JP3441681B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP3441681B2 JP3441681B2 JP22023199A JP22023199A JP3441681B2 JP 3441681 B2 JP3441681 B2 JP 3441681B2 JP 22023199 A JP22023199 A JP 22023199A JP 22023199 A JP22023199 A JP 22023199A JP 3441681 B2 JP3441681 B2 JP 3441681B2
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- processing unit
- liquid
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- unit
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，処理装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，例えば半導体ウェハ（以
下，「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンを露光
した後に，このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は，従来から塗布現像処理装置が使用されている。
ジスト処理工程においては，例えば半導体ウェハ（以
下，「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンを露光
した後に，このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は，従来から塗布現像処理装置が使用されている。
【０００３】この塗布現像処理装置には，例えばウェハ
に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレ
ジスト塗布装置や露光処理後のウェハを現像処理する現
像処理装置等の各種液処理装置と，レジスト塗布後のウ
ェハを加熱する加熱装置や加熱処理後のウェハを冷却す
る冷却装置等の各種熱処理装置とが備えられている。こ
れらの液処理装置及び熱処理装置はそれぞれ多段に積み
重ねられており，塗布現像処理装置内における配置スペ
ースの有効利用が図られている。また，各種液処理装置
及び熱処理装置に対するウェハの搬送は搬送装置によっ
て行われており，塗布現像処理装置内では液処理装置，
熱処理装置そして搬送装置が集約されて配置している。
に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレ
ジスト塗布装置や露光処理後のウェハを現像処理する現
像処理装置等の各種液処理装置と，レジスト塗布後のウ
ェハを加熱する加熱装置や加熱処理後のウェハを冷却す
る冷却装置等の各種熱処理装置とが備えられている。こ
れらの液処理装置及び熱処理装置はそれぞれ多段に積み
重ねられており，塗布現像処理装置内における配置スペ
ースの有効利用が図られている。また，各種液処理装置
及び熱処理装置に対するウェハの搬送は搬送装置によっ
て行われており，塗布現像処理装置内では液処理装置，
熱処理装置そして搬送装置が集約されて配置している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら今日のウ
ェハの大口径化に応じて，熱処理装置や液処理装置等も
大型化する傾向にある。従って，塗布現像処理装置内で
は熱処理装置や液処理装置がさらに集約配置されるため
に，熱処理装置の加熱装置から発せられる熱の影響が液
処理装置に対して及びやすくなる。また，熱源となる加
熱装置の大型化により，加熱装置から発せられる熱もよ
り多くなる。その結果，温度変化に敏感な液処理装置，
例えばレジスト塗布装置において形成されるレジスト膜
の膜厚が変化してしまうおそれが生じる。
ェハの大口径化に応じて，熱処理装置や液処理装置等も
大型化する傾向にある。従って，塗布現像処理装置内で
は熱処理装置や液処理装置がさらに集約配置されるため
に，熱処理装置の加熱装置から発せられる熱の影響が液
処理装置に対して及びやすくなる。また，熱源となる加
熱装置の大型化により，加熱装置から発せられる熱もよ
り多くなる。その結果，温度変化に敏感な液処理装置，
例えばレジスト塗布装置において形成されるレジスト膜
の膜厚が変化してしまうおそれが生じる。
【０００５】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり，ウェハ等の基板の大口径加に伴って加熱装置
が大型化しても，処理液の膜厚が熱によって変化するの
を抑えることが可能な新しい処理装置を提供することを
目的としている。
のであり，ウェハ等の基板の大口径加に伴って加熱装置
が大型化しても，処理液の膜厚が熱によって変化するの
を抑えることが可能な新しい処理装置を提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１によれば，基板に処理液を供給して処理を
行う液処理装置と，基板を所定温度に加熱する加熱装置
と，基板を所定温度に冷却する冷却装置とを備えた処理
装置であって，前記液処理装置と冷却装置とで液処理ユ
ニットが構成され，さらに加熱装置と前記液処理ユニッ
トに属する冷却装置との間で基板を搬送する主搬送装置
と，前記液処理ユニットに設けられ，当該ユニット内の
液処理装置と冷却装置との間で基板を搬送する副搬送装
置とを備え，少なくとも加熱装置に面した部分を囲む熱
遮断部材が前記液処理ユニットに設けられたことを特徴
とする，処理装置が提供される。
に，請求項１によれば，基板に処理液を供給して処理を
行う液処理装置と，基板を所定温度に加熱する加熱装置
と，基板を所定温度に冷却する冷却装置とを備えた処理
装置であって，前記液処理装置と冷却装置とで液処理ユ
ニットが構成され，さらに加熱装置と前記液処理ユニッ
トに属する冷却装置との間で基板を搬送する主搬送装置
と，前記液処理ユニットに設けられ，当該ユニット内の
液処理装置と冷却装置との間で基板を搬送する副搬送装
置とを備え，少なくとも加熱装置に面した部分を囲む熱
遮断部材が前記液処理ユニットに設けられたことを特徴
とする，処理装置が提供される。
【０００７】請求項１に記載の処理装置にあっては，加
熱装置に面した部分を囲む熱遮断部材が設けられている
ために，加熱装置で発生した熱が液処理ユニットに対し
て伝わらない。従って，液処理装置は熱の影響を受け
ず，レジスト膜等の処理液の膜を所定の厚さで形成する
ことができる。また，液処理ユニットには冷却装置があ
るために，液処理ユニット内雰囲気の温度上昇も抑えら
れる。従って，液処理装置による処理を好適に実施する
ことができる。さらに，液処理ユニット内では加熱直後
の高温の基板を搬送することがない副搬送装置で基板が
搬送される。従って，液処理ユニット内では膜厚が変化
することのない安定な基板の搬送が可能となり，例えば
レジスト等の処理液の膜厚変化をより確実に防止するこ
とができる。
熱装置に面した部分を囲む熱遮断部材が設けられている
ために，加熱装置で発生した熱が液処理ユニットに対し
て伝わらない。従って，液処理装置は熱の影響を受け
ず，レジスト膜等の処理液の膜を所定の厚さで形成する
ことができる。また，液処理ユニットには冷却装置があ
るために，液処理ユニット内雰囲気の温度上昇も抑えら
れる。従って，液処理装置による処理を好適に実施する
ことができる。さらに，液処理ユニット内では加熱直後
の高温の基板を搬送することがない副搬送装置で基板が
搬送される。従って，液処理ユニット内では膜厚が変化
することのない安定な基板の搬送が可能となり，例えば
レジスト等の処理液の膜厚変化をより確実に防止するこ
とができる。
【０００８】請求項２によれば，基板に処理液を供給し
て処理を行う液処理装置と，基板を所定温度に冷却する
冷却装置と，液処理装置及び冷却装置の間で基板を搬送
する副搬送装置とを有する第１の液処理ユニット及び第
２の液処理ユニットと，基板を所定温度に加熱する加熱
装置とを備え，前記第１の液処理ユニットと第２の液処
理ユニットとが対向配置され，少なくとも第１または第
２の液処理ユニットに属する冷却装置と前記加熱装置と
の間で基板を搬送する主搬送装置が，前記第１の液処理
ユニットと第２の液処理ユニットとの間に配置され，少
なくとも加熱装置に面した部分を囲む熱遮断部材が前記
各液処理ユニットに設けられたことを特徴とする，処理
装置が提供される。
て処理を行う液処理装置と，基板を所定温度に冷却する
冷却装置と，液処理装置及び冷却装置の間で基板を搬送
する副搬送装置とを有する第１の液処理ユニット及び第
２の液処理ユニットと，基板を所定温度に加熱する加熱
装置とを備え，前記第１の液処理ユニットと第２の液処
理ユニットとが対向配置され，少なくとも第１または第
２の液処理ユニットに属する冷却装置と前記加熱装置と
の間で基板を搬送する主搬送装置が，前記第１の液処理
ユニットと第２の液処理ユニットとの間に配置され，少
なくとも加熱装置に面した部分を囲む熱遮断部材が前記
各液処理ユニットに設けられたことを特徴とする，処理
装置が提供される。
【０００９】請求項２に記載の処理装置にあっては，請
求項１と同様に，熱による処理液の膜厚の変化等を防止
でき，液処理ユニット内における液処理を好適に実施す
ることができる。さらに，請求項１よりも液処理ユニッ
トが多いので，基板の処理枚数がより増加する。また，
