JP3445757B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法

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    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
て例えば現像液等の処理液の液膜を形成して現像処理な
どを行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるフォ
トリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ（以下ウ
エハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジ
ストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所
定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連
の処理は、塗布／現像部に露光部を接続した塗布・現像
装置により行われる。
【０００３】図１６はこのような装置の従来例を示す平
面図であり、１１０はカセットステ−ジ１を備えたカセ
ットステ−ション、１２０はウエハＷにレジストを塗布
するための塗布ステ−ション、１３０はウエハＷの現像
処理を行うための現像ステ−ション、１５０はウエハＷ
の露光を行う露光ステ−ションであり、１４０は現像ス
テ−ション１３０と露光ステ−ション１５０との間でウ
エハＷの受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−
ション１４０である。
【０００４】前記カセットステ−ション１１０のカセッ
トステ−ジ１には例えばウエハＷを２５枚収納した基板
カセット１００が搬入され、カセット１００内のウエハ
Ｗは、受け渡しア−ム１０により取り出されて塗布ステ
−ション１２０に送られるように構成されている。
【０００５】前記塗布ステ−ション１２０は、ウエハＷ
が多段に載置される棚ユニットを３個（１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ）を備えると共に、ウエハＷにレジスト液を
塗布する例えば４個の塗布ユニット１Ａと、ウエハ搬送
手段１２ａとを備えている。また前記現像ステ−ション
１３０は、例えば２個の棚ユニット１３ａ，１３ｂと、
露光後のウエハＷを現像する例えば４個の現像ユニット
１Ｂと、ウエハ搬送手段１２ｂとを備えている。
【０００６】前記棚ユニット１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，
１３ａの各棚には、例えば図１７に棚１１ａを代表して
示すように、例えば加熱部、冷却部、ウエハＷの受け渡
し部、疎水化処理部などが割り当てられている。また棚
ユニット１３ｂの各棚には、後述するＣＨＰ（Chill h
ot plate）装置が縦に配列されている。またウエハ搬
送手段１２ａ，１２ｂは、進退自在、水平方向に回転自
在、昇降自在に構成されており、夫々棚ユニット１１
ａ，１１ｂ，１１ｃと塗布ユニット１Ａとの間、あるい
は棚ユニット１１ｃ，１３ａ，１３ｂと現像ユニット１
Ｂとの間でウエハＷを搬送するようになっている。なお
１４は受け渡しア−ムである。
【０００７】前記ＣＨＰ装置について図１８により簡単
に説明すると、図中１５は処理室であり、この処理室１
５の側壁の一部にはウエハ搬入出口１５ａが形成されて
いる。１６はウエハＷを表面に載置して加熱するための
加熱プレ−トであり、この加熱プレ−ト１６にはウエハ
受け渡し用の突出ピン１７が設けられている。また１８
はウエハＷを表面に載置して冷却するための冷却プレ−
トであり、この冷却プレ−ト１８は搬送手段１９の上部
に取り付けられていて、この搬送手段１９により加熱プ
レ−ト１６の上方側の位置とウエハ搬入出口１５ａ側か
ら見て加熱プレ−ト１６の奥側の位置との間で移動可能
に構成されている。
【０００８】このような塗布・現像装置のウエハＷの流
れについて説明すると、ウエハＷは先ず疎水化処理が行
われた後、塗布ユニット１Ａにてレジスト液が塗布さ
れ、レジスト膜が形成される。そしてレジスト膜が塗布
されたウエハＷは、インタ−フェイスステ−ション１４
０を介して露光ステ−ション１５０に送られ、ここでパ
タ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。その
後ウエハＷは現像ユニット１Ｂに送られて現像処理さ
れ、こうしてレジストマスクが形成されたウエハＷはカ
セットステ−ジ上のカセットＣ内に戻される。
【０００９】ここで現像ステ−ション１３０において
は、ウエハＷに現像処理を行う前に、ウエハＷを加熱
後、冷却して所定温度に維持しており、この際オ−バ−
ベ−クを防止するために、この処理を前記ＣＨＰ装置に
て行っている。具体的には、例えば図１８（ａ）に示す
ように、ウエハＷを加熱プレ−ト１６に載置して加熱
し、次いで図１８（ｂ），（ｃ）に示すように、突出ピ
ン１７を上昇させてウエハＷを加熱プレ−ト１６から浮
上させ、次いで搬送手段１９により冷却プレ−ト１８を
加熱プレ−ト１６側に進行させてウエハＷの下方側に位
置させると共に、突出ピン１７を下降させてウエハＷを
冷却プレ−ト１８に受け渡し、この後図１８（ｄ）に示
すように、冷却プレ−ト１８を元の位置まで退行させて
ウエハＷの冷却を行なう。
【００１０】この際加熱プレ−ト１６と冷却プレ−ト１
８との間に専用の搬送手段１９を設け、加熱プレ−ト１
６と冷却プレ−ト１８との間でウエハＷを受け渡しを行
うことによりウエハＷの加熱時間を制御しているので、
オ−バ−ベ−クが防止される。
【００１１】こうして冷却されたウエハＷは、図１８
（ｅ）に示すように、冷却プレ−ト１８上に載置された
状態で搬送手段１９により加熱プレ−ト１６の上方側を
通ってウエハ搬出入口１５ａを介してウエハ搬送手段１
２ｂに受け渡され、続いて現像ユニット１Ｂに搬送され
て現像処理が行われる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のＣ
ＨＰ装置では、冷却後のウエハＷをウエハ搬送手段１２
ｂに受け渡す際に、ウエハＷが加熱プレ−ト１６の上方
側を通過するが、このときにウエハＷが再加熱されるの
