JP2007027567A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007027567A JP2007027567A JP2005210230A JP2005210230A JP2007027567A JP 2007027567 A JP2007027567 A JP 2007027567A JP 2005210230 A JP2005210230 A JP 2005210230A JP 2005210230 A JP2005210230 A JP 2005210230A JP 2007027567 A JP2007027567 A JP 2007027567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- tank
- pure water
- processing apparatus
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 アッシング処理を長期間にわたり安定して行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 水蒸気が導入されたプラズマにより試料をアッシング処理するプラズマ処理装置に前記水蒸気を供給するための水蒸気化装置237において、その中にあるタンク236に貯溜されている純水305の温度を調節するヒータ304と、前記タンク236の中に純水を供給するための経路を構成している供給管路303とバルブ308に設けられ、その中を通流する純水の温度を調節するヒータ304を設け、タンク236内から断続的に行われる水蒸気の供給に際して、温度変化に伴う圧力変動を抑え、水蒸気の供給量の安定化が得られるようにしたもの。
【選択図】 図2
【解決手段】 水蒸気が導入されたプラズマにより試料をアッシング処理するプラズマ処理装置に前記水蒸気を供給するための水蒸気化装置237において、その中にあるタンク236に貯溜されている純水305の温度を調節するヒータ304と、前記タンク236の中に純水を供給するための経路を構成している供給管路303とバルブ308に設けられ、その中を通流する純水の温度を調節するヒータ304を設け、タンク236内から断続的に行われる水蒸気の供給に際して、温度変化に伴う圧力変動を抑え、水蒸気の供給量の安定化が得られるようにしたもの。
【選択図】 図2
Description
本発明は、真空に近く減圧された処理室内にプラズマを形成し、当該処理室内に載置した試料を処理するプラズマ処理装置に係り、特に処理室内に水蒸気を供給して試料を処理するプラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置では、表面に処理対象となる薄膜及び当該薄膜の一部をマスクして処理後の形状を調節するための膜(例えばレジストマスク等)を有する半導体ウエハ等の基板が処理され、半導体素子に加工されるが、このときの加工の典型的な例としては、上記レジストマスクにより覆われていない箇所の薄膜を、溝や穴等の所望の形となるように削るという加工、いわゆるエッチング処理や、このエッチング処理の後にレジストマスクを別の真空容器内に形成したプラズマを用いて灰化して取り除く加工、いわゆるアッシング処理などがある。
ここで、アッシング処理の場合、真空容器からなるアッシング用の処理室の中に、マスクの灰化が可能な種類のガスを導入してプラズマ処理を行う。この場合、プラズマ中のガス粒子とマスクを構成する物質とが反応して気化することで、マスクがエッチング対象の膜上から取り除かれる。なお、この場合、試料を載置する試料台に高周波バイアス電圧を印加することは、通常はない。
ところで、このような灰化処理の技術技術の一例に、基板をドライエッチング室内で塩素系ガスを用いて処理した後、このドライエッチング室にロードロック室を介して連結されたアッシング室内に基板を搬送し、このアッシング室内に水蒸気を供給して基板上のレジストマスクを灰化処理する技術がある(例えば、特許文献1参照。)。
そして、この従来技術では、水(純水)が貯溜されたタンク(密閉された容器)を配管によりアッシング室に連通させ、タンクから水蒸気が供給されるようにしている。
特開平7−86253号公報
上記従来技術は、水蒸気の供給に際してタンク内の純水の温度が変化してしまう点に配慮がされておらず、安定した水蒸気の供給に問題があった。
このような半導体処理プロセスでは、従来技術も含め、純水が貯溜されたタンクを配管で処理室に連通させ、処理室に水蒸気が供給されるようにする方法が一般的であり、この場合、タンク内は減圧状態であり、圧力は水の蒸気圧に平衡している。このとき、従来技術では、水蒸気の飽和蒸気圧と処理室(灰化室)内の圧力の差で水蒸気が供給されるようにしているため、蒸気圧が低いと気化し難くなる。そこで、所望の水蒸気流量を得るため、水が貯溜されているタンクを加熱し、例えば、60℃などの所定の温度に保つようにしている。なお、この場合、タンク内の液面上の空間での気圧は150Torr(絶対圧)になっている。
このように、従来技術では、タンクと処理室を連通させ、流量調節器で流量が制御された水蒸気がアッシング処理装置に供給されるようにしているが、しかし、この場合、純水が供給される毎にタンク内の純水の温度が変動しやすい。ここで純水の温度が低下すると蒸気圧が下るので、処理室内とタンク内の圧力差が減少し、水蒸気を十分な流量で、又は十分な速度で処理室に供給できくなり、処理が不安定になる。そして、この結果、処理の歩留まりが低下してしまうという問題が生じてしまうが、しかし、上記従来技術では、この点について十分に考慮されていなかった。