主搬送装置による基板の効率のよい搬送と，全体として
の装置の集約化が図れる。
求項１と同様に，熱による処理液の膜厚の変化等を防止
でき，液処理ユニット内における液処理を好適に実施す
ることができる。さらに，請求項１よりも液処理ユニッ
トが多いので，基板の処理枚数がより増加する。また，
主搬送装置による基板の効率のよい搬送と，全体として
の装置の集約化が図れる。
【００１０】請求項３に記載の発明は，請求項２に記載
の処理装置において，前記加熱装置は，主搬送装置の両
側であって，かつ第１の液処理ユニットと第２の液処理
ユニットとの間に配置されたことを特徴としている。
の処理装置において，前記加熱装置は，主搬送装置の両
側であって，かつ第１の液処理ユニットと第２の液処理
ユニットとの間に配置されたことを特徴としている。
【００１１】請求項３に記載の処理装置にあっては，さ
らに加熱装置が多く配置されているので，基板の処理枚
数が増加すると共に，集約配置が可能となる。
らに加熱装置が多く配置されているので，基板の処理枚
数が増加すると共に，集約配置が可能となる。
【００１２】請求項４によれば，基板に処理液を供給し
て処理を行う２つの液処理装置と，基板を所定温度に冷
却する冷却装置と，液処理装置及び冷却装置との間で基
板を搬送する副搬送装置とを有する第１の液処理ユニッ
ト及び第２の液処理ユニットと，基板を所定温度に加熱
する加熱装置を備え，前記各液処理ユニット内において
は，冷却装置と副搬送装置の両側に液処理装置が配置さ
れ，前記第１の液処理ユニットと第２の液処理ユニット
とが，各ユニットに属する冷却装置が向き合うように，
対向配置され，第１の液処理ユニットに属する冷却装置
と加熱装置との間で基板を搬送する第１の主搬送装置
と，第２の液処理ユニットに属する冷却装置と加熱装置
との間で基板を搬送する第２の主搬送装置とが，前記第
１の液処理ユニットと第２の液処理ユニットとの間に，
これらユニットの対向方向に沿って配置され，少なくと
も加熱装置に面した部分を囲む熱遮断部材が前記各液処
理ユニットに設けられたことを特徴とする，処理装置が
提供される。
て処理を行う２つの液処理装置と，基板を所定温度に冷
却する冷却装置と，液処理装置及び冷却装置との間で基
板を搬送する副搬送装置とを有する第１の液処理ユニッ
ト及び第２の液処理ユニットと，基板を所定温度に加熱
する加熱装置を備え，前記各液処理ユニット内において
は，冷却装置と副搬送装置の両側に液処理装置が配置さ
れ，前記第１の液処理ユニットと第２の液処理ユニット
とが，各ユニットに属する冷却装置が向き合うように，
対向配置され，第１の液処理ユニットに属する冷却装置
と加熱装置との間で基板を搬送する第１の主搬送装置
と，第２の液処理ユニットに属する冷却装置と加熱装置
との間で基板を搬送する第２の主搬送装置とが，前記第
１の液処理ユニットと第２の液処理ユニットとの間に，
これらユニットの対向方向に沿って配置され，少なくと
も加熱装置に面した部分を囲む熱遮断部材が前記各液処
理ユニットに設けられたことを特徴とする，処理装置が
提供される。
【００１３】請求項４に記載の処理装置にあっては，第
１の主搬送装置と第２の主搬送装置による効率のよい基
板の搬送ができ，しかも集約配置が可能である。さら
に，液処理装置が多く配置されているので，基板の処理
枚数も増加する。
１の主搬送装置と第２の主搬送装置による効率のよい基
板の搬送ができ，しかも集約配置が可能である。さら
に，液処理装置が多く配置されているので，基板の処理
枚数も増加する。
【００１４】請求項５に記載の発明は，請求項４に記載
の処理装置において，第１の主搬送装置と，第２の主搬
送装置の各両側，かつ第１の液処理ユニットと第２の液
処理ユニットとの間に，各々加熱装置が配置されたこと
を特徴としている。
の処理装置において，第１の主搬送装置と，第２の主搬
送装置の各両側，かつ第１の液処理ユニットと第２の液
処理ユニットとの間に，各々加熱装置が配置されたこと
を特徴としている。
【００１５】請求項５に記載の処理装置にあっては，請
求項４よりも加熱装置が多くなるために，基板の処理枚
数をさらに向上させることができる。さらに，集約配置
が可能となる。
求項４よりも加熱装置が多くなるために，基板の処理枚
数をさらに向上させることができる。さらに，集約配置
が可能となる。
【００１６】これらの各処理装置において，請求項６〜
８に記載したように，液処理ユニット内の雰囲気と，主
搬送装置の配置される雰囲気とは異なるように構成すれ
ば，なお好ましい。すなわち処理が要求する清浄度，清
浄内容に応じた雰囲気とすることで，効率よく各処理を
好適に実施することができる。またさらに請求項９〜１
１に記載したように，液処理ユニット内の圧力を，主搬
送装置の配置される雰囲気の圧力よりも高く設定されて
いることが好ましい。そうすることによって，外部から
パーティクル等の侵入を防止することが可能である。
８に記載したように，液処理ユニット内の雰囲気と，主
搬送装置の配置される雰囲気とは異なるように構成すれ
ば，なお好ましい。すなわち処理が要求する清浄度，清
浄内容に応じた雰囲気とすることで，効率よく各処理を
好適に実施することができる。またさらに請求項９〜１
１に記載したように，液処理ユニット内の圧力を，主搬
送装置の配置される雰囲気の圧力よりも高く設定されて
いることが好ましい。そうすることによって，外部から
パーティクル等の侵入を防止することが可能である。
【００１７】以上の各処理装置において，液処理ユニッ
トの液処理装置と冷却装置は，各々複数具備されていれ
ば，量的に処理能力が向上する。また請求項１３，１４
に記載したように，冷却装置や加熱装置は，垂直方向に
複数積み重ねられていれば，床専有面積を増大させるこ
となく，量的に処理能力が向上する。これらの場合，も
ちろん液処理装置も，垂直方向に積み重ねるようにして
搭載台数の増加を図ってもよい。
トの液処理装置と冷却装置は，各々複数具備されていれ
ば，量的に処理能力が向上する。また請求項１３，１４
に記載したように，冷却装置や加熱装置は，垂直方向に
複数積み重ねられていれば，床専有面積を増大させるこ
となく，量的に処理能力が向上する。これらの場合，も
ちろん液処理装置も，垂直方向に積み重ねるようにして
搭載台数の増加を図ってもよい。
【００１８】またさらに請求項１５に記載したように，
基板を複数収納可能なカセットを複数載置可能なカセッ
トステーションと，前記カセットステーション上のカセ
ットに対して前記基板を搬入出する搬入出機構を具備し
た構成としてもよい。その場合，請求項１６のように，
前記搬入出機構は，カセットから搬出した基板を前記加
熱装置に搬送可能とすれば，別途の専用の搬送機構は不
要である。
基板を複数収納可能なカセットを複数載置可能なカセッ
トステーションと，前記カセットステーション上のカセ
ットに対して前記基板を搬入出する搬入出機構を具備し
た構成としてもよい。その場合，請求項１６のように，
前記搬入出機構は，カセットから搬出した基板を前記加
熱装置に搬送可能とすれば，別途の専用の搬送機構は不
要である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき，本発明
の好適な実施の形態について説明する。図１〜３は，本
実施の形態にかかる塗布現像処理装置の外観を示してお
り，図１は平面図，図２及び図３は側面図である。
の好適な実施の形態について説明する。図１〜３は，本
実施の形態にかかる塗布現像処理装置の外観を示してお
り，図１は平面図，図２及び図３は側面図である。
【００２０】塗布現像処理装置１は図１に示すように，
複数枚，例えば２５枚の基板であるウェハＷをカセット
単位で外部から塗布現像処理装置１に搬入出したり，カ
セットＣに対してウェハＷを搬入出したりするためのカ
セットステーション２と，ウェハＷに対して所定の処理
を施す枚葉式の各種処理ユニットを配置してなる処理ス
テーション３と，隣接して設けられる露光装置４との間
でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部５とを
一体に接続した構成を有している。
複数枚，例えば２５枚の基板であるウェハＷをカセット
単位で外部から塗布現像処理装置１に搬入出したり，カ
セットＣに対してウェハＷを搬入出したりするためのカ
セットステーション２と，ウェハＷに対して所定の処理
を施す枚葉式の各種処理ユニットを配置してなる処理ス
テーション３と，隣接して設けられる露光装置４との間
でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部５とを
一体に接続した構成を有している。
【００２１】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に
複数のカセットＣがウェハＷの出入口を処理ステーショ
ン３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一
列に載置自在である。そして，このカセットＣの配列方
向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配
列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能であって，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入，搬出する搬入出機構と
してのウェハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在
であり，各カセットＣに対して選択的にアクセスできる
