JP2794355B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は処理装置に関するもの
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
処理部に処理ガスを供給し、半導体ウエハの表面を処理
する処理装置に関するものである。
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
処理部に処理ガスを供給し、半導体ウエハの表面を処理
する処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、被処理体例えば半導体ウエハ等
の表面にフォトレジスト層等を形成する場合、その固着
を良好にするため、半導体ウエハ表面は、ヘキサメチル
ジシラザン（以下ＨＭＤＳという）により前処理が行わ
れる。この前処理の際、処理液収容部内の処理液は、処
理液気化装置によって気化され、気相として半導体ウエ
ハを収容する処理室に供給され、ここで半導体ウエハの
表面に付着する。
の表面にフォトレジスト層等を形成する場合、その固着
を良好にするため、半導体ウエハ表面は、ヘキサメチル
ジシラザン（以下ＨＭＤＳという）により前処理が行わ
れる。この前処理の際、処理液収容部内の処理液は、処
理液気化装置によって気化され、気相として半導体ウエ
ハを収容する処理室に供給され、ここで半導体ウエハの
表面に付着する。
【０００３】従来のこの種の処理装置は、図７に示すよ
うに、例えばキャリアガスである窒素（Ｎ2 ）ガスを供
給するＮ2 ガス供給管ｃと処理室ｅへ処理ガスを供給す
る供給管ｄとを接続する処理液収容部ａ内にバブラーｂ
を配設した構造となっている。このように構成される処
理装置において、バブラーｂにより発生されたＮ2 の泡
によってＨＭＤＳのガスが生成され、このＨＭＤＳガス
が供給管ｄを通って処理室ｅへ供給される。そして、処
理室ｅ内の案内通路ｆに案内されて拡散板ｇの拡散孔ｈ
から加熱載置台ｉ上のウエハＷに噴射される。この場
合、処理室ｅは排気管ｊを介してエゼクタｋに接続さ
れ、駆動用の圧力空気を駆動空気供給管ｍからエゼクタ
ｋに供給することによって、処理室ｅ内は負圧に維持さ
れるようになっている。なお、図７において、ｎ，ｏは
開閉バルブである。
うに、例えばキャリアガスである窒素（Ｎ2 ）ガスを供
給するＮ2 ガス供給管ｃと処理室ｅへ処理ガスを供給す
る供給管ｄとを接続する処理液収容部ａ内にバブラーｂ
を配設した構造となっている。このように構成される処
理装置において、バブラーｂにより発生されたＮ2 の泡
によってＨＭＤＳのガスが生成され、このＨＭＤＳガス
が供給管ｄを通って処理室ｅへ供給される。そして、処
理室ｅ内の案内通路ｆに案内されて拡散板ｇの拡散孔ｈ
から加熱載置台ｉ上のウエハＷに噴射される。この場
合、処理室ｅは排気管ｊを介してエゼクタｋに接続さ
れ、駆動用の圧力空気を駆動空気供給管ｍからエゼクタ
ｋに供給することによって、処理室ｅ内は負圧に維持さ
れるようになっている。なお、図７において、ｎ，ｏは
開閉バルブである。
【０００４】ところで、従来のこの種の処理装置におい
ては、処理液収容部ａ内においてＮ2 の泡が液面ではじ
けると、液滴が生じ、処理液収容部ａから処理室ｅへ通
じる供給管ｄ内で結露してしまうという問題があった。
ては、処理液収容部ａ内においてＮ2 の泡が液面ではじ
けると、液滴が生じ、処理液収容部ａから処理室ｅへ通
じる供給管ｄ内で結露してしまうという問題があった。
【０００５】そこで、このことを防止するため、従来で
はこの処理液収容部ａと処理室ｅとを接続する供給管ｄ
に別のＮ2 供給用配管ｐを接続して、それにより供給管
ｄ内におけるＨＭＤＳガスを希釈して、供給管ｄ内の結
露を防止している。
はこの処理液収容部ａと処理室ｅとを接続する供給管ｄ
に別のＮ2 供給用配管ｐを接続して、それにより供給管
ｄ内におけるＨＭＤＳガスを希釈して、供給管ｄ内の結
露を防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、供給管ｄに別途Ｎ2 ガス
供給用配管ｐを接続しなければならず、しかもＮ2 ガス
の供給量やＨＭＤＳガスの量等を正確に制御する必要が
あるため、配管構造及び制御機器等が複雑かつ多く必要
となり、しかも十分な結露防止ができないという問題が
あった。また、結露した液滴が処理室ｅ内に侵入する
と、ウエハＷに付着してしまい、そのためウエハＷの品
質の低下をきたすという問題もあった。
この種の処理装置においては、供給管ｄに別途Ｎ2 ガス
供給用配管ｐを接続しなければならず、しかもＮ2 ガス
の供給量やＨＭＤＳガスの量等を正確に制御する必要が
あるため、配管構造及び制御機器等が複雑かつ多く必要
となり、しかも十分な結露防止ができないという問題が
あった。また、結露した液滴が処理室ｅ内に侵入する
と、ウエハＷに付着してしまい、そのためウエハＷの品