本発明は、アッシング処理を長期間にわたり安定して行うことができるプラズマ処理装置を提供することにある。
上記目的は、アッシング処理用ガスに水蒸気化手段から供給される水蒸気を混合したガスのプラズマを減圧された容器の中に発生させ、当該容器内で試料のアッシング処理を行う方式のプラズマ処理装置であって、前記水蒸気の供給を、前記容器内の圧力と前記水蒸気化手段の中にある水タンクの中の圧力の差に依存して行うようにしたプラズマ処理装置において、前記水タンクの中に貯溜されている水の温度を調節する第一の温度調節手段と、前記水タンク内に水を供給する経路に配置され、当該経路内を通流する水の温度を調節する第二の温度調節手段とを設け、これら第一の温度調節手段と記第二の温度調節手段による温度調節により、前記水タンク内の圧力が制御されるようにして達成される。
このとき、前記水タンク内に水を供給する経路が、前記水タンク内で当該水タンクに貯溜されている水の水面から上の空間部に開口されているようにしてもよく、前記水タンク内で当該水タンクに貯溜されている水の水面から下の液中に開口されているようにしてもよい。
また、このとき、前記水蒸気の供給のための経路上に配置され、当該経路内を通流する水蒸気の温度を調節する第三の温度調節手段が設けられているようにしてもよく、或いは前記水タンクからの水蒸気供給経路上に配置された通路開閉手段を備え、前記開閉手段は、前記水タンク内に水を供給する経路から前記水タンク内に水が供給されるときに閉じられるようにしてもよい。
本発明によれば、水蒸気の供給源となるタンクに水を補給する際、当該水の温度をタンク内に貯溜されている水と略同じ温度に調節しておくようにしたので、水を供給したときのタンク内の水の温度変化が抑制され、水の供給による蒸気圧変動を抑制することができる。
従って、本発明によれば、処理室内とタンク内の圧力差による水蒸気の供給が安定化されるので、処理が不安定になる虞がなく、この結果、処理の歩留まり向上を得ることができる。
以下、本発明によるプラズマ処理装置について、図示の実施の形態により詳細に説明する。ここで、まず、図1は、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態が適用された真空処理装置の一例を平面図で示したもので、装置全体は100で表わしてあり、この図面では、上方が真空処理装置100の前方で、下方が後方になっている。
そして、まず、真空処理装置100の前方側には、試料収納カセット20があり、その前面側には大気側試料搬送容器22が備えられ、他方、その後方側には、試料が内部に配置された状態で密封されていて、その内部が大気圧から真空まで圧力調節されるロードロック室容器13、14が配置されている。そして、これらロードロック室容器13、14は、その内部が高度な真空状態に減圧される空間を備えた真空側試料搬送容器10に接続されている。
ここで、この真空側試料搬送容器10には、図示されていないが、ロボットアームが設けてあり、これにより、真空側試料搬送室10とロードロック室容器13、14内のロードロック室の間で、試料が、真空のもとでやりとりされるようになっている。このとき、真空側試料搬送容器10は、図示のように、平面形状が略多角形(本図では略五角形)に作られ、その外周の各辺を構成する側面に、夫々の処理ユニット11a、12aと、処理ユニット11b、12bが、各々の内部が真空側試料搬送容器10内を介して、連通可能な状態で取付けられている。
従って、この実施形態の場合、真空処理装置の前方側は、大気圧で処理対象の試料が取り扱われる大気側ブロック101となっていて、ロードロック室容器13、14が設けられている後方側は、真空下で試料が取り扱われる真空側ブロック102となっていることになる。
次に、この真空処理装置100における試料処理の流れについて説明する。まず、カセット20に収納された試料は、大気側試料搬送容器22に格納されている図示しない搬送ロボットにより、一枚ずつロードロック室容器13内に運び込まれる。このときロードロック室容器13の前後(大気側試料搬送容器21側及び真空側試料搬送容器10側)には、ロードロック室容器13の内部を密閉するゲートバルブが備え付けられており、大気圧状態で試料が収納された後、ゲートバルブを閉めてロードロック室容器13の内部を減圧するようになっている。
ロードロック室容器13の内部が減圧され、真空状態になったら、この後、真空側試料搬送容器10側のゲートバルブを開放し、真空側試料搬送容器10内の試料を、搬送ロボットにより、周囲に配置された処理ユニットの何れかに搬送し、処理ユニット内に形成されている処理室内の試料台の上に試料を載置した後、当該処理室を密封し、処理用のガスを供給しつつ、その処理室の内部を所定の圧力に維持し、ガスを用いたプラズマが形成され、試料の処理が行われる。従って、プラズマ処理装置は、これら処理ユニットにより構成されていることになる。
試料の処理が終了したら、今度は処理室を開放し、試料が再び真空側試料搬送容器10内の搬送ロボットにより、真空状態にあるロードロック室容器14内に搬送される。そして、この後、真空側試料搬送容器10側のゲートバルブを閉塞し内部を密閉してから大気を導入し、大気圧状態にした後、大気側試料搬送容器21側のゲートバルブを開放させ、搬送ロボットにより、試料がカセット20に戻される。
ここで、ロードロック室容器13、14の内側の室は、いずれにおいても大気圧から真空状態、真空状態から大気圧までのいずれの圧力変更も可能に構成されているので、試料のやりとりは、ロードロック室容器13、14の何れにおいても可能になっている。
