JP3203225B2 - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

Info

Publication number
JP3203225B2
JP3203225B2 JP04024698A JP4024698A JP3203225B2 JP 3203225 B2 JP3203225 B2 JP 3203225B2 JP 04024698 A JP04024698 A JP 04024698A JP 4024698 A JP4024698 A JP 4024698A JP 3203225 B2 JP3203225 B2 JP 3203225B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
gas
processed
substrate
exhaust port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04024698A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11238663A (ja
Inventor
信幸 左田
英一 白川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP04024698A priority Critical patent/JP3203225B2/ja
Priority to US09/251,731 priority patent/US6291800B1/en
Publication of JPH11238663A publication Critical patent/JPH11238663A/ja
Priority to US09/921,139 priority patent/US6380518B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3203225B2 publication Critical patent/JP3203225B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば写真製版技
術を用いて半導体素子を製造する半導体製造システム内
に組み込まれる加熱装置や冷却装置などの熱処理装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、写真製版技術を用いた半導体
製造システムでは、一つのシステム内にレジスト塗布ユ
ニットや、乾燥ユニット、加熱ユニットなどの各種処理
ユニットを組み込み、これら各種処理ユニット間を順次
移動させながら一連の処理を施すようになっている。
【0003】図15は典型的な熱処理ユニット200の
垂直断面図である。
【0004】この熱処理ユニット200では、半導体ウ
エハ(以下、単に「ウエハ」という)Wは熱処理盤20
1の上面上に載置され、このウエハWは熱処理盤201
から放出される熱により熱処理される。この熱処理盤2
01には図示しない加熱機構が組み込まれており、この
加熱機構から供給される熱量により熱処理盤201が加
熱される。熱処理盤201の上面上には図示しない小突
起が複数個設けられており、ウエハWはこれら小突起の
頂部に載置され、ウエハWの下面と熱処理盤201の上
面とが接触してウエハWの下面に傷や埃が付着するのを
防止するようになっている。そのため、ウエハWの下面
と熱処理盤201の上面との間には微小な隙間が形成さ
れ、熱処理盤201上面からこの隙間の空気を介してウ
エハW下面に熱が供給される。この熱処理盤201及び
ウエハWで加熱された気体は周囲のより低温の空気より
比重が軽いため、熱処理ユニット200内を上昇し、熱
処理盤201の上方に対向配置されたカバー体202に
集められ、このカバー体202下面側の頂部に設けられ
た排気口203に接続された配管204を介して排気さ
れるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
下から上へ空気が流れる上下方向のエアフローを用いる
機構ではパーティクル付着や熱的不均衡などの問題があ
る。
【0006】即ち、図15のようにウエハWの中心部真
上の位置に排気口203を設けた構造では、熱処理盤2
01の外周方向から中心の排気口203にエアの流れが
集中するが、この部分ではエアが熱処理盤201の盤面
上を移動する速度が減速する。
【0007】そのため、エアに塵や埃などが混入してい
ると、排気口203で排気される前に落下してウエハW
の上面に付着してパーティクルを生じるという問題があ
る。また、カバー体202の下面側には漏斗型の窪みが
形成されており、熱処理盤201の外周方向から集めら
れた空気がこの漏斗型の窪みに沿って流れるときに、渦
を形成し排気口203の真下付近で空気が滞留しやす
く、熱処理盤201からの熱がウエハWに不均一に作用
しやすいという問題がある。
【0008】更に、空気の流れが一方向に偏っている
と、気流の上流側と下流側との気流の履歴が異なるた
め、この気流を介してウエハWに供給される熱量が不均
一になるとう問題がある。
【0009】また、熱処理盤201とカバー体202下
面との間にこの漏斗型の窪みを形成する関係上、カバー
体202の厚さが大きくなり、装置自体の上下方向の寸
法が大きくなるという問題がある。
【0010】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものである。
【0011】即ち、本発明は、パーティクルの付着を防
止できる熱処理装置を提供することを目的とする。
【0012】また、本発明は、流動する空気の滞留が起
きず、ウエハWが不均一に加熱されることのない熱処理
装置を提供することを目的とする。
【0013】更に、本発明は、上下方向の寸法を小さく
抑えることのできる熱処理装置を提供することを目的と
する。
【0014】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項1記載の本発明の熱処理装置は、被処理基板
が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の横方向から気
体を流し、この熱処理盤の上部に略三角形の気体流動領
域を形成する手段と、前記熱処理盤に対して前記気体が
流れる方向を変える手段と、を具備する。
【0015】請求項2記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の横方
向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角形の気
体流動領域を形成する手段であって、それぞれ互いに異
なる方向に気流を形成する複数の気流形成手段と、前記
気流形成手段を切り換える手段と、を具備する。
【0016】請求項3記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の横方
向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角形の気
体流動領域を形成する手段であって、それぞれ互いに1
20°をなす方向に気流を形成する3つの気流形成手段
と、前記気流形成手段を切り換える手段と、を具備す
る。
【0017】請求項4記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤に隣接
配置され、この熱処理盤を包囲する三角形型に配設され
た、3本の直線状エアパイプと、前記3本のエアパイプ
の端と端とが接する位置にそれぞれ配設された3つの排
気口と、前記エアパイプと接続され、このエアパイプに
気体を供給する気体供給系と、前記排気口と接続され、
この排気口から気体を排気させる排気系と、前記気体供
給系と前記エアパイプとの接続、及び、前記排気口と前
記排気系との接続を切り換える手段と、を具備する。
【0018】請求項5記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤に隣接
配置され、この熱処理盤を包含する同心円を三等分して
得られる弧の形状を備えた、3本のエアパイプと、前記
3本のエアパイプの端と端とが接する位置にそれぞれ配
設された3つの排気口と、前記エアパイプと接続され、
このエアパイプに気体を供給する気体供給系と、前記排
気口と接続され、この排気口から気体を排気させる排気
系と、前記気体供給系と前記エアパイプとの接続、及
び、前記排気口と前記排気系との接続を切り換える手段
と、を具備する。
【0019】請求項6記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の横方
向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角形の気
体流動領域を形成する手段であって、それぞれ互いに9
0°をなす方向に気流を形成する4つの気流形成手段
と、前記気流形成手段を切り換える手段と、を具備す
