KR100573618B1 - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치로서, 레지스트의 도포 등을 하는 처리스테이션 내에, 현상유닛과 도포유닛과 복수의 냉각플레이트를 배치하고, 기판반송장치에 의해 이들 사이에서 웨이퍼의 반송을 한다. 웨이퍼가 반송되는 영역의 온도를 온도검출기에 의해 검출하고, 이 검출값에 의거하여 도포유닛에 반송되어졌을 때의 웨이퍼 온도가 처리액의 도포온도가 되도록, 냉각플레이트에서 냉각되는 웨이퍼의 온도를 조정한다. 이것에 의해, 웨이퍼는 온도를 높은 정도로 유지한 상태에서 도포유닛으로 반송되고, 레지스트액이 도포되기 때문에, 온도변화가 원인이 되는 처리얼룩의 발생을 억제할 수 있고, 처리의 균일성 향상을 도모할 수 있다.

Description

기판처리방법 및 기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARSUS}
도 1 은 본 발명의 실시예에 의한 도포, 현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 2 는 도 1의 도포,현상장치를 나타내는 개관사시도이다.
도 3 은 도 1의 도포,현상장치의 선반유닛 및 처리유닛의 일예를 나타내는 측면도이다.
도 4 는 도 3의 도포,현상장치의 냉각부의 일예를 나타내는 단면도이다.
도 5 는 도 3의 도포,현상장치의 도포유닛의 일예를 나타내는 단면도이다.
도 6 은 기판반송장치를 나타내는 단면도이다.
도 7 은 본 발명을 설명하기 위한 특성도이다.
도 8 은 본 발명을 설명하기 위한 특성도이다.
도 9 는 본 발명의 다른 실시예에 의한 도포,현상장치를 나타내는 단면도와 사시도이다.
도 10 은 종래의 도포,현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 11 은 막두께의 온도 의존성을 나타내는 특성도이다.
도 12 는 현상선폭의 온도 의존성을 나타내는 특성도이다.
도 13 은 본 발명의 다른 실시예에 의한 도포,현상장치를 나타내는 개관사시도이다.
도 14 는 도 13의 도포,현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 15 는 도 14의 도포,현상장치의 선반유닛 및 처리유닛의 일예를 타나내는 측면도이다.
도 16 은 도 15의 도포,현상장치의 도포유닛의 일예를 나타내는 단면도이다.
도 17 은 도 15의 처리유닛의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 18 은 반송암을 나타내는 사시도이다.
도 19 는 도 15의 처리유닛을 나타내는 사시도이다.
도 20 은 도 19의 도포,현상장치의 작용을 설명하기 위한 공정도이다.
도 21 은 도 19의 도포,현상장치의 작용을 설명하기 위한 공정도이다.
도 22 는 도 15의 처리유닛의 다른 예를 나타내는 개략평면도이다.
도 23 은 도 15의 처리유닛의 또 다른 예를 나타내는 개략평면도이다.
도 24 는 도 15의 처리유닛의 또 다른 예를 나타내는 개략평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
3 : 온도검출부 4 : 냉각부
8 : 가스공급부 23 : 전달암
30 : 제어부 40 : 서모모듈
41 : 냉각플레이트 S1 : 카세트스테이션
S2 : 처리스테이션 S3 : 인터페이스스테이션
S4 : 노광장치 C : 도포유닛
D : 현상유닛 MA : 기판반송수단
R : 선반유닛 W : 반도체웨이퍼
본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로써, 예를 들면 반도체 웨이퍼나 액정디스플레이용 유기기판 등의 기판에 대해, 예를 들면 레지스트액의 도포처리나 현상처리 등을 행하는 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조공정에서의 포토리소그래피 기술은 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 한다)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 도포레지스트를 소정의 패턴으로 노광처리하고, 또 현상처리하여 소정 패턴의 레지스트막이 형성된다. 이러한 일련의 처리는, 도포/현상장치에 노광장치를 접속한 시스템에 의해 이루어진다.
도 10은 이러한 종래의 예를 나타내는 평면도이고, 기판, 예를 들면, 반도체웨이퍼(W)를 25장 수납한 카세트(C)는 카세트스테이션(A1)의 카세트스테이지(1)에 반입된다. 카세트스테이션(A1)에는 처리스테이이션(A2)이 접속되어 있고, 또 처리스테이션(A2)에는 인테페이스스테이션(A3)을 통하여 도시하지 않은 노광장치가 접속되어 있다.
상기 카세트스테이지(1) 위의 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)는, 전달암(11)에 의 해 꺼내어져 선반유닛(12)의 전달부를 통해서 도포유닛(13)으로 보내어 지고, 여기에서 레지스트가 도포된다. 이후 웨이퍼(W)는 웨이퍼반송수단(14)→선반유닛(15)의전달부→인터페이스스테이션(A3)→노광장치의 경로로 반송되어 노광된다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, 역경로로 처리스테이션(A2)에 반송되고, 도포유닛(13)의 하단에 설치된 도시하지 않은 현상유닛에서 현상된 후, 웨이퍼반송수단(14)→선반유닛(12)의 전달부→카세트(C)의 경로로 반송된다.
선반유닛(12),(15)의 각 선반은, 가열부, 냉각부, 상기 웨이퍼의 전달부, 소수화처리부 등으로 구성되어 있고, 상기 레지스트의 도포 전이나 현상처리 전에는, 소정의 온도로 레지스트 도포 등을 하기 위해서, 상기 선반유닛(12),(15)에서 가열처리리와 냉각처리가 이 순서로 이루어진다. 그리고, (16)은 처리스테이션(A2)과 노광장치 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 하기 위한 전달암이다.
또, 상기 처리스테이션(A2)은, 도포유닛(13) 및 현상유닛으로 이루어지는 처리영역과, 웨이퍼반송수단(14)이 배치된 반송영역이 구획되어 있고, 처리영역은 클린룸의 분위기가 만들어 지고, 소정 온도 및 습도로 조정된 공기가 송출되고, 이른부 고정도 조정분위기가 되어 있다.
그런데, 본 발명자는, 레지스트의 막두께나 현상선폭은 도 11의 레지스트의 막두께의 온도의존성, 도 12의 현상선폭의 온도의 존성에 각각 나타낸 바와 같이, 처리온도에 크게 의존하고, 처리온도가 2℃ 다르면 레지스트의 막두께나 현상선폭이 상당히 변화해 버리는 것을 발견했다.
여기서, 상술한 도포 ·현상장치에서는, 예를 들면 선반유닛(12),(15)의 소수화처리부에서 소정의 처리를 한 후, 냉각부에서 소정 온도로 냉각하고 나서 도포유닛(13)에서 레지스트가 도포되지만, 이때 웨이퍼(W)는 냉각부에서 도포유닛(13)까지, 온도나 습도조정을 하지 않는 반송영역 내를 통해서 반송된다. 이때문에 냉각부에서 웨이퍼(W) 온도를 조정하여도, 이후의 반송시에 반송영역의 온도영향을 받고, 결국 레지스트 도포시의 웨이퍼(W)의 온도가 예정되어 있는 것과는 다르게 되어 되고, 결과적으로 레지스트의 막두께가 변화하고, 막두께의 균일성이 악화해 버릴 우려가 있다.
이것을 막기위에서는 처리스테이션(A2) 전체를, 온도 및 습도 조정을 하는 고정도(高精度) 조정분위기로 하는 것을 생각할 수 있지만, 이와 같이 분위기조정을 하는 영역을 넓게 하면, 많은 비용이 든다는 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 기판의 온도나 습도를 고정도로 조정한 상태에서 도포액의 처리를 하는 것에 의해, 처리의 균일성을 향상시킬 수가 있는 기판처리방법 및 기판처리장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판처리방법은, 냉각플레이트에서 냉각된 기판을 도포처리부에 반송하고, 이 도포처리부에서 기판에 대해 처리액을 도포하는 기판처리방법에 있어서, 기판이 반송되는 영역의 온도를 검출하고, 이 검출값에 의거하여, 도포처리부로 반송된 기판의 온도가 처리액 도포시의 온도와 같아지도록, 상기 냉각플레이트에서 냉각되는 기판의 온도를 조정하는 것을 특징으로 한다.
이러한 기판처리방법은, 구체적으로는 복수의 기판을 수납한 기판 카세트를 재치하는 재치부와, 이 재치부에 재치된 기판 카세트에 대해 기판을 전달하는 전달장치를 포함하는 카세트스테이션과, 이 카세트스테이션에 접속되고, 상기 전달장치에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 구비하고, 상기 처리스테이션은, 기판을 냉각하기 위한 냉각플레이트와, 기판에 대해 처리액을 도포하기 위한 도포처리부와, 상기 냉각플레이트에서 냉각된 기판을 상기 도포처리부로 반송하기 위한 기판반송장치와, 기판이 상기 기판반송장치에 의해 반송되는 영역의 온도를 검출하기 위한 온도검출기와, 도포처리부에 반송된 기판의 온도가 처리액 도포시의 도포온도가 되도록, 상기 온도검출기의 검출값에 의거하여, 상기 냉각플레이트의 온도를 조정하기 위한 제어부를 구비한 기판처리장치에 있어서 실시된다.