次に、ここで真空側試料搬送容器10の外周には、異なる種類の処理を行うため、複数種類の複数台の処理ユニットが、真空側試料搬送容器10と連通可能に取り付けることができる。この実施形態では、まず処理ユニット11a、11bは、その内部の処理室内でエッチング処理を行うエッチング処理ユニットになっており、次に処理ユニット12a、12bは、その内部の処理室内でアッシング処理を行うアッシング処理ユニットになっている。
そして、これらの処理ユニット11a、11b、12a、12bは、これらが連結された真空側試料搬送容器10内の搬送室を介して、それぞれの処理ユニットの処理室内で処理を行った試料を残る他の処理ユニットの処理室内に搬送して、試料に異なる処理を連続して施すことが可能に構成されている。例えば、エッチング処理ユニット11aにおいてその表面にエッチング処理が行われた試料を大気に曝すことなく真空側試料搬送容器10内を通りアッシング処理ユニット12a内の処理室に搬送した後、試料表面のマスクを灰化(アッシング)処理して除去することができ、これにより、処理のスループットの向上が得られる。
次に、図2は、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態で、これは、図1に示した真空処理装置におけるアッシング処理ユニット12a、12bに本発明を適用し、エッチング処理ユニット11a(図1)におけるドライエッチングと、このドライエッチングのマスクに用いたレジスト膜の除去をアッシング処理ユニット12aによって連続して行なうことができるようした場合について示したものであり、このとき、アッシング処理ユニットの真空容器と電界源は図の上側に示され、下方には真空排気装置及び真空容器内に供給される各ガスの供給経路が示されている。
ここで、アッシング処理ユニット12a、12b(図1)の主要部はアッシング処理装置200として示してある。そして、これは、図の上方にあって処理室を構成している放電室容器201と、これの下方に配置され、当該放電室容器201に連結された真空室容器202と、放電室容器201の周囲に配置され、内部に電界を供給するための電界源となるコイル203を備え、真空室容器202の下方には、図示しないターボ分子ポンプ及びロータリーポンプ等を備えた真空排気装置が設けられている。
放電室容器202は、その内部で灰化処理を行なうための放電室204が形成され、真空室容器203の内部には真空室205が形成されていて、上方の放電室204内ではコイル203からの電界によってプラズマPが生成され、下方の真空室205内には試料台207が配置されていて、その上に処理対象試料である半導体基板が載置され、プラズマPにより処理されるようになっている。
このとき、放電室204と真空室205の間には金属製のプレート208が配置されている。そして、このプレート208には複数の孔が形成されていて、これらの孔を通って上方のプラズマP中の粒子が下方の真空室205内に移動するようになっているが、この実施形態では、このプレート208が所定の電位にされていて、その上方のプラズマPに面した方の表面に現れる電位によりプラズマPの電位が安定化され、これと共に、プラズマPの中の荷電粒子の割合が抑制され、レジスト膜を構成する物質と高い反応性を有する反応性粒子の割合が高くされて下方へ導入されるようになっている。
この実施形態では、放電室容器202が略円筒形をした誘電体で作られ、内部の放電室204も断面が略円形の空間をなすようにしてある。そして、この放電室容器202の上部には、導体製のシャワープレート209が、放電室容器202上端部を構成する部材に載せられて配置され、放電室204の天面を構成し、更に、このシャワープレート209の上方には、真空容器を構成する絶縁体製の上部プレート210が配置されている。
放電室204にはプラズマ用のガスが供給されるか、このガスは真空容器外のガス管路214を介して供給され、放電室容器202及び上部プレート210を支持している支柱215内に形成されている支柱内管路216を通って上部ガス通路213内に供給されるようになっており、このときのガスの導入流量は、ガス管路214に設けてあるバルブ217により調節される。
上部プレート210の中央部には、少なくとも1個のガス導入用の貫通孔211が設けてあり、これによりシャワープレート209と上部プレート210との間の空間であるバッファ室212と、上部プレート210の上方に配置された上部ガス通路213とが連通されるようになっているが、このとき上部ガス通路213は、上部プレート210の上面の一部を覆うカバー内の空間として構成されている。
このときコイル203は、その一端が高周波電源218に接続され、他端が接地されていて、これにより高周波電源218から高周波電力が供給され、放電室204内に電界を形成させる、一種のアンテナとして機能する。このときのコイル203による電界は、放電室容器202の外方にも形成されてしまうので、放電室容器202及びコイル203の外周には、これらを覆う導電体製のカバー219を配置させ、コイル203による電界の漏洩を抑え、これによる影響が抑制されるようにしている。
次に、アッシング処理ユニット12a、12bによるアッシング処理について説明すると、これは、例えば、エッチング処理ユニット11aで処理が行われた後の試料である基板220が、減圧された真空側試料搬送容器10内に配置されたロボットアーム221上に載置されて、ゲートバルブ222により開閉されるゲート223内を通り、真空室205内に搬送されて、試料台207上の載置面上に載せられることにより開始される。
