JPH08227848A - 処理ガスの供給方法と装置 - Google Patents
処理ガスの供給方法と装置Info
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- JPH08227848A JPH08227848A JP7053530A JP5353095A JPH08227848A JP H08227848 A JPH08227848 A JP H08227848A JP 7053530 A JP7053530 A JP 7053530A JP 5353095 A JP5353095 A JP 5353095A JP H08227848 A JPH08227848 A JP H08227848A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定した濃度の処理ガスを処理装置に供給す
ること。 【構成】 処理液５が貯留されたタンク３にキャリアガ
スを供給し、タンク３内で処理液５が蒸発することによ
り発生した処理ガスを処理装置１に供給する方法であっ
て、処理を開始する前に処理装置１内を負圧にし、その
負圧を利用して処理ガスを処理装置１内に供給する。
ること。 【構成】 処理液５が貯留されたタンク３にキャリアガ
スを供給し、タンク３内で処理液５が蒸発することによ
り発生した処理ガスを処理装置１に供給する方法であっ
て、処理を開始する前に処理装置１内を負圧にし、その
負圧を利用して処理ガスを処理装置１内に供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理ガスの供給方法と
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、タンク内の処理液にバブリング操作を加える
ことによって処理液をベーパー状にし、そのベーパー状
にした処理液を、被処理体である半導体ウエハを処理す
るための処理装置に、キャリアガスと共に供給する処理
液供給装置が用いられている。例えば半導体ウエハの表
面処理を行うために使用されるＨＭＤＳ（ヘキサメチル
ジシラザン）も、かかる処理液供給装置によって、半導
体ウエハの表面に吹き付けられる。
おいては、タンク内の処理液にバブリング操作を加える
ことによって処理液をベーパー状にし、そのベーパー状
にした処理液を、被処理体である半導体ウエハを処理す
るための処理装置に、キャリアガスと共に供給する処理
液供給装置が用いられている。例えば半導体ウエハの表
面処理を行うために使用されるＨＭＤＳ（ヘキサメチル
ジシラザン）も、かかる処理液供給装置によって、半導
体ウエハの表面に吹き付けられる。
【０００３】図４は、処理液供給装置の一例として、Ｈ
ＭＤＳを用いて被処理体である半導体ウェハＷの表面処
理を行う従来の装置を示している。処理液としてのＨＭ
ＤＳ５１が、管路５２を介してタンク５３の内部に供給
され、貯留されている。タンク５３の底部にバブラー５
４が配置されており、管路５５を介してタンク５１内に
供給されたキャリアガスとしての窒素ガスが、バブラー
５４によって泡５６とされてＨＭＤＳ５１中に送り込ま
れる。そして、このバブリング操作によってベーパー状
となって窒素ガス中に混合されたＨＭＤＳ５１が、管路
５７を経て、処理装置５８内に供給される。
ＭＤＳを用いて被処理体である半導体ウェハＷの表面処
理を行う従来の装置を示している。処理液としてのＨＭ
ＤＳ５１が、管路５２を介してタンク５３の内部に供給
され、貯留されている。タンク５３の底部にバブラー５
４が配置されており、管路５５を介してタンク５１内に
供給されたキャリアガスとしての窒素ガスが、バブラー
５４によって泡５６とされてＨＭＤＳ５１中に送り込ま
れる。そして、このバブリング操作によってベーパー状
となって窒素ガス中に混合されたＨＭＤＳ５１が、管路
５７を経て、処理装置５８内に供給される。
【０００４】処理装置５８の内部には、被処理体である
半導体ウエハＷが載置されており、処理装置５８内に供
給したベーパー状のＨＭＤＳ５１を、その半導体ウエハ
Ｗの表面に吹き付けることによって、半導体ウエハＷの
表面の疎水化処理が行われる。処理を終了したベーパー
状のＨＭＤＳ５１は、管路５９を経て、排気される。
半導体ウエハＷが載置されており、処理装置５８内に供
給したベーパー状のＨＭＤＳ５１を、その半導体ウエハ
Ｗの表面に吹き付けることによって、半導体ウエハＷの
表面の疎水化処理が行われる。処理を終了したベーパー
状のＨＭＤＳ５１は、管路５９を経て、排気される。
【０００５】また、ＨＭＤＳ５１を貯留しているタンク
５３の壁面には、ＨＭＤＳ５１の液面高さを検知するた
めの上センサ６０と下センサ６１が配置されており、こ
れら上センサ６０と下センサ６１の検知信号が、コント
ローラ６２に入力される。そして、タンク５３内におい
てＨＭＤＳ５１の液面高さが、下センサ６１によって検
知される位置まで低下した場合には、ＨＭＤＳ５１が管
路５２からタンク５３内部に供給され、液面高さが上セ
ンサ６０によって検知される位置まで上昇すると、ＨＭ
ＤＳ５１の供給が停止する。この供給・停止を繰り返す
ことによって、ＨＭＤＳ５１の液面高さが、常に上セン
