JP2006222354A - 熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】 レジストパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されるように,熱板の温度設定を行う。
【解決手段】 PEB装置の熱板は,複数の熱板領域R1〜R5に分割されており,各熱板領域R1〜R5毎に温度設定できる。熱板の各熱板領域R1〜R5には,熱板に載置されるウェハ面内の温度を調整するための温度補正値がそれぞれ設定される。この熱板の各熱板領域R1〜R5の温度補正値は,加熱温度及びレジスト液の種類によって定まる処理レシピ毎に設定される。
【選択図】 図8
【解決手段】 PEB装置の熱板は,複数の熱板領域R1〜R5に分割されており,各熱板領域R1〜R5毎に温度設定できる。熱板の各熱板領域R1〜R5には,熱板に載置されるウェハ面内の温度を調整するための温度補正値がそれぞれ設定される。この熱板の各熱板領域R1〜R5の温度補正値は,加熱温度及びレジスト液の種類によって定まる処理レシピ毎に設定される。
【選択図】 図8
Description
本発明は,熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程では,例えばウェハ上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理,レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理,露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理(ポストエクスポージャーベーキング),露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ,ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。
例えば上述のポストエクスポージャーベーキングなどの加熱処理は,加熱処理装置で行われている。加熱処理装置は,ウェハを載置して加熱する熱板を備えている。熱板には,例えば給電により発熱するヒータが内蔵されており,このヒータによる発熱により熱板を所定温度に調整している。
ところで,上述の加熱処理における熱処理温度は,最終的にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅に大きな影響を与える。このため,加熱時のウェハ面内の温度を厳格に制御するために,加熱処理装置の熱板は,複数の領域に分割され,各領域毎に独立したヒータが内蔵され,各領域毎に温度調整されている。
しかしながら,上記熱板の各領域の温度調整を,総て同じ設定温度で行うと,例えば各領域の熱抵抗などの相違により,熱板上のウェハ面内の温度がばらつくことがある。このため,熱板の各領域には,ウェハの面内温度を微調整するための温度補正値(温度オフセット値)が設定され,熱板の各領域の設定温度には,熱処理温度を各温度補正値で補正(温度オフセット)したものが用いられている。
熱板上のウェハ面内の温度のばらつきは,その程度が熱板の加熱温度により左右されるため,上記温度補正値は,各熱処理温度毎に1対1で定められていた(例えば,特許文献1参照。)。したがって,加熱処理装置における熱処理温度が変更されたときに限り,温度補正値が変更されていた。
しかしながら,上述のように温度補正値が熱処理温度に対応して定められていると,例えば熱処理温度が同じであって,レジスト液の種類が異なるような場合にも,同じ温度補正値が用いられる。このため,実際には,ウェハ面内の温度調整が適正に行われず,最終的にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されない場合があった。
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,レジストパターンの線幅がウェハなどの基板面内で均一に形成されるように,熱板などの熱処理板の温度設定を行うことをその目的とする。
上記目的を達成するための本発明は,基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定方法であって,前記熱処理は,基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程において行われるものであり,前記熱処理板は,複数の領域に区画され,当該領域毎に温度設定され,さらに,前記熱処理板の各領域毎に,熱処理板上の基板の面内温度を調整するための温度補正値が設定され,少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより定まる処理レシピ毎に,前記各領域の温度補正値は設定されることを特徴とする。