基板220が載せられた後、試料台207は、真空室容器202の下にある駆動アクチュエータ224により上方に移動され、所定の位置に配置される。そして、この後、ゲートバルブ222がゲート223を閉塞し、この後、処理用のガス、例えば酸素(O2)を含むガスが、ガス管路214と支柱内管路216、上部ガス通路213、貫通孔211を介してバッファ室212の中に導入され、下方のシャワープレート209に設けられ、これを貫通して形成されている少なくとも1個の導入孔から放電室204の中に導入される。そして、これと共に、図示しない真空排気装置により放電室204内と真空室205内から内部の気体が排気されて減圧され、所定の圧力に調節される。
このとき、高周波電力による電界が、コイル203から放電室204内の処理用ガスに供給され、処理用ガスのプラズマPが放電室204の中に形成され、この結果、プレート208を介して移動したプラズマP中の粒子により、試料台207の上に載置されている基板220が灰化処理される。
このように、真空処理を行うエッチング処理ユニットによりエッチングした後、そのまま真空を破らず、引き続き真空下において酸素を含むアッシング処理用ガスのプラズマを利用して、レジスト膜をアッシング(灰化)するようにした場合、処理対象膜処理後の腐蝕をより一層、効果的に抑止することができる。
また、このようなアッシング処理用ガスである酸素に水蒸気やフッ化炭素ガスを混合したプラズマのアッシング処理によれば、アルミ(アルミニウム)膜の腐蝕抑止に特に効果的であることが知られているが、これは、プラズマPの中の反応種がレジスト膜と反応し、レジスト膜を灰化する機能と残留エッチングガス成分を除去する機能とを併せ持っているからである。
ここで、この実施形態では、例えば放電室204内に約900cc/minの流量でアッシング処理用ガスの酸素(O2)を流入させたとき、水蒸気(H2 O)を約100cc/minの流量で一緒に流入させ、放電室204内の圧力を約1Torrに保ち、基板220を載置した試料台207の温度を約200℃に保持して、基板220上のレジスト膜のアッシングを行なうようになっている。
このときの処理用ガスは、ガス管路214の他方の端部に接続してあるガス供給装置から供給されるようになっているが、ここで、この実施形態では、複数種類のガスの各々に対応したガス供給装置が用意され、各々によるガス供給経路がガス管路214に連通されるようになっている。すなわち、水蒸気用ガス管路225と、酸素用ガス管路226、他のガス用ガス管路227がガス管路214に連通されている。
これらのガス管路225、226、227は、各々その経路上に、この管路を開閉するバルブ228、229、230と、ガスの流量、或いはガスの速度(流速)を調節する流量調節器(マスフローコントローラ、MFC)231、232、233が設けてあり、これらの管路を通流するガスは、水源233、又はガス源234、235から供給されるようになっている。このとき、ガス源234がアッシング処理用ガスである酸素の供給源になるようにしてある。
ここで、この実施形態では、バルブ228と水源233の間に流量調節器231を含む水蒸気化装置237を設け、水源233からガス管路214を介して、放電室204の中に水蒸気が供給できるようにしてあり、このため、水蒸気化装置237には、水源233から供給される超純水が貯溜されるタンク236が設けてあり、このタンク236の中の超純水から蒸発した水蒸気がガス管路225に導入されるように構成してある。
そこで、この水蒸気化装置237の詳細について、図3により説明すると、まず、この水蒸気化装置237は、大まかにいって、タンク236に接続された水蒸気の供給経路と純水の供給経路で構成されている。
そして、まず、水蒸気の供給経路は、バルブ228から流量調節器231を介してタンク236の中に上から挿入され、タンク236内に貯溜されてる純水305の液面の上方で、液面に対向した開口302を備えた管路により構成されている。ここで、この実施形態では、水蒸気化装置237内に流量調節器231が配置され、管路の開口302に至る経路には水蒸気の供給を調節するバルブ238が設けてある。
次に、純水の供給経路は、水源233から供給される水を処理し、高度の純水、いわゆる超純水にする純水供給装置301と、これに接続された供給管路303で構成され、純水供給装置301により所定の流量、又は速度に調節された純水が供給管路303を通ってタンク236に供給されるようになっている。
このとき、水蒸気化装置237は、上記したように、純水貯溜用のタンク236を備えているが、このタンク236には、その外周を覆ってこれを加熱するヒータ304と、このタンク236内に貯留されている純水305の液面の高さ位置、或いは液面からの深さ位置を検知する液面センサ306が設けられている。
また、水蒸気化装置237の中には、純水の供給管路303の端部を含む一部分が配置され、この端部で純水が流出する出口開口307が、貯留されている純水305の液面の上方に配置され、この出口開口307から流出した純水がタンク306内に貯留されている純水305の液面に直接到達するように配置されている。
このときのヒータ304は、熱伝導性が良く弾性を有する面状の部材にニクロム線等の金属線を蛇行して配置した面状ヒータで作られたもので、この実施形態の場合、略直方体の減圧可能な容器として作られているタンク236の側面と底面を覆って配置されているが、これ以外の加熱手段の適用も可能である。そして、このヒータ304は、図示しない液温センサからの出力に基づいて、これも図示してない温度制御装置により動作が調節される。
純水供給装置301と水蒸気化装置237の間で、これらを連結している供給管路303には、通流する純水の流れを開閉し、調節するバルブ308が設けられている。このとき上記の通り、この供給管路303の端部にある出口開口307は、タンク236内の貯留純水305の液面の上方に配置され、その開口が液面に対向している。従って、この出口開口307から純水が吐き出され、貯留純水305の液面に到達する際、液面に振動が発生し、液面の高さ位置が変動する。そこで、この影響を抑制するため、液面センサ306は、出口開口307から所定距離離して配置することが望ましい。