ようになっている。このウェハ搬送体１１はθ方向にも
回転自在に構成されており，後述する処理ステーション
３に配置された第１熱処理ユニット４０に属するアライ
メント装置４２及び第２熱処理ユニット５０に属するエ
クステンション装置５２にもアクセス可能となるように
構成されている。
るカセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に
複数のカセットＣがウェハＷの出入口を処理ステーショ
ン３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一
列に載置自在である。そして，このカセットＣの配列方
向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配
列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能であって，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入，搬出する搬入出機構と
してのウェハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在
であり，各カセットＣに対して選択的にアクセスできる
ようになっている。このウェハ搬送体１１はθ方向にも
回転自在に構成されており，後述する処理ステーション
３に配置された第１熱処理ユニット４０に属するアライ
メント装置４２及び第２熱処理ユニット５０に属するエ
クステンション装置５２にもアクセス可能となるように
構成されている。
【００２２】処理ステーション３では，正面側（図１中
の下側）にレジスト塗布装置ユニット２０と，背面側に
現像処理装置ユニット３０とが配置されている。カセッ
トステーション２側から処理ステーション３を見た図２
に基づいてレジスト塗布装置ユニット２０及び現像処理
装置ユニット３０を説明すると，レジスト塗布装置ユニ
ット２０には，カップＣＰ内のウェハＷに対してレジス
ト液を塗布し，所定の膜厚のレジスト膜を形成するレジ
スト塗布装置２１，２２が下から順に，例えば２段に積
み重ねられている。現像処理装置ユニット３０には，カ
ップＣＰ内のウェハＷに対して現像液を供給し，所定の
現像処理を行う現像処理装置３１，３２が下から順に，
例えば２段に積み重ねられている。
の下側）にレジスト塗布装置ユニット２０と，背面側に
現像処理装置ユニット３０とが配置されている。カセッ
トステーション２側から処理ステーション３を見た図２
に基づいてレジスト塗布装置ユニット２０及び現像処理
装置ユニット３０を説明すると，レジスト塗布装置ユニ
ット２０には，カップＣＰ内のウェハＷに対してレジス
ト液を塗布し，所定の膜厚のレジスト膜を形成するレジ
スト塗布装置２１，２２が下から順に，例えば２段に積
み重ねられている。現像処理装置ユニット３０には，カ
ップＣＰ内のウェハＷに対して現像液を供給し，所定の
現像処理を行う現像処理装置３１，３２が下から順に，
例えば２段に積み重ねられている。
【００２３】また，インターフェイス部５側から処理ス
テーション３を見た図３に基づいてレジスト塗布装置ユ
ニット２０及び現像処理装置ユニット３０を説明する
と，レジスト塗布装置ユニット２０には，上記レジスト
塗布装置２１，２２と同一のレジスト塗布装置２３，２
４が下から順に，例えば２段に積み重ねられており，現
像処理装置ユニット３０には上記現像処理装置３１，３
２と同一の現像処理装置３３，３４が下から順に，例え
ば２段に積み重ねられている。従って，レジスト塗布装
置ユニット２０には合計４台のレジスト塗布装置２１，
２２，２３，２４が備えられており，現像処理装置ユニ
ット３０には合計４台の現像処理装置３１，３２，３
３，３４が備えられている。
テーション３を見た図３に基づいてレジスト塗布装置ユ
ニット２０及び現像処理装置ユニット３０を説明する
と，レジスト塗布装置ユニット２０には，上記レジスト
塗布装置２１，２２と同一のレジスト塗布装置２３，２
４が下から順に，例えば２段に積み重ねられており，現
像処理装置ユニット３０には上記現像処理装置３１，３
２と同一の現像処理装置３３，３４が下から順に，例え
ば２段に積み重ねられている。従って，レジスト塗布装
置ユニット２０には合計４台のレジスト塗布装置２１，
２２，２３，２４が備えられており，現像処理装置ユニ
ット３０には合計４台の現像処理装置３１，３２，３
３，３４が備えられている。
【００２４】レジスト塗布装置ユニット２０と現像処理
装置ユニット３０との間には，ウェハＷを所定温度に加
熱する各種加熱装置を有する熱処理ユニットが配置され
ている。熱処理ユニットには第１熱処理ユニット４０
と，第２熱処理ユニット５０と，第３熱処理ユニット６
０と，第４熱処理ユニット７０とがあり，第１熱処理ユ
ニット４０及び第２熱処理ユニット５０はカセットステ
ーション２側に，第３熱処理ユニット６０及び第４熱処
理ユニット７０はインターフェイス部５側に夫々配置さ
れている。
装置ユニット３０との間には，ウェハＷを所定温度に加
熱する各種加熱装置を有する熱処理ユニットが配置され
ている。熱処理ユニットには第１熱処理ユニット４０
と，第２熱処理ユニット５０と，第３熱処理ユニット６
０と，第４熱処理ユニット７０とがあり，第１熱処理ユ
ニット４０及び第２熱処理ユニット５０はカセットステ
ーション２側に，第３熱処理ユニット６０及び第４熱処
理ユニット７０はインターフェイス部５側に夫々配置さ
れている。
【００２５】第１熱処理ユニット４０には，例えばウェ
ハＷとレジストとの密着性を向上させるアドヒージョン
装置４１と，ウェハＷを位置合わせするアライメント装
置４２と，ウェハＷを待機させるエクステンション装置
４３と，レジスト塗布後のウェハＷを加熱するプリベー
キング装置４４，４５と，現像処理後のウェハＷを加熱
するポストベーキング装置４６との各種熱処理装置が，
下から順に例えば５段に積み重ねられている。第２熱処
理ユニット５０には，例えばアライメント装置５１と，
エクステンション装置５２と，プリベーキング装置５
３，５４と，ポストベーキング装置５５，５６とが，下
から順に例えば５段に積み重ねられている。なお，第１
熱処理ユニット４０に属する各加熱装置には，ウェハＷ
を搬入自在なウェハ搬入口４７と，ウェハＷを搬出自在
なウェハ搬出口４８とが別個に設けられており，第２熱
処理ユニット５０に属する各加熱装置には，ウェハ搬入
口５７と，ウェハ搬出口５８とが別個に設けられてい
る。
ハＷとレジストとの密着性を向上させるアドヒージョン
装置４１と，ウェハＷを位置合わせするアライメント装
置４２と，ウェハＷを待機させるエクステンション装置
４３と，レジスト塗布後のウェハＷを加熱するプリベー
キング装置４４，４５と，現像処理後のウェハＷを加熱
するポストベーキング装置４６との各種熱処理装置が，
下から順に例えば５段に積み重ねられている。第２熱処
理ユニット５０には，例えばアライメント装置５１と，
エクステンション装置５２と，プリベーキング装置５
３，５４と，ポストベーキング装置５５，５６とが，下
から順に例えば５段に積み重ねられている。なお，第１
熱処理ユニット４０に属する各加熱装置には，ウェハＷ
を搬入自在なウェハ搬入口４７と，ウェハＷを搬出自在
なウェハ搬出口４８とが別個に設けられており，第２熱
処理ユニット５０に属する各加熱装置には，ウェハ搬入
口５７と，ウェハ搬出口５８とが別個に設けられてい
る。
【００２６】第３熱処理ユニット６０には，例えばアラ
イメント装置６１と，エクステンション装置６２と，プ
リベーキング装置６３，６４と，露光処理後のウェハＷ
を所定温度に加熱するポストエクスポージャベーキング
装置６５と，ポストベーキング装置６６とが，下から順
に例えば５段に積み重ねられている。第４熱処理ユニッ
ト７０には，例えばアライメント装置７１と，エクステ
ンション装置７２と，プリベーキング装置７３，７４
と，ポストエクスポージャベーキング装置７５と，ポス
トベーキング装置７６とが，下から順に例えば５段に積
み重ねられている。なお，第３熱処理ユニット６０の各
加熱装置には，ウェハ搬入口６７とウェハ搬出口６８と
が個別に設けられており，第４熱処理ユニット７０の各
加熱装置にはウェハ搬入口７７とウェハ搬出口７８とが
個別に設けられている。
イメント装置６１と，エクステンション装置６２と，プ
リベーキング装置６３，６４と，露光処理後のウェハＷ
を所定温度に加熱するポストエクスポージャベーキング
装置６５と，ポストベーキング装置６６とが，下から順
に例えば５段に積み重ねられている。第４熱処理ユニッ
ト７０には，例えばアライメント装置７１と，エクステ
ンション装置７２と，プリベーキング装置７３，７４
と，ポストエクスポージャベーキング装置７５と，ポス
トベーキング装置７６とが，下から順に例えば５段に積
み重ねられている。なお，第３熱処理ユニット６０の各
加熱装置には，ウェハ搬入口６７とウェハ搬出口６８と
が個別に設けられており，第４熱処理ユニット７０の各
加熱装置にはウェハ搬入口７７とウェハ搬出口７８とが
個別に設けられている。
【００２７】第１熱処理ユニット４０と第３熱処理ユニ
ット６０との間には第１主搬送装置８０が，第２熱処理
ユニット５０と第４熱処理ユニット７０との間には第２
主搬送装置９０とがそれぞれ配置されている。第１主搬
送装置８０及び第２主搬送装置９０は基本的に同一の構
成を有しており，図４に基づいて第１主搬送装置８０の
構成を説明すれば，第１主搬送装置８０は，上端及び下
端で相互に接続され対向する一対の壁部８１，８２から
なる筒状支持体８３の内側に，上下方向（Ｚ方向）に昇
