JP3485990B2 - 搬送方法及び搬送装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、搬送方法及び搬送装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト膜形成後のウエ
ハに対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現
像処理を行う現像処理とが行われるが、従来からこれら
レジスト塗布処理と現像処理とは、例えば特公平２−３
０１９４号公報によっても公知なように、対応する各種
処理装置が１つのシステム内に装備された複合処理シス
テム内で、所定のシーケンスに従って行われている。

【０００３】このような複合処理システムにおける各処
理装置間のウエハの搬送は、被処理基板であるウエハを
保持する保持部を備えた搬送装置によって行われてい
る。これを例えば図１６に示したレジスト塗布現像処理
システム１０１に基づいて説明すれば、このレジスト塗
布現像処理システム１０１においては、ウエハＷをカセ
ットに対して搬入・搬出するカセットステーション１０
２、ウエハＷをブラシ洗浄するブラシ洗浄ユニット１０
３、ウエハＷを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗
浄装置１０４、レジストの密着性を高めるためウエハＷ
の表面を疏水処理するアドヒージョン装置１０５、ウエ
ハＷを所定温度に冷却する冷却装置１０６、ウエハＷの
表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１０７、
レジスト液塗布の前後でウエハＷを加熱処理する加熱装
置１０８、ウエハＷの周縁部のレジストを除去するため
の周辺露光装置１０９、隣接する露光処理装置（図示せ
ず）とウエハＷの受け渡しを行うためのウエハ受渡し台
１１０、及び露光処理済みのウエハＷを現像液に晒して
レジストの感光部又は非感光部を選択的に現像液に溶解
せしめる現像装置１１１等が集約的に組み込まれてい
る。

【０００４】前記レジスト塗布現像処理システム１０１
の中央部には、長手方向（Ｙ方向）に廊下状のウエハ搬
送路１１２が設けられ、前記各処理装置は、このウエハ
搬送路１１２に、各々の正面（ウエハ搬出入口のある
面）を向けて配設されており、被処理基板であるウエハ
Ｗは、前記ウエハ搬送路１１２を移動自在なウエハ搬送
装置１１３の保持部材１１４によってその周縁部下縁が
保持され、その状態で前記各処理装置間で移載、搬送さ
れるようになっている。そしてウエハ搬送装置１１３が
起動する時の加速度、並びに停止する時の減速度は、搬
送する処理装置間の距離の如何を問わず、全て同一の加
速度、減速度に設定されていた。また前記ウエハ搬送装
置１１３の搬送速度についても、前処理の種類を問わ
ず、前記各処理装置間で全て同一であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで前記処理中、
レジスト液を塗布する処理において、使用されるレジス
ト処理液が例えばポリイミドのような高い粘性を有する
場合には、レジスト塗布装置でウエハＷの周縁部のレジ
ストを溶解除去するサイドリンス処理を行っても、ウエ
ハ周縁のポリイミドが除去されにくい。そしてこの処理
液の残滓がウエハ搬送装置１１３の保持部材１１４にお
けるウエハＷとの接触部に付着すると、ウエハＷが保持
部材１１４から離れにくくなり、ウエハＷの搬送が円滑
になしえなくなる。従って、ウエハＷの周縁部と保持部
材１１４との接触は必要最小限にする必要がある。

【０００６】また前記した従来の搬送方法によれば、搬
送する処理装置間の距離の如何を問わず、全て同一の加
速度、減速度の下で搬送装置を移動させ、全て同一の搬
送速度で移動しているので、移動距離が短い場合には、
駆動源であるモータ、例えばサーボモータの瞬時の過大
なトルク変動のため、ウエハ搬送装置１１３自体に振動
が生ずるおそれがある。そうすると保持部材１１４とウ
エハＷの周縁部との接触状態がこの振動によって変動
し、残滓が保持部材１１４に付着しやすくなる。

【０００７】さらに処理液の粘性が低いレジスト液の処
理においても、サイドリンス処理が行えない場合があ
り、かかる場合、塗布したままの状態で処理装置内部で
ウエハＷの搬送を行うと、前記振動によってレジスト液
がウエハ搬送装置１１３に付着し、その後乾燥したレジ
スト液が剥離してパーティクルが発生しやすくなる。

【０００８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、例えばウエハなどの被処理基板を搬送するにあ
たり、搬送装置の振動の発生を抑えて前記問題の解決を
図ることを第１の目的とする。さらに本発明は、被処理
基板の状態に応じて、そのときの最適な搬送方法を選択
するようにして、処理液等の付着などを根本的に防止す
ることとし、併せてそのような搬送方法に適した搬送装
置を提供することを第２の目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、被処理基板に処理を施す処理装
置を複数備え，かつ少なくとも被処理基板に処理液を塗
布する塗布処理装置を備えた処理システム内において、
一の処理装置での処理が終了した被処理基板を搬送手段
で保持して、前記処理の次処理を行う他の処理装置まで
搬送する方法において、前記一の処理装置で処理の種類
に応じて、前記搬送手段による前記他の処理装置までの
搬送時の搬送速度を変化させることを特徴とするもので
ある。

【００１０】また請求項２の発明は、被処理基板に処理
を施す処理装置を複数備えた処理システム内において、
一の処理装置での処理が終了した被処理基板を搬送手段
で保持して、前記処理の次処理を行う他の処理装置まで
搬送する方法において、前記搬送手段は被処理基板の保
持方法が異なる複数の保持手段を有し，前記一の処理装
置での処理の種類に応じて、前記搬送手段における被処
理基板の保持方法を替えると共に、前記保持方法に応じ
て前記他の処理装置までの搬送時の搬送速度を変化させ
ることを特徴とするものである。なおここでいう一の処
理装置と他の処理装置との間の搬送には、各処理装置内
での移動も含み、例えば載置台や支持ピン上に載置する
際の移動や、処理装置内から処理装置外への移動をもい
う。