이러한 구성에서는, 기판이 반송되는 영역의 온도를 검출하고, 이 검출값에 의거하여, 도포처리부로 반송된 기판의 온도가 처리액의 도포온도가 되도록, 상기 냉각플에이트에서 냉각되는 기판의 온도를 조정하고 있기 때문에, 기판의 온도를 고정도로 제어한 상태에서 도포처리를 할 수 있고, 온도변화가 원인이 되는 처리얼룩의 발생을 방지할 수 있고, 도포처리의 균일성의 향상을 도모할 수 있다.
또, 본 발명의 기판처리방법은, 냉각플레이트에서 냉각된 기판을 도포처리부로 반송하고, 이 도포처리부에서 기판에 대해 처리액을 도포하는 기판처리방법에 있어서, 상기 기판의 피처리면에 온도 조정된 기체를 공급하면서, 상기 냉각플레이트에서 상기 도포처리부까지 기판을 반송하는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같은 기판처리방법은, 복수의 기판을 수납한 기판카세트를 재치하는 재 치부와, 이 재치부에 재치된 기판카세트에 대해 기판을 전달하는 전달장치를 포함하는 카세트스테이션과, 이 카세트스테이션에 접속되고, 상기 전달장치에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 구비하고, 상기 처리스테이션은, 기판을 냉각하기 위한 냉각플레이트와, 기판에 대해 처리액을 도포하기 위한 도포처리부와, 상기 냉각플레이트와 상기 도포처리부 사이에서 기판을 반송하기 위한 기판반송장치와, 상기 기판반송장치에 의해 기판이 상기 냉각플레이트에서 상기 도포처리부까지 반송되는 동안, 상기 기판의 피처리면에 온도 조정된 기체를 공급하기 위한 가스공급부를 구비한 기판처리장치에 있어서 실현된다.
이와 같은 구성에서는, 기판의 피처리면에 온도조정된 기체를 공급하면서, 해당 기판을 상기 냉각플레이트에서 상기 도포처리부까지 반송하고 있으므로, 반송시의 기판의 온도변화를 억제할 수가 있고, 기판의 온도를 높은 정도로 유지한 상태에서 도포처리를 할 수 있고, 도포처리의 균일성의 향상을 도모할 수 있다. 여기에서 가스공급부로부터 기판의 피처리면으로 공급되는 기체는, 도포처리부에서의 처리온도로 조정되어 있는 것이 바람직하며, 이 경우에는 반송시의 기판의 온도를 한결 억제할 수 있고, 또 도포처리의 균일성의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명은 구체적으로는, 상기 처리스테이션의 카세트스테이션의 반대쪽에 설치된 노광장치와, 처리스테이션의 카세트스테이션의 반대쪽에 접속되고, 처리스테이션과 노광장치 사이에서 기판을 전달하기 위한 인테페이스 스테이션을 구비하고, 상기 도포처리부는 기판에 대해 레지스트액을 도포처리하는 것이라는 구성이고, 또 상기 처리스테이션의 카세트스테이션의 반대쪽에 설치된 노광장치와, 처리스테이션의 카세트스테이션의 반대쪽에 접속되고, 처리스테이션과 노광장치 사이에서 기판을 전달을 하기 위한 인터페이스스테이션을 구비하고, 상기 도포처리부는 상기 노광장치에서 노광된 기판에 대해 현상처리를 하는 것이라는 구성이다.
다른 관점에 관계하는 본 발명의 기판처리장치는, 복수의 기판을 수납한 기판카세트를 재치하는 재치부와, 이 재치부에 재치된 기판카세트에 대해 기판을 전달하는 전달수단을 포함하는 카세트스테이션과, 이 카세트스테이션에 접속되고, 상기 전달수단에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 구비하고, 상기 처리스테이션은 기판에 대해 처리액을 도포하는 도포처리부와, 상기 도포처리부에 대해 기판을 전달하는 기판반송수단과, 기판을 냉각하기 위한 냉각부와, 상기 도포처리부와 상기 냉각부 사이에서 기판을 반송하기 위한 반송수단을 구비하고, 상기 도포처리부와 상기 냉각부를 인접하여 설치하는 동시에, 이들 도포처리부와 냉각부에 인접하여 상기 반송수단 전용의 반송영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성에서는, 상기 처리스테이션의 도포처리부와, 기판을 냉각하기 위한 냉각부 사이의 기판 반송을, 전용반송수단에 의해 전용의 반송영역을 통해서 행하고 있기 때문에, 기판반송수단의 부하 경감을 도모할 수 있다.
이때, 상기 반송수단전용의 반송영역을, 주위로부터 구획된 닫혀진 공간으로 해도 좋고, 이 경우에는 해당 영역은, 기판을 가열하기 위한 가열부로부터 분리되기 때문에, 가열부로부터의 열영향을 받기 어렵게 된다. 이 때문에 해당 영역내의 기판의 반송시 기판의 온도변화를 억제할 수 있고, 온도변화가 원인이되는 처리얼룩의 발생을 발지할 수 있으며, 도포처리의 균일성의 향상을 도모할 수 있다. 여기 에서 상기 반송수단전용인 반송영역의 온도조정이 이루어지도록 하면, 해당 영역내의 기판의 반송시 기판의 온도변화를 더 한층 억제할 수 있고, 또 도포처리의 균일성의 향상을 도모할 수 있다.
또, 상기 냉각부를, 주위로부터 구획된 닫혀진 공간으로 해도 좋고, 이 경우에는, 해당 냉각부는 주위로부터의 온도영향을 받기 어려워 지기 때문에, 온도조정이 용이해 진다. 게다가 상기 도포처리부를, 주위로부터 구획된 닫혀진 공간으로 해도 좋고, 이 경우에는, 도포처리부와 냉각부와 반송영역이 각각 닫혀진 공간을 갖기 때문에, 이들 영역의 분위기를 개별적을 조정할 수 있고, 이들 각부의 분위기가 서로다른 처리를 할 수가 있다
이하에서 본 발명을 기판의 도포,현상장치에 적용한 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 실시예의 개략평면도이고, 도 2는 내부를 투시하여 나타낸 개략도이고, 도에서 (S1)은 카세트스테이션, (S2)는 웨이퍼(W)에 대해 레지스트의 도포처리나 현상처리 등을 하기 위한 처리스테이션, (S3)는 인터페이스스테이션, (S4)는 노광장치이다.
카세트스테이션(S1)은 복수의 기판, 예를 들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납한, 예를 들면 4개의 기판카세트를 이루는 웨이퍼카세트(이하, 카세트라 한다.)(22)를 재치하는 재치부를 이루는 카세트스테이지(21)와, 카세트스테이지(21) 위의 카세트 (22)와 처리스테이션(S2) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달장치를 이루는 전달암(23)을 구비하고 있다. 전달암(23)은, 승강이 자유롭고, X,Y방향으로 이동이 자유롭고, 연직축 주변으로 회전이 자유롭도록 구성되어 있다.
또, 처리스테이션(S2)은, 예를 들면 2개의 도포유닛(C)(C1,C2)과, 예를 들면 2개의 현상유닛(D)(D1,D2)과, 예를 들면 3개의 선반유닛(R)(R1,R2,R3)과, 예를 들면 1개의 기판반송장치(MA)와, 후술하는 반송영역의 온도를 검출하기 위한, 예를 들면 3개의 온습도검출기(3)(3A,3B,3C)와, 상기 온도검출기의 검출값에 의거하여 제어부(30)에 의해 온도제어가 이루어지는 복수의 냉각부(4)를 구비하고 있고, 카세트스테이션(S1)과 인터페이스스테이션(S3) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 동시에, 해당 처리스테이션(S2) 내에는 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 처리와, 웨이퍼(W)의 현상처리와, 이것의 처리 전후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열하고, 냉각하는 처리를 하도록 구성되어 있다.
이러한 처리스테이션(S2)의 레이아웃의 일예를 대해 설명하면, 상기 전달암 (23)의 안쪽에는, 예를 들면 카세트스테이션(S1)에서 안쪽을 보아, 예를 들면 오른쪽에는 도포유닛(C)이나 현상유닛(D) 등을 갖춘 처리유닛(U)이 2단으로 설치되어 있다. 즉 2개의 도포처리부를 이루는 도포유닛(C1, C2)이, 카세트스테이션(21)의 카세트의 배열방향과 거의 직교하는 방향에 도포유닛(C1)을 앞쪽으로 하여 2개 나란히 배치되어 있고, 이들 도포유닛(C1, C2)의 하단에는 2개의 현상처리부를 이루는 현상유닛(D1, D2)이 현상유닛(D1)을 앞쪽으로 하여 나란히 설치되어져 있다. 한편 이후의 설명에서는, 카세트스테이션(S1) 쪽을 앞쪽에, 노광장치(S4)쪽을 안쪽으로 하여 설명하기로 한다.
또, 이들 처리유닛(U)의 카세트스테이션(S1)에서 보아, 왼쪽에는 도포유닛 (C)과 현상유닛(D)과 선반유닛(R) 사이에 웨이퍼(W)의 전달을 하기 위한, 예를 들면 승강이 자유롭고, 좌우, 전후로 이동이 자유로우면서 연직축주위에 회전이 자유롭도록 구성된 기판반송장치(MA)가 설치되어 있다. 그리고 이 기판반송장치(MA)의 카세트스테이션(S1) 쪽에서 보아 앞쪽에는 선반유닛(R1), 안쪽에는 선반유닛(R2), 좌측에는 선반유닛(R3)가 각각 배치되어 있다. 단, 도 2에는 편의상 선반유닛(R3)과 기판반송장치(MA)는 생략하고 있다.
