KR101059309B1 - 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가열장치, 도포, 현상장치 및 가열방법에 관한 것으로서 기판을 재치하는 열판과 이 기판과 대향하는 천정판이 상기 열판과 천정판의 사이에 가스를 토출하는 가스 토출부와, 상기 열판을 끼워서 가스 토출부와 대향하여 설치된 배기부와, 기판의 제 1의 영역 제 2의 영역을 구비하도록 가열 장치를 구성한다. 한방향 흐름이 형성되고 제 1의 영역과 제 2의 영역을 다른 온도로 가열하는 것으로 면내 균일성이 높은 가열처리가 행해진다. 이 가열장치에 있어서 상기 가스가 일정 온도로 가열되고 또한 상기 열판상에 일정한 높이의 돌기부가 구비됨으로써 기판의 휘어짐에 의한 위치 차이를 방지하고 또한 기판의 냉각을 방지할 수 있기 때문에 면내 균일성이 높은 가열 처리를 실시할 수 있는 파티클이 기판으로의 부착이 억제되고 기판의 휘어짐에 의한 열판으로의 접촉을 억제할 수 있고 또한 면내 균일성이 높은 가열처리의 기술을 제공한다.

Description

가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법{HEATING APPARATUS, COATING, DEVELOPING APPARATUS AND THE HEATING METHOD}

도 1은 본 발명의 가열 장치의 실시의 형태의 일례를 나타내는 종단 측면도이다.

도 2는 상기 가열 장치의 횡단 평면도이다.

도 3은 상기 가열 장치의 주요부의 종단 측면도이다.

도 4는 상기 가열 장치에 의해 가열되는 웨이퍼의 영역을 나타내는 설명도이다.

도 5는 상기 가열 장치를 구성하는 열판의 설명도이다.

도 6은 상기 가열 장치에 의한 가열시에 형성되는 한방향 흐름을 나타낸 설명도이다.

도 7은 상기 가열 장치가 적용된 도포, 현상 장치의 평면도이다

도 8은 상기 도포, 현상 장치를 나타내는 사시도이다.

도 9는 상기 도포, 현상 장치를 나타내는 측부 단면도이다.

도 10은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 도포 유니트와 선반 유니트와 반송 수단을 나타내는 사시도이다.

도 11은 상기 가열 장치에 의해 가열된 웨이퍼 주위의 유속을 나타낸 설명도 이다.

도 12는 종래의 가열 장치에 의해 가열된 웨이퍼 주위의 유속을 나타낸 설명도이다.

도 13은 종래의 가열 장치의 일례를 나타낸 도이다.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**

2 가열장치

31 가스토출부

41 열판

46 돌기부

51 배기부

62 천정판

95 가열유니트

W 반도체웨이퍼

S2 처리블럭

S3 인터페이스 블럭

S4 노광장치

A1 ~ A5 메인 아암

이 발명은 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 장치 및 이 가열 장치를 포함한 도포, 현상 장치 및 가열 방법에 관한다.

반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다)나 LCD(액정 디스플레이) 용의 유리 기판에 대해서 레지스트 패턴을 형성하는 장치로서 웨이퍼에 대해서 레지스트를 도포하고 또 노광 후의 웨이퍼를 현상하는 도포, 현상 장치가 이용되고 있다. 이 장치내에는 베이크 장치등으로 불리고 있는 가열 장치가 조립되어 있고 예를 들면 레지스트액을 도포한 웨이퍼를 가열하는 장치에 있어서는 레지스트액안의 용제를 건조시키는 역할을 완수하고 있다.

이 가열 장치로서는 일반적으로는 도 13에 나타나는 바와 같이 열판 (11) 위를 덮개 (12)로 덮어 덮개 (12)내에 웨이퍼의 사방에 걸쳐서 형성된 가스 공급구 (13)으로부터 가스를 공급하면서 상기 덮개 (12)의 중앙부로부터 흡인 배기하고 이렇게 해 도안에 화살표로 나타나는 바와 같은 웨이퍼의 외주위로부터 중앙으로 향하는 기류를 형성하면서 가열 처리를 실시하도록 하고 있다. 그렇지만 이와 같이 기류를 형성하면 이유는 명확하게 파악되어 있지 않지만 열판 (11)의 표면의 면내 온도 균일성을 높게 하여도 레지스트액으로부터 승화한 승화물이 파티클로서 웨이퍼에 부착하는 경향이 크다.

한편 특허 문헌 1에는 배향막용의 폴리이미드 용액이 도포된 LCD용의 유리 기판을 건조 처리하는 가열 장치로서 핫 플레이트의 윗쪽 영역을 커버로 덮어 기류의 통로를 형성하고 이 통로의 한쪽의 개구로부터 다른쪽측에 흐르는 기류를 형성하면서 가열 처리를 실시하는 것이 기재되어 있다. 본 발명자는 기류가 일단측으로 부터 타단 측으로 향하는 말하자면 한방향 흐름을 형성하는 수법을 웨이퍼의 가열 장치에 대해서 적용하면 웨이퍼의 외주위로부터 중앙으로 향하는 기류를 형성하는 경우에 비해 웨이퍼상에 있어서의 승화물의 부착량이 적은 것을 파악하고 있다. 그렇지만 이 경우에는 기류가 배기되는 웨이퍼의 타단 측에 둘 수 있는 유속이 빠르고 가열 처리의 불균일성이 염려되어 레지스트막의 균일성이 손상될 우려가 있다.

또 이런 종류의 가열 장치에는 다음과 같은 과제도 있다. 웨이퍼가 가열판에 면접촉하면 가열판상의 파티클이 웨이퍼에 전사하기 때문에 통상 가열판에 높이 O. 1 mm의 복수의 돌기부를 설치하고 이 위에 웨이퍼를 재치하는 것으로 가열면으로부터 매우 조금 부상시킨 상태로 하고 있다(특허 문헌 2). 이 높이는 웨이퍼가 가열면에 접촉하지 않는 최소의 값으로서 설정되어 있어 이보다 크게 하면 웨이퍼의 가열 온도를 균일하게 유지하는 것이 곤란하게 된다.

그런데 웨이퍼 사이즈가 점점 대구경화해 12인치(직경 30mm) 사이즈의 웨이퍼에 대한 반도체 제조 장치가 실용화되고 또 새로운 대구경화가 검토되고 있다. 그렇지만 웨이퍼가 12 인치 사이즈 이상이 되면 웨이퍼의 휘어진 상태의 정도가 큰 것도 포함되어 오기 때문에 가열판에 설치한 돌기부의 높이가 O.1 mm이면 웨이퍼가 열판에 접촉해 위치 차이를 일으킬 우려가 있다. 또 웨이퍼를 열판(돌기부) 위에 수수할 때에 웨이퍼가 어디까지나 빙면(氷面)에 재치된 바와 같이 횡활주하는 경우가 있다. 이 현상은 대구경의 웨이퍼의 하측의 몇 안 되는 공간에 공기가 막혀 약간 가압된 상태의 공기층이 형성되고 있기 때문인지는 아닐까 추측된다.

[특허 문헌 1] 일본국 특개 2004-293942호 공보:도 1, 0032, 0035

[특허 문헌 2] 일본국 특개 2001-274052호 공보:단락 0014

본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로서 그 목적으로 하는 곳은 도포액이 도포된 기판을 가열함에 있어 파티클의 기판으로의 부착이 억제됨과 동시에 면내 균일성이 높은 가열 처리를 실시할 수가 있는 가열 장치 및 가열 방법을 제공하는 것에 있다. 또 본 발명의 다른 목적은 기판 사이즈가 커도 기판의 휘어진 상태에 의한 열판으로의 접촉을 억제할 수가 있고 또 면내 균일성이 높은 가열 장치 및 가열 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명은 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 장치에 있어서,

기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체와,
이 프레임체 내에 설치되고 기판을 재치하기 위한 열판과,
상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판과,
상기 열판 상에 설치되고 기판을 열판의 표면으로부터 부상시켜 지지하기 위한 돌기부와,
상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되고, 상기 열판과 천정판의 사이에, 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하여 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하기 위한 가스 토출구와,
상기 열판을 사이에 두고 가스 토출구와 대향하는 측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되고, 상기 가스를 흡인 배기하는 배기구와,
상기 열판에 설치되어 상기 기판에 있어서의 배기구측의 제 1의 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역을 독립하여 가열할 수가 있고 제 1의 영역을 제 2의 영역보다 높은 온도로 가열하는 가열 수단을 구비하고,
상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가스 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되고,
상기 가스 토출구로부터의 기류가 기판의 일단측으로부터 타단측에 향해 흐르는 것을 특징으로 한다.