質の低下をきたすという問題もあった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、配管構造を簡略化し、被処理体処理部に処理のため
必要かつ十分な濃度の処理ガスを確実に供給できるよう
にした処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
で、配管構造を簡略化し、被処理体処理部に処理のため
必要かつ十分な濃度の処理ガスを確実に供給できるよう
にした処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の処理装置は、被処理体処理部と、
処理液収容部と、処理液気化部及びこれらを連結する配
管とを具備する処理装置において、上記処理液収容部
に、処理ガス搬送用の搬送用ガス供給管と上記被処理体
処理部に連通する処理ガス供給管とを接続し、かつ上記
処理液収容部内には、上記搬送用ガス供給管側と処理ガ
ス供給管側との間に、処理液の液面との間にガスの通路
を形成すべく間隔を設けて仕切体を配設したことを特徴
とするものである。
に、この発明の第１の処理装置は、被処理体処理部と、
処理液収容部と、処理液気化部及びこれらを連結する配
管とを具備する処理装置において、上記処理液収容部
に、処理ガス搬送用の搬送用ガス供給管と上記被処理体
処理部に連通する処理ガス供給管とを接続し、かつ上記
処理液収容部内には、上記搬送用ガス供給管側と処理ガ
ス供給管側との間に、処理液の液面との間にガスの通路
を形成すべく間隔を設けて仕切体を配設したことを特徴
とするものである。
【０００９】この第１の発明において、上記仕切体と処
理液の液面との間の気液接触用ガスの通路の間隔は一定
に保持されるものであれば、その保持手段は任意のもの
でよく、例えば仕切体を処理液収容部に対して垂直方向
に移動可能に取付け、仕切体の下端に処理液面に浮上す
るフロートを取付けて間隔を一定にすることもでき、ま
た、仕切体を固定して処理液収容部を仕切体に対して垂
直方向に移動させることによって間隔を一定に保持する
こともできる。更には、処理液収容部及び仕切体の双方
共固定し、処理液の消費した量を補充することによって
も間隔を一定にすることができる。
理液の液面との間の気液接触用ガスの通路の間隔は一定
に保持されるものであれば、その保持手段は任意のもの
でよく、例えば仕切体を処理液収容部に対して垂直方向
に移動可能に取付け、仕切体の下端に処理液面に浮上す
るフロートを取付けて間隔を一定にすることもでき、ま
た、仕切体を固定して処理液収容部を仕切体に対して垂
直方向に移動させることによって間隔を一定に保持する
こともできる。更には、処理液収容部及び仕切体の双方
共固定し、処理液の消費した量を補充することによって
も間隔を一定にすることができる。
【００１０】また、この発明の第２の処理装置は、上記
第１の発明の処理装置と同様に、被処理体処理部と、処
理液収容部と、処理液気化部及びこれらを連結する配管
とを具備する処理装置を前提とし、上記処理液収容部内
に、一端が上記被処理体処理部に連通する処理ガス供給
管に接続されると共に、その他端の拡開開口部が上記処
理液収容部に貯留された処理液の液面近傍に位置するホ
ーン状の仕切体を配設し、この仕切体の外側近接位置に
処理ガス搬送用の搬送用ガス供給口を配設してなること
を特徴とするものである。
第１の発明の処理装置と同様に、被処理体処理部と、処
理液収容部と、処理液気化部及びこれらを連結する配管
とを具備する処理装置を前提とし、上記処理液収容部内
に、一端が上記被処理体処理部に連通する処理ガス供給
管に接続されると共に、その他端の拡開開口部が上記処
理液収容部に貯留された処理液の液面近傍に位置するホ
ーン状の仕切体を配設し、この仕切体の外側近接位置に
処理ガス搬送用の搬送用ガス供給口を配設してなること
を特徴とするものである。
【００１１】この発明において、上記仕切体は拡開開口
部が処理液面に近接する方が好ましく、更に好ましくは
仕切体の拡開開口部を処理液面に対して一定の間隔とな
るように処理液面に追従させる方がよい。この場合、仕
切体を処理液の液面に対して垂直方向に移動可能に配設
することにより、仕切体を処理液面の変動に対して追従
させることができるが、更に好ましくは仕切体の開口部
に処理液面上に浮上するフロートを配設する方がよい。
部が処理液面に近接する方が好ましく、更に好ましくは
仕切体の拡開開口部を処理液面に対して一定の間隔とな
るように処理液面に追従させる方がよい。この場合、仕
切体を処理液の液面に対して垂直方向に移動可能に配設
することにより、仕切体を処理液面の変動に対して追従
させることができるが、更に好ましくは仕切体の開口部
に処理液面上に浮上するフロートを配設する方がよい。
【００１２】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、処理液収容部に供給される搬送用ガスが仕切体
