JP2001168167A - 処理システム及び処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各処理装置への基板の搬入出や各処理装置間
での基板の搬送を効率よく行い，処理時間の短縮化を図
る。 【解決手段】 垂直方向に基板Ｗを搬送する垂直搬送装
置７と，垂直搬送装置７の周りにおいて円周方向に基板
Ｗを搬送する円周搬送装置１０，１１，１２，１３を備
え，基板Ｗに対して所定の処理を施すための処理装置２
０，２１，２２，２３が円周搬送装置１０，１１，１
２，１３によって搬送される円周方向に沿って配置され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，例えば半導体ウェ
ハやＬＣＤ基板の如き基板を処理する処理システム及び
処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるリソ
グラフィ技術では，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と
いう。）等の基板の表面にレジスト液を塗布してレジス
ト膜を形成し，所定のパターンを露光した後に，現像液
を供給して現像処理している。そして，このような一連
の塗布現像処理には，従来から処理システムが使用され
ている。処理システムには，例えばウェハとレジスト液
との定着性を向上させるアドヒージョン装置，レジスト
液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理装
置，ウェハを加熱して処理するベーキング装置，露光後
のウェハを現像処理する現像処理装置などといった各種
の処理装置が設けられており，これらの各処理装置間に
おけるウェハの搬送は，従来から搬送装置により行われ
ている。

【０００３】ここで図５に基づいて従来の搬送装置の概
略的な構成について説明すると，搬送装置１００には例
えばウェハＷを保持可能な２本のピンセット１０１，１
０２を上下に有する搬送基台１０３と，搬送基台１０３
をＺ方向に昇降させかつθ方向に回転させる昇降回転機
構１０４とが備えられている。そして，ピンセット１０
１，１０２は搬送基台１０３に内蔵された適宜の駆動機
構（図示せず）によって往復矢印Ａで示す方向に進退自
在となっている。これにより，ピンセット１０１，１０
２に保持されたウェハＷは，昇降回転機構１０４によっ
てＺ方向に昇降したり，昇降回転機構１０４の昇降軸１
０５を中心としてθ方向に回転したり，ピンセット１０
１，１０２の各々の進退移動によって各種処理装置１０
６に搬入出されたりすることができるようになってい
る。即ち，処理システムにおいて配置の異なる各種処理
装置１０６に対して，搬送装置１００によってウェハＷ
の搬送及び搬入出ができるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来で
は，各種処理装置１０６間でのウェハＷの搬送と，各種
処理装置１０６に対するウェハＷの搬入出とを１台の搬
送装置１００で行っていたので，各種処理装置１０６間
でのウェハＷの搬送と，各種処理装置１０６に対するウ
ェハＷの搬入出とを同時に進行することができず，ウェ
ハＷの塗布現像処理に必要な時間の短縮化を図ることが
困難であった。また，搬送基台１０３の昇降と回転およ
びウェハＷを保持するピンセット１０１，１０２の進退
移動を１台の搬送装置１００で行うのでは，搬送装置１
００の負担が大きくなってしまい，例えばウェハＷの搬
送に遅れが生じる等の弊害が起きるおそれが生じる。ま
た例えば，ウェハを露光装置にて露光する際には，ウェ
ハを一旦載置台に載置させた後，このウェハを載置台か
ら露光装置まで搬送する専用の搬送装置に受け渡す必要
があるが，搬送装置の搬送に遅れが生じる等してウェハ
が載置台にまだ残っているような状態で次のウェハが載
置台に搬送されてきた場合には，ピンセットは当該次の
ウェハを載置台に受け渡すことができなくなり，ウェハ
の搬送がますます遅れてしまうことがあった。

【０００５】本発明の目的は，各処理装置への基板の搬
入出や各処理装置間での基板の搬送を効率よく行うこと
ができ，処理時間の短縮化を図ることが可能な処理シス
テム及び方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１によれば，垂直方向に基板を搬送する垂直
搬送装置と，垂直搬送装置の周りにおいて円周方向に基
板を搬送する円周搬送装置を備え，基板に対して所定の
処理を施すための処理装置が前記円周搬送装置によって
搬送される円周方向に沿って配置されていることを特徴
とする処理システムが提供される。