本発明によれば,熱処理板の各領域の温度補正値が,熱処理温度とレジスト液の種類によって定まる処理レシピに応じて設定されるので,レジストパターンの線幅に影響を与える熱処理温度とレジスト液の種類のいずれかが変更された場合に,各領域の温度補正値が変更される。この結果,熱処理が常に適正な面内温度で行われるので,最終的に形成されるレジストパターンの線幅が基板面内において均一に形成される。
前記フォトリソグラフィー工程中の前記熱処理に,複数の熱処理板が用いられており,前記各熱処理板において熱処理されて形成されたレジストパターンの線幅の基板面内の平均値が算出され,当該各熱処理板における線幅平均値が,各熱処理板に共通の目標線幅値に近づくように,前記各熱処理板における各領域の温度補正値が定められてもよい。かかる場合,各熱処理板における線幅平均値が,共通の目標線幅値に近づけられるので,各熱処理板によって熱処理されて形成されるレジストパターンの線幅の熱処理板間のばらつきが低減される。したがって,熱処理が複数の熱処理板によって行われる場合であっても,レジストパターンが均質に形成される。
前記各熱処理板における線幅平均値と前記目標線幅値との線幅差が,熱処理の温度差に換算され,当該換算温度差により既存の温度補正値が修正されることにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値が算出されるようにしてもよい。
また,前記換算温度差をΔT,前記線幅平均値をA,前記目標線幅値B,1℃あたりの線幅変動量を示すレジスト感度をHとした場合,換算温度差ΔTは,ΔT=−(A−B)/Hで示される式により算出され,当該換算温度差を既存の温度補正値に加えることにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値が算出されるようにしてもよい。
前記目標線幅値は,総ての熱処理板についての前記線幅平均値の平均値であってもよい。
前記熱処理は,露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であってもよい。
別の観点による本発明は,基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定装置であって,前記熱処理は,基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程において行われるものであり,前記熱処理板は,複数の領域に区画され,当該領域毎に温度設定可能なものであり,さらに,前記熱処理板の各領域毎に,熱処理板上の基板の面内温度を調整するための温度補正値を設定可能なものであり,少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより定まる処理レシピ毎に,前記熱処理板における各領域の温度補正値を設定する機能を備えていることを特徴とする。
本発明によれば,熱処理板の各領域の温度補正値が,熱処理温度とレジスト液の種類によって定まる処理レシピに応じて設定されるので,レジストパターンの線幅に影響を与える熱処理温度とレジスト液の種類のいずれかが変更された場合に,各領域の温度補正値が変更される。この結果,熱処理板上で処理される基板の面内温度の調整が常に適正に行われ,最終的に形成されるレジストパターンの線幅が基板面内において均一に形成される。
上記熱処理板の温度設定装置において,前記フォトリソグラフィー工程中の前記熱処理に,複数の熱処理板が用いられており,前記各熱処理板において熱処理されて形成されたレジストパターンの線幅の基板面内の平均値を算出し,当該各熱処理板における線幅平均値が,各熱処理板に共通の目標線幅値に近づくように,前記各熱処理板における各領域の温度補正値を定める機能を備えていてもよい。
前記熱処理板の温度設定装置は,前記各熱処理板における線幅平均値と前記目標線幅値との線幅差を,熱処理の温度差に換算し,当該換算温度差により既存の温度補正値を修正することにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値を算出する機能を備えていてもよい。
さらに前記熱処理板の温度設定装置は,前記換算温度差をΔT,前記線幅平均値をA,前記目標線幅値B,1℃あたりの線幅変動量を示すレジスト感度をHとした場合に,前記換算温度差ΔTを,ΔT=−(A−B)/Hで示される式により算出し,当該換算温度差を既存の温度補正値に加えることにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値を算出する機能を備えていてもよい。
前記目標線幅値は,総ての熱処理板についての前記線幅平均値の平均値であってもよい。
前記熱処理は,露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であってもよい。
