JP2010192623A - 半導体装置の製造装置、その制御方法、及びその制御プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】露光ステージを複数備えた露光装置を使用した場合であっても、形成されるパターンの寸法のずれを抑制することのできる、半導体装置の製造装置、その制御方法、及びその制御プログラムを提供する。
【解決手段】ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機から、加熱対象ウエハの露光時に用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得するステージ情報取得部と、前記加熱対象ウエハの加熱を行う加熱装置の加熱温度を設定する温度設定部とを具備する。前記温度設定部は、前記ステージ情報に基づいて、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に、前記加熱温度の設定を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造装置、その制御方法、及びその制御プログラムに関する。

半導体装置を製造する際には、形成されるパターンの寸法を目標とする寸法に精度良く一致させることが望まれる。しかし、半導体装置を製造する際には、様々な原因により、形成されるパターンの寸法がずれてしまう。

パターンの寸法を変化させる要因として、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）工程における加熱温度が挙げられる。半導体装置を製造する際には、ウエハの被加工膜上に、樹脂製のレジストが形成される。そして、そのレジスト膜は、所定パターンが形成されているフォトマスクを通して露光される。露光後のウエハは加熱される。この加熱は、レジスト膜の化学反応を促進する目的で行われ、ポストエクスポージャベーク工程と呼ばれる。ウエハは、ポストエクスポージャベーク工程後に現像される。現像により、レジスト膜に所定パターンが形成される。ポストエクスポージャベーク工程の加熱温度は、現像後のレジストパターンの寸法に影響を与える。例えば、一枚のウエハ内において、加熱時の温度に面内ばらつきが存在すると、同一ウエハであっても、場所によって、形成されるパターンの寸法がずれてしまうことがある。

特許文献１（特開２００６−２２８８１６）には、レジストパターンの線幅がウエハ面内で均一に形成されるように、熱板の温度設定を行うための技術が記載されている。特許文献１には、熱板が複数の熱板領域に分割され、各熱板領域毎に温度設定できることが記載されている。これにより、レジストパターンが基板面内において均一に形成されることが記載されている。

一方、パターンの寸法は、露光時の露光条件によっても変化することがある。関連して、特許文献２（特開２００５−１９７３６２）には、複数のウエハ間のウエハ面内の寸法ばらつきを容易に防止できる露光処理システムを実現することを課題とした技術が記載されている。特許文献２には、複数の加熱装置ユニット・現像装置ユニット対の中から、処理の対象となっているウエハに使用される加熱装置ユニット・現像装置ユニット対に起因して生じるウエハ面内のレジストパターンの寸法ばらつきを補正する為の補正データを用いて、処理の対象となっているウエハが露光されるように、露光装置が制御される。

特開２００６−２２８８１６号公報 特開２００５−１９７３６２号公報

ところで、露光装置の中には、露光ステージを複数備えた装置がある。複数の露光ステージを備えていることにより、一方の露光ステージで一のウエハに対する露光処理を行っている間に、他の露光ステージで他のウエハに対する露光前の各種測定処理などを行うことができる。複数の露光ステージによって露光処理を並列的に実行することができ、露光時のスループットを向上することができる。

ここで、露光装置には、各露光ステージに対応して、露光量センサーが設けられている。露光時には、露光量センサーを用いることによって、所望の量の光がウエハに照射される。しかしながら、露光量センサーには、個体差がある。露光センサーの個体差によって、複数の露光ステージ間において、実際の露光量が異なってしまうことがある。この露光量に違いにより、形成されるパターンの寸法に露光ステージ間差が生じてしまう、という問題点があった。

本発明に係る半導体装置の製造装置は、ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機から、加熱対象ウエハの露光時に用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得するステージ情報取得部と、前記加熱対象ウエハの加熱を行う加熱装置の加熱温度を設定する温度設定部とを具備する。前記温度設定部は、前記ステージ情報に基づいて、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に、前記加熱温度の設定を行う。

本発明に係る半導体製造装置の制御方法は、ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機から、加熱対象ウエハの露光時に用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得するステップと、前記ステージ情報に基づいて、前記加熱対象ウエハの加熱を行う加熱装置の加熱温度を、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に設定するステップとを具備する。

