JP3425826B2 - 基板処理用流体供給装置 - Google Patents
基板処理用流体供給装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ、フォト
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板に、キャリアガスに処理液
を気化混合した処理流体を供給する基板処理用流体供給
装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の基板処理用流体供給装置として
は、例えば、フォトレジストの基板への密着性を向上す
るために、有機クロルシラン、あるいは、ヘキサメチル
ジシラザン（以下「ＨＭＤＳ」と記す）などの処理液を
キャリアガスに気化混合させ、この処理流体を、処理室
内に装填されている基板の表面に供給するものがあっ
た。 【０００２】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理用流体供給装置の場合、処理流体の温度が移送
中に下がると、気化した処理液が結露して液化し、処理
流体が基板の一部箇所に集中して供給されて処理ムラを
生じるなど、基板表面全体に均一に供給できない欠点が
あった。 【０００３】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、請求項１に係る発明の基板処理用流体
供給装置は、処理流体の移送中において、気化した処理
液が結露によって液化することを簡単な構成で防止でき
るようにすることを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
上述のような目的を達成するために、基板の表面を処理
する処理液を貯留する液溜容器にキャリアガスの導入管
を接続するとともに、基板に処理流体を供給する流体供
給部と前記液溜容器とを移送管を介して接続し、キャリ
アガスに処理液を気化混合した処理流体を基板に供給す
る基板処理用流体供給装置において、前記移送管内を流
動する処理流体の温度がクリーンルーム内の温度よりも
低くなるように調節する温調手段を前記液溜容器に設け
て構成する。 【０００５】 【作用】請求項１に係る発明の基板処理用流体供給装置
の構成によれば、キャリアガスに処理液を気化混合した
処理流体を、クリーンルーム内の温度よりも低い状態で
移送管を経て流体供給部に供給することができる。その
ため、気化してキャリアガスと混合された処理流体が移
送管内で飽和状態となることはない。しかも、液溜容器
に温調手段を設け、移送管での移送途中においてクリー
ンルーム内の温度よりも低くなるようにすることができ
る。 【０００６】 【実施例】次に、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。図１は、本発明に係る第１実施例の基板処理
用流体供給装置を用いた基板表面処理装置を示す概略縦
断面図であり、基板処理室１と、基板Ｗの表面処理用の
ＨＭＤＳ蒸気を供給する基板処理用流体供給装置２とか
ら構成されている。 【０００７】基板処理室１には、上面に基板Ｗを載置し
て吸引孔３ａからの真空吸引により真空吸着保持すると
ともに、その保持した基板Ｗを所定の温度に加熱する熱
処理用の基板載置プレート３が設けられている。 【０００８】基板処理室１の横側方に、基板載置プレー
ト３上に基板Ｗを搬入・搬出するための搬送装置４が設
けられ、一方、基板載置プレート３を貫通して昇降可能
に基板受渡装置５が設けられ、搬送装置４により搬入し
た基板Ｗを基板受渡装置５が受け取り、基板載置プレー
ト３上に下降載置できるように構成されている。 【０００９】基板処理室１の上側は断熱材で形成された
上部ハウジング６で構成され、その上部ハウジング６に
昇降可能に筒状の支持部材７が設けられるととともに、
支持部材７の下端に蓋体８が連接され、更に、蓋体８
に、その外周面との間に隙間を形成する状態でオーバー
フロー用の筒体９が一体的に取り付けられ、かつ、蓋体
８の内部空間を上下に仕切るように水平姿勢で、多数の
細孔を有する流体供給部としての整流板１０が設けられ
ている。基板載置プレート３の周囲には、排気ダクト１
１が付設されている。 【００１０】基板処理用流体供給装置２は、表面処理用
の処理液（ＨＭＤＳ溶液）を貯留するステンレス製の液
溜容器１２に、キャリアガス（Ｎ2 ガス）の導入管１３
を接続するとともに、前記筒状の支持部材７と液溜容器
１２とを移送管１４を介して接続して構成されている。 【００１１】導入管１３には、一定圧力でキャリアガス
を供給するレギュレータ１３ａが付設されている。ま
た、移送管１４には、処理流体の供給量を制御する流量
制御バルブ１５が付設されている。 【００１２】液溜容器１２に、処理液を供給する処理液
供給管１６が接続されるとともに、処理液供給管１６に
開閉弁１７が設けられている。液溜容器１２の底側と上
方側とにわたって連通管１８が接続され、この連通管１
８の上方と下方それぞれに、一対づつの液面計１９ａ，
１９ａ、１９ｂ，１９ｂが設けられ、これらの液面計１
９ａ，１９ａ、１９ｂ，１９ｂがコントローラ２０に接
続されるとともにコントローラ２０と開閉弁１７とが接
続され、液溜容器１２内の処理液量が上方の液面計１９
ａ，１９ａ間に維持されるように開閉弁１７を自動的に