で、当該ウエハＷの温度が変化するおそれがあり、ウエ
ハＷの温度の高精度に維持することが困難であるという
問題がある。
【００１３】またスル−プット向上の観点からＣＨＰ装
置を多段に設ける構成が用いられているが、このように
ＣＨＰ装置が多数になると、ＣＨＰ装置同士の間でウエ
ハＷの処理温度にばらつきが生じてしまう。一方ＣＨＰ
装置からのウエハＷは開いている現像ユニット１Ｂに搬
送され、どのＣＨＰ装置からどの現像ユニット１Ｂに搬
送されるか決まっていないので、ある現像ユニットに搬
入されるウエハＷの温度にばらつきが発生してしまう。
【００１４】このように現像処理を行おうとするウエハ
Ｗの温度にばらつきがあると、温度が現像処理の進行状
態に影響を与えるので、処理が不均一となり、歩留まり
が悪化するという問題がある。
【００１５】またＣＨＰ装置同士の間でのウエハＷの処
理温度のばらつきの発生を抑えるために、高精度の温度
管理を行うことができる冷却プレ−トを設けることも考
えられるが、このような冷却プレ−トは高コストである
ので、各ＣＨＰ装置に高精度な冷却プレ−トを設けると
コスト的に問題がある。
【００１６】さらにＣＨＰ装置はウエハＷが載置される
大きさの加熱プレ−ト１６及び冷却プレ−ト１８と専用
の搬送手段１９とを備えており、装置自体が大きく、重
いので、ＣＨＰ装置を多段に設ける構成では、塗布・現
像装置がかなり大型化してしまうという問題がある。
【００１７】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、基板の温度を高精度に維持する
ことにより、基板温度が原因となる基板処理部における
処理のばらつきの発生を抑え、高い歩留まりを得ること
ができる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること
にある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】このため本発明の基板処
理装置は、基板を加熱するための複数の加熱部と、前記
加熱部にて加熱された基板を第１の温度以下の温度に冷
却するための、前記加熱部と同数あるいは加熱部より少
ない数の第１の冷却部と、前記第１の冷却部にて冷却さ
れた基板を第１の温度よりも低い第２の温度に冷却する
ための第２の冷却部と、前記第２の冷却部にて冷却され
た基板に対して処理液の液膜を供給するための複数の基
板処理部と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】この発明によれば、加熱後の基板を先ず第
１の冷却部により冷却して粗熱を取り、この第２の冷却
部にて第２の温度まで冷却しているので、基板の温度を
高精度に制御できるので、基板温度が原因となる基板処
理部における処理のばらつきが抑えられ、高い歩留まり
を得ることができる。
【００２０】また本発明は、前記加熱部と前記第１の冷
却部との間で基板を搬送するための第１の基板搬送手段
と、前記第１の冷却部と前記第２の冷却部との間で基板
を搬送するための第２の基板搬送手段と、を備えるよう
にしてもよく、この場合には加熱部における加熱時間が
第１の基板搬送手段により制御できる。
【００２１】さらに本発明は、複数の基板処理部に対し
て共通の第２の冷却部を備えるようにしてもよく、この
場合には、第２の冷却部における基板の冷却のばらつき
が発生しないので、より処理の均一性が高められる。
【００２２】さらにまた本発明は、基板処理部と、この
基板処理部専用の第２の冷却部と、を備えるようにして
もよく、この場合には仮に複数の第２の冷却部において
冷却温度のばらつきが発生したとしても、第２の冷却部
における冷却温度に応じた条件で基板に対して処理液の
液膜を形成することができるので、結果として均一な処
理を行うことができる。
【００２３】さらにまた本発明では、前記第２の冷却部
と前記基板処理部との間で基板を搬送するための第３の
基板搬送手段を備えるように構成してもよいし、前記第
２の基板搬送手段により前記第２の冷却部と前記基板処
理部との間で基板を搬送するようにしてもよい。また前
記基板処理部の一例は、基板表面に対して現像液の液膜
を形成するものであり、前記第２の冷却部と前記基板処
理部とを同一雰囲気内に置かれるように構成してもよ
い。
【００２４】また本発明の基板処理方法は、複数の加熱
部にて基板を加熱する工程と、前記加熱部にて加熱され
た基板を、前記加熱部と同数あるいは少ない数の第１の
冷却部にて第１の温度以下の温度に冷却する工程と、前
記第１の冷却部にて冷却された基板を第２の冷却部にて
第１の温度よりも低い第２の温度に冷却する工程と、前
記第２の冷却部にて冷却された基板に対して、複数の基
板処理部において処理液を供給する工程と、を備えたこ
とを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に本発明を基板の塗布、現像
装置に適用した実施の形態について説明する。図１はこ
の実施の形態の内部を透視して示す概観図、図２は概略
平面図である。図中Ｓ１はカセットステ−ション、Ｓ２
はウエハＷにレジストを塗布するための塗布ステ−ショ
ン、Ｓ３はウエハＷの現像処理を行うための現像ステ−
ション、Ｓ４はインタ−フェイスステ−ション、Ｓ４は
露光ステ−ションであり、この実施の形態では現像ステ
−ションＳ３に本発明の基板処理装置を適用している。
【００２６】カセットステ−ションＳ１は、複数の基板
例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば４個のウエハ
カセット（以下「カセット」という）２２を載置するカ
セットステ−ジ２１と、カセットステ−ジ２１上のカセ
ット２２と後述する塗布ステ−ションＳ２の受け渡し部
との間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡しア
−ム２３とを備えている。受け渡しア−ム２３は、昇降
自在、Ｘ，Ｙ方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在
に構成されている。
【００２７】塗布ステ−ションＳ２は、例えば２段に積
み重ねて構成された４個の塗布ユニット２４と多段の棚
を有する２個の棚ユニットＲ１，Ｒ２と、基板搬送手段
であるウエハ搬送手段Ａ１と、を備えている。塗布ステ
−ションＳ２内のレイアウトについては、塗布ステ−シ