別観点による本発明によれば,請求項7〜12のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置の機能を,コンピュータに実現させるためのプログラムが提供される。
また,別の観点による本発明によれば,請求項7〜12のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置の機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明によれば,最終的に基板上に形成されるレジストパターンの線幅の基板面内の均一性が確保されるので,歩留まりの向上が図られる。
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる熱処理板の温度設定装置が備えられた塗布現像処理システム1の構成の概略を示す平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
塗布現像処理システム1は,図1に示すように例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション2には,カセット載置台5が設けられ,当該カセット載置台5は,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在になっている。カセットステーション2には,搬送路6上をX方向に向かって移動可能なウェハ搬送体7が設けられている。ウェハ搬送体7は,カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)にも移動自在であり,X方向に配列された各カセットC内のウェハWに対して選択的にアクセスできる。
ウェハ搬送体7は,Z軸周りのθ方向に回転可能であり,後述する処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属する温調装置60やトランジション装置61に対してもアクセスできる。
カセットステーション2に隣接する処理ステーション3は,複数の処理装置が多段に配置された,例えば5つの処理装置群G1〜G5を備えている。処理ステーション3のX方向負方向(図1中の下方向)側には,カセットステーション2側から第1の処理装置群G1,第2の処理装置群G2が順に配置されている。処理ステーション3のX方向正方向(図1中の上方向)側には,カセットステーション2側から第3の処理装置群G3,第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5が順に配置されている。第3の処理装置群G3と第4の処理装置群G4の間には,第1の搬送装置10が設けられている。第1の搬送装置10は,第1の処理装置群G1,第3の処理装置群G3及び第4の処理装置群G4内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。第4の処理装置群G4と第5の処理装置群G5の間には,第2の搬送装置11が設けられている。第2の搬送装置11は,第2の処理装置群G2,第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハWを搬送できる。
図2に示すように第1の処理装置群G1には,ウェハWに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置,例えばウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置20,21,22,露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置23,24が下から順に5段に重ねられている。第2の処理装置群G2には,液処理装置,例えばウェハWに現像液を供給して現像処理する現像処理装置30〜34が下から順に5段に重ねられている。また,第1の処理装置群G1及び第2の処理装置群G2の最下段には,各処理装置群G1,G2内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室40,41がそれぞれ設けられている。
例えば図3に示すように第3の処理装置群G3には,温調装置60,ウェハWの受け渡しを行うためのトランジション装置61,精度の高い温度管理下でウェハWを温度調節する高精度温調装置62〜64及びウェハWを高温で加熱処理する高温度熱処理装置65〜68が下から順に9段に重ねられている。
第4の処理装置群G4では,例えば高精度温調装置70,レジスト塗布処理後のウェハWを加熱処理するプリベーキング装置71〜74及び現像処理後のウェハWを加熱処理するポストベーキング装置75〜79が下から順に10段に重ねられている。
第5の処理装置群G5では,ウェハWを熱処理する複数の熱処理装置,例えば高精度温調装置80〜83,露光後のウェハWを加熱処理する複数のポストエクスポージャーベーキング装置(以下「PEB装置」とする。)84〜89が下から順に10段に重ねられている。