また、この実施形態では、純水供給装置301から出口開口307に至るまでのバルブ308を含む供給管路303の部分の少なくとも一部の周囲に、これらを覆って配置され内部の純水を加熱するヒータ309が備えられている。このとき、この実施形態では、特に、上記したタンク236を加熱するためのヒータ304と同じく、このヒータ309にも面状ヒータが用いられ、供給管路303の周囲に巻かれて配置されている。
更に、この実施形態では、水蒸気化装置237の真空容器側に配置された水蒸気用ガス管路225の部分又はバルブ228の周囲の少なくとも一部にも、ヒータ304と同様の構成の面状のヒータ311が巻かれていて、水蒸気用ガス管路225内を通流する水蒸気がその内部で再度液化することを抑制している。
このような構成にすることにより、水源233から供給される水は、純水供給装置301により純水化され、供給管路303を通って水蒸気化装置237内のタンク236に供給され、貯留純水305として貯溜される。このときタンク236の中は、貯留純水305の液面上方の空間も含めて減圧された圧力になっている。
ここで、水蒸気用ガス管路225は、その一端が、ガス管路214を介して高度な真空まで減圧される放電室204の内部に連通されており、他端は水蒸気化装置237内のタンク236内部にあって、その端部は開口302として減圧されたタンク236内に連通している。しかし、タンク236内の貯留純水305の液面上方の空間は、減圧されているものの、放電室204内の圧力よりは高い圧力になっており、従って、この空間内の水蒸気は水蒸気用ガス管路225の開口302から水蒸気用のガス管路225内に流入する構成となっている。
そこで、この水蒸気用のガス管路225の経路上に配置されている流量調節器231及びバルブ228、238によれば、放電室204側でのこの管路内の圧力とタンク236側の圧力とを調節することができる。特に、流量調節器231は、水蒸気の流量や速度を調節すると共に、その前後での圧力差を形成する装置としての機能を有している。
そこで、図1に示すように、アッシング処理ユニット12a(12b)の中で基板220が処理される際、酸素のガス源234及び他の種類のガス源235からのガスと共に、水蒸気化装置237から水蒸気がガス管路214内に流入し、上部ガス通路等を介して放電室204内に供給されるようになり、このときの水蒸気の供給量は流量調節器231により調節される。
この処理の進行に伴ってタンク236内の水蒸気がガス管路214から放電室204内に供給されて行き、これと共にタンク236内の水蒸気圧が低下する。そうすると、これを補うように貯留純水305の液面から水蒸気が蒸発し、これに伴って液面が低下していくが、この変化は液面センサ306により検知される。そして、この検知結果はアッシング処理ユニット12a又はアッシング処理装置200の動作を調節する制御装置310に送信され、液面の高さ変化として検出される。
ここで、制御装置310は、液面の高さの変化が所定の値以上であると判断した場合、又は予め定められた液面の高さの最下限の値以下であると判断した場合は、純水供給装置301或はバルブ308に動作指令を発信し、供給管路303を介して純水供給装置301からタンク236に純水が補充されるように制御する。このとき液面センサ306による出力を監視し、予め定められた貯留純水305の液面の高さの最大限の値に達したことが検出されたら純水供給装置301又はバルブ308に指令を送信し、純水の供給を停止させる。
また、このようなタンク236に対する純水の補充は、アッシング処理装置200内での基板220のアッシング処理の開始前、終了後、待機時など、アッシング処理が行われていないときにも制御装置310により実行されるようになっていて、これにより、液面の振動によるタンク236内の水蒸気の量の変動が放電室204内への水蒸気の供給量に及ぼす影響が抑制されるようにしてある。
ところで、既に説明したように、タンク236内は大気圧に比べて減圧状態であり、この状態で圧力が水の蒸気圧に平衡している。このとき従来技術では、この実施形態と同じく、水蒸気の飽和蒸気圧と放電室の内圧差で水蒸気が供給されるようにしているので、蒸気圧が低いと気化しにくい。そこで、従来技術でも、この実施形態のように、所望の流量を得るため、タンク236を所定の温度、例えば、60℃の温度に加熱しており、このため、タンク236内の貯留純水305の上方の空間での気圧は、例えば150Torr(絶対圧)となっており、この圧力は放電室204内の圧力よりも高い値である。
ここでアッシング処理中は、タンク236とアッシングを行う放電室204を連通状態にし、流量調節器231で水蒸気の流量を制御し、アッシング処理装置に水蒸気を供給しているので、タンク236内で純水が気化し水蒸気として消費されるので、タンク236に純水を供給する必要があるが、このとき純水を補充するための供給経路をタンク236に常時連通させておくことができない。
これは、アッシング処理のため水蒸気を供給しているとき、純水を供給するためのバルブ308を開いたとすると、加圧された純水が、そのままガス管路214を介して放電室204まで供給されてしまう虞があるからである。このため、タンク236への純水の補給は、水蒸気を放電室204に供給をしていないとき、つまりタンク236と放電室204を連通する経路を開閉するためのバルブ217、228、238等が閉じられて両者が連通されていない状態のときだけ行われる。