る。
【0020】請求項7記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤に隣接
配置され、この熱処理盤を包囲する四角形型に配設され
た、4本の直線状エアパイプと、前記熱処理盤に関し、
前記4本の各エアパイプの対向する位置にそれぞれ配設
された4つの排気口と、前記エアパイプと接続され、こ
のエアパイプに気体を供給する気体供給系と、前記排気
口と接続され、この排気口から気体を排気させる排気系
と、前記気体供給系と前記エアパイプとの接続、及び、
前記排気口と前記排気系との接続を切り換える手段と、
を具備する。
【0021】請求項8記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤に隣接
配置され、この熱処理盤を包含する同心円を4等分して
得られる弧の形状を備えた、4本のエアパイプと、前記
熱処理盤に関し、前記4本の各エアパイプに対向する位
置にそれぞれ配設された4つの排気口と、前記エアパイ
プと接続され、このエアパイプに気体を供給する気体供
給系と、前記排気口と接続され、この排気口から気体を
排気させる排気系と、前記気体供給系と前記エアパイプ
との接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切
り換える手段と、を具備する。
【0022】請求項9記載の本発明の熱処理装置は、被
処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の横方
向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角形の気
体流動領域を形成する気流形成手段と、前記熱処理盤に
対して前記気流形成手段を回転させる手段と、を具備す
る。
【0023】請求項10記載の本発明の熱処理装置は、
被処理基板が載置される熱処理盤と、前記熱処理盤の同
心円上を移動可能に配設され、前記熱処理盤の横方向か
ら気体を流すエアパイプと、前記熱処理盤に関し前記エ
アパイプと対向する位置に配設され、前記熱処理盤の同
心円上を移動可能に配設された排気口と、前記エアパイ
プと接続され、このエアパイプに気体を供給する気体供
給系と、前記排気口と接続され、この排気口から気体を
排気させる排気系と、前記エアパイプ及び前記排気口を
移動させる手段と、を具備する。
【0024】請求項1の熱処理装置では、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0025】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0026】更に、前記熱処理盤に対して前記気体が流
れる方向を変える手段を備えているので、気流の履歴に
よる加熱の不均一化が防止され、被処理基板の均一な加
熱が達成される。
【0027】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0028】請求項2の熱処理装置では、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0029】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0030】更に、前記気流形成手段を切り換える手段
を備えているので、気流の履歴による加熱の不均一化が
防止され、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0031】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0032】請求項3の熱処理装置では、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0033】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0034】更に、それぞれ互いに120°をなす方向
に気流を形成する3つの気流形成手段を切り換える手段
を備えているので、気流の履歴による加熱の不均一化が
防止され、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0035】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0036】請求項4の熱処理装置では、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0037】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0038】特に、この熱処理装置では直線状のエアパ
イプが気流の形が略三角形となるように規制する整流体
としても機能するのでより確実に気体流動領域を形成さ
れる。
【0039】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0040】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0041】請求項5の熱処理装置では、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0042】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0043】特に、この熱処理装置では弧状のエアパイ
プの採用により、気体の流れ出す向きが排気口の一点を
向いているので、より確実に略三角形気体流動領域が形
成される。
【0044】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0045】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0046】請求項6の熱処理装置では、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0047】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0048】更に、それぞれ互いに90°をなす方向に
気流を形成する4つの気流形成手段を切り換える手段を
備えているので、気流の履歴による加熱の不均一化が防
止され、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0049】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0050】請求項7の熱処理装置では、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0051】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0052】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0053】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0054】請求項8の熱処理装置では、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0055】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0056】特に、この熱処理装置では弧状のエアパイ
プの採用により、気体の流れ出す向きが排気口の一点を
向いているので、より確実に略三角形気体流動領域が形
成される。
【0057】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0058】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0059】請求項9の熱処理装置では、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0060】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0061】更に、前記熱処理盤に対して前記気流形成
手段を回転させて気体が流れる方向を変える手段を備え
ているので、気流の履歴による加熱の不均一化が防止さ
れ、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0062】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0063】請求項10の熱処理装置では、前記熱処理
盤を挟んで前記エアパイプと前記排気口とを配設してお
り、被処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設
けられていないので、気流が排気口の手前で減速して
も、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生