図1に示すように第1の搬送装置10のX方向正方向側には,複数の処理装置が配置されており,例えば図3に示すようにウェハWを疎水化処理するためのアドヒージョン装置90,91,ウェハWを加熱する加熱装置92,93が下から順に4段に重ねられている。図1に示すように第2の搬送装置11のX方向正方向側には,例えばウェハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置94が配置されている。
インターフェイス部4には,例えば図1に示すようにX方向に向けて延伸する搬送路100上を移動するウェハ搬送体101と,バッファカセット102が設けられている。ウェハ搬送体101は,Z方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり,インターフェイス部4に隣接した図示しない露光装置と,バッファカセット102及び第5の処理装置群G5に対してアクセスしてウェハWを搬送できる。
次に,上述したPEB装置84の構成について説明する。PEB装置84は,図4及び図5に示すように筐体120内に,ウェハWを加熱処理する加熱部121と,ウェハWを冷却処理する冷却部122を有している。
加熱部121は,図4に示すように上側に位置して上下動自在な蓋体130と,下側に位置して蓋体130と一体となって処理室Sを形成する熱板収容部131を有している。
蓋体130は,中心部に向かって次第に高くなる略円錐状の形態を有し,頂上部には,排気部130aが設けられている。処理室S内の雰囲気は,排気部130aから均一に排気される。
熱板収容部131の中央には,ウェハWを載置して加熱する熱処理板としての熱板140が設けられている。熱板140は,厚みのある略円盤形状を有している。
熱板140は,図6に示すように複数,例えば5つの熱板領域R1,R2,R3,R4,R5に区画されている。熱板140は,例えば平面から見て中心部に位置して円形の熱板領域R1と,その周囲を円弧状に4等分した熱板領域R2〜R5に区画されている。
熱板140の各熱板領域R1〜R5には,給電により発熱するヒータ141が個別に内蔵され,各熱板領域R1〜R5毎に加熱できる。各熱板領域R1〜R5のヒータ141の発熱量は,温度制御装置142により調整されている。温度制御装置142は,ヒータ141の発熱量を調整して,各熱板領域R1〜R5の温度を所定の設定温度に制御できる。温度制御装置142における温度設定は,例えば後述する温度設定装置190により行われる。
図4に示すように熱板140の下方には,ウェハWを下方から支持し,昇降させるための第1の昇降ピン150が設けられている。第1の昇降ピン150は,昇降駆動機構151により上下動できる。熱板140の中央部付近には,熱板140を厚み方向に貫通する貫通孔152が形成されており,第1の昇降ピン150は,熱板140の下方から上昇して貫通孔152を通過し,熱板140の上方に突出できる。
熱板収容部131は,熱板140を収容して熱板140の外周部を保持する環状の保持部材160と,その保持部材160の外周を囲む略筒状のサポートリング161を有している。サポートリング161の上面には,処理室S内に向けて例えば不活性ガスを噴出する吹き出し口161aが形成されており,この吹き出し口161aから不活性ガスを噴出することにより,処理室S内をパージすることができる。また,サポートリング161の外方には,熱板収容部131の外周となる円筒状のケース162が設けられている。
加熱部121に隣接する冷却部122には,例えばウェハWを載置して冷却する冷却板170が設けられている。冷却板170は,例えば図5に示すように略方形の平板形状を有し,加熱部121側の端面が円弧状に湾曲している。図4に示すように冷却板170の内部には,例えばペルチェ素子などの冷却部材170aが内蔵されており,冷却板170を所定の設定温度に調整できる。
冷却板170は,加熱部121側に向かって延伸するレール171に取付けられている。冷却板170は,駆動部172によりレール171上を移動できる。冷却板170は,加熱部121側の熱板140の上方まで移動できる。
冷却板170には,例えば図5に示すようにX方向に沿った2本のスリット173が形成されている。スリット173は,冷却板170の加熱部121側の端面から冷却板170の中央部付近まで形成されている。このスリット173により,加熱室121側に移動した冷却板170と,熱板140上に突出した第1の昇降ピン150との干渉が防止される。図4に示すように冷却部122内のスリット173の下方には,第2の昇降ピン174が設けられている。第2の昇降ピン174は,昇降駆動部175によって昇降できる。第2の昇降ピン174は,冷却板170の下方から上昇してスリット173を通過し,冷却板170の上方に突出できる。
図5に示すように冷却板170を挟んだ筐体120の両側面には,ウェハWを搬入出するための搬入出口180が形成されている。