従って、タンク304に対する純水の供給は断続的になるが、この際、タンク236内の純水の温度が変動し易く、供給毎に純水の温度が変化してしまう。純水の温度が一旦低下したとすると蒸気圧が下がって放電室204内の圧力とタンク236内の気圧の差が不足して、充分な流量又は充分な速度で水蒸気を処理室に供給できくなり、処理が不安定となって、ひいては処理の歩留まりが低下してしまう。
そこで、この実施形態では、純水供給装置301内の出口開口307を有する端部から水蒸気化装置237側に連結された箇所までの供給管路303の少なくとも一部の周囲にそれらを覆って配置され内部にある純水を加熱するヒータ309を設け、これにより供給管路303内の純水の温度とタンク236内の貯留純水305の液面の温度に現れる温度差が小さくなるように調節する。
この結果、管路303からタンク236内の液面に到達した純水の温度と、貯留純水305の温度に差に起因する水蒸気の蒸発量の変動や蒸気圧力の変動が抑えられるので、純水補充後のアッシング処理に供給される水蒸気の量や速度が影響を受ける虞が抑制されることになり、従って、この実施形態によれば、アッシング処理特性が安定化されるので、試料となる基板220を連続して複数枚にわたり安定して処理することができ、歩留まりの低下を充分に抑えることができる。
ここで、この図3の実施形態において、純水供給装置301内に加熱手段を設け、この純水供給装置301から水蒸気化装置237側に供給される純水の温度を予め高い温度にしておき、タンク236内の貯留純水305の温度と供給管路303及びバルブ308を介して補充される純水の温度の差が小さくなるように、純水供給装置301の内部の加熱手段の動作を調節するようにしても良い。
次に、図4は、本発明における水蒸気化装置の他の実施形態で、この実施形態が図3に示した実施形態と異なっている点は、供給管路303の出口開口307の位置が、貯留純水305の液面以下の液中に位置している点にあり、その他の点には変わりはない。
このとき、例えば、純水がタンク236内に補充された状態で、貯留純水305の液面高さが予め定められた最大限の値のとき、貯留純水305の深さの1/2以下になるようにして配置してもよく、液面センサ306による液面変動の検知が可能な最低位置以下、又は純水の補充を開始する液面の所定の高さ位置以下に出口開口307が配置されるようにしてもよい。
このようにすることで、液面へ貯溜純水305の補充に際して、液面の温度と異なる温度の純水が液面に直接供給されることがなくなるので、液面の温度の変動が抑制され、液面からの水蒸気の蒸発量や速度の変動が低減され、これにより、放電室204又は真空室205におけるアッシング処理を安定して行なうことができるようになる。
この図4の実施形態でも、図3に示した実施形態と同じく、ヒータ309を供給管路303又はバルブ308の周囲に配置しているが、このとき純水供給装置301の中に加熱手段を設け、純水供給装置301から水蒸気化装置237側に供給される純水の温度を予め高い温度にしておき、タンク236内の液面に到達した際、液面での貯溜純水305の温度と供給管路303及びバルブ308を介して補充される純水の温度の差が小さくなるように、純水供給装置301の内部の加熱手段の動作を調節しても良い。
ところで、以上の図3と図4の実施形態における純水供給装置301から水蒸気化装置237への純水の補充は、液面センサ306からの出力に基づいて、その補充するか否かを制御装置310が判断しているが、少なくとも1枚以上の予め定められた枚数の基板220の処理を行った後、アッシング処理装置200での処理が行われていない状態で、制御装置310が純水供給手段310へ指令を発信し、純水を補充するようにしても良い。このときも、純水が補充された貯溜純水305の液面の高さを検知するために液面センサ307からの検知結果が制御装置310へ出力され、この出力結果に基づいて純水の補充の動作が調節される。
このように、以上の実施形態においては、純水の供給ラインの配管を予めタンク304内の貯留純水305の温度と略同じ温度に調節しておくようにしたので、純水を供給したときのタンク304内の純水の温度変化が抑制され、純水の供給による蒸気圧変動を抑制することができる。このとき水蒸気が供給されるのは液面であることから、純水の供給による温度変化が液面の水温に影響を与えなければ、タンク内の水分の蒸気圧を含む気体の圧力の変動は抑制される。
また、タンク304の下方、例えば底面近傍から純水を供給するようにした実施形態によれば、液面の急激な温度変化が抑制でき、純水の供給によるタンク内の蒸気圧の変動を抑えることができるが、このときの純水の供給は、液面センサ306がその許容される液面高さの下限を検知した場合に行われる。
ここで、液面センサは微小な変化量を検知できないことがあるが、この場合は、下限の値か、それ以下である液面高さを検出したとき、タンク容量に比較して多量の純水が一度に供給されてしまう虞があり、このため液温の温度変化、例えば温度低下が著しい。そこで、この場合は液体フローメータなどの液体の微小流量制御ができるデバイスを純水供給側に設ければよく、これによれば液温に影響を与えない程度の流量の純水を微小流量ずつ供給することができるので、純水供給によるタンク内の蒸気圧の変動を防止できる。
更には、貯留純水の液面の直下に、例えば格子状のヒータを沈め、液面近傍で貯留純水を加熱するような構造にすれば、貯留純水内で対流がおきないような温度分布を液面の近傍に作ることができ、この場合は、液面の急激な温度変化が抑制でき、純水の供給によるタンク内の蒸気圧の変動を更に低減させることができる。
従って、本発明の実施形態によれば、このようにして水蒸気が供給されるアッシング処理装置での処理が安定化されることになる。
P:プラズマ