여기서, 선반유닛(R1, R2, R3)과 기판반송장치(MA)가 놓여진, 선반유닛(R)과 처리유닛(U) 사이에 웨이퍼를 반송하는 영역을 반송영역이라고 부른다면, 상기 3개의 온습도검출기(3)는, 이 예에서는 각 선반유닛(R1, R2, R3)과 기판반송장치(MA) 사이의 반송영역에서, 해당 영역의 온도를 검출하도록 설치되어 있다.
상기 선반유닛(R)(R1, R2, R3)은, 도 3에 선반유닛(R1)을 대표하여 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열부(51), 웨이퍼 표면을 소수화하기 위한 소수화부(52), 선반유닛(R1)에 있어서는 카세트스테이션(S1)의 전달암(23)과 기판반송장치(MA) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달대를 갖춘 전달부(53)와, 선반유닛((R1)에 있어서는 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 하기 위한 얼라인먼트부(54)가 세로로 배열되어 있다.
상기 냉각부(4)는, 예를 들면 도 4에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 서모모듈 (40)이 내장된 냉각플레이트(41)의 표면에 웨이퍼(W)를 재치하는 것에 의해, 해당 웨이퍼(W)가 소정온도까지 냉각되도록 되어 있다. 이 냉각플레이트(41)에는, 해당 냉각플레이트(41)에 대해 웨이퍼(W)를 전달하기 위한, 승강기구(42)에 의해 승강되 는 승강핀(43)이 설치되어 있다.
상기 냉각플레이트(41)는, 예를 들면 케이스(44) 내에 수납되어 있고, 이 케이스(44)의 기판반송장치(MA)의 암(71)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 전달구(45)가 형성되어 있다. 또 예를 들면 케이스(44)의 기판반송장치(MA)에 대향하는 면에는 예를 들면 열전대나 온도측정 저항체 등으로 이루어지는 온습도검출기(3A)가 설치되어 있고, 이 온습도검출기(3A)에 의해 선반유닛(R1)과 도포처리부(5) 사이의 반송영역의 온도가 검출되게 된다.
상기 냉각플레이트(41)의 서모모듈(40)은, 상기 온습도검출기(3A)의 검출값(반송영역의 온도)에 의거하여 제어부(30)에 의해 소정의 온도제어가 이루어지도록 되어 있고, 이것에 의해 냉각부(4)에서 웨이퍼(W)의 온도가 높은 정도로 조정된다.
구체적으로는 상기 서모모듈(40)이란, 직류전류를 흐르는 것에 의해, 흡열측으로부터 방열측으로 이동할 수 있는 반도체소자를 말하는 것이고, 흐르는 전류량을 바꾸는 것에 의해 발열량이 변화한다. 이 때문에 상기 온습도검출기(3A)의 검출값에 의거하여 제어부(30)에 의해 서모모듈(40)의 전원부(46)에 제어신호를 출력하고, 이것에 의해 소정의 전류량을 통류시키도록 하면, 냉각플레이트(41)가 소정 온도로 제어된다.
이어서, 상기 도포유닛(C)에 대해서, 예를 들면 도 5를 참조하면서 설명하면, (61)은 컵이고, 이 컵(61)에 진공흡착기능을 가지는 회전이 자유로운 스핀척 (62)이 설치 되어 있다. 이 스핀척(62)은 승강기구(63)에 의해 승강이 자유롭도록 구성되어 있고, 컵(61)의 위쪽에 위치해 있을 때에, 상기 기판반송장치(MA)의 후술 하는 암(71)과 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수가 있다.
이 웨이퍼(W)의 전달에 대해서는, 암(71) 위의 웨이프(W)를 컵(61)의 위쪽에 스핀척(62)이, 그 아래쪽에서 상대적으로 상승하여 받아 들이고, 또 그 역동작에 있어서 스핀척(62) 쪽으로부터 암(71)으로 전달된다. (64)는 처리액의 토출노즐, (65)는 처리액공급관, (66)은 노즐을 수평으로 이동시키는 지지암이고, 이러한 도포유닛(C)에서는, 스핀척(62) 위의 웨이퍼(W)의 표면에 토출노즐(64)로부터 처리액인 레지스트액을 적하하고, 스핀척(62)을 회전시켜 레지스트액을 웨이퍼(W) 위에 확산시켜서 도포한다.
또, 현상유닛(D)은 도포유닛(C)과 거의 동일한 구성인데, 현상유닛(D)은 토출노즐(64)이, 예를들면 웨이퍼(W)의 직경방향으로 배열된 다수의 공급포트를 갖추도록 구성되고, 스핀척(62) 위의 웨이퍼(W)의 표면에 토출노즐에서 처리액인 현상액을 토출하고, 스핀척(62)을 반회전시키는 것에 의해, 웨이퍼(W) 위로 현상액이 공급되고, 현상액의 액막이 형성되도록 되어 있다.
게다가 이들 처리유닛(U)은 공간이 닫혀져 있다. 즉 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같이, 도포유닛(C) 등은 벽부(67)에 의해 다른 공간에서 구획되어 있는 동시에, 도포유닛(C1)과 현상유닛(D1) 사이와 같은 각부 사이도 칸막이벽(68)에 의해 구획되어 있고, 상기 벽부의 도포유닛(C1) 등의 각부의, 기판반송장치(MA)의 암(71)에 대응하는 위치에는 전달구(60)가 형성되어 있다.
또, 벽부(67) 및 칸막이 벽(68)에 의해 구획된 도포처리부(5)의 각부에는, 불순물이 제거되고, 소정은 온도를, 예를 들면 처리액의 도포온도인 23℃, 및 소정 온도로 조정된 공기가 송출되도록 되어 있고, 이것에 의해 이들 영역은 소위 높은 정도로 조정된 분위기가 되어 있다.
즉, 예를 들면 구획된 처리유닛(U)은, 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같이, 필터유닛(F)이 상부측을 덮도록 설치되어 있고, 처리유닛(U)의 하부측으로부터 회수되는 분위기가 공장 배기계로 배기되는 한편, 일부가 필터장치(69)에 도입되고, 이 필터장치(69)에서 청정화된 공기가, 상기 필터유닛(F)을 통해서 각부 내로 다운플로우로서 불어 내보내어 지도록 되어 있다.
상기 필터유닛(F)은, 예를 들면 공기를 청정화 하기 위한 필터, 공기중의 알카리성분, 예를 들면 암모니아 성분이나 아민을 제거하기 위한 산 성분이 첨가 되어 있는 화학필터, 흡입팬 등을 구비하고 있다. 또, 상기 필터장치(69)는, 불순물을 제거하기 위한 불순물 제거부나, 가열기구 및 가습기구, 공기를 송출하는 송출부 등을 구비하고 있다. 예를 들면 레지스트액으로서 화학증폭형의 레지스트를 이용한 경우에는, 현상처리 분위기에 알카리 성분이 들어가는 것을 방지할 필요가 있기 때문에, 처리부를 닫은 공간으로 하고, 화학필터를 이용하여 외부로부터의 알카리성 성분의 침입을 막고 있다.
즉, 화학증폭형 레지스트는 노광하는 것에 의해 산이 생성하고, 이 산이 가열처리에 의해 확산하여 촉매로서 작용하고, 레지스트재료의 주성분인 베이스 수지를 분해하거나, 분자구조를 바꿔 현상액에 대해 가용화하는 것이다. 따라서 이런한 종류의 레지스트를 이용한 경우, 공기 중에 포함되어 있는 미량의 암모니아나 벽의 도료 등에서 발생하는 아민 등의 알카리성 성분이 레지스트 표면부의 산과 접촉하 면 산에 의한 촉매반응이 억제되고, 패턴의 현상이 열화되기 때문에 알카리성분을 제거할 필요가 있다.
상기 기판반송장치(MA)는, 예를 들면 도 6에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 3장의 암(71)과, 이 암(71)을 진토가 자유롭게 지지하는 기대(72)와, 이 기대(72)를 승강이 자유롭도록 지지하하는 한쌍의 안내레일(73, 74)을 구비하고 있고, 이 안내레일(73, 74)을 회전구동부(75)에 의해 회전시키는 것에 의해, 진퇴, 승강이 자유롭고, 연직축 주위의 회전이 자유롭도록 구성되어 있다.
처리스테이션(S2)의 근처에는 인터페이스스테이션(S3)이 접속되고, 이 인터페이스스테이션(S3)의 안쪽에는, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해 노광을 하기 위한 노광장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스스테이션(S3)은, 처리스테이션 (S2)과 노광장치(S4) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달암(24)을 구비하고 있다.
다음으로, 상술한 실시예에의 작용에 대해 설명하겠다. 먼저, 자동반송로봇(혹은 작업자)에 의해, 예를 들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(22)가 카세트스테이지(21)로 반입되고, 전달암(23)에 의해 카세트(22) 안에서 웨이퍼(W)가 꺼내어져 처리스테이션(S2)의 선반유닛(R1) 내의 전달부(53)에 놓여진다.