降自在なウェハ搬送手段８４を装備している。筒状支持
体８３はモータ８５の回転軸に接続されており，モータ
８５の回転駆動力により，前記回転軸を中心としてウェ
ハ搬送手段８４と一体に回転する。従って，ウェハ搬送
手段８４はθ方向に回転自在となっている。
ット６０との間には第１主搬送装置８０が，第２熱処理
ユニット５０と第４熱処理ユニット７０との間には第２
主搬送装置９０とがそれぞれ配置されている。第１主搬
送装置８０及び第２主搬送装置９０は基本的に同一の構
成を有しており，図４に基づいて第１主搬送装置８０の
構成を説明すれば，第１主搬送装置８０は，上端及び下
端で相互に接続され対向する一対の壁部８１，８２から
なる筒状支持体８３の内側に，上下方向（Ｚ方向）に昇
降自在なウェハ搬送手段８４を装備している。筒状支持
体８３はモータ８５の回転軸に接続されており，モータ
８５の回転駆動力により，前記回転軸を中心としてウェ
ハ搬送手段８４と一体に回転する。従って，ウェハ搬送
手段８４はθ方向に回転自在となっている。
【００２８】ウェハ搬送手段８４の搬送基台８６上に
は，ウェハＷを保持するピンセット８７，８８が例えば
２本上下に備えられている。ピンセット８７，８８は基
本的に同一の構成を有しており，筒状支持体８３の両壁
部８１，８２間の側面開口部８９を通過自在な形態及び
大きさを有している。各ピンセット８７，８８は搬送基
台８６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後移動
が夫々自在となるように構成されている。なお，第２主
搬送装置９０においても，上記第１主搬送装置８０と同
様にピンセット９７，９８が上下に装備されている。
は，ウェハＷを保持するピンセット８７，８８が例えば
２本上下に備えられている。ピンセット８７，８８は基
本的に同一の構成を有しており，筒状支持体８３の両壁
部８１，８２間の側面開口部８９を通過自在な形態及び
大きさを有している。各ピンセット８７，８８は搬送基
台８６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後移動
が夫々自在となるように構成されている。なお，第２主
搬送装置９０においても，上記第１主搬送装置８０と同
様にピンセット９７，９８が上下に装備されている。
【００２９】レジスト塗布装置ユニット２０内には第１
副搬送装置１００が，現像処理装置ユニット３０内には
第２副搬送装置１１０がそれぞれ配置されている。第１
副搬送装置１００及び第２副搬送装置１１０は基本的に
同一の構成を有しており，第１副搬送装置１００の構成
を図５に基づいて説明すると，第１副搬送装置１００
は，上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段１
０１が装備されている。ウェハ搬送手段１０１はモータ
１０２の回転駆動力により回転する回転軸１０３に支持
されており，このウェハ搬送手段１０１はθ方向に回転
自在となるように構成されている。そして，ウェハ搬送
手段１０１の搬送基台１０４上には，ウェハＷを保持す
る２本のピンセット１０７，１０８が各々上下に装備さ
れている。ピンセット１０７，１０８は基本的に同一の
構成を有しており，搬送基台１０４に内蔵されたモータ
（図示せず）により各々独立して前後移動自在となって
いる。なお，第２副搬送装置１１０においても上記ピン
セット１０７，１０８と基本的に同一の構成を有するピ
ンセット１１７，１１８が上下に装備されている。
副搬送装置１００が，現像処理装置ユニット３０内には
第２副搬送装置１１０がそれぞれ配置されている。第１
副搬送装置１００及び第２副搬送装置１１０は基本的に
同一の構成を有しており，第１副搬送装置１００の構成
を図５に基づいて説明すると，第１副搬送装置１００
は，上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段１
０１が装備されている。ウェハ搬送手段１０１はモータ
１０２の回転駆動力により回転する回転軸１０３に支持
されており，このウェハ搬送手段１０１はθ方向に回転
自在となるように構成されている。そして，ウェハ搬送
手段１０１の搬送基台１０４上には，ウェハＷを保持す
る２本のピンセット１０７，１０８が各々上下に装備さ
れている。ピンセット１０７，１０８は基本的に同一の
構成を有しており，搬送基台１０４に内蔵されたモータ
（図示せず）により各々独立して前後移動自在となって
いる。なお，第２副搬送装置１１０においても上記ピン
セット１０７，１０８と基本的に同一の構成を有するピ
ンセット１１７，１１８が上下に装備されている。
【００３０】レジスト塗布装置ユニット２０内には冷却
装置群１２０が，現像処理装置ユニット３０内には冷却
装置群１３０がそれぞれ配置されている。冷却装置群１
２０及び冷却装置群１３０は基本的に同一の構成を有し
ており，冷却装置群１２０の構成を図６に基づいて説明
すると，冷却装置群１２０には，ウェハＷを冷却自在な
冷却装置１２１，１２２，１２３が，例えば３段に積み
重ねられている。これらの冷却装置１２１，１２２，１
２３には，例えば２３℃に温度調整された恒温水等が流
通する循環路（図示せず）を具備した冷却載置台１２４
と，冷却載置台１２４に設けられた孔からシリンダ１２
５の駆動で上下動自在に構成された例えば３本の昇降ピ
ン１２６とが備えられている。このため，昇降ピン１２
６に支持されたウェハＷが冷却載置台１２４に載置され
ることにより，ウェハＷの冷却ができるようになってい
る。
装置群１２０が，現像処理装置ユニット３０内には冷却
装置群１３０がそれぞれ配置されている。冷却装置群１
２０及び冷却装置群１３０は基本的に同一の構成を有し
ており，冷却装置群１２０の構成を図６に基づいて説明
すると，冷却装置群１２０には，ウェハＷを冷却自在な
冷却装置１２１，１２２，１２３が，例えば３段に積み
重ねられている。これらの冷却装置１２１，１２２，１
２３には，例えば２３℃に温度調整された恒温水等が流
通する循環路（図示せず）を具備した冷却載置台１２４
と，冷却載置台１２４に設けられた孔からシリンダ１２
５の駆動で上下動自在に構成された例えば３本の昇降ピ
ン１２６とが備えられている。このため，昇降ピン１２
６に支持されたウェハＷが冷却載置台１２４に載置され
ることにより，ウェハＷの冷却ができるようになってい
る。
【００３１】そして，最上段に位置する冷却装置１２３
の上部には，ウェハＷを支持ピン１２７に支持させた状
態で待機させるウェハ載置台１２８が備えられている。
なお，現像処理装置ユニット３０には，レジスト塗布装
置ユニット２０の場合と同様に，冷却装置１３１，１３
２，１３３が下から順に積み重ねられており，かつ最上
段の冷却装置の上部には支持ピン１３７を設けたウェハ
載置台１３８が備えられている。
の上部には，ウェハＷを支持ピン１２７に支持させた状
態で待機させるウェハ載置台１２８が備えられている。
なお，現像処理装置ユニット３０には，レジスト塗布装
置ユニット２０の場合と同様に，冷却装置１３１，１３
２，１３３が下から順に積み重ねられており，かつ最上
段の冷却装置の上部には支持ピン１３７を設けたウェハ
載置台１３８が備えられている。
【００３２】レジスト塗布装置ユニット２０内では，レ
ジスト塗布装置２１，２２とレジスト塗布装置２３，２
４とが図７に示すように配置されており，レジスト塗布
装置２１，２２とレジスト塗布装置２３，２４との間に
第１副搬送装置１００及び冷却装置群１２０が配置され
ている。現像処理装置ユニット３０内では，現像処理装
置３１，３２と現像処理装置３３，３４とが図８に示す
ように配置されており，現像処理装置３１，３２と現像
処理装置３３，３４との間に第２副搬送装置１１０及び
冷却装置群１３０が配置されている。かかる配置によ
り，レジスト塗布装置ユニット２０内及び現像処理装置
ユニット３０内に各装置を集約配置することが可能とな
っている。
ジスト塗布装置２１，２２とレジスト塗布装置２３，２
４とが図７に示すように配置されており，レジスト塗布
装置２１，２２とレジスト塗布装置２３，２４との間に
第１副搬送装置１００及び冷却装置群１２０が配置され
ている。現像処理装置ユニット３０内では，現像処理装
置３１，３２と現像処理装置３３，３４とが図８に示す
ように配置されており，現像処理装置３１，３２と現像
処理装置３３，３４との間に第２副搬送装置１１０及び
冷却装置群１３０が配置されている。かかる配置によ
り，レジスト塗布装置ユニット２０内及び現像処理装置
ユニット３０内に各装置を集約配置することが可能とな
っている。
【００３３】レジスト塗布装置ユニット２０には，第１
熱処理ユニット４０及び第３熱処理ユニット６０と対向
する面に，熱処理ユニット４０，５０，６０，７０で発
生した熱の伝わりを遮断する断熱パネル１４０が取り付
けられている。現像処理装置ユニット３０には，第２熱
処理ユニット５０及び第４熱処理ユニット７０と対向す
る面に，断熱パネル１５０が取り付けられている。断熱
パネル１４０には第１主搬送装置８０のピンセット８
７，８８に保持されたウェハＷが通過自在なウェハ搬入
出口１４１が，断熱パネル１５０には第２主搬送装置９
０のピンセット９７，９８に保持されたウェハＷが通過
自在なウェハ搬入出口１５１がそれぞれ設けられてい
る。
熱処理ユニット４０及び第３熱処理ユニット６０と対向
する面に，熱処理ユニット４０，５０，６０，７０で発
生した熱の伝わりを遮断する断熱パネル１４０が取り付
けられている。現像処理装置ユニット３０には，第２熱
処理ユニット５０及び第４熱処理ユニット７０と対向す
る面に，断熱パネル１５０が取り付けられている。断熱
パネル１４０には第１主搬送装置８０のピンセット８