本発明に係る半導体装置製造装置の制御プログラムは、上述の半導体装置製造装置の制御方法を、コンピュータにより実現するためのプログラムである。

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、レジスト膜が形成されたウエハを、ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機により露光し、加熱対象ウエハを作成する工程と、加熱装置により、前記加熱対象ウエハを加熱し、加熱後ウエハを作成する工程と、前記加熱後ウエハを現像し、前記レジスト膜に所定パターンを形成する工程と、を具備する。前記加熱後ウエハを作成する工程は、前記加熱対象ウエハを作成する工程で用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得する工程と、前記ステージ情報に基づいて、前記加熱装置の加熱温度を、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に設定する工程とを備える。

本発明によれば、露光ステージを複数備えた露光装置を使用した場合であっても、形成されるパターンの寸法のずれを抑制することのできる、半導体装置の製造装置、その制御方法、及びその制御プログラムが提供される。

半導体装置の製造装置を示す構成図である。 各加熱ユニットを示す側面図及び上面図である。 半導体装置の製造方法の全体的な流れを示すフローチャートである。 制御装置を示す機能構成図である。 寸法データの内容を示す概念図である。 組み合わせ情報の一例を示す概念図である。 半導体装置製造装置の制御方法を示すフローチャートである。 変形例に係る半導体装置の製造装置を示す構成図である。 他の変形例に係る半導体装置の製造装置を示す構成図である。

以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置１を示す構成図である。

図１に示されるように、この半導体装置の製造装置１は、露光機２と、塗布現像機３と、制御装置５とを備えている。塗布現像機３は、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）装置４（加熱装置）と、図示しない現像装置とを備えている。

露光機２は、レジスト膜が形成されたウエハを露光するための装置であり、通常は、所定のパターン（光を通す部分と通さない部分からなる）が形成されたフォトマスクを通して、ウエハ上に形成されたレジスト膜を露光する（光を当てる）。そのレジストとしては、化学増幅型レジストが用いられるものとする。露光機２は、複数（２個）の露光ステージ２０（２０−１及び２０−２）を備えている。各露光ステージ２０は、露光時にウエハを載せるためのものである。一方の露光ステージでの露光中に、他方の露光ステージでは露光前の測定処理などが行われる。これによって、単一の露光ステージを有する露光機よりも、露光処理に要するスループットを向上できる。このような露光機は、デュアルステージ型露光機とも呼ばれる。

また、露光機２には、各露光ステージ２０に対応して、露光量センサ（図示せず）が取り付けられている。露光時には、この露光量センサを利用して、所望の露光量となるように、露光が行われる。

露光機２としては、液浸型の露光機が用いられてもよいし、従来型のレンズとウエハ間に液体を介さない露光機が用いられてもよいし、他のどの世代の露光機が用いられてもよい。本実施形態では、一例として、液浸型の露光機が用いられるものとする。

塗布現像機３は、露光機２によって露光されたウエハを現像する為の装置である。塗布現像機３では、まず、ＰＥＢ装置４によって、ウエハの加熱処理が行われる。この加熱処理は、化学増幅型レジストの露光による反応を促進する為に行われる。ＰＥＢ装置４により加熱されたウエハ（加熱後ウエハ）は、塗布現像機３により、現像される。現像により、ウエハ上のレジストがパターニングされる。

また、塗布現像機３は、露光前のウエハに対して、反射防止膜やレジスト膜を形成する機能も備えている。すなわち、ウエハは、塗布現像機３によって反射防止膜、レジスト膜、及び保護膜などが形成された後、露光機３に受け渡される。ウエハは、露光機３によって露光された後、再び塗布現像機３に受け渡される。そして、塗布現像機３によって現像が行われる。

図示していないが、現像後のウエハは、エッチング装置により、レジストをマスクとしてエッチングされる。その後、剥離装置によってレジストが剥離される。これにより、ウエハ上に所定のパターンが形成された半導体装置が得られる。

ＰＥＢ装置４は、振り分け機構６と、複数（例えば４個）の加熱ユニット７（７−１〜７−４）を備えている。ＰＥＢ装置４において、ウエハは、振り分け機構６により、複数の加熱ユニット７の何れかに振り分けられる。複数の加熱ユニット７を備えていることにより、複数のウエハを並列的に処理することが可能となり、ＰＥＢ装置４におけるスループットを向上することができる。

図２は、各加熱ユニット７を示す上面図（ａ）及び側面図（ｂ）である。図２に示されるように、各加熱ユニット７は、支持ロッド７１と、支持ロッド７１に支持された支持板７２とを備えている。支持板７２には、ウエハを載せる載置面７３が形成されている。載置面７３は、複数（例えば４個）の加熱領域７４（７４−１〜７４−４）に分割されている。複数の加熱領域７４は、それぞれ独立して、温度制御可能である。