サ６０と下センサ６１の間に来るように維持されてい
る。その理由は、ＨＭＤＳ５１の液面高さがあまり低く
なるとバブリング操作によって形成される泡５６の径が
大きくなりすぎ、逆にＨＭＤＳ５１の液面高さがあまり
高くなると泡５６の径が小さくなりすぎて、ベーパー状
のＨＭＤＳ５１の濃度（ベーパー濃度）が適正でなくな
るからである。
５３の壁面には、ＨＭＤＳ５１の液面高さを検知するた
めの上センサ６０と下センサ６１が配置されており、こ
れら上センサ６０と下センサ６１の検知信号が、コント
ローラ６２に入力される。そして、タンク５３内におい
てＨＭＤＳ５１の液面高さが、下センサ６１によって検
知される位置まで低下した場合には、ＨＭＤＳ５１が管
路５２からタンク５３内部に供給され、液面高さが上セ
ンサ６０によって検知される位置まで上昇すると、ＨＭ
ＤＳ５１の供給が停止する。この供給・停止を繰り返す
ことによって、ＨＭＤＳ５１の液面高さが、常に上セン
サ６０と下センサ６１の間に来るように維持されてい
る。その理由は、ＨＭＤＳ５１の液面高さがあまり低く
なるとバブリング操作によって形成される泡５６の径が
大きくなりすぎ、逆にＨＭＤＳ５１の液面高さがあまり
高くなると泡５６の径が小さくなりすぎて、ベーパー状
のＨＭＤＳ５１の濃度（ベーパー濃度）が適正でなくな
るからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の処理液
供給装置は、バブリング操作の影響で液面が波立つた
め、液面高さを正確に制御しにくいといった問題を抱え
ている。特に、従来の処理液供給装置は、上センサと下
センサの間に間隔があることも相まって、タンク内にお
けるＨＭＤＳの液面高さの変動が大きい。このため、従
来の処理液供給装置は、ＨＭＤＳの濃度（ベーパー濃
度）が一定でなく、ＨＭＤＳの供給量が安定していな
い。そして、ＨＭＤＳ濃度が過剰に高すぎると、管路の
内面や処理装置の内壁面に結露が発生し、パーティクル
汚染の原因となる。また、ＨＭＤＳ濃度が過剰に高くな
ることを防ぐために、特別な希釈ラインなどを設ける
と、装置が複雑となるばかりか、コストの上昇を引き起
こす。加えて、何れにしても従来の処理液供給装置は、
タンクとしてバブリングジャーを用いているため、低廉
な装置を提供しがたい。
供給装置は、バブリング操作の影響で液面が波立つた
め、液面高さを正確に制御しにくいといった問題を抱え
ている。特に、従来の処理液供給装置は、上センサと下
センサの間に間隔があることも相まって、タンク内にお
けるＨＭＤＳの液面高さの変動が大きい。このため、従
来の処理液供給装置は、ＨＭＤＳの濃度（ベーパー濃
度）が一定でなく、ＨＭＤＳの供給量が安定していな
い。そして、ＨＭＤＳ濃度が過剰に高すぎると、管路の
内面や処理装置の内壁面に結露が発生し、パーティクル
汚染の原因となる。また、ＨＭＤＳ濃度が過剰に高くな
ることを防ぐために、特別な希釈ラインなどを設ける
と、装置が複雑となるばかりか、コストの上昇を引き起
こす。加えて、何れにしても従来の処理液供給装置は、
タンクとしてバブリングジャーを用いているため、低廉
な装置を提供しがたい。
【０００７】本発明の目的は、安定した濃度の処理ガス
を処理装置に供給できる方法と装置を提供することにあ
る。
を処理装置に供給できる方法と装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、処理
液が貯留されたタンクにキャリアガスを供給し、該タン
ク内で処理液が蒸発することにより発生した処理ガスを
処理装置に供給する方法であって、処理を開始する前に
前記処理装置内を負圧にし、該負圧を利用して前記処理
ガスを前記処理装置内に供給する、処理ガスの供給方法
が提供される。
液が貯留されたタンクにキャリアガスを供給し、該タン
ク内で処理液が蒸発することにより発生した処理ガスを
処理装置に供給する方法であって、処理を開始する前に
前記処理装置内を負圧にし、該負圧を利用して前記処理
ガスを前記処理装置内に供給する、処理ガスの供給方法
が提供される。
【０００９】また、請求項２によれば、処理液が貯留さ
れたタンクにキャリアガスを供給し、該タンク内で処理
液が蒸発することにより発生した処理ガスを処理装置に
供給する装置であって、前記タンク内に貯留された前記
処理液の液面高さを検知するレベルセンサを前記処理液
の液面近傍に配置し、該レベルセンサで検知することに
よって前記処理液の液面高さを常に一定に保つように構
成した、処理ガスの供給装置が提供される。
れたタンクにキャリアガスを供給し、該タンク内で処理
液が蒸発することにより発生した処理ガスを処理装置に
供給する装置であって、前記タンク内に貯留された前記
処理液の液面高さを検知するレベルセンサを前記処理液
の液面近傍に配置し、該レベルセンサで検知することに
よって前記処理液の液面高さを常に一定に保つように構
成した、処理ガスの供給装置が提供される。
【００１０】また、請求項３によれば、処理液が貯留さ
れたタンクにキャリアガスを供給し、該タンク内で処理
液が蒸発することにより発生した処理ガスを処理装置に
供給する装置であって、前記タンク内の領域を区分する