이 웨이퍼(W)는 기판반송장치(MA)에 의해 선반유닛(R)의 소수화부(52)로 반송되고, 웨이퍼 표면이 소수화된 후, 기판반송장치(MA)에 의해 선반유닛(R)의 냉각부(4)로 반송되고, 반송영역의 온도에 의거하여 설정된 온도까지 냉각된다. 이어서 웨이퍼(W)는 기판반송장치(MA)에 의해 도포유닛(C)로 반송되고, 레지스트액이 도포 된다.
그리고, 본 발명에서는, 반송영역의 온도에 의거하여 냉각부(4)에서 웨이퍼 (W)의 온도를 조정하는 것에 특징이 있고, 이 웨이퍼(W)의 온도조정에 대해 설명하겠다. 이 예에서는 반송영역의 온도는 온습도검출기(3)에서 소정의 타이밍으로 검출되고, 이 검출값에 의거하여 제어부(30)에 의해, 상술한 예와 같이 도포유닛(C)에 있어서의 처리액의 도포온도가 23℃인 경우에는, 도포유닛(C)에 반송되었을 때의 웨이퍼(W)의 온도가 23℃가 되도록, 냉각부의 냉각플레이트(41)의 온도가 제어되고, 이렇게 웨이퍼(W)가 소정 온도로 조정된다.
즉, 종래와 같이 냉각부(4)에서 웨이퍼 온도를 23℃로 조정하고 나서 반송하면 반송에는 2∼3초 정도 걸리는데, 기판반송장치(MA)의 이동에 의한 난기류가 웨이퍼(W)에 닿고, 단시간 내에 웨이퍼(W)의 온도가 변화하기 때문에, 이때에 반송영역의 온도영향을 받고, 예를 들면 반송영역의 온도가 23℃ 보다는 높은 경우에는, 도포유닛(C)에 반송되었을 때의 웨이퍼온도는 도 7(a)와 같이, 23℃보다도 높아진다. 즉, 도포유닛(C)은 온도조정이 되어 있기 때문에, 도포처리가 진행됨에 따라 웨이퍼(W)의 온도는 점차 23℃에 접근해 간다.
그래서, 이 예에서는 반송영역의 온도 및 반송시간에 의거하여 결정되는 반송 중인 웨이퍼온도의 변화 폭에 따라, 도포유닛(C)에 반송되었을 때의 웨이퍼 온도가 23℃가 되도록, 제어부(30)에 의해 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도를 보정한다. 예를 들면 도 7(b)와 같이, 반송 중에 웨이퍼(W)의 온도가 x℃ 상승하는 경우에는, 도포유닛(C)에 반송되었을 때에 웨이퍼온도가 23℃가 되도록 냉각부(4) 에서 웨이퍼온도를 예를 들면 (23-x)℃로 조정한다.
한편, 예를 들면 반송영역의 온도가 23℃ 보다도 낮을 경우에는, 종래와 같이 냉각부(4)에서 웨이퍼 온도를 23℃로 조정하고 나서 반송하면, 도포유닛(C)에 반송되었을 때의 웨이퍼 온도는 도 8(a)와 같이, 23℃ 보다도 낮아진다(즉 기술했듯이 도포처리가 진행됨에 따라 웨이퍼(W)의 온도는 점차 23℃에 가까워진다). 그래서 이 예에서는, 예를 들면 도 8(b)와 같이, 반송중에 웨이퍼(W)의 온도가 x℃ 하강할 경우에는, 도포유닛(C)에 반송되었을 때에 웨이퍼 온도가 23℃가 되도록 냉각부(4)에서 웨이퍼온도를 예를 들면 (x+23)℃로 조정한다.
그리고, 반송 중에 변화하는 웨이퍼(W)의 온도는 반송영역의 온도와 반송시간에 의해 결정된다. 또 반송시간은, 선반유닛(R)의 냉각부(4)의 위치 및 도포유닛 (C)의 위치, 기판반송장치(MA)의 반송 스피드나 반송 타이밍 등에 의해 결정된다. 그래서 일련의 처리프로그램에 따라 미리 반송시간을 구하고, 이것에 따라 반송영역의 온도 및 반송기간에 의거하여 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도 보정값을 구해 놓고, 이 보정값을 제어부(30)에 메모리 해 두는 것에 의해, 반송영역의 온도 및 반송시간에 의거하여 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도가 제어되고, 여기에서 소정 온도로 조정된 웨이퍼(W)는 기판반송장치(MA)에 의해 도포유닛(C) 반송되었을 때에 23℃가 된다.
즉, 이러한 반송영역의 온도만이 아니라, 온습도검출기(3)에 의해 검출된 습도에 따라 냉각플레이트(41)의 온도를 보상해도 좋다. 예를 들면, 습도가 높은 경우에는 ＣＤ(선폭)값은 작아지고, 습도가 낮은 경우에는 ＣＤ값이 커지므로, 습도 가 소망 값보다 작을 때는 ＣＤ값이 커지도록 온도를 보상하고, 습도가 소망 값보다 클 때에는 ＣＤ값이 작아지도록 온도를 보상하면 된다. 온습도검출기(3)에 의해 검출된 습도에 따라 반송영역의 습도를 소망하는 습도가 되도록 제어해도 물론 상관없다.
이렇게 하여 소정 온도, 예를 들면 23℃에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 기판반송장치(MA)에 의해 선반유닛(R)의 가열부(51)에 반송되고, 소정온도까지 가열된 후, 기판반송장치(MA)에 의해 선반유닛(R)의 냉각부(4)로 반송되어 소정 온도까지 냉각되어 온도조정이 이루어지고, 이어서 인터페이스스테이션(S3)의 전달암 (24)→노광장치(S4)의 경로로 반송되어져, 노광이 행해진다.
노광 후의 웨이퍼(W)는 역경로, 즉 노광장치(S4)→전달암(24)→선반유닛(R)의 가열부(51)→기판반송장치(MA)→선반유닛(R)의 냉각부(4)→기판반송장치(MA)→현상유닛(D)의 경로로 반송된다. 여기에서, 웨이퍼(W)는, 가열부(51)에서 소정의 온도까지 가열된 후, 반송영역의 온도에 의거하여 냉각부(4)에 의해 소정 온도까지 냉각되어 고정온도로 온도조정이 행해지고, 이어서, 웨이퍼(W)는 현상유닛(D)에서 소정온도, 예를 들면 처리액의 도포온도인 23℃에서 현상처리된다. 여기에서 냉각부(4)→현상유닛(D)의 공정도 상술한 냉각부(4)→도포유닛(C)의 공정과 같고, 냉각부(4)에서는 반송영역의 온도에 기초한 웨이퍼(W)의 온도조정이 이루어진다.
이 후, 웨이퍼(W)는 기판반송장치(MA)→반송유닛(R)의 가열부(51)→기판반송장치(MA)→선반유닛(R)의 냉각부(4)→기판반송장치(MA)→선반유닛(R)의 전달부(53)→전달암(23)의 경로로 반송되고, 일단 소정온도까지 가열된 후, 소정온도까지 냉 각된 웨이퍼(W)는 전달부(53)를 통해서, 예를 들면 원래의 카세트(22) 내로 되돌려 진다.
그리고, 처리스테이션(S2)에서는, 웨이퍼(S)는 차례로 선반유닛(R)의 전달부 (53)로 보내어지고, 이어서 비어 있는 소수화부(52)→선반유닛(R)의 비어 있는 냉각부(4)→비어 있는 도포유닛(C)→선반유닛(R)의 비어 있는 가열부(51) → 선반유닛(R)의 열려 있는 냉각부(4)→인터페이스스테이션(S3)의 전달암(24)→선반유닛 (R)의 비어 있는 가열부(51)→선반유닛(R)의 열려 있는 냉각부(4)→전달부(53)의 경로로 반송되면 된다.
그리고, 이 예에서는 3개의 반송유닛(R1,R2,R3)과 기판반송장치(MA) 사이에 각각 온습도검출기(3A,3B,3C)가 설치되어 있고, 선반유닛(R1)과 처리유닛(U) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 때에는 온습도검출기(3A)의 검출기에 의거하여 선반유닛 (R1)의 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도제어가 이루어지고, 선반유닛(R2)과 처리유닛(U) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 때에는 온습도검출기(3B)의 검출값에 의거하여 선반유닛(R2)의 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도제어가 이루어지고, 선반유닛(R3)과 처리유닛(U) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 때에는 온습도검출기 (3C)의 검출값에 의거하여 선반유닛(R3)의 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도제어가 이루어진다.
상술한 실시예에서는, 반송영역의 온도를 검출하고, 이 검출값에 의거하여 처리유닛(U)에 웨이퍼(W)가 반송되었을 때에 웨이퍼(W)가 소정온도가 되도록, 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도제어를 하여 웨이퍼 온도를 조정하고 있기 때문 에, 소정 온도에서 레지스트의 도포나 현상을 행할 수 있고, 온도변화가 원인이 되는 막두께나 현상선폭의 변화가 억제되고, 처리얼룩의 발생을 억제하여 균일한 처리를 할 수가 있다.
이상에 있어서, 본 실시예에서는, 온습도검출기(3)는 반송영역의 온도를 검출하는 것이라면, 개수나 설치부위는 상술한 예에 한정되지 않고, 처리유닛(U)의 근방에 설치하도록 해도 좋고, 냉각부(4) 마다 준비해도 좋다.
