JPH0945597A - 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法 - Google Patents
半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法Info
- Publication number
- JPH0945597A JPH0945597A JP8118271A JP11827196A JPH0945597A JP H0945597 A JPH0945597 A JP H0945597A JP 8118271 A JP8118271 A JP 8118271A JP 11827196 A JP11827196 A JP 11827196A JP H0945597 A JPH0945597 A JP H0945597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- lock chamber
- gas
- oxygen
- oxygen concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 104
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ロードロック室内のガス混合濃度を所望の値に
維持することを目的とする。 【解決手段】シリコンウェーハを熱処理する空間を画成
する反応管と、該反応管の周囲に配置された加熱手段
と、前記反応管にゲートバルブを介し連接するロードロ
ック室５と、該ロードロック室に連通された不活性ガス
及び酸素を含む気体を供給する供給管１９と、酸素濃度
計２５と不活性ガス流量調節器１３と、酸素ガス流量調
整器２２とを有し、酸素濃度計の検出結果を基に流量計
により不活性ガス及び酸素を含む気体の流量を制御し、
ロードロック室内の酸素濃度を所望の値に維持する。
維持することを目的とする。 【解決手段】シリコンウェーハを熱処理する空間を画成
する反応管と、該反応管の周囲に配置された加熱手段
と、前記反応管にゲートバルブを介し連接するロードロ
ック室５と、該ロードロック室に連通された不活性ガス
及び酸素を含む気体を供給する供給管１９と、酸素濃度
計２５と不活性ガス流量調節器１３と、酸素ガス流量調
整器２２とを有し、酸素濃度計の検出結果を基に流量計
により不活性ガス及び酸素を含む気体の流量を制御し、
ロードロック室内の酸素濃度を所望の値に維持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はロードロック室を有
する半導体製造装置、特にロードロック室内の酸素濃度
を制御可能な半導体製造装置、ロードロック室内の酸素
濃度の制御方法及びロードロック室内の酸素濃度を制御
することで、ロードロック室中でのウェーハの自然酸化
膜の生成を制御する自然酸化膜の生成方法に関するもの
である。
する半導体製造装置、特にロードロック室内の酸素濃度
を制御可能な半導体製造装置、ロードロック室内の酸素
濃度の制御方法及びロードロック室内の酸素濃度を制御
することで、ロードロック室中でのウェーハの自然酸化
膜の生成を制御する自然酸化膜の生成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハに薄膜の生成、不純物
の拡散エッチング等の処理をして半導体素子を製造する
工程では、無用の自然酸化が製品品質、歩留まりに大き
く影響する。この為、半導体製造装置には反応炉に密閉
構造のロードロック室を連設して、処理後の高温の被処
理基板をロードロック室に収納し自然酸化を防止してい
るものがある。
の拡散エッチング等の処理をして半導体素子を製造する
工程では、無用の自然酸化が製品品質、歩留まりに大き
く影響する。この為、半導体製造装置には反応炉に密閉
構造のロードロック室を連設して、処理後の高温の被処
理基板をロードロック室に収納し自然酸化を防止してい
るものがある。
【０００３】図５に於いてロードロック室を具備する半
導体製造装置について説明する。
導体製造装置について説明する。
【０００４】被処理基板はカセットに装填された状態で
半導体製造装置に対して搬送が行われる。半導体製造装
置内には前面側にカセットストッカ２、後部上方に反応
管３、該反応管３の周囲にヒータ４が設けられ、前記反
応管３の下側に気密な容器であるロードロック室５が設
けられ、該ロードロック室５と前記反応管３とはゲート
バルブ６を介して接続されている。前記ロードロック室
５の内部、前記反応管３の下方にボートエレベータ（図
示せず）が設けられている。該ボートエレベータはウェ
ーハ１０が装填されたボート７を前記反応管３内に装
入、引出しする。又、前記ロードロック室５の前記カセ
ットストッカ２側にはゲートバルブ８が設けられ、前記
カセットストッカ２と前記ロードロック室５との間には
ウェーハ移載機９が設けれている。
半導体製造装置に対して搬送が行われる。半導体製造装
置内には前面側にカセットストッカ２、後部上方に反応
管３、該反応管３の周囲にヒータ４が設けられ、前記反
応管３の下側に気密な容器であるロードロック室５が設
けられ、該ロードロック室５と前記反応管３とはゲート
バルブ６を介して接続されている。前記ロードロック室
５の内部、前記反応管３の下方にボートエレベータ（図
示せず）が設けられている。該ボートエレベータはウェ
ーハ１０が装填されたボート７を前記反応管３内に装
入、引出しする。又、前記ロードロック室５の前記カセ
ットストッカ２側にはゲートバルブ８が設けられ、前記
カセットストッカ２と前記ロードロック室５との間には
ウェーハ移載機９が設けれている。
【０００５】ウェーハ１０が装填されたウェーハカセッ
ト１は前記カセットストッカ２に搬入され、カセットス
トッカ２のウェーハ１０は前記ウェーハ移載機９により
前記ゲートバルブ８を通して前記ボート７に移載され
る。前記ロードロック室５内が真空引きされた後、ガス
供給ノズル１１によりロードロック室５内に不活性ガス
雰囲気が充填され不活性ガス雰囲気とされ、前記ゲート
バルブ６が開かれ、前記ボート７が反応管３に装入され
る。ウェーハ１０の処理が完了すると、ボート７はロー
ドロック室５内に引出され、所要の温度迄冷却された
後、前記ゲートバルブ８が開かれ、前記ウェーハ移載機
９によりボート７からカセットストッカ２のウェーハカ
セット１へウェーハ１０の移載が行われる。
ト１は前記カセットストッカ２に搬入され、カセットス
トッカ２のウェーハ１０は前記ウェーハ移載機９により
前記ゲートバルブ８を通して前記ボート７に移載され
る。前記ロードロック室５内が真空引きされた後、ガス
供給ノズル１１によりロードロック室５内に不活性ガス
雰囲気が充填され不活性ガス雰囲気とされ、前記ゲート
バルブ６が開かれ、前記ボート７が反応管３に装入され
る。ウェーハ１０の処理が完了すると、ボート７はロー
ドロック室５内に引出され、所要の温度迄冷却された
後、前記ゲートバルブ８が開かれ、前記ウェーハ移載機
９によりボート７からカセットストッカ２のウェーハカ
セット１へウェーハ１０の移載が行われる。
【０００６】前記ロードロック室５内で処理後高温のウ