７，８８に保持されたウェハＷが通過自在なウェハ搬入
出口１４１が，断熱パネル１５０には第２主搬送装置９
０のピンセット９７，９８に保持されたウェハＷが通過
自在なウェハ搬入出口１５１がそれぞれ設けられてい
る。
【００３４】第１主搬送装置８０は第１熱処理ユニット
４０及び第３熱処理ユニット６０に属する各種加熱装置
と，レジスト塗布装置ユニット２０に属する冷却装置１
２１，１２２，１２３及びウェハ載置台１２８との間で
ウェハＷを搬送し，第２主搬送装置９０は第２熱処理ユ
ニット５０及び第４熱処理ユニット７０に属する各種加
熱装置と，現像処理装置ユニット３０に属する冷却装置
１３１，１３２，１３３及びウェハ載置台１３８との間
でウェハＷを搬送するように構成されている。第１副搬
送装置１００はレジスト塗布装置２１，２２，２３，２
４と，冷却装置１２１，１２２，１２３及びウェハ載置
台１２８との間でウェハＷを搬送し，第２副搬送装置１
１０は現像処理装置３１，３２，３３，３４と，冷却装
置１３１，１３２，１３３及びウェハ載置台１３８との
間でウェハＷを搬送するように構成されている。以上の
ように，レジスト塗布装置ユニット２０，現像処理装置
ユニット３０，熱処理ユニット４０，５０，６０，７
０，主搬送装置８０，９０は全て処理ステーション３内
で集約配置されている。
４０及び第３熱処理ユニット６０に属する各種加熱装置
と，レジスト塗布装置ユニット２０に属する冷却装置１
２１，１２２，１２３及びウェハ載置台１２８との間で
ウェハＷを搬送し，第２主搬送装置９０は第２熱処理ユ
ニット５０及び第４熱処理ユニット７０に属する各種加
熱装置と，現像処理装置ユニット３０に属する冷却装置
１３１，１３２，１３３及びウェハ載置台１３８との間
でウェハＷを搬送するように構成されている。第１副搬
送装置１００はレジスト塗布装置２１，２２，２３，２
４と，冷却装置１２１，１２２，１２３及びウェハ載置
台１２８との間でウェハＷを搬送し，第２副搬送装置１
１０は現像処理装置３１，３２，３３，３４と，冷却装
置１３１，１３２，１３３及びウェハ載置台１３８との
間でウェハＷを搬送するように構成されている。以上の
ように，レジスト塗布装置ユニット２０，現像処理装置
ユニット３０，熱処理ユニット４０，５０，６０，７
０，主搬送装置８０，９０は全て処理ステーション３内
で集約配置されている。
【００３５】インターフェイス部５には，ウェハＷを搬
送するウェハ搬送体１６０が設けられており，ウェハ搬
送体１６０は搬送レール１６１に沿ったＸ方向の移動
と，Ｚ方向（垂直方向）の移動と，θ方向の回転とがい
ずれも自在である。ウェハ搬送体１６０は，露光装置４
と，第３熱処理ユニット６０に属するエクステンション
装置６２と，第４熱処理ユニット７０に属するエクステ
ンション装置７２と，ウェハＷの周縁部を露光する周辺
露光装置１６２との間でウェハＷを搬送することができ
るように構成されている。
送するウェハ搬送体１６０が設けられており，ウェハ搬
送体１６０は搬送レール１６１に沿ったＸ方向の移動
と，Ｚ方向（垂直方向）の移動と，θ方向の回転とがい
ずれも自在である。ウェハ搬送体１６０は，露光装置４
と，第３熱処理ユニット６０に属するエクステンション
装置６２と，第４熱処理ユニット７０に属するエクステ
ンション装置７２と，ウェハＷの周縁部を露光する周辺
露光装置１６２との間でウェハＷを搬送することができ
るように構成されている。
【００３６】次に塗布現像処理装置１の雰囲気の様子を
図９の断面を模式的に示した図に基づいて説明する。第
１主搬送装置８０と第２主搬送装置９０とが配置されて
いる主搬送領域１９９の天井部には，ダウンフローＤＦ
を形成すると共に，パーティクル等を除去するフィルタ
２００が配置されており，その下方位置には，前記ダウ
ンフローＤＦを排気回収するための排気機構２０１が設
けられている。この排気機構２０１には，排気機構２０
１によって排気回収されたダウンフローＤＦの温度及び
／又は湿度を所望の条件に設定し，フィルタ２００に対
して送出する温湿度調整装置２００が接続されている。
そしてフィルタ２００からの送風量と排気機構２０１に
よる排気量を調節することにより，主搬送領域１９９
は，所望の圧力ＰＡに設定される。
図９の断面を模式的に示した図に基づいて説明する。第
１主搬送装置８０と第２主搬送装置９０とが配置されて
いる主搬送領域１９９の天井部には，ダウンフローＤＦ
を形成すると共に，パーティクル等を除去するフィルタ
２００が配置されており，その下方位置には，前記ダウ
ンフローＤＦを排気回収するための排気機構２０１が設
けられている。この排気機構２０１には，排気機構２０
１によって排気回収されたダウンフローＤＦの温度及び
／又は湿度を所望の条件に設定し，フィルタ２００に対
して送出する温湿度調整装置２００が接続されている。
そしてフィルタ２００からの送風量と排気機構２０１に
よる排気量を調節することにより，主搬送領域１９９
は，所望の圧力ＰＡに設定される。
【００３７】レジスト塗布装置２１，２２と第１副搬送
装置１００及び冷却装置群１２０が配置されているレジ
スト塗布装置ユニット２０に属する領域，いわば塗布領
域の各々の天井部には，ダウンフローＤＦ1を形成する
と共に，パーティクル等を除去するフィルタ２０３，２
０４が各々配置されている。またその下方位置には，こ
れらフィルタ２０３，２０４からのダウンフローＤＦ1
を排気回収するための排気機構２０５，２０６が設けら
れている。これらの排気機構２０５，２０６は，排気機
構２０５，２０６によって排気回収されたダウンフロー
ＤＦ1の温度及び／又は湿度を所望の条件に設定し，各
々対応するフィルタ２０３，２０４に対して送出する温
湿度調整装置２０７が接続されている。そしてフィルタ
２０３，２０４からの送風量と排気機構２０５，２０６
による排気量を調節することにより，前記塗布領域の圧
力は，所望の圧力ＰＢに設定される。
装置１００及び冷却装置群１２０が配置されているレジ
スト塗布装置ユニット２０に属する領域，いわば塗布領
域の各々の天井部には，ダウンフローＤＦ1を形成する
と共に，パーティクル等を除去するフィルタ２０３，２
０４が各々配置されている。またその下方位置には，こ
れらフィルタ２０３，２０４からのダウンフローＤＦ1
を排気回収するための排気機構２０５，２０６が設けら
れている。これらの排気機構２０５，２０６は，排気機
構２０５，２０６によって排気回収されたダウンフロー
ＤＦ1の温度及び／又は湿度を所望の条件に設定し，各
々対応するフィルタ２０３，２０４に対して送出する温
湿度調整装置２０７が接続されている。そしてフィルタ
２０３，２０４からの送風量と排気機構２０５，２０６
による排気量を調節することにより，前記塗布領域の圧
力は，所望の圧力ＰＢに設定される。
【００３８】現像処理装置３１，３２と第２副搬送装置
１１０及び冷却装置群１３０が配置されている現像処理
装置ユニット３０に属する領域，いわば現像領域の各々
の天井部には，ダウンフローＤＦを形成すると共に，パ
ーティクル等を除去するフィルタ２０８，２０９が各々
配置されている。またその下方位置には，これらフィル
タ２０８，２０９からのダウンフローＤＦ2を排気回収
するための排気機構２１０，２１１が設けられている。
これらの排気機構２１０，２１１は，排気機構２１０，
２１１によって排気回収されたダウンフローＤＦ2の温
度及び／又は湿度を所望の条件に設定し，各々対応する
フィルタ２０８，２０９に対して送出する温湿度調整装
置２１２が接続されている。そしてフィルタ２０８，２
０９からの送風量と排気機構２１０，２１１による排気
量を調節することで，前記現像領域の圧力は，所望の圧
力ＰＣに設定される。
１１０及び冷却装置群１３０が配置されている現像処理
装置ユニット３０に属する領域，いわば現像領域の各々
の天井部には，ダウンフローＤＦを形成すると共に，パ
ーティクル等を除去するフィルタ２０８，２０９が各々
配置されている。またその下方位置には，これらフィル
タ２０８，２０９からのダウンフローＤＦ2を排気回収
するための排気機構２１０，２１１が設けられている。
これらの排気機構２１０，２１１は，排気機構２１０，
２１１によって排気回収されたダウンフローＤＦ2の温
度及び／又は湿度を所望の条件に設定し，各々対応する
フィルタ２０８，２０９に対して送出する温湿度調整装
置２１２が接続されている。そしてフィルタ２０８，２
０９からの送風量と排気機構２１０，２１１による排気
量を調節することで，前記現像領域の圧力は，所望の圧
力ＰＣに設定される。
【００３９】これらの領域，すなわち主搬送領域１９
９，塗布領域，現像領域の各々の圧力の関係としては，
塗布現像処理装置１の配置される雰囲気の圧力，例えば
クリーンルーム内等の圧力よりも，主搬送領域１９９，
塗布領域，現像領域の各々の圧力の方が高く設定されて
いる方が好ましい。これによって塗布現像処理装置１に
パーティクル，アルカリ成分等のアミン系等の有機物質
の侵入をより抑えることができ，基板の処理に悪影響が
及ぶのを抑制することが可能になる。
９，塗布領域，現像領域の各々の圧力の関係としては，
塗布現像処理装置１の配置される雰囲気の圧力，例えば
クリーンルーム内等の圧力よりも，主搬送領域１９９，
塗布領域，現像領域の各々の圧力の方が高く設定されて
いる方が好ましい。これによって塗布現像処理装置１に
パーティクル，アルカリ成分等のアミン系等の有機物質
の侵入をより抑えることができ，基板の処理に悪影響が
及ぶのを抑制することが可能になる。
【００４０】さらに主搬送領域１９９と，塗布領域，現
像領域との間の圧力の関係について説明すると，主搬送
領域１９９の圧力ＰＡよりも，塗布領域の圧力ＰＢ，現