以上のように構成されたPEB装置84では,先ず,搬入出口180からウェハWが搬入され,冷却板170上に載置され,当該冷却板170が移動して,ウェハWが熱板140上に移動される。第1の昇降ピン150によって,ウェハWが熱板140上に載置されて,ウェハWが加熱される。そして,所定時間経過後,ウェハWが再び熱板140から冷却板170に受け渡され冷却され,当該冷却板170から搬入出口180を通じてPEB装置84の外部に搬出されて一連の熱処理が終了する。
次に,上記PEB装置84の熱板140の温度設定を行う温度設定装置190の構成について説明する。例えば温度設定装置190は,例えばCPUやメモリなどを備えた汎用コンピュータにより構成され,例えば図4及び図6に示すように熱板140の温度制御装置142に接続されている。
温度設定装置190は,例えば図7に示すように各種プログラムを実行する演算部200と,例えば温度設定のための各種情報を入力する入力部201と,温度補正テーブルなどの各種情報を格納するデータ格納部202と,温度設定のための各種プログラムを格納するプログラム格納部203と,熱板140の温度設定を変更するために温度制御装置142と通信する通信部204などを備えている。
例えばデータ格納部202には,例えば温度補正テーブルMが格納されている。温度補正テーブルMは,例えば熱板140の各熱板領域R1〜R5の温度補正値が,熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより定まる処理レシピ毎に設定されている。つまり,熱処理温度又はレジスト液の種類のいずれかが異なる処理レシピに対しては,異なる温度補正値が設定されている。例えば図8に示すように,温度補正テーブルMは,加熱温度又はレジスト液が異なる処理レシピH(加熱温度T1,レジスト液B1),処理レシピI(加熱温度T1,レジスト液B2),処理レシピJ(加熱温度T2,レジスト液B1),処理レシピK(加熱温度T2,レジスト液B2)がある場合,それらの各処理レシピH〜K毎に,各熱板領域R1〜R5の温度補正値が設定されている。この各温度補正値は,例えば塗布現像処理システム1において予め行われたウェハ処理により求められ,ウェハW上に最終的に形成されるレジストパターンの線幅がウェハ面内で均一になるように定められる。
プログラム格納部203には,例えば塗布現像処理システム1においてウェハWの処理レシピが変更された際に,温度補正テーブルMに基づいて,熱板140の各熱板領域R1〜R5の温度補正値を導出し,当該温度補正値に基づいて,温度制御装置142の既存の温度設定を変更するプログラムPが格納されている。なお,温度設定装置190の機能を実現するためのプログラムは,コンピュータ読み取り可能な記録媒体により温度設定装置190にインストールされたものであってもよい。
次に,以上のように構成された温度設定装置190による温度設定の変更プロセスについて説明する。先ず,例えば入力部201において新たな処理レシピが選択され入力される。次にプログラムPにより,温度補正テーブルMから,新たに選択された処理レシピに対応する各熱板領域R1〜R5の温度補正値が導出される。そして,各熱板領域R1〜R5の新たな温度補正値から各熱板領域R1〜R5の新たな設定温度が導出される。この新たな設定温度は,例えば選択された処理レシピにおける加熱温度と各温度補正値とを加算することにより算出される。そして,新たな設定温度が導出されると,その情報が通信部204から温度制御装置142に出力され,温度制御装置142における熱板140の各熱板領域R1〜R5の温度設定が変更される。
以上の実施の形態によれば,熱板140の各熱板領域R1〜R5の温度補正値が,加熱温度及びレジスト液により定まる処理レシピ毎に設定されているので,常に,処理レシピに応じた最適な面内温度でウェハWを熱処理することができ,レジストパターンの線幅のウェハ面内の均一性を確保できる。
以上の実施の形態では,熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせによって定まる処理レシピ毎に温度補正値が設定されていたが,さらに,ウェハWの状態によって定まる処理レシピ毎に温度補正値が設定されてもよい。ウェハWの状態には,例えばレジストパターンが形成されるウェハWの下地膜の層数,膜質,膜厚,ウェハWの反り状態などが含まれる。したがって,温度補正値は,熱処理温度及びレジスト液の種類と,下地膜の層数,膜質,膜厚,ウェハ反り状態のうちの少なくとも一つ以上のいずれかとの組み合わせによって定まる処理レシピ毎に設定されるようにしてもよい。
以上の実施の形態では,PEB装置84における熱板140の温度設定について説明したが,同じポストエクスポージャーベーキングが行われる他のPEB装置85〜89の熱板の温度設定も同様に行われる。例えばこの他のPEB装置85〜89における熱板の温度設定は,PEB装置84と同じ温度設定装置190を用いて行ってもよい。