ェーハ１０を冷却する場合、雰囲気中に酸素が存在する
とウェーハ表面が自然酸化して自然酸化膜が生成し、各
種デバイス特性に影響を及ぼすという問題がある。又、
前記ボート７に装填された処理前のウェーハ１０を高温
雰囲気（約６５０〜７５０℃）の反応管３内に装入する
際、前記ロードロック室５内の雰囲気中の酸素が高温下
でウェーハ１０の表面と反応し、ウェーハ表面に自然酸
化膜（ｎ−ＳｉＯ2 膜) が生成され、このｎ−ＳｉＯ2
膜が予想以上の厚さになり、結果的にｎ−ＳｉＯ2 膜が
デバイス特性に影響を及ぼす問題がある。この為、上記
した様にロードロック室５の内部を不活性ガスにより置
換し、自然酸化膜の生成を抑制している。
ェーハ１０を冷却する場合、雰囲気中に酸素が存在する
とウェーハ表面が自然酸化して自然酸化膜が生成し、各
種デバイス特性に影響を及ぼすという問題がある。又、
前記ボート７に装填された処理前のウェーハ１０を高温
雰囲気（約６５０〜７５０℃）の反応管３内に装入する
際、前記ロードロック室５内の雰囲気中の酸素が高温下
でウェーハ１０の表面と反応し、ウェーハ表面に自然酸
化膜（ｎ−ＳｉＯ2 膜) が生成され、このｎ−ＳｉＯ2
膜が予想以上の厚さになり、結果的にｎ−ＳｉＯ2 膜が
デバイス特性に影響を及ぼす問題がある。この為、上記
した様にロードロック室５の内部を不活性ガスにより置
換し、自然酸化膜の生成を抑制している。
【０００７】図４に於いて従来のロードロック室内部の
ガス雰囲気制御装置を説明する。
ガス雰囲気制御装置を説明する。
【０００８】前記ロードロック室５に挿通された前記ガ
ス供給ノズル１１は上下方向に所要の間隔でガス供給孔
（図示せず）が穿設され、上下方向に分散して不活性ガ
スを供給する様になっており、ガス供給ノズル１１は不
活性ガス供給源（図示せず）に接続され、ガス供給ノズ
ル１１の供給ライン途中にはエアバルブ１２、流量調節
器１３が設けられている。又、ロードロック室５には不
活性ガス排気管１４がロードロック室内の雰囲気をバラ
ンス良く排気できる様に複数箇所（例えば図４では２箇
所を示している）で連通されると共に排気管１６が連通
され、前記不活性ガス排気管１４にはエアバルブ１５が
設けられ、前記排気管１６にはエアバルブ１７、真空ポ
ンプ１８が設けられている。
ス供給ノズル１１は上下方向に所要の間隔でガス供給孔
（図示せず）が穿設され、上下方向に分散して不活性ガ
スを供給する様になっており、ガス供給ノズル１１は不
活性ガス供給源（図示せず）に接続され、ガス供給ノズ
ル１１の供給ライン途中にはエアバルブ１２、流量調節
器１３が設けられている。又、ロードロック室５には不
活性ガス排気管１４がロードロック室内の雰囲気をバラ
ンス良く排気できる様に複数箇所（例えば図４では２箇
所を示している）で連通されると共に排気管１６が連通
され、前記不活性ガス排気管１４にはエアバルブ１５が
設けられ、前記排気管１６にはエアバルブ１７、真空ポ
ンプ１８が設けられている。
【０００９】従来のガス雰囲気制御装置によりロードロ
ック室５内を不活性ガス雰囲気にする場合、前記エアバ
ルブ１２、エアバルブ１５を開き、流量調節器１３によ
り流入する流量を所定の値に維持しつつ不活性ガスをロ
ードロック室５内に供給し、ロードロック室５内の大気
を不活性ガス排気管１４より排気し、前記ロードロック
室５内を不活性ガスに置換する。或は、前記エアバルブ
１２、エアバルブ１５を閉じ、前記エアバルブ１７を開
いて前記真空ポンプ１８により前記ロードロック室５内
を一旦排気し、その後前記エアバルブ１７を閉じ前記エ
アバルブ１２を開いて不活性ガスを導入し、ロードロッ
ク室５内部を不活性ガスに置換し、大気圧状態で酸素濃
度１ppm 以下に迄ロードロック室５内を置換していた。
ック室５内を不活性ガス雰囲気にする場合、前記エアバ
ルブ１２、エアバルブ１５を開き、流量調節器１３によ
り流入する流量を所定の値に維持しつつ不活性ガスをロ
ードロック室５内に供給し、ロードロック室５内の大気
を不活性ガス排気管１４より排気し、前記ロードロック
室５内を不活性ガスに置換する。或は、前記エアバルブ
１２、エアバルブ１５を閉じ、前記エアバルブ１７を開
いて前記真空ポンプ１８により前記ロードロック室５内
を一旦排気し、その後前記エアバルブ１７を閉じ前記エ
アバルブ１２を開いて不活性ガスを導入し、ロードロッ
ク室５内部を不活性ガスに置換し、大気圧状態で酸素濃
度１ppm 以下に迄ロードロック室５内を置換していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記したいずれの場合
も完全な不活性ガス雰囲気と略同レベル迄の雰囲気に置
換することが可能であるが、酸素濃度の制御は不可能で
ある。ところが、デバイス（例えば、図２のＭＯＳ型ト
ランジスタのゲート酸化膜（ＳｉＯ2 ）生成時）によっ
ては処理前ウェーハ１０を高温雰囲気の反応管３内に装
入する際に、ウェーハ表面上に或る程度の適正な自然酸
化膜が形成されることが好ましく、これは本発明者の実
験等から得られたデータによれば、１〜２原子層程度
（約２オングストローム以下）のｎ−ＳｉＯ2 膜の生成
の必要があるが、従来のものではウェーハに適正な自然
酸化膜を生成するということはできなかった。
も完全な不活性ガス雰囲気と略同レベル迄の雰囲気に置
換することが可能であるが、酸素濃度の制御は不可能で
ある。ところが、デバイス（例えば、図２のＭＯＳ型ト
ランジスタのゲート酸化膜（ＳｉＯ2 ）生成時）によっ
ては処理前ウェーハ１０を高温雰囲気の反応管３内に装
入する際に、ウェーハ表面上に或る程度の適正な自然酸
化膜が形成されることが好ましく、これは本発明者の実
験等から得られたデータによれば、１〜２原子層程度
（約２オングストローム以下）のｎ−ＳｉＯ2 膜の生成
の必要があるが、従来のものではウェーハに適正な自然
酸化膜を生成するということはできなかった。
【００１１】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハを高
温雰囲気内に装入した際に生成されるｎ−ＳｉＯ2 膜の
生成を制御する為、容器内雰囲気の酸素濃度を任意の値
に制御可能とし、更に密閉容器内のガス混合濃度を所望
の値に維持することを可能としようとするものである。
温雰囲気内に装入した際に生成されるｎ−ＳｉＯ2 膜の
生成を制御する為、容器内雰囲気の酸素濃度を任意の値
に制御可能とし、更に密閉容器内のガス混合濃度を所望
の値に維持することを可能としようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコンウェ
ーハを熱処理する空間を画成する反応管と、該反応管の
周囲に配置された加熱手段と、前記反応管にゲートバル
ブを介し連接するロードロック室と、該ロードロック室
に、不活性ガス及び酸素を含む気体を供給する供給管
と、前記ロードロック室に連通された少なくとも１系統
の排気管とを具備した半導体製造装置に係り、前記供給
管に流量調整器を設けた半導体製造装置に係り、前記排
気管に酸素濃度計を設けた半導体製造装置に係り、不活
性ガス流量調節器と酸素ガス流量調整器と、該流量調節
器、流量調整器の流量制御を行う制御器を有し、該制御
器が前記酸素濃度計の検出結果を基にロードロック室内