이 발명에 있어서 상기 열판상에는 기판을 열판의 표면으로부터 부상시켜 지지하기 위하여 높이 0.3 mm~1.0 mm의 돌기부가 설치되어 상기 가스 토출구로부터 토출되는 가스는 기판의 가열 온도에 대해서 ±2 % 이내의 온도로 가열되고 있는 것이 바람직하다. 「기판의 가열 온도」란 기판의 가열 처리시의 기판의 온도이다.
다른 발명의 가열 장치는 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 장치에 있어서,
기판을 재치하기 위한 열판과,
기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체와,
이 프레임체 내에 설치되고 기판을 재치하기 위한 열판과,
상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판과,
상기 열판 상에 설치되고 기판을 열판의 표면으로부터 부상시켜 지지하기 위한 돌기부와,
상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되고, 상기 열판과 천정판의 사이에, 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하여 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하기 위한 가스 토출구와,
상기 열판을 사이에 두고 가스 토출구와 대향하는 측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되어 상기 가스를 흡인 배기하는 배기구와,
상기 천정판에 설치되어 상기 기판에 있어서의 배기구측의 제 1의 영역에 대향하는 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역에 대향하는 영역을 독립하여 가열할 수가 있고 제 1의 영역에 대향하는 영역을 제 2의 영역에 대향하는 영역보다 높은 온도로 가열하는 가열 수단을 구비하고,
상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가열 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되고,

상기 가스 토출구로부터의 기류가 기판의 일단측으로부터 타단측에 향해 흐르는 것을 특징으로 한다.

기판은, 예를 들면 12 인치 사이즈의 반도체 웨이퍼이고, 상기 천정판에는, 예를 들면 상기 천정판의 하면을 가열하기 위한 가열 수단이 설치되고 있다.

본 발명의 도포, 현상 장치는 기판을 수납해 캐리어가 반입되는 캐리어 블럭과 상기 캐리어로부터 꺼내진 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포부와 레지스트가 도포된 기판을 가열하는 가열 장치와 가열된 기판을 냉각하는 냉각부와 노광 후의 기판을 현상하는 현상 처리부를 포함한 처리 블럭과 이 처리 블럭과 노광 장치의 사이에 기판의 수수를 실시하는 인터페이스부를 구비한 도포, 현상 장치에 있어서 기술한 가열 장치를 이용한 것을 특징으로 한다.

또 본 발명의 가열 방법은 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 방법에 있어서,
기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체 내에 설치되고, 기판을 재치하기 위한 열판과, 상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판을 구비한 가열 장치를 이용하고,
기판을 프레임체 내에 반입하고, 상기 프레임체 내의 열판에, 상기 열판에 설치된 돌기부에 의해 열판의 표면으로부터 부상시킨 상태에서 재치하는 공정과,
상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 가스 토출구로부터 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하면서, 열판의 타단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 배기구로부터 흡인 배기함으로써, 상기 열판과 천정판의 사이에 열판의 일단측으로부터 타단측에 향하는 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하는 공정과,
상기 열판에 설치되어 상기 기판에 있어서의 배기구측이 미리 결정되어진 제 1의 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역을 가열 수단에 의해 독립하여 가열 제어하고 상기 제 1의 영역을 제 2의 영역보다 높은 온도로 가열하는 공정을 포함하고,
상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가스 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되어 있는 것을 특징으로 한다.

다른 가열 방법으로서는, 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 방법에 있어서,
기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체 내에 설치되고, 기판을 재치하기 위한 열판과, 상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판을 구비한 가열 장치를 이용하고,
기판을 프레임체 내에 반입하고, 상기 프레임체 내의 열판에, 상기 열판에 설치된 돌기부에 의해 열판의 표면으로부터 부상시킨 상태에서 재치하는 공정과,
상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 가스 토출구로부터 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하면서, 열판의 타단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 배기구로부터 흡인 배기함으로써 상기 열판과 천정판 사이에, 열판의 일단측으로부터 타단측으로 향하는 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하는 공정과,
상기 천정판에 설치되어 상기 기판에 있어서의 배기구측이 미리 결정되어진 제 1의 영역에 대향하는 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역에 대향하는 영역을 가열 수단에 의해 독립하여 가열 제어하고 상기 제 1의 영역에 대향하는 영역을 제 2의 영역에 대향하는 영역보다 높은 온도로 가열하는 공정을 포함하고,
상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가스 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되어 있는 것을 특징으로 한다.

다른 가열 방법으로서는 기판에 도포된 도포액을 가열 처리하는 가열 방법 에 있어서 열판의 표면에 설치된 높이 0.3 mm~1.0 mm의 돌기부에 의해 기판을 지지하여 열판으로부터 부상한 상태로 재치하는 공정과 열판의 일단측의 가스 토출부로부터 기판의 가열 온도에 대해서 ±2 % 이내의 온도로 가열되고 있는 가스를 토출하면서 열판의 타단측의 배기부로부터 흡인 배기함으로써 기판과 이 기판과 대향하는 정류용의 천정판의 사이에 열판의 일단측으로부터 타단 측에 향하는 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이들의 가열 방법에 있어서는 예를 들면 상기 천정판에 설치된 가열 수단에 의해 상기 천정판의 하면을 가열하면서 기판의 가열 처리를 실시한다.

이하에 본 발명과 관련되는 가열 장치의 실시의 형태의 일례로서 예를 들면 도포액으로서 레지스트액이 표면에 도포된 기판인 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 생략한다) W를 가열 처리해 상기 웨이퍼 (W)표면에 레지스트막을 형성하는 가열 장치 (2)에 대해서 도 1~도 3을 이용해 설명한다. 또한 이 웨이퍼 (W)의 크기로서는 예를 들면 12 인치 사이즈의 것이 이용된다. 상기 가열 장치 (2)는 프레임체 (20)을 구비하고 있어 프레임체 (20)의 측벽에는 웨이퍼 (W)의 반송구 (21)이 개구되어 상기 반송구 (21)은 셔터 (21a)에 의해 개폐 자유롭게 되어 있다. 이 셔터 (21a)는 웨이퍼 (W)를 가열시킬 때에 반송구 (21)을 개재시켜 프레임체 (20)내에 바깥 공기가 유입함으로써 후술하는 웨이퍼 (W)의 주위에 형성되는 기류가 흐트러지는 것을 방지하기 위하여 설치되고 있지만 셔터 (21a) 대신에 예를 들면 에어 커튼을 반송구 (21) 부근에 설치해 바깥 공기의 유입을 막아도 괜찮다.

또 프레임체 (20)내의 하부에는 기초대 (22)가 설치되고 있어 반송구 (21)으로 향하는 측을 앞측으로 하면 이 기초대 (22)의 내부에는 앞측으로부터 안쪽 측에 승강기구 (23 ; 24)가 이 순서로 설치되고 있다. 승강기구 (23)에는 예를 들면 3개의 지지 핀 (23a)가 접속되고 있고 상기 지지 핀 (23a)는 승강기구 (23)에 의해 기초대 (22)상에 천공된 구멍 (23b)를 개재시켜 기초대 (22)상에 수직으로 돌출할 수 있도록 구성되고 있다. 승강기구 (24)에 대해서는 후술한다.

기초대 (22)상에 있어서 앞측에는 냉각 플레이트 (25)가 설치되고 있다. 상기 냉각 플레이트 (25)는 이면 측에 예를 들면 온도 조절수를 보내기 위한 도시하지 않는 냉각 유로(미도시)를 구비하고 있고 상기 냉각 플레이트 (25)에 재치된 웨이퍼 (W)를 결점 냉각한다. 또한 이러한 냉각 기구는 상기 가열 장치 (2)가 도포, 현상 장치 등의 장치에 조립되어 이용되는 것을 상정하여 설치되고 있는 것이고 특별히 설치되지 않아도 좋다.

상기 냉각 플레이트 (25)는 상기 지지 핀 (23a)를 개입시키는 것으로 예를 들면 웨이퍼의 이면을 지지하는 아암체를 구비한 웨이퍼 (W)의 반송 기구(미도시)와 반송구 (21)을 개재시켜 프레임체 (20)내에 반입된 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 구성되고 있다. 또 상기 냉각 플레이트 (25)는 상기 웨이퍼 (W)의 반송 기구와 열판 (41)과의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하는 역할을 갖고 기초대 (22)에 설치되는 가이드 수단(미도시)을 따라 기초대 (22)상을 앞측으로부터 안측으로 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 도중 (25a)(25b)는 상기 지지 핀 (23a)(24a)가 통과하기 위한 슬릿이다.

기초대 (22)상에 있어서 냉각 플레이트 (25)의 더 안쪽 측에 향하면 가스 토출부 (31) ; 열판 (41) 배기부 (51)이 각각 이 순서로 설치되고 있다. 이 가스 토출부 (31) 및 배기부 (51)은 후술하는 천정판 (62)와 함께 열판 (41)상에 재치되는 웨이퍼 (W)에 대해 웨이퍼 (W)의 직경(폭)을 커버하고 또한 천정판 (51)과 열판 (41)의 사이를 앞측으로부터 안측으로 즉 웨이퍼 (W)의 일단측으로부터 다단측으로 흐르는 말하자면 한방향 흐름이라고도 해야 할 기류를 형성할 수 있도록 각각 설치되고 있다.