【００１１】さらに請求項３によれば，被処理基板に処
理を施す処理装置を備えた処理システム内で，前記被処
理基板を搬送手段で保持して搬送する方法において，前
記搬送手段は筒状支持体の内側に装備され，かつ前記筒
状支持体の内側を上下方向に昇降自在でかつ前記筒状支
持体と共に水平方向にも回転自在に構成されており，前
記搬送手段の移動距離に応じて，前記搬送手段による搬
送の際の加速度又は減速度の少なくともいずれかを変化
させることを特徴とする，搬送方法が提供される。また
請求項４によれば，被処理基板に処理を施す処理装置を
備えた処理システム内で，前記被処理基板を搬送手段で
保持して搬送する方法において，前記搬送手段は筒状支
持体の内側に装備され，かつ前記筒状支持体の内側を上
下方向に昇降自在でかつ前記筒状支持体と共に水平方向
にも回転自在に構成され，さらに前記搬送手段は被処理
基板を保持しつつ水平方向前後に摺動自在に構成された
保持手段を有し，前記搬送手段の移動距離に応じて，前
記搬送手段又は保持手段による搬送の際の加速度又は減
速度の少なくともいずれかを変化させることを特徴とす
る，搬送方法が提供される。請求項５によれば，被処理
基板の処理を施す処理装置を複数備えた処理システム内
において，一の処理装置での処理が終了した被処理基板
を搬送手段で保持して，前記処理の次処理を行う他の処
理装置まで搬送する方法において，前記搬送手段は前記
被処理基板の周辺部を保持する第１の保持部と前記被処
理基板の下面のみに当接してこの被処理基板を保持する
第２の保持部とを有し，前記一の処理装置での処理の種
類に応じて，前記搬送手段における被処理基板の保持方
法を前記第１の保持部での保持の場合と前記第２の保持
部での保持の場合とで替えると共に，前記他の処理装置
までの搬送時の搬送速度を前記第１の保持部での保持の
場合と前記第２の保持部での保持の場合とで変化させる
ことを特徴とする，搬送方法が提供される。請求項６に
よれば，被処理基板を搬送する搬送装置であって，筒状
支持体の内側に装備され，前記筒状支持体の内側を上下
方向に昇降自在でかつ前記筒状支持体と共に水平方向に
も回転自在に構成された搬送手段と，前記搬送手段の移
動距離に応じて，前記搬送手段による搬送の際の加速度
又は減速度の少なくともいずれかを制御可能な制御装置
とを有することを特徴とする，搬送装置が提供される。
請求項７によれば，被処理基板に処理を施す処理装置を
複数備えた処理システム内において，一の処理装置での
処理が終了した被処理基板を搬送手段で保持して，前記
処理の次処理を行う他の処理装置まで搬送するための装
置であって，前記被処理基板の周辺部を保持する保持部
を備えた第１のアーム及び第２のアームと，さらに被処
理基板の下面のみに当接してこの被処理基板を保持する
保持部を備えた第３のアームと，前記一の処理装置での
処理の種類に応じて，前記第１のアーム及び前記第２の
アームでの保持と，前記第３のアームでの保持とを選択
すると共に，前記他の処理装置までの搬送時の搬送速度
を前記第１のアーム及び前記第２のアームでの保持の場
合と，前記第３のアームでの保持の場合とで変更させる
制御装置とを有することを特徴とする，搬送装置が提供
される。請求項８によれば，被処理基板を保持して搬送
するための装置であって，この被処理基板の周辺部を保
持する保持部を備えた第１のアーム及び第２のアームを
有する搬送装置において，被処理基板の下面のみに当接
してこの被処理基板を保持する保持部を備えた第３のア
ームを有し，この第３のアームの保持部の少なくとも上
面は摩擦係数の高い材質で構成されていることを特徴と
する，搬送装置が提供される。

【００１２】

【作用】本発明によれば、例えば処理の種類に応じて相
対的に加速度、減速度を下げたり，相対的に加速度、減
速度を上げて搬送を行うようにする。これによって加速
時、減速時のトルク変動の幅が減少し、振動の発生を抑
えることができる。

【００１３】本発明の搬送方法によれば、例えば搬送手
段で保持する際、接触すると付着のおそれがある処理液
等が被処理基板の周辺部に残存している場合には、周辺
部を避けて下面部のみでこの被処理基板を保持するよう
にして搬送する。この場合、保持の仕方によっては、搬
送速度が高いと搬送時に被処理基板が位置ズレする場合
も考えられるので、かかる場合には速度を減速して搬送
する。逆に被処理基板の周辺部と当接して保持しても処
理液等の付着のおそれがない場合には、そのまま周辺部
を保持して高速で搬送すればよい。即ち搬送対象の被処
理基板の保持個所を替え、かつ搬送速度もそれに対応し
て変化させることにより、被処理基板の状態に応じた最
適な搬送を実現することが可能となる。

【００１４】本発明の搬送装置によれば、被処理基板の
周辺部と当接して保持しても処理液等の付着のおそれが
ない場合には、第１のアーム及び第２のアームで保持し
て搬送でき、接触すると処理液等が付着のおそれがある
処理液が被処理基板周辺部に残存している場合には、第
３のアームによって被処理基板の下面を保持（支持）し
て搬送することができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
れば、図１〜図３は、夫々本発明の実施例が採用された
半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現像処
理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図
２は正面、図３は背面を夫々示している。

【００１６】この塗布現像処理システム１は、被処理基
板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例え
ば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるい
はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対し
てウエハＷを搬入・搬出したりするための搬入搬出部１
０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配
置してなる処理部１１と、この処理部１１に隣接して設
けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け
渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続
した構成を有している。

【００１７】前記搬入搬出部１０では、図１に示すよう
に、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置
に、複数個、例えば４個までのウエハカセットＣＲが、
夫々のウエハ出入口を処理部１１側に向けてＸ方向（図
１中の上下方向）一列に載置自在であり、このカセット
配列方向（Ｘ方向）、及びウエハカセットＣＲ内に収納
されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能なウエハ搬送体２１が、各ウエハカセットＣＲ
に選択的にアクセスできるようになっている。

【００１８】さらにこのウエハ搬送体２１は、水平方向
におけるθ方向に回転自在に構成されており、後述する
ように処理部１１側の第３の処理ユニット群Ｇ₃の多段
ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）、及びイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもア
クセスできるようになっている。

【００１９】前記処理部１１には、図１に示すように、
その中心部に本実施例にかかるウエハ搬送装置を備えた
垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周
りに全ての処理ユニットが複数の組に亙って多段に配置
されている。この例では、第１の処理ユニット群Ｇ₁〜
第５の処理ユニット群Ｇ₅が配置可能な構成となってお
り、第１及び第２の処理ユニット群Ｇ₁、Ｇ₂の多段ユニ
ットは、システム正面（図１において手前）側に配置さ
れ、第３の処理ユニット群Ｇ₃の多段ユニットは搬入搬
出部１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ
₄の多段ユニットはインターフェース部１２に隣接して
配置され、第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段ユニットは
背面側に配置されることが可能である。

【００２０】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ₁では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユ
ニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
第２の処理ユニット群Ｇ₂でも、２台のスピンナ型処理
ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び
現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。これらレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、レジ
スト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒で
あることから、このように下段に配置するのが好まし
い。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することもも
ちろん可能である。

【００２１】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ₃では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの密着性を高
めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、オリフラ合わせやセンタリングなどの
所定の位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理
前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢ
ＡＫＥ）、及び露光処理後の加熱処理を行うポストベー
キングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば
８段に重ねられている。