10:真空側試料搬送容器
11a、11b:エッチング処理ユニット
12a、12b:アッシング処理ユニット
13、14:ロードロック室容器
20:カセット
21:大気側試料搬送容器
100:真空処理室
101:大気側ブロック
102:真空側ブロック
200:アッシング処理装置
201:放電室容器
202:真空室容器
203:コイル
204:放電室
205:真空室
207:試料台
208:プレート
209:シャワープレート
210:上部プレート
211:貫通孔
212:バッファ室
213:上部ガス通路
214:ガス管路
231、232、233:流量調節器
233:水源
236:タンク
237:水蒸気化装置
301:純水供給装置
302:開口
303:供給管路
304:ヒータ
305:貯留純水
306:液面センサ
307:出口開口
308:バルブ
309:ヒータ
310:制御装置。
10:真空側試料搬送容器
11a、11b:エッチング処理ユニット
12a、12b:アッシング処理ユニット
13、14:ロードロック室容器
20:カセット
21:大気側試料搬送容器
100:真空処理室
101:大気側ブロック
102:真空側ブロック
200:アッシング処理装置
201:放電室容器
202:真空室容器
203:コイル
204:放電室
205:真空室
207:試料台
208:プレート
209:シャワープレート
210:上部プレート
211:貫通孔
212:バッファ室
213:上部ガス通路
214:ガス管路
231、232、233:流量調節器
233:水源
236:タンク
237:水蒸気化装置
301:純水供給装置
302:開口
303:供給管路
304:ヒータ
305:貯留純水
306:液面センサ
307:出口開口
308:バルブ
309:ヒータ
310:制御装置。
Claims (5)
- アッシング処理用ガスに水蒸気化手段から供給される水蒸気を混合したガスのプラズマを減圧された容器の中に発生させ、当該容器内で試料のアッシング処理を行う方式のプラズマ処理装置であって、前記水蒸気の供給を、前記容器内の圧力と前記水蒸気化手段の中にある水タンクの中の圧力の差に依存して行うようにしたプラズマ処理装置において、
前記水タンクの中に貯溜されている水の温度を調節する第一の温度調節手段と、
前記水タンク内に水を供給する経路に配置され、当該経路内を通流する水の温度を調節する第二の温度調節手段とを設け、
これら第一の温度調節手段と記第二の温度調節手段による温度調節により、前記水タンク内の圧力が制御されるように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記水タンク内に水を供給する経路が、前記水タンク内で当該水タンクに貯溜されている水の水面から上の空間部に開口されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記水タンク内に水を供給する経路が、前記水タンク内で当該水タンクに貯溜されている水の水面から下の液中に開口されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記水蒸気の供給のための経路上に配置され、当該経路内を通流する水蒸気の温度を調節する第三の温度調節手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記水タンクからの水蒸気供給経路上に配置された通路開閉手段を備え、
前記開閉手段は、前記水タンク内に水を供給する経路から前記水タンク内に水が供給されるときに閉じられることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005210230A JP2007027567A (ja) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005210230A JP2007027567A (ja) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007027567A true JP2007027567A (ja) | 2007-02-01 |
Family
ID=37787904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005210230A Pending JP2007027567A (ja) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007027567A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017067519A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | センサ及び気化器 |
JP2017069303A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理装置の制御方法 |
JP2021089973A (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 株式会社Screenホールディングス | エッチング方法 |
KR20210106622A (ko) | 2020-02-20 | 2021-08-31 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 애싱 장치 |
JP2022512802A (ja) * | 2018-10-26 | 2022-02-07 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッド | ハードマスクを除去するための水蒸気ベースのフッ素含有プラズマ |