じるのを防止できる。
【0064】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0065】更に、前記熱処理盤に対して前記エアパイ
プと前記排気口とを回転させて気体が流れる方向を変え
る手段を備えているので、気流の履歴による加熱の不均
一化が防止され、被処理基板の均一な加熱が達成され
る。
【0066】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0067】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に基づいて説明する。
【0068】図1は本発明の一実施形態に係るレジスト
塗布ユニット(COT)を備えた半導体ウエハ(以下、
「ウエハ」という)の塗布現像処理システム1全体を示
した平面図である。
【0069】この塗布現像処理システム1では、被処理
体としてのウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例
えば25枚単位で外部からシステムに搬入・搬出した
り、ウエハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出
したりするためのカセットステーション10と、塗布現
像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉
式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ス
テーション11と、この処理ステーション11に隣接し
て設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを
受け渡しするためのインタフェース部12とが一体的に
接続されている。このカセットステーション10では、
カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、
複数個例えば4個までのウエハカセットCRが、夫々の
ウエハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向
(図1中の上下方向)一列に載置され、このカセット配
列方向(X方向)およびウエハカセッ卜CR内に収納さ
れたウエハWのウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に
移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに
選択的にアクセスする。
【0070】このウエハ搬送体21はθ方向に回転自在
であり、後述するように処理ステーション11側の第3
の処理ユニット群G3 の多段ユニット部に配設されたア
ライメントユニット(ALIM)やイクステンションユ
ニット(EXT)にもアクセスできる。
【0071】処理ステーション11には、ウエハ搬送装
置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構22が設けら
れ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の
組に亙って多段に配置されている。
【0072】図2は上記塗布現像処理システム1の正面
図である。
【0073】第1の処理ユニット群G1 では、カップC
P内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を
行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗
布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が
下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット
群G2 では、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレ
ジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(D
EV)が下から順に2段に重ねられている。これらレジ
スト塗布ユニット(COT)は、レジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【0074】図3は上記塗布現像処理システム1の背面
図である。
【0075】主ウエハ搬送機構22では、筒状支持体4
9の内側に、ウエハ搬送装置46が上下方向(Z方向)
に昇降自在に装備されている。筒状支持体49はモータ
(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの
回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬
送装置46と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送
装置46はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支
持体49は前記モータによって回転される別の回転軸
(図示せず)に接続するように構成してもよい。ウエハ
搬送装置46には、搬送基台47の前後方向に移動自在
な複数本の保持部材48が配設されており、これらの保
持部材48は各処理ユニット間でのウエハWの受け渡し
を可能にしている。
【0076】また、図1に示すようにこの塗布現像処理
システム1では、5つの処理ユニット群G1 、G2 、G
3 、G4 、G5 が配置可能であり、第1および第2の処
理ユニット群G1 、G2 の多段ユニットは、システム正
面(図1において手前)側に配置され、第3の処理ユニ
ット群G3 の多段ユニットはカセットステーション10
に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4 の多段
ユニットはインタフェース部12に隣接して配置され、
第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットは背面側に配
置されることが可能である。
【0077】図3に示すように、第3の処理ユニット群
3 では、ウエハWを保持台(図示せず)に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定
着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒー
ジョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメン
トユニット(ALIM)、イクステンションユニット
(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グユニット(PREBAKE)および露光処理後の加熱
処理を行うポストベーキングユニット(Post Exposure
Bake 以下、「PEB」と記す。)が、下から順に例え
ば8段に重ねられている。第4の処理ユニット群G4
も、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)、イクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニッ卜(COL)、プリベーキング
ユニット(PREBAKE)およびポストベーキングユ
ニット(PEB)が下から順に、例えば8段に重ねられ
ている。
【0078】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベー
キングユニット(PEB)およびアドヒージョンユニッ
ト(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱的
な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラン
ダムな多段配置としてもよい。
【0079】図1に示すように、インタフェース部12
では、奥行方向(X方向)は前記処理ステーション11
と同じ寸法を有するが、幅方向(Y方向)はより小さな
サイズである。このインタフェース部12の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRとが2段に配置され、他方背面部に
は周辺露光装置23が配設され、さらに中央部にはウエ
ハ搬送体24が設けられている。このウエハ搬送体24
は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRお
よび周辺露光装置23にアクセスする。
【0080】ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転自在
であり、処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4 の多段ユニットに配設されたイクステンションユ