ョンＳ２内におけるカセットステ−ションＳ１側には一
方の棚ユニットＲ１が設けられており、カセットステ−
ションＳ１から見て棚ユニットＲ１の奥側にウエハ搬送
手段Ａ１が配置されている。なお以後の説明ではカセッ
トステ−ションＳ１側を手前側、露光ステ−ションＳ５
側を奥側として述べることにする。他方の棚ユニットＲ
２はカセットステ−ションＳ１側から見てウエハ搬送手
段Ａ１の左側に、また塗布ユニット２４はウエハ搬送手
段Ａ１の右側に配置されており、ウエハ搬送手段Ａ１に
よって棚ユニットＲ１，Ｒ２及び塗布ユニット２４に対
してウエハＷの受け渡しが行われる。
【００２８】前記棚ユニットＲ１（Ｒ２）は、図３に棚
ユニットＲ１を代表して示すように、ウエハＷを加熱す
るための加熱部２５、ウエハＷを冷却するための冷却部
２６、ウエハ表面を疎水化するための疎水化部２７が縦
に配列されており、一方の棚ユニットＲ１においては、
カセットステ−ションＳ１の受け渡しア−ム２３とウエ
ハ搬送手段Ａ１との間でウエハＷの受け渡しを行うため
の受け渡し台を備えた受け渡し部２８とウエハＷの位置
合わせを行うためのアライメント部２９とが設けられて
いる。
【００２９】現像ステ−ションＳ３は、ウエハＷを加熱
する加熱部３と、加熱後のウエハＷを第１の温度以下の
温度に冷却する第１の冷却部４と、ウエハＷを第１の温
度よりも低い第２の温度に冷却する第２の冷却部５と、
ウエハＷに現像液を液盛りして現像を行う基板処理部で
ある現像ユニット６と、ウエハＷを搬送するための、第
１の搬送手段である搬送ア−ムＢと、第２の基板搬送手
段であるウエハ搬送手段Ａ２と、を備えており、塗布ス
テ−ションＳ２とインタ−フェイスステ−ションＳ４と
の間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、当該ステ−シ
ョンＳ３内では、先ずウエハＷを加熱部３にて所定の温
度まで加熱した後、第１の冷却部４にて第１の温度以下
の温度にまで冷却し、次いで第２の冷却部５にて第２の
温度に冷却し、この後現像ユニット６にて現像を行うよ
うに構成されている。
【００３０】この例では、加熱部３は、多段に積み重ね
て構成された２個の加熱ユニットＨ１，Ｈ２に組み込ま
れており、また第１の冷却部４は、多段に積み重ねて構
成され、前記加熱ユニットＨ１，Ｈ２に夫々対応して設
けられた２個の冷却ユニットＣ１，Ｃ２に組み込まれて
いる。また第２の冷却部５と現像ユニット６とは１つの
処理室Ｅ内に収納され、例えば４個の処理室Ｅ（Ｅ１，
Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４）が設けられている。さらに加熱ユニ
ットＨ１と冷却ユニットＣ１との間、加熱ユニットＨ２
と冷却ユニットＣ２との間で夫々ウエハＷの受け渡しを
行うための２個の搬送ア−ムＢ１，Ｂ２と、第２の冷却
部５と現像ユニット６との間でウエハＷの受け渡しを行
うための専用の４個の搬送ア−ムＤ（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ
３，Ｄ４（Ｄ３，Ｄ４は図示せず））とが設けられてい
る。ここで搬送ア−ムＤは第３の基板搬送手段をなすも
のである。
【００３１】現像ステ−ションＳ３内のレイアウトの一
例については、現像ステ−ションＳ３内におけるカセッ
トステ−ションＳ１側には一方の冷却ユニットＣ１が設
けられており、この冷却ユニットＣ１の奥側にウエハ搬
送手段Ａ２が配置される。他方の冷却ユニットＣ２はカ
セットステ−ションＳ１側から見てウエハ搬送手段Ａ２
の奥側に、また加熱ユニットＨ１，Ｈ２はウエハ搬送手
段Ａ２の左側にユニットＨ１を手前にして並んで配置さ
れており、搬送ア−ムＢ１は冷却ユニットＣ１の左側の
加熱ユニットＨ１の手前側に、搬送ア−ムＢ２は冷却ユ
ニットＣ２の左側の加熱ユニットＨ２の奥側に夫々配置
されている。
【００３２】また処理室Ｅ（Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４）
は、カセットステ−ションＳ１側から見てウエハ搬送手
段Ａ２の右側に配置されており、図２により処理室Ｅ内
を説明すると、第２の冷却部５（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５
Ｄ（５Ｃ，５Ｄは図示せず））はカセットステ−ション
Ｓ１側から見てウエハ搬送手段Ａ２の右側に、冷却部５
Ａ（５Ｃ）を手前にして並んで配置されており、搬送ア
−ムＤ１（Ｄ３）は冷却部５Ａ（５Ｃ）の右側に、搬送
ア−ムＤ２（Ｄ４）は冷却部５Ｂ（５Ｄ）の右側に夫々
配置されている。さらに現像ユニット６（６Ａ，６Ｂ，
６Ｃ，６Ｄ（６Ｃ，６Ｄは図示せず））にあっては、現
像ユニット６Ａ（６Ｃ）はカセットステ−ションＳ１側
から見て冷却部５Ａ（５Ｃ）の手前側に、現像ユニット
６Ｂ（６Ｄ）は冷却部５Ｂ（５Ｄ）の奥側に夫々配置さ
れている。
【００３３】前記加熱ユニットＨ１（Ｈ２）は、図４に
加熱ユニットＨ１を代表して示すように、ウエハＷを加
熱するための例えば６個の加熱部３が縦に配列されてお
り、この加熱部３は例えば図５に示すように、例えば抵
抗発熱体よりなるヒ−タ３２が内蔵された加熱プレ−ト
３１を備えており、ヒ−タ３２により加熱された加熱プ
レ−ト３１の表面にウエハＷを載置することにより、当
該ウエハＷが所定温度に加熱されるようになっている。
また加熱プレ−ト３１には当該加熱プレ−ト３１の表面
に対してウエハＷの受け渡し行うための、昇降機構３４
により昇降される昇降ピン３３が設けられている。 ま
た前記冷却ユニットＣ１（Ｃ２）は、図４に冷却ユニッ
トＣ１を代表して示すように、ウエハＷを冷却するため
の例えば３個の第１の冷却部４が縦に配列されており、
この第１の冷却部４は例えば図５に示すように、加熱プ
レ−ト３１の代わりに冷却プレ−ト４１が設けられる以
外には加熱部３とほぼ同様に構成されている。前記冷却
プレ−ト４１は内部に図示しない冷媒流路を備えてお
り、冷媒の通流によって冷却された冷却プレ−ト４１の
表面にウエハＷを載置することにより、当該ウエハＷが
第１の温度以下の温度まで冷却されるようになってい
る。図中４２は昇降ピン、４３は昇降機構である。
【００３４】また冷却ユニットＣ１（Ｃ２）において
は、冷却ユニットＣ１にあってはウエハ搬送手段Ａ２と
塗布ステ−ションＳ２のウエハ搬送手段Ａ１との間でウ
エハＷの受け渡しを行ない、また冷却ユニットＣ２にあ