【００２２】第４の処理ユニット群Ｇ₄でも、オーブン
型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ
ＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クー
リングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。

【００２３】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的
な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラン
ダムな多段配置としてもよい。

【００２４】前記インターフェース部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、前記処理部１１と同じ寸法を有
するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定され
ている。そしてこのインターフェース部１２の正面部に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置２３が配設されている。さらにまたこのイ
ンターフェース部１２における中央部にはウエハ搬送体
２４が設けられている。なおインターフェース部１２
に、定置型のバッファカセットＢＲのみを配置し、ピッ
クアップカセットＣＲは搬入搬出部１０に配置してもよ
い。また周辺露光装置２３は、インターフェース部１２
の正面部、背面部に配置してもよい。

【００２５】このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２３
にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体２
４は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理部１１側の第４の処理ユニット群Ｇ₄の多
段ユニットに属するイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）や、さらには隣接する露光装置（図示せず）側のウ
エハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようにな
っている。

【００２６】前記塗布現像処理システム１では、既述の
如く、主ウエハ搬送機構２２の背面側に破線で示した、
第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段ユニットが配置できる
ようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ₅の
多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送
機構２２からみて、側方へシフトできるように構成され
ている。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段
ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レール
２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保さ
れるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメン
テナンス作業が容易に行えるようになっている。

【００２７】なお第５の処理ユニット群Ｇ₅の多段ユニ
ットは、そのように案内レール２５に沿った直線状のス
ライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢
印で示したように、システム外方へと回動シフトさせる
ように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対するメン
テナンス作業のスペース確保が容易となる。

【００２８】次に搬送手段の一部を構成する主ウエハ搬
送機構２２の詳細について説明すると、図４は主ウエハ
搬送機構２２の要部の構成を示した斜視図、図５は同じ
く縦断面説明図であり、この主ウエハ搬送機構２２は、
上端及び下端で相互に接続されて対向する一対の垂直壁
部３１、３２からなる筒状支持体３３の内側に、搬送手
段の一部を構成するウエハ搬送装置３４を上下方向（Ｚ
方向）に昇降自在に装備している。前記筒状支持体３３
はモータ３５の回転軸に接続されており、このモータ３
５の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエ
ハ搬送装置３４と一体に回転し、それによりこのウエハ
搬送装置３４は、θ方向に回転自在となっている。なお
筒状支持体３３は前記モータ３５によって回転される別
の回転軸（図示せず）に接続するように構成してもよ
い。

【００２９】前記ウエハ搬送装置３４は、搬送基台４０
上に、この搬送基台４０の前後方向、例えば図４中のＸ
方向に移動自在な複数本の保持部材、即ち本発明でいう
ところのアームを構成する、例えば３本のピンセット４
１、４２、４３を備えている。また各ピンセット４１、
４２、４３はいずれも筒状支持体３３の両垂直壁部３
１、３２間の側面開口部３６を通過自在な形態、大きさ
を有している。なおこれら各ピンセット４１、４２、４
３は、搬送基台４０に内蔵された駆動モータ（図示せ
ず）及びベルト（図示せず）によって前記前後方向の移
動が実現されている。

【００３０】前記ピンセット４１は、図４、図６に示し
たように、平面略Ｃ形を有する保持部４１ａと、この保
持部４１ａを支持する支持部４１ｂを有しており、図６
に示したように、被処理基板であるウエハＷは、このピ
ンセット４１によって保持、搬送される場合、その下面
のみが保持部４１ａと当接してこれに支持されるように
なっている。即ち、前記ピンセット４１の保持部４１ａ
の外径は、搬送対象であるウエハＷの外径よりも小さく
なっている。

【００３１】また前記ピンセット４１の保持部４１ａの
内径は、前出各処理ユニットの中でレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）や現像ユニット（ＤＥＶ）などのいわゆる
スピンナ型処理ユニット、即ちウエハＷをスピンチャッ
クに載せて処理を行うユニットの、当該スピンチャック
におけるウエハとの接触部分の外径よりも大きい径を有
している。また保持部４１ａにおける前端の開口切欠部
の幅は、スピンチャックの外径よりも大きく設定されて
いる。これによってピンセット４１の保持部４１ａはウ
エハＷの下面と、図６の斜線部に示した部分で接触し
て、当該ウエハＷを載置し、さらに処理ユニット内に進
退する際に、前記スピンチャックや他の処理装置におけ
る後述の支持ピンと接触することはないようになってい
る。

【００３２】また前記ピンセット４１の保持部４１ａに
おける少なくともその上面は、摩擦係数の高い材質、例
えばゴム系の材質によって構成されている。かかる構成
により、ウエハＷの下面との間の摩擦力を高め、搬送の
際の位置ズレが防止される。なおそのように保持部４１
ａの表面、即ちウエハＷの裏面との接触部の材質は、そ
のように摩擦係数が高いことの他に、対高温性（例えば
１００゜Ｃ以上）に優れ、またパーティクルの発生の少
ない材質が好ましい。また本実施例では、保持部４１ａ
の上面が全面に渡ってウエハＷの下面と接触するように
なっているが、例えば保持部４１ａの上面に適宜の突起
を複数設け、この突起部分でウエハＷの下面を支持する
ようにしてもよい。なおピンセット４１の保持部４１ａ
自体の材質は、例えばセラミックなどであってもよい。

【００３３】そして前記支持部４１ｂに設けられたステ
イ４１ｃが前出駆動モータ（図示せず）によって摺動す
ることにより、ピンセット４１全体が搬送基台４０の前
後方向に移動する構成となっている。なお前記支持部４
１ｂには、その長手方向、即ちピンセット４１の移動方
向に沿って開口部を形成する略長方形の長孔４１ｄが形
成されている。また長孔４１ｄの長手方向前方延長線上
には、後述のセンサの発光部５２ａ、５２ｂが位置す
る。

【００３４】前記ピンセット４２、４３は、基本的に同
一構成であり、例えば中段に位置しているピンセット４
２に基づいてその構成を説明すれば、このピンセット４
２は、図４、図６、図７に示したように、被処理基板で
あるウエハＷの裏面周辺部を爪状の支持部材４２ａで直
接支持してこれを保持するための略３／４円環状の保持
部４２ｂと、この保持部４２ｂの中央部と一体的に成形
され、前記保持部４２ｂを支持する支持部４２ｃとによ
って構成され、この支持部４２ｃに設けられたステイ４
２ｄが前出駆動モータ（図示せず）によって摺動するこ
とにより、ピンセット４２全体が搬送基台４０の前後方
向に移動する構成となっている。なお前記支持部４２ｃ
にも、前出ピンセット４１の場合と同様、その長手方向
沿って開口部を形成する略長方形の長孔（図示せず）が
形成されている。