또 처리유닛(U)과 냉각부(4)의 레이아웃이나 개수는 상술한 예에 한정되지 않고, 예를 들면 도포유닛(C)이나 현상유닛(D)에 있어서의 처리 전에 높은 정도로 온도제어를 하는 냉각부(4)를 전용으로 설치하고, 도포유닛(C) 및 현상유닛(D) 등과 상하로 다단으로 겹쳐 쌓는 구성을 해도 좋고, 이 높은 정도로 온도제어를 하는 냉각부(4) 전용의 선반유닛(R)을 설치하도록 해도 좋고, 이 경우에는 반송시간이 거의 같아지므로, 냉각플레이트(41) 온도의 보정값의 결정이 용이해진다는 이점이 있다.
또, 냉각부(4)는 냉각플레이트(41)에 냉매를 통류시켜 웨이퍼(W)를 냉각하는 구성으로 해도 좋고, 이 경우에는 냉매의 통류량이나 온도를 조정하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 온도가 높은 정도로 제어된다. 또, 냉각플레이트(41)와 가열플레이트(도시하지 않음)를 적층하여 설치하고, 이 구조로 온도조정을 하는 구성으로 해도 좋다. 또 제어부에 있어서의 온도제어 파라미터는 온도만으로 하고, 반송시간을 일정한 것으로써 냉각플레이트(41) 온도의 보정값을 결정하도록 해도 좋다.
이어 본 발명의 다른 실시예에 대해 도 9A와 9B에 의거하여 설명한다. 이 실 시예는, 웨이퍼(W)의 반송 중의 온도변화를 억제하기 위해, 웨이퍼(W) 위에 소정의 분위기로 조정된 기체를 공급하면서 반송영역내의 반송을 한다는 것이다. 구체적으로는, 도 9A와 도 9B와 같이, 상기 기판반송장치(MA)는, 예를 들면 최상부의 암 (71)은, 냉각플레이트(41)와 도포유닛(C) 또는 현상유닛(D)와의 반송에 한하여 사용되는 것으로 하고, 이 암(71)의 위쪽에, 암(71) 위에 지지된 웨이퍼(W)에 소정의 분위기로 조정된 기체를 공급하기 위한 가스공급부(8)를 구비하고 있다.
이 가스공급부(8)는, 예를 들면 평평한 원통형을 이루고 있고, 다수의 가스공급포트(81)를 구비한 원형의 개구면(80)이 상기 암(71) 위의 웨이퍼(W)와 대향하도록 지지암(82)에 의해 상기 기대(72)의 후면(암(71)의 진행방향쪽의 후면)에 설치되어 있다. 상기 가스공급부(8)의 개구면(80)은, 암(71) 위에 지지된 웨이퍼(W)보다도 높은 영역에서 공기를 공급할 수 있는 크기로 설정되어 있다.
이러한 가스공급부(8)에는, 불순물이 제거되고, 소정의 온도, 예를 들면 처리액이 23℃ 및 소정 습도로 조정된 기체, 예를 들면 공기가 필터장치(83)으로부터 공급관(84)를 통해서 공급되도록 되어 있고, 이것에 의해 해당공기가 가스공급포트 (81)를 통해서 암(71)에 지지된 웨이퍼(W) 위로 송출되도록 되어 있다. 여기에서 상기 필터장치(83)는, 불순물을 제거하기 위한 불순물 제거부나, 가열기구 및 가습기구, 공기를 송출하는 송출부 등을 구비하고 있다.
이러한 실시예에서는, 기판반송장치(MA)에 의해 냉각부(4)로부터 도포유닛 (C) 또는 냉각부(4)로부터 현상유닛(D)에 웨이프(W)를 반송할 때, 웨이퍼 (W) 위에 도포처리부에 있어서의 처리액의 도포온도로 조정된 공기를 공급하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)가 반송영역 온도의 영향을 받기 어렵다. 이 때문에 냉각부(4)에서 처리액의 도포온도로 조정된 웨이퍼(W)의 온도를 높은 정도로 유지한 상태에서 처리유닛(U)까지 반송할 수 있으므로, 소정이 처리온도로 도포처리나 현상처리를 할 수 있고, 온도변화가 원인이 되는 처리 얼룩의 발생을 억제하여 균일한 처리를 할 수 있다.
그리고, 이 예에서는, 웨이퍼(W) 위로 공급되는 기체로서, 공기 외에 질소 등의 불활성가스 등을 이용할 수 있다. 또 가스공급부(8)를 기판반송장치(MA)에 일체로 설치하는 구성이 아니라, 암(71)에 지지된 웨이퍼(W) 위에 기체를 공급할 수 있도록 별개로 설치하는 구성으로 해도 좋다.
또, 도포유닛(C) 내에 온 ·습도 센서를 설치하여 도포유닛(C) 내의 온도나 습도를 검출하고, 도포유닛(C)과 거의 같은 온도,습도의 기체를 암(71)에 지지된 웨이퍼(W) 위에 공급하도록 해도 좋다. 즉, 이 같은 경우, 습도를 제어할 뿐만이 아니라, 온도를 보상하도록 해도 좋다. 예를 들면 습도가 큰 경우에는 ＣＤ(선폭)값은 작아지고, 습도가 작은 경우에는 ＣＤ값이 커지기 때문에, 습도가 원하는 값보다 작을 때에는 ＣＤ값이 커지도록 습도를 보상하고, 습도가 원하는 값보다 클 때에는 ＣＤ값이 작아지도록 온도를 보상하면 된다. 따라서 역으로, 온도를 보상하는 것이 아니라, 습도만을 억제하는 것도 가능하다.
또, 이 웨이퍼(W) 위에 소정 온도로 조정된 기체를 공급하면서 반송을 하는 예와, 상술한 반송영역의 온도에 의거하여 냉각부(4)의 온도제어를 하는 예를 결합시키도록 해도 좋고, 이 경우에는 반송 중에 웨이퍼(W) 위에 처리온도의 공기를 공 급하는 것을 고려하여, 냉각부(4)의 냉각플레이트(41)의 온도제어가 이루어진다.
이상에 있어서, 본 발명에서는 소수화 처리대신에 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)의 표면에 반사 방직막을 형성하도록 해도 좋다. 이 경우에는 웨이퍼(W)는 반사방지막을 형성하는 유닛을 처리유닛(U)으로 추가하고, 반송영역의 온도에 의거하여 반사방지막을 형성하는 유닛에 웨이퍼(W)가 반송되었을 때, 웨이퍼(W)가 해당처리를 하는 온도가 되도록, 반송영역의 온도에 의거하여 냉각부(4)의 온도제어가 이루어진다.
즉 반사방지막을 형성하는 것은, 화학증폭형 레지스트를 이용하면 노광시에 레지스트 아래쪽으로 반사가 일어나기 때문에, 이것을 방지하기 위함이다. 또 본 발명은 기판으로서는 웨이퍼에 한정하지 않고, 액정디스플레이용 유기기판이어도 좋다.
다음으로, 본 발명의 다른 실시예를 설명하겠다.
도 13은 이 실시예의 내부를 투시하여 나타낸 개관도이고, 도 14는 개략평면도이다. 그림에서 최초의 실시예에 있어서의 요소와 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고 있다. 그림 중에 S1은 카세트스테이션, S2는 웨이퍼(W)에 대해 레지스트의 도포처리나 현상처리 등을 하기 위한 처리스테이션, S3는 인터페이스스테이션, S4는 노광장치이다.
카세트스테이션(S1)은, 카세트(22)를 재치하는 재치부를 이루는 카세트스테이지(21)와, 전달암(23)을 구비하고 있다.
또 처리스테이션(S2)은, 예를 들면 2개의 도포유닛(C)(C1, C2)과, 예를 들면 2개의 현상유닛(D)(D1, D2)과, 예를 들면 2개의 선반유닛(R)(R1, R2)과, 예를 들면 6개의 냉각부(3)(3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F)와, 도포유닛(C) 또는 현상유닛(D)과 냉각부(3) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 하기 위한, 예를 들면 2개의 전용반송수단인 반송암 (A)(A1, A2)과, 예를 들면 1개의 기판반송장치(MA)를 구비하고 있고, 카세트스테이션(S1)과 인터페이스스테이션(S3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 하는 동시에, 해당 스테이션(S2) 내에서는 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 처리와, 웨이퍼(W)의 현상처리와, 이 처리 전후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열하고, 냉각하는 처리를 하도록 구성되어 있다.
이 스테이션(S2) 내의 레이아웃의 일예를 설명하면, 해당 스테이션(S2) 내에 있어서 카세트스테이션(S1) 쪽에서 보아, 우측영역에는, 예를들면 도포유닛(C)이나 현상유닛(D) 등의 도포처리부와, 냉각부(3)와, 반송암(A)과, 반송암(A) 전용의 반송영역을 구비한, 예를 들면 2개의 처리유닛(U)(U1, U2)이 카세트 스테이션(S1)의 카세트 배열방향과 직교하는 방향으로 처리유닛(U1)을 바로 앞쪽으로 하여 나란히 설치되어 있다. 즉, 이하의 설명에서는 카세트스테이션(S1) 쪽을 바로 앞쪽에, 노광장치(S4) 쪽을 안쪽으로 하여 서술하도록 한다.