ニット(EXT)や、隣接する露光装置側のウエハ受渡
し台(図示せず)にもアクセスできる。
【0081】また塗布現像処理システム1では、既述の
如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも図1中破線で示
した第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットを配置で
きるが、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
は、案内レール25に沿ってY方向へ移動可能である。
従って、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニット
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿
って移動することにより、空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業
が容易に行える。
【0082】次に、図4及び図5につき処理ステーショ
ン11において第3および第4の組G3 ,G4 の多段ユ
ニットに含まれているベーキングユニット(PREBA
KE)、(PEB)、クーリングユニット(COL)、
(EXTCOL)のような熱処理ユニットの構成および
作用を説明する。
【0083】図4および図5は、本実施形態に係る熱処
理ユニットの構成を示す平面図および断面図である。な
お、図5では、図解のために水平遮蔽板55を省略して
ある。
【0084】この熱処理ユニットの処理室50は両側壁
53と水平遮蔽板55とで形成され、処理室50の正面
側(主ウエハ搬送機構22側)および背面側はそれぞれ
開口部50A,50Bとなっている。遮蔽板55の中心
部には円形の開口56が形成され、この開口56内には
内部にヒータとセンサとを備え、後述する制御装置で制
御された円盤状の熱処理盤58が被処理基板の載置台と
して設けられている。この熱処理盤58には例えば3つ
の孔60が設けられ、各孔60内には支持ピン62が遊
嵌状態で挿通されており、半導体ウエハWのローディン
グ・アンローディング時には各指示ピン62が熱処理盤
58の表面より上に突出または上昇して主ウエハ搬送機
構(メインアーム)22の保持部材48との間でウエハ
Wの受け渡しを行うようになっている。 遮蔽板55の
下には、遮蔽板55、両側壁53および底板72によっ
て機械室74が形成されており、室内には熱処理盤支持
板76、シャッタアーム78、支持ピンアーム80、シ
ャッタアーム昇降駆動用シリンダ82、支持ピンアーム
昇降駆動用シリンダ84が設けられている。
【0085】図4に示すように、ウエハWの外周縁部が
載るべき熱処理盤58の表面位置に複数個たとえば4個
のウエハW案内支持突起部86が設けられている。
【0086】また、熱処理盤58上面のウエハW載置部
分には図示しない小突起が複数設けられており、ウエハ
Wの下面がこれら小突起の頂部に載置される。そのため
ウエハW下面と熱処理盤58上面との間に微小な隙間が
形成され、ウエハW下面が熱処理盤58上面と直接接触
するのが避けられ、この間に塵などがある場合でもウエ
ハW下面が汚れたり、傷ついたりすることがないように
なっている。
【0087】また上述したように、熱処理盤58内部に
は熱媒が封入された空洞が設けられており、この空洞内
に配設されたヒータで上記熱媒を加熱することにより発
生する熱媒蒸気をこの空洞内で循環させて熱処理盤58
を所定温度に維持するようになっている。
【0088】一方、熱処理盤58の上部には、熱処理盤
58の盤面即ち熱処理盤58上に載置したウエハWの板
面に平行に空気や窒素ガスのような不活性ガスなどの気
体を流すための機構が配設されている。
【0089】図6は本実施形態に係る熱処理ユニットの
遮蔽板55より上に形成される処理部59を示した平面
図である。
【0090】図6に示したように、遮蔽板55のほぼ中
央には丸孔56が貫通しており、こ丸孔56を介して熱
処理盤58の上部が遮蔽板55と天板57との間の処理
部59に露出している。また、ハウジングの開口部50
A,50Bを介してY方向から主ウエハ搬送機構22が
この処理部59内に出入りしてこの熱処理盤58上にウ
エハWを搬入したり搬出する。
【0091】この処理部59では、熱処理盤58を包囲
するように3本のエアパイプ90,95及び100が三
角形を成して配設されており、熱処理盤58はこの三角
形のほぼ重心の位置に配設されている。
【0092】エアパイプ90の側面には気体を通過させ
るための小さなエアノズル92,92…が多数設けられ
ており、これらのエアノズル92,92…は遮蔽板55
と平行に設けられている。
【0093】また、エアパイプ90の両端は閉じられて
おり、一方の端近くの上部に設けられた気体導入口91
が設けられている。この気体導入口91は図示しない気
体供給系と接続されており、気体供給系から送られる気
体がこの気体導入口91を介してエアパイプ90の内部
に送り込まれ、側面のエアノズル92,92…から流出
するようになっている。
【0094】エアパイプ90の側面には気流の形を整え
る整流体としてのエアボード93が設けられている。こ
のエアボード93は気体の流れを規制して略三角形の気
体流動領域を熱処理盤58の上部に形成させるためのも
のである。エアボード93は細長い長方形の板材からな
り、表面に気体を通すための貫通孔93a,93a…が
多数設けられている。この貫通孔93a,93a…の位
置はエアボード90側面のエアノズル92,92…と連
通する位置に設けられており、エアノズル92,92…
から流出した気体がこの貫通孔93a,93a…を介し
て熱処理盤58側へ流出するようになっている。
【0095】図6から分かるように、残りの2本のエア
パイプ95,100もこのエアパイプ90と同様の形状
と構造とを備えており、気体供給系から気体導入口9
6,101を介してエアパイプ95,100の内部に送
られた気体が側面の各エアノズル99,99…、10
1,101…とこれらに連通する各エアボード98,1
02の各貫通孔98a,98a…、102a,102a
…を介して熱処理盤58へ流出するようになっている。
【0096】エアパイプ90,95及び100とその側
面に設けられたエアボード93,98及び102で形成
される三角形の気体流動領域Tの3つの頂点に対応する
位置には3つの排気口103,104及び105が設け
られている。これらの排気口103,104及び105
は後述する切換装置(図示省略)を介して排気系(図示
省略)接続されており、エアパイプ90,95又は10
0から流出して熱処理盤58上を通過してきた気体を熱
処理ユニットの外へ排気するようになっている。
【0097】ここで、エアノズル92,92…、97,
97…、101,101…、の口径や形は全て等しいも
のであっても良いが、熱処理盤58の上部に三角形の気
体流動領域を形成し易いように口径や形を適宜変化させ
ることによりより円滑に上記略三角形の気体流動領域を
形成することができる。
【0098】例えば、エアパイプの中央付近で口径を小
さくし左右両端に近付くほど口径を大きくしたり、反対
に、エアパイプの中央付近で口径を大きくし左右両端に
近付くほど口径を小さくする方法などが考えられる。
【0099】また、エアパイプのエアノズルのそれぞれ
の口径や気体流出角度を自在に変化させられる構造とす
ることも可能である。
【0100】更に、このように口径や気体流出角度を変
化可能な構造にする場合、後述するように、センサで検
出した熱処理盤58の温度と口径や気体流出角度とをリ
ンクさせることは上記略三角形の気体流動領域を形成し
たり、熱処理盤58の温度分布を均一にするための有効
な方法である。
【0101】例えば、熱処理盤58のうち、エアパイプ
に近い部分の温度低下が著しい場合にはエアノズルのう
ちの中心付近のエアノズルの口径を小さくする一方、エ
アパイプの両端付近のエアノズルの口径を大にする方法
などが挙げられる。
【0102】また、エアノズルの気体流出角度を変化さ
せる方法としては、例えば、熱処理盤58のエアパイプ
に近い部分(図4中の左側部分)の温度低下が著しい場
合に、エアノズルのうちの中心付近のエアノズルの角度
を直角から排気口の方向に傾けて気体が直接熱処理盤5
8のエアパイプに近い部分に当接するのを抑制する方法
が挙げられる。
【0103】また同様の観点から気体供給系や排気系
と、上記検出した熱処理盤58の温度とをリンクさせて
制御することも有効な方法である。例えば、上記検出し
た熱処理盤58の温度が低すぎる場合には気体供給系や
排気系の能力を加減して熱処理盤58の温度低下を防止
する方法が考えられる。
【0104】更に、上記検出した熱処理盤58の温度か
ら熱処理盤58上に温度の不均衡が認められる場合に気
体供給系や排気系の能力を加減して熱処理盤58の温度
の不均衡を防止する方法も有効な方法として挙げられ
る。
【0105】図7は本実施形態に係る熱処理ユニットの