【００３５】前記各ピンセット４１、４２、４３の前
進、後退動作は、コンピュータ等から構成される制御装
置（図示せず）によってコントロールされており、一の
ピンセットの後退中に他のピンセットを前進させたり、
あるいはかかる前進動作においても、初期移動は、後述
するウエハの検出位置にまで前進させ、その後当該検出
結果に応じてさらに前進させたり、あるいはそのまま停
止させることが自在となっている。

【００３６】また前記各ピンセット４１、４２、４３の
配置間隔は、図４、図７に示したように、上段のピンセ
ット４１と中段のピンセット４２との間の間隔が、この
中段のピンセット４２と下段のピンセット４３との間の
間隔よりも大きくとられている。これは上段のピンセッ
ト４１と、中段のピンセット４２とに夫々保持されたウ
エハＷが相互に熱干渉することを防止するためである。
従って、例えば上段のピンセット４１は、冷却工程から
レジスト塗布工程を実施するとき、並びに後述のように
レジスト液塗布後、加熱処理のユニットへと搬送する場
合に使用される。それ以外の搬送の場合には、中段のピ
ンセット４２と下段のピンセット４３とが使用される。
前記した熱干渉防止効果をさらに高めるため、例えば上
段のピンセット４１と、中段のピンセット４２との間
に、適宜断熱板を配置してもよい。

【００３７】前記搬送基台４０には、図４、図６、図７
に示したように、センサスタンド５１が設けられてお
り、このセンサスタンド５１の略先端部に設けられたセ
ンサによって、ピンセット４１、４２、４３が被処理基
板であるウエハＷを保持しているか、また正しい位置に
保持しているかどうかが検出されるようになっている。
このセンサは、各ピンセット４１、４２、４３の各保持
部４１ａ、４２ｂ、４３ｂにおけるウエハＷの有無を検
出する第１のセンサの発光部５２ａと、当該発光部５２
ａからさらに外方寄りに配置されてウエハＷが保持部４
１ａ、４２ｂ、４３ｂの所定位置に保持されているどう
か（所定位置からはみ出しているかどうか）を検出する
第２のセンサの発光部５２ｂを有している。

【００３８】そして前記各発光部５２、５２ｂは、搬送
基台４０の前縁部近傍に各々設けられた第１のセンサの
受光部５３ａと、第２のセンサの受光部５３ｂと各々対
向しており、各発光部５２ａ、５２ｂから発光される検
出光、例えばレーザ光を受光部５３ａ、５３ｂで受光す
るかどうかで、前記したウエハＷの有無及びはみ出しの
有無を判断するように構成されている。

【００３９】本実施例においては、検出の際に、ピンセ
ット４１、４２、４３が所定の検出位置、即ちウエハＷ
の前縁部が前記発光部５２ａと受光部５３ａとを結ぶ光
軸ａ、発光部５３ａと受光部５３ｂとを結ぶ光軸ｂとの
間（図６、図７中の破線Ｍで示す位置）に位置するまで
前進、又は後退したときに、発光部５２ａ、５２ｂから
検出光が発光され、光軸ａがウエハＷによって遮断され
たときには、ウエハＷが保持されていることが確認さ
れ、同時に光軸ｂが遮断されていないときに、ウエハＷ
が正しく保持されていることが確認されるようになって
いる。

【００４０】以上のような構成を有するピンセット４
１、４２、４３を備えたウエハ搬送装置３４の上下方向
（Ｚ方向）の昇降移動は、次のような構成に基づいてい
る。即ち、一方の垂直壁部３１の内側の上端部近傍に従
動プーリ６１が設けられ、下端部近傍には駆動プーリ６
２が設けられ、これら従動プーリ６１と駆動プーリ６２
間に垂直駆動用の無端ベルト６３が掛け渡され、この無
端ベルト６３にベルトクランプ６４を介して、前記ウエ
ハＷ搬送装置３４の搬送基台４０が接続されている。そ
して筒状支持体３３の底面に固定配置された駆動モータ
６５の回転軸６５ａの回転力が駆動プーリ６２に伝達さ
れるように構成されている。かかる構成により、垂直ベ
ルト駆動機構が実現されている。

【００４１】他方、垂直壁部３１の内側の左右端部には
一対のガイドレール６６、６７が垂直方向に配置されて
おり、搬送基台４０の側面に突設された一対の水平支持
部材６８、６９の先端に夫々設けられたスライダ７０、
７１が、前記両ガイドレール６６、６７に対して摺動自
在となるように係合している。かかる構成により、垂直
スライド機構が実現されている。以上の垂直ベルト駆動
機構、垂直スライド機構の採用により、ウエハ搬送装置
３４は、駆動モータ６５の駆動力によって垂直方向（Ｚ
方向）に昇降自在となっている。

【００４２】また図８、図９に示したように、垂直壁部
３１の内側の中央部と一方のガイドレール６６との間に
は、ロッドレスシリンダ７２が垂直方向に立設され、さ
らにこのロッドレスシリンダ７２の外側にて摺動自在に
外嵌されている略円筒状の可動部７２ａが、前出水平支
持部材６８を介してウエハ搬送装置３４の搬送基台４０
に接続されている。そして前記可動部７２ａはロッドレ
スシリンダ７２の内部に可動自在に挿入されているピス
トン（図示せず）と磁気的に結合しており、可動部７２
ａを介してウエハ搬送装置３４と前記ピストンとが同時
に移動自在なように作動接続されている。またロッドレ
スシリンダ７２の下端のポート７２ｂには、レギュレー
タ７３から、ウエハ搬送装置３４の重量とほぼ等しい力
がピストンに発生するような圧力で、圧縮空気が配管７
４を介して供給される。なおロッドレスシリンダ７２の
上端のポート７２ｃは大気に開放されている。

【００４３】このようにウエハ搬送装置３４の重量が、
前記ロッドレスシリンダ７２の揚力によってキャンセル
されているため、ウエハ搬送装置３４は重力の影響を受
けることなく高速度で上昇移動できるようになってい
る。さらに、万一駆動用の無端ベルト６３が切断した場
合でも、ウエハ搬送装置３４は前記ロッドレスシリンダ
７２から受ける揚力によってその位置にて保持され、自
重で落下するおそれはない。従って、ウエハ搬送装置３
４自体や筒状支持体３３も損傷するおそれはないもので
ある。

【００４４】そして制御装置（図示せず）の制御によ
り、前記ウエハ搬送装置３４のＺ方向の昇降の加速度並
びに減速度、移動中の速度は可変であり、また主ウエハ
搬送機構２２がθ方向に回転、停止する際の加速度、減
速度、並びに回転移動中の速度も可変となるように構成
されている。さらにまたウエハ搬送装置３４の各ピンセ
ット４１、４２、４３の前進、後退時の加速度、減速度
及び速度も可変となるように構成されている。