ところで,上記実施の形態のように,ポストエクスポージャーベーキングが複数のPEB装置84〜89を用いて行われる場合,各々のPEB装置84〜89の熱処理を経て形成されるレジストパターンの線幅の差を低減する必要がある。以下,このPEB装置84〜89間における線幅差が低減されるように,上記実施の形態における温度補正テーブルMの各温度補正値を設定する方法について説明する。図9は,かかる温度補正値の設定方法のフローを示す。
先ず,塗布現像処理システム1において複数枚のウェハWが各PEB装置84〜89を通るように処理され,各ウェハWに最終的に形成されたレジストパターンのウェハ面内の線幅が測定される(図9の工程Q1)。この線幅測定は,ウェハW面内の複数個所,例えば熱板140の各領域に対応するウェハ領域毎に行われる。なお,この線幅測定は,塗布現像処理システム1内に搭載されている線幅測定装置で行われてもよいし,塗布現像処理システム1の外部に設置された線幅測定装置で行われてもよい。
続いて,前記線幅測定の結果に基づいて,各PEB装置84〜89毎に,ウェハ面内の線幅平均値Aが算出される。また,この各PEB装置84〜89の線幅平均値Aから,総てのPEB装置84〜89の線幅平均値Aの総線幅平均値B(目標線幅値)が算出される(図9の工程Q2)。次に,各PEB装置84〜89毎に,図10に示すような線幅平均値Aと総線幅平均値Bとの線幅差ΔCDが算出され,各PEB装置84〜89の線幅差ΔCDが,熱処理時の温度差に換算される(図9の工程Q3)。この換算温度差ΔTは,例えば1℃あたりの線幅変動量を示すレジスト感度をHとした場合,ΔT=−(ΔCD)/Hにより算出される。そして,各PEB装置84〜89毎に,換算温度差ΔTを,熱板140の各熱板領域R1〜R5の既存の温度補正値に加算することにより,新しい温度補正値が設定される(図9の工程Q4)。
なお,温度補正値の設定プロセスにおける工程Q2〜工程Q4は,例えば温度設定装置190のプログラム格納部203に格納されたプログラムを実行することにより実現されてもよい。
上記実施の形態によれば,各PEB装置84〜89で処理されたレジストパターンの線幅平均値Aが,目標線幅値である同じ総線幅平均値Bになるように,各PEB装置84〜89の温度補正値が修正され設定されるので,PEB装置84〜89間における線幅の差が低減される。
上記例において,目標線幅値は,各PEB装置の線幅平均値Aから算出された総線幅平均値Bに設定されていたが,他の任意の値を設定してもよい。例えばこの目標線幅値は,例えば各処理レシピにおいて要求されている線幅寸法が設定されてもよい。
以上の実施の形態は,既存の温度補正値の設定を変更する例であったが,温度補正値が未設定の状態で,初めて温度補正値を設定するときにも,上述の温度補正値の設定プロセスにより,温度補正値を設定してもよい。
以上,本発明の実施の形態の一例について説明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば上記実施の形態において,温度設定された熱板140は,5つの領域に分割されていたが,その数は任意に選択できる。また,上記実施の形態は,PEB装置84の熱板140を温度設定する例であったが,熱板を備えたプリベーキング装置やポストベーキング装置などの他の加熱処理装置や,ウェハWを載置して冷却する冷却板を備えた冷却処理装置にも本発明は適用できる。さらに,本発明は,ウェハ以外の例えばFPD(フラットパネルディスプレイ),フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板を熱処理する熱処理板の温度設定にも適用できる。
本発明は,レジストパターンの線幅が基板面内で均一に形成されるように,熱処理板の温度設定を行う際に有用である。
1 塗布現像処理システム
84 PEB装置
141 ヒータ
140 熱板
R1〜R5 熱板領域
142 温度制御装置
190 温度設定装置
W ウェハ
84 PEB装置
141 ヒータ
140 熱板
R1〜R5 熱板領域
142 温度制御装置
190 温度設定装置
W ウェハ
Claims (14)
- 基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定方法であって,
前記熱処理は,基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程において行われるものであり,
前記熱処理板は,複数の領域に区画され,当該領域毎に温度設定され,
さらに,前記熱処理板の各領域毎に,熱処理板上の基板の面内温度を調整するための温度補正値が設定され,
少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより定まる処理レシピ毎に,前記各領域の温度補正値は設定されることを特徴とする,熱処理板の温度設定方法。 - 前記フォトリソグラフィー工程中の前記熱処理に,複数の熱処理板が用いられており,