と処理液面との間を通過する際に気液接触して、処理液
を蒸発し、処理ガスを生成する。しかも、Ｎ2 ガスによ
るバブリングは行わないので、液滴の発生がなく、処理
ガス供給管内で結露し難い。生成された処理ガスは処理
ガス供給管を介して被処理体処理部に供給され、ここで
被処理体表面の処理に供される。
よれば、処理液収容部に供給される搬送用ガスが仕切体
と処理液面との間を通過する際に気液接触して、処理液
を蒸発し、処理ガスを生成する。しかも、Ｎ2 ガスによ
るバブリングは行わないので、液滴の発生がなく、処理
ガス供給管内で結露し難い。生成された処理ガスは処理
ガス供給管を介して被処理体処理部に供給され、ここで
被処理体表面の処理に供される。
【００１３】また、仕切体を、処理ガス供給管に接続さ
れ、その先端の拡開開口部が処理液収容部内の液面近傍
に位置するホーン状とし、この仕切体の外側近接位置に
処理ガス搬送用の搬送用ガス供給口を配設することによ
り、ガス供給口から処理液収容部内に供給されるガスが
仕切体の外側面の全域に沿って広がり拡開開口部から処
理液に接触しつつ処理ガス供給管側へ流れるので、処理
液は搬送用ガスに均一に接触して蒸発し、一定濃度の処
理ガスとなる。
れ、その先端の拡開開口部が処理液収容部内の液面近傍
に位置するホーン状とし、この仕切体の外側近接位置に
処理ガス搬送用の搬送用ガス供給口を配設することによ
り、ガス供給口から処理液収容部内に供給されるガスが
仕切体の外側面の全域に沿って広がり拡開開口部から処
理液に接触しつつ処理ガス供給管側へ流れるので、処理
液は搬送用ガスに均一に接触して蒸発し、一定濃度の処
理ガスとなる。
【００１４】また、上記仕切体と処理液面との間隔を常
に一定とすることにより、処理液の液面の変動に影響さ
れることなく、常に一定の濃度の処理ガスを被処理体処
理部へ供給することができる。
に一定とすることにより、処理液の液面の変動に影響さ
れることなく、常に一定の濃度の処理ガスを被処理体処
理部へ供給することができる。
【００１５】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置を半
導体ウエハ前処理装置に適用した場合について説明す
る。
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置を半
導体ウエハ前処理装置に適用した場合について説明す
る。
【００１６】◎第一実施例 図１にはこの発明の処理装置を適用した半導体ウエハ前
処理装置の概略構成図が示されている。
処理装置の概略構成図が示されている。
【００１７】半導体ウエハ前処理装置は被処理体例えば
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する被処
理体処理部１と、処理液気化部である処理液気化装置２
とを処理ガス供給管３（以下に供給管という）を介して
接続してなり、処理液気化装置２で気化された処理ガス
すなわちＨＭＤＳガスを供給管３から処理部１内に供給
して、ウエハＷの表面の前処理を行うように構成されて
いる。
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する被処
理体処理部１と、処理液気化部である処理液気化装置２
とを処理ガス供給管３（以下に供給管という）を介して
接続してなり、処理液気化装置２で気化された処理ガス
すなわちＨＭＤＳガスを供給管３から処理部１内に供給
して、ウエハＷの表面の前処理を行うように構成されて
いる。
【００１８】この場合、処理部１のチャンバ１ａ内に
は、ウエハＷが加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台
４に載置されて収容されており、載置台４の上方には、
多数の拡散孔５を設けた拡散板６とラッパの如く先端部
が広がったホーン形状のＨＭＤＳガスの案内通路７が設
けられている。なお、チャンバ１ａの上部には開閉可能
な蓋１ｂが装着されており、この蓋１ｂの開閉によって
ウエハＷのチャンバ１ａ内への出入れが可能となってい
る。また、処理部１の底部には、処理後のガスを排気す
るための排気管２０が接続されている。排気管２０には
チャンバ１ａ内を負圧に吸引するためのエゼクタ２１
（空気圧式真空装置）が設けられており、エゼクタ２１
には駆動用の圧力空気を供給する駆動空気供給管２２が
接続されている。なお、排気管２０及び駆動空気供給管
２２にはそれぞれ開閉バルブ２３，２４が設けられてい
る。また、ＨＭＤＳガス供給管３には、供給管３を吸気
系に切換接続するための切換バルブ２５が設けられてい
る。
は、ウエハＷが加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台
４に載置されて収容されており、載置台４の上方には、
多数の拡散孔５を設けた拡散板６とラッパの如く先端部
が広がったホーン形状のＨＭＤＳガスの案内通路７が設