우선 가스 토출부 (31)에 대해서 설명하면 가스 토출부 (31)은 프레임체 (40)의 안측 윗쪽에 접하는 경사면부 (32)를 구비하고 있고 상기 경사면부 (32)에 는 예를 들면 다수의 작은 구멍이 토출구 (33)으로서 프레임체 (20)의 폭방향(도중 Y방향)을 따라 각각 일정한 간격을 두고 설치되고 있다. 상기 토출구 (33)의 일단으로부터 타단까지의 길이는 열판 (41)상에 재치되는 웨이퍼 (W)의 직경을 커버 하도록 구성되고 있다. 가스 토출부 (31)에는 가스 공급관 (34)가 접속되고 있고 상기 가스 공급관 (34)는 가스 토출부 (31)내에 설치된 공간 (35)를 개재시켜 상기 토출구 (33)과 연통하고 있다. 또 가스 공급관 (34)는 예를 들면 프레임체 (20)의 외부에 연장하고 있어 상기 가스 공급관 (34)의 단부는 깨끗한 퍼지용 가스 예를 들면 질소 가스등의 불활성 가스가 저장되고 있는 가스 공급원 (36)에 접속되고 있다. 또 상기 공간 (35)에는 예를 들면 폭방향을 따라 전열판 (37)이 설치되어 전열판 (37)에는 예를 들면 폭방향을 따라 간격을 두고 복수의 히트 파이프 (38)의 일단이 접속되고 있다. 각 히트 파이프 (38)의 타단은 열판 (41)에 접속되고 있어 가스 공급원 (36)으로부터 가스 공급관 (34)내에 공급된 퍼지용 가스는 가스 토출부 (31)의 공간 (35)에 유입하면 전열판 (37)에 의해 웨이퍼 (W)의 가열 온도(가열시의 웨이퍼 (W)의 표면 온도)와 같은 온도로 온조되고 토출구 (33)으로부터 토출되도록 되어 있다. 또 상기 퍼지용 가스는 공간 (35)내에 저장되는 것에 의한 누름 손상을 받아 토출구 (33)으로부터 한결같은 유량과 압력으로 후술의 천정판 (62)의 하면을 향해 토출되도록 되어 있다.

퍼지용 가스를 가열하는 수단은 예를 들면 가스 공급관 (34)의 출구 부근에 설치된 히터로서도 좋다. 웨이퍼 (W)는 후술하는 바와 같이 웨이퍼 (W)로부터 예를 들면 0.3 mm 부상한 상태로 지지를 받아 열판 (41)으로부터 웨이퍼 (W)로의 전열이 나빠지지만 가열된 퍼지용 가스가 웨이퍼 (W)의 표면을 따라 흐르는 것으로 웨이퍼 (W)를 미리 설정한 프로세스 온도로 가열할 수 있도록 구성되고 있다.

계속되어 열판 (41)에 대해서 설명한다. 상기 열판 (41)은 웨이퍼 (W)표면 전체를 커버 하는 크기를 갖고 예를 들면 원형 형상으로 구성되고 있다. 그런데 도 4는 열판 (41)에 재치된 웨이퍼 (W)의 표면을 나타낸 것이지만 도중 우측을 배기부 (51)측(안측)으로 하면 이 웨이퍼 (W)에 있어서 배기부 (51)측의 도 4안의 대략 선형 영역을 제 1의 영역 (P1)로 하고 영역 (P1) 이외의 영역을 제 2의 영역 (P2)로 한다. 이 예에서는 제 1의 영역 (P1)은 웨이퍼 (W)의 중심으로부터 배기부 (51) 측에 몰린 위치에서 웨이퍼 (W)의 주변으로 향해 부채 형상으로 퍼지는 대략 선형 영역이다. 후술하는 평가 시험으로부터 밝힌바와 같이 웨이퍼 (W)의 가열시에 상기 한방향 흐름이 형성되면 상기 한방향 흐름의 제 1의 영역 (P1)의 주위에 있어서의 유속은 제 2의 영역 (P2)의 주위에 있어서의 유속보다 커지는 것으로부터 제 1의 영역 (P1)는 제 2의 영역 (P2)에 비해 열이 빼앗기고 온도가 낮아지기 쉽다. 그 온도를 보상하기 위해서 열판 (41)의 내부에는 예를 들면 도 5에 나타나는 바와 같이 가열 수단인 히터 (42a~42h)가 설치되고 있다.

자세하게 설명하면 다른 지름을 가지는 링 형상의 히터 (42a)(42b)는 열판 (41)의 중앙부에 있어서 웨이퍼 (W)를 열판 (41)에 재치했을 때에 제 2의 영역 (P2)의 하부에 위치 하도록 동심원 형상으로 배치되고 있다. 이 히터 (42b)의 배기부 (51) 측에 향하여 예를 들면 부채 형상의 히터가 (42c~42e) 순서로 간격을 두고 제 1의 영역 (P1)의 하부에 위치하도록 각각 설치되고 있다. 또 히터(42b)로부터 가스 토출부 (31) 측에 향하여 예를 들면 부채 형상의 히터 (42f~42h)가 간격을 두고 제 2의 영역 (P2)의 하부에 위치 하도록 설치되고 있다. 각 히터 (42a~42h)는 전력 공급부 (43)에 접속되고 있고 후술하는 상기 가열 장치 (2)에 구비된 제어부에 의해 상기 전력 공급부 (43)을 개재시켜 각 히터 (42a~42h)의 발열량이 개별적으로 제어되는 것으로 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)를 제 2의 영역 (P2)보다 높은 온도로 가열할 수 있다 즉 영역 (P1)에 오프셋을 걸 수가 있도록 구성되고 있다.

또한 본 발명에 있어서는 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)이 제 2의 영역 (P2)에 비해 높은 온도로 가열되면 좋고 또 열판 (41)내의 히터의 분할수(설치수); 형상; 레이아웃은 기술의 예에 한정되지 않는다.

도 1~3으로 돌아가 도안에 45는 열판 (41) 및 그 열판 (41)의 하부를 지지하는 기초대 (22)를 수직 방향으로 뚫린 구멍이다. 이 열판 (41)의 하부에는 상기 승강 기구 (24)가 설치되고 있어 상기 승강기구 (24)에는 3개의 지지 핀 (24a)가 접속되고 있다. 승강기구 (24)는 상기 지지 핀 (24a)를 상기 구멍 (45)를 개재시켜 열판 (41)상에 돌출하게 하는 것으로 상기 냉각 플레이트 (25)와 지지 핀 (24)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수 있도록 구성되고 있다. 또 열판 (41)의 표면에는 웨이퍼 (W)의 이면을 지지하는 예를 들면 4개의 돌기부 (46)이 열판 (41)의 주위 방향을 따라 설치되고 있어 지지 핀 (41)이 웨이퍼 (W)의 이면을 지지한 채로 하강하면 상기 돌기부 (46)상에 웨이퍼 (W)가 수수된다. 돌기부 (46)의 높이로서는 0.3~1.0 mm가 바람직하고 이 예에서는 0.3 mm로 설정해 둔다. 0.3 mm보다 낮으면 웨이퍼 (W)가 젖혀져 있는 경우 특히 12 인치 사이즈 이상의 웨이퍼 (W)의 경우가 열판 (41)에 접촉해 위치 차이를 일으킬 우려가 있어 또 1.0 mm보다 높아지면 열판 (41)의 열이 상기 웨이퍼 (W)에 충분히 전해지지 않고 온도에 대해서 양호한 면내 균일성을 확보하기 어려워진다.

배기부 (51)은 상기 열판 (41)을 사이에 두고 상기 가스 토출부 (31)과 대향하도록 설치되어 프레임체 (20)의 앞측 윗쪽에 접하는 경사면부 (52)를 구비하고 있다. 상기 경사면부 (52)에는 예를 들면 다수의 작은 구멍이 배기구 (53)으로서 프레임체 (20)의 폭방향을 따라 각각 일정한 간격을 두고 설치되고 있어 상기 배기구 (53)의 일단으로부터 타단까지의 길이는 예를 들면 웨이퍼 (W)의 직경을 커버 하도록 구성되고 있다. 배기부 (51)에는 배기관 (54)가 접속되고 있어 배기부 (51)의 내부에 설치된 통로를 개재시켜 상기 배기관 (54)는 상기 배기구 (53)과 연통하고 있다. 배기관 (54)는 프레임체 (20)의 외부에 연장하고 그 단부는 예를 들면 공장의 배기로에 접속되고 있다. 또 배기관에는 팬 (55)가 개설되고 있어 상기 팬 (55)의 회전수가 제어되는 것으로 배기부 (51)은 예를 들면 미리 설정된 배기량으로 배기관 (54)를 개재시켜 배기구 (53)으로부터 프레임체 (20)내의 배기를 실시할 수 있도록 구성되고 있다. 또한 도안 V5는 배기관 (54)에 개설된 밸브이다.