【０００７】この請求項１の処理システムにあっては，
垂直搬送装置により基板を垂直方向に搬送し，円周搬送
装置により基板を円周方向に搬送する。そして，円周搬
送装置によって搬送される円周方向に沿って配置されて
いる処理装置にて，基板に対して所定の処理を施す。こ
の請求項１の処理システムによれば，例えば垂直搬送装
置によって基板を垂直方向に搬送しながら，同時に円周
搬送装置によって基板を円周方向に搬送して，処理装置
に対して基板を搬入出することも可能である。

【０００８】この請求項１の処理システムにおいて，請
求項２に記載したように，前記円周搬送装置によって搬
送される円周方向に沿って複数の処理装置が配置されて
いても良い。その場合，垂直搬送装置により垂直方向に
搬送された基板を，円周搬送装置により円周方向に搬送
し，複数の処理装置に対して選択的に搬入出しても良
い。また複数の処理装置間で，円周搬送装置によって基
板を搬送することも可能である。

【０００９】また請求項３に記載したように，前記垂直
搬送装置と前記円周搬送装置との間で受け渡される基板
を載置させる載置台を備えていても良い。そうすれば，
垂直搬送装置と円周搬送装置との間で載置台を介して基
板を受け渡すことができる。

【００１０】また請求項４に記載したように，前記円周
搬送装置が多段に配置されていても良い。そうすれば，
多段に設けられた各段の円周搬送装置の間では，垂直搬
送装置により垂直方向に基板を搬送し，各段の円周搬送
装置により，それぞれの高さにおいて基板を円周方向に
搬送することができる。

【００１１】また請求項５に記載したように，上段の円
周搬送装置によって搬送される円周方向に沿って配置さ
れた処理装置の処理温度が，下段の円周搬送装置によっ
て搬送される円周方向に沿って配置された処理装置の処
理温度よりも高くなっていても良い。そうすれば，処理
温度の高い処理装置は処理温度の低い処理装置よりも上
方に配置されているので，処理温度の高い処理装置から
発せられた熱が下段の処理温度の低い処理装置に伝わる
ことを効果的に抑制することができる。

【００１２】請求項６によれば，垂直方向に基板を搬送
する工程と，該垂直方向の周りにおいて円周方向に基板
を搬送する工程と，該円周方向に沿って配置された処理
装置で基板を処理する工程を有することを特徴とする処
理方法が提供される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態について説明する。この実施の
形態は，基板の一例としてのウェハＷを処理する処理シ
ステム１として具現化されており，図１は処理システム
１の概略的な平面図であり，図２は処理システム１の縦
断面の説明図である。

【００１４】処理システム１は，例えば２５枚のウェハ
Ｗを収納可能なカセットＣを所定位置に載置自在なカセ
ットステーション２と，ウェハＷを処理する各種の処理
装置を複数ずつ多段に配置した各処理装置群３，４，
５，６と，ウェハＷを垂直方向に搬送する垂直搬送装置
７と，この垂直搬送装置７の周りにおいて各処理装置群
３，４，５，６との間でウェハＷを搬送する円周搬送装
置１０，１１，１２，１３を多段（この形態では４段）
を備え，各円周搬送装置１０，１１，１２，１３が設け
られているそれぞれの高さには，ウェハＷを載置自在な
載置台１５，１６，１７，１８がそれぞれ設けられてい
る（なお図２では，各段の載置台１５，１６，１７，１
８を同じ位置に示したが，実際には各段の載置台１５，
１６，１７，１８は，図１に示されるように，平面視で
異なる位置に配置されている）。