【００４５】本実施例にかかるウエハ搬送装置３４を採
用した塗布現像処理システム１は以上のように構成され
ており、次にこの塗布現像処理システム１におけるウエ
ハＷの搬送動作について説明すると、まず搬入搬出部１
０において、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上
の処理前のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセ
スして、そのカセットＣＲから１枚のウエハＷを取り出
す。その後ウエハ搬送体２１は、まず処理ステーンショ
ン１１側の第３の処理ユニット群Ｇ₃の多段ユニット内
に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）ま
で移動し、当該アライメントユニット（ＡＬＩＭ）内に
ウエハＷを移載する。

【００４６】そして当該アライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）においてウエハＷのオリフラ合わせ及びセンタリン
グが終了すると、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装
置３４は、アライメントが完了したウエハＷを受け取
り、第３の処理ユニット群Ｇ₃において前記アライメン
トユニット（ＡＬＩＭ）の下段に位置するアドヒージョ
ンユニット（ＡＤ）の前まで移動して、ユニットに前記
ウエハＷを搬入する。次いで、第３の処理ユニット群Ｇ
₃又は第４の処理ユニット群Ｇ₄の多段ユニットに属する
クーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリ
ングユニット（ＣＯＬ）内で前記ウエハＷはレジスト塗
布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。

【００４７】冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構
２２は、ピンセット４１によってウエハＷをクーリング
ユニット（ＣＯＬ）から搬出し、ピンセット４２に保持
された次のウエハＷと交換し、冷却後のウエハＷを次に
第１の処理ユニット群Ｇ₁又は第２の処理ユニット群Ｇ₂
の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様
な膜厚でレジスト液を塗布される。

【００４８】レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ
搬送機構２２は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）から搬出し、次にプリベークユニット（ＰＲＥＢ
ＡＫＥ）内へ搬入する。プリベークユニット（ＰＲＥＢ
ＡＫＥ）内でウエハＷは所定温度、例えば１００℃で所
定時間だけ加熱され、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤
が蒸発除去される。

【００４９】プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機
構２２は、ウエハＷをプリベークユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）から搬出し、次に第４の処理ユニット群Ｇ₄の多
段ユニットに属するイクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬入する。このイクステンショ
ン・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷ
は、次工程つまり周辺露光装置２３における周辺露光処
理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却
後に主ウエハ搬送機構２２は、ウエハＷを直ぐ上のイク
ステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送し、このイクス
テンションユニット（ＥＸＴ）内の所定の載置台（図示
せず）にウエハＷを載置する。

【００５０】このイクステンションユニット（ＥＸＴ）
の載置台上にウエハＷが載置されると、インターフェー
ス部１２のウエハ搬送体２４が反対側からアクセスし
て、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送体２４は
当該ウエハＷをインターフェース部１２内の周辺露光装
置２３へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に露
光処理を受ける。

【００５１】前記した周辺露光処理が終了すると、ウエ
ハ搬送体２４は、ウエハＷを周辺露光装置２３から搬出
し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）
へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡され
る前に、バッファカセットＢＲに一時的に格納されるこ
ともある。

【００５２】露光装置における全面露光処理が完了し
て、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻される
と、インターフェース部１２のウエハ搬送体２４はその
ウエハ受取り台へアクセスして露光処理後のウエハＷを
受け取り、処理部１１側の第４の処理ユニット群Ｇ₄の
多段ユニットに属するイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）へ搬入し、所定のウエハ受取り台上に載置する。な
おこの場合、ウエハＷを、処理部１１側へ渡される前に
インターフェース部１２内のバッファカセットＢＲに一
時的に格納するようにしてもよい。

【００５３】前記イクステンションユニット（ＥＸＴ）
にウエハＷが搬入されると、反対側から主ウエハ搬送機
構２２がアクセスしてウエハＷを受け取り、第１の処理
ユニット群Ｇ₁又は第２の処理ユニット群Ｇ₂の多段ユニ
ットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入する。この
現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャ
ックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエ
ハ表面のレジストに現像液を均一にかけられる。そして
現像が終了すると、ウエハ表面にリンス液をかけられ、
前記現像液が洗い落とされる。

【００５４】かかる現像工程が終了すると、主ウエハ搬
送機構２２は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から
搬出して、次に第３の処理ユニット群Ｇ₃又は第４の処
理ユニット群Ｇ₄の多段ユニットに属するポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）へ搬入する。このポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハ
Ｗ例えば１００℃で所定時間だけ加熱される。これによ
って、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向
上する。

【００５５】かかるポストベーキングが終了すると、主
ウエハ搬送機構２２は、ウエハＷをポストベーキングユ
ニット（ＰＯＢＡＫＥ）から搬出し、次にいずれかのク
ーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハ
Ｗが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２２は、ウエハ
Ｗを第３の処理ユニット群Ｇ₃に属するイクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）へ移送する。

【００５６】このイクステンションユニット（ＥＸＴ）
内の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、
搬入搬出部１０側のウエハ搬送体２１が反対側からアク
セスして、ウエハＷを受け取る。そしてウエハ搬送体２
１は、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上の処
理済みウエハ収容用のカセットＣＲの所定のウエハ収容
溝に入れる。

【００５７】以上の一連の処理手順において各処理ユニ
ット間の搬送は、全て主ウエハＷ搬送機構２２によって
行われ、被処理基板であるウエハＷは、搬送装置３４の
ピンセット４１、４２、４３いずれかのピンセットで保
持されて搬送されるのであるが、本実施例においては、
まず処理ユニット間の距離に応じて、前記ウエハ搬送装
置３４のＺ方向の昇降、及び主ウエハ搬送機構２２のθ
方向への回転の各々の加速度並びに減速度が変化させる
ことができる。

【００５８】例えば図１に示したように、第１の処理ユ
ニット群Ｇ₁から第３の処理ユニット群Ｇ₃へと搬送する
場合よりも、第３の処理ユニット群Ｇ₃から第２の処理
ユニット群Ｇ₂へと回転移動する場合の方が、搬送装置
３４の移動距離が長い。このようなときには、第１の処
理ユニット群Ｇ₁→第３の処理ユニット群Ｇ₃の加速度、
減速度を、第３の処理ユニット群Ｇ₃→第２の処理ユニ
ット群Ｇ₂の加速度、減速度よりも下げることにより、
当該回転移動の駆動を担うモータ３５の瞬時の過大なト
ルク変動を抑えて、振動の発生を抑制することができ
る。また急発進後、直ちに急停止するというような移動
状態を避けることが可能となる。従って、ピンセット４
１、４２、４３で保持しているウエハＷに対する振動を
抑制して、良好な保持状態を実現することが可能であ
る。この場合の、加速度、減速度の数値は、予め各処理
ユニット間の搬送距離に応じて算出しておき、実際の処
理に伴う移動距離により、コンピュータ等からなる制御
装置によって自動的に判断させ変化させるようにする。