けられている。なお、チャンバ１ａの上部には開閉可能
な蓋１ｂが装着されており、この蓋１ｂの開閉によって
ウエハＷのチャンバ１ａ内への出入れが可能となってい
る。また、処理部１の底部には、処理後のガスを排気す
るための排気管２０が接続されている。排気管２０には
チャンバ１ａ内を負圧に吸引するためのエゼクタ２１
（空気圧式真空装置）が設けられており、エゼクタ２１
には駆動用の圧力空気を供給する駆動空気供給管２２が
接続されている。なお、排気管２０及び駆動空気供給管
２２にはそれぞれ開閉バルブ２３，２４が設けられてい
る。また、ＨＭＤＳガス供給管３には、供給管３を吸気
系に切換接続するための切換バルブ２５が設けられてい
る。
【００１９】 一方、処理液気化装置２は、処理液例え
ばＨＭＤＳ液８を収容する処理液収容部である収容タン
ク９に、上記供給管３を接続すると共に、搬送用ガスで
ある窒素（Ｎ2 ）ガスを供給するＮ2 ガス供給管１１を
接続してなり、かつ収容タンク９内には、供給管３側と
Ｎ2 ガス供給管１１側との間、例えば中間位置には両者
を区画すると共に、その下面とＨＭＤＳ液８の液面との
間に気液接触用のガスの通路を形成すべく間隔ｈをおい
て仕切体例えば仕切壁１０を配設してなる。この場合、
仕切壁１０を収容タンク９に貯留されているＨＭＤＳ液
８の液面に対して垂直方向に移動可能に取付け、仕切壁
１０の下端に図示しないフロートを取付けて間隔ｈを常
に一定になるようにするか、仕切壁１０を固定し、図１
に想像線で示すように、収容タンク９を垂直方向に移動
可能な載置板１７上に載置して、載置板１７を上下方向
へ移動して間隔ｈを一定にする他、仕切壁１０及び収容
タンク９の双方を固定し、ＨＭＤＳ液８の消費量分を図
示しない補充タンクから補充することにより間隔ｈを一
定に保持することができるようになっている。
ばＨＭＤＳ液８を収容する処理液収容部である収容タン
ク９に、上記供給管３を接続すると共に、搬送用ガスで
ある窒素（Ｎ2 ）ガスを供給するＮ2 ガス供給管１１を
接続してなり、かつ収容タンク９内には、供給管３側と
Ｎ2 ガス供給管１１側との間、例えば中間位置には両者
を区画すると共に、その下面とＨＭＤＳ液８の液面との
間に気液接触用のガスの通路を形成すべく間隔ｈをおい
て仕切体例えば仕切壁１０を配設してなる。この場合、
仕切壁１０を収容タンク９に貯留されているＨＭＤＳ液
８の液面に対して垂直方向に移動可能に取付け、仕切壁
１０の下端に図示しないフロートを取付けて間隔ｈを常
に一定になるようにするか、仕切壁１０を固定し、図１
に想像線で示すように、収容タンク９を垂直方向に移動
可能な載置板１７上に載置して、載置板１７を上下方向
へ移動して間隔ｈを一定にする他、仕切壁１０及び収容
タンク９の双方を固定し、ＨＭＤＳ液８の消費量分を図
示しない補充タンクから補充することにより間隔ｈを一
定に保持することができるようになっている。
【００２０】なお、Ｎ2 ガス供給管１１に流量計１２が
配設されてＮ2ガスの供給量を管理できるようになって
いる。また、収容タンク９の外周には温度調整手段１８
が配設されて、収容タンク９内の温度が例えば２２℃に
保持されている。
配設されてＮ2ガスの供給量を管理できるようになって
いる。また、収容タンク９の外周には温度調整手段１８
が配設されて、収容タンク９内の温度が例えば２２℃に
保持されている。
【００２１】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、Ｎ2 ガス供給管１１からＮ2 ガスが収容タ
ンク９内に供給されると、Ｎ2 ガスは仕切壁１０の下面
とＨＭＤＳ液８の液面との間の間隔ｈの間隙を通って供
給管３側へ流れる。この際、Ｎ2 ガスとＨＭＤＳ液８と
が気液接触してＨＭＤＳ液８が蒸発し、ベーパー状のＨ
ＭＤＳガスが生成される。生成されたＨＭＤＳガスは供
給管３を流れて被処理体処理部１の案内通路７中の拡散
板６の拡散孔５を通ってウエハＷの表面に均一に拡散さ
れて塗布される。このとき、ＨＭＤＳガスを処理部１に
供給する場合には、開閉バルブ２３，２４を開いて、エ
ゼクタ２１に駆動空気供給管２２から駆動用の圧力空気
を送り、エゼクタ２１により処理部１のチャンバ１ａ等
の雰囲気を吸引排気して減圧する。そして、ＨＭＤＳが
混入したＮ2 ガスが処理部１に供給された後、開閉バル
ブ２４を閉じてエゼクタ２１を止め、Ｎ2 ガスの陽圧に
より気相化したＨＭＤＳガスを圧送し、通常のＨＭＤＳ
処理状態とする。
置において、Ｎ2 ガス供給管１１からＮ2 ガスが収容タ
ンク９内に供給されると、Ｎ2 ガスは仕切壁１０の下面
とＨＭＤＳ液８の液面との間の間隔ｈの間隙を通って供
給管３側へ流れる。この際、Ｎ2 ガスとＨＭＤＳ液８と
が気液接触してＨＭＤＳ液８が蒸発し、ベーパー状のＨ
ＭＤＳガスが生成される。生成されたＨＭＤＳガスは供
給管３を流れて被処理体処理部１の案内通路７中の拡散
板６の拡散孔５を通ってウエハＷの表面に均一に拡散さ
