JP2007335544A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パン内の水表面の揺れを抑制すると共に、加熱手段と水表面との距離変動を抑制して、湿度制御性の向上及び処理精度の向上を図れるようにした基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に所定の処理を施すレジスト塗布処理ユニット11と、この処理ユニットに配管30を介して接続される外気供給ユニット20に配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器25及び該加湿器で加湿された空気を処理ユニット内に供給する送風機24と、を具備する基板処理装置において、加湿器は、送風機により取り入れられた水平気流の直下に位置するパン26内に、純水27と純水を加熱するヒータ28を収容すると共に、気流によって生じる水面の揺れを抑制する液揺れ防止手段であるメッシュ体29を具備する。
【選択図】 図4
【解決手段】被処理基板に所定の処理を施すレジスト塗布処理ユニット11と、この処理ユニットに配管30を介して接続される外気供給ユニット20に配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器25及び該加湿器で加湿された空気を処理ユニット内に供給する送風機24と、を具備する基板処理装置において、加湿器は、送風機により取り入れられた水平気流の直下に位置するパン26内に、純水27と純水を加熱するヒータ28を収容すると共に、気流によって生じる水面の揺れを抑制する液揺れ防止手段であるメッシュ体29を具備する。
【選択図】 図4
Description
この発明は、例えば半導体ウエハやLCDガラス基板等の基板処理装置に関するものである。
一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハやLCDガラス基板等(以下にウエハ等という)の上にITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、ウエハ等にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
このようなフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布処理では、レジスト液を塗布した後に形成されるレジスト膜の膜厚精度等に及ぼす温度や湿度の影響が大きいため、レジスト塗布処理ユニット内の空気の温度及び湿度を高精度に管理する必要がある。
そこで、従来では、レジスト塗布処理ユニット外の外気(例えば、23℃)を冷却器に取り入れて、露点温度以下(例えば、7℃,相対湿度:95〜100%)に冷却して空気の単位体積中に含まれる水分の絶対量を低減し、次いで、加温器により所定温度(例えば、23℃)に温度調整し、この時点では空気中の湿度が低く維持されているため、その後、加湿器により所定湿度(例えば、40〜50%)に湿度調整して、レジスト塗布処理ユニットに供給している(例えば、特許文献1参照)。
この場合、一般にパン型の加湿器、すなわちパン内に水(純水)とヒータや加熱媒体を流通する熱交換管等の加熱手段を収容し、加熱手段で水(純水)を蒸発させる加湿器が使用されている(例えば、特許文献2参照)。そして、加湿器で生成された蒸気を送風機により取り入れられた外気の気流によってレジスト塗布処理ユニット内に供給している。
特開2001−144011号公報(特許請求の範囲、段落番号0006,0007、図6)
特開2003−7600号公報(特許請求の範囲、図5,図7)
しかしながら、上記パン型の加湿器においては、送風機による気流によってパン内の水面が揺れて、ヒータ等の加熱手段と水表面との距離が変動するという問題があった。このように、加熱手段と水表面との距離が変動すると、湿度制御性が悪化すると共に、処理ユニット内に供給される空気の湿度が不安定となり、処理精度が低下するという問題がある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、パン内の水表面の揺れを抑制すると共に、加熱手段と水表面との距離変動を抑制して、湿度制御性の向上及び処理精度の向上を図れるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、被処理基板に所定の処理を施す処理ユニットと、この処理ユニットに配管を介して接続される外気供給ユニットに配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器及び該加湿器で加湿された空気を上記処理ユニット内に供給する送風機とを具備する基板処理装置であって、 上記加湿器は、上記送風機により取り入れられた水平気流の直下に位置するパン内に、水と該水を加熱する加熱手段を収容すると共に、気流によって生じる水面の揺れを抑制する液揺れ防止手段を具備してなる、ことを特徴とする。
この発明において、上記加熱手段には、例えば水を直接加熱するヒータ、あるいは、水を間接的に加熱する所定の温度の熱媒体を流通する熱交換管等のいずれも含む。また、この発明において、上記液揺れ防止手段を、上記水平気流と直交する方向に延びる棒状のメッシュ体にて形成する方が好ましい(請求項2)。
上記のように構成することにより、液揺れ防止手段により気流によって生じる水面の揺れを抑制することができるので、加熱手段と水表面との距離の変動を抑制することができ、加熱手段の加熱による水の蒸発を安定化させることができる。この場合、液揺れ防止手段を、水平気流と直交する方向に延びる棒状のメッシュ体にて形成することにより、気流によって生じる水面の揺れをメッシュ体にて吸収することができる(請求項2)。