-
2005
- 2005-07-20 JP JP2005210230A patent/JP2007027567A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017067519A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | センサ及び気化器 |
JP2017069303A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理装置の制御方法 |
JP2022512802A (ja) * | 2018-10-26 | 2022-02-07 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッド | ハードマスクを除去するための水蒸気ベースのフッ素含有プラズマ |
JP2021089973A (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 株式会社Screenホールディングス | エッチング方法 |
JP7294999B2 (ja) | 2019-12-04 | 2023-06-20 | 株式会社Screenホールディングス | エッチング方法 |
KR20210106622A (ko) | 2020-02-20 | 2021-08-31 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 애싱 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10612143B2 (en) | Raw material gas supply apparatus and film forming apparatus | |
US5832177A (en) | Method for controlling apparatus for supplying steam for ashing process | |
EP0875595B1 (en) | Process-gas supply apparatus | |
JP6199744B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および気化装置 | |
US7244335B2 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
US6432205B1 (en) | Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same | |
US7396771B2 (en) | Plasma etching apparatus and plasma etching method | |
US6157774A (en) | Vapor generating method and apparatus using same | |
KR101788429B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
WO2017056244A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 | |
JP2007027567A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101375203B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP6151943B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2023554113A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US20220262600A1 (en) | Fast gas exchange apparatus, system, and method | |
WO2020246309A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US6115538A (en) | Steam supplying apparatus and method for controlling same | |
CN113302716A (zh) | 针对3d nand集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜 | |
JPH065505A (ja) | フォトレジスト塗布前処理装置 | |
WO2019180906A1 (ja) | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JPH08227848A (ja) | 処理ガスの供給方法と装置 | |
JPH03141192A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
US20230369072A1 (en) | Systems and methods to reduce flow accuracy error for liquid & gas mass flow controller devices | |
JP5456221B2 (ja) | 制御された有機蒸気及び不活性ガス混合物の発生方法及び装置 | |
JPH0574758A (ja) | 化学気相成長装置 |