ってはウエハ搬送手段Ａ２と後述するインタ−フェイス
Ｓ４のウエハ搬送ア−ムとの間でウエハＷの受け渡しを
行なうための受け渡し台を備えた受け渡し部４４が設け
られている。
【００３５】続いて第２の冷却部５と現像ユニット６と
を備えた処理室Ｅの構成について図４，図６及び図７を
参照しながら簡単に述べるが、図６には処理室Ｅ１が代
表して示されている。処理室Ｅ１は例えばウエハ搬送手
段Ａ２の搬送ア−ム７１に対応する位置にウエハＷの搬
出入口５０が形成されており、この搬出入口５０側に第
２の冷却部５Ａが配置され、搬出入口５０側から見て第
２の冷却部５の奥側に現像ユニット６Ａが配置されてい
る。
【００３６】第２の冷却部５は、例えば内部にヒ−タと
冷媒流路とが組み合わせて設けられた温調プレ−ト５１
と、この温調プレ−ト５１の表面に設けられた例えばア
ルミニウムよりなる冷却プレ−ト５２とをこの順で積み
重ねて構成され、例えば冷却プレ−ト５２の表面の温度
を検出部５３により検出し、この検出値に基づいて制御
部５４により温調プレ−ト５１の温度が調節され、こう
して冷却プレ−ト５２が所定の温度に制御されるように
なっている。
【００３７】そして冷却プレ−ト５２の表面にウエハＷ
を載置し、冷却プレ−ト５２の温度を温調プレ−ト５１
により制御することにより、ウエハＷは温度制御された
状態で第１の温度よりも低い第２の温度まで冷却され
る。また冷却プレ−ト５２には当該冷却プレ−ト５２の
表面に対してウエハＷの受け渡し行うための、昇降機構
５６により昇降される昇降ピン５５が設けられている。
【００３８】また現像ユニット６について、例えば図８
に基づいて説明すると、６１はカップであり、このカッ
プ６１内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャ
ック６２が設けられている。このスピンチャック６２は
昇降機構６３により昇降自在に構成されており、カップ
６１の上方側に位置しているときに、後述する搬送ア−
ムＤのア−ムＤＡとの間でウエハＷの受け渡しが行われ
る。
【００３９】このウエハＷの受け渡しについては、ア−
ムＤＡがスピンチャック６２上方に進入し、ア−ムＤＡ
上のウエハＷをスピンチャック６２がその下方側から相
対的に上昇して受取り、またその逆の動作によってスピ
ンチャック６２側からア−ムＤＡに受け渡される。６４
は例えばウエハＷの直径方向に配列された多数の供給孔
を備えた吐出ノズル、６５は現像液供給管、６６はノズ
ルを水平移動させる支持ア−ムであり、このような現像
ユニット６では、スピンチャック６２上のウエハＷの表
面に吐出ノズル６４から処理液である現像液を吐出し、
スピンチャック６２を半回転させることによりウエハＷ
上に現像液の液盛りが行われ、現像液の液膜が形成され
る。
【００４０】なお前記塗布ユニット２４は現像ユニット
６とほぼ同一の構成であるが、例えば吐出ノズル６４は
ウエハＷの中央部付近にレジスト液を滴下するように構
成され、スピンチャック６２上のウエハＷ表面の回転中
央付近に吐出ノズル６４からレジスト液を滴下し、スピ
ンチャック６２を回転させてレジスト液をウエハＷ上に
伸展させ塗布するようになっている。
【００４１】処理室Ｅ１の第１の冷却部５Ａと現像ユニ
ット６Ａとの間には、これらの間でウエハＷの受け渡し
が行われるように、ア−ムＤＡが例えば鉛直軸まわりに
回転自在、進退自在に構成された搬送ア−ムＤが設けら
れている。
【００４２】前記ウエハ搬送手段Ａ１，Ａ２は同一に構
成され、例えば図９に示すように、ウエハＷを保持する
ア−ム７１と、このア−ム７１を進退自在に支持する基
台７２と、この基台７２を昇降自在に支持する一対の案
内レ−ル７３，７４と、これら案内レ−ル７３，７４の
上端及び下端を夫々連結する連結部材７５，７６と、案
内レ−ル７３，７４及び連結部材７５，７６よりなる枠
体を鉛直軸まわりに回転自在に駆動するために案内レ−
ル下端の連結部材７６に一体的に取り付けられた回転駆
動部７７と、案内レ−ル上端の連結部材７５に設けられ
た回転軸部７８と、を備えている。
【００４３】ア−ム７１は、夫々ウエハＷを保持し得る
ように３段構成になっており、その各段に夫々設けられ
た例えば３片の爪部７９の上にウエハＷの周縁を載せる
ようになっている。ア−ム７１の基端部は基台７２の長
手方向に設けられた案内溝７０に沿ってスライド移動し
得るようになっている。そのスライド移動によるア−ム
７１の進退移動は、図示しない駆動手段により駆動制御
される。また基台７２の昇降移動は、図示しない別の駆
動手段により駆動制御される。従ってそれら２つの図示
しない駆動手段、案内溝７０、前記案内レ−ル７３，７
４及び前記回転駆動部７７は、ア−ム７１を鉛直軸まわ
りに回転自在かつ昇降自在かつ進退自在に駆動する駆動
部を構成している。なお７９ａは、ア−ム７１の上にウ
エハＷが有るか無いかを検出する光センサを取り付けた
センサ支持部材であり、基台７２に固定されている。
【００４４】前記搬送ア−ムＢ１（Ｂ２）は、加熱ユニ
ットＨ１（Ｈ２）と冷却ユニットＣ１（Ｃ２）との間で
ウエハＷの受け渡しが行われるように、例えばア−ムＢ
Ａが昇降自在、鉛直軸まわりに回転自在、進退自在に構
成されており、この搬送ア−ムＢ１（Ｂ２）は加熱ユニ
ットＨ１（Ｈ２）の全ての加熱部３と、冷却ユニットＣ
１（Ｃ２）の全ての第１の冷却部４及び受け渡し部４４
にアクセスできるようになっている。
【００４５】こうしてウエハ搬送手段Ａ２によって加熱
ユニットＨ１，Ｈ２、冷却ユニットＣ１，Ｃ２及び第２
の冷却部５に対してウエハＷの受け渡しが行われ、搬送
ア−ムＢ１，Ｂ２によって加熱ユニットＨ１，Ｈ２と冷
却ユニットＣ１，Ｃ２に対してウエハＷの受け渡しが行
われ、搬送ア−ムＤ（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４）によっ
て第２の加熱部５（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ）と現像ユ
ニット６（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）に対してウエハＷ
の受け渡しが行われる。
【００４６】さらに現像ステ−ションＳ３は、塗布ユニ
ットＳ２とインタ−フェイスステ−ションＳ４とは空間
が閉じられている。つまり左右が装置本体の外装体であ
る壁部分であり、隣の塗布ユニットＳ２とインタ−フェ
