 2011-05-10 Asm America, Inc. Inhibitors for selective deposition of silicon containing films
US8282735B2 (en) 2007-11-27 2012-10-09 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US7655543B2 (en) * 2007-12-21 2010-02-02 Asm America, Inc. Separate injection of reactive species in selective formation of films
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
JP5233562B2 (ja) * 2008-10-04 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US7972961B2 (en) * 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
DE102008052098B4 (de) * 2008-10-14 2013-04-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung photokatalytisch aktiver Titandioxidschichten
US20100101491A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Asm Japan K.K. Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US9175388B2 (en) * 2008-11-01 2015-11-03 Ultratech, Inc. Reaction chamber with removable liner
US9328417B2 (en) * 2008-11-01 2016-05-03 Ultratech, Inc. System and method for thin film deposition
US8216380B2 (en) * 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
JP5088331B2 (ja) * 2009-01-26 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置
US8287648B2 (en) * 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
FI123539B (fi) * 2009-02-09 2013-06-28 Beneq Oy ALD-reaktori, menetelmä ALD-reaktorin lataamiseksi ja tuotantolinja
US8486191B2 (en) * 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US8592058B2 (en) * 2009-06-03 2013-11-26 Intermolecular, Inc. Methods of forming strontium titanate films
KR101536257B1 (ko) * 2009-07-22 2015-07-13 한국에이에스엠지니텍 주식회사 수평 흐름 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
US8293658B2 (en) 2010-02-17 2012-10-23 Asm America, Inc. Reactive site deactivation against vapor deposition
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
US8524322B2 (en) 2010-12-28 2013-09-03 Asm International N.V. Combination CVD/ALD method and source
US9790594B2 (en) 2010-12-28 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Combination CVD/ALD method, source and pulse profile modification
US8746284B2 (en) * 2011-05-11 2014-06-10 Intermolecular, Inc. Apparatus and method for multiple symmetrical divisional gas distribution
US9223203B2 (en) 2011-07-08 2015-12-29 Asm International N.V. Microcontact printed films as an activation layer for selective atomic layer deposition
US9062375B2 (en) * 2011-08-17 2015-06-23 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
JP5772736B2 (ja) * 2012-06-18 2015-09-02 株式会社デンソー 原子層蒸着装置
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
US10195704B2 (en) * 2013-03-15 2019-02-05 Infineon Technologies Ag Lift pin for substrate processing
FI126863B2 (fi) 2016-06-23 2025-08-19 Beneq Oy Laitteisto hiukkasmateriaalin käsittelemiseksi
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
US12080571B2 (en) 2020-07-08 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Substrate processing module and method of moving a workpiece
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US12195314B2 (en) 2021-02-02 2025-01-14 Applied Materials, Inc. Cathode exchange mechanism to improve preventative maintenance time for cluster system
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE393967B (sv) 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
GB1603743A (en) * 1978-02-07 1981-11-25 Modern Precision Engs Ass Ltd Sealing device
FI57975C (fi) 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
US4389973A (en) 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
US5769950A (en) 1985-07-23 1998-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming deposited film
JPS6273718A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Hitachi Ltd 真空処理装置
US4761269A (en) 1986-06-12 1988-08-02 Crystal Specialties, Inc. Apparatus for depositing material on a substrate
US4747367A (en) 1986-06-12 1988-05-31 Crystal Specialties, Inc. Method and apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
GB8713241D0 (en) * 1987-06-05 1987-07-08 Vg Instr Group Bakeable vacuum systems
US4836138A (en) 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
DE3743938C2 (de) 1987-12-23 1995-08-31 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen einer III/V-Verbindungshalbleiter-Dünnschicht
JP2776826B2 (ja) * 1988-04-15 1998-07-16 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
JP2681163B2 (ja) * 1988-07-07 1997-11-26 コニカ株式会社 ハロゲン化銀カラー写真感光材料
NL8900544A (nl) 1989-03-06 1990-10-01 Asm Europ Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.