【００１５】各処理装置群３，４，５，６は，垂直搬送
装置７の周りに円周上にそれぞれ配置されており，各処
理装置群３，４，５，６はそれぞれ異なる高さに多段に
配置されている。処理装置群３が最も上方で，その下方
に処理装置群４，処理装置群５，処理装置群６の順番で
上下に４段に配置されている。一番上の処理装置群３は
ウェハＷの加熱処理等が可能な各種の熱処理装置２０を
備え，各熱処理装置２０はいずれも同じ高さに円周上に
配置されている。これら各種の熱処理装置２０は，例え
ばウェハＷを疎水化処理するアドヒージョン装置，レジ
スト塗布後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装
置，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクス
ポージャーベーキング装置，現像処理後のウェハＷを加
熱処理するポストベーキング装置などであり，その他，
例えばアライメント装置，ウェハＷを所定温度まで冷却
処理するクーリング装置，ウェハＷを待機させるエクス
テンション装置なども備えている。また，これら各種の
熱処理装置２０と同じ高さで同一円周上に，前述のカセ
ットステーション２も配置されている。

【００１６】上から２番目の処理装置群４はウェハＷの
表面に現像液を供給して現像処理する複数の現像処理装
置２１を備え，先に説明した熱処理装置２０と同様に，
複数の各現像処理装置２１はいずれも同じ高さに円周上
に配置されている。上から３番目の処理装置群５はウェ
ハＷの表面にレジスト膜を形成する複数のレジスト塗布
処理装置２２を備え，先に説明した熱処理装置２０と同
様に，複数の各レジスト塗布処理装置２２もいずれも同
じ高さに円周上に配置されている。最も下の処理装置群
６はウェハＷの表面に反射防止膜を形成する複数の反射
防止膜形成装置２３を備え，先に説明した熱処理装置２
０と同様に，複数の各反射防止膜形成装置２３もいずれ
も同じ高さに円周上に配置されている。これら処理装置
群４の現像処理装置２１，処理装置群５のレジスト塗布
処理装置２２，処理装置群６の反射防止膜形成装置２３
は，いわゆるスピンナ型処理装置としていずれも基本的
に同様の構成を有している。ここで，現像処理装置２１
の構成について説明すれば，現像処理装置２１にはウェ
ハＷを収容するカップ２５と，カップ２５に収容された
ウェハＷを吸着保持して回転させるスピンチャック２６
が備えられている。これと同様に，レジスト塗布処理装
置２２にはカップ２７とスピンチャック２８が，反射防
止膜形成装置２３にはカップ２９とスピンチャック３０
が夫々備えられている。

【００１７】次に，処理システム１のほぼ中央に配置さ
れた垂直搬送装置７について説明する。図３に示すよう
に，昇降回転機構３５の駆動により中心鉛直軸Ｚに沿っ
て昇降自在で，かつ中心鉛直軸Ｚを中心に回転自在に設
けられた昇降回転部材３６と，昇降回転機構３７の駆動
により中心鉛直軸Ｚに沿って昇降自在で，かつ中心鉛直
軸Ｚを中心に回転自在に設けられた昇降回転部材３８を
備えている。昇降回転部材３６にはウェハＷを水平に保
持可能な保持部材としてのピンセット４０が取り付けら
れ，回転昇降部材３８にもウェハＷを水平に保持可能な
保持部材としてのピンセット４１が取り付けられてお
り，ピンセット４０は昇降回転部材３６の回転により，
ピンセット４１は回転昇降部材３８の回転によりそれぞ
れ中心鉛直軸Ｚを中心にして旋回移動できるようになっ
ている。そして前述の昇降回転機構３５，３６の駆動に
より，これらピンセット４０，４１に保持したウェハＷ
を適宜中心鉛直軸Ｚに沿って昇降させ，中心鉛直軸Ｚを
中心に旋回移動させることにより，前述の各載置台１
５，１６，１７，１８間でウェハＷを搬送し，各載置台
１５，１６，１７，１８に対してウェハＷを授受するよ
うに構成されている。また各載置台１５，１６，１７，
１８の上面には，このようにピンセット４０，４１から
受け取ったウェハＷの裏面を浮かせて支持するための支
持ピン４５，４６，４７，４８が夫々設けられている。