制御装置５は、ＰＥＢ装置４の制御を行う装置である。制御装置５は、ＰＥＢ装置４の加熱温度を設定する。また、制御装置５は、加熱対象のウエハについて、どのＰＥＢユニット７によって加熱を行うかを決定し、振り分け機構６の動作を制御する。

続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の全体的な流れを示すフローチャートである。

まず、被加工膜が形成されたウエハが用意され、この被加工膜上に反射防止膜が形成される（ステップＳ１）。続いて、反射防止膜上に、化学増幅型のレジスト膜が形成される（ステップＳ２）。さらに、レジスト膜上に、レジスト保護膜が形成される。レジスト保護膜は、液浸型の露光機を用いる場合に形成されるものであり、露光時にレジスト膜が溶出してしまうことを防止する目的で形成される（ステップＳ３）。レジスト保護膜は、液浸型でない露光機に対しては反射防止の用途で使用されるが、プロセスによっては使用されない場合もある。次いで、ウエハが露光機２によって露光される。このとき、ウエハは、露光ステージ２０−１と露光ステージ２０−２との何れかによって、露光される（ステップＳ４）。次いで、ウエハは、露光機２から塗布現像機５に受け渡される。塗布現像機５では、ウエハは、振り分け機構６により、複数の加熱ユニット７の何れかに送られる。ウエハは、複数の加熱ユニット７のいずれかにより、加熱される（ステップＳ５）。その後、現像装置によって、ウエハは現像される（ステップＳ６）。

ここで、本実施形態では、最終的に形成されるパターンの寸法を目標とする寸法に合わせるために、制御装置５によってＰＥＢ装置４の加熱温度が調節される。ＰＥＢ装置４の加熱温度を調節することにより、現像後に得られるレジストパターンの寸法を調節することができ、実際に形成されるパターンの寸法を目標値に合わせることができる。しかし、本実施形態では、ウエハが、複数の露光ステージ２０のいずれかにおいて露光される。露光ステージが異なるウエハ同士では、既述のように、露光量センサーの個体差によって、形成されるパターンの寸法にずれが生じる場合がある。

露光ステージ間の寸法のずれは、露光工程に起因するずれである。通常であれば、露光工程に起因するずれに対しては、露光工程で補正を行うことよいと思われる。すなわち、形成されるパターンの寸法の差がなくなるように、各露光ステージ２０毎の露光量を微調整することが考えられる。

しかしながら、露光量を変えたときの寸法変動量は、いわゆる光近接効果の影響により、パターンピッチやサイズによって異なることがある。すなわち、露光ステージ２０間のパターン寸法差を露光量によって無くそうとする場合には、パターンピッチやサイズなどを考慮に入れなければならず、補正時の処理が複雑になってしまう。また、露光量により、レジストパターンの断面の傾きが変わってしまうこともある。レジストパターンの断面の傾きは、エッチング後の寸法に影響を与えることがある。このように、露光量によって露光ステージ２０間差のパターン寸法差を無くそうとすることは、非常に困難である。

そこで、本実施形態では、制御装置５が、露光時に用いられた露光ステージ２０を考慮に入れて、加熱温度を決定する。すなわち、露光工程に起因する寸法のずれを、ポストエクスポージャ工程における加熱温度によって補正している。これにより、光近接効果などの影響を受けることなく、高精度にパターンの寸法のズレを補正することができる。以下に、制御装置５の構成及び動作について詳述する。

図４は、制御装置５を示す機能構成図である。図４に示されるように、制御装置５は、ステージ情報取得部５１と、温度設定部５２と、振り分け制御部５３と、寸法データ記憶部５４と、組み合わせ情報記憶部５５とを備えている。このうち、ステージ情報取得部５１、温度設定部５２、及び振り分け制御部５３は、コンピュータにインストールされた制御プログラムによって実現される。また、寸法データ記憶部５４及び組み合わせ情報記憶部５５は、ハードディスクなどの記憶媒体により実現される。

寸法データ記憶部５２は、既に処理が行われたウエハ上に形成されたパターンの寸法の実測値を、寸法データとして記憶している。図５は、寸法データの内容を示す概念図である。図５に示されるように、寸法データは、露光時に用いられた露光ステージ２０と、加熱時に用いられた加熱ユニット７と、形成されたパターンの寸法との対応関係を示している。また、寸法は、各加熱ユニット７の各加熱領域毎に、記憶されている。この寸法としては、現像後のレジストパターンの寸法が用いられてもよいし、エッチング後の被加工膜の寸法が用いられてもよい。