그런데 본 발명에 있어서는 가스 토출부 (31)및 배기부 (51)에 의해 기술의 한방향 흐름를 형성할 수 있으면 좋기 때문에 가스 토출부 (31)및 배기부 (51)은 이 실시 예의 구성으로 한정되는 것은 아니다. 또 토출구 (33) 및 배기구 (53)의 형상도 이 예에 한정하지 않고 예를 들면 폭 방향을 따른 슬릿 형상으로 설치되고 있어도 괜찮다.

배기부 (51)의 상부에는 지주 (61)이 설치되고 있고 지주 (61)의 상부에는 정류용의 천정판 (62)의 가장자리가 접합되고 있다. 상기 천정판 (62)는 웨이퍼 (W)를 상기 열판 (41)상에서 가열할 때에 상기 웨이퍼 (W)와 대향하도록 예를 들면 웨이퍼 (W)로부터 1Omm 윗쪽에 설치되고 있다. 그런데 상기 한방향 흐름이 형성되기 위해서는 천정판 (62)는 토출구 (42)로부터 토출된 가스가 향하는 위치까지 앞측에 성장하고 있으면 좋지만 본 실시 형태에 있어서는 상기 천정판 (62)의 단부가 상기 위치보다 앞측에 길게 설치되는 것으로 상기 천정판 (62)는 토출부 (31)로부터 토출된 퍼지용 가스의 기류를 보다 확실히 규제하고 열판 (41)과 천정판 (62)의 사이를 층류가 되어 통과할 수 있도록 구성되고 있다. 또 천정판 (62)의 앞측의 단부에는 히터 (63)이 매입되고 있고 상기 히터 (63)에는 전력 공급부 (64)가 접속되고 있다. 제어부에 의해 전력 공급부 (64)로부터의 히터 (63)로의 전력 공급량이 제어되는 것으로 상기 히터 (63)에 의해 천정판 (62)의 앞측의 단부에 있어서의 하면이 예를 들면 일정한 온도로 제어되도록 구성되고 있다. 이러한 구성으로 하는 것으로 토출부 (31)로부터 토출된 퍼지용 가스가 열판 (61) 부근에 이르기까지 냉각되는 것을 막아 웨이퍼 (W)가 불균일한 온도로 가열되는 것을 억제하고 있다.

다음에 상기 가열 장치 (2)에 구비된 제어부에 도착해 설명한다. 이 제어부는 예를 들면 컴퓨터로부터 이루어지는 프로그램 격납부를 가지고 있어 프로그램 격납부에는 후술하는 바와 같은 상기 가열 장치의 작용 즉 웨이퍼 (W)의 처리 웨이퍼 (W)의 수수 ; 웨이퍼 (W)의 가열 및 기류의 제어 등이 실시되도록 명령이 짜여 진 예를 들면 소프트웨어로부터 이루어지는 프로그램이 격납된다. 그리고 상기 프로그램이 제어부에 독출되는 것으로 제어부는 상기 반도체 제조 장치의 작용을 제어한다. 또한 이 프로그램은 예를 들면 하드 디스크 ; 콤팩트 디스크 ; 마그넷트 옵티컬 디스크 등의 기록 매체에 수납된 상태로 프로그램 격납부에 격납된다.

다음에 상기 가열 장치 (2)의 작용에 대해서 도 6을 참조하면서 설명한다. 웨이퍼 (W)의 반송 기구에 의해 반송구 (21)을 개재시켜 프레임체 (20)내에 표면에 레지스트액이 도포된 웨이퍼 (W)가 반입되면 지지 핀 (23a)를 개재시켜 상기 웨이퍼 (W)는 냉각 플레이트 (25)에 수수된다. 상기 냉각 플레이트 (25)가 열판 (41)상헤 이동하기까지 열판 (41)의 표면은 히터 (42a~42f)에 의해 예를 들면 130 ℃로 균일하게 가열되고 있다. 또 히터 (63)에 의해 천정판 (62)의 단부의 하면도 예를 들면 130 ℃로 가열되고 있다.

승강기구 (24)에 의해 지지 핀 (24a)가 상승하여 냉각 플레이트 (25)에 의해 열판 (41)상에 반송된 웨이퍼 (W)의 이면을 지지한다. 냉각 플레이트 (25)가 후퇴하면 승강기구 (24)에 의해 지지 핀 (24a)는 하강해 열판 (41)상의 돌기부 (46)상에 웨이퍼 (W)가 수수된다. 즉 웨이퍼 (W)가 열판 (41)으로부터 부상한 상태로 지지된다.

웨이퍼 (W)가 열판 (41)상에 지지를 받으면 밸브 V3가 열려 가스 공급원 (36)으로부터 가스 공급관 (34)에 퍼지용 가스가 공급된다. 상기 퍼지용 가스는 토출부 (31)으로 대략 100 ℃로 가열되어 토출구 (33)으로부터 천정판 (62)에 향하여 토출된다. 이 가스 토출구 (32)로부터 퍼지용 가스의 토출이 개시되는 것과 대략 동시에 밸브 V5가 열려 팬 (55)가 회전하는 것으로 배기부 (51)로부터 배기가 행해짐으로써 도 6안에 화살표로 나타나는 바와 같이 토출된 퍼지용 가스는 천정판 (62)와 열판 (41)의 사이를 앞측으로부터 안쪽 측에 흘러 웨이퍼 (W)의 주위를 통과한 후에 배기부 (51)에 유입해 프레임체 (20)의 밖으로 제거된다. 즉 웨이퍼 (W)의 주위에 도중 화살표로 나타나는 바와 같은 한방향 흐름이 형성된다. 이 한방향 흐름이 형성되는 동안 히터 (42c~42e)의 발열량은 히터 (42a)(42b)(42f~42h)의 발열량보다 많아지도록 제어되어 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)는 제 2의 영역 (P2)보다 약간 높은 온도로 가열된다. 이와 같이 열판 (41)의 열과 한방향 흐름와에 의해 웨이퍼 (W)에 도포된 레지스트액의 가열 건조를 해 웨이퍼 (W)에 레지스트막이 형성된다.

웨이퍼 (W)로의 퍼지용 가스의 공급이 예를 들면 일정시간 행해진 후에 가스 공급원 (36)으로부터의 퍼지용 가스의 공급이 정지하고 토출부 (31)로부터의 퍼지용 가스의 토출이 정지한다. 이 퍼지용 가스의 토출 정지와 대략 동시에 배기부 (51)에 의한 배기도 정지하여 지지 핀 (24a)가 웨이퍼 (W)를 지지한 채로 상승한다. 냉각 플레이트 (25)가 다시 열판 (61)상으로 이동하여 웨이퍼 (W)는 냉각 플레이트 (25)상에 수수된다. 상기 냉각 플레이트 (25)는 웨이퍼 (W)의 조열(粗熱)을 실시하는 것과 동시에 기초대 (44)상을 앞측으로 이동한다. 그 후 지지 핀 (43a)를 개재시켜 상기 웨이퍼 (W)는 예를 들면 반송 아암 등의 반송 기구에 수수되고 프레임체 (20)의 밖으로 반송된다.

본 실시 형태의 가열 장치 (2)에 있어서는 레지스트액이 도포된 웨이퍼 (W) 를 열판 (41)에 재치하여 가열함에 있어서 열판 (41)과 천정판 (62)의 사이를 앞측으로부터 안측으로 흐르는 기류를 형성하고 있다. 즉 웨이퍼 (W)의 일단측으로부터 타단 측에 향하는 기류를 형성하면서 가열 처리를 실시하고 있으므로 웨이퍼 (W)의 주위로 가스가 체류하는 것이 억제되고 웨이퍼 (W)표면에 있어서의 유속의 격차가 억제되기 때문에 레지스트액으로부터의 승화물을 웨이퍼 (W)의 윗쪽으로부터 배출하는 효과가 높고 이 때문에 웨이퍼 (W)로의 파티클의 부착을 저감 할 수 있다. 그리고 이와 같이 이른바 한방향의 기류를 형성하면(기류의 배기부 (51)측인 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)에 있어서의 유속이 빨리 되는 경향에 있지만 열판 (41)에 매입된 복수의 히터 (42a~42h)의 발열량을 독립하여 제어하는 것으로 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)와 다른 영역인 제 2의 영역 (P2)가 독립해 가열 제어되도록 구성해 제 1의 영역 (P1)의 온도를 제 2의 영역 (P2)의 온도보다 높아지도록 가열하고 있으므로 면내 균일성이 높은 웨이퍼 (W)의 가열 처리를 실시할 수가 있다.