【００１８】次に垂直搬送装置７の周りには，前述の中
心鉛直軸Ｚを中心とする円周方向にウェハＷを搬送する
各円周搬送装置１０，１１，１２，１３が多段に設けら
れている。一番上の円周搬送装置１０は，先に説明した
処理装置群３と同じ高さに配置されている。上から２番
目の円周搬送装置１１は，先に説明した処理装置群４と
同じ高さに配置されている。上から３番目の円周搬送装
置１２は，先に説明した処理装置群５と同じ高さに配置
されている。最も下の円周搬送装置１３は，先に説明し
た処理装置群６と同じ高さに配置されている。

【００１９】これら各円周搬送装置１０，１１，１２，
１３はいずれも同様の構成を有するので，代表して一番
上の円周搬送装置１０について説明する。処理装置群３
を構成している各熱処理装置２０及びカセットステーシ
ョン２等とほぼ同じ高さに設けられたテーブル５０の上
には，前述の中心鉛直軸Ｚを中心とする円周方向に延設
されたレール５０ａが配置されている。このレール５０
ａに沿って移動可能な走行基台５１を備えており，図４
に示すように，この走行基台５１には軸５２上に支持さ
れたプレート５３が取り付けられている。プレート５３
上には，ウェハＷを保持可能なピンセット５６が上下二
段に装着されており，これら各ピンセット５６は，いず
れもプレート５３上において水平方向に進退するように
構成されている。プレート５３には，各ピンセット５６
を進退移動させる駆動機構等が収納されており，またプ
レート５３は，走行基台５１に対して回転駆動されるよ
うになっている。

【００２０】また円周搬送装置１０の内側には，テーブ
ル５０に支持されたブラケット６０を介して前述の載置
台１５（一番上の載置台１５）が配置されている。そし
て円周搬送装置１０にあっては，走行基台５１がレール
５０ａに沿って中心鉛直軸Ｚを中心とする円周方向に移
動することにより，一番上の処理装置群３を構成してい
る各熱処理装置２０及びカセットステーション２等と載
置台１５の前にプレート５３がそれぞれ移動できるよう
になっている。また，そのように走行基台５１を各熱処
理装置２０及びカセットステーション２等と載置台１５
の前にそれぞれ移動させた状態で，プレート５３が適宜
回転し，ピンセット５６が進退移動することにより，各
熱処理装置２０及びカセットステーション２等とピンセ
ット５６との間でウェハＷを授受すると共に，載置台１
５とピンセット５６との間でウェハＷを授受するように
なっている。更にピンセット５６にウェハＷを保持した
状態で，走行基台５１がレール５０ａに沿って中心鉛直
軸Ｚを中心とする円周方向に移動することにより，各熱
処理装置２０及びカセットステーション２等と載置台１
５の前にプレート５３との間でウェハＷを搬送すること
が可能である。

【００２１】なお代表して一番上の円周搬送装置１０に
ついて説明したが，その他の円周搬送装置１１，１２，
１３も，円周搬送装置１０と同様の構成を備えている。
即ち，上から２番目の円周搬送装置１１は，上から２番
目の処理装置群４を構成している各現像処理装置２１と
載置台１６との間でウェハＷを授受すると共に，各現像
処理装置２１と載置台１６との間でウェハＷを搬送する
ことが可能である。同様に，上から３番目の円周搬送装
置１２は，上から３番目の処理装置群５を構成している
各レジスト塗布処理装置２２と載置台１７との間でウェ
ハＷを授受すると共に，各レジスト塗布処理装置２２と
載置台１７との間でウェハＷを搬送することが可能であ
る。同様に，最も下の円周搬送装置１３は，最も下の処
理装置群６を構成している各反射防止膜形成装置２３と
載置台１８との間でウェハＷを授受すると共に，各反射
防止膜形成装置２３と載置台１８との間でウェハＷを搬
送することが可能である。