仕切手段を設け、該仕切手段によって区分された一方の
領域においてキャリアガスを供給し、他方の領域におい
て前記タンク内に貯留された前記処理液の液面高さを検
知するように構成した、処理ガスの供給装置が提供され
る。
れたタンクにキャリアガスを供給し、該タンク内で処理
液が蒸発することにより発生した処理ガスを処理装置に
供給する装置であって、前記タンク内の領域を区分する
仕切手段を設け、該仕切手段によって区分された一方の
領域においてキャリアガスを供給し、他方の領域におい
て前記タンク内に貯留された前記処理液の液面高さを検
知するように構成した、処理ガスの供給装置が提供され
る。
【００１１】
【作用】本発明にあっては、タンク内において例えばＨ
ＭＤＳなどの処理液を自然蒸発させ、処理を開始する前
に処理装置内を負圧にする。そして、タンク内にキャリ
アガスを供給し、処理装置内の負圧を利用することによ
ってタンク内の処理ガスを吸引し、処理装置に供給す
る。タンクに供給するキャリアガスは、ＨＭＤＳなどか
らなる処理ガスと反応しない化学的に安定なガスであ
り、例えばＮ2ガス（窒素ガス）や、その他各種の不活
性ガス、例えばＨｅ（ヘリウム）ガス、Ａｒ（アルゴ
ン）ガスなども用いることができる。
ＭＤＳなどの処理液を自然蒸発させ、処理を開始する前
に処理装置内を負圧にする。そして、タンク内にキャリ
アガスを供給し、処理装置内の負圧を利用することによ
ってタンク内の処理ガスを吸引し、処理装置に供給す
る。タンクに供給するキャリアガスは、ＨＭＤＳなどか
らなる処理ガスと反応しない化学的に安定なガスであ
り、例えばＮ2ガス（窒素ガス）や、その他各種の不活
性ガス、例えばＨｅ（ヘリウム）ガス、Ａｒ（アルゴ
ン）ガスなども用いることができる。
【００１２】このように、本発明はバブリング操作を加
えていないので、タンク内において処理液の液面が波立
つことがなく、処理液の液面は静止状態を維持すること
となる。従って、本発明にあっては、タンク内において
液面近傍にレベルセンサを一つ配置するだけで、処理液
の液面高さを正確に検知できるようになる。そして、タ
ンク内に配置されたレベルセンサを利用して処理液の液
面高さを常に一定に保つことができ、処理ガスの蒸発量
が安定し、処理装置に対して一定の濃度の処理ガスを供
給することが可能となる。
えていないので、タンク内において処理液の液面が波立
つことがなく、処理液の液面は静止状態を維持すること
となる。従って、本発明にあっては、タンク内において
液面近傍にレベルセンサを一つ配置するだけで、処理液
の液面高さを正確に検知できるようになる。そして、タ
ンク内に配置されたレベルセンサを利用して処理液の液
面高さを常に一定に保つことができ、処理ガスの蒸発量
が安定し、処理装置に対して一定の濃度の処理ガスを供
給することが可能となる。
【００１３】そして、タンク内に仕切手段を設けてタン
ク内の領域を二つに区分することによって、処理液の液
面を更に静止した状態にさせて、レベルセンサで液面高
さをより正確に検知することが可能となる。即ち、仕切
手段によって区分された一方の領域においてキャリアガ
スを供給し、他方の領域においてレベルセンサでタンク
内に貯留された処理液の液面高さを検知するようにすれ
ば、キャリアガス及びＨＭＤＳ液を供給した際に液面に
発生した波立ちが与える影響も排除でき、より静止した
状態で液面高さを検知できるようになる。
ク内の領域を二つに区分することによって、処理液の液
面を更に静止した状態にさせて、レベルセンサで液面高
さをより正確に検知することが可能となる。即ち、仕切
手段によって区分された一方の領域においてキャリアガ
スを供給し、他方の領域においてレベルセンサでタンク
内に貯留された処理液の液面高さを検知するようにすれ
ば、キャリアガス及びＨＭＤＳ液を供給した際に液面に
発生した波立ちが与える影響も排除でき、より静止した
状態で液面高さを検知できるようになる。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面に基づき本発明の実施例を説
明する。本実施例は、図１に示すように、被処理体であ
る半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗに対して
ＡＤ処理（アドヒジョン処理；フォトレジストとウエハ
との密着性・固着性を向上させるフォトレジスト塗布工
程の前処理）を行う処理装置１に、ＨＭＤＳ（ヘキサメ
チルジシラザン）を供給するＨＭＤＳ供給装置２に適用
した例である。なお、本発明は以下に説明する実施例に
限定されないことはもちろんであり、ＨＭＤＳ供給装置
以外の、例えばレジスト液や現像液のタンクなどにも適
用できる。
明する。本実施例は、図１に示すように、被処理体であ
る半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗに対して
ＡＤ処理（アドヒジョン処理；フォトレジストとウエハ
との密着性・固着性を向上させるフォトレジスト塗布工
程の前処理）を行う処理装置１に、ＨＭＤＳ（ヘキサメ
チルジシラザン）を供給するＨＭＤＳ供給装置２に適用
した例である。なお、本発明は以下に説明する実施例に