開閉制御し、一方、処理液の供給源での故障などに起因
して開閉弁１７を開いているにもかかわらず、処理液量
が異常に減少した場合には、そのことを下方側の液面計
１９ｂ，１９ｂによって感知し、ブザーやランプなどの
警報装置（図示せず）を作動できるように構成されてい
る。 【００１３】液溜容器１２内の下方に、温調手段として
の熱交換コイル２１が設けられるとともに、その熱交換
コイル２１に、クリーンルーム内の温度約23℃より低温
の約21℃の恒温水が供給されるように構成されている。 【００１４】以上の構成により、移送管１４内を流動す
る処理流体の温度を液溜容器２２側よりも低くならない
ように維持する。これにより、気化してキャリアガスと
混合された処理液が移送管１４内で飽和状態となること
はない。よって、移送管１４内で結露を生じて液化する
ことを防止し、液溜容器１２内で処理液を気化混合した
処理流体を筒状の支持部材７を通じて整流板１０上に供
給し、整流板１０を通じて基板Ｗの表面全面に均一に良
好に供給することができる。上記処理流体としては、Ｈ
ＭＤＳ溶液を気化混合するものに限らず、例えば、有機
クロルシラン溶液を気化混合するなど、各種のものが適
用できる 【００１５】上記実施例では、温調手段として、恒温水
を流す熱交換コイル２１を設けているが、ヒータあるい
は冷却装置などを設けるものでも良い。また、上記実施
例では、温調手段として、液溜容器１２に熱交換コイル
２１を設けているが、これに限らず、例えば、液溜容器
１２などを恒温水ジャケットで覆う構成としても良い。 【００１６】本発明としては、上述実施例のような円形
基板に限らず、角型基板に対する回転式基板洗浄装置に
も適用できる。 【００１７】 【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明の基板処理用流体供給装置によれば、キャリアガスに
処理液を気化混合した処理流体の温度を、移送管を経て
流体供給部に供給するまで、クリーンルーム内の温度よ
りも低くなるようにするから、キャリアガスに処理液を
気化混合した後に飽和状態を越えることを回避でき、処
理流体の移送中において、気化した処理液が結露によっ
て液化することを防止でき、処理ムラを生じずに処理流
体を基板表面全体に均一に供給できるようになった。し
かも、結露を防止するのに、液溜容器に温調手段を設け
るから、移送管全体に温調手段を設ける場合に比べ、構
成を簡単にできて経済的である。
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板に、キャリアガスに処理液
を気化混合した処理流体を供給する基板処理用流体供給
装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の基板処理用流体供給装置として
は、例えば、フォトレジストの基板への密着性を向上す
るために、有機クロルシラン、あるいは、ヘキサメチル
ジシラザン（以下「ＨＭＤＳ」と記す）などの処理液を
キャリアガスに気化混合させ、この処理流体を、処理室
内に装填されている基板の表面に供給するものがあっ
た。 【０００２】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理用流体供給装置の場合、処理流体の温度が移送
中に下がると、気化した処理液が結露して液化し、処理
流体が基板の一部箇所に集中して供給されて処理ムラを
生じるなど、基板表面全体に均一に供給できない欠点が
あった。 【０００３】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、請求項１に係る発明の基板処理用流体
供給装置は、処理流体の移送中において、気化した処理
液が結露によって液化することを簡単な構成で防止でき
るようにすることを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
上述のような目的を達成するために、基板の表面を処理
する処理液を貯留する液溜容器にキャリアガスの導入管
を接続するとともに、基板に処理流体を供給する流体供
給部と前記液溜容器とを移送管を介して接続し、キャリ
アガスに処理液を気化混合した処理流体を基板に供給す
る基板処理用流体供給装置において、前記移送管内を流
動する処理流体の温度がクリーンルーム内の温度よりも
低くなるように調節する温調手段を前記液溜容器に設け
て構成する。 【０００５】 【作用】請求項１に係る発明の基板処理用流体供給装置
の構成によれば、キャリアガスに処理液を気化混合した
処理流体を、クリーンルーム内の温度よりも低い状態で
移送管を経て流体供給部に供給することができる。その
ため、気化してキャリアガスと混合された処理流体が移
送管内で飽和状態となることはない。しかも、液溜容器
に温調手段を設け、移送管での移送途中においてクリー
ンルーム内の温度よりも低くなるようにすることができ
る。 【０００６】 【実施例】次に、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。図１は、本発明に係る第１実施例の基板処理
用流体供給装置を用いた基板表面処理装置を示す概略縦
断面図であり、基板処理室１と、基板Ｗの表面処理用の
ＨＭＤＳ蒸気を供給する基板処理用流体供給装置２とか