【００２２】さて，以上のように構成された本実施の形
態にかかる処理システム１において，カセットステーシ
ョン２に未処理のウェハＷを収納したカセットＣが載置
されると，一番上の円周搬送装置１０のピンセット５６
が進退することにより，カセットステーション２に載置
されたカセットＣからウェハＷが１枚抜き取られて，ピ
ンセット５６に保持される。次いで走行基台５１がレー
ル５０ａに沿って中心鉛直軸Ｚを中心とする円周方向に
移動することによりウェハＷは搬送され，アライメント
装置などによって適宜アライメントされた後，ウェハＷ
は一番上の処理装置群３を構成している例えばアドヒー
ジョン装置などの熱処理装置２０の前に搬送される。そ
してピンセット５６が進退することにより，ウェハＷは
熱処理装置２０に搬入される。その後，熱処理装置２０
にてウェハＷに対して例えば疎水化処理が施される。

【００２３】疎水化処理の終了後，再びウェハＷは円周
搬送装置１０のピンセット５６によって熱処理装置２０
から搬出される。そして，ピンセット６４に保持された
状態でウェハＷは搬送され，適宜冷却処理された後，ウ
ェハＷは載置台１５に受け渡される。

【００２４】次に，垂直搬送装置７においてピンセット
４０もしくは４１により載置台１５上からウェハＷが搬
出され，昇降回転機構３５もしくは３６の駆動により，
ウェハＷは下方に搬送され，最も下の載置台１８上にウ
ェハＷが受け渡される。次いで，最も下の円周搬送装置
１３のピンセット５６が進退することにより，載置台１
８上に載置されていたウェハＷはピンセット５６に保持
されて，処理装置群６を構成している反射防止膜形成装
置２３の前に搬送される。そしてピンセット５６が進退
することにより，ウェハＷは反射防止膜形成装置２３に
搬入される。その後，反射防止膜形成装置２３にてウェ
ハＷの表面に反射防止膜が形成される。

【００２５】次に，再びウェハＷは円周搬送装置１３の
ピンセット５６によって反射防止膜形成装置２３から搬
出される。そして，ピンセット６４に保持された状態で
搬送されて，ウェハＷはピンセット６４から載置台１８
に再び受け渡される。

【００２６】次に，垂直搬送装置７においてピンセット
４０もしくは４１により載置台１８上からウェハＷが搬
出され，昇降回転機構３５もしくは３６の駆動により，
ウェハＷは上方に搬送され，下から２番目の載置台１７
上にウェハＷが受け渡される。次いで，下から２番目の
円周搬送装置１２のピンセット５６が進退することによ
り，載置台１７上に載置されていたウェハＷはピンセッ
ト５６に保持されて，処理装置群５を構成しているレジ
スト塗布処理装置２２の前に搬送される。そしてピンセ
ット５６が進退することにより，ウェハＷはレジスト塗
布処理装置２２に搬入される。その後，レジスト塗布処
理装置２２にてウェハＷの表面にレジストが塗布され
る。こうして，反射防止膜の上にさらに所定の厚さのレ
ジスト膜が形成される。

【００２７】次に，再びウェハＷは円周搬送装置１２の
ピンセット５６によってレジスト塗布処理装置２２から
搬出される。そして，ピンセット６４に保持された状態
で搬送されて，ウェハＷはピンセット６４から載置台１
７に再び受け渡される。

【００２８】次に，垂直搬送装置７においてピンセット
４０もしくは４１により載置台１７上からウェハＷが搬
出され，昇降回転機構３５もしくは３６の駆動により，
ウェハＷは上方に搬送され，最も上の載置台１５上にウ
ェハＷが受け渡される。次いで，最も上の円周搬送装置
１０のピンセット５６が進退することにより，載置台１
５上に載置されていたウェハＷはピンセット５６に保持
されて，処理装置群３を構成している例えばプリベーキ
ング装置などの熱処理装置２０に搬入される。そして，
熱処理装置２０にてウェハＷに対して所定温度でプリベ
ーキング処理が施された後，再びウェハＷは円周搬送装
置１０のピンセット５６によって熱処理装置２０から搬
出され，適宜冷却処理された後，図示しないエクステン
ション装置に搬送される。そして，ウェハＷはエクステ
ンション装置から適宜の搬送手段（図示せず）によって
露光装置（図示せず）に搬送され，ウェハＷ表面のレジ
スト膜に所定のパターンが露光される。その後，再びウ
ェハＷは図示しないエクステンション装置に搬送され
る。こうして露光処理の終了したウェハＷはエクステン
ション装置から円周搬送装置１０のピンセット５６によ
って再び取り出されて搬送され，最も上の載置台１５上
に受け渡される。