れて塗布される。このとき、ＨＭＤＳガスを処理部１に
供給する場合には、開閉バルブ２３，２４を開いて、エ
ゼクタ２１に駆動空気供給管２２から駆動用の圧力空気
を送り、エゼクタ２１により処理部１のチャンバ１ａ等
の雰囲気を吸引排気して減圧する。そして、ＨＭＤＳが
混入したＮ2 ガスが処理部１に供給された後、開閉バル
ブ２４を閉じてエゼクタ２１を止め、Ｎ2 ガスの陽圧に
より気相化したＨＭＤＳガスを圧送し、通常のＨＭＤＳ
処理状態とする。
【００２２】処理部１のチャンバ１ａ内に供給された気
相状態のＨＭＤＳは加熱されたウエハＷに吹き付けら
れ、ウエハＷの表面が疎水化処理される。フォトレジス
ト塗布前行程としての上記ＨＭＤＳ処理により、後述の
フォトレジスト塗布工程におけるフォトレジストとウエ
ハＷとの密着性・固着性が向上する。
相状態のＨＭＤＳは加熱されたウエハＷに吹き付けら
れ、ウエハＷの表面が疎水化処理される。フォトレジス
ト塗布前行程としての上記ＨＭＤＳ処理により、後述の
フォトレジスト塗布工程におけるフォトレジストとウエ
ハＷとの密着性・固着性が向上する。
【００２３】◎第二実施例 図２はこの発明の処理装置の第二実施例の概略断面図、
図３は第二実施例における処理液気化装置の断面斜視図
が示されている。なお、第二実施例における処理装置は
上記第一実施例と同様に半導体ウエハ前処理装置に適用
した場合であるので、共通する部分は同一の符号を付し
て、その説明は省略する。
図３は第二実施例における処理液気化装置の断面斜視図
が示されている。なお、第二実施例における処理装置は
上記第一実施例と同様に半導体ウエハ前処理装置に適用
した場合であるので、共通する部分は同一の符号を付し
て、その説明は省略する。
【００２４】第二実施例における処理液気化装置２は、
ＨＭＤＳ液８を収容する処理液収容部である収容タンク
９と、この収容タンク９内に配設されて供給管３に接続
される仕切壁１０と、Ｎ2 ガスを収容タンク９内に供給
するＮ2ガス供給管１１とで主要部が構成されている。
ＨＭＤＳ液８を収容する処理液収容部である収容タンク
９と、この収容タンク９内に配設されて供給管３に接続
される仕切壁１０と、Ｎ2 ガスを収容タンク９内に供給
するＮ2ガス供給管１１とで主要部が構成されている。
【００２５】仕切壁１０は、その先端の拡開開口部１０
ａが収容タンク９内のＨＭＤＳ液８の液面近傍に位置す
るホーン状に形成されており、上側基部１０ｂが収容タ
ンク９の天井側の接続口９ａに取付けられている。この
場合、仕切壁１０は収容タンク９に対して固定してもよ
く、あるいは上側基部１０ｂを接続口９ａに対して摺動
可能にして上下移動可能にしてもよい。なおこの場合、
仕切壁１０の水平面に対する角度θは約１０〜３０°で
ある方が望ましい。また、Ｎ2 ガス供給管１１は、仕切
壁１０の外側近接位置に供給口１１ａが臨設されてい
る。したがって、Ｎ2 ガス供給管１１から収容タンク９
内に供給されるＮ2 ガスは仕切壁１０の外側面の全域に
沿って拡散して流下し、拡開開口部１０ａから仕切壁１
０内に向って均一に流れる。この際、Ｎ2 ガスは拡開開
口部１０ａとＨＭＤＳ液８の液面との間隔ｈの隙間を通
過するので、Ｎ2 ガスがＨＭＤＳ液８と接触してＨＭＤ
Ｓ液８が気化される。
ａが収容タンク９内のＨＭＤＳ液８の液面近傍に位置す
るホーン状に形成されており、上側基部１０ｂが収容タ
ンク９の天井側の接続口９ａに取付けられている。この
場合、仕切壁１０は収容タンク９に対して固定してもよ
く、あるいは上側基部１０ｂを接続口９ａに対して摺動
可能にして上下移動可能にしてもよい。なおこの場合、
仕切壁１０の水平面に対する角度θは約１０〜３０°で
ある方が望ましい。また、Ｎ2 ガス供給管１１は、仕切
壁１０の外側近接位置に供給口１１ａが臨設されてい
る。したがって、Ｎ2 ガス供給管１１から収容タンク９
内に供給されるＮ2 ガスは仕切壁１０の外側面の全域に
沿って拡散して流下し、拡開開口部１０ａから仕切壁１
０内に向って均一に流れる。この際、Ｎ2 ガスは拡開開
口部１０ａとＨＭＤＳ液８の液面との間隔ｈの隙間を通
過するので、Ｎ2 ガスがＨＭＤＳ液８と接触してＨＭＤ
Ｓ液８が気化される。
【００２６】上記のように構成される半導体ウエハ前処
理装置において、Ｎ2ガス供給管１１からＮ2 ガスが収
容タンク９内に供給されると、Ｎ2ガスは仕切壁１０の
外周に分散されて外側面の全域に沿って拡開開口部１０
ａから仕切壁１０の内側に流れる。このとき、前述した
ように、Ｎ2 ガスは拡開開口部１０ａとＨＭＤＳ液８の
液面との間隔ｈの隙間を通過するので、ＨＭＤＳ液８が
一定濃度に気化される。そして、気化されたＨＭＤＳガ
スはＮ2 ガスと共に供給管３側へ流れ、上記第一実施例
と同様にウエハＷの前処理が行われる。
理装置において、Ｎ2ガス供給管１１からＮ2 ガスが収
容タンク９内に供給されると、Ｎ2ガスは仕切壁１０の
外周に分散されて外側面の全域に沿って拡開開口部１０