또한 상기 가열 장치 (2)에 있어서는 열판 (41) 표면에 설치된 돌기부 (46)을 개재시켜 웨이퍼 (W)가 열판 (41)로부터 부상한 상태로 보지되고 있기 때문에 (이 예에서는 돌기부의 높이는 0.3 mm로 설정해 둔다) 웨이퍼 (W)의 휘어진 상태에 의한 열판 (41)로의 접촉을 억제할 수가 있어 상기 웨이퍼 (W)의 위치 차이를 방지할 수 있고 특히 12 인치 사이즈 이상의 웨이퍼 (W)에서는 이 효과가 크다. 그리고 웨이퍼 (W)를 이와 같이 열판 (41)로부터 부상하는 것에 의해 열판 (41)로부터 웨이퍼 (W)로의 전열효과는 조금 나빠지지만 웨이퍼 (W)의 표면을 따라 웨이퍼 (W)의 가열 온도와 거의 같은 온도의 가스를 흘리고 있기 때문에 결과적으로 웨이퍼 (W) 의 면내 온도에 대해서 높은 균일성을 확보할 수가 있어 면내 균일성이 높은 가열 처리를 실시할 수가 있다.

열판 (41)의 돌기부 (46)의 높이가 0.1mm 때는 열판 (41)으로부터 웨이퍼 (W)로의 전열이 접촉하고 있는 경우와 실질 바뀌지 않았지만 돌기부 (46)의 높이를 0.3 mm이상으로 함으로써 웨이퍼 (W)의 가열 온도는 웨이퍼 (W)의 윗쪽을 흐르는 열풍에 의지하는 곳이 크고 그 때문에 열풍의 온도는 웨이퍼의 가열 온도 즉 웨이퍼 (W)의 가열 처리시의 설정 온도와 동일하게 하는 것이 바람직하지만 완전하게 일치시키는 것이 곤란하기 때문에 실제로는±2 % 정도의 격차는 피하지 못하고 따라서 열풍의 온도는 웨이퍼 (W)가열 온도의±2 % 이내의 온도로 하는 것이 중요하다.

또한 웨이퍼 (W)의 부상 거리를 크게 하는 것으로 돌기부 (46)의 높이가 0. 1 mm의 경우에 웨이퍼 (W)의 수수시에 나타난 웨이퍼 (W)의 슬라이딩 감소의 발생이 억제된다.

그런데 기술의 실시 형태에 있어서는 열판 (41)의 히터 (42a~h)의 발열량을 독립하여 제어하는 것으로 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)를 제 2의 영역 (P2)에 비해 높은 온도로 가열하고 있지만 예를 들면 천정판 (62)의 하면에 있어서 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)과 대향하는 영역과 제 2의 영역 (P2)와 대향하는 영역에 각각 독립하여 발열량이 제어되는 히터를 매입하여 이들의 히터에 의해 웨이퍼 (W)의 제 1의 영역 (P1)가 제 2의 영역 (P2)에 비해 높은 온도로 가열되는 바와 같은 구성으로서도 좋다. 이러한 경우는 열판 (41)측의 온도는 웨이퍼 (W)의 가열 시에 시종 균일해도 좋다. 천정판 (62)에 히터를 설치하는 구성에 관해서는 도 4와 실질 같은 구조이기 때문에 도시하고 있지 않다.

이어서 본 발명의 가열 장치 (2)를 도포, 현상 장치인 레지스트 패턴 형성 장치에 적용한 경우의 하나의 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 7은 레지스트 패턴 형성 장치의 평면도를 나타내고; 도 8은 동개략 사시도이고; 도 9는 동개략 측면도이다. 이 장치는 기판인 웨이퍼 (W)가 예를 들면 13매 밀폐 수납된 캐리어 (90)을 반입출하기 위한 캐리어 블럭 (S1)과 복수 예를 들면 5개의 단위 블럭 (B1~B5)를 세로로 배열하여 구성된 처리 블럭 (S2)와 인터페이스 블럭 (S3)과 노광 장치 (S4)를 구비하고 있다.

상기 캐리어 블럭 (S1)에는 상기 캐리어 (90)을 복수 재치 가능한 재치대 (91)과 이 재치대 (91)로부터 볼때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (92)와 개폐부 (92)를 개재시켜 캐리어 (90)으로부터 웨이퍼 (W)를 꺼내기 위한 트랜스퍼 아암 (C)가 설치되고 있다. 이 트랜스퍼 아암 (C)는 후술하는 단위 블럭 (B1 ; B2)의 수수 스테이지 (TRS1 ; TRS2)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 진퇴 자유 ; 승강 자유 ; 수직축 주위에 회전 자유 캐리어 (90)의 배열 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.

상기 캐리어 블럭 (S1)의 안쪽 측에는 프레임체 (93)에서 주위를 둘러싸는 처리 블럭 (S2)가 접속되고 있다. 처리 블럭 (S2)는 이 예에서는 하부측으로부터 하단측의 2단이 현상 처리를 행하기 위한 제 1 및 제 2의 단위 블럭(DEV층) (B1 ; B2) ; 레지스트막의 상층 측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 3의 단위 블럭(TCT층, B3); 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제 4의 단위 블럭(COT층, B4) ; 레지스트막의 하층 측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 5의 단위 블럭(BCT층, B5)로서 할당되어 있다. 여기서 상기 DEV층 (B1 ; B2)가 현상 처리용의 단위 블럭 TCT층(B3); COT층(B4); BCT층(B5)가 도포막형성용의 단위 블럭에 해당한다.

이어서 제 1~ 제 5의 단위 블럭 B(B1~B5)의 구성에 대해서 설명한다. 이들 각 단위 블럭 (B1~B5)는 웨이퍼 (W)에 대해서 약액을 도포하기 위한 액처리 유니트와 상기 액처리 유니트에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 각종 가열·냉각계의 처리 유니트와 이들의 장치의 가열·냉각계의 처리 유니트와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 전용의 반송 수단인 메인 아암 (A1~A5)를 갖추고 있다.

먼저 도 9에 나타내는 COT층 (B4)를 예로 해 이하에 설명한다. 이 COT층 (B4)의 거의 중앙에는 COT층 (B4)의 길이 방향(도중 Y축 방향)으로 캐리어 블럭 (S1)와 인터페이스 블럭 (S3)을 접속하기 위한 웨이퍼 (W)의 반송 영역 (R1)이 형성되고 있다.

본 반송 영역 (R1)의 캐리어 블럭 (S1)측에서 본 양측에는 앞측(캐리어 블럭 (S1)측) 으로부터 안쪽 측에 향해 우측으로 웨이퍼 (W)에 레지스트의 도포 처리를 행하기 위한 복수의 도포부를 갖춘 도포 유니트 (94)가 설치되고 있다. 또 COT층 (B4)의 앞측으로부터 안쪽 측에 향해 좌측에는 차례로 가열·냉각계의 유니트를 다단화한 4개의 선반 유니트 (U1; U2; U3 ;U4)가 설치되고 있어 도포 유니트 (94)에 서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 각종 유니트를 복수단 예를 들면 2단으로 적층한 구성으로 되어 있다.

상술의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 각종 유니트안에는 예를 들면 레지스트액의 도포전에 웨이퍼 (W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL); 레지스트액의 도포 후에 웨이퍼 (W)의 가열 처리를 행하기 위한 예를 들면 프리 베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트(CHP, 95); 웨이퍼 (W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주변 노광 장치(WEE) 등이 포함되어 있다. 이 예에서는 도 1~도 6으로 설명한 가열 장치 (2)는 이 가열 유니트 (95)에 해당한다. 또 냉각 유니트(COL)나 가열 유니트(CHP, 95)등의 각 처리 유니트는 각각 처리 용기 (96)내에 수납되고 있고 선반 유니트 (U1~U4)는 상기 처리 용기 (96)이 2단으로 적층되어 구성되고 각 처리 용기 (96)의 반송 영역 (R1)에 임하는 면에는 웨이퍼 (W)를 반입출 하는 반송구 (97)이 형성되고 있다. 또 이 예에서는 가열 유니트(CHP, 95)는 선반 유니트 (U3)로서 적층되고 있다.

상기 반송 영역 (R1)에는 상기 메인 아암 (A4)가 설치되고 있다. 이 메인 아암 (A4)는 상기 COT층 (B4)내의 모든 모듈(웨이퍼 (W)가 놓여지는 장소) 예를 들면 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트 도포 유니트 (95) 후술 하는 선반 유니트 (U5)와 선반 유니트 (U6)의 각부의 사이에 웨이퍼의 수수를 실시하도록 구성되고 있어 이 때문에 진퇴 자유; 승강 자유 ;수직축 주위에 회전 자유; Y축 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.