イスステ−ションＳ４との間に夫々仕切り壁２１０，２
２０が設けられ（図１、図１０参照）、更に天井部にフ
ィルタユニットＦを通って中に入っていくように構成さ
れているということであり、フィルタユニットＦは例え
ば処理室Ｅ１，Ｅ２の上方側を覆うように設けられてい
る。図１０中２００はウエハＷの受け渡し口である。
【００４７】フィルタユニットＦは、空気を清浄化する
ためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアンモニ
ア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されてい
る化学フィルタ、吸い込みファン、及び加熱機構や加湿
機構などを備えており、清浄化され、アルカリ成分が除
去され、所定の温度及び湿度に調整された空気を下方側
の処理空間内に送出するようになっている。例えばレジ
スト液として化学増幅型のレジストを用いた場合には、
現像処理雰囲気にアルカリ成分が入り込みことを防止す
る必要があるので、現像ステ−ションＳ３内を閉じた空
間とし、化学フィルタを用いて外部からのアルカリ成分
の侵入を防いでいる。
【００４８】なお化学増幅型のレジストは露光すること
により酸が生成し、この酸が加熱処理により拡散して触
媒として作用し、レジスト材料の主成分であるベ−ス樹
脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶
化するものである。従ってこの種のレジストを用いた場
合、空気中に含まれている微量なアンモニアや壁の塗料
などから発生するアミンなどのアルカリ成分がレジスト
表面部の酸と接触すると酸による触媒反応が抑制され、
パタ−ンの形状が劣化するためアルカリ成分を除去する
必要がある。
【００４９】装置全体の説明に戻ると、現像ステ−ショ
ンＳ３の隣にはインタ−フェイスステ−ションＳ４が接
続され、このインタ−フェイスステ−ションＳ４の奥側
には、レジスト膜が形成されたウエハＷに対して露光を
行うための露光ステ−ションＳ５が接続されている。イ
ンタ−フェイスステ−ションＳ４は、現像ステ−ション
Ｓ３と露光ステ−ションＳ５との間でウエハＷの受け渡
しを行うための受け渡しア−ムＩＳＡやバッファカセッ
トＢＦＣなどが設けられている。
【００５０】次に上述の実施の形態の作用について説明
する。先ず自動搬送ロボット（あるいは作業者）により
例えば２５枚のウエハＷを収納したカセット２２がカセ
ットステ−ジ２１に搬入され、受け渡しア−ム２３によ
り、カセット２２内からウエハＷが取り出されて塗布ス
テ−ションＳ２の棚ユニットＲ１内の受け渡し部２８に
置かれる。このウエハＷは疎水化部２７で疎水化された
後、塗布ユニット２４に搬送され、レジストが塗布され
る。続いて棚ユニットＲ１またはＲ２の加熱部２５で加
熱され、冷却部２６で冷却された後、棚ユニットＲ１の
受け渡し部２８を介してウエハ搬送手段Ａ１に受け渡さ
れる。なおレジストの塗布処理に比べて加熱冷却に要す
る時間が長いため、加熱部２５、冷却部２６の数を多く
してある。
【００５１】このように塗布ステ−ションＳ２で一連の
処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送手段Ａ１から現
像ステ−ションＳ３の冷却ユニットＣ１の受け渡し部４
４→ウエハ搬送手段Ａ２→冷却ユニットＣ２の受け渡し
部４４→インタ−フェイスステ−ションＳ４の受け渡し
ア−ムＩＳＡ→露光ステ−ションＳ５の経路で搬送さ
れ、露光ステ−ションＳ５にて露光が行われる。
【００５２】露光後のウエハＷは逆の経路、つまり露光
ステ−ションＳ５→インタ−フェイスステ−ションＳ４
の受け渡しア−ムＩＳＡ→冷却ユニットＣ２の受け渡し
部４４→ウエハ搬送手段Ａ２の経路にて現像ステ−ショ
ンＳ３に搬送され、先ずウエハ搬送手段Ａ２により加熱
ユニットＨ１（Ｈ２）の加熱部３に搬送されて、加熱部
３にて所定の温度例えば１００〜１５０℃に加熱され
る。つまり所定温度に維持された加熱プレ−ト３１の表
面にウエハＷを予め決定された時間載置することにより
ウエハＷは所定温度まで加熱される。次いで搬送ア−ム
Ｂ１（Ｂ２）により所定のタイミングで対応する冷却ユ
ニットＣ１（Ｃ２）の第１の冷却部４に搬送されるが、
この時ウエハＷは加熱部３における加熱時間に応じたタ
イミングで搬送ア−ムＢ１（Ｂ２）に受け渡されるの
で、ウエハＷのオ−バ−ベ−クが防止される。 第１の
冷却部４では、例えば所定の温度に維持された冷却プレ
−ト４１表面に予め決定された時間ウエハＷを載置する
ことによりウエハＷの冷却が行われ、こうしてウエハＷ
は第１の温度例えば４０℃以下の温度まで冷却される。
続いてウエハＷはウエハ搬送手段Ａ２により所定のタイ
ミングで第２の冷却部５に搬送され、この場合も第１の
冷却部４における冷却時間に応じたタイミングでウエハ
Ｗがウエハ搬送手段Ａ２に受け渡されるので、これによ
りウエハＷの冷却時間が制御される。
【００５３】第２の冷却部５では、冷却プレ−ト５２の
表面にウエハＷを載置することによりウエハＷの冷却が
行われ、第１の冷却部４にて粗熱が取られたウエハＷは
第１の温度よりも低い第２の温度例えば２３℃程度まで
冷却される。この際冷却プレ−ト５２の温度は温調プレ
−ト５１により制御されており、こうしてウエハＷは第
２の温度まで高精度に制御された状態で冷却される。こ
のようにして冷却されたウエハＷは搬送ア−ムＤにより
第２の冷却部５に対応する現像ユニット６に搬送され、
当該ユニット６にて現像処理される。
【００５４】ここでこのステ−ションＳ３では、露光後
のウエハＷを加熱ユニットＨ１，Ｈ２のどちらに搬送し
てもよい。なお現像液の液盛り処理に比べて加熱冷却に
要する時間が長いため、加熱部３や第１の冷却部４の数
を多くしてある。
【００５５】その後ウエハＷは搬送ア−ムＤ→第２の冷
却部５→ウエハ搬送手段Ａ２→冷却ユニットＣ１の受け
渡し部４４→ウエハ搬送手段Ａ１→棚ユニットＲ１の受
け渡し部２８を介して例えば元のカセット２２内に戻さ
れる。また例えば第２の冷却部５とウエハＷの受け渡し
台を備えた受け渡し部（図示せず）とを２段に積み重ね
て構成し、現像処理後のウエハＷを、現像ユニット６→
搬送ア−ムＤ→受け渡し部→ウエハ搬送手段Ａ２→冷却
ユニットＣ１の受け渡し部４４→ウエハ搬送手段Ａ１の
経路で元のカセット２２内に戻すようにしてもよい。