また、請求項3記載の発明は、請求項1記載の基板処理装置において、上記加熱手段と液揺れ防止手段とを一体に形成すべく、加熱手段を、パン内の液面に対して平行に配設されるメッシュ状面ヒータにて形成してなる、ことを特徴とする。
このように構成することにより、メッシュ状面ヒータにより気流によって生じる水面の揺れを抑制することができるので、メッシュ状面ヒータと水表面との距離の変動を抑制することができ、かつ、メッシュ状面ヒータの加熱による水の蒸発を安定化させることができる。
また、請求項4記載の発明は、請求項1記載の基板処理装置において、上記加熱手段と液揺れ防止手段とを一体に形成すべく、加熱手段を、水平気流に対して直交する方向に延び、かつ、互いに間隔を置いて配列される複数のパネル状ヒータにて形成してなる、ことを特徴とする。
このように構成することにより、複数のパネル状ヒータによりパン内に収容(貯留)された水の領域を複数のパネル状ヒータによって仕切ることができるで、パネル状ヒータ自身が、気流によって生じる水面の揺れを抑制することができ、パネル状ヒータと水表面との距離の変動を抑制することができ、かつ、パネル状ヒータの加熱による水の蒸発を安定化させることができる。
また、請求項5記載の発明は、被処理基板に所定の処理を施す処理ユニットと、この処理ユニットに配管を介して接続される外気供給ユニットに配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器及び該加湿器で加湿された空気を上記処理ユニット内に供給する送風機とを具備する基板処理装置であって、 上記加湿器は、上記送風機により取り入れられた水平気流の直下に位置するパン内に、水と該水を加熱する加熱手段を収容してなり、 上記パンは、気流によって生じる水面の揺れを抑制すべくパン開口部を閉塞する蓋と、該蓋の上部に設けられた複数の貫通孔に連通する蒸気誘導用の筒状ノズルと、を具備する、ことを特徴とする。
このように構成することにより、パン開口部を閉塞する蓋により気流と水表面との接触を遮断することができるので、気流によって生じる水面の揺れを抑制することができ、加熱手段と水表面との距離の変動を抑制することができる。また、加熱手段の加熱により生成された蒸気(加湿空気)は、筒状ノズルによってパンの上方へ誘導され、気流によって処理ユニット内に供給される。
加えて、請求項6記載の発明は、被処理基板に所定の処理を施す処理ユニットと、この処理ユニットに配管を介して接続される外気供給ユニットに配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器及び該加湿器で加湿された空気を上記処理ユニット内に供給する送風機とを具備する基板処理装置であって、 上記加湿器は、パン内に水と該水を加熱する加熱手段を収容してなり、 上記送風機は上記パンの開口部上方に配設され、パン内の水面の揺れを抑制すべく水面と平行な気流を発生するように形成してなる、ことを特徴とする。
このように構成することにより、送風機によって発生する水面と平行な気流により水面の揺れを抑制することができるので、加熱手段と水表面との距離の変動を抑制することができ、かつ、加熱手段の加熱による水の蒸発を安定化させることができる。
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果を奏する。
(1)請求項1記載の発明によれば、液揺れ防止手段により気流によって生じる水面の揺れを抑制すると共に、加熱手段と水表面との距離の変動を抑制することができ、加熱手段の加熱による水の蒸発を安定化させることができるので、加湿制御の向上及び処理精度の向上を図ることができる。この場合、液揺れ防止手段を、水平気流と直交する方向に延びる棒状のメッシュ体にて形成することにより、気流によって生じる水面の揺れをメッシュ体にて吸収することができ、更に加湿制御の向上及び処理精度の向上を図ることができる(請求項2)。
(2)請求項3記載の発明によれば、メッシュ状面ヒータにより気流によって生じる水面の揺れを抑制すると共に、メッシュ状面ヒータと水表面との距離の変動を抑制することができ、かつ、メッシュ状面ヒータの加熱による水の蒸発を安定化させることができるので、上記(1)に加えて、更に構成部材の削減が図れると共に、装置の簡略化が図れる。
(3)請求項4記載の発明によれば、複数のパネル状ヒータにより気流によって生じる水面の揺れを抑制することができると共に、パネル状ヒータと水表面との距離の変動を抑制することができ、かつ、パネル状ヒータの加熱による水の蒸発を安定化させることができるので、上記(1)に加えて、更に構成部材の削減が図れると共に、装置の簡略化が図れる。
(4)請求項5記載の発明によれば、パン開口部を閉塞する蓋により気流と水表面との接触を遮断することにより、気流によって生じる水面の揺れを抑制することができると共に、加熱手段と水表面との距離の変動を抑制することができるので、加湿制御の向上及び処理精度の向上を図ることができる。また、加熱手段の加熱により生成された蒸気(加湿空気)は、筒状ノズルによってパンの上方へ誘導され、気流によって処理ユニット内に供給されるので、加湿空気を安定した状態で処理ユニット内に供給することができる。
(5)請求項6記載の発明によれば、送風機によって発生する水面と平行な気流により水面の揺れを抑制することができると共に、加熱手段と水表面との距離の変動を抑制することができ、かつ、加熱手段の加熱による水の蒸発を安定化させることができるので、加湿制御の向上及び処理精度の向上を図ることができる。