限定されないことはもちろんであり、ＨＭＤＳ供給装置
以外の、例えばレジスト液や現像液のタンクなどにも適
用できる。
【００１５】このＨＭＤＳ供給装置２は、ＨＭＤＳ液を
貯留するための密閉されたタンク３を有している。この
タンク３は耐ＨＭＤＳに優れたＰＦＡ（ペルフルオロア
ルコキシフッ素樹脂）からなっている。前記タンク３の
内部には、管路４を介して処理液としてのＨＭＤＳ５が
供給される。管路４にはバルブ６が設けられていて、該
バルブ６の開閉操作によってタンク３内へのＨＭＤＳ５
の供給量が規制されている。また、タンク３内部の液面
近傍には、タンク３内に貯留されたＨＭＤＳ５の液面高
さを検知するためのレベルセンサ７が一つ配置されてお
り、このレベルセンサ７によって検知された信号が、コ
ントローラ８に入力されている。コントローラ８から
は、前記バルブ６に対しての開閉操作信号が出力され
る。そして、前記レベルセンサ７によってタンク３内に
おけるＨＭＤＳ５の液面高さを検知し、前記バルブ６に
対する開閉操作信号を適宜出力することによって、その
液面高さを常に一定の所定の高さに保つように構成され
ている。なお、液面の高さは、レベルセンサ７のオン・
オフ動作のヒステリシス特性によって決定され、液面の
高低差は一般に少なくなる。
貯留するための密閉されたタンク３を有している。この
タンク３は耐ＨＭＤＳに優れたＰＦＡ（ペルフルオロア
ルコキシフッ素樹脂）からなっている。前記タンク３の
内部には、管路４を介して処理液としてのＨＭＤＳ５が
供給される。管路４にはバルブ６が設けられていて、該
バルブ６の開閉操作によってタンク３内へのＨＭＤＳ５
の供給量が規制されている。また、タンク３内部の液面
近傍には、タンク３内に貯留されたＨＭＤＳ５の液面高
さを検知するためのレベルセンサ７が一つ配置されてお
り、このレベルセンサ７によって検知された信号が、コ
ントローラ８に入力されている。コントローラ８から
は、前記バルブ６に対しての開閉操作信号が出力され
る。そして、前記レベルセンサ７によってタンク３内に
おけるＨＭＤＳ５の液面高さを検知し、前記バルブ６に
対する開閉操作信号を適宜出力することによって、その
液面高さを常に一定の所定の高さに保つように構成され
ている。なお、液面の高さは、レベルセンサ７のオン・
オフ動作のヒステリシス特性によって決定され、液面の
高低差は一般に少なくなる。
【００１６】また、タンク３の上方には、タンク３内に
キャリアガスとしてのＮ2ガスを供給する管路１０、タ
ンク３内に大気を導入する管路１１、およびタンク３内
においてＨＭＤＳ５が蒸発することにより発生した処理
ガスを前記処理装置１に供給する管路１２が接続されて
いる。管路１０には、マスフローコントローラ１３が設
けられており、このマスフローコントローラ１３を操作
することによってタンク３内に供給されるＮ2ガスの流
量が調整される。なお、図示はしないが、管路１０の上
流側には、Ｎ2ガスを所望の温度に調整するための調温
装置も設けられている。また、管路１１には、開閉バル
ブ１４が設けられており、この開閉バルブ１４を操作す
ることによって、タンク３の内部を密閉状態と大気に開
放した状態に切り換えることができる。その他、管路１
２には、前記処理装置１に対して処理ガスを供給する状
態と、管路１２内を排気する状態に切り換える切換バル
ブ１５が設けられている。
キャリアガスとしてのＮ2ガスを供給する管路１０、タ
ンク３内に大気を導入する管路１１、およびタンク３内
においてＨＭＤＳ５が蒸発することにより発生した処理
ガスを前記処理装置１に供給する管路１２が接続されて
いる。管路１０には、マスフローコントローラ１３が設
けられており、このマスフローコントローラ１３を操作
することによってタンク３内に供給されるＮ2ガスの流
量が調整される。なお、図示はしないが、管路１０の上
流側には、Ｎ2ガスを所望の温度に調整するための調温
装置も設けられている。また、管路１１には、開閉バル
ブ１４が設けられており、この開閉バルブ１４を操作す
ることによって、タンク３の内部を密閉状態と大気に開
放した状態に切り換えることができる。その他、管路１
２には、前記処理装置１に対して処理ガスを供給する状
態と、管路１２内を排気する状態に切り換える切換バル
ブ１５が設けられている。
【００１７】管路１２は処理装置１の頂部に通じてお
り、この処理装置１内の底部には、被処理体であるウエ
ハＷを載置する載置台２０が設けられている。そして、
管路１２から供給された処理ガスが、処理装置１の内部
においてウエハＷに対して均一に吹き付けられるように
なっている。図示はしないが、載置台２０には、ウエハ
Ｗを所定温度に設定するための加熱装置が内蔵されてお
り、これによってウエハＷが所定温度に維持されつつ、
処理ガスが吹き付けられることにより、処理装置１の内
部においてウエハＷのＡＤ処理が行われる。
り、この処理装置１内の底部には、被処理体であるウエ
ハＷを載置する載置台２０が設けられている。そして、
管路１２から供給された処理ガスが、処理装置１の内部
においてウエハＷに対して均一に吹き付けられるように
なっている。図示はしないが、載置台２０には、ウエハ