【００５６】上述実施の形態では、現像ユニット６にて
現像する前のウエハＷは、加熱ユニットＨ１（Ｈ２）の
加熱部３→冷却ユニットＣ１（Ｃ２）の第１の冷却部４
→第２の冷却部５の経路で所定の温度に調整されるの
で、従来のＣＨＰ装置で加熱と冷却とを行う場合のよう
な、所定温度に調整したウエハＷが再加熱されるといっ
た問題が発生しない。このようにウエハＷの温度が現像
前に変化するということはなく、常にウエハＷの温度が
所定温度に維持された状態で現像処理を行うことができ
るので、ウエハ温度の変化が原因となる現像ムラの発生
が抑えられ、高い歩留まりを確保することができる。
【００５７】また加熱部３で加熱されたウエハＷは、第
１の冷却部４にて第１の温度以下の温度まで冷却されて
粗熱が取られた後、第２の冷却部５にて第１の温度より
低い第２の温度までウエハＷの温度を制御しながら冷却
され、最終的には高精度に温度制御を行う第２の冷却部
５で所定の温度に維持される。このため第２の冷却部５
を複数設けたとしても、各冷却部５にてウエハＷの温度
が正確に所定の温度に維持されるので、ウエハＷの温度
のばらつきが抑えられ、この点からも現像ムラの発生が
抑えられて、歩留まりを向上させることができる。
【００５８】また仮に第２の冷却部５で冷却されたウエ
ハＷの温度にばらつきが生じたとしても、現像ユニット
６と第２の冷却部５とが対応して設けられているので、
ウエハＷの温度に応じて現像条件を調整できるため、結
局現像の均一性が高まり、歩留まりを悪化させるおそれ
はない。
【００５９】さらに第１の冷却部４と第２の冷却部５と
を組み合わせて冷却を行うことにより、冷却に要する時
間を長くせずに、ウエハＷの温度を高精度に所定の温度
まで制御することができ、スル−プットを向上させるこ
とができる。つまり第１の冷却部４はウエハＷを第１の
温度以下の温度まで冷却すればよいので、温度を精度よ
く制御するよりも冷却速度を大きくすることに重点をお
いた冷却を行うことができ、一方第２の冷却部５ではウ
エハＷを第１の温度以下の温度から第２の温度まで冷却
すればよいので、高精度に温度制御を行いながら冷却を
行ったとしても、温度差が小さいため、それ程冷却に時
間がかからないからである。
【００６０】さらにまた本実施の形態では、第２の冷却
部５と現像ユニット６とを同じ処理室Ｅ内に設けること
により同じ雰囲気に配置し、この雰囲気にはフィルタユ
ニットＦにより、所定の温度に調整された空気が送出さ
れていて、当該雰囲気は温度管理された状態となってい
るので、第２の冷却部５における温度調整が容易とな
る。
【００６１】ここでＣＨＰ装置同士の間でのウエハＷの
処理温度のばらつきの発生を抑えるために、高精度の温
度制御を行うことができる冷却プレ−トを設けた場合に
は、高コストの冷却プレ−トが多く必要となり、コスト
的に問題となる上、１つの冷却プレ−トで温度制御を行
う場合には、温度制御しなければならない温度差が大き
いため、冷却時間がかなり長くなり、スル−プットが悪
化してしまう。
【００６２】続いて本発明の他の例について図１１〜図
１３を参照して説明する。この例が上述の実施の形態と
異なる点は、複数の現像ユニット６に対して共通の第２
の冷却部５を設けたことである。図１１に示す例は、例
えば４個の現像ユニット６（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）
に対して共通の１個の第２の冷却部５を備えると共に、
現像ユニット６と第２の冷却部５との間でウエハＷの受
け渡しを行う共通の搬送ア−ムＦを備えている。この搬
送ア−ムＦは第３の基板搬送手段をなすものである。
【００６３】この例においては、第１の搬送手段である
搬送アームＤ１，Ｄ２によって加熱ユニットＨ１，Ｈ
２、冷却ユニットＣ１，Ｃ２に対して夫々ウエハＷの受
け渡しが行われ、第２の搬送手段であるウエハ搬送手段
Ａ２によって加熱ユニットＨ１，Ｈ２、冷却ユニットＣ
１，Ｃ２及び第２の冷却部５に対してウエハＷの受け渡
しが行われ、共通の搬送ア−ムＦによって４個の現像ユ
ニット６（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）と１個の第２の加
熱部５と対してウエハＷの受け渡しが行われるようにレ
イアウトされており、例えば第２の冷却部５はカセット
ステ−ションＳ１側から見てウエハ搬送手段Ａ２の右側
に配置され、搬送ア−ムＦは冷却部５の右側に配置され
ている。さらに現像ユニット６（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６
Ｄ）にあっては、２段に積み重ねられて構成され、現像
ユニット６Ａ，６Ｃはカセットステ−ションＳ１側から
見て冷却部５の手前側に、現像ユニット６Ｂ，６Ｄは冷
却部５の奥側に夫々配置されている。その他のレイアウ
トは上述の実施の形態と同様である。
【００６４】また例えば現像ユニット６と第２の冷却部
５と搬送ア−ムＦとは同一の処理室（図示せず）内に配
置されており、処理室に形成されたウエハ搬出入口を介
してウエハ搬送手段Ａ２と第２の冷却部５との間でウエ
ハＷの受け渡しが行われるようになっている。さらに搬
送ア−ムＦは４個の現像ユニット６と第２の冷却部５と
にアクセスできるように昇降自在、進退自在、鉛直軸ま
わりに回転自在に構成されている。その他の構成は上述
の実施の形態と同様である。
【００６５】このような実施の形態では、ウエハＷは加
熱部３で加熱され、次いで第１の冷却部４で第１の温度
以下の温度まで冷却された後、ウエハ搬送手段Ａ２にて
第１の冷却部４から第２の冷却部５に搬送され、ここで
第２の温度まで冷却される。この後搬送ア−ムＦにて空
いている現像ユニット６に搬送されて現像処理が行わ
れ、処理後のウエハＷは第２の冷却部５を介してウエハ
搬送手段Ａ２に受け渡されて塗布ステ−ションＳ２を介
して例えば元のカセット２２内に戻される。
【００６６】この実施の形態においても第１の冷却部４
と第２の冷却部５との組み合わせによりウエハＷを第２
の温度まで冷却しているので、ウエハＷの温度を高精度
に維持でき、現像処理の均一性が高められて歩留まりを
向上させることができる上、スル−プットを高めること
ができる。
【００６７】この際第２の冷却部５を１個とすることに
より、第２の冷却部５における処理のばらつきが発生し
ないので、常に同じ温度のウエハＷを現像ユニット６に
搬送でき、現像処理の均一性が高められる。