像領域の圧力ＰＣの方が高く設定されていることが好ま
しい。これにより，主搬送領域１９９からの，パーティ
クル，アルカリ成分等のアミン系等の有機物質が，液処
理装置の処理領域である塗布領域，現像領域に侵入する
ことを防止することができ，基板の処理を好適に実施す
ることができる。
像領域との間の圧力の関係について説明すると，主搬送
領域１９９の圧力ＰＡよりも，塗布領域の圧力ＰＢ，現
像領域の圧力ＰＣの方が高く設定されていることが好ま
しい。これにより，主搬送領域１９９からの，パーティ
クル，アルカリ成分等のアミン系等の有機物質が，液処
理装置の処理領域である塗布領域，現像領域に侵入する
ことを防止することができ，基板の処理を好適に実施す
ることができる。
【００４１】またアルカリ成分等のアミン系等の有機物
質がもっとも問題となる現像領域のフィルタ２０８，２
０９には，ケミカル成分を除去する機構をさらに具備し
ている方が好ましく，各々の領域において所望の異なっ
た雰囲気に設定することが好ましい。
質がもっとも問題となる現像領域のフィルタ２０８，２
０９には，ケミカル成分を除去する機構をさらに具備し
ている方が好ましく，各々の領域において所望の異なっ
た雰囲気に設定することが好ましい。
【００４２】本実施の形態にかかる塗布現像処理装置１
は以上のように構成されており，まずカセットステーシ
ョン２においてウェハ搬送体１１がカセットＣにアクセ
スして未処理のウェハＷを１枚取り出す。次いで，ウェ
ハ搬送体１１がウェハ搬入口４７から第１熱処理ユニッ
ト４０内に進入し，ウェハＷを第１熱処理ユニット４０
のアライメント装置４２に搬入してウェハＷの位置合わ
せを行う。その後，ウェハ搬出口４８から進入した第１
主搬送装置８０のピンセット８８にウェハＷを保持させ
た状態で，第１熱処理ユニット４０に属するアドヒージ
ョン装置４１に搬入する。
は以上のように構成されており，まずカセットステーシ
ョン２においてウェハ搬送体１１がカセットＣにアクセ
スして未処理のウェハＷを１枚取り出す。次いで，ウェ
ハ搬送体１１がウェハ搬入口４７から第１熱処理ユニッ
ト４０内に進入し，ウェハＷを第１熱処理ユニット４０
のアライメント装置４２に搬入してウェハＷの位置合わ
せを行う。その後，ウェハ搬出口４８から進入した第１
主搬送装置８０のピンセット８８にウェハＷを保持させ
た状態で，第１熱処理ユニット４０に属するアドヒージ
ョン装置４１に搬入する。
【００４３】次いで，アドヒージョン処理終了後のウェ
ハＷを第１主搬送装置８０のピンセット８７に保持させ
た後，ウェハ搬入出口１４１から冷却装置群１２０に搬
送し，冷却装置１２１に搬入する。冷却装置１２１で冷
却処理が施されたウェハＷは，第１副搬送装置１００の
ピンセット１０８に保持された状態で，レジスト塗布装
置ユニット２０に属する例えばレジスト塗布装置２１に
搬入される。このレジスト塗布装置２１で所定のレジス
ト塗布が終了したウェハＷは，その後第１副搬送装置１
００のピンセット１０７に保持された状態で冷却装置群
１２０に搬送され，ウェハ載置台１２８に設けられた支
持ピン１２７上で待機する。
ハＷを第１主搬送装置８０のピンセット８７に保持させ
た後，ウェハ搬入出口１４１から冷却装置群１２０に搬
送し，冷却装置１２１に搬入する。冷却装置１２１で冷
却処理が施されたウェハＷは，第１副搬送装置１００の
ピンセット１０８に保持された状態で，レジスト塗布装
置ユニット２０に属する例えばレジスト塗布装置２１に
搬入される。このレジスト塗布装置２１で所定のレジス
ト塗布が終了したウェハＷは，その後第１副搬送装置１
００のピンセット１０７に保持された状態で冷却装置群
１２０に搬送され，ウェハ載置台１２８に設けられた支
持ピン１２７上で待機する。
【００４４】その後，ウェハＷは第１主搬送装置８０に
よってウェハ載置台１２８から第３熱処理ユニット６０
に搬送され，ピンセット８８によって第３熱処理ユニッ
ト６０に属するプリベーキング装置６３に搬入されて，
レジスト塗布後・露光処理前の加熱処理が行われる。か
かる加熱処理が終了したウェハＷは，同じ第３熱処理ユ
ニット６０に属するエクステンション装置６２に搬入さ
れ，その場で待機する。次いで，ウェハＷはウェハ搬出
口６８を通じて進入したウェハ搬送体１６０によって取
り出され，エクステンション装置６２から周辺露光装置
１６２に搬送される。周辺露光装置１６２で周辺部の不
要なレジスト膜が除去されたウェハＷは露光装置４に搬
送され，所定の露光処理が施される。
よってウェハ載置台１２８から第３熱処理ユニット６０
に搬送され，ピンセット８８によって第３熱処理ユニッ
ト６０に属するプリベーキング装置６３に搬入されて，
レジスト塗布後・露光処理前の加熱処理が行われる。か
かる加熱処理が終了したウェハＷは，同じ第３熱処理ユ
ニット６０に属するエクステンション装置６２に搬入さ
れ，その場で待機する。次いで，ウェハＷはウェハ搬出
口６８を通じて進入したウェハ搬送体１６０によって取
り出され，エクステンション装置６２から周辺露光装置
１６２に搬送される。周辺露光装置１６２で周辺部の不
要なレジスト膜が除去されたウェハＷは露光装置４に搬
送され，所定の露光処理が施される。
【００４５】露光処理が終了したウェハＷはウェハ搬送
体１６０に保持されて，今度は第４熱処理ユニット７０
のエクステンション装置７２にウェハ搬入口７７を通じ
て搬入される。次いで，ウェハＷは上記エクステンショ
ン装置７２から第２主搬送装置９０のピンセット９８に
よって搬出され，同じ第４熱処理ユニット７０に属する
ポストエクスポージャベーキング装置７５に搬入され
る。このポストエクスポージャベーキング装置７５にお
いて，ウェハＷに対する露光処理後の加熱処理が施され
る。
体１６０に保持されて，今度は第４熱処理ユニット７０
のエクステンション装置７２にウェハ搬入口７７を通じ
て搬入される。次いで，ウェハＷは上記エクステンショ
ン装置７２から第２主搬送装置９０のピンセット９８に
よって搬出され，同じ第４熱処理ユニット７０に属する
ポストエクスポージャベーキング装置７５に搬入され
る。このポストエクスポージャベーキング装置７５にお
いて，ウェハＷに対する露光処理後の加熱処理が施され
る。
【００４６】かかる加熱処理の終了したウェハＷは第２
主搬送装置９０のピンセット９８に保持された状態で，
ウェハ搬入出口１５１から現像処理装置ユニット３０内
の冷却装置群１３０に搬送されて，冷却装置１３１に搬
入される。冷却装置１３１で冷却されたウェハＷは第２
副搬送装置１１０のピンセット１１８で取り出され，現
像処理装置３１に搬入される。この現像処理装置３１で
所定の現像処理が終了したウェハＷは，第２副搬送装置
１１０のピンセット１１７に保持された状態で，ウェハ
載置台１３８の支持ピン１３７上で支持される。
主搬送装置９０のピンセット９８に保持された状態で，
ウェハ搬入出口１５１から現像処理装置ユニット３０内
の冷却装置群１３０に搬送されて，冷却装置１３１に搬
入される。冷却装置１３１で冷却されたウェハＷは第２
副搬送装置１１０のピンセット１１８で取り出され，現
像処理装置３１に搬入される。この現像処理装置３１で
所定の現像処理が終了したウェハＷは，第２副搬送装置
１１０のピンセット１１７に保持された状態で，ウェハ
載置台１３８の支持ピン１３７上で支持される。
【００４７】その後，ウェハＷは第２主搬送装置９０の
ピンセット９８に保持され，ウェハ載置台１３８からウ
ェハ搬入出口１５１を経て第２熱処理ユニット５０に属
するポストベーキング装置５５に搬入される。このポス
トベーキング装置５５で現像処理後の加熱処理が終了し
たウェハＷは，エクステンション装置５２に搬入され，
その場で待機する。
ピンセット９８に保持され，ウェハ載置台１３８からウ
ェハ搬入出口１５１を経て第２熱処理ユニット５０に属
するポストベーキング装置５５に搬入される。このポス
トベーキング装置５５で現像処理後の加熱処理が終了し
たウェハＷは，エクステンション装置５２に搬入され，
その場で待機する。
【００４８】その後，ウェハＷはウェハ搬出口５８より
進入したウェハ搬送体１１によってエクステンション装
置５２から取り出され，カセット載置台１０上のカセッ
トＣに収納される。こうして，ウェハＷに対する一連の
塗布現像処理工程を終了する。
進入したウェハ搬送体１１によってエクステンション装
置５２から取り出され，カセット載置台１０上のカセッ
トＣに収納される。こうして，ウェハＷに対する一連の
塗布現像処理工程を終了する。
【００４９】本実施の形態にかかる塗布現像処理装置１
では，レジスト塗布装置ユニット２０に取り付けられた
断熱パネル１４０により，熱処理ユニット４０，５０，
６０，７０に属する加熱装置で発生した熱がレジスト塗
布装置ユニット２０内のレジスト塗布装置２１，２２，
２３，２４に対して伝わらない。また，現像処理装置ユ
ニット３０に取り付けられた断熱パネル１５０により，
熱処理ユニット４０，５０，６０，７０に属する加熱装
置で発生した熱が現像処理装置ユニット３０内の現像処
理装置３１，３２，３３，３４に対して伝わらない。従
って，加熱装置が大型化して，これらの加熱装置から発
せられる熱が従来より多くなっても，ウェハＷの液処
理，即ちレジスト塗布処理や現像処理を好適な温度下で
行うことができる。その結果，ウェハＷに対して塗布さ
れたレジスト膜の膜厚変化を防止することが可能とな
る。
では，レジスト塗布装置ユニット２０に取り付けられた
断熱パネル１４０により，熱処理ユニット４０，５０，
６０，７０に属する加熱装置で発生した熱がレジスト塗
布装置ユニット２０内のレジスト塗布装置２１，２２，
２３，２４に対して伝わらない。また，現像処理装置ユ