Ｗを所定温度に設定するための加熱装置が内蔵されてお
り、これによってウエハＷが所定温度に維持されつつ、
処理ガスが吹き付けられることにより、処理装置１の内
部においてウエハＷのＡＤ処理が行われる。
【００１８】また、処理装置１の下方には、処理装置１
内を排気するための排気管２１が接続されている。この
排気管２１には、処理装置１内を負圧にするためのエゼ
クタ（空気圧式真空装置）２２が開閉バルブ２３を介し
て設けられている。また、エゼクタ２２には、処理装置
１内を負圧にする際に必要となる駆動用の圧力空気を供
給する駆動空気供給管２４が、開閉バルブ２５を介して
設けられている。
内を排気するための排気管２１が接続されている。この
排気管２１には、処理装置１内を負圧にするためのエゼ
クタ（空気圧式真空装置）２２が開閉バルブ２３を介し
て設けられている。また、エゼクタ２２には、処理装置
１内を負圧にする際に必要となる駆動用の圧力空気を供
給する駆動空気供給管２４が、開閉バルブ２５を介して
設けられている。
【００１９】さて、以上のように構成された本発明の実
施例にかかるＨＭＤＳ供給装置２において、処理装置１
に処理ガスを供給し、ウエハＷに対してＡＤ処理を実施
する場合には、まず、開閉バルブ２３、２５を開状態と
し、エゼクタ２２に駆動空気供給管２４からの駆動用の
圧力空気を送って、処理装置１内の雰囲気を吸引排気
し、処理装置１内を負圧にする。一方、タンク３の内部
には、管路４を介してＨＭＤＳ５が供給されており、密
閉状態にされたタンク３内でＨＭＤＳ５が蒸発すること
によりベーパー状となった処理ガスが発生し飽和雰囲気
状態となっている。この場合において、前記レベルセン
サ７によってタンク３内におけるＨＭＤＳ５の液面高さ
を検知し、管路４に設けられたバルブ６を適宜開閉操作
することによって、ＨＭＤＳ５の液面高さは常に一定に
保たれている。
施例にかかるＨＭＤＳ供給装置２において、処理装置１
に処理ガスを供給し、ウエハＷに対してＡＤ処理を実施
する場合には、まず、開閉バルブ２３、２５を開状態と
し、エゼクタ２２に駆動空気供給管２４からの駆動用の
圧力空気を送って、処理装置１内の雰囲気を吸引排気
し、処理装置１内を負圧にする。一方、タンク３の内部
には、管路４を介してＨＭＤＳ５が供給されており、密
閉状態にされたタンク３内でＨＭＤＳ５が蒸発すること
によりベーパー状となった処理ガスが発生し飽和雰囲気
状態となっている。この場合において、前記レベルセン
サ７によってタンク３内におけるＨＭＤＳ５の液面高さ
を検知し、管路４に設けられたバルブ６を適宜開閉操作
することによって、ＨＭＤＳ５の液面高さは常に一定に
保たれている。
【００２０】このように、タンク３内にＨＭＤＳ５の蒸
気である処理ガスを発生させ、処理装置１内を負圧にし
た後、マスフローコントローラ１３を操作することによ
ってタンク３内に所定の流量でＮ2ガスを供給する。タ
ンク３内に供給されたＮ2ガスは、タンク３内に発生し
ている処理ガスを伴って、管路１２を介して連通してい
る前記処理装置１内の負圧によって吸引されることとな
り、こうして処理ガスが前記処理装置１内へと供給さ
れ、所定温度に設定された載置台２０上に載置されたウ
エハＷに吹き付けられることにより、ウエハＷに対して
ＡＤ処理が行われる。
気である処理ガスを発生させ、処理装置１内を負圧にし
た後、マスフローコントローラ１３を操作することによ
ってタンク３内に所定の流量でＮ2ガスを供給する。タ
ンク３内に供給されたＮ2ガスは、タンク３内に発生し
ている処理ガスを伴って、管路１２を介して連通してい
る前記処理装置１内の負圧によって吸引されることとな
り、こうして処理ガスが前記処理装置１内へと供給さ
れ、所定温度に設定された載置台２０上に載置されたウ
エハＷに吹き付けられることにより、ウエハＷに対して
ＡＤ処理が行われる。
【００２１】かかる場合、前記処理装置１内へ供給する
処理ガスの濃度はＡＤ処理の均一性などの点から所定の
値に維持する必要がある。そのためにはキャリア用のＮ
2ガスの流量を制御する他、タンク３内へ供給するＮ2ガ
スの温度を調整することによって、タンク３内に発生す
るＨＭＤＳ５の蒸気の量を調整することができる。ま
た、タンク３の外部から熱を供給しまたは取り去ること
によって、タンク３内のＨＭＤＳ５の温度を所定の温度
に調整することによって、処理ガスの濃度をコントロー
ルすることができる。
処理ガスの濃度はＡＤ処理の均一性などの点から所定の
値に維持する必要がある。そのためにはキャリア用のＮ
2ガスの流量を制御する他、タンク３内へ供給するＮ2ガ
スの温度を調整することによって、タンク３内に発生す
るＨＭＤＳ５の蒸気の量を調整することができる。ま
た、タンク３の外部から熱を供給しまたは取り去ること
によって、タンク３内のＨＭＤＳ５の温度を所定の温度
に調整することによって、処理ガスの濃度をコントロー
ルすることができる。
【００２２】かくして、ウエハＷに対するＡＤ処理を終
了したら、Ｎ2ガスを更に処理装置１内に供給して、管
路１２および処理装置１内をＮ2置換する。このよう
に、本実施例のＨＭＤＳ供給装置２においては、バブリ
ング操作を加えていないので、タンク３内においてＨＭ