【００２９】次に，垂直搬送装置７においてピンセット
４０もしくは４１により載置台１５上からウェハＷが搬
出され，昇降回転機構３５もしくは３６の駆動により，
ウェハＷは下方に搬送され，上から２番目の載置台１６
上にウェハＷが受け渡される。次いで，上から２番目の
円周搬送装置１１のピンセット５６が進退することによ
り，載置台１６上に載置されていたウェハＷはピンセッ
ト５６に保持されて，処理装置群４を構成している現像
処理装置２１の前に搬送される。そしてピンセット５６
が進退することにより，ウェハＷは現像処理装置２１に
搬入される。その後，現像処理装置２１にてウェハＷの
表面のレジスト膜が現像され，ウェハＷの表面に所定の
レジストパターンが形成される。こうして，所定のレジ
ストパターンが形成されたウェハＷは，再び円周搬送装
置１１のピンセット５６で保持されて現像処理装置２１
から搬出される。そして，ピンセット６４に保持された
状態で搬送されて，ウェハＷはピンセット６４から載置
台１６に再び受け渡される。

【００３０】次に，垂直搬送装置７においてピンセット
４０もしくは４１により載置台１６上からウェハＷが搬
出され，昇降回転機構３５もしくは３６の駆動により，
ウェハＷは上方に搬送され，最も上の載置台１５上にウ
ェハＷが受け渡される。次いで，最も上の円周搬送装置
１０のピンセット５６が進退することにより，載置台１
５上に載置されていたウェハＷはピンセット５６に保持
され，カセットステーション２に載置されたカセットＣ
内に戻される。こうして，以上の工程を繰り返すことに
より，カセットＣ内のウェハＷの全部に所定のレジスト
パターンが形成されると，当該処理済みのカセットＣ
は，処理システム１から適宜搬出されて，次の処理工程
へと搬送される。

【００３１】しかして，本実施の形態にかかる処理シス
テム１によれば，従来は１台の搬送装置によって行って
いたウェハＷの搬送を，垂直搬送装置７と円周搬送装置
１０，１１，１２，１３で分担して行うことができるの
で，例えば垂直搬送装置７でウェハＷを搬送中に，円周
搬送装置１０，１１，１２，１３によって別のウェハＷ
を搬送したりすることもできる。その結果，例えばウェ
ハＷの搬送に遅れが生じることを効果的に防止でき，ウ
ェハＷの搬送に要する時間を従来よりも短縮化すること
ができるようになる。

【００３２】またこの実施の形態の処理システム１で
は，処理温度が低くかつ温度変化に敏感な反射防止膜形
成装置７やレジスト塗布処理装置８，現像処理装置９を
下側に配置し，例えばプリベーキング装置等の処理温度
の高い熱処理装置２０を上側に配置しているので，熱処
理装置２０から発せられる熱が反射防止膜形成装置７や
レジスト塗布処理装置８，現像処理装置９などに伝わる
ことを効果的に防止できる。その結果，反射防止膜形成
装置７やレジスト塗布処理装置８，現像処理装置９にお
いて，熱による処理不良が発生することを効果的に防止
できる。

【００３３】また円周搬送装置１０，１１，１２，１３
に２本のピンセット５６，５６を設けているので，例え
ば一方のピンセット５６によって熱処理装置２０，現像
処理装置２１，レジスト塗布装置２２，反射防止膜形成
装置２３から処理後のウェハＷを搬出した後に，引き続
き，他方のピンセット５６に保持されている未処理のウ
ェハＷを各装置２０，２１，２２，２３内に搬入するこ
となどもできる。従って，ウェハＷの処理時間のさらな
る短縮化を図ることもできる。