또, 이들 처리유닛(U)의 카세트스테이션(S1) 쪽에서 보아, 왼쪽에는 바로 앞쪽에 선반유닛(R1), 안쪽에 선반유닛(R2)이 각각 설치되어 있다. 그리고 처리유닛 (U)의 카세트스테이션(S1) 쪽에서 보아 왼쪽에는 처리유닛(U)이나 선반유닛(R)의 각부에 억세스할 수 있도록 기판반송장치(MA)가 배치되어 있다.
상기 처리유닛(U)에 대해서 설명하면, 예를 들면 처리유닛(U1)에는, 도 15와 같이, 1개의 현상유닛(D1)과, 1개의 도포유닛(C1)과, 3개의 냉각부(3A, 3B, 3C)등이 위에서 차례로 배열되어 있다. 이 유닛의 기판반송장치(MA)에서 보아, 후방측(기판반송장치(MA)가 억세스하도록 하는 쪽의 반대쪽)에는, 이 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송암(A1)이 설치되어 있으며, 여기에 반송암(A1) 전용의 반송영역(E1)이 형성되어 있다.
상기 도포유닛(C)에 대해 예를 들면 도 16에 의거하여 설명하면, (141)은 컵이고, 이 컵(141) 내에 진공흡착기능을 가지는 회전이 자유로운 스핀척(142)이 설치되어 있다. 이 스핀척(142)은 승강기구(143)에 의해 승강이 자유롭도록 구성되어 있고, 컵(141) 위쪽에 위치하고 있을 때, 상기 기판반송장치(MA)의 후술하는 암 (181) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
이 웨이퍼(W)의 전달에 대해서는, 암(71) 위의 웨이퍼(W)를 컵(141)의 위족에 스핀척(142)이 그 아래쪽에서 상승하여 전달하고, 또 그 역동작에 의해 스핀척 (142)에서 암(71)로 전달된다. (144)는 토출노즐, (145)는 처리액공급관, (146)은 노즐을 수평이동시키는 지지암이고, 이러한 도포유닛(C)에서는, 스핀척(142) 위의 웨이퍼(W) 표면에 토출노즐(144)로부터 처리액인 레지스트액을 적하하고, 스핀척 (142)을 회전시켜 레지스트액을 웨이퍼(W) 위에 확산시켜 도포한다.
또 현상유닛(D)은 도포유닛(C)과 거의 동일한 구성이지만, 현상유닛(D)은 토출노즐(144)이, 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경방향으로 배열된 다수의 공급포트를 구비하도록 구성되고, 스핀철(142) 위의 웨이퍼(W)의 표면에 토출노즐(144)에서 처리액인 현상액을 토출하고, 스핀척(142)을 반회전시키는 것에 의해 웨이퍼(W) 위로 현상액이 공급되어, 현상액의 액막이 형성되도록 되어 있다.
상기 냉각부(3)는, 예를 들면 도 17에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 서모모듈이 내장된 냉각플레이트(131)(도 5 참조)의 표면에 웨이퍼(W)를 재치하는 것에 의해, 해당 웨이퍼(W)가 소정 온도까지 냉각되도록 되어 있다. 이 냉각플레이트 (131)에는, 해당 냉각프레이트(131)에 대해 웨이퍼(W)를 전달하기 위한, 승강기구 (132)에 의해 승강되는 승강핀(133)이 설치되어 있다.
상기 반송암(A)은, 예를 들면 도 17, 도 18에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 암(151)이 기대(152)를 따라 진퇴하고, 동시에 기대(152) 자체가 한쌍의 가이드레일(154a, 154b)를 통하여 승강이 자유롭게 지지되도록 구성되어 있다. 이렇게 암(151)은 승강이 자유롭고, 진퇴가 자유롭게 구성되고, 도포유닛(C1), 현상유닛(D1), 냉각부(3A, 3B, 3C)에 대해, 기판반송장치(MA)가 억세스하는 측과는 반대측에서 억세스하고, 이 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하도록 되어 있다.
또, 이 도포유닛(C1), 현상유닛(D1), 냉각부(3A, 3B, 3C), 반송암(A1)의 반송영역(E1)은 공간이 닫혀져 있다. 즉, 예를 들면 도 17(설명 편의상, 도포유닛(C1)과 냉각부(3A)를 적층하고, 도포유닛(C1)이 처리유닛(U1)의 최상부에 위치하도록 묘사하고 있다), 도 19와 같이, 도포유닛(C1) 등의 앞쪽(기판반송장치(MA)과 대향하는 쪽)이나 뒤쪽, 옆쪽 및 반송암(A1)의 반송영역(E1)이, 벽부(106)에 의해 다른 공간으로 구획되어 있는 동시에, 도포유닛(C1)과 현상유닛(D1) 사이와 같은 각부의 사이도 칸만이벽(161)에 의해 구획되어 있다. 이렇게 이 예에서는 도포유닛(C1) 등의 도포처리부와 냉각부(103) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송암(A1)의 전용반송영역(E1)이, 상기 도포처리부 등의 뒤쪽으로 이들과 인접하여 형성되게 한다.
상기 벽부(106)의 도포유닛(C1) 등의 각부의, 기판반송장치(MA)의 암(71)에 대응하는 위치와, 반송암(A1)의 암(151)에 대응하는 위치에는, 각각 제 1 전달구 (162)와 제 2 전달구(163)(도 20, 도 21 참조)가 형성되어 있고, 이것들은 각각 항상 덮개부(164, 165)에 의해 닫혀 있고, 이 덮개부(164, 165)는 각각 제어부(C)에 의해 개폐타이밍이 제어되도록 되어 있다.
또, 벽부(106) 및 칸막이벽(161)에 의해 구획된 도포유닛(C1) 등의 각부와 반송암(A1)의 반송영역(E1)에는, 불순물이 제거되고, 소정 온도, 예를 들면 23℃, 및 소정습도로 조정된 공기가 송출되도록 되어 있고, 이것에 의해 이들 영역은 소위 높은 정도로 조정된 분위기로 되어 있다.
즉 예를 들면, 구획된 도포유닛(C1) 등의 도포처리부나 냉각부(103), 반송암 (A1)의 반송영역(E1)에는, 예를 들면 도 17에 나타내 듯이, 팬과 ULPL필터가 일체적으로 구성된 팬필터유닛(FFU)(F)이 각각 각부의 상부측을 덮도록 설치되어 있고, 각부의 하부측으로부터 회수되는 분위기가 공장 배기계로 배기되는 한편, 일부가 필터장치(166)로 도입되고, 이 필터장치(166)에서 청정화된 공기가, 상기 팬필터유닛(F)를 통하여 각부 내에 다운플로우로서 불어 내지도록 되어 있다.
상기 팬필터유닛(F)은, 또 예를 들면 공기를 청정화하기 위한 필터, 공기 중의 알카리 성분, 예를 들면 암모니아 성분이나 아민을 제거하기 위한 산 성분이 첨가되어 있는 화학필터, 흡입팬 등을 구비하고 있다. 또 상기 필터장치(166)는, 불 순물을 제거하기 위한 불순물 제거부나, 가열기구 및 가습기구, 공기를 송출하는 송출부 등을 구비하고 있다. 예를 들면 레지스트액으로서 화학증폭형 레지스트를 이용하는 경우에는, 현상처리분위기에 알카리성분이 들어가는 것을 방지할 필요가 있으므로, 처리부를 닫는 공간으로 하고, 화학필터를 이용하여 외부로부터의 알카리 성분의 침입을 막고 있다.
즉 화학증폭형 레지스트는 노광하는 것에 의해 산이 생성하고, 이 산이 가열처리에 의해 확산하여 촉매로서 작용하고, 레지스트 재료의 주성분인 베이스 수지를 분해하거나, 분자구조를 바꿔 현상액에 대해 가용화하는 것이다. 따라서 이 종류의 레지스트를 이용한 경우, 공기 중에 포함되어 있는 미량의 암모니아나 벽의 도료 등으로 부터 발생하는 아민 등의 알카리성분이 레지스트표면부의 산과 접촉하면 산에 의한 촉매반응이 억제되고, 패턴의 형상이 열화하기 때문에 알카리 성분을 제거할 필요가 있다.
상기 처리유닛(U2)은 처리유닛(U1)과 동일하게 구성되고, 현상유닛(D2)과 도포유닛(C2)과 3개의 냉각부(3D, 3E, 3F)가 위에서부터 차례로 배열되고, 이 기판반송장치(MA)에서 보아, 뒤쪽에는 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 전용반송영역(E2)을 갖는 반송암(A2)이 설치되어 있다.
상기 선반유닛(R)(R1, R2)은, 도 15에 선반유닛(R1)을 대표하여 나타내 듯이, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열부(171), 웨이퍼표면을 소수화하기 위한 소수화부 (172), 선반유닛(R1)에 있어서는 카세트스테이션(S1)의 전달암(23)과 기판반송장치 (MA) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한, 또 선반유닛(R2)에 있어서는 인 터페이스스테이션(S3)의 후술하는 전달암(109)과 기판반송장치(MA) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달대를 구비한 전달부(173)와, 선반유닛(R1)에 있어서는 웨이퍼 (W)의 위치를 조절하기 위한 얼라인먼트부(174)가 세로로 배열되어 있다.
상기 기판반송장치(MA)는, 예를 들면 도 6에 나타낸 바와 같다.