ａから仕切壁１０の内側に流れる。このとき、前述した
ように、Ｎ2 ガスは拡開開口部１０ａとＨＭＤＳ液８の
液面との間隔ｈの隙間を通過するので、ＨＭＤＳ液８が
一定濃度に気化される。そして、気化されたＨＭＤＳガ
スはＮ2 ガスと共に供給管３側へ流れ、上記第一実施例
と同様にウエハＷの前処理が行われる。
【００２７】◎第三実施例 図４はこの発明の第三実施例における処理液気化装置の
概略断面図、図５はその断面斜視図が示されている。
概略断面図、図５はその断面斜視図が示されている。
【００２８】第三実施例は上記第二実施例の仕切壁１０
をＨＭＤＳ液８の液面の変動に追従させて、常に一定の
濃度のＨＭＤＳガスを供給できるようにした場合であ
る。すなわち、仕切壁１０の上側基部に摺動筒部１３を
設け、この摺動筒部１３を収容タンク９の天井側に設け
られた供給管３と接続するシリンダ状案内路１４内に摺
動可能に取付け、この仕切壁１０の拡開開口部１０ａに
は、ＨＭＤＳ液８の液面上に浮上するフロート１５を取
付ける。なお、図４はこのフロート１５にＮ2 ガスの連
通口１６を開設した場合である。このように仕切壁１０
の拡開開口部１０ａにフロート１５を取付けることによ
り、仕切壁１０は収容タンク９に対して垂直方向に移動
可能な状態で、ＨＭＤＳ液８の液面上に浮上され、ＨＭ
ＤＳ液８が減少して液面が下がった場合でも液面の変動
に追従してガス連通口１６の高さ間隔ｈを常に一定とす
ることができる。
をＨＭＤＳ液８の液面の変動に追従させて、常に一定の
濃度のＨＭＤＳガスを供給できるようにした場合であ
る。すなわち、仕切壁１０の上側基部に摺動筒部１３を
設け、この摺動筒部１３を収容タンク９の天井側に設け
られた供給管３と接続するシリンダ状案内路１４内に摺
動可能に取付け、この仕切壁１０の拡開開口部１０ａに
は、ＨＭＤＳ液８の液面上に浮上するフロート１５を取
付ける。なお、図４はこのフロート１５にＮ2 ガスの連
通口１６を開設した場合である。このように仕切壁１０
の拡開開口部１０ａにフロート１５を取付けることによ
り、仕切壁１０は収容タンク９に対して垂直方向に移動
可能な状態で、ＨＭＤＳ液８の液面上に浮上され、ＨＭ
ＤＳ液８が減少して液面が下がった場合でも液面の変動
に追従してガス連通口１６の高さ間隔ｈを常に一定とす
ることができる。
【００２９】したがって、仕切壁１０の外面に沿ってガ
ス連通口１６から仕切壁１０内に流れるＮ2 ガスとＨＭ
ＤＳ液８との接触状態が一定となり、ＨＭＤＳガスの濃
度が一定となる。
ス連通口１６から仕切壁１０内に流れるＮ2 ガスとＨＭ
ＤＳ液８との接触状態が一定となり、ＨＭＤＳガスの濃
度が一定となる。
【００３０】なお、第三実施例において、その他の部分
は上記第二実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。また、この第三実
施例に示すフロートを上記第一実施例の仕切壁１０に取
付けることによって、仕切壁１０とＨＭＤＳ液８の液面
との間隔ｈを一定にすることができることは勿論であ
る。
は上記第二実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。また、この第三実
施例に示すフロートを上記第一実施例の仕切壁１０に取
付けることによって、仕切壁１０とＨＭＤＳ液８の液面
との間隔ｈを一定にすることができることは勿論であ
る。
【００３１】上記のように構成される半導体ウエハ前処
理装置は具体的には、図６に示す半導体ウエハ処理ユニ
ットの一部に組込まれて使用される。すなわち、処理ユ
ニットは、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が配設
された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット３０
にウエハＷを搬入・搬出するための搬入・搬出機構３１
とから主に構成されている。
理装置は具体的には、図６に示す半導体ウエハ処理ユニ
ットの一部に組込まれて使用される。すなわち、処理ユ
ニットは、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が配設
された処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット３０
にウエハＷを搬入・搬出するための搬入・搬出機構３１
とから主に構成されている。
【００３２】搬入・搬出機構３１は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア３２と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア３３と、ウエハＷを吸着保持す
るアーム３４と、このアーム３４をＸ方向、Ｙ方向及び
θ方向にそれぞれ移動させるためのＸ方向移動機構３
５、Ｙ方向移動機構３６及びθ方向移動機構３７と、処