【００３４】なお以上に説明した処理システム１におい
て，例えば図１に示すように，一部の各装置２０（２
１，２２，２３）などを外側に引き出すことにより，空
いたスペースから処理システム１内に作業員が入れるよ
うに構成すると良い。そうすれば処理システム１内に作
業員が入って内側から各装置などの補修，点検，清掃な
どができるようになり，処理システム１のメンテナンス
がやりやすくなる。また処理システム１の上部に例えば
ＵＬＰＡフィルタなどを配置し，処理システム１全体に
清浄な空気が供給されるように構成しても良い。またこ
の実施の形態にあっては，カセットステーション２を最
も上の処理装置群３に配置する例を挙げて説明したが，
本発明ではカセットステーション２を別の場所に配置し
てもよい。さらに本発明に適用可能な基板は，前記実施
の形態のようにウェハＷには限定されず，例えばＬＣＤ
基板やＣＤ基板等であってもよい。また，垂直搬送装置
７に二つの昇降回転部材３６，３８を設けた例を説明し
たが，昇降回転部材は一つでも良く，三つ以上あっても
良い。更に各円周搬送装置１０，１１，１２，１３は，
走行基台やピンセットなどを複数備えていても良い。

【００３５】

【発明の効果】請求項１〜６によれば，垂直搬送装置と
円周搬送装置とで基板を別々に搬送するため，垂直搬送
装置による基板の搬送と，円周搬送装置による基板の搬
送や各処理装置への基板の搬入出を同時に行うこともで
き，基板の搬送を効率よく行うことができ，従来よりも
基板の処理に要する時間を短縮できる。特に請求項５に
よれば，処理温度の高い処理装置から発せられた熱が下
段の処理温度の低い処理装置に伝わることを効果的に抑
制でき，熱による基板の処理不良を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる処理システムの概
略的な平面図である。

【図２】図１の処理システムの縦断面の説明図である。

【図３】垂直搬送装置の斜視図である。

【図４】円周搬送装置の斜視図である。

【図５】従来の搬送装置の構成を示す概略的な斜視図で
ある。

【符号の説明】

Ｃ カセット Ｗ ウェハ １ 処理システム ２ カセットステーション ３，４，５，６ 処理装置群 ７ 垂直搬送装置 １０，１１，１２，１３ 円周搬送装置 １５，１６，１７，１８ 載置台 ２０ 熱処理装置 ２１ 現像処理装置 ２２ レジスト塗布処理装置 ２３ 反射防止膜形成装置 ３５，３７ 昇降回転機構 ３６，３８ 昇降回転部材 ４０，４１ ピンセット ５０ａ レール ５６ ピンセット

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 DA17 FA01 FA02 FA12 FA15 GA03 GA47 GA48 GA49 GA50 MA02 MA26 MA27 MA30 5F046 CD01 CD03 JA22 LA18

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 垂直方向に基板を搬送する垂直搬送装置
   と，垂直搬送装置の周りにおいて円周方向に基板を搬送
   する円周搬送装置を備え，基板に対して所定の処理を施
   すための処理装置が前記円周搬送装置によって搬送され
   る円周方向に沿って配置されていることを特徴とする，
   処理システム。
2. 【請求項２】 前記円周搬送装置によって搬送される円
   周方向に沿って複数の処理装置が配置されていることを
   特徴とする，請求項１の処理システム。
3. 【請求項３】 前記垂直搬送装置と前記円周搬送装置と
   の間で受け渡される基板を載置させる載置台を備えるこ
   とを特徴とする，請求項１又は２の処理システム。
4. 【請求項４】 前記円周搬送装置が多段に配置されてい
   ることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれか処
   理システム。
5. 【請求項５】 上段の円周搬送装置によって搬送される
   円周方向に沿って配置された処理装置の処理温度が，下
   段の円周搬送装置によって搬送される円周方向に沿って
   配置された処理装置の処理温度よりも高いことを特徴と
   する，請求項４の処理システム。
6. 【請求項６】 垂直方向に基板を搬送する工程と，該垂
   直方向の周りにおいて円周方向に基板を搬送する工程
   と，該円周方向に沿って配置された処理装置で基板を処
   理する工程を有することを特徴とする，処理方法。