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハのレジスト液塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
上記レジスト液塗布・現像処理システムは、図1ないし図3に示すように、被処理基板である半導体ウエハW(以下にウエハWという)をウエハカセット101で複数枚例えば25枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット101に対してウエハWを搬出・搬入したりするための搬入部及び搬出部として機能するカセットステーション110と、塗布現像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理装置本体を具備する処理ステーション120と、この処理ステーション120と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡すためのインター・フェース部130とで主要部が構成されている。
上記カセットステーション110は、図1に示すように、カセット載置台102上の突起103の位置に複数個例えば4個までのウエハカセット101がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション120側に向けて水平のX方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向(X方向)及びウエハカセット101内に垂直方向に沿って収容されたウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送用ピンセット104が各ウエハカセット101に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット104は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション120側の第3の組G3の多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALIM)及びエクステンションユニット(EXT)にも搬送できるようになっている。
上記処理ステーション120は、図1に示すように、中心部に、搬送手段である垂直搬送型の主ウエハ搬送機構121が設けられ、この主ウエハ搬送機構121を収容する室122の周りに全ての処理ユニットが1組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、5組G1,G2,G3,G4及びG5の多段配置構成であり、第1及び第2の組G1,G2の多段ユニットはシステム正面側に並列され、第3の組G3の多段ユニットはカセットステーション110に隣接して配置され、第4の組G4の多段ユニットはインター・フェース部130に隣接して配置され、第5の組G5の多段ユニットは背部側に配置されている。
この場合、図2に示すように、第1の組G1では、容器としての処理カップ18内でウエハWと現像液供給手段(図示せず)とを対峙させてレジストパターンを現像する現像ユニット(DEV)と、ウエハWをスピンチャック(図示せず)に載置して所定の処理を行うレジスト塗布処理ユニット(COT)とが垂直方向の下から順に2段に重ねられている。第2の組G2も同様に、2台のレジスト塗布処理ユニット(COT)及び現像ユニット(DEV)が垂直方向の下から順に2段に重ねられている。このようにレジスト塗布処理ユニット(COT)を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布処理ユニット(COT)を上段に配置することも可能である。
図3に示すように、第3の組G3では、ウエハWをウエハ載置台124(図1参照)に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハWを冷却するクーリングユニット(COL)、ウエハWに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、ウエハWの位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハWの搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、ウエハWをベークする4つのホットプレートユニット(HP)が垂直方向の下から順に例えば8段に重ねられている。第4の組G4も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット(COL)、エクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)、エクステンションユニット(EXT)、クーリングユニット(COL)、急冷機能を有する2つのチリングホットプレートユニット(CHP)及び2つのホットプレートユニット(HP)が垂直方向の下から順に例えば8段に重ねられている。
上記のように処理温度の低いクーリングユニット(COL)、エクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット(HP)、チリングホットプレートユニット(CHP)及びアドヒージョンユニット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