理機構ユニット３０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れる載置台３８とを備えている。また、処理機構ユニッ
ト３０には、ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上さ
せるための前処理を行うこの発明の処理装置である前処
理機構１（具体的には被処理体処理部）と、ウエハＷの
上面にレジスト膜を塗布する塗布機構３９ａ，３９ｂ
と、塗布機構３９ａ，３９ｂでレジスト膜を塗布する前
のウエハＷを冷却して、所定温度に調整するための冷却
機構４０と、ウエハＷに塗布されたレジスト膜中に残存
する溶剤を蒸発させるための加熱処理を行うベーク機構
４１とからなる処理機構が設けられている。また、処理
機構ユニット３０には、上記の各処理機構１，３９ａ〜
４１にウエハＷの搬入及び搬出を行うためのアーム４２
ａを有する搬送機構４２が搬送路４３に沿って移動可能
に配設されている。
を収納するウエハキャリア３２と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア３３と、ウエハＷを吸着保持す
るアーム３４と、このアーム３４をＸ方向、Ｙ方向及び
θ方向にそれぞれ移動させるためのＸ方向移動機構３
５、Ｙ方向移動機構３６及びθ方向移動機構３７と、処
理機構ユニット３０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れる載置台３８とを備えている。また、処理機構ユニッ
ト３０には、ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上さ
せるための前処理を行うこの発明の処理装置である前処
理機構１（具体的には被処理体処理部）と、ウエハＷの
上面にレジスト膜を塗布する塗布機構３９ａ，３９ｂ
と、塗布機構３９ａ，３９ｂでレジスト膜を塗布する前
のウエハＷを冷却して、所定温度に調整するための冷却
機構４０と、ウエハＷに塗布されたレジスト膜中に残存
する溶剤を蒸発させるための加熱処理を行うベーク機構
４１とからなる処理機構が設けられている。また、処理
機構ユニット３０には、上記の各処理機構１，３９ａ〜
４１にウエハＷの搬入及び搬出を行うためのアーム４２
ａを有する搬送機構４２が搬送路４３に沿って移動可能
に配設されている。
【００３３】上記のように構成される処理ユニットにお
いて、搬入・搬出機構３１から搬入されたウエハＷは、
前処理機構１で前処理された後、冷却処理、塗布処理さ
れた後にベーク機構４１で加熱処理され、その後、搬入
・搬出機構３１へ搬送され、そしてウエハキャリア３３
に収納されるのである。
いて、搬入・搬出機構３１から搬入されたウエハＷは、
前処理機構１で前処理された後、冷却処理、塗布処理さ
れた後にベーク機構４１で加熱処理され、その後、搬入
・搬出機構３１へ搬送され、そしてウエハキャリア３３
に収納されるのである。
【００３４】なお、上記実施例では、この発明の処理装
置がフォトレジスト液をウエハに塗布する前のウエハ前
処理装置に適用される場合について説明したが、前処理
装置以外に、所定濃度のガスを使用する処理装置には適
用可能であり、例えば塗布装置、現像装置、ＣＶＤ装置
等の処理装置にも適用できることは勿論である。
置がフォトレジスト液をウエハに塗布する前のウエハ前
処理装置に適用される場合について説明したが、前処理
装置以外に、所定濃度のガスを使用する処理装置には適
用可能であり、例えば塗布装置、現像装置、ＣＶＤ装置
等の処理装置にも適用できることは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。
【００３６】１）請求項１記載の処理装置によれば、配
管構造を簡略化して、安定かつ十分な処理ガスを生成す
ることができる。また、処理ガス供給管内の結露が生じ
難く、被処理体表面に処理液の液滴が付着することがな
いので、被処理体の品質の低下を防止することができ
る。
管構造を簡略化して、安定かつ十分な処理ガスを生成す
ることができる。また、処理ガス供給管内の結露が生じ
難く、被処理体表面に処理液の液滴が付着することがな
いので、被処理体の品質の低下を防止することができ
る。
【００３７】２）請求項２記載の処理装置によれば、上
記１）に加えて更に均一の濃度の処理ガスを生成するこ
とができ、より一層被処理体の品質の向上を図ることが
できる。
記１）に加えて更に均一の濃度の処理ガスを生成するこ
とができ、より一層被処理体の品質の向上を図ることが
できる。
【００３８】３）請求項３記載の処理装置によれば、上
記２）に加えて更に処理ガスの濃度管理を容易にするこ
とができる。
記２）に加えて更に処理ガスの濃度管理を容易にするこ
とができる。
【図１】この発明の第一実施例の処理装置を適用した半
導体ウエハ前処理装置を示す概略構成図である。
導体ウエハ前処理装置を示す概略構成図である。
【図２】この発明の第二実施例の処理装置を適用した半