또 반송 영역 (R1)의 캐리어 블럭 (S1)와 인접하는 영역은 제 1의 웨이퍼 수 수 영역 R2로 되어 있고 이 영역 R2에는 도 7및 도 9에 나타나는 바와 같이 트랜스퍼 아암 (C)와 메인 아암 (A4)가 액세스 할 수 있는 위치에 선반 유니트 (U5)가 설치됨과 동시에 이 선반 유니트 (U5)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 제 1의 기판 수수 수단을 이루는 제 1의 수수 아암 (D1)를 구비하고 있다.

상기 선반 유니트 (U5)는 도 9에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 아암 (A1~A5)와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 이 예에서는 각 단위 블럭 (B1~B5)는 1개 이상 예를 들면 2개의 제 1의 수수 스테이지 (TRS1~TRS5)를 갖추고 있어 이것에 의해 제 1의 수수 스테이지가 다단으로 적층된 제 1의 수수 스테이지군을 구성하고 있다. 또 제 1의 수수 아암 (D1)는 각 제 1의 수수 스테이지 (TRS1~TRS5)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수가 있도록 진퇴 자유 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또 상기 제 1 및 제 2의 단위 블럭 (B1 ; B2)의 제 1의 수수 스테이지 (TRS1 ; TRS2)는 이 예에서는 트랜스퍼 아암 (C)와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수가 행해지도록 구성되어 캐리어 블럭용 수수 스테이지에 해당한다.

또한 반송 영역 (R1)의 인터페이스 블럭 (S3)과 인접하는 영역은 제 2의 웨이퍼 수수 영역 (R3)으로 되어 있어 이 영역 (R3)에는 도 9에 나타나는 바와 같이 메인 아암 (A4)를 액세스 할 수 있는 위치에 선반 유니트 (U6)가 설치됨과 동시에 이 선반 유니트 (U6)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 제 2의 기판 수수 수단을 이루는 제 2의 수수 아암 (D2)를 갖추고 있다.

상기 선반 유니트 (U6)는 도 9에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 아암 (A1~A5)와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 이 예에서는 각 단위 블럭 (B1~B5)는 1개 이상 예를 들면 2개의 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)를 구비하고 있어 이것에 의해 제 2의 수수 스테이지가 다단으로 적층된 제 2의 수수 스테이지군이 구성되고 있다. 제 2의 수수 아암 (D2)는 각 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수가 있도록 진퇴 자유 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이와 같이 본 실시의 형태에서는 5단에 적층된 각 단위 블럭 B1~ B5의 사이로 상기 기술의 제 1의 수수 아암 (D1)와 제 2의 수수 아암 (D2)에 의해 각각 제 1의 수수 스테이지 (TRS1~TRS5) 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)를 개재시켜 자유롭게 웨이퍼 (W)의 수수를 행할 수가 있도록 구성되고 있다.

이어서 다른 단위 블럭 B에 대해서 간단하게 설명한다. DEV층 (B1 ; B2)는 동일하게 구성되어 웨이퍼 (W)에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 복수의 현상부를 구비한 현상 유니트가 설치되어 선반 유니트 (U1~U4)에는 노광 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하는 포스트익스포져 베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트 (PEB)나 이 가열 유니트 (PEB)에 있어서의 처리뒤에 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL) ; 현상 처리 후의 웨이퍼 (W)를 수분을 날리기 위해서 가열 처리하는 포스트베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트(POST)를 갖추고 있는 이외는 COT층 (B4)와 동일하게 구성되고 있다. 또한 DEV층 (B1 ; B2)에 설치된 이들의 가열 유니트는 COT층 (B4)에 설치된 가열 유니트 (95)와 예를 들면 같은 구성을 갖고 처리 온도 및 처리 시간만이 다른 것으로 한다.

그리고 이들 DEV층 (B1 ; B2)에서는 각각 메인 아암 (A1; A2)에 의해 각각 제 1의 수수 스테이지 (TRS1 ; TRS2) ; 제 2의 수수 스테이지 (TRS6 ;TRS7)와 현상 유니트와 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 하게 되어 있다.

아직 TCT층 (B3)는 웨이퍼 (W)에 대해서 제 2의 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 복수의 제 2의 반사 방지막 형성부를 구비한 제 2의 반사 방지막형성 유니트가 설치되고 있다. 즉 제 2의 반사 방지막형성 유니트는 레지스트액을 도포한 후에 웨이퍼 (W)에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 장치이다. 또 약액 노즐 (12a)에 형성된 토출구로부터는 반사 방지막용의 약액이 토출되게 된다. 또 선반 유니트 (U1~U4)는 반사 방지막형성 처리전에 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트 (COL)이나 반사 방지막형성 처리 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하는 가열 유니트가 갖추고 있는 이외는 COT층 (B4)와 동일하게 구성되고 있다. 또한 상기 가열 유니트(CHP)는 COT층 (B4)에 설치된 가열 유니트 (95)와 예를 들면 같은 구성을 갖고 처리 온도 및 처리 시간만이 다른 것으로 한다. 그리고 이 TCT층 (B3)에서는 메인 아암 (A3)에 의해 제 1의 수수 스테이지 (TRS3); 제 2의 수수 스테이지 TRS8와 제 2의 반사 방지막형성 유니트와 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트와에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 하게 되어 있다.

그리고 BCT층 (B5)는 웨이퍼 (W)에 대해서 제 1의 반사 방지막의 형성 처리를 실시하는 안됨의 복수개의 제 1의 반사 방지막형성부를 갖춘 제 1의 반사 방지막형성 유니트가 설치되고 있다. 즉 상기 제 1의 반사 방지막형성 유니트는 레지스트액을 도포하기 전에 웨이퍼 (W)에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 장치이 다. 또 약액 노즐 (12a)에 형성된 토출구으로부터는 반사 방지막용의 약액이 토출되게 된다. 또 선반 유니트 (U1~U4)는 반사 방지막형성 처리전에 웨이퍼 (W)를 소정 온도에 조정하기 위한 냉각 유니트(COL)나 반사 방지막형성 처리 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하는 가열 유니트(CHP)를 구비하여 주변 노광 장치(WEE)를 구비하고 있지 않은 이외는 COT층(B4)와 동일하게 구성되고 있다. 또한 상기 가열 유니트(CHP)는 COT층 (B4)에 설치된 가열 유니트 (95)와 예를 들면 같은 구성을 가져 처리 온도 및 처리 시간만이 다른 것으로 한다. 그리고 이 제 5의 단위 블럭 (B5)에서는 메인 아암 (A5)에 의해 제 1의 수수 스테이지 (TRS5); 제 2의 수수 스테이지 (TRS10)과 제 1의 반사 방지막형성 유니트와 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트와에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 하게 되어 있다.

또한 이들 처리 유니트는 가열 유니트(CHP· PEB· POST) ;냉각 유니트(COL) 주변 노광 장치(WEE)에 한정하지 않고 다른 처리 유니트를 설치하도록 해도 괜찮고 실제의 장치에서는 각 처리 유니트의 처리 시간 등을 고려해 유니트의 설치수를 결정할 수 있다.

한편 처리 블럭 (S2)에 있어서의 선반 유니트 (U6)의 안쪽 측에는 인터페이스 블럭 (S3)을 개재시켜 노광 장치 (S4)가 접속되고 있다. 인터페이스 블럭 (S3)에는 처리 블럭 (S2)의 선반 유니트 (U6)와 노광 장치 (S4)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 인터페이스 아암 (B)를 갖추고 있다. 이 인터페이스 아암 (B)는 처리 블럭 (S2)와 노광 장치 (S4)의 사이에 개재하는 웨이퍼 (W)의 반송 수단을 이루는 것이고 이 예에서는 제 1~ 제 4의 단위 블럭 (B1~B4)의 제 2의 수수 스테이 지 (TRS6~TRS9)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 진퇴 자유; 승강 자유 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 이 예에서는 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS9)가 인터페이스 블럭용 수수 스테이지에 해당한다.

또 상기 인터페이스 아암 (B)는 모든 단위 블럭 (B1~B5)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 구성해도 자주(잘) 이 경우에는 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)가 인터페이스 블럭용 수수 스테이지에 해당한다.

이어서 메인 아암 (A) ((A1~A5))에 대해서 COT층의 메인 아암 (A4)를 예로 해 간단하게 설명하면 도 10에 나타나는 바와 같이 메인 아암 (A4)는 웨이퍼 (W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 2개의 아암체 (201; 202)를 구비하고 있어 이들 아암체 (201; 202)는 기초대 (203)을 따라 서로 독립하여 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 또 이 기초대 (203)은 회전 기구 (204)에 의해 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성됨과 동시에 이동 기구 (205)에 의해 선반 유니트 (U1~U4)를 지지하는 받침부 (206)의 반송 영역 (R1)에 임하는 면에 장착된 Y축 레일 (207)을 따라 Y축 방향으로 이동 자유 한편 승강 레일 (208)을 따라 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이렇게 해 아암체 (201; 202)는 진퇴 자유 Y축 방향으로 이동 자유 ;승강 자유 ;수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다. 메인 아암 A1~A3 및 A5도 메인 아암 (A4)와 동일하게 구성되고 있고 메인 아암 (A)는 선반 유니트 (U1~U6)의 각 유니트나 제 1및 제 2의 수수 스테이지 (TRS1~TRS10); 액처리 유니트의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수가 있게 되어 있다.