制御系を示したブロック図である。図7に示したよう
に、熱処理盤58内に配設したヒータH、熱処理盤58
の温度を検出するセンサS、エアパイプ90,95及び
100とこれらのエアパイプへ気体を供給する気体供給
系106との間に配設され、気体供給系106とエアパ
イプ90,95及び100との接続を切り換える供給側
の切換装置107、排気口103,104及び105か
ら流入した気体をユニット外へ排出する排気系108と
これら排気口103,104及び105との間に配設さ
れ、排気系108とこれらの排気口103,104及び
105との接続を切り換える排気側の切換装置109が
制御装置110と接続されており、この制御装置110
で統括的に制御されている。
【0106】なお、図7では省略したが、熱処理盤58
の上面から出入りするピン62やハウジング開口部50
A,50Bを開閉する扉(図示省略)を駆動する駆動系
もこの制御装置110に接続されており、主ウエハW搬
送機構22も同様にこの制御装置110に接続されてい
る。
【0107】次に、この熱処理ユニットをベーキングユ
ニット(PREBAKE)及びクーリングユニット(C
OL)として用いる場合の操作について以下に説明す
る。
【0108】まず、載置台20上にセットされたウエハ
カセットCR内からウエハ搬送体21によりウエハWが
取り出され、次いでウエハ搬送体21から主ウエハ搬送
機構22にウエハWが引き渡される。主ウエハ搬送機構
22は受け取ったウエハWをレジスト塗布ユニット(C
OT)内に搬送、セットし、ここでウエハWにレジスト
塗布を行なう。次いで、このウエハWをレジスト塗布ユ
ニット(COT)内から主ウエハ搬送機構22がウエハ
Wを取り出し、上記熱処理ユニット内まで搬送し、熱処
理盤58の上にウエハWをセットする。
【0109】一方、電源投入と同時に熱処理盤58内の
ヒータHに電源が投入されて加熱が開始され、センサS
で熱処理盤58の温度を検出しながら所定の温度で安定
するように制御される。
【0110】熱処理盤58の温度が所定の温度で安定す
ると、主ウエハ搬送機構22がウエハWを搬送して加熱
された熱処理盤58の上に載置する。
【0111】次いで、気体供給系106と排気系108
とが作動を開始して熱処理盤58の上部に気流が形成さ
れる。
【0112】図8〜図10は熱処理盤58の上部を流れ
る気体の流動状態を示した図である。
【0113】このうち図8はエアパイプ100から排気
口103に向けて気体が流れる状態を示した図であり、
一方、図9はエアパイプ90から排気口104に向けて
気体が流れる状態を示した図である。更に図10はエア
パイプ95から排気口105に向けて気体が流れる状態
を示した図である。
【0114】まず、熱処理の最初の段階では、制御装置
110の指令に基づいて、気体供給側切換装置107が
気体供給系106と配管114とを連通させてエアパイ
プ100内に気体を送り込むと同時に、排気側切換装置
109が排気系108と配管111とを連通させる。
【0115】図8に示すように、気体供給系106から
エアパイプ100に供給された気体はエアパイプ100
内を通ってエアノズル101,101…まで到達し、こ
のエアノズル101,101…から排気口103に向け
て流出する。
【0116】エアノズル101,101…のそれぞれか
ら流出した気体は隣接するエアノズル101から流出し
た気体との間に一定の間隔を保ちながら排気口103の
配設されている図中Y方向上向きに移動する。
【0117】このとき、排気側切換装置109は排気管
111と排気系108とを接続する状態となっているの
で、排気系108から与えられた負圧が排気口111に
作用する。そのためエアノズル101,101…のそれ
ぞれから流出した気体は図8の長い矢印で示したように
排気口103の方を向いて流れる。
【0118】エアノズル101,101…のそれぞれか
ら流出した気体は隣接するエアノズル101から流出し
た気体との間に一定の間隔を保ちながら排気口103の
方に移動する。
【0119】このときエアパイプ100の中央付近のエ
アノズル101からは気体がほぼ直進かそれに近い軌跡
を描いて流れる。一方、エアパイプ100の左右両端に
近い位置のエアノズル101から流出した気体はエアノ
ズル101からエアパイプ100にほぼ直角に流れ出る
が、すぐに上記エアボード93,98の表面に当接して
折れ曲げられ、このエアボード93,98の表面に沿っ
て移動し、排気口103へと案内される。そのため、そ
の軌跡はエアボード93,98の表面とほぼ平行な直線
を描く。
【0120】そして、エアパイプ100の中央付近と両
端付近との間のエアノズル101から流出した気体は中
央のエアノズル101から流出した気体と、両端のエア
ノズル101から流出した気体との中間の角度で移動す
る。即ち、エアパイプ100の中央に近いほど気体の軌
跡が折れ曲がる角度は小さく、エアパイプ100の端に
近付くほど折れ曲がる角度は大きくなる。そして隣接し
て移動する気体どうしは常に等しい間隔を保ちながら移
動するため、図8に描いたような放射状の軌跡を描きな
がら排気口103に向かって気体が移動する。
【0121】このように、この熱処理ユニットでは熱処
理盤58の上部に、熱処理盤58を挟むように排気口1
03とエアパイプ100が配設され、このエアパイプ1
00側面に設けたエアノズル101,101…の左右両
端のそれぞれから上記排気口103へと案内するように
エアボード93,98が設けられているので、エアノズ
ル101,101…から流出した気体はエアボード9
3,98の表面に沿って移動し、熱処理盤58の上部に
略三角形の気体流動領域が形成される。
【0122】この気体流動領域では隣接する気流どうし
が常に均等な間隔を維持しながら排気口103へと真っ
直ぐに移動し、全く澱みなく流れるので、渦や滞留など
が発生せず、ウエハWには均一に熱量が供給される。
【0123】次に、図8に示した状態で所定時間熱処理
を行った後、気体供給側切換装置107を作動させて気
体供給系116と排気管106とを接続させると共に、
排気側切換装置109を作動させて排気系108と排気
管112とを接続させる。
【0124】図9はこの気体供給側切換装置107と排
気側切換装置109とを切り換えた後の状態を示した図
である。
【0125】気体供給側切換装置107を切り換える
と、エアパイプ90に送り込まれた気体が側面のエアノ
ズル92,92…からエアパイプ90に対してほぼ垂直
な方向に流出したあと、上述のエアパイプ100から気
体を流した場合と同様に、エアボード98と102とに
より規制されて図9に示したような略三角形の気体流動
領域を形成する。
【0126】更に図9の状態で所定時間熱処理した後、
気体供給側切換装置107を作動させて気体供給系10
6と配管115とを接続させると共に、排気側切換装置
109を作動させて排気系108と排気管113とを接
続させる。
【0127】図10はこの気体供給側切換装置107と
排気側切換装置109とを切り換えた後の状態を示した
図である。この場合も上述した図8や図9のときと同様
に、エアパイプ95に送り込まれた気体がエアノズル9
2,92…からエアパイプ95に対してほぼ垂直な方向
に流出し、エアボード93と102とにより規制されて
図10に示したような略三角形の気体流動領域を形成す
る。
【0128】このように、本実施形態に係る熱処理ユニ
ットでは、熱処理盤58の上部に、熱処理盤58を挟む
ように排気口103〜105とエアパイプ90,95及
び100とを配設し、熱処理盤58の真上の位置には排
気口がない構造としたので、エアパイプ90,95及び
100から各排気口103〜105に向けて移動する気
体に塵や埃などが混入した場合でも、その塵や埃などが
混入した気体が各排気口103〜105の手前で失速し
たり滞留してその気体から塵や埃が脱落してウエハW上
に落下、付着してパーティクルを生じることがない。
【0129】また、本実施形態に係る熱処理ユニットで
は、熱処理盤58を包含する三角形を描くように三本の
直線状エアパイプ90,95及び100を配設し、この
三角形の頂点にあたる位置に排気口103〜105を設
けた。そして、気体供給系106と上記エアパイプ9
0,95及び100との接続を切り換える気体供給系側
切換装置107及び、排気系108と上記排気口103
〜105との接続を切り換えることにより3種類の方向
の気流を切り換えることにより気流の上下間で発生する
供給熱量の不均衡を相殺するようにしたので、ウエハW
全面にわたって均一な熱処理が施される。
【0130】更に、エアパイプ90,95及び100
を、熱処理盤58を包含する三角形に配置したので、こ
れらエアパイプ90,95及び100が整流板としての
機能を持たせることができた。
【0131】また、この熱処理ユニットでは、エアパイ
プ90,95及び100から各排気口103〜105に
向けて気体を熱処理盤58(ウエハW)の上面に平行に
気体を移動させるので、熱処理盤58の上部の上下方向
の寸法は小さくて済む。そのため、熱処理ユニット全体