組み合わせ情報記憶部５５は、予め、露光ステージと加熱ユニットとの使用可能な組み合わせを、組み合わせ情報として記憶している。図６は、組み合わせ情報の一例を示す概念図である。図６に示される例では、露光ステージ２０−１で露光されたウエハは、加熱ユニット７−１又は７−２で加熱されることを示し、露光ステージ２０−２で露光されたウエハは、加熱ユニット７−３又は７−４で加熱されることを示している。

ステージ情報取得部５１は、露光機２から、ウエハＩＤと露光時に用いられた露光ステージＩＤとの対応関係を、ステージ情報として取得する。そして、加熱対象ウエハの露光時に用いられた露光ステージを特定し、特定露光ステージ情報を生成する。

振り分け制御部５３は、特定露光ステージ情報を取得すると、組み合わせ情報記憶部５５を参照し、加熱対象ウエハの加熱に使用される加熱ユニット７を決定する。振り分け制御部５３は、加熱対象ウエハが決定された加熱ユニット７に送られるように、ＰＥＢ装置４の振り分け機構６を制御する。また、振り分け制御部５３は、決定した加熱ユニット７を示す情報を、決定加熱ユニット情報として温度設定部５２に通知する。

温度設定部５２は、特定露光ステージ情報と、決定加熱ユニット情報とを取得すると、寸法データ記憶部５４を参照して、形成されるパターンの寸法が目標とする寸法に一致するように、加熱ユニット７の温度補正値を算出する。そして、温度補正値に基づいて、加熱温度を設定する。加熱温度は、用いられた露光ステージ毎に、個別に設定されることになる。またこのとき、温度設定部５２は、加熱ユニット７の各加熱領域７４について、加熱温度を設定する。ＰＥＢ装置４では、各加熱ユニット７の温度が、温度設定部５２によって設定された加熱温度に調節される。

上述のように、加熱温度が露光ステージ毎に設定されることにより、露光ステージ間の寸法のずれによる影響を無くすことができる。

続いて、本実施形態に係る半導体装置製造装置の制御方法について、詳細に説明する。図７は、本実施形態に係る半導体装置製造装置の制御方法を示すフローチャートである。ステップＳ７〜Ｓ１０の処理によって、加熱温度の条件だしが行われ、寸法データが作成される。その後、ステップＳ１１〜Ｓ１６の処理により、実製品に対する処理が行われる。

（加熱温度の条件だし）
まず、レジスト保護膜が形成されたパイロットウエハが用意される。パイロットウエハは、露光ステージ２０と加熱ユニット７４との組み合わせの数だけ、用意される。そして、各露光ステージ２０において、パイロットウエハの露光が行われる（ステップＳ７）。

次いで、各加熱ユニット７４により、パイロットウエハが加熱される（ステップＳ８）。その後、パイロットウエハが現像される（ステップＳ９）。

その後、パイロットウエハ上のレジストパターンの寸法が測定される（ステップＳ１０）。一枚のパイロットウエハに対しては、複数の加熱領域７４それぞれに対応するように、複数個所のレジストパターンが測定される。測定結果は、露光ステージ２０、加熱ユニット７、及び加熱領域７４と対応付けられ、制御装置５の寸法データ記憶部５４に寸法データとして記憶される。

尚、ステップＳ７において、パイロットウエハが、一つの露光ステージ２０と加熱ユニット７４との組み合わせについて複数用意されてもよい。そして、ステップＳ１０において、寸法データとして、複数のパイロットウエハの平均値が用いられてもよい。平均値を用いれば、より正確に寸法データを作成することが可能となる。

（実製品に対する処理）
続いて、処理対象のウエハについて、露光機３が露光を行う。ここで、露光機３は、処理を行ったウエハと用いた露光ステージとの対応関係をステージ情報として生成し、制御装置５に通知する（ステップＳ１１）。

次いで、制御装置５では、振り分け制御部５３が、ステージ情報に基づいて、加熱対象ウエハに使用する加熱ユニット７４を決定する。振り分け制御部５３は、加熱対象ウエハが決定された加熱ユニット７４に送られるように、振り分け機構６を制御する（ステップＳ１２）。

続いて、制御装置５が、寸法データに基づいて、形成されるパターンの寸法が目標値に一致するように、温度補正値を計算する。そして、温度補正値に基づいて、加熱温度を設定する（ステップＳ１３）。次いで、ＰＥＢ装置４において、加熱対象ウエハが加熱される（ステップＳ１４）。