なお、図1に示すように、処理ステーション120において、第1及び第2の組G1,G2の多段ユニット(スピナ型処理ユニット)に隣接する第3及び第4の組G3,G4の多段ユニット(オーブン型処理ユニット)の側壁の中には、それぞれダクト125,126が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト125,126には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第3及び第4の組G3,G4のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第1及び第2の組G1,G2のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構121の背部側にも図1に点線で示すように第5の組G5の多段ユニットが配置できるようになっている。この第5の組G5の多段ユニットは、案内レール127に沿って主ウエハ搬送機構121から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第5の組G5の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構121に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
上記インター・フェース部130は、奥行き方向では処理ステーション120と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部130の正面部には可搬性のピックアップカセット131と定置型のバッファカセット132が2段に配置され、背面部には、ウエハWの周辺部の露光及び識別マーク領域の露光を行う露光手段である周辺露光装置133が配設され、中央部には、搬送手段であるウエハの搬送アーム134が配設されている。この搬送アーム134は、X,Z方向に移動して両カセット131,132及び周辺露光装置133に搬送するように構成されている。また、搬送アーム134は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション120側の第4の組G4の多段ユニットに属するエクステンションユニット(EXT)及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)にも搬送できるように構成されている。
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム140内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
次に、上記レジスト液塗布・現像処理システムの動作について説明する。
まず、カセットステーション110において、ウエハ搬送用ピンセット104がカセット載置台102上の未処理のウエハWを収容しているカセット101にアクセスして、そのカセット101から1枚のウエハWを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット104は、カセット101よりウエハWを取り出すと、処理ステーション120側の第3の組G3の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット(ALIM)まで移動し、ユニット(ALIM)内のウエハ載置台124上にウエハWを載せる。ウエハWは、ウエハ載置台124上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構121がアライメントユニット(ALIM)に反対側からアクセスし、ウエハ載置台124からウエハWを受け取る。
処理ステーション120において、主ウエハ搬送機構121はウエハWを最初に第3の組G3の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット(AD)に搬入する。このアドヒージョンユニット(AD)内でウエハWは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構121は、ウエハWをアドヒージョンユニット(AD)から搬出して、次に第3の組G3又は第4の組G4の多段ユニットに属するクーリングユニット(COL)へ搬入する。このクーリングユニット(COL)内でウエハWはレジスト塗布処理前の設定温度例えば23℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構121は、ウエハWをクーリングユニット(COL)から搬出し、次に第1の組G1又は第2の組G2の多段ユニットに属するレジスト塗布処理ユニット(COT)へ搬入する。このレジスト塗布処理ユニット(COT)内でウエハWはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構121は、ウエハWをレジスト塗布処理ユニット(COT)から搬出し、次にホットプレートユニット(HP)内へ搬入する。ホットプレートユニット(HP)内でウエハWは載置台上に載置され、所定温度例えば100℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハW上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構121は、ウエハWをホットプレートユニット(HP)から搬出し、次に第4の組G4の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)へ搬送する。