導体ウエハ前処理装置を示す概略構成図である。
導体ウエハ前処理装置を示す概略構成図である。
【図３】この発明の第二実施例における処理液気化装置
を示す断面斜視図である。
を示す断面斜視図である。
【図４】この発明の第三実施例における処理液気化装置
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図５】第三実施例の処理液気化装置を示す断面斜視図
である。
である。
【図６】図１及び図２の半導体ウエハ前処理装置を適用
した半導体ウエハ処理ユニットを示す概略平面図であ
る。
した半導体ウエハ処理ユニットを示す概略平面図であ
る。
【図７】従来の処理装置を示す概略構成図である。
１ 被処理体処理部 ２ 処理液気化装置（処理液気化部） ３ 処理ガス供給管 ８ ＨＭＤＳ液（処理液） ９ 収容タンク（処理液収容部） １０ 仕切壁（仕切体） １０ａ 拡開開口部 １１ Ｎ2 ガス供給管（搬送用ガス供給管） １１ａ 供給口 １５ フロート １６ ガス連通口 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ｈ 間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/16
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理体処理部と、処理液収容部と、処
理液気化部及びこれらを連結する配管とを具備する処理
装置において、 上記処理液収容部に、処理ガス搬送用の搬送用ガス供給
管と上記被処理体処理部に連通する処理ガス供給管とを
接続し、かつ上記処理液収容部内には、上記搬送用ガス
供給管側と処理ガス供給管側との間に、処理液の液面と
の間にガスの通路を形成すべく間隔を設けて仕切体を配
設したことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 被処理体処理部と、処理液収容部と、処
理液気化部及びこれらを連結する配管とを具備する処理
装置において、 上記処理液収容部内に、一端が上記被処理体処理部に連
通する処理ガス供給管に接続されると共に、その他端の
拡開開口部が上記処理液収容部に貯留された処理液の液
面近傍に位置するホーン状の仕切体を配設し、この仕切
体の外側近接位置に処理ガス搬送用の搬送用ガス供給口
を配設してなることを特徴とする処理装置。 - 【請求項３】 仕切体を処理液の液面に対して垂直方向
に移動可能に配設すると共に、この仕切体を処理液面上
に浮上させるフロートを配設してなることを特徴とする
請求項１又は２記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28732591A JP2794355B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28732591A JP2794355B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102025A JPH05102025A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2794355B2 true JP2794355B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=17715904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28732591A Expired - Fee Related JP2794355B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794355B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| JP4986634B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2012-07-25 | 東京応化工業株式会社 | 気体噴出機構およびこれを組込んだ基板処理装置 |
| JP5368393B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、基板処理装置及び塗布現像装置 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP28732591A patent/JP2794355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102025A (ja) | 1993-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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