ここで、加熱温度は、露光時に用いられた露光ステージ２０毎に、個別に、設定される。従って、露光ステージ２０間で形成されるパターンの寸法に差が生じる場合であっても、その差による影響を無くすことができる。

また、制御装置５は、加熱ユニット７毎に、個別に、加熱温度を設定する。従って、複数の加熱ユニット７４間の個体差により形成されるパターンの寸法に差が生じる場合であっても、この差による影響を無くすことができる。

更に、制御装置５は、複数の加熱領域７４それぞれについて、個別に、加熱温度を設定する。加熱ユニット７内においては、その位置によって、加熱の度合いが異なる、又はリソグラフィ以前のプロセス影響により、形成されるパターンの寸法に差が生じることがある。すなわち、同一ウエハ内において、パターン寸法の面内ばらつきが生じることがある。複数の加熱領域７４それぞれについて個別に加熱温度を設定することにより、パターン寸法の面内ばらつきをなくすことができる。

ＰＥＢ装置４により加熱されたウエハは、その後、現像装置によって現像される（ステップＳ１５）。現像後、形成されたレジストパターンの寸法が測定される（ステップＳ１６）。この測定結果は、必要に応じて制御装置５に通知され、寸法データ記憶部５４の寸法データが更新される。すなわち、寸法測定結果が、制御装置５にフィードバックされる。

以上説明したように、本実施形態によれば、加熱温度が、露光機２の露光ステージ毎に、個別に設定される。従って、露光ステージの違いに起因する形成パターン寸法の差を、ＰＥＢ装置４によって吸収することができる。

また、本実施形態では、予め、露光ステージと加熱ユニットとの使用可能な組み合わせが組み合わせ情報として設定されている。すなわち、組み合わせが限定されている。これにより、制御装置５は、露光ステージと加熱ユニットとの全組み合わせについて、温度補正値を算出する必要はない。組み合わせが限定されていることにより、制御装置５における温度補正値の算出処理に要する負担を軽減することが可能となっている。

尚、本実施形態では、制御装置５が、露光機２及び塗布現像機３とは別個に設けられている場合について説明した。しかし、制御装置５の機能の一部が、露光機２や塗布現像機３に組み込まれていてもよい。

例えば、図８に示されるような構成を変形例として採用することも可能である。図８に示される変形例では、制御装置５が、露光機２に組み込まれた制御部５−１と、塗布現像機３に組み込まれた制御部５−２とを備えている。制御部５−１は、ステージ情報取得５１として機能し、ステージ情報を有線又は無線によって制御部５−２に通知する。一方、制御部５−２は、温度設定部５２、振り分け制御部５３、寸法データ記憶部５４、及び組み合わせ情報記憶部５５として機能する。

また、図９に示されるような構成を他の変形例として採用することも可能である。図９に示される変形例では、制御装置５が、露光機３に組み込まれた制御部５−１と、塗布現像機３に組み込まれた制御部５−２と、露光機２及び塗布現像機３とは別に設けられたホストコンピュータ５−３とによって実現される。制御部５−１は、ステージ情報取得部５１として機能する。制御部５−２は、振り分け制御部５３として機能する。ホストコンピュータ５−３は、温度設定部５２、寸法データ記憶部５４、及び組み合わせ情報記憶部５５として機能する。

１ 半導体装置の製造装置
２ 露光機
３ 塗布現像機
４ ＰＥＢ装置
５ 制御装置
５１ ステージ情報取得部
５２ 温度設定部
５３ 振り分け制御部
５４ 寸法データ記憶部
５５ 組み合わせ情報記憶部
６ 振り分け機構
７ ＰＥＢユニット
７１ 支持ロッド
７２ 支持板
７３ 載置面
７４−１〜７４−４ 加熱領域

Claims (12)

1. ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機から、加熱対象ウエハの露光時に用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得するステージ情報取得部と、
   前記加熱対象ウエハの加熱を行う加熱装置の加熱温度を設定する温度設定部と、
   を具備し、
   前記温度設定部は、前記ステージ情報に基づいて、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に、前記加熱温度の設定を行う
   半導体装置の製造装置。
2. 請求項１に記載された半導体装置の製造装置であって、
   前記加熱装置は、前記加熱対象ウエハを載せる載置面を有する加熱ユニットを備え、
   前記載置面は、それぞれ独立して温度制御可能な複数の加熱領域に分割されており、
   前記温度設定部は、前記複数の加熱領域それぞれについて、個別に前記加熱温度を設定する
   半導体装置の製造装置。
3. 請求項１又は２に記載された半導体装置の製造装置であって、
   前記温度設定部は、前記露光機及び前記加熱装置で処理された処理後ウエハに形成されたパターンの寸法と、前記各露光ステージとの対応関係を、寸法データとして取得し、前記寸法データに基づいて、前記加熱対象ウエハ上に形成されるパターンの寸法が予め設定された目標寸法と一致するように、前記加熱温度を設定する
   半導体装置の製造装置。
4. 請求項１に記載された半導体装置の製造装置であって、
   前記加熱装置は、複数の加熱ユニットを備え、
   前記温度設定部は、前記複数の加熱ユニットそれぞれについて、個別に、前記加熱温度を設定する
   半導体装置の製造装置。
5. 請求項４に記載された半導体装置の製造装置であって、
   更に、
   予め設定された前記露光ステージと前記加熱ユニットとの使用可能な組み合わせを示す組み合わせ情報を参照し、前記複数の加熱ユニットの中から前記加熱対象ウエハの加熱を行うユニットを決定する、振り分け制御部、
   を具備し、
   前記温度設定部は、前記組み合わせ情報に記載された組み合わせについてのみ、前記加熱温度の設定を行うように構成されている
   半導体装置の製造装置。
6. ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機から、加熱対象ウエハの露光時に用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得するステップと、
   前記ステージ情報に基づいて、前記加熱対象ウエハの加熱を行う加熱装置の加熱温度を、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に設定するステップと、
   を具備する
   半導体装置製造装置の制御方法。
7. 請求項６に記載された半導体装置製造装置の制御方法であって、
   前記加熱装置は、前記加熱対象ウエハを載せる載置面を有する加熱ユニットを備え、
   前記載置面は、それぞれ独立して温度制御可能な複数の加熱領域に分割されており、
   前記個別に設定するステップは、前記複数の加熱領域それぞれについて、前記加熱温度を設定するステップを備えている
   半導体装置製造装置の制御方法。
8. 請求項６又は７に記載された半導体装置製造装置の制御方法であって、
   前記個別に設定するステップは、
   前記露光機及び前記加熱装置で処理された処理後ウエハに形成されたパターンの寸法と、前記各露光ステージとの対応関係を、寸法データとして取得するステップと、
   前記寸法データに基づいて、前記加熱対象ウエハ上に形成されるパターンの寸法が予め設定された目標寸法と一致するように、前記加熱温度を設定するステップとを備えている
   半導体装置製造装置の制御方法。
9. 請求項６に記載された半導体装置製造装置の製造方法であって、
   前記加熱装置は、複数の加熱ユニットを備え、
   前記個別に設定するステップは、前記複数の加熱ユニットそれぞれについて、個別に、前記加熱温度を設定するステップを備えている
   半導体装置製造装置の制御方法。
10. 請求項９に記載された半導体装置製造装置の制御方法であって、
    更に、
    予め設定された使用可能な前記露光ステージと前記加熱ユニットとの組み合わせを示す組み合わせ情報を参照し、前記複数の加熱ユニットの中から前記加熱対象ウエハの加熱を行うユニットを決定するステップ、
    を具備し、
    前記個別に設定するステップは、前記組み合わせ情報に記載された組み合わせについてのみ、前記加熱温度の設定を行うステップを備えている
    半導体装置製造装置の制御方法。
11. 請求項６乃至１０の何れかに記載された半導体装置製造装置の制御方法を、コンピュータにより実現するための、半導体装置製造装置の制御プログラム。
12. レジスト膜が形成されたウエハを、ウエハを載置する露光ステージを複数有する露光機により露光し、加熱対象ウエハを作成する工程と、
    加熱装置により、前記加熱対象ウエハを加熱し、加熱後ウエハを作成する工程と、
    前記加熱後ウエハを現像し、前記レジスト膜に所定パターンを形成する工程と、
    を具備し、
    前記加熱後ウエハを作成する工程は、
    前記加熱対象ウエハを作成する工程で用いられた前記露光ステージを特定する情報を、ステージ情報として取得する工程と、
    前記ステージ情報に基づいて、前記加熱装置の加熱温度を、前記複数の露光ステージそれぞれについて個別に設定する工程とを備える
    半導体装置の製造方法。

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