JP2743471B2 (ja) * 1989-05-19 1998-04-22 日本電気株式会社 ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体の気相成長装置
JP3466607B2 (ja) * 1989-09-13 2003-11-17 ソニー株式会社 スパッタリング装置
US5071670A (en) 1990-06-11 1991-12-10 Kelly Michael A Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US5306666A (en) 1992-07-24 1994-04-26 Nippon Steel Corporation Process for forming a thin metal film by chemical vapor deposition
JP3183575B2 (ja) * 1992-09-03 2001-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
KR940010154A (ko) * 1992-10-28 1994-05-24 이헌조 컬러브라운관 제조 노광방법
US5271963A (en) * 1992-11-16 1993-12-21 Materials Research Corporation Elimination of low temperature ammonia salt in TiCl4 NH3 CVD reaction
US5616208A (en) * 1993-09-17 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus
US5803994A (en) * 1993-11-15 1998-09-08 Kaiser Aluminum & Chemical Corporation Aluminum-copper alloy
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
FI97730C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI100409B (fi) 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI97731C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JPH0945597A (ja) 1995-05-25 1997-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法
TW286414B (en) * 1995-07-10 1996-09-21 Watkins Johnson Co Electrostatic chuck assembly
KR970030487A (ko) * 1995-11-29 1997-06-26 김광호 저압화학기상중착 장비를 사용하는 반도체소자의 박막형성 방법
US5885353A (en) * 1996-06-21 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Thermal conditioning apparatus
US5824365A (en) * 1996-06-24 1998-10-20 Micron Technology, Inc. Method of inhibiting deposition of material on an internal wall of a chemical vapor deposition reactor
US6350319B1 (en) * 1998-03-13 2002-02-26 Semitool, Inc. Micro-environment reactor for processing a workpiece
US5891251A (en) * 1996-08-07 1999-04-06 Macleish; Joseph H. CVD reactor having heated process chamber within isolation chamber
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
JP3901252B2 (ja) * 1996-08-13 2007-04-04 キヤノンアネルバ株式会社 化学蒸着装置
US5916365A (en) 1996-08-16 1999-06-29 Sherman; Arthur Sequential chemical vapor deposition
US5811762A (en) * 1996-09-25 1998-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heater assembly with dual temperature control for use in PVD/CVD system
US6120609A (en) * 1996-10-25 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Self-aligning lift mechanism
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
US6174377B1 (en) 1997-03-03 2001-01-16 Genus, Inc. Processing chamber for atomic layer deposition processes
US6125859A (en) * 1997-03-05 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Method for improved cleaning of substrate processing systems
US6054688A (en) * 1997-06-25 2000-04-25 Brooks Automation, Inc. Hybrid heater with ceramic foil serrated plate and gas assist
US6451686B1 (en) * 1997-09-04 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Control of semiconductor device isolation properties through incorporation of fluorine in peteos films
TW452828B (en) * 1998-03-13 2001-09-01 Semitool Inc Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
JP2002536549A (ja) 1999-02-12 2002-10-29 ゲレスト インコーポレイテッド 窒化タングステンの化学蒸着
KR100283281B1 (ko) * 1999-02-25 2001-02-15 정수홍 원자층 박막 증착장치
KR100347379B1 (ko) 1999-05-01 2002-08-07 주식회사 피케이엘 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치
KR100319494B1 (ko) 1999-07-15 2002-01-09 김용일 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW527433B (en) 2003-04-11
FI991078A7 (fi) 2000-11-11
US20010009140A1 (en) 2001-07-26
EP1052309A3 (en) 2003-10-29
US6579374B2 (en) 2003-06-17
US20030150385A1 (en) 2003-08-14
US6562140B1 (en) 2003-05-13
EP1052309B1 (en) 2011-09-28
JP2001020075A (ja) 2001-01-23
US7833352B2 (en) 2010-11-16
EP1052309A2 (en) 2000-11-15
FI991078A0 (fi) 1999-05-10
KR20010020831A (ko) 2001-03-15
JP3649323B2 (ja) 2005-05-18
KR100415475B1 (ko) 2004-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI118342B (fi) Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
FI118474B (fi) Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US7498059B2 (en) Method for growing thin films
RU2502834C2 (ru) Способ и устройство для реакторов осаждения
FI118343B (fi) Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US7060132B2 (en) Method and apparatus of growing a thin film
KR102197576B1 (ko) 재순환을 이용하는 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 사용 방법들
US7020981B2 (en) Reaction system for growing a thin film
US20100266765A1 (en) Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate
US20050000428A1 (en) Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
US20020108570A1 (en) Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
WO1996017969A2 (en) Method and equipment for growing thin films
WO2014127363A1 (en) Apparatus and process containment for spatially separated atomic layer deposition
TWI557261B (zh) 先質輸送系統
TW202109798A (zh) 用於供應氣體的裝置及使用其處理基板的裝置
FI131961B1 (fi) Ohutkalvopinnoituslaitteistoklusteri
FI131962B1 (fi) Ohutkalvopinnoituslaitteisto
FI131963B1 (fi) Ohutkalvopinnoituslaitteiston reaktiokammio
FI131044B1 (fi) Ohutkalvopinnoituslaitteisto eräajoon
FI131533B1 (fi) Ohutkalvopinnoitusmenetelmä eräajoon
KR102934716B1 (ko) 기상 화학 반응기 및 이를 사용하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 118342

Country of ref document: FI

MA Patent expired