ニット３０に取り付けられた断熱パネル１５０により，
熱処理ユニット４０，５０，６０，７０に属する加熱装
置で発生した熱が現像処理装置ユニット３０内の現像処
理装置３１，３２，３３，３４に対して伝わらない。従
って，加熱装置が大型化して，これらの加熱装置から発
せられる熱が従来より多くなっても，ウェハＷの液処
理，即ちレジスト塗布処理や現像処理を好適な温度下で
行うことができる。その結果，ウェハＷに対して塗布さ
れたレジスト膜の膜厚変化を防止することが可能とな
る。
【００５０】また，レジスト塗布装置ユニット２０内に
冷却装置１２１，１２２，１２３を備えたことにより，
レジスト塗布装置ユニット２０内の温度上昇を抑えるこ
とができる。従って，レジスト塗布装置２１，２２，２
３，２４ではウェハＷに対する好適な温度雰囲気下でレ
ジスト塗布処理を実施することができる。現像処理装置
ユニット３０に冷却装置１３１，１３２，１３３を備え
たことにより，現像処理装置ユニット３０内の温度上昇
を抑えることができる。従って，現像処理装置３１，３
２，３３，３４でもレジスト塗布装置ユニット２０の場
合と同様に，好適な温度雰囲気下でウェハＷに対する現
像処理を実施することができる。
冷却装置１２１，１２２，１２３を備えたことにより，
レジスト塗布装置ユニット２０内の温度上昇を抑えるこ
とができる。従って，レジスト塗布装置２１，２２，２
３，２４ではウェハＷに対する好適な温度雰囲気下でレ
ジスト塗布処理を実施することができる。現像処理装置
ユニット３０に冷却装置１３１，１３２，１３３を備え
たことにより，現像処理装置ユニット３０内の温度上昇
を抑えることができる。従って，現像処理装置３１，３
２，３３，３４でもレジスト塗布装置ユニット２０の場
合と同様に，好適な温度雰囲気下でウェハＷに対する現
像処理を実施することができる。
【００５１】レジスト塗布装置ユニット２０内でのウェ
ハＷの搬送は，加熱直後の高温のウェハＷを搬送するこ
とがない第１副搬送装置１００によって行われる。従っ
て，第１副搬送装置１００のピンセット１０７，１０８
が熱を帯びず，ウェハＷ上に形成されたレジスト膜に対
してピンセット１０７，１０８からの熱の影響が及ばな
い。その結果，レジスト塗布装置ユニット２０内では膜
厚が変化しない安定したウェハＷの搬送が可能となる。
ハＷの搬送は，加熱直後の高温のウェハＷを搬送するこ
とがない第１副搬送装置１００によって行われる。従っ
て，第１副搬送装置１００のピンセット１０７，１０８
が熱を帯びず，ウェハＷ上に形成されたレジスト膜に対
してピンセット１０７，１０８からの熱の影響が及ばな
い。その結果，レジスト塗布装置ユニット２０内では膜
厚が変化しない安定したウェハＷの搬送が可能となる。
【００５２】レジスト塗布装置ユニット２０内にレジス
ト塗布装置２１，２２，２３，２４と，第１副搬送装置
１００と，冷却装置１２１，１２２，１２３とを集約配
置することができるため，第１副搬送装置１００のウェ
ハＷ搬送行程が短縮化し，迅速なウェハＷの搬送が可能
となる。現像処理装置ユニット３０内でも同様に，第２
副搬送装置１１０のウェハＷの搬送行程が短縮化し，迅
速なウェハＷの搬送が可能となる。その結果，ウェハＷ
の処理枚数の向上を図ることができる。
ト塗布装置２１，２２，２３，２４と，第１副搬送装置
１００と，冷却装置１２１，１２２，１２３とを集約配
置することができるため，第１副搬送装置１００のウェ
ハＷ搬送行程が短縮化し，迅速なウェハＷの搬送が可能
となる。現像処理装置ユニット３０内でも同様に，第２
副搬送装置１１０のウェハＷの搬送行程が短縮化し，迅
速なウェハＷの搬送が可能となる。その結果，ウェハＷ
の処理枚数の向上を図ることができる。
【００５３】また，処理ステーション３内ではレジスト
塗布装置ユニット２０と，現像処理装置ユニット３０
と，熱処理ユニット４０，５０，６０，７０とが集約的
に配置されており，しかもレジスト塗布装置ユニット２
０内及び現像処理装置ユニット３０内では上述したよう
に各装置が集約配置されている。従って，塗布現像処理
装置１全体の小型化を図ることが可能である。熱処理ユ
ニット４０，５０，６０，７０に属する各種加熱装置に
はウェハ搬入口とウェハ搬出口とを別個に備えたことに
より，主搬送装置８０，９０によるウェハＷの搬入出を
効率よく行うことができるようになる。
塗布装置ユニット２０と，現像処理装置ユニット３０
と，熱処理ユニット４０，５０，６０，７０とが集約的
に配置されており，しかもレジスト塗布装置ユニット２
０内及び現像処理装置ユニット３０内では上述したよう
に各装置が集約配置されている。従って，塗布現像処理
装置１全体の小型化を図ることが可能である。熱処理ユ
ニット４０，５０，６０，７０に属する各種加熱装置に
はウェハ搬入口とウェハ搬出口とを別個に備えたことに
より，主搬送装置８０，９０によるウェハＷの搬入出を
効率よく行うことができるようになる。
【００５４】なお上記実施の形態では，第１熱処理ユニ
ット４０及び第３熱処理ユニット６０と対向するレジス
ト塗布装置ユニット２０の面に断熱パネル１４０を取り
付けた例を挙げて説明したが，本発明ではこれに限ら
ず，断熱パネル１４０をレジスト塗布装置ユニット２０
の全周を囲むように取り付けてもよい。現像処理装置ユ
ニット３０の場合も同様に，断熱パネル１５０を現像処
理装置ユニット３０の全周を囲むように取り付けてもよ
い。
ット４０及び第３熱処理ユニット６０と対向するレジス
ト塗布装置ユニット２０の面に断熱パネル１４０を取り
付けた例を挙げて説明したが，本発明ではこれに限ら
ず，断熱パネル１４０をレジスト塗布装置ユニット２０
の全周を囲むように取り付けてもよい。現像処理装置ユ
ニット３０の場合も同様に，断熱パネル１５０を現像処
理装置ユニット３０の全周を囲むように取り付けてもよ
い。
【００５５】また，冷却装置１２３，１３３を単なるウ
ェハ載置台として使用してもよい。さらに使用する基板
もウェハＷに限らず，例えばＬＣＤ基板等であってもよ
い。
ェハ載置台として使用してもよい。さらに使用する基板
もウェハＷに限らず，例えばＬＣＤ基板等であってもよ
い。
【００５６】
【発明の効果】請求項１〜５に記載の発明では，熱遮断
部材により，加熱装置で発生する熱が液処理ユニット内
に伝わらない。従って，各ユニットに属する液処理装置
内の温度上昇を防ぐことができ，熱による処理液の膜厚
変化を防止して好適な液処理を実施することができる。
冷却装置によって液処理ユニット内雰囲気の温度上昇が
抑えられると共に，液処理ユニット内では加熱直後の高
温の基板を搬送しない副搬送装置で基板が搬送される。
従って，熱による膜厚変化のない安定した基板の搬送が
可能となる。
部材により，加熱装置で発生する熱が液処理ユニット内
に伝わらない。従って，各ユニットに属する液処理装置
内の温度上昇を防ぐことができ，熱による処理液の膜厚
変化を防止して好適な液処理を実施することができる。
冷却装置によって液処理ユニット内雰囲気の温度上昇が
抑えられると共に，液処理ユニット内では加熱直後の高
温の基板を搬送しない副搬送装置で基板が搬送される。
従って，熱による膜厚変化のない安定した基板の搬送が
可能となる。
【００５７】特に請求項２〜５に記載の発明では，請求
項１よりも液処理装置や加熱装置を多く配置することに
より，基板の処理枚数が増加する。また，請求項１より
も装置を集約配置することにより，装置全体の小型化を
図ることができる。
項１よりも液処理装置や加熱装置を多く配置することに
より，基板の処理枚数が増加する。また，請求項１より
も装置を集約配置することにより，装置全体の小型化を
図ることができる。
【００５８】また請求項６〜８のように，雰囲気を異な
ったものとすれば，各処理の内容に応じた適切な雰囲気
制御を実施して，効率よく好適な処理を実現することが
可能である。そして請求項９〜１１のように，圧力につ
いても異なったものとすれば，高い圧力領域にパーティ
クル等が侵入することを防止できる。
ったものとすれば，各処理の内容に応じた適切な雰囲気
制御を実施して，効率よく好適な処理を実現することが
可能である。そして請求項９〜１１のように，圧力につ
いても異なったものとすれば，高い圧力領域にパーティ
クル等が侵入することを防止できる。
【００５９】そして請求項１２〜１４によれば，量的に
基板の処理能力が向上し，特に請求項１３，１４の場合
には，床専有面積を増大させることなく，かかる向上を
実現させることが可能である。また請求項１５〜１６に
よれば，基板を収納したカセットと処理装置との間の基
板の搬送が円滑に行える。この場合特に請求項１６の構
成によれば，専用の搬入出機構が不要である。
基板の処理能力が向上し，特に請求項１３，１４の場合
には，床専有面積を増大させることなく，かかる向上を
実現させることが可能である。また請求項１５〜１６に
よれば，基板を収納したカセットと処理装置との間の基
板の搬送が円滑に行える。この場合特に請求項１６の構
成によれば，専用の搬入出機構が不要である。
【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理装置
の平面図である。
の平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置をカセットステーショ
ン側から見た側面図である。
ン側から見た側面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置をインターフェイス部
側から見た側面図である。
側から見た側面図である。
【図４】図１の塗布現像処理装置に具備された第１主搬
送装置の斜視図である。