ら構成されている。 【０００７】基板処理室１には、上面に基板Ｗを載置し
て吸引孔３ａからの真空吸引により真空吸着保持すると
ともに、その保持した基板Ｗを所定の温度に加熱する熱
処理用の基板載置プレート３が設けられている。 【０００８】基板処理室１の横側方に、基板載置プレー
ト３上に基板Ｗを搬入・搬出するための搬送装置４が設
けられ、一方、基板載置プレート３を貫通して昇降可能
に基板受渡装置５が設けられ、搬送装置４により搬入し
た基板Ｗを基板受渡装置５が受け取り、基板載置プレー
ト３上に下降載置できるように構成されている。 【０００９】基板処理室１の上側は断熱材で形成された
上部ハウジング６で構成され、その上部ハウジング６に
昇降可能に筒状の支持部材７が設けられるととともに、
支持部材７の下端に蓋体８が連接され、更に、蓋体８
に、その外周面との間に隙間を形成する状態でオーバー
フロー用の筒体９が一体的に取り付けられ、かつ、蓋体
８の内部空間を上下に仕切るように水平姿勢で、多数の
細孔を有する流体供給部としての整流板１０が設けられ
ている。基板載置プレート３の周囲には、排気ダクト１
１が付設されている。 【００１０】基板処理用流体供給装置２は、表面処理用
の処理液（ＨＭＤＳ溶液）を貯留するステンレス製の液
溜容器１２に、キャリアガス（Ｎ2 ガス）の導入管１３
を接続するとともに、前記筒状の支持部材７と液溜容器
１２とを移送管１４を介して接続して構成されている。 【００１１】導入管１３には、一定圧力でキャリアガス
を供給するレギュレータ１３ａが付設されている。ま
た、移送管１４には、処理流体の供給量を制御する流量
制御バルブ１５が付設されている。 【００１２】液溜容器１２に、処理液を供給する処理液
供給管１６が接続されるとともに、処理液供給管１６に
開閉弁１７が設けられている。液溜容器１２の底側と上
方側とにわたって連通管１８が接続され、この連通管１
８の上方と下方それぞれに、一対づつの液面計１９ａ，
１９ａ、１９ｂ，１９ｂが設けられ、これらの液面計１
９ａ，１９ａ、１９ｂ，１９ｂがコントローラ２０に接
続されるとともにコントローラ２０と開閉弁１７とが接
続され、液溜容器１２内の処理液量が上方の液面計１９
ａ，１９ａ間に維持されるように開閉弁１７を自動的に
開閉制御し、一方、処理液の供給源での故障などに起因
して開閉弁１７を開いているにもかかわらず、処理液量
が異常に減少した場合には、そのことを下方側の液面計
１９ｂ，１９ｂによって感知し、ブザーやランプなどの
警報装置（図示せず）を作動できるように構成されてい
る。 【００１３】液溜容器１２内の下方に、温調手段として
の熱交換コイル２１が設けられるとともに、その熱交換
コイル２１に、クリーンルーム内の温度約23℃より低温
の約21℃の恒温水が供給されるように構成されている。 【００１４】以上の構成により、移送管１４内を流動す
る処理流体の温度を液溜容器２２側よりも低くならない
ように維持する。これにより、気化してキャリアガスと
混合された処理液が移送管１４内で飽和状態となること
はない。よって、移送管１４内で結露を生じて液化する
ことを防止し、液溜容器１２内で処理液を気化混合した
処理流体を筒状の支持部材７を通じて整流板１０上に供
給し、整流板１０を通じて基板Ｗの表面全面に均一に良
好に供給することができる。上記処理流体としては、Ｈ
ＭＤＳ溶液を気化混合するものに限らず、例えば、有機
クロルシラン溶液を気化混合するなど、各種のものが適
用できる 【００１５】上記実施例では、温調手段として、恒温水
を流す熱交換コイル２１を設けているが、ヒータあるい
は冷却装置などを設けるものでも良い。また、上記実施
例では、温調手段として、液溜容器１２に熱交換コイル
２１を設けているが、これに限らず、例えば、液溜容器
１２などを恒温水ジャケットで覆う構成としても良い。 【００１６】本発明としては、上述実施例のような円形
基板に限らず、角型基板に対する回転式基板洗浄装置に
も適用できる。 【００１７】 【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明の基板処理用流体供給装置によれば、キャリアガスに
処理液を気化混合した処理流体の温度を、移送管を経て
流体供給部に供給するまで、クリーンルーム内の温度よ
りも低くなるようにするから、キャリアガスに処理液を
気化混合した後に飽和状態を越えることを回避でき、処
理流体の移送中において、気化した処理液が結露によっ
て液化することを防止でき、処理ムラを生じずに処理流
体を基板表面全体に均一に供給できるようになった。し
かも、結露を防止するのに、液溜容器に温調手段を設け
るから、移送管全体に温調手段を設ける場合に比べ、構
成を簡単にできて経済的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施例の基板処理用流体供給装置
を用いた基板表面処理装置を示す概略縦断面図である。 【符号の説明】 ２…基板処理用流体供給装置 １０…流体供給部としての整流板 １２…液溜容器 １３…キャリアガスの導入管 １４…移送管 ２１…温調手段としての熱交換コイル
を用いた基板表面処理装置を示す概略縦断面図である。 【符号の説明】 ２…基板処理用流体供給装置 １０…流体供給部としての整流板 １２…液溜容器 １３…キャリアガスの導入管 １４…移送管 ２１…温調手段としての熱交換コイル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 森田 彰彦