ＤＳ５の液面が波立つことがなく、液面は静止状態を維
持し、前記レベルセンサ７に液面高さが正確に検知され
るようになる。その結果、タンク３内においてＨＭＤＳ
５の液面高さは常に一定に保たれ、処理ガスの蒸発量が
安定し、処理装置１に対して一定の濃度の処理ガスを供
給することが可能となる。
了したら、Ｎ2ガスを更に処理装置１内に供給して、管
路１２および処理装置１内をＮ2置換する。このよう
に、本実施例のＨＭＤＳ供給装置２においては、バブリ
ング操作を加えていないので、タンク３内においてＨＭ
ＤＳ５の液面が波立つことがなく、液面は静止状態を維
持し、前記レベルセンサ７に液面高さが正確に検知され
るようになる。その結果、タンク３内においてＨＭＤＳ
５の液面高さは常に一定に保たれ、処理ガスの蒸発量が
安定し、処理装置１に対して一定の濃度の処理ガスを供
給することが可能となる。
【００２３】次に、以上のようなＨＭＤＳ供給装置２に
おいて、図２に示すように、タンク３内に仕切手段３０
を設けることによって、ＨＭＤＳ５の液面高さをより正
確にレベルセンサ７で検知することが可能となる。図２
に示すものは、仕切手段３０が設けられている点を除け
ば、先に図１で説明したＨＭＤＳ供給装置２と同様の構
成を備えているので、図１と同じ構成要素については図
１と同じ符号を付することにより、説明を省略する。図
示の仕切手段３０は、図３に示すように、円板形状を有
する水平部３１の中央に穿設された孔３２の下側に、円
筒形状の筒体３３を垂設した構成を備えている。そし
て、図２に示すように、タンク３内において、水平部３
１がＨＭＤＳ５の液面の上方に位置し、筒体３３の下方
がＨＭＤＳ５の液中に浸漬するようにして、仕切手段３
０を設けることにより、前記タンク３内の領域を二つの
領域（水平部３１より下側、筒体３３より外側の領域Ａ
と、水平部３１より上側、筒体３３より内側の領域Ｂ）
に区分している。
おいて、図２に示すように、タンク３内に仕切手段３０
を設けることによって、ＨＭＤＳ５の液面高さをより正
確にレベルセンサ７で検知することが可能となる。図２
に示すものは、仕切手段３０が設けられている点を除け
ば、先に図１で説明したＨＭＤＳ供給装置２と同様の構
成を備えているので、図１と同じ構成要素については図
１と同じ符号を付することにより、説明を省略する。図
示の仕切手段３０は、図３に示すように、円板形状を有
する水平部３１の中央に穿設された孔３２の下側に、円
筒形状の筒体３３を垂設した構成を備えている。そし
て、図２に示すように、タンク３内において、水平部３
１がＨＭＤＳ５の液面の上方に位置し、筒体３３の下方
がＨＭＤＳ５の液中に浸漬するようにして、仕切手段３
０を設けることにより、前記タンク３内の領域を二つの
領域（水平部３１より下側、筒体３３より外側の領域Ａ
と、水平部３１より上側、筒体３３より内側の領域Ｂ）
に区分している。
【００２４】そして、この仕切手段３０を設けることに
よって区分されたタンク３内の一方の領域Ａ（水平部３
１より下側、筒体３３より外側の領域）には、管路１０
を開口させ、Ｎ2ガスを仕切手段３０により区分された
この一方の領域Ａにおいて供給する。また、他方の領域
Ｂ（水平部３１より上側、筒体３３より内側の領域）の
筒体３３の内側には、ＨＭＤＳ５の液面高さを検知する
ためのレベルセンサ７を配置する。
よって区分されたタンク３内の一方の領域Ａ（水平部３
１より下側、筒体３３より外側の領域）には、管路１０
を開口させ、Ｎ2ガスを仕切手段３０により区分された
この一方の領域Ａにおいて供給する。また、他方の領域
Ｂ（水平部３１より上側、筒体３３より内側の領域）の
筒体３３の内側には、ＨＭＤＳ５の液面高さを検知する
ためのレベルセンサ７を配置する。
【００２５】従って、この実施例によれば、管路１０か
らのＮ2ガス供給の際に一方の領域Ａ（水平部３１より
下側、筒体３３より外側の領域）において発生する液面
の乱れなどを、仕切手段３０によって区分されている他
方の領域Ｂ（水平部３１より上側、筒体３３より内側の
領域）に伝えることが無く、Ｎ2ガスをタンク３内に供
給する際に液面に与える悪影響を、仕切手段３０の筒体
３３によって排除できるといった特徴がある。また、管
路４からタンク３内にＨＭＤＳ５を供給する際に、領域
ＡでＨＭＤＳ５の波立ちが発生してもその影響を筒体３
３により防止できるため、正確にレベルセンサ７で液面
を検出することもできる。このように、この実施例によ
れば、ＨＭＤＳ５の液面を更に静止安定させた状態で液
面高さを検知できるので、処理液の液面高さを一定に保
つことが容易となる。また、仕切手段３０の水平部３１
の妨げによって管路１０から供給されたＮ2ガスがＨＭ
ＤＳ５の液面近くを通らずに直接管路１２に入り込むこ
とが防止され、タンク３内で蒸発することにより発生し
た処理ガスを、確実に管路１２から処理装置１に供給す
ることができるようになる。
らのＮ2ガス供給の際に一方の領域Ａ（水平部３１より
下側、筒体３３より外側の領域）において発生する液面
の乱れなどを、仕切手段３０によって区分されている他
方の領域Ｂ（水平部３１より上側、筒体３３より内側の
領域）に伝えることが無く、Ｎ2ガスをタンク３内に供
給する際に液面に与える悪影響を、仕切手段３０の筒体