【００５９】ところでレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
でウエハＷにレジスト液を塗布した後、次処理である加
熱処理を行うプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）へ
と搬送する場合には、塗布したレジスト液が粘度の高い
レジスト液、例えばポリイミド系のレジスト液の場合に
は、既述したように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
でサイドリンス処理を行ってもウエハ周縁のポリイミド
が除去されにくいという性質を有している。したがって
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）からプリベークユニッ
ト（ＰＲＥＢＡＫＥ）へと搬送する場合には、ウエハＷ
を直接保持する保持部材に付着しないようにする必要が
ある。

【００６０】この点、本実施例におけるウエハ搬送装置
３４においては、ウエハＷの下面の周辺部より中心側の
みを支持する第３のアームとなるピンセット４１を装備
しているので、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）からレ
ジスト液塗布後のウエハＷを取り出して、プリベークユ
ニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）へと搬送する場合、このピン
セット４１の保持部４１ａでウエハＷを保持すれば、そ
のような周辺部分のレジスト液等の処理液がピンセット
４１に付着する可能性はないものである。

【００６１】そしてかかるピンセット４１を使用してウ
エハＷを搬送する場合には、いわば保持部４１ａに載置
し摩擦力によって保持した状態で搬送することになるの
で、ピンセット４１の進退、具体的にはレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）からの搬出、プリベークユニット（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）内への搬入、並びにＺ方向の移動、θ方
向の回転にあたっては、その速度を他の搬送の場合より
も落とすことが望ましい。即ちピンセット４１の保持部
４１ａの上面は、摩擦係数が高くなるように加工処理さ
れているので、通常の搬送速度で移動しても、載置した
ウエハＷが位置ズレするおそれはないが、そのように速
度自体を下げることにより、より安全にかつ位置ズレす
ることなくウエハＷを搬送することが可能になるもので
ある。この場合の搬送速度については、保持部４１ａの
ウエハＷとの当接部分の材質により、予め実験により適
正な速度を求めておく。

【００６２】なおこの点に関し、例えば真空吸着方式の
ピンセットを採用することも考えられるが、そうすると
構造的にも複雑になり、しかもウエハＷにおいて真空吸
着さ、れている部分の温度が、他の部分よりも低くなる
可能性があり、それに起因して、処理が不均一になるこ
とを鑑みると、本実施例のようにピンセット４１で搬送
する手段の方が構造も簡易であり、また処理の均一化を
妨げない利点がある。

【００６３】また本実施例では、ウエハＷを載置して保
持するタイプの保持部材は、前記したピンセット４１の
１本しか備えていなかったが、もちろんこれを２本以上
設けてもよい。例えば２本設けることによって、レジス
ト液塗布後にいわゆる多段階加熱処理を行う必要がある
場合にも対処できる。即ち１回（１次）の加熱処理では
レジストが完全に硬化せず、さらに高温で再び加熱処理
（２次）を連続して行う場合、１次の加熱処理が終了し
た段階では、依然としてウエハＷの周辺部下縁を直接保
持するのが好ましくないときには、当該１次の加熱処理
ユニットでのウエハＷの交換の際に、ウエハＷを載置し
て保持するタイプの保持部材（ピンセット）が不足する
ことになる。従って、いわば第４のアームとしてピンセ
ット４１と同一構成のピンセットをさらに設けることに
よって、かかる多段階加熱処理にも対処することができ
るものである。

【００６４】以上の説明は、処理ユニット間のウエハＷ
の搬送の際の加速度、減速度の制御、搬送速度の制御、
さらには搬送手段の選択に関するものであったが、各処
理ユニット内でのウエハの受渡し、受け取りの際の搬送
装置３４の昇降移動についてもその速度制御を行うこと
により、歩留まりの向上を図ることができる。

【００６５】即ち、通常、各処理ユニット内では、搬送
装置３４のピンセット４１、４２、４３からウエハＷを
移載する場合、搬送装置３４全体が下降して例えば処理
ユニット内に設けられた上下動自在な支持ピン上にウエ
ハＷを載置させる。そして搬送装置３４はそのまま少し
下降し、前記支持ピンで完全にウエハＷを担持した後、
搬送装置３４が後退して処理ユニット外に待避し、その
後支持ピンが下降して所定の載置台にウエハＷを載置さ
せ、処理が行われる。スピンチャックの場合も基本的に
同様な受け取り手順を経る。また搬送装置３４にウエハ
Ｗを移載する際には、これと逆の手順であり、まず支持
ピンが上昇してウエハＷを担持し、その後搬送装置のピ
ンセットがウエハＷの下面にまで前進し、次いで搬送装
置全体が上昇して前記ピンセットでウエハＷを受け取る
ようになっている。

【００６６】かかる場合、従来は搬送装置の下降速度、
上昇速度が一定であった。そのため、支持ピンに移載す
る場合には、支持ピンとのウエハＷが接触する場合、衝
撃が起こって異音が発生したり、極端な場合位置ズレを
起こすおそれもあった。また搬送装置のピンセットにウ
エハＷを移載する場合には、搬送装置が上昇してそのピ
ンセットがウエハＷの下面と接触した際に衝撃が発生し
て、異音が発生したり、さらには正しく保持できないお
それも否定できなかった。

【００６７】このような事態に対処するため、本実施例
においては次のような搬送方法が実現できる。例えばモ
デルケースとして、塗布現像処理システム１において採
用された第３の処理ユニット群Ｇ₃に設けられているア
ドヒージョンユニット（ＡＤ）内にウエハＷを移載する
場合を例にとって説明する。

【００６８】図１０はこのアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）の主要部の断面を示しており、このアドヒージョン
ユニット（ＡＤ）の処理容器８１は、載置台ＳＰとして
円盤状の熱板８２を収容した筒状の熱板保持体８３と熱
板８２の上に隙間Ｓ₁及び空間Ｓ₂を介して被される蓋体
８４とから構成されている。この蓋体８４の中心部に
は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）ガス供給部
（図示せず）からガス供給管８５を介してＨＭＤＳガス
を、処理容器８１内に導入するためのガス導入口８４ａ
が形成されている。