이렇게 하여 처리스테이션(S2)에서는, 기판반송잗치(MA)에 의해 각 도포유닛 (C)과 각 현상유닛(D)과, 각 냉각부(103)와, 각 선반유닛(R)에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 이루어지고, 반송암(A1)에 의해 전용 반송영역(E1)을 통하여 도포유닛(C1)과 현상유닛(D1)과 냉각부(3A, 3B, 3C)에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 이루어지고, 반송암(A2)에 의해 전용 반송영역(E2)을 통하여 도포유닛(C2)과 현상유닛(D2)과, 냉각부(3D, 3E, 3F)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다.
처리스테이션(S2)의 옆에는 인터페이스스테이션(S3)이 접속되고, 이 인터페이스스테이션(S3)의 안쪽에는, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해 노광을 하기 위한 노광장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스스테이션(S3)은, 처리스테이션(S2)과 노광장치(S4) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달암(109)을 구비하고 있다.
다음으로 상술한 실시예의 작용에 대해서 설명한다. 우선, 자동반송로붓(혹은 작업자)에 의해, 예를 들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(22)가 카세트스테이지(21)로 반입되고, 전달암(23)에 의해 카세트(22) 안에서 웨이퍼(W)가 꺼내어져 처리스테이션(S2)의 선반유닛(R1) 내의 전달부(173)에 놓여진다.
이 웨이퍼(W)는 기판반송장치(MA)에 의해 선반유닛(R)의 소수화부(172)에 반 송되고, 그리고 웨이퍼 표면이 소수화된 후, 기판반송장치(MA)에 의해 처리유닛(U)의 냉각부(103)에 반송되고, 소정 온도, 예를 들면 23℃까지 냉각된다. 이어서 웨이퍼(W)는 도포유닛(C)에서 처리액인 레지스트액이도포되지만, 이 공정에 대해, 도 20, 도 21에 나타낸 처리유닛(U1)의 도포유닛(C1)과 냉각부(3A)를 예로 하여 설명한다.
우선, 도 20(a)와 같이, 냉각부(3A)의 제 1 전달구(162)의 덮개부(164)를 열고, 소수화부의 웨이퍼(W)를 기판반송장치(MA)에 의해 냉각플레이트(131) 위에 전달한 후, 도 20(b)에 나타낸 바와 같이, 제 1 전달구(162)의 덮개(164)를 닫아 냉각부(3A) 안을 닫은 공간으로 하고, 웨이퍼(W)를 소정 온도, 예를 들면 23℃까지 냉각하여 온도 조정을 한다. 이어서, 도 20(c)와 같이 제 2 전달구(163)의 덮개부 (165)를 열어 반송암(A1)에 웨이퍼(W)를 전달한 후, 제 2 전달구(163)의 덮개부 (165)를 닫고, 도 20(d)에 나타낸 바와 같이, 반송암(A1)에 의해 웨이퍼(W)를 전용반송영역(E1) 내를 통해 도포유닛(C1)의 제 2 전달구(163)에 대응하는 위치까지 반송한다.
이어서, 도 21(a)에 나타낸 바와 같이, 도포유닛(C)의 제 2 전달구(163)의 덮개부(165)를 열어, 반송암(A1)에 의해 웨이퍼(W)를 스핀척(142) 위에 전달한 후, 도 21(b)에 나타내 듯이 제 2 전달구(163)의 덮개부(165)를 닫아, 도포유닛(C1) 내를 닫힌 공간으로서 웨이퍼 표면에 레지스트액을 도포한다. 다음에 도 21(c)에 나타내 듯이, 도포유닛(C1)의 제 1 전달구(162)의 덮개부(164)를 열어 기판반송장치 (MA)에 의해 선반유닛(R)의 가열부(171)에 반송한다.
가열부(171)에서 소정온도까지 가열된 웨이퍼(W)는, 기판반송장치(MA)에 의해 처리유닛(U)의 냉각부(103)로 반송되어 소정온도까지 냉각되어 온도조정이 이루어지고, 이어서 인터페이스스테이션(S3)의 전달암(109)→노광장치(S4)의 경로로 반송되어 노광이 이루어진다.
노광 후의 웨이퍼(W)는 역경로, 즉 노광장치(S4)→전달암(109)→선반유닛(R)의 가열부(171)→기판반송장치(MA)→처리유닛(U)의 냉각부(103)→반송암(A)→현상유닛(D)의 경로로 반송된다. 이렇게 하여 웨이퍼(W)는, 가열부→냉각부(103)에 의해 소정 온도까지 가열된 후, 소정온도 예를 드면 23℃까지 냉각되어 온도조정이 이루어지고, 이어서 웨이퍼(W)는 현상유닛(D)에서 현상처리된다. 여기서 냉각부(3)→현상유닛(D)의 공정도 상술한 냉각부(3)→도포유닛(C)의 공정처럼, 각부를 닫은 공간으로써 행해진다.
이후, 웨이퍼(W)는 기판반송장치(MA)→선반유닛(R)의 가열부(171)→기판반송장치(MA)→처리유닛(U)의 냉각부(3)→기판반송장치(MA)→선반유닛(R)의 전달부 (173)→전달암(23)의 경로로 반송되고, 일단 소정 온도까지 가열된 후, 소정 온도까지 냉각된 웨이퍼(W)는, 전달부(173)를 통하여, 예를 들면 원래 카세트(22) 내로 되돌려 진다.
그리고 처리스테이션(S2)에서는, 웨이퍼(W)는 차례로 선반유닛(R)의 전달부(173)으로 보내어 지고, 이어서 비어 있는 소수화부(172)→처리유닛(U)의 비어 있는 냉각부(103)→비어 있는 도포유닛(C)→선반유닛(R)의 비어 있는 가열부 (171)→처리우닛(U)의 열려 있는 냉각부(103)→인터페이스스테이션(S3)의 경로로 반송되고, 또 노광 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스스테이션(S3)의 전달암(109)→선반유닛(R)의 열려 있는 가열부(171)→처리유닛(U)이 열려 있는 냉각부(103)→비어 있는 현상유닛(D)→선반유닛(R)의 비어 있는 가열부(171)→처리유닛(U)의 열려 있는 냉각부(103)→전달부(173)의 경로로 반송되면 된다.
상술한 실시예에서는, 도포유닛(C) 등의 처리부와 냉각부(3)를 다단으로 쌓고, 양자를 인접하여 설치하고 있기 때문에, 이 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 전용반송암(A)을 설치할 수 있고, 또 이것에 인접한 전용반송영역(E)을 형성할 수 있다.
이렇게 하여, 처리부와 냉각부(103) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 전용반송암(A)에 의해 이루어지도록 하면, 처리스테이션(S2) 내에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송을 모두 기판반송장치(MA)가 하고 있던, 종래의 경우에 비하여, 기판반송장치 (MA)의 부담이 경감된다. 이 때문에 웨이퍼(W)의 대기시간을 만들지 않고 각부에 억세스할 수 있고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
또 전용반송영역(E)을 구비하고 있기 때문에, 해당 반송영역(E)을 구획할 수 있고, 이에 의해 해당영역(E)은, 예를 들면 선반유닛(R)의 가열부(171) 등의 열원으로부터의 영향을 받기 어렵게 된다. 이 때문에 냉각부(103)→도포유닛(C)이나 냉각부(103)→현상유닛(D)의 웨이퍼(W)의 반송시, 냉각부(103)에 있어서 온도 조정된 웨이퍼(W)를 높은 온도 정도를 유지한 상태에서 도포유닛(C)이나 현상유닛(D)로 반송할 수 있다. 이에 의해, 소정 온도로 레지스트의 도포나 현상을 할 수 있기 때문에, 온도 변화가 원인이 되는 막두께나 현상선폭의 변화가 억제되고, 처리얼룩의 발생을 억제하여 균일한 처리를 할 수 있다.
또, 반송암(A)의 반송영역(E)이 구획되어 있는 것에 의해서, 이 영역(E)의 온도나 습도를 높은 정도로 조정할 수 있다. 이 때문에 상술한 예와 같이 반송영역 (E)의 온도를 23℃로 설정해 두면, 냉각부(103)에 있어서 23℃로 온도 조정된 웨이퍼(W)는, 23℃의 반송영역을 통과하여 도포유닛(C)에 반송되므로, 해당 반송 중에 반송영역(E)의 분위기가 영향을 받아, 웨이퍼(W)의 온도가 변화하는 일이 없다. 따라서, 웨이퍼(W)를 보다 높은 온도 정도를 유지한 상태에서 도포유닛(C)이나 현상유닛(D)에 반송할 수 있고, 한층 균일한 도포처리를 할 수 있다.
그리고, 본 실시예와 같이, 복수의 처리부와 복수의 냉각부(103)를 다단으로 쌓고, 이 사이의 웨이퍼(W) 반송을 1개의 반송암(A)이 하도록 하면, 공통의 반송영역(E)를 통해서 웨이퍼(W)가 반송되기 때문에, 반송영역(E)의 전유면적이 작아 진다는 이점이 있다.
게다가 또, 본 발명에서는, 도포유닛(C) 등의 도포처리부와, 냉각부(103)와, 웨이퍼(W)의 반송영역(E)이 구획되고, 각각 닫혀진 공간을 갖는 것에서, 이 영역의 온도나 습도를 별개로 높은 정도로 조정할 수 있다. 이 때문에 냉각부(103)나 처리부가 상호간에 온도영향을 받기 어렵고, 각부에서의 온도조정이 용이해지고, 분위기 조정에 필요한 시간을 단축할 수 있으며, 스루풋을 높일 수 있다.