３３によって排除できるといった特徴がある。また、管
路４からタンク３内にＨＭＤＳ５を供給する際に、領域
ＡでＨＭＤＳ５の波立ちが発生してもその影響を筒体３
３により防止できるため、正確にレベルセンサ７で液面
を検出することもできる。このように、この実施例によ
れば、ＨＭＤＳ５の液面を更に静止安定させた状態で液
面高さを検知できるので、処理液の液面高さを一定に保
つことが容易となる。また、仕切手段３０の水平部３１
の妨げによって管路１０から供給されたＮ2ガスがＨＭ
ＤＳ５の液面近くを通らずに直接管路１２に入り込むこ
とが防止され、タンク３内で蒸発することにより発生し
た処理ガスを、確実に管路１２から処理装置１に供給す
ることができるようになる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、処理液の液面高さを一
定に保つことにより、処理ガスの蒸発量を安定させるこ
とができ、処理装置に対して一定の濃度の処理ガスを供
給することが可能となる。従って、従来のように、管路
の内面や処理装置の内壁面に処理液が結露するといった
問題を解決でき、パーティクルの発生を抑制できる。ま
た、本発明の処理液供給装置はバブリング操作を行うた
めの機構が不要であり、低廉な装置を提供できる。
定に保つことにより、処理ガスの蒸発量を安定させるこ
とができ、処理装置に対して一定の濃度の処理ガスを供
給することが可能となる。従って、従来のように、管路
の内面や処理装置の内壁面に処理液が結露するといった
問題を解決でき、パーティクルの発生を抑制できる。ま
た、本発明の処理液供給装置はバブリング操作を行うた
めの機構が不要であり、低廉な装置を提供できる。
【図１】本発明の実施例にかかるＨＭＤＳ供給装置が採
用されたＡＤ処理の処理装置等の系統を示す説明図
用されたＡＤ処理の処理装置等の系統を示す説明図
【図２】タンク内の領域を区分する仕切手段を設けた本
発明の実施例にかかるＨＭＤＳ供給装置の説明図
発明の実施例にかかるＨＭＤＳ供給装置の説明図
【図３】仕切手段の斜視図
【図４】従来の処理液供給装置の説明図
１ 処理装置 ２ ＨＭＤＳ供給装置 ３ タンク ７ レベルセンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 守田 聡 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 恒松 久仁恵 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 処理液が貯留されたタンクにキャリアガ
スを供給し、該タンク内で処理液が蒸発することにより
発生した処理ガスを処理装置に供給する方法であって、 処理を開始する前に前記処理装置内を負圧にし、該負圧
を利用して前記処理ガスを前記処理装置内に供給する、
処理ガスの供給方法。 - 【請求項２】 処理液が貯留されたタンクにキャリアガ
スを供給し、該タンク内で処理液が蒸発することにより
発生した処理ガスを処理装置に供給する装置であって、 前記タンク内に貯留された前記処理液の液面高さを検知
するレベルセンサを前記処理液の液面近傍に配置し、該
レベルセンサで検知することによって前記処理液の液面
高さを常に一定に保つように構成した、処理ガスの供給
装置。 - 【請求項３】 処理液が貯留されたタンクにキャリアガ
スを供給し、該タンク内で処理液が蒸発することにより
発生した処理ガスを処理装置に供給する装置であって、 前記タンク内の領域を区分する仕切手段を設け、該仕切
手段によって区分された一方の領域においてキャリアガ
スを供給し、他方の領域において前記タンク内に貯留さ
れた前記処理液の液面高さを検知するように構成した、
処理ガスの供給装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05353095A JP3259940B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 処理ガスの供給装置 |
| TW085112472A TW338174B (en) | 1995-01-06 | 1995-12-28 | Apparatus for supplying a treatment material |
| US08/580,620 US5733375A (en) | 1995-01-06 | 1995-12-29 | Apparatus for supplying a treatment material |