【００６９】前記蓋体８４はガス導入口８４ａ付近から
半径方向外側に向かって次第に中空部Ｓ₃を形成するよ
うに、上下２つに分岐した上側蓋部８４ｂと下側蓋部８
４ｃによって構成された二重蓋構造になっており、上側
蓋部８４ｂの外周縁部と下側蓋部８４ｃの側壁内側面と
の間には、ほぼ全周にわたり隙間Ｓ₄が形成されてい
る。また上側蓋部８４ｂと下側蓋部８４ｃとの間の連結
部にもほぼ全周にわたり通気部８４ｄが形成され、また
上側蓋部８４ｂと下側蓋部８４ｃとの間の隙間８４ｅは
蓋体８４の外側面に設けられた排気口８６に通じてい
る。これにより、ガス導入口８４ａから導入されたＨＭ
ＤＳガスは、周囲に向かって空間Ｓ₂内で均一に拡散
し、隙間Ｓ₄を通じて均一に排気されるようになってい
る。排気口８６は、排気管８７を介して排気ポンプ（図
示せず）に接続されている。

【００７０】前記熱板８２は、熱伝導率の高い金属、例
えばアルミニウムからなり、その上面に被処理基板であ
るウエハＷが載置される。この熱板８２の内側にはウエ
ハＷを加熱処理するためのヒータ、例えば抵抗発熱体及
び温度センサ等が内蔵され、熱板８２の外側には前記ヒ
ータの発熱温度を制御するための温度制御機構（図示せ
ず）等も設けられている。また熱板８２には複数箇所、
例えば３箇所に貫通孔８２ａが形成され、これらの貫通
孔８２ａにはウエハの受け渡しに用いられる上下移動自
在な支持ピン８８が、夫々遊嵌状態で挿通されている。
そしてウエハＷの搬入・搬出時には、これらの支持ピン
８８が熱板８２の上面よりも上に突出（上昇）してウエ
ハＷを担持し、主ウエハ搬送機構２２におけるウエハ搬
送装置３４のピンセット４１、４２、４３との間でウエ
ハＷの受け渡しを行うようになっている。

【００７１】かかる構成のアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）内にウエハＷを搬入して、前記支持ピン８８上に例
えばピンセット４２で保持したウエハＷを移載する場合
を図１１〜図１５に基づいて説明する。なお図１１〜図
１５における矢印は速度の大きさを示し、矢印が２つ表
示されている場合は、矢印が１つの場合よりも高速であ
ることを表している。図１１に示したように、所定位
置、即ちウエハＷを保持したピンセット４２がアドヒー
ジョンユニット（ＡＤ）内におけるピンセット４２の下
降開始位置にまで前進した後、最初は相対的に高速で搬
送装置３４全体を下降させる。

【００７２】そしてピンセット４２の保持部４２ａで保
持したウエハＷが、図１２に示したように、アドヒージ
ョンユニット（ＡＤ）の熱板８２から上昇して担持待機
している支持ピン８８頂上部に接近すると、下降速度を
切り替えて今度は相対的に低速で下降させる。そして図
１３に示したように、ウエハＷの下面が支持ピン８８の
頂上部と接触した時点でもなお前記相対的低速のまま下
降させ、図１４に示したように、完全にウエハＷが支持
ピン８８上に担持されピンセット４２の保持部４２ａが
支持ピン８８の頂上部よりも僅かに下方に離隔するまで
前記相対的低速の下降を維持させる。その後は下降速度
を相対的高速に切り換え、以後図１５に示したように、
所定の下降点までピンセット４２が下降するまで当該相
対的高速で下降させる。そして所定の下降点に達した後
に、ピンセット４２を後退させるのである。

【００７３】以上のようなピンセット４２（ウエハ搬送
装置３４）の下降速度の切り換えによって、ウエハＷが
支持ピン８８に担持される際は相対的低速でウエハＷの
下面が支持ピン８８の頂上部と接触するので、その衝撃
は小さい。従って、異音が発生することはなく、しかも
ウエハＷが位置ズレすることはない。しかも全体として
の移載時間もさほど長くなることはない。

【００７４】なおアドヒージョン処理が終了して、処理
済みのウエハＷを例えばピンセット４２が受け取る場合
には、以上の逆の手順、即ち図１５→図１１の手順、速
度切り換えでピンセット４２（ウエハ搬送装置３４）を
上昇させればよい。即ち図１４の状態までピンセット４
２を上昇させる際は、相対的高速でおこない、それ以後
図１２の状態に達するまでは相対的低速でピンセット４
２を上昇させる。そして図１２から図１１の状態に上昇
させる際には、再び相対的高速でピンセット４２（ウエ
ハ搬送装置３４）を上昇させるのである。これによって
ピンセット４２の保持部４２ａがウエハＷを受け取る場
合に、保持部４２ａとウエハＷの下面との接触衝撃が抑
えられ、確実にウエハＷを保持部４２ａにおける所定の
位置で保持することが可能になる。前記各速度は、実験
等によって予め適正な速度を求めておき、ピンセット４
２の位置に応じて自動的に選択して速度の可変制御を行
う。

【００７５】なおそのようなウエハ搬送装置３４のウエ
ハＷ受渡しの際の昇降速度の制御は、前記した支持ピン
８８を有するユニットのみならず、スピンチャックを有
する他の処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）との間のウエハＷの受渡しの際にも適用でき
る。

【００７６】前記した実施例は半導体デバイスの製造プ
ロセスにおけるフォトリソグラフィー工程で使用される
レジスト塗布現像処理システムのウエハＷの搬送装置、
搬送方法に適用した例であったが、本発明は処理ユニッ
トを複数有し、これら処理ユニット間で被処理基板を搬
送する必要がある他の処理システムの搬送装置、搬送方
法についても適用可能である。また被処理基板も前記し
た半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板、フォ
トマスク、各種のプリント基板、セラミック基板であっ
てもよい。

【００７７】

【発明の効果】本発明の搬送方法によれば、移動距離の
長短や処理の種類に応じて搬送時の加速度や減速度を変
化させるようにしたので、搬送時における搬送手段の振
動の発生を抑えることができる。

【００７８】本発明の搬送方法によれば、被処理基板の
状態に応じた最適な搬送を実現することができ、処理液
等の付着に起因する汚染の防止と、高速搬送とをバラン
スよく実現することができる。

【００７９】本発明の搬送装置によれば、本発明の搬送
方法を実施することができ、処理液等の付着に起因する
汚染の防止と、高速搬送とをバランスよく実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置を備え
た塗布現像処理システムの全体構成を示す平面説明図で
ある。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面説明図であ
る。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面説明図であ
る。

【図４】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置を有す
る主ウエハ搬送機構の要部の構成を示す略斜視図であ
る。

【図５】図４の主ウエハ搬送機構の縦断面の説明図であ
る。

【図６】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置の平面
説明図である。

【図７】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置の側面
説明図である。

【図８】図４の主ウエハ搬送機構の平面断面の説明図で
ある。

【図９】図４の主ウエハ搬送機構の側面断面の説明図で
ある。

【図１０】図１の塗布現像処理システムに備えられたア
ドヒージョンユニットの正面断面の説明図である。

【図１１】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置の昇
降動作を示す図であって、ウエハ搬送装置が相対的高速
で下降開始する状態を示す側面説明図である。