このユニット(EXTCOL)内でウエハWは次工程すなわち周辺露光装置133における周辺露光処理に適した温度例えば24℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構121は、ウエハWを直ぐ上のエクステンションユニット(EXT)へ搬送し、このユニット(EXT)内の載置台(図示せず)の上にウエハWを載置する。このエクステンションユニット(EXT)の載置台上にウエハWが載置されると、インター・フェース部130の搬送アーム134が反対側からアクセスして、ウエハWを受け取る。そして、搬送アーム134はウエハWをインター・フェース部130内の周辺露光装置133へ搬入する。
露光装置で全面露光が済んで、ウエハWが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部130の搬送アーム134はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハWを受け取り、受け取ったウエハWを処理ステーション120側の第4の組G4の多段ユニットに属するエクステンションユニット(EXT)へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハWは、処理ステーション120側へ渡される前にインター・フェース部130内のバッファカセット132に一時的に収納されることもある。
ウエハ受取り台上に載置されたウエハWは、主ウエハ搬送機構121により、チリングホットプレートユニット(CHP)に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト(CAR)における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理が施される。
その後、ウエハWは、第1の組G1又は第2の組G2の多段ユニットに属する現像ユニット(DEV)に搬入される。この現像ユニット(DEV)内では、ウエハW表面のレジストに現像液が満遍なく供給されて現像処理が施される。この現像処理によって、ウエハW表面に形成されたレジスト膜が所定の回路パターンに現像されると共に、ウエハWの周辺部の余剰レジスト膜が除去され、更に、ウエハW表面に形成された(施された)アライメントマークMの領域に付着したレジスト膜が除去される。このようにして、現像が終了すると、ウエハW表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構121は、ウエハWを現像ユニット(DEV)から搬出して、次に第3の組G3又は第4の組G4の多段ユニットに属するホットプレートユニット(HP)へ搬入する。このユニット(HP)内でウエハWは例えば100℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構121は、ウエハWをホットプレートユニット(HP)から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット(COL)へ搬入する。ここでウエハWが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構121は、次にウエハWを第3の組G3に属するエクステンションユニット(EXT)へ移送する。このエクステンションユニット(EXT)の載置台(図示せず)上にウエハWが載置されると、カセットステーション110側のウエハ搬送用ピンセット104が反対側からアクセスして、ウエハWを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット104は、受け取ったウエハWをカセット載置台102上の処理済みウエハ収容用のカセット101の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
次に、図1で示したレジスト塗布処理ユニットの構成について説明する。この場合、処理装置のジスト塗布・現像処理システムにおいては、同種の2つのレジスト塗布処理ユニットを備えている。すなわち、第1の組G1に属するスピナ型の第1の塗布処理ユニット11(第1の塗布ユニット11)と、第2の組G2に属するスピナ型の第2の塗布処理ユニット12(第2の塗布ユニット12)である。第1及び第2の塗布ユニット11,12は、それぞれ処理室13の主ウエハ搬送機構121側にシャッター14により開閉される搬出入口15を有している。
第1及び第2の塗布ユニット11,12は、図4に示すように、ケーシング16内には、ウエハWを回転自在に保持する保持手段としてのスピンチャック17と、このスピンチャック17及びウエハWの外周とそれら下方を包囲する処理カップ18と、ウエハWの表面に処理液として、塗布液例えばレジスト液を供給するレジスト供給ノズル10が備えられている。
次に、この発明に係る基板処理装置について、上記レジスト塗布処理ユニット11,12に適用した場合を参照して説明する。
<第1実施形態>
基板処理装置は、図4に示すように、処理ユニットである第1又は第2の塗布ユニット11,12(ここでは、第1の塗布ユニット11で代表する)のケーシング16と、この塗布ユニット11に配管30を介して接続される外気供給ユニット20とを具備している。
基板処理装置は、図4に示すように、処理ユニットである第1又は第2の塗布ユニット11,12(ここでは、第1の塗布ユニット11で代表する)のケーシング16と、この塗布ユニット11に配管30を介して接続される外気供給ユニット20とを具備している。