【００６８】またこの例では４個の現像ユニット４に対
して共通の１個の第２の冷却部５と共通の１個の搬送ア
−ムＦを設けて処理を行っているので、第２の冷却部５
と搬送ア−ムＦの数が少なくなり、装置の小形化や製造
コストの低減化を図ることができる。ここで従来のＣＨ
Ｐ装置を設けた構成と比較すると、上述の例のように６
個の加熱部３に対して３個の第１の冷却部４と１個の搬
送ア−ムＤとを備え、４個の現像ユニット６に対して１
個の第２の冷却部５と１個の搬送ア−ムＦとを備えた構
成では、６個のＣＨＰ装置を設ける場合に比べて冷却部
や搬送ア−ムの数が少なくなるので、装置の小形化を図
ることができる。
【００６９】以上においてこの実施の形態では、搬送ア
−ムＦは第２の冷却部５と同数設けるようにしてもよい
し、第２の冷却部５よりも少なくしてもよい。さらに第
２の冷却部５に受け渡し部（図示せず）を設け、現像処
理後のウエハＷを搬送ア−ムＦにより当該受け渡し部を
介してウエハ搬送手段Ａ２に受け渡すようにしてもよ
い。
【００７０】続いて本発明の他の例について図１４及び
図１５を参照して説明する。この例が上述の実施の形態
と異なる点は、現像ユニット６と第２の冷却部５との間
のウエハＷの受け渡しをウエハ搬送手段Ａ２で行うよう
にしたことである。つまりこの例では、ウエハ搬送手段
Ａ２によって加熱ユニットＨ１，Ｈ２と冷却ユニットＣ
１，Ｃ２と第２の冷却部５と現像ユニット６との間でウ
エハＷの受け渡しが行われるようにレイアウトされてい
る。
【００７１】例えば２段に積み重ねて構成された第２の
冷却部５（５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ）はカセットステ−
ションＳ１側から見てウエハ搬送手段Ａ２の右側に冷却
部５Ａ，５Ｃを手前にして並んで配置され、２段に積み
重ねられて構成された現像ユニット６（６Ａ，６Ｂ，６
Ｃ，６Ｄ）は、現像ユニット６Ａ，６Ｃはカセットステ
−ションＳ１側から見て冷却部５Ａの手前側に、現像ユ
ニット６Ｂ，６Ｄは冷却部５Ｂの奥側に夫々配置されて
いる。その他のレイアウトは上述の実施の形態と同様で
ある。
【００７２】前記現像ユニット６と第２の冷却部５とは
図１に示す実施の形態と同様に各々対応して設けられて
おり、１つの現像ユニット６と冷却部５とにより１組が
構成されていて、例えば２段に積み重ねられた２つの処
理室（図示せず）内に２組が並んで配置され、処理室に
形成されたウエハ搬出入口を介してウエハ搬送手段Ａ２
との間で各々の現像ユニット６と冷却部５との間でウエ
ハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００７３】このような実施の形態では、ウエハＷは加
熱部３で加熱され、次いで第１の冷却部４で第１の温度
以下の温度まで冷却された後、ウエハ搬送手段Ａ２にて
第１の冷却部４から第２の冷却部５に搬送されて第２の
温度まで冷却される。この後ウエハ搬送手段Ａ２にて当
該冷却部５に対応する現像ユニット６に搬送されて現像
処理が行われ、処理後のウエハＷは当該現像ユニット６
から直接ウエハ搬送手段Ａ２に受け渡されて塗布ステ−
ションＳ２を介して例えば元のカセット２２内に戻され
る。
【００７４】この実施の形態においても第１の冷却部４
と第２の冷却部５との組み合わせによりウエハＷを第２
の温度まで冷却しているので、ウエハＷの温度を高精度
に維持でき、現像処理の均一性が高められて歩留まりを
向上させることができる上、スル−プットを高めること
ができる。
【００７５】またこの例では現像ユニット６と第２の冷
却部５との間でウエハＷをウエハ搬送手段Ａ２で搬送す
るようにしているので、これらの間でウエハＷを専用に
搬送する手段が不要となり、装置の小形化や製造コスト
の低減化を図ることができる。ここで従来のＣＨＰ装置
を設けた構成と比較すると、上述の例のように６個の加
熱部３に対して３個の第１の冷却部４と１個の搬送ア−
ムＤとを備え、４個の現像ユニット６に対して４個の第
２の冷却部５とを備えた構成では、６個のＣＨＰ装置を
設ける場合に比べて搬送ア−ムの数が少なくなるので、
装置の小形化を図ることができる。
【００７６】さらに現像ユニット６から直接ウエハ搬送
手段Ａ２にウエハＷを受け渡しているので、第２の冷却
部５や受け渡し部を介して受け渡しを行う場合に比べて
ウエハＷの搬送経路が単純化され、ウエハＷの搬送に要
する時間を短縮できるので、より高いスル−プットを確
保することができる。
【００７７】以上においてこの実施の形態では、複数の
現像ユニット６に共通の第２の冷却部５を設けるように
してもよい。
【００７８】以上において本発明は、現像ステ−ション
Ｓ３内に、加熱部３と第１の冷却部４と第２の冷却部５
と現像ユニット６とを備え、ウエハＷを加熱部３→第１
の冷却部４→第２の冷却部５→現像ユニット６との経路
にて搬送できればどのようにレイアウトを構成してもよ
い。
【００７９】また加熱ユニットＨと冷却ユニットＣを１
個づつ設ける構成でもよいし、加熱部３と第１の冷却部
４とを同じ棚に積み重ねる構成でもよく、加熱ユニット
Ｈに受け渡し部を設けようにしてもよい。さらに上述の
実施の形態では加熱部３を第１の冷却部４よりも多くし
てあるが、加熱部３と第１の冷却部４を同数としてもよ
いし、さらにまた加熱部３と第１の冷却部４との間でウ
エハＷを搬送する搬送ア−ムＤを第１の冷却部４と同数
まで多くしてもよい。また上述の実施の形態では第２の
冷却部５を現像ユニット６と同じ雰囲気に配置するよう
にしたが、現像ユニット６が置かれている雰囲気の外側
に配置するようにしてもよい。さらに本発明は、塗布ス
テ−ションＳ２に適用するようにしてもよいし、基板と
してはウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基
板であってもよい。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、第１の冷却部と第２の
冷却部とを組み合わせることにより基板の温度を高精度
に維持することができ、温度の変化が原因となる基板処
理部における処理のばらつきの発生が抑えられ、高い歩
留まりを確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置を示
す概観図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図３】棚ユニットを示す側面図である。