【図１２】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置の昇
降動作を示す図であって、ウエハの下面が支持ピンの頂
上部に接近して下降速度を相対的低速に切り換える時点
の状態を示す側面説明図である。

【図１３】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置の動
作を示す図であって、ウエハの下面が支持ピンの頂上部
に接触した時点の状態を示す側面説明図である。

【図１４】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置の動
作を示す図であって、ウエハが完全に支持ピンに担持さ
れてピンセットの保持部が支持ピンから僅かに離隔し
て、下降速度を相対的高速に切り換える状態を示す側面
説明図である。

【図１５】本発明の実施例にかかるウエハ搬送装置の動
作を示す図であって、ピンセットが所定の降下点まで下
降した状態を示す側面説明図である。

【図１６】従来技術のレジスト塗布現像処理システムの
斜視図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １１ 処理部 ２２ 主ウエハ搬送機構 ３３ 筒状支持体 ３４ ウエハ搬送装置 ４０ 搬送基台 ４１、４２、４３ ピンセット ４１ａ 保持部 ８２ 熱板 ８８ 支持ピン ＡＤ アドヒージョンユニット Ｇ₁〜Ｇ₅ 処理ユニット群 Ｗ ウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 成昭 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社熊本事業所 内 (72)発明者 大倉 淳 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社熊本事業所 内 (56)参考文献 特開 平５−144692（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−224233（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−345262（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163492（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307373（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142382（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/027 H01L 21/304 H01L 21/306 - 21/308 H01L 21/465 - 21/467 H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/469 H01L 21/86

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に処理を施す処理装置を複数
   備え，かつ少なくとも被処理基板に処理液を塗布する塗
   布処理装置を備えた処理システム内において、一の処理
   装置での処理が終了した被処理基板を搬送手段で保持し
   て、前記処理の次処理を行う他の処理装置まで搬送する
   方法において、 前記一の処理装置での処理の種類に応じて、前記搬送手
   段による前記他の処理装置までの搬送時の搬送速度を変
   化させることを特徴とする、搬送方法。
2. 【請求項２】 被処理基板に処理を施す処理装置を複数
   備えた処理システム内において、一の処理装置での処理
   が終了した被処理基板を搬送手段で保持して、前記処理
   の次処理を行う他の処理装置まで搬送する方法におい
   て、 前記搬送手段は被処理基板の保持方法が異なる複数の保
   持手段を有し， 前記一の処理装置での処理の種類に応じて、前記搬送手
   段における被処理基板の保持方法を替えると共に、前記
   保持方法に応じて前記他の処理装置までの搬送時の搬送
   速度を変化させることを特徴とする、搬送方法。
3. 【請求項３】 被処理基板に処理を施す処理装置を備え
   た処理システム内で，前記被処理基板を搬送手段で保持
   して搬送する方法において， 前記搬送手段は筒状支持体の内側に装備され，かつ前記
   筒状支持体の内側を上下方向に昇降自在でかつ前記筒状
   支持体と共に水平方向にも回転自在に構成されており， 前記搬送手段の移動距離に応じて，前記搬送手段による
   搬送の際の加速度又は減速度の少なくともいずれかを変
   化させることを特徴とする，搬送方法。
4. 【請求項４】 被処理基板に処理を施す処理装置を備え
   た処理システム内で，前記被処理基板を搬送手段で保持
   して搬送する方法において， 前記搬送手段は筒状支持体の内側に装備され，かつ前記
   筒状支持体の内側を上下方向に昇降自在でかつ前記筒状
   支持体と共に水平方向にも回転自在に構成され，さらに
   前記搬送手段は被処理基板を保持しつつ水平方向前後に
   摺動自在に構成された保持手段を有し， 前記搬送手段の移動距離に応じて，前記搬送手段又は保
   持手段による搬送の際の加速度又は減速度の少なくとも
   いずれかを変化させることを特徴とする，搬送方法。
5. 【請求項５】 被処理基板の処理を施す処理装置を複数
   備えた処理システム内において，一の処理装置での処理
   が終了した被処理基板を搬送手段で保持して，前記処理
   の次処理を行う他の処理装置まで搬送する方法におい
   て， 前記搬送手段は前記被処理基板の周辺部を保持する第１
   の保持部と前記被処理基板の下面のみに当接してこの被
   処理基板を保持する第２の保持部とを有し， 前記一の処理装置での処理の種類に応じて，前記搬送手
   段における被処理基板の保持方法を前記第１の保持部で
   の保持の場合と前記第２の保持部での保持の場合とで替
   えると共に，前記他の処理装置までの搬送時の搬送速度
   を前記第１の保持部での保持の場合と前記第２の保持部
   での保持の場合とで変化させることを特徴とする，搬送
   方法。
6. 【請求項６】 被処理基板を搬送する搬送装置であっ
   て， 筒状支持体の内側に装備され，前記筒状支持体の内側を
   上下方向に昇降自在でかつ前記筒状支持体と共に水平方
   向にも回転自在に構成された搬送手段と， 前記搬送手段の移動距離に応じて，前記搬送手段による
   搬送の際の加速度又は減速度の少なくともいずれかを制
   御可能な制御装置とを有することを特徴とする，搬送装
   置。
7. 【請求項７】 被処理基板に処理を施す処理装置を複数
   備えた処理システム内において，一の処理装置での処理
   が終了した被処理基板を搬送手段で保持して，前記処理
   の次処理を行う他の処理装置まで搬送するための装置で
   あって， 前記被処理基板の周辺部を保持する保持部を備えた第１
   のアーム及び第２のアームと，さらに被処理基板の下面
   のみに当接してこの被処理基板を保持する保持部を備え
   た第３のアームと， 前記一の処理装置での処理の種類に応じて，前記第１の
   アーム及び前記第２のアームでの保持と，前記第３のア
   ームでの保持とを選択すると共に，前記他の処理装置ま
   での搬送時の搬送速度を前記第１のアーム及び前記第２
   のアームでの保持の場合と，前記第３のアームでの保持
   の場合とで変更させる 制御装置とを有することを特徴と
   する，搬送装置。
8. 【請求項８】 被処理基板を保持して搬送するための装
   置であって，この被 処理基板の周辺部を保持する保持部
   を備えた第１のアーム及び第２のアームを有する搬送装
   置において， 被処理基板の下面のみに当接してこの被処理基板を保持
   する保持部を備えた第３のアームを有し，この第３のア
   ームの保持部の少なくとも上面は摩擦係数の高い材質で
   構成されている ことを特徴とする，搬送装置。