外気供給ユニット20は、ユニット外から外気を取り入れる送風機24を配管30に介設してなり、この送風機24の上流側には、外気(例えば、23℃)を露点温度以下(例えば、7℃,相対湿度:95〜100%)に冷却する冷却器21及び冷却器21に冷媒を供給する冷凍機22と、冷却器21で冷却された空気を所定温度(例えば、23℃)に温度調整する加温器23と、加温器23により加温された空気を所定湿度(例えば、40〜50%)に湿度調整する加湿器25と、を具備している。
加湿器25は、図5に示すように、送風機24により取り入れられた水平気流40の直下に位置する矩形状のパン26を具備しており、このパン26内に、水例えば純水27と該純水27を加熱する加熱手段例えばヒータ28を収容すると共に、水平気流40によって生じる水面の揺れを抑制する液揺れ防止手段である棒状のメッシュ体29を収容している。この場合、ヒータ28は、パン26の一側壁に取り付けられる複数例えば3本の略U字状に形成されており、各ヒータ28の内方空間部に、水平気流40に対して直交方向に延びる棒状のメッシュ体29が配設されている。このメッシュ体29の材質は、例えば合成樹脂,金属あるいはセラミック等の繊維質材や多孔質材にて形成することができる。また、メッシュ体29は、必ずしもヒータ28の内方空間部に配設する必要はなく、ヒータ28の外部や隣接するヒータ28間に配設してもよい。また、メッシュ体29は、純水27中に位置していれば、どのような配置形態であってもよいが、好ましくは純水27の水面下に位置する方がよい。更にまた、メッシュ体29は、少なくとも上部がメッシュ状であればよい。このように、少なくとも上部がメッシュ状であれば、水平気流40によって生じる水面の揺れをメッシュ体29が吸収できるからである。
上記のように構成される基板処理装置によれば、送風機24の駆動によりユニット外の外気を取り入れ、取り入れられた外気(例えば、23℃)は、冷却器21によって、露点温度以下(例えば、7℃,相対湿度:95〜100%)に冷却されて空気の単位体積中に含まれる水分の絶対量を低減し、次いで、加温器23により所定温度(例えば、23℃)に温度調整する。この時点では空気中の湿度が低く維持されている。その後、加湿器25により所定湿度(例えば、40〜50%)に湿度調整して、レジスト塗布処理ユニット11に供給することができる。この際、加湿器25においては、上述したように、メッシュ体29が水平気流40によって生じる水面の揺れを抑制すると共に、ヒータ28と水表面との距離hの変動を抑制することができる。したがって、ヒータ28の加熱による純水27の蒸発を安定化させることができ、加湿制御の向上及び処理精度の向上を図ることができる。
<第2実施形態>
図6(a)は、この発明における加湿器の第2実施形態を示す概略斜視図、図6(b)は、第2実施形態の加湿器の概略断面図である。
図6(a)は、この発明における加湿器の第2実施形態を示す概略斜視図、図6(b)は、第2実施形態の加湿器の概略断面図である。
第2実施形態における加湿器25Aは、加熱手段と液揺れ防止手段とを一体化した場合であって、加熱手段を、パン26内の液面に対して平行に配設されるメッシュ状面ヒータ28Aにて形成した場合である。この場合、メッシュ状面ヒータ28Aは、矩形状のパン26と略相似形状の矩形状に形成されている。
このように、メッシュ状面ヒータ28Aをパン26内の液面に対して平行に配設することにより、水平気流40によって生じる水面の揺れを抑制することができるので、メッシュ状面ヒータ28Aと水表面との距離hの変動を抑制することができ、かつ、メッシュ状面ヒータ28Aの加熱による純水27の蒸発を安定化させることができる。また、加熱手段と液揺れ防止手段とを一体にすることができるので、構成部材の削減が図れる。
なお、第2実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
<第3実施形態>
図7(a)は、この発明における加湿器の第3実施形態を示す概略斜視図、図7(b)は、第3実施形態の加湿器の概略断面図である。
図7(a)は、この発明における加湿器の第3実施形態を示す概略斜視図、図7(b)は、第3実施形態の加湿器の概略断面図である。
第3実施形態における加湿器25Bは、第2実施形態と同様に、加熱手段と液揺れ防止手段とを一体化した場合であって、加熱手段を、水平気流40に対して直交する方向に延び、かつ、互いに間隔を置いて配列される複数(図面では5枚の場合を示す)のパネル状ヒータ28Bにて形成した場合である。この場合、各パネル状ヒータ28Bは、パン26の一側壁に取り付けられて他側壁側に向かって延びる矩形状に形成され、隣接するパネル状ヒータ28B同士は、それぞれ互いに平行に等間隔に配設されている。
このように、複数のパネル状ヒータ28Bを水平気流40に対して直交する方向に延び、かつ、互いに間隔を置いて配列することにより、パン26内に収容(貯留)された純水27の領域を複数のパネル状ヒータ28Bによって仕切ることができるので、パネル状ヒータ28B自身が、水平気流40によって生じる水面の揺れを抑制することができるので、パネル状ヒータ28Bと水表面との距離hの変動を抑制することができ、かつ、パネル状ヒータ28Bの加熱による純水27の蒸発を安定化させることができる。
なお、第3実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
<第4実施形態>