COT층 (B4)에서는 웨이퍼 (W)는 메인 아암 (A4)에 의해 반송구 (97)을 개재시켜 가열 유니트내에 반송되어 레지스트액이 도포된 후에 웨이퍼 (W)는 반송구 (97)을 개재시켜 메인 아암 (A4)에 의해 가열 유니트 (95)의 외부에 반송된다.

여기서 이 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼 (W)의 흐름에 대해서 레지스트막의 상하에 각각 반사 방지막을 형성하는 경우를 예로 해 설명한다. 먼저 외부로부터 캐리어 (90)이 캐리어 블럭 (91)에 반입되어 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 이 캐리어 (90)내로부터 웨이퍼 (W)가 꺼내진다. 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)로부터 먼저 제 2의 단위 블럭 (B2)의 선반 유니트 (U5)의 제 1의 수수 스테이지 (TRS2)에 수수되고 그 다음에 웨이퍼 (W)는 BCT층 (B5)에 웨이퍼 (W)를 수수하기 위해서 제 1의 수수 아암 (D1)에 의해 제 1의 수수부 (TRS5)를 개재시켜 BCT층 (B5)의 메인 아암 (A5)에 수수된다. 그리고 BCT층 (B5)에서는 메인 아암 (A5)에 의해 냉각 유니트(COL)→ 제 1의 반사 방지막형성 유니트 → 가열 유니트(CHP) → 선반 유니트 (U6)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS10)의 순서로 반송되어 제 1의 반사 방지막이 형성된다.

이어서 제 2의 수수 스테이지 TRS10의 웨이퍼 (W)는 제 2의 수수 아암 (D2)에 의해 COT층 (B4)에 웨이퍼 (W)를 주고 받기 위해서 제 2의 수수 스테이지 (TRS9)에 반송되어 그 다음에 상기 COT층 (B4)의 메인 아암 (A4)에 수수된다. 그리고 COT층 (B4)에서는 메인 아암 (A4)에 의해 냉각 유니트(COL) → 도포 유니트→ 가열 유니트(CHP) → 제 1의 수수 스테이지 (TRS4)의 순서로 반송되어 제 1의 반사 방지막 위에 레지스트막이 형성된다.

그 다음에 수수 스테이지 (TRS4)의 웨이퍼 (W)는 제 1의 수수 아암 (D1)에 TCT층 (B3)에 웨이퍼 (W)를 수수하기 위해서 제 1의 수수 스테이지 TRS3에 반송되어 상기 TCT층 (B3)의 메인 아암 (A3)에 수수된다. 그리고 TCT층 (B3)에서는 메인 아암 (A3)에 의해 냉각 유니트(COL) → 제 2의 반사 방지막형성 유니트 → 가열 유니트(CHP) → 주변 노광 장치(WEE) → 선반 유니트 (U6)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS8)의 순서로 반송되어 레지스트막 위에 제 2의 반사 방지막이 형성된다.

이어서 제 2의 수수 스테이지 (TRS8)의 웨이퍼 (W)는 인터페이스 아암 (B)에 의해 노광 장치 (S4)에 반송되어 여기서 소정의 노광 처리를 한다. 노광 처리 후의 웨이퍼 (W)는 인터페이스 아암 (B)에 의해 (DEV층 B1· B2)에 웨이퍼 (W)를 수수하기 위해서 선반 유니트 (U6)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS6) (TRS7)에 반송되어 이 스테이지 (TRS6) (TRS7) 상의 웨이퍼 (W)는 DEV층 (B1· B2) ; 메인 아암 (A1) (A2)→에 수취되고 상기 DEV층 (B1 ·B2)에서 먼저 가열 유니트(PEB) → 냉각 유니트(COL) → 현상 유니트→ 가열 유니트(POST)의 순서로 반송되어 소정의 현상 처리를 한다. 이렇게 해 현상 처리를 한 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)에 웨이퍼 (W)를 주고 받기 위해서 제 1의 수수 스테이지 (TRS1)(TRS2)에 반송되어 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 캐리어 블럭 (S1)에 재치되고 있는 원래의 캐리어 (90)에 되돌려진다.

이와 같이 본 발명의 가열 장치를 도포, 현상 장치인 레지스트 패턴 형성 장치에 설치되는 가열 유니트로서 적용하는 것으로 도포막 형성용의 각 블럭 (B3~B5)에서 도포액으로서 레지스트액 또는 반사 방지막용의 약액이 도포된 웨이퍼 (W)에 대해서 기술한 것처럼 말하자면 한방향 흐름를 형성하면서 제 1의 영역 (P1)와 제 2의 영역 (P2)를 독립해 가열 제어할 수 있으므로 면내 균일성의 높은 웨이퍼 (W)의 가열 처리를 실시할 수가 있기 때문에 상기 웨이퍼 (W)에 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수가 있다.

또한 가열 장치 (2)는 기판에 레지스트막을 형성하는 도포, 현상 장치 이외로도 예를 들면 액체인 절연막의 앞구동체를 기판에 도포하여 상기 액체를 가열시키는 것으로 기판에 절연막을 형성하는 절연막형성 장치에도 적용할 수 있다.

(평가 시험 1)

기술의 가열 장치 (2)를 이용해 표면에 어떠한 도포액이 도포되어 있지 않은 웨이퍼 (W)에 대해서 가열 처리를 실시하고 상기 웨이퍼 (W)의 표면에 있어서의 평균 유속 분포 및 편차폭 분포(단위시간당의 풍속 변화의 평균치)를 측정했다. 또한 돌기부 (46)의 높이는 0.3 mm로 하고 열판 (41)에 의한 웨이퍼 (W)의 가열 온도는 140 ℃로 했지만 이 평가 시험 1에서는 오프셋을 하지않고서 즉 열판 (41)의 각 히터 (42a~42h)의 발열량에 차이를 두지 않고 웨이퍼 (W)를 가열했다. 또 웨이퍼 (W)에 대해서 흐르는 한 방향 흐름의 온도는 140 ℃로 그 한 방향 흐름의 유량은 5 L/min로 하였다.

(평가 시험 2)

평가 시험 2로서 도 13에 나타나는 바와 같은 웨이퍼 (W)의 사방에 걸쳐서 형성된 가스 공급구 (12)로부터 가스를 공급하면서 열판 (11)을 가리는 덮개 (13)의 중앙부로부터 흡인 배기하는 것으로 웨이퍼 (W)의 외주위로부터 중앙으로 향하 는 기류를 형성하는 종래의 가열 장치를 이용해 표면에 어떤 도포액이 도포되어 있지 않은 웨이퍼 (W)에 대해서 가열 처리를 실시했다. 열판 (11)에 의한 웨이퍼 (W)의 가열 온도 및 상기 기류의 온도는 140 ℃로 하고 상기 기류의 유량은 3 L/min로 하였다.

도 11a에 평가 시험 1의 결과를 나타냈다. 이 도는 유속을 칼라로 기재되어 있는 도을 흑백 화상으로 했기 때문에 세세한 분포는 표시할 수 없지만 도 4의 제 1의 영역 (P1)에 대응하는 영역에 있어서의 기류의 유속은 제 2의 영역 (P2)에 있어서의 기류의 유속에 비해 커지고 있는 것을 알 수 있다. 따라서 상기 한방향 흐름에 의해 제 1의 영역 (P1)에 있어서 빼앗기는 열량은 제 2의 영역 (P2)에 있어서 빼앗기는 열량에 비해 커져 웨이퍼 (W)의 면내 균일성을 향상시키기 위하여 제 1의 영역 (P1)를 제 2의 영역 (P2)보다 높은 온도로 가열하는 것은 유효하다라고 말할 수 있다. 또 도 11b로 나타나는 바와 같이 편차폭 분포에 대해서는 이 평가 시험 1에서는 특히 큰 변동은 볼 수 없었다.

그런데 한 방향 흐름를 보내지 않는 경우는 가열 장치 (2)의 프레임체내 (20)에 있어서 히터 (42)의 열 등에 의해 공기의 자연 대류가 발생하고 있어 이 자연 대류에 의해 웨이퍼 (W)표면의 각부에 있어서의 풍속은 안정되지 않고 또 웨이퍼 (W)표면의 각부에 있어서의 온도도 안정되지 않는 것이 예상되지만 이 평가 시험 1에서는 상기 편차폭 분포로부터 풍속의 변동이 억제되고 있는 것을 알 수 있다. 따라서 한방향 흐름를 보내는 것으로 이 자연 대류의 영향이 해소되고 웨이퍼 (W)의 각부의 풍속 온도가 안정화되어 웨이퍼 (W)의 면내 균일성의 저하를 막을 수 가 있다고 말할 수 있다.