送装置の斜視図である。
【図５】図１の塗布現像処理装置に具備された第１副搬
送装置の斜視図である。
送装置の斜視図である。
【図６】図１の塗布現像処理装置に具備された冷却装置
群の説明図である。
群の説明図である。
【図７】図１の塗布現像処理装置に具備されたレジスト
塗布装置ユニットの説明図である。
塗布装置ユニットの説明図である。
【図８】図１の塗布現像処理装置に具備された現像処理
装置ユニットの説明図である。
装置ユニットの説明図である。
【図９】図１の塗布現像処理装置内の雰囲気の様子を示
す説明図である。
す説明図である。
１ 塗布現像処理装置
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
５ インターフェイス部
２０ レジスト塗布装置ユニット
３０ 現像処理装置ユニット
４０ 第１熱処理ユニット
５０ 第２熱処理ユニット
６０ 第３熱処理ユニット
７０ 第４熱処理ユニット
８０ 第１主搬送装置
９０ 第２主搬送装置
１００ 第１副搬送装置
１１０ 第２副搬送装置
１２０，１３０ 冷却装置群
１４０，１５０ 断熱パネル
Ｃ カセット
Ｗ ウェハ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ
５６９Ｃ
(56)参考文献 特開 平４−239720（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−255824（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−141179（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−189420（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−267839（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−85812（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−333358（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−201724（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/16 502
G03F 7/30 502
H01L 21/68
B05C 11/08
Claims (16)
- 【請求項１】 基板に処理液を供給して処理を行う液処
理装置と，基板を所定温度に加熱する加熱装置と，基板
を所定温度に冷却する冷却装置とを備えた処理装置であ
って，前記液処理装置と冷却装置とで液処理ユニットが
構成され，さらに加熱装置と前記液処理ユニットに属す
る冷却装置との間で基板を搬送する主搬送装置と，前記
液処理ユニットに設けられ，当該ユニット内の液処理装
置と冷却装置との間で基板を搬送する副搬送装置とを備
え，少なくとも加熱装置に面した部分を囲む熱遮断部材
が前記液処理ユニットに設けられたことを特徴とする，
処理装置。 - 【請求項２】 基板に処理液を供給して処理を行う液処
理装置と，基板を所定温度に冷却する冷却装置と，液処
理装置及び冷却装置の間で基板を搬送する副搬送装置と
を有する第１の液処理ユニット及び第２の液処理ユニッ
トと，基板を所定温度に加熱する加熱装置とを備え，前
記第１の液処理ユニットと第２の液処理ユニットとが対
向配置され，少なくとも第１または第２の液処理ユニッ
トに属する冷却装置と前記加熱装置との間で基板を搬送
する主搬送装置が，前記第１の液処理ユニットと第２の
液処理ユニットとの間に配置され，少なくとも加熱装置
に面した部分を囲む熱遮断部材が前記各液処理ユニット
に設けられたことを特徴とする，処理装置。 - 【請求項３】 前記加熱装置は，主搬送装置の両側であ
って，かつ第１の液処理ユニットと第２の液処理ユニッ
トとの間に配置されたことを特徴とする，請求項２に記
載の処理装置。 - 【請求項４】 基板に処理液を供給して処理を行う２つ
の液処理装置と，基板を所定温度に冷却する冷却装置
と，液処理装置及び冷却装置との間で基板を搬送する副
搬送装置とを有する第１の液処理ユニット及び第２の液
処理ユニットと，基板を所定温度に加熱する加熱装置を
備え，前記各液処理ユニット内においては，冷却装置と
副搬送装置の両側に液処理装置が配置され，前記第１の
液処理ユニットと第２の液処理ユニットとが，各ユニッ
トに属する冷却装置が向き合うように，対向配置され，
第１の液処理ユニットに属する冷却装置と加熱装置との
間で基板を搬送する第１の主搬送装置と，第２の液処理
ユニットに属する冷却装置と加熱装置との間で基板を搬
送する第２の主搬送装置とが，前記第１の液処理ユニッ
トと第２の液処理ユニットとの間に，これらユニットの
対向方向に沿って配置され，少なくとも加熱装置に面し
た部分を囲む熱遮断部材が前記各液処理ユニットに設け
られたことを特徴とする，処理装置。 - 【請求項５】 第１の主搬送装置と，第２の主搬送装置
の各両側，かつ第１の液処理ユニットと第２の液処理ユ
ニットとの間に，各々加熱装置が配置されたことを特徴
とする，請求項４に記載の処理装置。 - 【請求項６】 前記液処理ユニット内の雰囲気と，前記
主搬送装置の配置される雰囲気とは異なっていることを
特徴とする，請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項７】 前記第１の液処理ユニット及び，第２の
液処理ユニット内の雰囲気と，前記主搬送装置の配置さ
れる雰囲気とは異なっていることを特徴とする，請求項
２又は３に記載の処理装置。 - 【請求項８】 前記第１の液処理ユニット及び第２の液
処理ユニット内の雰囲気と，前記第１の主搬送装置及び
第２の主搬送装置の配置される雰囲気とは異なっている
ことを特徴とする，請求項４又は５に記載の処理装置。 - 【請求項９】 前記液処理ユニット内の圧力は，前記主
搬送装置の配置される雰囲気の圧力よりも高く設定され
ていることを特徴とする，請求項１又は６に記載の処理
装置。 - 【請求項１０】 前記第１の液処理ユニット及び第２の
液処理ユニット内の圧力は，前記主搬送装置の配置され
る雰囲気の圧力よりも高く設定されていることを特徴と
する，請求項２，３又は７に記載の処理装置。 - 【請求項１１】 前記第１の液処理ユニット及び第２の
液処理ユニット内の圧力は，前記第１の主搬送装置及び
第２の主搬送装置の配置される雰囲気の圧力よりも高く
設定されていることを特徴とする，請求項４，５又は８
に記載の処理装置。 - 【請求項１２】 液処理ユニットの液処理装置と冷却装
置は，各々複数具備されていることを特徴とする，請求
項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０又は１１
のいずれかに記載の処理装置。 - 【請求項１３】 冷却装置は，垂直方向に複数積み重ね
られていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，
５，６，７，８，９，１０，１１又は１２のいずれかに
記載の処理装置。 - 【請求項１４】 加熱装置は，垂直方向に複数積み重ね
られていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，
５，６，７，８，９，１０，１１，１２又は１３のいず
れかに記載の処理装置。 - 【請求項１５】 前記基板を複数収納可能なカセットを
複数載置可能なカセットステーションと，前記カセット
ステーション上のカセットに対して前記基板を搬入出す
る搬入出機構を備えていることを特徴とする，請求項
１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１
２，１３又は１４のいずれかに記載の処理装置。 - 【請求項１６】 前記搬入出機構は，カセットから搬出
した基板を前記加熱装置に搬送可能であることを特徴と
する，請求項１５に記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22023199A JP3441681B2 (ja) | 1998-08-14 | 1999-08-03 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-244422 | 1998-08-14 | ||
| JP24442298 | 1998-08-14 | ||
| JP22023199A JP3441681B2 (ja) | 1998-08-14 | 1999-08-03 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124129A JP2000124129A (ja) | 2000-04-28 |
| JP3441681B2 true JP3441681B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=26523598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22023199A Expired - Fee Related JP3441681B2 (ja) | 1998-08-14 | 1999-08-03 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
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