を所望の酸素濃度に維持する様に前記流量計により不活
性ガス及び酸素を含む気体の流量を制御する半導体製造
装置に係り、酸素を含む気体は、ロードロック室内への
流入前に、不活性ガスと混合する半導体製造装置に係
り、酸素濃度計用の配管をロードロック室から独立して
設けた半導体製造装置に係り、前記排気管が、真空ポン
プに接続した排気管と、不活性ガス排気管と、酸素濃度
計用の排気管である半導体製造装置に係り、不活性ガス
は、Ｎ2 、Ａｒ、Ｈｅから選ばれた気体である半導体製
造装置に係り、酸素を含む気体は、空気、Ｏ2 、Ｎ
2 Ｏ、ＮＯから選ばれた半導体製造装置に係り、又、シ
リコンウェーハを熱処理する空間を画成する反応管と、
該反応管の周囲に配置された加熱手段と、前記反応管に
ゲートバルブを介し連接するロードロック室と、該ロー
ドロック室に連通された不活性ガス及び酸素を含む気体
を供給する供給管と、酸素濃度計と不活性ガス流量調節
器と、酸素ガス流量調整器とを有する半導体製造装置に
於いて、酸素濃度計の検出結果を基に流量計により不活
性ガス及び酸素を含む気体の流量を制御し、ロードロッ
ク室内の酸素濃度を所望の値に維持する様制御するロー
ドロック室酸素濃度の制御方法に係り、酸素を含む気体
は、空気、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯから選ばれた気体である
ロードロック室酸素濃度の制御方法に係り、１〜１００
ppm の酸素濃度に制御するロードロック室酸素濃度の制
御方法に係り、２オングストローム以下の自然酸化膜を
生成する様な酸素濃度に制御するロードロック室酸素濃
度の制御方法に係り、１〜２原子層の自然酸化膜を生成
する様な酸素濃度に制御するロードロック室酸素濃度の
制御方法に係り、又、高温雰囲気の反応室を画成する反
応管と、該反応管にゲートバルブを介し連接するロード
ロック室とを有する半導体製造装置に於いて、該ロード
ロック室に酸素を含む気体を流入させ、ロードロック室
内を所望の酸素濃度に制御した状態でウェーハをロード
ロック室から反応管内に装入し、ウェーハ装入過程でウ
ェーハ表面に所望の自然酸化膜を生成させる自然酸化膜
の生成方法に係り、前記酸素を含む気体は、空気、
Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯから選ばれた気体である自然酸化膜
の生成方法に係り、ロードロック室内の酸素濃度を１〜
１００ppm の濃度に制御する自然酸化膜の生成方法に係
り、ウェーハ表面に２オングストローム以下の自然酸化
膜を生成する自然酸化膜の生成方法に係り、更に又ウェ
ーハ表面に１〜２原子層の自然酸化膜を生成する自然酸
化膜の生成方法に係るものである。
ーハを熱処理する空間を画成する反応管と、該反応管の
周囲に配置された加熱手段と、前記反応管にゲートバル
ブを介し連接するロードロック室と、該ロードロック室
に、不活性ガス及び酸素を含む気体を供給する供給管
と、前記ロードロック室に連通された少なくとも１系統
の排気管とを具備した半導体製造装置に係り、前記供給
管に流量調整器を設けた半導体製造装置に係り、前記排
気管に酸素濃度計を設けた半導体製造装置に係り、不活
性ガス流量調節器と酸素ガス流量調整器と、該流量調節
器、流量調整器の流量制御を行う制御器を有し、該制御
器が前記酸素濃度計の検出結果を基にロードロック室内
を所望の酸素濃度に維持する様に前記流量計により不活
性ガス及び酸素を含む気体の流量を制御する半導体製造
装置に係り、酸素を含む気体は、ロードロック室内への
流入前に、不活性ガスと混合する半導体製造装置に係
り、酸素濃度計用の配管をロードロック室から独立して
設けた半導体製造装置に係り、前記排気管が、真空ポン
プに接続した排気管と、不活性ガス排気管と、酸素濃度
計用の排気管である半導体製造装置に係り、不活性ガス
は、Ｎ2 、Ａｒ、Ｈｅから選ばれた気体である半導体製
造装置に係り、酸素を含む気体は、空気、Ｏ2 、Ｎ
2 Ｏ、ＮＯから選ばれた半導体製造装置に係り、又、シ
リコンウェーハを熱処理する空間を画成する反応管と、
該反応管の周囲に配置された加熱手段と、前記反応管に
ゲートバルブを介し連接するロードロック室と、該ロー
ドロック室に連通された不活性ガス及び酸素を含む気体
を供給する供給管と、酸素濃度計と不活性ガス流量調節
器と、酸素ガス流量調整器とを有する半導体製造装置に
於いて、酸素濃度計の検出結果を基に流量計により不活
性ガス及び酸素を含む気体の流量を制御し、ロードロッ
ク室内の酸素濃度を所望の値に維持する様制御するロー
ドロック室酸素濃度の制御方法に係り、酸素を含む気体
は、空気、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯから選ばれた気体である
ロードロック室酸素濃度の制御方法に係り、１〜１００
ppm の酸素濃度に制御するロードロック室酸素濃度の制
御方法に係り、２オングストローム以下の自然酸化膜を
生成する様な酸素濃度に制御するロードロック室酸素濃
度の制御方法に係り、１〜２原子層の自然酸化膜を生成
する様な酸素濃度に制御するロードロック室酸素濃度の
制御方法に係り、又、高温雰囲気の反応室を画成する反
応管と、該反応管にゲートバルブを介し連接するロード
ロック室とを有する半導体製造装置に於いて、該ロード
ロック室に酸素を含む気体を流入させ、ロードロック室
内を所望の酸素濃度に制御した状態でウェーハをロード
ロック室から反応管内に装入し、ウェーハ装入過程でウ
ェーハ表面に所望の自然酸化膜を生成させる自然酸化膜
の生成方法に係り、前記酸素を含む気体は、空気、
Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯから選ばれた気体である自然酸化膜
の生成方法に係り、ロードロック室内の酸素濃度を１〜
１００ppm の濃度に制御する自然酸化膜の生成方法に係
り、ウェーハ表面に２オングストローム以下の自然酸化
膜を生成する自然酸化膜の生成方法に係り、更に又ウェ
ーハ表面に１〜２原子層の自然酸化膜を生成する自然酸
化膜の生成方法に係るものである。
【００１３】ロードロック室内のガスを排気しつつガス
を導入し、更に排気ガス中の酸素濃度を酸素濃度計で検
出し、検出濃度が設定値となる様ロードロック室内の酸
素濃度を制御する。
を導入し、更に排気ガス中の酸素濃度を酸素濃度計で検
出し、検出濃度が設定値となる様ロードロック室内の酸
素濃度を制御する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
一実施の形態を説明する。
一実施の形態を説明する。
【００１５】図１中、図２中で示したしたものと同一の
ものには同符号を付し、その説明をを省略する。
ものには同符号を付し、その説明をを省略する。
【００１６】ガス供給ノズル１１に連通した供給管１９
の流量調節器１３より下流に酸素供給管２０を連通し、
該酸素供給管２０に上流側よりエアバルブ２１、流量調
整器２２を設ける。前記ロードロック室５に補助排気管
２３の上流端を連通し、下流端を不活性ガス排気管１４
のエアバルブ１５の下流に連通し、前記補助排気管２３
の上流側からエアバルブ２４、酸素濃度計２５を設け