の上下方向の寸法を小さくすることができるため、熱処
理ユニット全体を小形化することができる。
【0132】次に、本発明に係る実施形態として上記第
1の実施形態とは異なる第2の実施形態について説明す
る。なお、上記第1の実施形態と共通する部分について
は説明を省略する。
【0133】図11は本発明の第2の実施形態に係る熱
処理ユニットの概略構成を示した平面図である。
【0134】図11に示すようにこの熱処理ユニットで
は、気体を熱処理盤58に向けて送り出すエアパイプと
して弧形の形状を備えたエアパイプ120〜122を用
いている。
【0135】この弧形エアパイプ120〜122の内側
の各側面には、この内側側面に垂直に多数のエアノズル
123,123…、124,124,…及び125,1
25…がそれぞれ穿孔されており、これらのエアノズル
はいずれも熱処理盤58の中心を向いている。そのた
め、各エアノズル123,123…、124,124,
…及び125,125…から流れ出た気体はこのエアパ
イプ122と対向する位置に配設された排気口126に
集め易く、気流が安定しやすいという利点がある。
【0136】また、3本のエアパイプ120〜122が
一つの円の中に収まる弧形の形状を備えているので、こ
れら3本のエアパイプ120〜122を収容するスペー
スを小型化でき、熱処理ユニットを小形化することがで
きる。
【0137】次に、本発明に係る実施形態として上記第
1及び第2の実施形態とは異なる第3の実施形態につい
て説明する。なお、上記第1及び第2の実施形態と共通
する部分については説明を省略する。
【0138】図12は本発明の第3の実施形態に係る熱
処理ユニットの概略構成を示した平面図である。
【0139】図12に示すように、この熱処理ユニット
では、熱処理盤58を包含するように4本のエアパイプ
130〜133を正方形の形に配設し、熱処理盤58を
挟んで各エアパイプ130〜133に対向する位置に4
つの排気口134〜137を配設した。そして気体供給
側切換装置と排気側切換装置とを作動させることによ
り、エアパイプ130から排気口135に流れる気流、
エアパイプ131から排気口136に流れる気流、エア
パイプ132から排気口137に流れる気流、及び、エ
アパイプ133から排気口134に流れる気流の4つの
方向の気流を切り換えるようにしている。
【0140】この熱処理ユニットでは、熱処理盤58の
中心に対して90°、180°、270°及び360°
の4つの方向に流れる気流を切り換えることができるの
で、ウエハWに対してより均一な熱処理を行うことがで
きる。
【0141】次に、本発明に係る実施形態として上記第
1〜第3の実施形態とは異なる第4の実施形態について
説明する。なお、上記第1〜第3の実施形態と共通する
部分については説明を省略する。
【0142】図13は本発明の第4の実施形態に係る熱
処理ユニットの概略構成を示した平面図である。
【0143】図13に示すようにこの熱処理ユニットで
は、熱処理盤58の同心円上に弧形の4本のエアパイプ
140〜143を配設し、熱処理盤58を挟んで各エア
パイプ130〜133に対向する位置に4つの排気口1
44〜147を配設した。
【0144】この熱処理ユニットでは4つの方向に流れ
る気流を切り換えることにより、より均一な熱処理を行
うことができる。また、この熱処理ユニットでは、4本
のエアパイプ140〜143が一つの円の中に収まる弧
形の形状を備えているので、これら4本のエアパイプ1
40〜143を収容するスペースを小型化でき、熱処理
ユニットを小形化することができる。
【0145】図14は本発明の第5の実施形態に係る熱
処理ユニットの概略構成を示した平面図である。
【0146】図14に示すように、この熱処理ユニット
では、熱処理盤58に隣接して弧形のエアパイプ150
を設け、熱処理盤58を挟んでこのエアパイプ150に
対向する位置に排気口151を設けた。このエアパイプ
150は熱処理盤58の同心円上に設けたレール153
の上を移動できるようになっている。そして排気口も排
気ユニット152上に設けられ、この排気ユニット15
2もエアパイプ150と同様にレール153の上を移動
できるようになっている。そしてエアパイプ150と排
気ユニット152とは常に対向する位置関係を維持しな
がら移動するようになっており、図示しない駆動機構に
より、制御装置の指令により移動する。本実施形態に係
る熱処理ユニットによれば、熱処理盤58に対して任意
の方向から気体を流すことができ、また、任意の角度に
変化させることができるので、ウエハWに対してより均
一な熱処理を行うことができる。
【0147】なお、本発明は上記の実施形態の内容に限
定されるものではない。
【0148】例えば、上記実施形態では内部に熱媒蒸気
を循環させることにより均一に加熱される熱処理盤を用
いてウエハWを加熱する装置について説明したが、内部
にニクロム線ヒータを内蔵し、温度センサなどにより温
度制御する熱盤を用いるものでもよい。
【0149】更に、上記実施形態ではエアボードとエア
パイプとを別個の部品として構成したが、エアパイプと
して角型のパイプを用い、その側面をエアボードと兼用
するようにしてもよい。
【0150】また、上記実施の形態ではウエハWを加熱
する加熱型の熱処理ユニットを例にして説明したが、冷
却型の熱処理ユニットにも適用できる。
【0151】更に、上記実施の形態ではウエハWについ
ての塗布現像処理システム1を例にして説明したが、本
発明はこれ以外の処理装置、例えば、LCD基板用処理
装置などにも適用できることは言うまでもない。
【0152】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1記載の本
発明によれば、前記熱処理盤の横方向から気体を流し、
この熱処理盤の上部に略三角形の気体流動領域を形成す
るように構成されており、被処理基板が載置される熱処
理盤上には排気口が設けられていないので、気流が排気
口の手前で減速しても、塵や埃が被処理基板上に落下し
てパーティクルを生じるのを防止できる。
【0153】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0154】更に、前記熱処理盤に対して前記気体が流
れる方向を変える手段を備えているので、気流の履歴に
よる加熱の不均一化が防止され、被処理基板の均一な加
熱が達成される。
【0155】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0156】請求項2の本発明によれば、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0157】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0158】更に、前記気流形成手段を切り換える手段
を備えているので、気流の履歴による加熱の不均一化が
防止され、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0159】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0160】請求項3の本発明によれば、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0161】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0162】更に、それぞれ互いに120°をなす方向
に気流を形成する3つの気流形成手段を切り換える手段
を備えているので、気流の履歴による加熱の不均一化が
防止され、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0163】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0164】請求項4の本発明によれば、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0165】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0166】特に、この熱処理装置では直線状のエアパ
イプが気流の形が略三角形となるように規制する整流体
としても機能するのでより確実に気体流動領域を形成さ
れる。
【0167】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0168】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0169】請求項5の本発明によれば、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0170】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0171】特に、この熱処理装置では弧状のエアパイ
プの採用により、気体の流れ出す向きが排気口の一点を
向いているので、より確実に略三角形気体流動領域が形