前記各熱処理板において熱処理されて形成されたレジストパターンの線幅の基板面内の平均値が算出され,当該各熱処理板における線幅平均値が,各熱処理板に共通の目標線幅値に近づくように,前記各熱処理板における各領域の温度補正値が定められることを特徴とする,請求項1に記載の熱処理板の温度設定方法。 - 前記各熱処理板における線幅平均値と前記目標線幅値との線幅差が,熱処理の温度差に換算され,当該換算温度差により既存の温度補正値が修正されることにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値が算出されることを特徴とする,請求項2に記載の熱処理板の温度設定方法。
- 前記換算温度差をΔT,前記線幅平均値をA,前記目標線幅値B,1℃あたりの線幅変動量を示すレジスト感度をHとした場合,
換算温度差ΔTは,
ΔT=−(A−B)/H
で示される式により算出され,当該換算温度差を既存の温度補正値に加えることにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値が算出されることを特徴とする,請求項3に記載の熱処理板の温度設定方法。 - 前記目標線幅値は,総ての熱処理板についての前記線幅平均値の平均値であることを特徴とする,請求項2,3又は4のいずれかに記載の熱処理板の温度設定方法。
- 前記熱処理は,露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であることを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の熱処理板の温度設定方法。
- 基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定装置であって,
前記熱処理は,基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程において行われるものであり,
前記熱処理板は,複数の領域に区画され,当該領域毎に温度設定可能なものであり,さらに,前記熱処理板の各領域毎に,熱処理板上の基板の面内温度を調整するための温度補正値を設定可能なものであり,
少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより定まる処理レシピ毎に,前記熱処理板における各領域の温度補正値を設定する機能を備えていることを特徴とする,熱処理板の温度設定装置。 - 前記フォトリソグラフィー工程中の前記熱処理に,複数の熱処理板が用いられており,
前記各熱処理板において熱処理されて形成されたレジストパターンの線幅の基板面内の平均値を算出し,当該各熱処理板における線幅平均値が,各熱処理板に共通の目標線幅値に近づくように,前記各熱処理板における各領域の温度補正値を定める機能を備えていることを特徴とする,請求項7に記載の熱処理板の温度設定装置。 - 前記各熱処理板における線幅平均値と前記目標線幅値との線幅差を,熱処理の温度差に換算し,当該換算温度差により既存の温度補正値を修正することにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値を算出する機能を備えていることを特徴とする,請求項8に記載の熱処理板の温度設定装置。
- 前記換算温度差をΔT,前記線幅平均値をA,前記目標線幅値B,1℃あたりの線幅変動量を示すレジスト感度をHとした場合,
前記換算温度差ΔTを,
ΔT=−(A−B)/H
で示される式により算出し,当該換算温度差を既存の温度補正値に加えることにより,前記各熱処理板の各領域の温度補正値を算出する機能を備えていることを特徴とする,請求項9に記載の熱処理板の温度設定装置。 - 前記目標線幅値は,総ての熱処理板についての前記線幅平均値の平均値であることを特徴とする,請求項8,9又は10のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置。
- 前記熱処理は,露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であることを特徴とする,請求項7〜11のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置。
- 請求項7〜12のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置の機能を,コンピュータに実現させるためのプログラム。
- 請求項7〜12のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置の機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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