図8(a)は、この発明における加湿器の第4実施形態を示す概略斜視図、図8(b)は、第4実施形態の加湿器の概略断面図である。
図8(a)は、この発明における加湿器の第4実施形態を示す概略斜視図、図8(b)は、第4実施形態の加湿器の概略断面図である。
第4実施形態の加湿器25Cは、図8に示すように、パン26は、純水27と該純水を加熱する加熱手段であるヒータ28とを収容してなり、更に、水平気流40によって生じる水面の揺れを抑制すべくパン開口部26aを閉塞する蓋50と、該蓋50の上部に設けられた複数例えば9個の貫通孔51に連通する蒸気誘導用の筒状ノズル52と、を具備している。
このように構成することにより、パン開口部26aを閉塞する蓋50により水平気流40と水表面との接触を遮断することができるので、水平気流40によって生じる水面の揺れを抑制することができ、ヒータ28と水表面との距離hの変動を抑制することができる。また、ヒータ28の加熱により生成された蒸気(加湿空気)は、筒状ノズル52によってパン26の上方へ誘導され、水平気流40によって処理ユニット側に供給される。
なお、第4実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
<第5実施形態>
図9は、この発明における加湿器の第5実施形態を示す概略断面図である。
図9は、この発明における加湿器の第5実施形態を示す概略断面図である。
第5実施形態の加湿器25Dは、パン26内に純水27と該純水27を加熱する加熱手段であるヒータ28を収容してなり、パン26の開口部26a上方に、水面の揺れを抑制すべく水面と平行な渦状気流40Aを発生する送風機24Aを配設した場合である。
このように構成することにより、送風機24Aによって発生する水面と平行な渦状気流40Aにより水面の揺れを抑制することができるので、ヒータ28と水表面との距離hの変動を抑制することができ、かつ、ヒータの加熱による水の蒸発を安定化させることができる。
なお、第5実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
なお、第1,第4及び第5実施形態においては、加熱手段がヒータ28にて形成される場合について説明したが、ヒータ28に代えて所定温度に設定された熱媒体を流通する熱交換管をパン26内に収容して、純水27を加熱するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置をレジスト塗布処理ユニットに適用した場合について説明したが、レジスト塗布処理ユニット以外の基板処理ユニットにも適用できることは勿論である。
次に、この発明に係る基板処理装置における液揺れ防止手段を具備する加湿器と、液揺れ防止手段を具備しない従来の加湿器の加湿制御性を調べるための実験について説明する。
実験条件
・比較例:図10(a)に示すように、水平気流40の直下位置に配置される矩形状のパン26内に、純水27と該純水27を加熱するヒータ28を収容する。
・比較例:図10(a)に示すように、水平気流40の直下位置に配置される矩形状のパン26内に、純水27と該純水27を加熱するヒータ28を収容する。
・実施例:図11(a)に示すように、水平気流40の直下位置に配置される比較例と同様の矩形状のパン26内に、比較例と同様に純水27と該純水27を加熱するヒータ28を収容し、更に、第1実施形態と同様に、ヒータ28の内方空間部に液揺れ防止手段例えば繊維製の棒状メッシュ体29を収容する。なお、実施例において、パン26とメッシュ体29の体積比率は、メッシュ体/パン≒11/100である。
上記のように構成された比較例の加湿器25Sと実施例の加湿器25{第1実施形態と同じ}を、同様の条件の水平気流40の風速7m/secの下で、120分間稼働したところ、比較例では図10(b)に示すような結果が得られ、実施例では図11(b)に示すような結果が得られた。
上記実験の結果、比較例の加湿器25Sと実施例の加湿器25においては、温度変動はいずれも+0.01/−0.02℃で同じであったが、比較例の加湿器25Sにおける湿度変動が+0.32/−0.46%RHであるのに対して、実施例の加湿器25における湿度変動は+0.17/−0.18%RHであり、比較例の加湿器25Sに比べて湿度変動は極めて小さく、加湿制御性が良いことが判った。
なお、第2実施形態ないし第5実施形態においても、実施例{第1実施形態}と同様に、気流によって生じる水面の揺れを抑制すると共に、ヒータ28,メッシュ状面ヒータ28A,パネル状ヒータ28Bと水表面との距離の変動を抑制することができ、ヒータ28,メッシュ状面ヒータ28A,パネル状ヒータ28Bの加熱による純水27の蒸発を安定化させることができることから、上記実験結果と同様に、湿度変動を小さくできると推測される。
W 半導体ウエハ(被処理基板)
11 塗布処理ユニット(処理ユニット)
20 外気供給ユニット
24,24A 送風機
25,25A,25B,25C,25D 加湿器
26 パン
27 純水
28 ヒータ(加熱手段)
28A メッシュ状面ヒータ(加熱手段,液揺れ防止手段)
28B パネル状ヒータ(加熱手段,液揺れ防止手段)
29 メッシュ体(液揺れ防止手段)
30 配管
40 水平気流
40A 渦状気流
50 蓋
51 貫通孔
52 筒状ノズル
h 加熱手段と水表面との距離
11 塗布処理ユニット(処理ユニット)
20 外気供給ユニット
24,24A 送風機
25,25A,25B,25C,25D 加湿器
26 パン
27 純水
28 ヒータ(加熱手段)
28A メッシュ状面ヒータ(加熱手段,液揺れ防止手段)
28B パネル状ヒータ(加熱手段,液揺れ防止手段)