成される。
【0172】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0173】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0174】請求項6の本発明によれば、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0175】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0176】更に、それぞれ互いに90°をなす方向に
気流を形成する4つの気流形成手段を切り換える手段を
備えているので、気流の履歴による加熱の不均一化が防
止され、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0177】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0178】請求項7の本発明によれば、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0179】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0180】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0181】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0182】請求項8の本発明によれば、前記排気口と
前記エアパイプとが前記熱処理盤を挟むように配設され
ており、この排気口が被処理基板を載置する熱処理盤上
には設けられていないので、気流が排気口の手前で減速
しても、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクル
を生じるのを防止できる。
【0183】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0184】特に、この熱処理装置では弧状のエアパイ
プの採用により、気体の流れ出す向きが排気口の一点を
向いているので、より確実に略三角形気体流動領域が形
成される。
【0185】更に、前記気体供給系と前記エアパイプと
の接続、及び、前記排気口と前記排気系との接続を切り
換えて気流の方向を変える手段を備えているので、気流
の履歴による加熱の不均一化が防止され、被処理基板の
均一な加熱が達成される。
【0186】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0187】請求項9の本発明によれば、前記熱処理盤
の横方向から気体を流し、この熱処理盤の上部に略三角
形の気体流動領域を形成するように構成されており、被
処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設けられ
ていないので、気流が排気口の手前で減速しても、塵や
埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生じるのを
防止できる。
【0188】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0189】更に、前記熱処理盤に対して前記気流形成
手段を回転させて気体が流れる方向を変える手段を備え
ているので、気流の履歴による加熱の不均一化が防止さ
れ、被処理基板の均一な加熱が達成される。
【0190】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【0191】請求項10の本発明によれば、前記熱処理
盤を挟んで前記エアパイプと前記排気口とを配設してお
り、被処理基板が載置される熱処理盤上には排気口が設
けられていないので、気流が排気口の手前で減速して
も、塵や埃が被処理基板上に落下してパーティクルを生
じるのを防止できる。
【0192】また、被処理基板上では前記熱処理盤の上
部に略三角形の気体流動領域を形成して疑似平行流を形
成するので、被処理基板上で空気が滞留することがな
く、被処理基板の不均一な加熱が防止される。
【0193】更に、前記熱処理盤に対して前記エアパイ
プと前記排気口とを回転させて気体が流れる方向を変え
る手段を備えているので、気流の履歴による加熱の不均
一化が防止され、被処理基板の均一な加熱が達成され
る。
【0194】また、被処理基板上では板面の垂直方向に
関して平行に気体が流れ、熱処理盤上部に上下方向に大
きい空間を確保する必要がないので、熱処理装置の上下
方向の寸法を小さく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の全体構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の正面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る塗布現像処理システム
の背面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの構成
を示す水平断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図6】本実施形態に係る熱処理ユニット内の上部空間
を示した水平断面図である。
【図7】本実施形態に係る熱処理ユニットの制御系を示
したブロック図である。
【図8】本実施形態に係る熱処理ユニット内の気流の状
態を示した平面図である。
【図9】本実施形態に係る熱処理ユニット内の気流の状
態を示した平面図である。
【図10】本実施形態に係る熱処理ユニット内の気流の
状態を示した平面図である。
【図11】本発明の第2の実施形態に係る熱処理ユニッ
トの概略を示した平面図である。
【図12】本発明の第3の実施形態に係る熱処理ユニッ
トの概略を示した平面図である。
【図13】本発明の第4の実施形態に係る熱処理ユニッ
トの概略を示した平面図である。
【図14】本発明の第5の実施形態に係る熱処理ユニッ
トの概略を示した平面図である。
【図15】従来の熱処理ユニットの垂直断面図である。
【符号の説明】
W ウエハ 58 熱処理盤 103〜104 排気口 111〜113 排気管 90,95,100 エアパイプ 92,97,101 エアノズル 107,109 切換装置 106 気体供給系 108 排気系 S センサ H ヒータ 22 主ウエハ搬送機構(メイン
アーム) 110 制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−127516(JP,A) 特開 平6−112116(JP,A) 特開 平8−130182(JP,A) 特開 平10−12536(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤の横方向から気体を流し、この熱処理盤の
    上部に略三角形の気体流動領域を形成する手段と、 前記熱処理盤に対して前記気体が流れる方向を変える手
    段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項2】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤の横方向から気体を流し、この熱処理盤の
    上部に略三角形の気体流動領域を形成する手段であっ
    て、それぞれ互いに異なる方向に気流を形成する複数の
    気流形成手段と、 前記気流形成手段を切り換える手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  3. 【請求項3】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤の横方向から気体を流し、この熱処理盤の
    上部に略三角形の気体流動領域を形成する手段であっ
    て、それぞれ互いに120°をなす方向に気流を形成す
    る3つの気流形成手段と、 前記気流形成手段を切り換える手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  4. 【請求項4】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤に隣接配置され、この熱処理盤を包囲する
    三角形型に配設された、3本の直線状エアパイプと、 前記3本のエアパイプの端と端とが接する位置にそれぞ
    れ配設された3つの排気口と、 前記エアパイプと接続され、このエアパイプに気体を供
    給する気体供給系と、 前記排気口と接続され、この排気口から気体を排気させ
    る排気系と、 前記気体供給系と前記エアパイプとの接続、及び、前記