京都市伏見区羽束師古川町322番地 大
日本スクリーン製造株式会社 洛西工場
内
(56)参考文献 特開 平５−102022（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−102023（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−102024（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−102025（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−77124（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−39727（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板の表面を処理する処理液を貯留する
液溜容器にキャリアガスの導入管を接続するとともに、
基板に処理流体を供給する流体供給部と前記液溜容器と
を移送管を介して接続し、キャリアガスに処理液を気化
混合した処理流体を基板に供給する基板処理用流体供給
装置において、 前記移送管内を流動する処理流体の温度がクリーンルー
ム内の温度よりも低くなるように調節する温調手段を前
記液溜容器に設けてあることを特徴とする基板処理用流
体供給装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17672095A JP3425826B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 基板処理用流体供給装置 |
| KR1019960022081A KR100210965B1 (ko) | 1995-06-19 | 1996-06-18 | 기판처리용 유체공급방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17672095A JP3425826B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 基板処理用流体供給装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002334790A Division JP4056365B2 (ja) | 2002-11-19 | 2002-11-19 | 基板処理用流体供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097934A JPH097934A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3425826B2 true JP3425826B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=16018603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17672095A Expired - Fee Related JP3425826B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 基板処理用流体供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3425826B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001313252A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP4514657B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-07-28 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| KR100743017B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2007-07-26 | 삼성전기주식회사 | 습식처리장치 |
| KR100815966B1 (ko) * | 2007-04-13 | 2008-03-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리액의 온도를 조절하기 위한 장치 |
| KR101342147B1 (ko) * | 2012-09-06 | 2013-12-13 | 주식회사 디엠에스 | 세정액 공급장치 |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP17672095A patent/JP3425826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH097934A (ja) | 1997-01-10 |
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