한편 평가 시험 2에 있어서는 도 12a에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)의 중심부 부근의 유속이 그 외측 부분에 비해 늦어지고 상기 중심부 부근의 온도가 높아지는 것이 나타났다. 또 도 12b에 나타나는 바와 같이 편차폭 분포는 웨이퍼 (W)표면의 각 지점마다 달라 그만큼 분포 범위는 평가 시험 1에 있어서의 분포 범위보다 컸다. 이 평가 시험 1의 편차폭 분포와 평가 시험 2의 편차폭 분포를 비교하면 웨이퍼 (W)에 대해서 가열 처리를 실시할 때에 한 방향 흐름을 형성하여 가열하는 것에 의해 웨이퍼 (W)의 주위에 있어서의 유속의 격차가 억제되는 것이 확인된다.

본 발명에 의하면 도포액이 도포되고 기판을 열판에 재치하여 가열함에 있어서 기판의 일단측으로부터 타단 측에 향하는 기류를 형성하면서 가열 처리를 실시하고 있으므로 기판의 주위로 가스가 체류하는 것이 억제되고 기판 표면에 있어서의 유속의 격차가 억제되기 때문에 도포액으로부터의 승화물을 기판의 윗쪽으로부터 배출하는 효과가 높고 이 때문에 기판으로의 파티클의 부착을 저감 할 수 있다. 그리고 이와 같이 이른바 한방향의 기류를 형성하면 기류의 배기부측인 기판의 타단부위의 유속이 빠르게 이루어지는 경향에 있지만 이 타단 부위인 제 1의 영역과 다른 영역인 제 2의 영역을 독립하여 가열 제어할 수 있도록 구성하고 제 1의 영역의 온도를 제 2의 영역의 온도보다 높아지도록 하고 있으므로 면내 균일성이 높은 가열 처리를 실시할 수가 있다.

또 다른 발명에 의하면 기판과 대향하는 천정판에 대해서 천정판에 설치된 가열 수단에 의해 상기 제 1의 영역에 대향하는 영역의 온도가 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역에 대향하는 영역의 온도보다 높아지도록 가열하고 있으므로 면내 균일성의 높은 가열 처리를 실시할 수가 있다.

또한 다른 발명에 의하면 기판을 열판으로부터 부상시켜 재치하기 위한 돌기부의 높이를 0.3 mm~1.0 mm로 하고 있기 때문에 사이즈가 큰 기판으로서도 예를 들면 12 인치 사이즈의 웨이퍼로서도 기판의 휘어진 상태에 의한 열판으로의 접촉을 억제할 수가 있고 위치 차이를 방지할 수 있음과 동시에 열판과 천정판의 사이에 기판의 가열 온도와 거의 같은 온도의 가스를 토출하고 있기 때문에 면내 균일성이 높은 가열 처리를 실시할 수가 있다.

그리고 이상과 같은 가열 장치를 도포, 현상 장치에 설치하면 양호한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.

Claims (11)

1. 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 장치에 있어서,

   기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체와,

   이 프레임체 내에 설치되고 기판을 재치하기 위한 열판과,

   상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판과,

   상기 열판 상에 설치되고 기판을 열판의 표면으로부터 부상시켜 지지하기 위한 돌기부와,

   상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되고, 상기 열판과 천정판 사이에, 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하여 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하기 위한 가스 토출구와,

   상기 열판을 사이에 두고 가스 토출구와 대향하는 측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되고, 상기 가스를 흡인 배기하는 배기구와,

   상기 열판에 설치되고, 상기 기판에 있어서의 배기구측의 제 1의 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역을 독립하여 가열할 수가 있고, 제 1의 영역을 제 2의 영역보다 높은 온도로 가열하는 가열 수단을 구비하고,

   상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가스 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되고,

   상기 가스 토출구로부터의 기류가 기판의 일단측으로부터 타단측을 향해 흐르는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 돌기부는, 높이 0.3 mm~1.O mm인 것을 특징으로 하는 가열 장치.
3. 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 장치에 있어서,

   기판을 재치하기 위한 열판과,

   기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체와,

   이 프레임체 내에 설치되고 기판을 재치하기 위한 열판과,

   상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판과,

   상기 열판 상에 설치되고, 기판을 열판의 표면으로부터 부상시켜 지지하기 위한 돌기부와,

   상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되고, 상기 열판과 천정판 사이에, 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하여 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하기 위한 가스 토출구와,

   상기 열판을 사이에 두고 가스 토출구와 대향하는 측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치되고, 상기 가스를 흡인 배기하는 배기구와,

   상기 천정판에 설치되고 상기 기판에 있어서의 배기구측의 제 1의 영역에 대향하는 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역에 대향하는 영역을 독립하여 가열할 수가 있고, 제 1의 영역에 대향하는 영역을 제 2의 영역에 대향하는 영역보다 높은 온도로 가열하는 가열 수단을 구비하고,

   상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가스 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되고,

   상기 가스 토출구로부터의 기류가 기판의 일단측으로부터 타단측을 향해 흐르는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
4. 청구항 2에 있어서,

   기판은, 12 인치 사이즈의 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 가열 장치.
5. 청구항 1, 2, 또는 4 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 천정판에는 상기 천정판의 하면을 가열하기 위한 가열 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
6. 기판을 수납하여 캐리어가 반입되는 캐리어 블럭과,

   상기 캐리어로부터 꺼내진 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포부와, 레지스트가 도포된 기판을 가열하는 가열 장치와, 가열된 기판을 냉각하는 냉각부와, 노광 후의 기판을 현상하는 현상 처리부를 포함한 처리 블럭과,

   상기 처리 블럭과 노광 장치의 사이에서 기판의 수수를 실시하는 인터페이스부를 구비한 도포, 현상 장치에 있어서,

   상기 가열 장치는 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 가열 장치를 이용한 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
7. 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 방법에 있어서,

   기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체 내에 설치되고, 기판을 재치하기 위한 열판과, 상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판을 구비한 가열 장치를 이용하고,

   기판을 프레임체 내에 반입하고, 상기 프레임체 내의 열판에, 상기 열판에 설치된 돌기부에 의해 열판의 표면으로부터 부상시킨 상태에서 재치하는 공정과,

   상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 가스 토출구로부터 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하면서, 열판의 타단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 배기구로부터 흡인 배기함으로써, 상기 열판과 천정판의 사이에 열판의 일단측으로부터 타단측으로 향하는 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하는 공정과,

   상기 열판에 설치되어 상기 기판에 있어서의 배기구측의 미리 결정되어진 제 1의 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역을 가열 수단에 의해 독립하여 가열 제어하고 상기 제 1의 영역을 제 2의 영역보다 높은 온도로 가열하는 공정을 포함하고,

   상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가스 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 방법.
8. 도포액이 도포된 기판을 가열 처리하는 가열 방법에 있어서,

   기판을 가열 처리하는 공간을 외부와 구획하는 프레임체 내에 설치되고, 기판을 재치하기 위한 열판과, 상기 프레임체의 상면과 열판 사이에 기판과 대향하도록 설치된 정류용의 천정판을 구비한 가열 장치를 이용하고,

   기판을 프레임체 내에 반입하고, 상기 프레임체 내의 열판에, 상기 열판에 설치된 돌기부에 의해 열판의 표면으로부터 부상시킨 상태에서 재치하는 공정과,

   상기 열판의 일단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 가스 토출구로부터 기판의 가열 처리시의 설정 온도로 가열된 가스를 토출하면서 열판의 타단측에서 상기 열판의 표면보다 낮은 위치에 설치된 배기구로부터 흡인 배기함으로써 상기 열판과 천정판 사이에 열판의 일단측으로부터 타단측으로 향하는, 기판의 폭을 커버 할 수 있는 폭의 기류를 형성하는 공정과,

   상기 천정판에 설치되어, 상기 기판에 있어서의 배기구측의 미리 결정되어진 제 1의 영역에 대향하는 영역과 상기 제 1의 영역 이외의 제 2의 영역에 대향하는 영역을 가열 수단에 의해 독립하여 가열 제어하고, 상기 제 1의 영역에 대향하는 영역을 제 2의 영역에 대향하는 영역보다 높은 온도로 가열하는 공정을 포함하고,

   상기 정류용의 천정판의 일단측은, 상기 가스 토출구와 대향하는 위치보다 상기 배기구에 대해 반대 방향으로 더 신장되어 있는 것을 특징으로 하는 가열 방법.
9. 청구항 7에 있어서,

   상기 천정판에 설치된 가열 수단에 의해 상기 천정판의 하면을 가열하면서 기판의 가열 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 가열 방법.
10. 삭제
11. 삭제

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