29 メッシュ体(液揺れ防止手段)
30 配管
40 水平気流
40A 渦状気流
50 蓋
51 貫通孔
52 筒状ノズル
h 加熱手段と水表面との距離
Claims (6)
- 被処理基板に所定の処理を施す処理ユニットと、この処理ユニットに配管を介して接続される外気供給ユニットに配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器及び該加湿器で加湿された空気を上記処理ユニット内に供給する送風機とを具備する基板処理装置であって、
上記加湿器は、上記送風機により取り入れられた水平気流の直下に位置するパン内に、水と該水を加熱する加熱手段を収容すると共に、気流によって生じる水面の揺れを抑制する液揺れ防止手段を具備してなる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
上記液揺れ防止手段が、上記水平気流と直交する方向に延びる棒状のメッシュ体である、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
上記加熱手段と液揺れ防止手段とを一体に形成すべく、加熱手段を、パン内の液面に対して平行に配設されるメッシュ状面ヒータにて形成してなる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
上記加熱手段と液揺れ防止手段とを一体に形成すべく、加熱手段を、水平気流に対して直交する方向に延び、かつ、互いに間隔を置いて配列される複数のパネル状ヒータにて形成してなる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板に所定の処理を施す処理ユニットと、この処理ユニットに配管を介して接続される外気供給ユニットに配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器及び該加湿器で加湿された空気を上記処理ユニット内に供給する送風機とを具備する基板処理装置であって、
上記加湿器は、上記送風機により取り入れられた水平気流の直下に位置するパン内に、水と該水を加熱する加熱手段を収容してなり、
上記パンは、気流によって生じる水面の揺れを抑制すべくパン開口部を閉塞する蓋と、該蓋の上部に設けられた複数の貫通孔に連通する蒸気誘導用の筒状ノズルと、を具備する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板に所定の処理を施す処理ユニットと、この処理ユニットに配管を介して接続される外気供給ユニットに配設され、取り入れた外気を所定湿度に加湿する加湿器及び該加湿器で加湿された空気を上記処理ユニット内に供給する送風機とを具備する基板処理装置であって、
上記加湿器は、パン内に水と該水を加熱する加熱手段を収容してなり、
上記送風機は上記パンの開口部上方に配設され、パン内の水面の揺れを抑制すべく水面と平行な気流を発生するように形成してなる、
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006164150A JP2007335544A (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006164150A JP2007335544A (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 基板処理装置 |
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JP2007335544A true JP2007335544A (ja) | 2007-12-27 |
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Family Applications (1)
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JP2006164150A Withdrawn JP2007335544A (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 基板処理装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20160074090A (ko) * | 2014-12-18 | 2016-06-28 | 멜콘 주식회사 | 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템 |
KR20180052506A (ko) | 2016-11-10 | 2018-05-18 | 신와 콘트롤즈 가부시키가이샤 | 가습기 및 공기 조화 장치 |
KR20180052507A (ko) | 2016-11-10 | 2018-05-18 | 신와 콘트롤즈 가부시키가이샤 | 공기 조화 장치 |
CN114141600A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-04 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法 |
-
2006
- 2006-06-14 JP JP2006164150A patent/JP2007335544A/ja not_active Withdrawn
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