【図４】現像ステ−ションを示す側面図である。
【図５】加熱部と第１の冷却部を示す側面図である。
【図６】第２の冷却部と現像ユニットを示す断面図であ
る。
【図７】第２の冷却部と現像ユニットを示す斜視図であ
る。
【図８】現像ユニットを示す断面図である。
【図９】ウエハ搬送手段を示す斜視図である。
【図１０】現像ステ−ションを示す概観図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態に係る塗布、現像装
置の現像ステ−ションを示す概略平面図である。
【図１２】前記現像ステ−ションの第２の冷却部と現像
ユニットを示す斜視図である。
【図１３】前記の第２の冷却部と現像ユニットを示す側
面図である。
【図１４】本発明のさらに他の実施の形態に係る塗布、
現像装置の現像ステ−ションを示す概略平面図である。
【図１５】前記現像ステ−ションの第２の冷却部と現像
ユニットを示す斜視図である。
【図１６】従来の塗布、現像装置の現像ステ−ションを
示す概略平面図である。
【図１７】従来の棚ユニットを示す斜視図である。
【図１８】従来のＣＨＰ装置を示す断面図である。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ Ｓ１ カセットステ−ション Ｓ２ 塗布ステ−ション Ｓ３ 現像ステ−ション Ｓ４ インタ−フェイスステ−ション Ｓ５ 露光ステ−ション Ｈ１，Ｈ２ 加熱ユニット Ｃ１，Ｃ２ 冷却ユニット Ａ１，Ａ２ ウエハ搬送手段 Ｂ，Ｄ，Ｆ 搬送ア−ム ３ 加熱部 ４ 第１の冷却部 ５ 第２の冷却部 ６ 現像ユニット
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−132328（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−270307（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−162405（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−171478（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−191046（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−185444（ＪＰ，Ａ) 特開2000−353650（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/30

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を加熱するための複数の加熱部と、 前記加熱部にて加熱された基板を第１の温度以下の温度
    に冷却するための、前記加熱部と同数あるいは加熱部よ
    り少ない数の第１の冷却部と、 前記第１の冷却部にて冷却された基板を第１の温度より
    も低い第２の温度に冷却するための第２の冷却部と、 前記第２の冷却部にて冷却された基板に対して処理液の
    液膜を形成するための複数の基板処理部と、を備えたこ
    とを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 基板を加熱するための複数の加熱部と、 前記加熱部にて加熱された基板を第１の温度以下の温度
    に冷却するための、前記加熱部と同数あるいは加熱部よ
    り少ない数の第１の冷却部と、 前記第１の冷却部にて冷却された基板を第１の温度より
    も低い第２の温度に冷却するための第２の冷却部と、 前記第２の冷却部にて冷却された基板に対して処理液の
    液膜を形成するための複数の基板処理部と、 前記加熱部と前記第１の冷却部との間で基板を搬送する
    ための第１の基板搬送手段と、 前記第１の冷却部と前記第２の冷却部との間で基板を搬
    送するための第２の基板搬送手段と、を備えたことを特
    徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項３】 複数の基板処理部と、これらの基板処理
    部に対して共通の第２の冷却部と、を備えたことを特徴
    とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】 基板処理部と、この基板処理部専用の第
    ２の冷却部と、を備えたことを特徴とする請求項１又は
    ２記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】 前記第２の冷却部と前記基板処理部との
    間で基板を搬送するための第３の基板搬送手段を備えた
    ことを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の基板処
    理装置。
  6. 【請求項６】 前記第２の基板搬送手段により前記第２
    の冷却部と前記基板処理部との間で基板を搬送すること
    を特徴とする請求項１，２，３又は４記載の基板処理装
    置。
  7. 【請求項７】 前記基板処理部は、基板表面に対して現
    像液の液膜を形成するものであることを特徴とする請求
    項１，２，３，４，５，６又は７記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記第２の冷却部と前記基板処理部とが
    同一雰囲気内に置かれていることを特徴とする請求項
    １，２，３，４，５，６又は７記載の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 複数の加熱部にて基板を加熱する工程
    と、 前記加熱部にて加熱された基板を、前記加熱部と同数あ
    るいは少ない数の第１の冷却部にて第１の温度以下の温
    度に冷却する工程と、 前記第１の冷却部にて冷却された基板を第２の冷却部に
    て第１の温度よりも低い第２の温度に冷却する工程と、 前記第２の冷却部にて冷却された基板に対して、複数の
    基板処理部において処理液の液膜を形成する工程と、を
    備えたことを特徴とする基板処理方法。
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