또 본 발명에서는, 상술한 것 처럼, 도포유닛(C) 등의 도포처리부와, 냉각부 (103)와, 웨이퍼(W)의 반송영역이 각각 닫혀진 공간을 가지기 때문에, 이 영역의 분위기를 별개로 조정할 수 있다. 즉 온도나 습도의 설정이나, 파티클 양의 설정, 압력의 설정 등을 각부 사이에서 바꿀 수 있기 때문에, 각부의 분위기가 다른 처리에도 적용할 수 있다.
이상에 있어서, 상술한 예에서는 처리유닛(U1,U2)마다 전용반송암(A1)에 의해 모든 도포처리부와 냉각부(103) 사이의 반송을 하도록 해도 좋다. 또 도포처리부와 냉각부(103) 레이아웃이나 개수는 상술한 예에 한정하지 않고, 예를 들면 도 22와 같이, 도포유닛(C)과 현상유닛(D)이 냉각부(3)를 사이에 두고 상하에 있는 구성으로 해도 좋고, 냉각부(3)는 1개라도 좋다. 또, 이에 한하지 않고 위에서 현상유닛(D)과 도포유닛(C)과 냉각부(3)를 적층해도 좋고, 위에서부터 도포유닛(C)과 현상유닛(D)을 적층해도 좋다. 그 밖에 다양한 유닛의 적층패턴에 대해 본 발명을 적용할 수 있다.
또, 도 23과 같이 도포처리부와 냉각부(103)를 세로로 적층하고, 이들 옆에 인접하도록 반송암(A)의 반송영역(E)를 형성해도 좋고, 이 경우 기판반송장치(MA)가 억세스하는 측과 직교하는 측에서 도포처리부 등에 대해 반송암(A)이 억세스하게 된다. 게다가 도 24와 같이 도포처리부와 냉각부(103)를 옆에 인접하여 설치하고, 이 기판반송장치(MA)의 억세스하는 측과 반대측에 인접하여 반송암(A)의 반송영역(E)를 형성하도록 해도 좋다.
게다가 인터페이스스테이션(S3)로 반송하기 전의 냉각을 하는 냉각부(3)나 현상처리후, 카세트스테이션(S1)에 되돌리기 전의 냉각을 하는 냉각부(3)는 선반유닛(R)에 설치하고, 도포유닛(C)이나 현상유닛(D)에 반송하기 전의 냉각을 하는 냉각부(103) 만을 도포처리부에 인접하여 설치해도 좋다.
게다가, 또 본 발명에서는, 도포처리부와 냉각부(103) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 전용반송영역(E)이 닫힌 공간이라면, 냉각부(3)에서 온도 조정된 웨이퍼(W)의 온조를 유지한 상태에서 도포처리부로 반송할 수 있기 때문에, 반드시 냉각부(103)나 도포처리부는 닫힌 공간으로 하지 않아도 좋은데, 냉각부(103)가 닫힌 공간이라면, 해당 냉각부(3)에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도조정이 용이해지고, 또, 도포처리부를 닫힌 공간으로 하면, 도포처리부와 냉각부(103)와 반송영역(E)의 분위기를 별개로 조정할 수 있다는 이점이 있다.
또, 본 발명에서는, 소수화처리 대신에, 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼 (W)의 표면에 반사방지막을 형성하도록 해도 좋다. 이 경우에는 웨이퍼(W)는 반사방지막을 형성하는 처리를 행하기 전에 소정 온도까지 냉각되기 때문에, 예를 들면 반사방지막을 형성하는 유닛을 도포처리부에 추가하고, 냉각부(3)와 반사방지막 형성유닛 사이의 웨이퍼(W)의 바농을 전용반송암(A)를 통해서 하는 것이 바람직하다. 즉 반사방지막을 형성하는 것은, 화학증폭형 레지스트를 이용하면 노광시에 레지스트의 아래쪽으로 반사가 일어나기 때문에, 이것을 방지하기 위한 것이다. 또, 본 발명은 기판으로서는 웨이퍼에 한하지 않고, 액정디스플레이용 유리기판이라도 좋다.
본 발명에 의하면, 기판의 온도나 습도를 높은 정도로 유지한 상태에서 도포처리를 할 수 있고, 처리의 균일성 향상을 도모할 수 있다는 효과가 있다.
또 본 발명에 의하면, 도포처리부와 냉각부 사이의 기판반송을 반송수단에 의해 이루어지므로 기판반송장치의 부담이 경감한다는 효과가 있다.

Claims (16)

  1. 냉각플레이트에서 냉각된 기판을 도포처리부에 반송하고, 상기 도포처리부에서 기판에 대해 처리액을 도포하는 기판처리방법에 있어서,
    기판이 반송된는 영역의 온도를 검출하는 공정과,
    상기 검출된 온도에 의거하여, 상기 도포처리부에 반송된 기판의 온도가 처리액의 공급시 온도와 같아지도록, 상기 냉각플레이트에서 냉각되는 기판의 온도를 조정하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    기판이 반송되는 영역의 습도를 검출하는 공정과,
    상기 검출된 습도에 의거하여, 상기 조정되는 기판의 온도를 보상하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 검출된 습도에 의거하여, 적어도 기판이 반송되는 영역의 습도가 원하는 습도가 되도록 제어하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 도포처리부가, 기판 위에 레지스트액을 도포하는 것임을 특징으로 하는 기판처리방법.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 도포처리부가 기판 위에 현상액을 공급하는 것임을 특징으로 하는 기판처리방법.
  6. 냉각플레이트에서 냉각된 도포처리부로 반송하고, 이 도포처리부에서 기판에 대해 처리액을 도포하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 기판의 피처리면에 온도 조정된 기체를 공급하는 공정과,
    상기 기체를 공급하면서, 상기 냉각플레이트에서 상기 도포처리부까지 기판을 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판의 피처리면에 공급되는 기체는, 도포처리부에 있어서의 처리액 도포시 온도와 같은 온도로 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 복수의 기판을 수납한 기판 카세트를 재치하는 재치부와, 이 재치부에 재치된 기판카세트에 대해 기판을 전달하는 전달장치를 포함하는 카세트스테이션과, 이 카세트스테이션에 접속되고, 상기 전달장치에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 가지는 기판처리장치에 있어서,
    상기 처리스테이션은,
    기판을 냉각하기 위한 냉각플레이트와,
    기판에 대해 처리액을 도포하기 위한 도포처리부와,
    상기 냉각플레이트에서 냉각된 기판을 상기 도포처리부에 반송하기 위한 기판반송장치와,
    기판이 상기 기판반송장치에 의해 반송되는 영역의 온도를 검출하기 위한 온도검출기와,
    도포처리부에 반송된 기판의 온도가 처리액의 도포온도가 되도록, 상기 온도검출기의 검출값에 의거하여, 상기 냉각플레이트의 온도를 조정하기 위한 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    기판이 반송되는 영역의 습도를 검출하는 습도검출기와,
    상기 검출된 습도에 의거하여, 상기 조정되는 기판의 온도를 보상하는 온도보상부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 검출된 습도에 의거하여, 적어도 기판이 반송되는 영역의 습도가 소망의 온도가 되도록 제어하는 습도제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 도포처리부가, 기판 위에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포부인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 도포처리부가, 기판 위에 현상액을 공급하는 현상액 공급부인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 처리스테이션의 카세트스테이션의 반대측에는 노광장치가 접속가능하고, 상기 처리스테이션의 카세트스테이션의 반대측에 접속되고, 처리스테이션과 노광장치 사이에서 기판을 전달하기 위한 인터페이스스테이션을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 복수의 기판을 수납한 기판 카세트를 재치하는 재치부와, 이 재치부에 재치된 기판카세트에 대해 기판을 전달하는 전달장치를 포함하는 카세트스테이션과, 이 카세트 스테이션에 접속되고, 상기 전달장치에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 구비한 기판처리장치에 있어서,
    상기 처리스테이션은,
    기판을 냉각하기 위한 냉각플레이트와,
    기판에 대해 처리액을 도포하기 위한 도포처리부와,
    상기 냉각플레이트와 상기 도포처리부 사이에서 기판을 반송하기 위한 기판반송장치와,
    상기 기판반송장치에 의해 기판이 상기 냉각플레이트에서 상기 처리부까지 반송되는 동안, 상기 기판의 피처리면에 온도조정된 기체를 공급하기 위한 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    가스공급부에서 기판의 피처리면에 공급되는 기체는, 도포처리부에 있어서의 처리액의 도포온도로 온도조정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 기판을 냉각하기 위한 냉각플레이트와,
    기판에 대해 처리액을 도포하기 위한 냉각플레이트와,
    상기 냉각플레이트에서 냉각된 기판을 상기 도포처리부에 반송하기 위한 기판반송장치와,
    기판이 상기 기판반송장치에 의해 반송되는 영역의 온도를 검출하기 위한 온도검출기와,
    도포처리부에 반송된 기판의 온도가 처리액의 도포온도가 되도록, 상기 온도검출기의 검출값에 의거하여, 상기 냉각플레이트의 온도를 조정하기 위한 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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