| KR1019960000126A KR100199681B1 (ko) | 1995-01-06 | 1996-01-05 | 처리제 공급장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05353095A JP3259940B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 処理ガスの供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227848A true JPH08227848A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3259940B2 JP3259940B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=12945374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05353095A Expired - Fee Related JP3259940B2 (ja) | 1995-01-06 | 1995-02-17 | 処理ガスの供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3259940B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044671A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び記憶媒体 |
| JP2013111646A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | ガス発生装置、はんだ接合装置およびはんだ接合方法 |
| WO2018190074A1 (ja) * | 2017-04-13 | 2018-10-18 | 株式会社堀場エステック | 気化装置及び気化システム |
| CN113376977A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-09-10 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种用于匀胶显影机的hmds防漏保护装置 |
| CN116393070A (zh) * | 2023-04-11 | 2023-07-07 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 一种缓释溶氧量配制显影液的共聚器及其使用方法 |
-
1995
- 1995-02-17 JP JP05353095A patent/JP3259940B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044671A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法及び記憶媒体 |
| CN101996859A (zh) * | 2009-08-24 | 2011-03-30 | 东京毅力科创株式会社 | 疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质 |
| US8430967B2 (en) | 2009-08-24 | 2013-04-30 | Tokyo Electron Limited | Hydrophobicizing apparatus, hydrophobicizing method and storage medium |
| CN101996859B (zh) * | 2009-08-24 | 2015-01-21 | 东京毅力科创株式会社 | 疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质 |
| JP2013111646A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | ガス発生装置、はんだ接合装置およびはんだ接合方法 |
| WO2018190074A1 (ja) * | 2017-04-13 | 2018-10-18 | 株式会社堀場エステック | 気化装置及び気化システム |
| JPWO2018190074A1 (ja) * | 2017-04-13 | 2020-02-27 | 株式会社堀場エステック | 気化装置及び気化システム |
| CN113376977A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-09-10 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种用于匀胶显影机的hmds防漏保护装置 |
| CN116393070A (zh) * | 2023-04-11 | 2023-07-07 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 一种缓释溶氧量配制显影液的共聚器及其使用方法 |
| CN116393070B (zh) * | 2023-04-11 | 2024-01-23 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 一种缓释溶氧量配制显影液的共聚器及其使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3259940B2 (ja) | 2002-02-25 |
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