る。該酸素濃度計２５からの信号は制御器２６に入力さ
れ、該制御器２６は前記酸素濃度計２５の信号に基づい
て前記流量調節器１３、流量調整器２２を制御する。
の流量調節器１３より下流に酸素供給管２０を連通し、
該酸素供給管２０に上流側よりエアバルブ２１、流量調
整器２２を設ける。前記ロードロック室５に補助排気管
２３の上流端を連通し、下流端を不活性ガス排気管１４
のエアバルブ１５の下流に連通し、前記補助排気管２３
の上流側からエアバルブ２４、酸素濃度計２５を設け
る。該酸素濃度計２５からの信号は制御器２６に入力さ
れ、該制御器２６は前記酸素濃度計２５の信号に基づい
て前記流量調節器１３、流量調整器２２を制御する。
【００１７】以下、作動を説明する。
【００１８】前記エアバルブ１２、エアバルブ１５、エ
アバルブ２４を開き、流量調節器１３により流入する流
量を所定の値に維持しつつ不活性ガス（例えばＮ2 、Ａ
ｒ、Ｈｅ等）をロードロック室５内に供給し、容器内の
大気を不活性ガス排気管１４及び補助排気管２３より排
気し、前記ロードロック室５内を不活性ガスに置換す
る。前記酸素濃度計２５は排気中の酸素濃度を測定し、
前記制御器２６に測定濃度をフィードバックする。該制
御器２６は酸素の測定濃度が所定値に達すると前記エア
バルブ２１を開いて前記流量調節器１３、流量調整器２
２を制御し、酸素ガスの流入流量、或は不活性ガスと酸
素ガスとの混合比を調整し、ロードロック室５内の酸素
ガス濃度を所定の値にする。
アバルブ２４を開き、流量調節器１３により流入する流
量を所定の値に維持しつつ不活性ガス（例えばＮ2 、Ａ
ｒ、Ｈｅ等）をロードロック室５内に供給し、容器内の
大気を不活性ガス排気管１４及び補助排気管２３より排
気し、前記ロードロック室５内を不活性ガスに置換す
る。前記酸素濃度計２５は排気中の酸素濃度を測定し、
前記制御器２６に測定濃度をフィードバックする。該制
御器２６は酸素の測定濃度が所定値に達すると前記エア
バルブ２１を開いて前記流量調節器１３、流量調整器２
２を制御し、酸素ガスの流入流量、或は不活性ガスと酸
素ガスとの混合比を調整し、ロードロック室５内の酸素
ガス濃度を所定の値にする。
【００１９】又、前記エアバルブ１２、エアバルブ２
１、エアバルブ１５、エアバルブ２４を閉じ、前記エア
バルブ１７を開いて前記真空ポンプ１８により前記ロー
ドロック室５内を一旦排気し、その後前記エアバルブ１
７を閉じ前記エアバルブ１２、エアバルブ２１、エアバ
ルブ１５、エアバルブ２４を開いて前記ガス供給ノズル
１１、酸素供給管２０を介して不活性ガス、酸素ガスを
所定の混合率で導入し、不活性ガス排気管１４、補助排
気管２３より排気し、ロードロック室５内部を所定の酸
素濃度としつつ不活性ガスに置換する。ここで、酸素ガ
スは不活性ガスと合流しガス供給ノズルより流入するの
で、不活性ガスにより希釈されロードロック室流入後確
実に分散均一化される。更に、前記酸素濃度計２５によ
り排気ガス中の酸素ガス濃度を検出し、検出酸素ガス濃
度と設定酸素ガス濃度との差を前記制御器で比較演算
し、排気ガス中の酸素ガス濃度が所定値となる様前記流
量調整器２２或は流量調節器１３を調整し、酸素ガス流
量或は不活性ガス流量を調整してロードロック室５内の
酸素ガス濃度を設定値にする。
１、エアバルブ１５、エアバルブ２４を閉じ、前記エア
バルブ１７を開いて前記真空ポンプ１８により前記ロー
ドロック室５内を一旦排気し、その後前記エアバルブ１
７を閉じ前記エアバルブ１２、エアバルブ２１、エアバ
ルブ１５、エアバルブ２４を開いて前記ガス供給ノズル
１１、酸素供給管２０を介して不活性ガス、酸素ガスを
所定の混合率で導入し、不活性ガス排気管１４、補助排
気管２３より排気し、ロードロック室５内部を所定の酸
素濃度としつつ不活性ガスに置換する。ここで、酸素ガ
スは不活性ガスと合流しガス供給ノズルより流入するの
で、不活性ガスにより希釈されロードロック室流入後確
実に分散均一化される。更に、前記酸素濃度計２５によ
り排気ガス中の酸素ガス濃度を検出し、検出酸素ガス濃
度と設定酸素ガス濃度との差を前記制御器で比較演算
し、排気ガス中の酸素ガス濃度が所定値となる様前記流
量調整器２２或は流量調節器１３を調整し、酸素ガス流
量或は不活性ガス流量を調整してロードロック室５内の
酸素ガス濃度を設定値にする。
【００２０】ロードロック室５内の濃度が所定値となっ
た後は前記補助排気管２３より少量のガスを排気しつつ
ロードロック室５内の酸素ガス濃度を監視しつつ、検出
結果を前記制御器２６にフィードバックし、前記流量調
節器１３、流量調整器２２を制御してロードロック室５
内を所定の酸素ガス濃度に維持する。
た後は前記補助排気管２３より少量のガスを排気しつつ
ロードロック室５内の酸素ガス濃度を監視しつつ、検出
結果を前記制御器２６にフィードバックし、前記流量調
節器１３、流量調整器２２を制御してロードロック室５
内を所定の酸素ガス濃度に維持する。
【００２１】而して、ロードロック室５内の酸素ガス濃
度を任意に制御することができ、ウェーハ装入時にウェ
ーハ表面に最適な膜厚の自然酸化膜が得られる。
度を任意に制御することができ、ウェーハ装入時にウェ
ーハ表面に最適な膜厚の自然酸化膜が得られる。
【００２２】ここで、図３に高温雰囲気（約７５０℃）
の反応室内に、ウェーハ１０を装入した時のロードロッ
ク室５内の酸素濃度とウェーハ表面に形成されるｎ−Ｓ
ｉＯ2 膜との関係を示す。図３によれば、ウェーハ表面
上に１〜２原子層（約２オングストローム以下）のｎ−
ＳｉＯ2 膜を生成するには、ロードロック室内の酸素濃
度を１〜１００ppm 迄の範囲で制御すればよいことにな
る。又、本発明で用いられる混合ガス（酸素ガス）は、
酸素を含む気体（例えば空気、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ等）
であればよいが、ロードロック室内に流入される不活性
ガスがＮ2 の場合には、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ等を用いれ
ばより良質なｎ−ＳｉＯ2 膜を生成することができる。
の反応室内に、ウェーハ１０を装入した時のロードロッ
ク室５内の酸素濃度とウェーハ表面に形成されるｎ−Ｓ
ｉＯ2 膜との関係を示す。図３によれば、ウェーハ表面
上に１〜２原子層（約２オングストローム以下）のｎ−
ＳｉＯ2 膜を生成するには、ロードロック室内の酸素濃
度を１〜１００ppm 迄の範囲で制御すればよいことにな
る。又、本発明で用いられる混合ガス（酸素ガス）は、
酸素を含む気体（例えば空気、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ等）
であればよいが、ロードロック室内に流入される不活性
ガスがＮ2 の場合には、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ等を用いれ
ばより良質なｎ−ＳｉＯ2 膜を生成することができる。
【００２３】尚、上記実施の形態では本発明を半導体製
造装置に実施したが、その他精密機器を収納する空間、
密閉容器内を所定ガス成分の雰囲気にする場合のガス濃
度制御にも実施可能であることは言う迄もない。更に、
酸素供給管だけでなく、混合したいガスの供給ライン、
ガス濃度検出ラインを更に接続して複数のガスを混合す
る様にしてもよい。又、排気管２３とは別に酸素濃度計
用の配管を別途設け、該配管に酸素濃度計を設けロード
ロック室内の酸素濃度を測定する様にしてもよい。又、
酸素供給管は不活性ガス供給ラインの途中に接続した
が、酸素ガス供給用ノズルを別途密閉室内に設けてもよ
い。但し前述した如く、前者方式により接続した方が、
酸素がロードロック室内で確実に分散し、均一に流入さ
せることが出来るのでより好ましい。
造装置に実施したが、その他精密機器を収納する空間、
密閉容器内を所定ガス成分の雰囲気にする場合のガス濃
度制御にも実施可能であることは言う迄もない。更に、
酸素供給管だけでなく、混合したいガスの供給ライン、
ガス濃度検出ラインを更に接続して複数のガスを混合す
る様にしてもよい。又、排気管２３とは別に酸素濃度計
用の配管を別途設け、該配管に酸素濃度計を設けロード
ロック室内の酸素濃度を測定する様にしてもよい。又、
酸素供給管は不活性ガス供給ラインの途中に接続した
が、酸素ガス供給用ノズルを別途密閉室内に設けてもよ
い。但し前述した如く、前者方式により接続した方が、
酸素がロードロック室内で確実に分散し、均一に流入さ
せることが出来るのでより好ましい。
【００２４】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ロード
ロック室内の雰囲気ガスを所望の成分にすることが可能
であり、本発明を半導体製造装置に実施し、混合ガスを
酸素ガスとすることでウェーハ表面に生成される自然酸
化膜の厚みをデバイスに最適なものとすることができ、
製品品質の向上を図ることができる。
ロック室内の雰囲気ガスを所望の成分にすることが可能
であり、本発明を半導体製造装置に実施し、混合ガスを
酸素ガスとすることでウェーハ表面に生成される自然酸
化膜の厚みをデバイスに最適なものとすることができ、
製品品質の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す概略説明図であ
る。
る。
【図２】ｎチャンネルＭＯＳトランジスタの模式図であ
る。
る。
【図３】７５０℃雰囲気内にウェーハを装入した場合
の、ウェーハ表面に生成されるｎ−ＳｉＯ2 膜厚と酸素
濃度との関係を示す線図である。
の、ウェーハ表面に生成されるｎ−ＳｉＯ2 膜厚と酸素
濃度との関係を示す線図である。
【図４】従来例を示す概略説明図である。
【図５】半導体製造装置の概略説明図である。
５ ロードロック室 １１ ガス供給ノズル １４ 不活性ガス排気管 １５ エアバルブ １６ 排気管 １７ エアバルブ １８ 真空ポンプ １９ 供給管 ２０ 酸素供給管 ２１ エアバルブ ２２ 流量調整器 ２３ 補助排気管 ２４ エアバルブ ２５ 酸素濃度計
Claims (19)
- 【請求項１】 シリコンウェーハを熱処理する空間を画
成する反応管と、該反応管の周囲に配置された加熱手段
と、前記反応管にゲートバルブを介し連接するロードロ
ック室と、該ロードロック室に不活性ガス及び酸素を含
む気体を供給する供給管と、前記ロードロック室に連通
された少なくとも１系統の排気管とを具備したことを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記供給管に流量調整器を設けた請求項
１の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記排気管に酸素濃度計を設けた請求項
１の半導体製造装置。 - 【請求項４】 不活性ガス流量調節器と酸素ガス流量調
整器と、該流量調節器、流量調整器の流量制御を行う制
御器を有し、該制御器が前記酸素濃度計の検出結果を基
にロードロック室内を所望の酸素濃度に維持する様に前
記流量計により不活性ガス及び酸素を含む気体の流量を
制御する請求項３の半導体製造装置。 - 【請求項５】 酸素を含む気体は、ロードロック室内へ
の流入前に、不活性ガスと混合する請求項４の半導体製
造装置。 - 【請求項６】 酸素濃度計用の配管をロードロック室か
ら独立して設けた請求項４の半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記排気管が、真空ポンプに接続した排
気管と、不活性ガス排気管と、酸素濃度計用の排気管で
ある請求項１又は請求項６の半導体製造装置。 - 【請求項８】 不活性ガスは、Ｎ2 、Ａｒ、Ｈｅから選
ばれた気体である請求項１の半導体製造装置。 - 【請求項９】 酸素を含む気体は、空気、Ｏ2 、Ｎ
2 Ｏ、ＮＯから選ばれた気体である請求項１の半導体製
造装置。 - 【請求項１０】 シリコンウェーハを熱処理する空間を
画成する反応管と、該反応管の周囲に配置された加熱手
段と、前記反応管にゲートバルブを介し連接するロード
ロック室と、該ロードロック室に連通された不活性ガス
及び酸素を含む気体を供給する供給管と、酸素濃度計と
不活性ガス流量調節器と、酸素ガス流量調整器とを有す
る半導体製造装置に於いて、酸素濃度計の検出結果を基
に流量計により不活性ガス及び酸素を含む気体の流量を
制御し、ロードロック室内の酸素濃度を所望の値に維持
する様制御するロードロック室酸素濃度の制御方法。 - 【請求項１１】 酸素を含む気体は、空気、Ｏ2 、Ｎ2
Ｏ、ＮＯから選ばれた気体である請求項１０のロードロ
ック室酸素濃度の制御方法。 - 【請求項１２】 １〜１００ppm の酸素濃度に制御する
請求項１１のロードロック室酸素濃度の制御方法。 - 【請求項１３】 ２オングストローム以下の自然酸化膜
を生成する様な酸素濃度に制御する請求項１２のロード
ロック室酸素濃度の制御方法。 - 【請求項１４】 １〜２原子層の自然酸化膜を生成する
様な酸素濃度に制御する請求項１２のロードロック室酸
素濃度の制御方法。 - 【請求項１５】 高温雰囲気の反応室を画成する反応管
と、該反応管にゲートバルブを介し連接するロードロッ
ク室とを有する半導体製造装置に於いて、該ロードロッ
ク室に酸素を含む気体を流入させ、ロードロック室内を
所望の酸素濃度に制御した状態でウェーハをロードロッ
ク室から反応管内に装入し、ウェーハ装入過程でウェー
ハ表面に所望の自然酸化膜を生成させる自然酸化膜の生
成方法。 - 【請求項１６】 前記酸素を含む気体は、空気、Ｏ2 、
Ｎ2 Ｏ、ＮＯから選ばれた気体である請求項１５の自然
酸化膜の生成方法。 - 【請求項１７】 ロードロック室内の酸素濃度を１〜１
００ppm の濃度に制御する請求項１６の自然酸化膜の生
成方法。 - 【請求項１８】 ウェーハ表面に２オングストローム以
下の自然酸化膜を生成する請求項１６の自然酸化膜の生
成方法。 - 【請求項１９】 ウェーハ表面に１〜２原子層の自然酸
化膜を生成する請求項１６の自然酸化膜の生成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8118271A JPH0945597A (ja) | 1995-05-25 | 1996-04-16 | 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法 |
| US08/648,541 US5735961A (en) | 1995-05-25 | 1996-05-16 | Semiconductor fabricating apparatus, method for controlling oxygen concentration within load-lock chamber and method for generating native oxide |
| KR1019960017157A KR100245259B1 (ko) | 1995-05-25 | 1996-05-21 | 반도체제조장치, 로드록실의 산소농도 제어방법 및 자연산화막의 생성방법 |
| TW085106174A TW322590B (ja) | 1995-05-25 | 1996-05-24 | |
| US09/009,991 US5879415A (en) | 1995-05-25 | 1998-01-21 | Semiconductor fabricating apparatus, method for controlling oxygen concentration within load-lock chamber and method for generating native oxide |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15089195 | 1995-05-25 | ||
| JP7-150891 | 1995-05-25 | ||
| JP8118271A JPH0945597A (ja) | 1995-05-25 | 1996-04-16 | 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945597A true JPH0945597A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=26456233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8118271A Pending JPH0945597A (ja) | 1995-05-25 | 1996-04-16 | 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5735961A (ja) |
| JP (1) | JPH0945597A (ja) |
| KR (1) | KR100245259B1 (ja) |
| TW (1) | TW322590B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030094994A (ko) * | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 동부전자 주식회사 | 폴리마이드 베이크 오븐 장비의 산소 농도 측정 시스템 |
| US6878645B2 (en) | 2000-07-13 | 2005-04-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon wafer |
| JP2011057455A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
| US8443484B2 (en) | 2007-08-14 | 2013-05-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP2017005283A (ja) * | 2012-10-31 | 2017-01-05 | Tdk株式会社 | Ｅｆｅｍシステム |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3120695B2 (ja) | 1995-05-19 | 2000-12-25 | 株式会社日立製作所 | 電子回路の製造方法 |
| US5879458A (en) * | 1996-09-13 | 1999-03-09 | Semifab Incorporated | Molecular contamination control system |
| US6016611A (en) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Gas flow control in a substrate processing system |
| US6673155B2 (en) * | 1998-10-15 | 2004-01-06 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for forming coating film and apparatus for curing the coating film |
| FI118342B (fi) * | 1999-05-10 | 2007-10-15 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6524389B1 (en) * | 1999-05-24 | 2003-02-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| JP2001023978A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
| US6376387B2 (en) * | 1999-07-09 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Method of sealing an epitaxial silicon layer on a substrate |
| JP2001319885A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-11-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体製造方法 |
| US6455098B2 (en) * | 2000-03-09 | 2002-09-24 | Semix Incorporated | Wafer processing apparatus and method |
| JP2001284276A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR100364656B1 (ko) * | 2000-06-22 | 2002-12-16 | 삼성전자 주식회사 | 실리사이드 증착을 위한 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치 |
| US6936134B2 (en) * | 2000-11-14 | 2005-08-30 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US6710845B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-03-23 | Intel Corporation | Purging gas from a photolithography enclosure between a mask protective device and a patterned mask |
| JP2002217118A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Japan Pionics Co Ltd | 窒化ガリウム膜半導体の製造装置、排ガス浄化装置、及び製造設備 |
| US6939579B2 (en) * | 2001-03-07 | 2005-09-06 | Asm International N.V. | ALD reactor and method with controlled wall temperature |
| US6750155B2 (en) * | 2001-08-08 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | Methods to minimize moisture condensation over a substrate in a rapid cycle chamber |
| US20070243317A1 (en) * | 2002-07-15 | 2007-10-18 | Du Bois Dale R | Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber |
| US20060083495A1 (en) * | 2002-07-15 | 2006-04-20 | Qiu Taiquing | Variable heater element for low to high temperature ranges |
| TW577124B (en) * | 2002-12-03 | 2004-02-21 | Mosel Vitelic Inc | Method for estimating the forming thickness of the oxide layer and determining whether the pipes occur leakages |
| US20110272707A1 (en) * | 2010-05-06 | 2011-11-10 | Qs Semiconductor Australia Pty Ltd | Substrates and methods of forming film structures to facilitate silicon carbide epitaxy |
| KR20120030917A (ko) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 진공처리장치 |
| KR101364701B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-02-20 | 주식회사 유진테크 | 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
| KR101408084B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-07-04 | 주식회사 유진테크 | 보조가스공급포트를 포함하는 기판 처리 장치 |
| JP5598728B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2014-10-01 | 株式会社ダイフク | 不活性ガス注入装置 |
| KR101419886B1 (ko) * | 2012-11-12 | 2014-07-16 | (주)쎄미시스코 | 산소 감지를 위한 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR101720620B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2017-03-28 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 챔버 세정방법 |
| JP7042115B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-03-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
| CN109541140A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 上海华力微电子有限公司 | 一种监测缓冲腔体氧气浓度的方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4369031A (en) * | 1981-09-15 | 1983-01-18 | Thermco Products Corporation | Gas control system for chemical vapor deposition system |
| JP2772835B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1998-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び真空処理方法 |
| US5277579A (en) * | 1991-03-15 | 1994-01-11 | Tokyo Electron Sagami Limited | Wafers transferring method in vertical type heat treatment apparatus and the vertical type heat treatment apparatus provided with a wafers transferring system |
| JP3149206B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH05218176A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 熱処理方法及び被処理体の移載方法 |
| US5407350A (en) * | 1992-02-13 | 1995-04-18 | Tokyo Electron Limited | Heat-treatment apparatus |
| JPH05347295A (ja) * | 1992-06-16 | 1993-12-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体ウェーハのプロセス処理装置 |
| JP3186262B2 (ja) * | 1992-10-14 | 2001-07-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3330166B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3218488B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US5527390A (en) * | 1993-03-19 | 1996-06-18 | Tokyo Electron Kabushiki | Treatment system including a plurality of treatment apparatus |
| KR100221983B1 (ko) * | 1993-04-13 | 1999-09-15 | 히가시 데쓰로 | 처리장치 |
| TW273574B (ja) * | 1993-12-10 | 1996-04-01 | Tokyo Electron Co Ltd |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP8118271A patent/JPH0945597A/ja active Pending
- 1996-05-16 US US08/648,541 patent/US5735961A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-21 KR KR1019960017157A patent/KR100245259B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-05-24 TW TW085106174A patent/TW322590B/zh active
-
1998
- 1998-01-21 US US09/009,991 patent/US5879415A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6878645B2 (en) | 2000-07-13 | 2005-04-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon wafer |
| KR20030094994A (ko) * | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 동부전자 주식회사 | 폴리마이드 베이크 오븐 장비의 산소 농도 측정 시스템 |
| US8443484B2 (en) | 2007-08-14 | 2013-05-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP2011057455A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
| JP2017005283A (ja) * | 2012-10-31 | 2017-01-05 | Tdk株式会社 | Ｅｆｅｍシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW322590B (ja) | 1997-12-11 |
| KR960043020A (ko) | 1996-12-21 |
| KR100245259B1 (ko) | 2000-02-15 |
| US5735961A (en) | 1998-04-07 |
| US5879415A (en) | 1999-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0945597A (ja) | 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法 | |
| US8235001B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| US5810929A (en) | Pyrogenic wet thermal oxidation of semiconductor wafers | |
| US8716147B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| US6488776B2 (en) | Method and apparatus for forming insitu boron doped polycrystalline and amorphous silicon films | |
| US6255231B1 (en) | Method for forming a gate oxide layer | |
| US6391116B2 (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JP3970411B2 (ja) | 湿式酸化を用いた薄膜酸化膜の形成方法 | |
| US6806144B2 (en) | Method and apparatus for improved gate oxide uniformity with reducing system contaminants | |
| JPH09148259A (ja) | 横型反応装置 | |
| TWI720412B (zh) | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
| US7615251B2 (en) | Processing device using shower head structure and processing method | |
| JP4264084B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP4550039B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS6116531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007081147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007129240A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH11204511A (ja) | シリコン熱酸化膜の形成装置 | |
| JP4085068B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2005072377A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP2751015B2 (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| CN111696848A (zh) | 一种成膜设备和成膜方法 | |
| JPS61198717A (ja) | 化学的気相成長装置 | |
| JP2000049152A (ja) | 湿式酸化装置 | |
| JP2004221606A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |