KR960043020A - 반도체 제조장치 및 로드록 실 산소 농도의 제어방법과 자연 산화막의 생성방법 - Google Patents

반도체 제조장치 및 로드록 실 산소 농도의 제어방법과 자연 산화막의 생성방법 Download PDF

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Abstract

실리콘 웨이퍼를 열처리하는 구간을 구획하는 반응관과 이 반응관의 주위에 배치된 가열수단과, 위 반응관에 게이트 밸브로서 연접된 로드록 실과, 이 로드록 실에 연통된 불활성 가스와 산소를 함유하는 기체를 공급하는 공급관과, 산소농도계와 불활성 가스유량 조절기와, 산소가스 유량조정기를 가지며 산소농도계의 검출 결과에 근거하여 유량계에 의해 불활성 가스와 산소를 함유하는 기체의 유량을 제어하고 로드록 실 내의 산소농도를 소망하는 값으로 유지시킨다.

Description

반도체 제조장치 및 로드록 실 산소 농도의 제어방법과 자연 산화막의 생성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예를 나타내는 개략설명도.

Claims (19)

  1. 실리콘 웨이퍼를 열처리하는 공간을 구획하는 반응관과, 이 반응관의 주위에 배치된 가열수단과 반응관에게이트 밸브에 의해 연접된 로드록 실과, 이 로드록 실에 불활성 가스와 산소를 함유하는 기체를 공급하는 공급관과, 상기 로드록 실에 연통된 적어도 1계통의 배기관을 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 공급관에 유량조정구를 부설함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 제1항에 있어서, 배기관에 산소농도계를 부설함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  4. 제3항에 있어서, 불활성 가스유량 조절기와 사소가스유량 조정기와 이 유량조절기, 유량조정기의 유량을 제어하는 제어기를 가지며, 이 제어기가 상기 산소농도계의 검출결과에 근거하여 로드록 실 내를 소망으로 산소 농도로 유지할 수 있게 상기 유량조절기, 유량조정기에 의해 불활성가스 및 산소를 함유하는 기체의 유량을 제어함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 제4항에 있어서, 산소를 함유하는 기체는 로드록 실 내로 유입되게 전에 불활성가스와 혼합됨을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  6. 제4항에 있어서, 산소농도계용의 배관을 로드록 실로부터 돌립되게 설치함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  7. 제6항에 있어서, 배기관이 진공펌프에 접속된 배기관과, 불활성 가스 배기관과, 산소농도계용 배기관으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  8. 제1항에 있어서, 불활성 가스가 N2, Ar, He로부터 선택돈 기체임을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  9. 제1항에 있어서, 산소를 함유하는 기체는 공기, O2, N2O, NO로부터 선택된 기체임을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  10. 실리콘 웨이퍼를 열처리하는 공간을 구획하는 반응관과 이 반응관의 주위에 배치된 가열수단과, 상기 반응관에 게이트 밸브에 의해 연접된 로드록 실과, 이 로드록 실에 연통된 불활성 가스와 산소를 함유하는 기체를 공급하는 공급관과, 산소농도계와 불활성 가스 유량조절기와, 산소가스 유량조정기를 가지는 반도체 제조장치에 있어서, 산소농도계의 검출결과에 근거하여 유량조절기, 유량조정기에 의해 불화성 가스와 산소를 함유하는 기체의 유량을 제어하고, 로드록 실 내의 산소 농도를 소망치로 유지할 수 있게 제어하는 로드록 실 산소농도의 제어방법.
  11. 제10항에 있어서, 산소를 함유하는 기체는 공기, O2, N2O, NO로부터 선택된 기체임을 특징으로 하는 로드록 실 산소농도의 제어방법.
  12. 제11항에 있어서, 1~100ppm의 산소농도로 제어함을 특징으로 하는 로드록 실 산소농도의 제어방법.
  13. 제12항에 있어서, 2A 이하의 자연 산화막을 생성하는 산소농도로 제어함을 특징으로 하는 로드록 실 산소농도의 제어방법.
  14. 제12항에 있어서, 1~2 원자층의 자연 산화막을 생성하는 산소농도로 제어함을 특징으로 하는 로드록 실 산소농도의 제어방법.
  15. 고온분위기의 반응실을 구획하는 반응관과, 이 반응관에 게이트 밸브에 의해 연접되는 로드록 실을 갖는 반도체 제조장치에 있어서, 이 로드록 실에 산소를 함유하는 기체를 유입시켜 로드록 실 내를 소망하는 산소농도로 제어한 상태에서 웨이퍼를 로드록 실로부터 반응관내로 진입시키고, 웨이퍼 장입 과정에서 웨이퍼 표면에 소망하는 자연 산화막을 생성시킴을 특징으로 하는 자연 산화막의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 산소를 함유하는 기체가 공기, O2, N2O, NO로부터 선택된 기체임을 특징으로 하는 자연 산화막의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 로드록 실 내의 산소농도를 1~100ppm 농도로 제어함을 특징으로 하는 자연 산화막의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 웨이퍼 표면에 2A 이하의 자연 산화막을 생성시킴을 특징으로 하는 자연 산화막의 제조방법.
  19. 제16항에 있어서, 웨이퍼 표면에 1~2 원자층의 자연 산화막을 생성시킴을 특징으로 하는 자연 산화막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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