    排気口と前記排気系との接続を切り換える手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  5. 【請求項5】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤に隣接配置され、この熱処理盤を包含する
    同心円を三等分して得られる弧の形状を備えた、3本の
    エアパイプと、 前記3本のエアパイプの端と端とが接する位置にそれぞ
    れ配設された3つの排気口と、 前記エアパイプと接続され、このエアパイプに気体を供
    給する気体供給系と、 前記排気口と接続され、この排気口から気体を排気させ
    る排気系と、 前記気体供給系と前記エアパイプとの接続、及び、前記
    排気口と前記排気系との接続を切り換える手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  6. 【請求項6】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤の横方向から気体を流し、この熱処理盤の
    上部に略三角形の気体流動領域を形成する手段であっ
    て、それぞれ互いに90°をなす方向に気流を形成する
    4つの気流形成手段と、 前記気流形成手段を切り換える手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  7. 【請求項7】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤に隣接配置され、この熱処理盤を包囲する
    四角形型に配設された、4本の直線状エアパイプと、 前記熱処理盤に関し、前記4本の各エアパイプの対向す
    る位置にそれぞれ配設された4つの排気口と、 前記エアパイプと接続され、このエアパイプに気体を供
    給する気体供給系と、 前記排気口と接続され、この排気口から気体を排気させ
    る排気系と、 前記気体供給系と前記エアパイプとの接続、及び、前記
    排気口と前記排気系との接続を切り換える手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  8. 【請求項8】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤に隣接配置され、この熱処理盤を包含する
    同心円を4等分して得られる弧の形状を備えた、4本の
    エアパイプと、 前記熱処理盤に関し、前記4本の各エアパイプに対向す
    る位置にそれぞれ配設された4つの排気口と、 前記エアパイプと接続され、このエアパイプに気体を供
    給する気体供給系と、 前記排気口と接続され、この排気口から気体を排気させ
    る排気系と、 前記気体供給系と前記エアパイプとの接続、及び、前記
    排気口と前記排気系との接続を切り換える手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  9. 【請求項9】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤の横方向から気体を流し、この熱処理盤の
    上部に略三角形の気体流動領域を形成する気流形成手段
    と、 前記熱処理盤に対して前記気流形成手段を回転させる手
    段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  10. 【請求項10】 被処理基板が載置される熱処理盤と、 前記熱処理盤の同心円上を移動可能に配設され、前記熱
    処理盤の横方向から気体を流すエアパイプと、 前記熱処理盤に関し前記エアパイプと対向する位置に配
    設され、前記熱処理盤の同心円上を移動可能に配設され
    た排気口と、 前記エアパイプと接続され、このエアパイプに気体を供
    給する気体供給系と、 前記排気口と接続され、この排気口から気体を排気させ
    る排気系と、 前記エアパイプ及び前記排気口を移動させる手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
JP04024698A 1998-02-20 1998-02-23 熱処理装置 Expired - Fee Related JP3203225B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04024698A JP3203225B2 (ja) 1998-02-23 1998-02-23 熱処理装置
US09/251,731 US6291800B1 (en) 1998-02-20 1999-02-18 Heat treatment apparatus and substrate processing system
US09/921,139 US6380518B2 (en) 1998-02-20 2001-08-03 Heat treatment apparatus and substrate processing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04024698A JP3203225B2 (ja) 1998-02-23 1998-02-23 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11238663A JPH11238663A (ja) 1999-08-31
JP3203225B2 true JP3203225B2 (ja) 2001-08-27

Family

ID=12575357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04024698A Expired - Fee Related JP3203225B2 (ja) 1998-02-20 1998-02-23 熱処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3203225B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4752782B2 (ja) 2007-02-02 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び加熱方法
US20140137801A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-22 Applied Materials, Inc. Epitaxial chamber with customizable flow injection

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11238663A (ja) 1999-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6291800B1 (en) Heat treatment apparatus and substrate processing system
KR101059309B1 (ko) 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법
US7287920B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method
JP3213748B2 (ja) 処理システム
JP3225344B2 (ja) 処理装置
US6426303B1 (en) Processing system
KR100630511B1 (ko) 기판처리장치
US6319322B1 (en) Substrate processing apparatus
US6399518B1 (en) Resist coating and developing processing apparatus
JP4294837B2 (ja) 処理システム
US6287025B1 (en) Substrate processing apparatus
JP3203225B2 (ja) 熱処理装置
JP3441681B2 (ja) 処理装置
JP3254584B2 (ja) 処理システム
JP3249458B2 (ja) 熱処理装置
JP3203224B2 (ja) 熱処理装置
JP3634983B2 (ja) 加熱処理装置
JP4028198B2 (ja) 熱処理装置
JP3246890B2 (ja) 熱処理装置
JP3254583B2 (ja) 処理システム
JP2887692B2 (ja) 加熱装置
JP4014192B2 (ja) 基板処理装置
JP3416397B2 (ja) 処理システム
JP2007277014A (ja) 処理システム
JP3305215B2 (ja) ガス処理方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010612

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees