KR20070105894A - 기판처리방법, 기판처리시스템 및 기판처리장치 - Google Patents

Abstract

노광(露光)장치 내의 스테이지 등의 기구의 오염을 저감할 수 있는 기판처리기술을 제공한다.

액침투 노광대응의 노광유닛에 있어서 패턴 형상의 노광위치를 조정하는 얼라인먼트 처리에 사용하는 더미기판을 노광 전후의 레지스트 도포처리 및 현상(現像)처리를 행하는 기판처리장치로 반송한다. 기판처리장치에서는, 수취한 더미기판을 표리(表裏) 반전하고나서 이면(裏面)세정처리유닛으로 반송하여 이면세정처리를 실행한다. 그 후, 다시 더미기판을 표리 반전하고나서 표면세정처리유닛으로 반송하여 표면세정처리를 행한다. 세정 후의 더미기판은 다시 기판처리장치로부터 노광유닛으로 귀환하게 한다. 노광유닛 측에서는 청정(淸淨)한 더미기판을 사용하여 얼라인먼트 처리를 실행할 수 있기 때문에, 기판 스테이지 등의 노광유닛 내의 기구 오염을 저감할 수 있다.

기판처리, 반송장치, 표면세정, 이면세정, 포토리소그래피, 웨이퍼

Description

기판처리방법, 기판처리시스템 및 기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명에 관련된 기판처리장치의 평면도이다.

도 2는 기판처리장치의 액처리부의 정면도이다.

도 3은 기판처리장치의 열처리부의 정면도이다.

도 4는 기판재치부의 주변구성을 나타내는 도이다.

도 5는 반송로봇을 설명하기 위한 도이다.

도 6은 표면세정처리유닛의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도 7은 이면세정처리유닛의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도 8은 기판임시거치부를 가진 가열부의 개략구성을 나타내는 도이다.

도 9는 인터페이스 블록의 측면도이다.

도 10은 반전유닛의 주요부 구성을 나타내는 사시도이다.

도 11은 반전유닛의 개략정면도이다.

도 12는 파지암을 나타내는 도이다.

도 13은 파지암이 각 반송대상부에 액세스할 때의 상태를 모식적으로 나타내는 도이다.

도 14는 기판처리장치에 인접하여 접속된 노광유닛의 개략구성을 나타내는 평면도이다.

도 15는 기판처리시스템의 제어기구의 개략을 나타내는 블록도이다.

도 16은 기판처리시스템에 있어서 실현되는 기능처리부를 나타내는 기능블록도이다.

도 17은 더미기판의 세정순서를 나타내는 플로우챠트이다.

<부호의 설명>

1: 인덱서블록 2: 바크블록

3: 레지스트 도포블록 4: 현상처리블록

5: 인터페이스블록 12: 기판이동적재기구

21, 31, 41, 42: 열처리타워 55, 95: 반송기구

59a, 59b: 파지암 99: 격납부

100: 호스트컴퓨터 105: 세정제어부

106: 반출요구부 107: 스케쥴관리부

108: 세정요구부 109: 반송제어부

450: 세정처리용 노즐 BRC1~ BRC3, SC1 ~ SC3: 도포처리유닛

CC: 셀 콘트롤러 CP1 ~ CP14: 쿨 플레이트

CS1: 세정요구신호 CS2: 반출요구신호

CS3: 세정개시신호 DW: 더미기판

EC: 컨트롤러 EXP: 노광유닛

HP1 ~ HP11: 핫 플레이트 MC: 메인 컨트롤러

PHP1 ~ PHP12: 가열부 REV: 반전유닛

SD1 ~ SD3: 현상처리유닛 SOAK1: 표면세정처리유닛

SOAK2: 이면세정처리유닛 SP: 기판처리장치

TC: 반송로봇 컨트롤러 TR1 ~ TR4: 반송로봇

W: 기판

국제공개99/49504호 팜플렛

일본 특허공개 2005-268747호 공보

본 발명은, 반도체기판, 액정표시장치용 글래스 기판, 포토마스크용 글래스 기판, 광디스크용 기판 등(이하, 간단히「기판」이라고 칭한다)에 레지스트 도포처리 및 현상(現像)처리를 행하는 기판처리장치와 레지스트가 도포된 기판의 노광처리를 행하는 노광장치를 접속한 기판처리시스템, 그 시스템을 사용한 기판처리방법, 및, 그 시스템에 사용되는 기판처리장치에 관한 것이다.

주지된 바와 같이, 반도체나 액정 디스플레이 등 제품은, 상기 기판에 대하 여 세정, 레지스트도포, 노광, 현상, 에칭, 층간 절연막의 형성, 열처리, 다이싱(Dicing) 등의 일련의 모든 처리의 실시에 의해 제조되고 있다. 이들 모든 처리 중, 노광처리는 레티클(Retic1e)(인화를 위한 마스크)의 패턴을 레지스트도포된 기판에 전사(轉寫)하는 처리로서, 소위 포토리소그래피(photo 1ithography)처리의 중핵이 되는 처리이다. 통상, 패턴은 지극히 미세하기 때문에, 기판 전면(全面)에 일괄적으로 노광하지 않고, 몇 칩씩 나누어서 반복 노광을 행하는 소위 스텝 노광이 행하여진다.

한편, 최근, 반도체 디바이스 등의 급속한 고밀도화에 동반하여, 마스크의 패턴을 더욱 미세화하는 것이 강하게 요망되고 있다. 이 때문에, 노광처리를 행하는 노광장치의 광원으로서는 종래의 자외선 램프를 대신하여 비교적 파장의 짧은 KrF 엑시머레이저(Excimer 1aser) 광원이나 ArF 엑시머레이저 광원 등의 원자외선광원(Deep UV)이 주류를 차지해가고 있다. 그런데, 최근의 한층 더한 미세화 요구에 대해서는 ArF 엑시머레이저 광원으로도 충분하지 않다. 이에 대응하기 위해서는, 보다 파장이 짧은 광원, 예를 들면 F2 레이저 광원을 노광장치에 채용하는 것도 생각할 수 있지만, 비용면의 부담을 저감하면서 한층 더 패턴 미세화를 가능하게 하는 노광기술로서 액침(液浸)(immersion)노광처리법이 제안되어 있다(예를 들면, 국제공개99/49504호 팜플렛 참조).

액침노광처리법은, 투영광학계와 기판과의 사이에 굴절율(n)이 대기(n=1)보다 큰 액체(예를 들면, n=1.44의 순수(純水))를 채운 상태에서 「액침노광」을 행함으로써, 개구수(開口數)(Numerica1 Aperture)를 크게 하여 해상도를 향상하게 하 는 기술이다. 이 액침노광처리법에 의하면, 종래의 ArF 엑시머레이저 광원(파장 193nm)을 그대로 유용했다고 해도, 그 등가파장을 134nm로 할 수 있어, 비용부담 증가를 억제하면서 레지스트 마스크의 패턴을 미세화할 수 있다.

이러한 액침 노광처리법에 있어서도, 종래의 드라이 노광과 마찬가지로, 마스크의 패턴 형상과 기판상의 노광영역을 정확하게 위치맞춤하는 것이 중요하다. 이 때문에, 액침 노광처리법에 대응하는 노광장치에 있어서도, 기판 스테이지의 위치나 레티클 위치를 교정하여 패턴 형상의 노광위치를 조정하는 얼라인먼트처리가 행하여진다. 그런데, 액침 노광처리 대응의 노광장치에서는, 얼라인먼트 처리시에 기판 스테이지 내부에 액체(액침액)이 침입함으로써 불량이 생길 우려가 있기 때문에, 일본 특허공개 2005-268747호 공보에는 기판 스테이지에 더미기판을 배치하여 얼라인먼트 처리를 행하는 것이 개시(開示)되어 있다. 이렇게 하면, 스테이지 오목부가 통상의 노광처리시와 마찬가지로 더미기판에 의해 막히기 때문에, 스테이지 내부로의 액체의 침입이 방지되는 것이다.

그러나, 일본 특허공개 2005-268747호 공보에 개시된 것처럼 더미기판을 사용한 얼라인먼트 처리에 있어서, 더미기판 자체의 이면이 오염되어 있으면 그 오염이 스테이지 오목부에 전사될 우려가 있다. 노광장치의 스테이지 오목부에 파티클 등이 부착하여 오염되면, 그 파티클이 처리대상기판에 부착될 뿐만아니라, 노광처리시에 기판의 높이위치가 미묘하게 어긋나서 정확한 패턴 노광에 영향을 줄 우려도 있다.

또한, 노광장치 스테이지가 오염된 경우에는, 스테이지 자체를 청소할 필요가 있다. 그러나, 노광장치를 정지하지 않고 스테이지를 청소하는 것은 용이하지 않다.

본 발명은, 상기 과제를 감안한 것으로, 노광장치 내의 스테이지 등의 기구의 오염을 저감할 수 있는 기판처리기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.

그리고, 본 발명은, 노광장치 내의 스테이지의 오염을 용이하게 청소할 수 있는 기판처리기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위하여, 청구항1의 발명은, 기판처리장치에서 레지스트 도포처리가 행하여진 기판을 노광장치로 반송하여 패턴 노광을 행한 후에, 그 기판을 상기 기판처리장치로 복귀하게 하여 현상처리를 행하는 기판처리방법에 있어서, 상기 노광장치 내에서 패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용되는 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하는 송출공정과, 상기 기판처리장치 내에서 상기 더미기판의 이면이 상면으로 되도록 상기 더미기판을 반전하는 제1 반전공정과, 상기 기판처리장치 내에서 상기 더미기판의 이면을 세정하는 세정공정과, 상기 기판처리장치 내에서 이면세정 후의 상기 더미기판의 이면이 하면으로 되도록 상기 더미기판을 반전하는 제2 반전공정과, 세정 후의 상기 더미기판을 상기 노광장치로 반송하는 귀환공정을 구비한다.

또한, 청구항2의 발명은, 청구항1의 발명에 관련된 기판처리방법에 있어서, 상기 세정공정을, 상기 노광장치 내의 노광위치조정의 직전 및/또는 직후에 실행하고 있다.

그리고, 청구항3의 발명은, 청구항1 또는 청구항2의 발명에 관련된 기판처리방법에 있어서, 상기 세정공정을 정기적으로 실행하고 있다.

또한, 청구항4의 발명은, 청구항1로부터 청구항3의 어느 한 항의 발명에 관련된 기판처리방법에 있어서, 상기 기판처리장치 내에서 상기 더미기판의 표면을 세정하는 공정을 더 구비하고 있다.

그리고, 청구항5의 발명은, 기판처리장치에서 레지스트 도포처리가 행하여진 기판을 노광장치로 반송하여 패턴노광을 행한 후에, 그 기판을 상기 기판처리장치로 복귀하게 하여 현상처리를 행하는 기판처리방법에 있어서, 상기 노광장치 내에서 기판을 실어놓는 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용되는 클리닝 기판을 상기 기판처리장치로 반송하는 송출 공정과, 상기 기판처리장치 내에서 상기 클리닝 기판의 이면이 상면으로 되도록 상기 클리닝 기판을 반전하는 제1 반전공정과, 상기 기판처리장치 내에서 상기 클리닝 기판의 이면을 세정하는 세정공정과, 상기 기판처리장치 내에서 이면세정 후의 상기 클리닝 기판의 이면이 하면으로 되도록 상기 클리닝 기판을 반전하는 제2 반전공정과, 세정 후의 상기 클리닝 기판을 상기 노광장치로 반송하는 귀환공정을 구비한다.

또한, 청구항6의 발명은, 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치와 레지스트도포된 기판의 노광처리를 행하는 노광장치를 접속한 기판처리시스템에 있어서, 상기 노광장치에, 패턴 형상의 노광위치 조정을 행할 때에 사용하는 더미기판을 격납하는 격납부와, 더미기판을 상기 격납부와 상기 기판처리장치와의 사이에서 반송하는 제1 반송수단을 구비하고, 상기 기판처리장치에, 더미 기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 더미기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 상기 제1 반송수단과 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 제2 반송수단을 구비한다.

그리고, 청구항7의 발명은, 청구항6의 발명에 관련되는 기판처리시스템에 있어서, 상기 기판처리장치에, 더미기판의 표면을 세정하는 표면세정부를 더 구비하고, 상기 제2 반송수단에, 상기 제1 반송수단과 상기 반전부, 상기 표면세정부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송케 하고 있다.

또한, 청구항8의 발명은, 청구항6 또는 청구항7의 발명에 관련된 기판처리시스템에 있어서, 상기 노광장치에, 상기 기판처리장치로 더미기판의 세정요구신호를 송신하는 세정요구부를 더 구비하여, 상기 기판처리장치에, 상기 세정요구부로부터 세정요구신호를 받았을 때, 상기 제2 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비한다.

그리고, 청구항9의 발명은, 청구항6 또는 청구항7의 발명에 관련된 기판처리시스템에 있어서, 상기 기판처리장치에, 상기 노광장치로 더미기판의 반출을 요구하는 반출요구신호를 송신하는 반출요구부를 더 구비하여, 상기 노광장치에, 상기 반출요구부로부터 반출요구신호를 받았을 때, 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하도록 상기 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비한다.

또한, 청구항10의 발명은, 청구항6 또는 청구항7의 발명에 관련된 기판처리시스템에 있어서, 상기 기판처리장치 및 상기 노광장치를 관리하는 호스트컴퓨터를 더 구비하여, 상기 노광장치에, 상기 호스트컴퓨터로부터 세정개시신호를 받았을 때, 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하도록 상기 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비하며, 상기 기판처리장치에, 상기 호스트컴퓨터로부터 세정개시신호를 받았을 때, 상기 제2 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비한다.

그리고, 청구항11의 발명은, 청구항6 또는 청구항7의 발명에 관련된 기판처리시스템에 있어서, 상기 기판처리장치 및 상기 노광장치를 관리하는 호스트컴퓨터를 더 구비하고, 상기 노광장치에, 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하도록 상기 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비하며, 상기 기판처리장치에, 상기 제2 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하고, 상기 반송제어부 및 상기 세정제어부에 대하여, 정기적으로 더미기판의 이면세정처리를 실행하게 하는 스케쥴 관리부를 구비한다.

또한, 청구항12의 발명은, 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치와 레지스트가 도포된 기판의 노광처리를 행하는 노광장치를 접속한 기판처리시스템에 있어서, 상기 노광장치에, 노광처리시에 기판을 실어놓는(載置) 스테이지와, 상기 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용하는 클리닝 기판을 격납하는 격납부와, 클리닝 기판을 상기 격납부와 상기 기판처리장치와의 사이에서 반송하는 제1 반송수단을 구비하고, 상기 기판처리장치에, 클리닝 기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 클리닝 기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 상기 제1 반송수단과 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 클리닝 기판을 반송하는 제2 반송수단을 구비한다.

그리고, 청구항13의 발명은, 기판에 노광처리를 행하는 노광장치에 인접하여 배치되어, 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 상기 노광장치 내에서 패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용되는 더미기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 더미기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 상기 노광장치와 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 반송수단을 구비한다.

또한, 청구항14의 발명은, 청구항13의 발명에 관련된 기판처리장치에 있어서, 더미기판의 표면을 세정하는 표면세정부를 더 구비하고, 상기 반송수단에, 상기 노광장치와 상기 반전부, 상기 표면세정부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하게 하고 있다.

그리고, 청구항15의 발명은, 청구항13 또는 청구항14의 발명에 관련된 기판처리장치에 있어서, 상기 노광장치로부터 더미기판의 세정요구를 받았을 때, 상기 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비한다.

또한, 청구항16의 발명은, 청구항13 또는 청구항14의 발명에 관련된 기판처리장치에 있어서, 상기 노광장치에 더미기판의 반출을 요구하는 반출요구신호를 송신하는 반출요구부를 더 구비한다.

그리고, 청구항17의 발명은, 청구항16의 발명에 관련된 기판처리장치에 있어서, 상기 반출요구부에 대하여, 정기적으로 반출요구신호를 송신하게 하는 스케쥴 관리부를 더 구비한다.

또한, 청구항18의 발명은, 기판에 노광처리를 행하는 노광장치에 인접하여 배치되어, 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 상기 노광장치 내에서 기판을 실어놓는(載置) 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용되는 클리닝 기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 클리닝 기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 상기 노광장치와 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 클리닝 기판을 반송하는 반송수단을 구비한다.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.

도 1은, 본 발명에 관련된 기판처리장치의 평면도이다. 또한, 도 2은 기판처리장치의 액처리부의 정면도이며, 도 3은 열처리부의 정면도이며, 도 4은 기판재치부의 주변구성을 나타내는 도이다. 그리고, 도 1 및 이후의 각 도에는 그들의 방향관계를 명확히 하기 위하여 Z축방향을 연직방향으로 하고 XY평면을 수평면으로 하는 XYZ직교좌표계를 적절하게 부가하고 있다.

기판처리장치(SP)는, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 반사 방지막이나 포토레지스트막을 도포형성하는 동시에, 패턴 노광(露光) 후의 기판에 현상처리를 행하는 장치(소위 도포/현상장치(Coater & Deve1oper))이다. 그리고, 본 발명에 관련된 기판처리장치의 처리대상이 되는 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되는 것이 아니고, 액정표시장치용의 글래스 기판 등이어도 좋다.

본 실시 형태의 기판처리장치(SP)는, 인덱서블록(1), 바크블록(2), 레지스트 도포블록(3), 현상처리블록(4) 및 인터페이스블록(5)의 5개의 처리블록을 나란히 설치하여 구성되어 있다. 인터페이스블록(5)에는 레지스트가 도포된 기판의 노광처리를 행하는 노광유닛(스텝퍼(Stepper))(EXP)이 접속배치되어 있다. 즉, 기판처리장치(SP)는 노광유닛(EXP)에 인접하여 배치되어 있다. 또한, 본 실시 형태의 기판처리장치(SP) 및 노광유닛(EXP)은 호스트컴퓨터(100)과 LAN회선을 경유하여 접속되어 있다.

인덱서블록(1)은, 장치 밖으로부터 받은 미처리 기판을 바크블록(2)이나 레지스트 도포블록(3)에 불출하는 동시에, 현상처리블록(4)으로부터 받은 처리완료된 기판을 장치 밖으로 반출하기 위한 처리블록이다. 인덱서블록(1)은, 복수의 캐리어(C)(본 실시 형태에서는 4개)를 나란히 실어놓는 재치대(載置臺)(11)와, 각 캐리어(C)로부터 미처리의 기판(W)을 꺼내는 동시에, 각 캐리어(C)에 처리완료된 기판(W)을 수납하는 기판이동적재기구(12)를 구비하고 있다. 기판이동적재기구(12)는, 재치대(11)에 따라(Y축 방향에 따라) 수평이동가능한 가동대(可動臺)(12a)를 구비하고 있어, 이 가동대(12a)에 기판(W)을 수평자세로 파지하는 파지암(Arm)(12b)이 탑재되어 있다. 파지암(12b)은, 가동대(12a) 위를 승강(Z축 방향)이동, 수평면 내의 선회이동, 및 선회 반경방향으로 전후진 이동가능하게 구성되어 있다. 이로써, 기판이동적재기구(12)은, 파지암(12b)을 각 캐리어(C)로 액세스(Access)하게 하여 미처리 기판(W)의 반출 및 처리완료된 기판(W)의 수납을 행할 수 있다. 그리고, 캐리어(C)의 형태로서는, 기판(W)을 밀폐공간에 수납하는 FOUP(Front Opening Unified Pod)의 이외에, SMIF(Standard Mechanica1 Inter Face)포드나 수납 기판(W)을 외기에 노출하는 OC(Open Cassette)이어도 좋다.

인덱서블록(1)에 인접하여 바크블록(2)이 구비되어 있다. 인덱서블록(1)과 바크블록(2)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(13)이 구비되어 있다. 이 격벽(13)에 인덱서블록(1)과 바크블록(2)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위하여 기판(W)을 실어놓는 2개의 기판재치부(PASS1)(PASS2)가 상하로 적층하여 구비되어 있다.

상측의 기판재치부(PASS1)는, 인덱서블록(1)으로부터 바크블록(2)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 기판재치부(PASS1)는 3개의 지지핀을 구비하고 있어, 인덱서블록(1)의 기판이동적재기구(12)는 캐리어(C)로부터 꺼낸 미처리 기판(W)을 기판재치부(PASS1)의 3개의 지지핀 위에 실어놓는다. 그리고, 기판재치부(PASS1)에 실려놓인 기판(W)을 후술하는 바크블록(2)의 반송로봇(TR1)이 받는다. 한편, 아래측의 기판재치부(PASS2)는, 바크블록(2)으로부터 인덱서블록(1)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 기판재치부(PASS2)도 3개의 지지핀을 구비하고 있어, 바크블록(2)의 반송로봇(TR1)은 처리완료된 기판(W)을 기판재치부(PASS2)의 3개의 지지핀 위에 실어놓는다. 그리고, 기판재치부(PASS2)에 실려놓인 기판(W)을 기판이동적재기구(12)가 받아서 캐리어(C)에 수납한다. 그리고, 후술하는 기판재치부(PASS3~PASS1O)의 구성도 기판재치부(PASS1)(PASS2)와 같다.

기판재치부(PASS1)(PASS2)는, 격벽(13)의 일부에 부분적으로 관통하여 구비되어 있다. 또한, 기판재치부(PASS1)(PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시 생략)가 구비되어 있어, 각 센서의 검출신호에 근거하여, 기판이동 적재기구(12)나 바크블록(2)의 반송로봇(TR1)이 기판재치부(PASS1)(PASS2)에 대하여 기판(W)을 주고받기할 수 있는 상태에 있는지 아닌지가 판단된다.

다음으로, 바크블록(2)에 대하여 설명한다. 바크블록(2)은, 노광시에 발생하는 정재파(定在波)나 헬레이션(Ha1ation)을 감소하게 하기 위하여, 포토레지스트(Photo Resist) 막의 밑바탕에 반사방지막을 도포형성하기 위한 처리블록이다. 바크블록(2)은, 기판(W)의 표면에 반사방지막을 도포형성하기 위한 밑바탕도포처리부(BRC)와, 반사방지막의 도포형성에 부수하는 열처리를 행하는 2개의 열처리타워(21)(21)와, 밑바탕도포처리부(BRC) 및 열처리타워(21)(21)에 대하여 기판(W)의 주고받기를 행하는 반송로봇(TR1)을 구비한다.

바크블록(2)에 있어서는, 반송로봇(TR1)을 사이로 하여 밑바탕도포처리부(BRC)와 열처리타워(21)(21)가 대향하게 배치되어 있다. 구체적으로는, 밑바탕도포처리부(BRC)가 장치 정면측에, 2개의 열처리타워(21)(21)가 장치 배면측에, 각각 위치하고 있다. 또한, 열처리타워(21)(21)의 정면측에는 도시하지 않는 열격벽을 구비하고 있다. 밑바탕도포처리부(BRC)과 열처리타워(21)(21)를 떨어지게 배치하는 동시에 열격벽을 구비함으로써, 열처리타워(21)(21)로부터 밑바탕도포처리부(BRC)에 열적 영향을 주는 것을 회피하고 있는 것이다.

밑바탕도포처리부(BRC)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 같은 구성을 구비한 3개의 도포처리유닛(BRC1)(BRC2)(BRC3)을 밑에서부터 순서대로 적층배치하여 구성되어 있다. 그리고, 3개의 도포처리유닛(BRC1)(BRC2)(BRC3)을 특히 구별하지 않는 경우는 이들을 총칭하여 밑바탕도포처리부(BRC)라고 한다. 각 도포처리유 닛(BRC1)(BRC2)(BRC3)은, 기판(W)을 대략 수평자세로 흡착 파지하여 대략 수평면 내에서 회전하게 하는 스핀척(Spin Chuck)(22), 이 스핀척(22)위로 파지된 기판(W)위로 반사방지막용의 도포액을 토출하는 도포노즐(23), 스핀척(22)을 회전구동하게 하는 스핀모터(도시 생략) 및 스핀척(22)위로 파지된 기판(W)의 주위를 둘러싸는 컵(도시 생략)등을 구비하고 있다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 인덱서블록(1)에 가까운 측의 열처리타워(21)에는, 기판(W)을 소정의 온도까지 가열하는 6개의 핫 플레이트(HP1~HP6)와, 가열된 기판(W)을 냉각하여 소정의 온도에까지 강온(降溫)하는 동시에 기판(W)을 그 소정의 온도로 유지하는 쿨 플레이트(CP1~CP3)가 구비되어 있다. 이 열처리타워(21)에는, 밑에서부터 순서대로 쿨 플레이트(CP1~CP3), 핫 플레이트(HP1~HP6)가 적층배치되어 있다. 한편, 인덱서블록(1)으로부터 먼 측의 열처리타워(21)에는, 레지스트 막과 기판(W)의 밀착성을 향상케 하기 위하여 HMDS(hexamethy1disi1azane)의 증기분위기에서 기판(W)을 열처리하는 3개의 밀착강화처리부(AHL1~AHL3)가 밑에서부터 순서대로 적층배치되어 있다. 그리고, 도 3에 있어서 「×」표로 나타낸 개소에는 배관 배선부나, 예비의 공스페이스가 할당되어 있다.

이렇게 도포처리유닛(BRC1~BRC3)이나 열처리유닛(바크블록(2)에서는 핫 플레이트(HP1~HP6), 쿨 플레이트(CP1~CP3), 밀착강화처리부(AHL1~AHL3))를 다단으로 적층배치함으로써, 기판처리장치의 점유스페이스를 작게 하여 풋프린트(Footprint)를 삭감할 수 있다. 또한, 2개의 열처리타워(21)(21)를 나란하게 설치함으로써, 열처리유닛의 유지보수가 용이해지는 동시에, 열처리유닛에 필요한 덕트 배관이나 전력 공급설비를 그다지 높은 위치에까지 연장할 필요가 없어진다고 하는 이점이 있다.

도 5는, 바크블록(2)에 구비된 반송로봇(TR1)을 설명하기 위한 도이다. 도 5(a)는 반송로봇(TR1)의 평면도이며, (b)은 반송로봇(TR1)의 정면도이다. 반송로봇(TR1)은, 기판(W)을 대략 수평자세로 파지하는 2개의 파지암(6a)(6b)을 상하로 근접하게 하여 구비하고 있다. 파지암(6a)(6b)은, 선단부(先端部)가 평면에서 봐서 「C」자 형상으로 되어 있어, 이 「C」자 형상의 암의 내측으로부터 안쪽으로 뚫고 나온 복수 개의 핀(7)으로 기판(W)의 주연(周緣)을 아래측에서 지지하도록 되어 있다.

반송로봇(TR1)의 기대(基臺)(8)는 장치 기대(장치 프레임)에 대하여 고정설치되어 있다. 이 기대(8) 위로, 가이드축(9c)이 세워서 설치되는 동시에, 나사축(9a)이 회전가능하게 세워서 설치되어 지지되어 있다. 또한, 기대(8)에는 나사축(9a)을 회전구동하는 모터(9b)이 고정 설치되어 있다. 그리고, 나사축(9a)에는 승강대(10a)가 나사결합되는 동시에, 승강대(10a)는 가이드축(9c)에 대하여 슬라이딩 가능하게 되어 있다. 이러한 구성에 의해, 모터(9b)가 나사축(9a)을 회전구동함으로써, 승강대(10a)가 가이드축(9c)에 안내되어 연직방향(Z방향)으로 승강이동하도록 되어 있다.

또한, 승강대(10a) 위로 암(Arm) 기대(基臺)(10b)가 연직방향에 따른 축중심 주위로 선회가능하게 탑재되어 있다. 승강대(10a)에는, 암 기대(10b)를 선회구동하는 모터(10c)가 내장되어 있다. 그리고, 이 암 기대(10b)위로 상술한 2개의 파지암(6a)(6b)이 상하로 설치되어 있다. 각 파지암(6a)(6b)은, 암 기대(10b)에 장착된 슬라이드 구동기구(도시 생략)에 의해, 각각 독립하여 수평방향(암 기대(10b)의 선회 반경방향)으로 전후진 이동가능하게 구성되어 있다.

이러한 구성에 의해, 도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 반송로봇(TR1)은 2개의 파지암(6a)(6b)을 각각 개별로 기판재치부(PASS1)(PASS2), 열처리타워(21)에 구비된 열처리유닛, 밑바탕도포처리부(BRC)에 구비된 도포처리유닛 및 후술하는 기판재치부(PASS3)(PASS4)에 대하여 액세스하게 하여, 그들과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행할 수 있다.

다음으로, 레지스트 도포블록(3)에 대하여 설명한다. 바크블록(2)과 현상처리블록(4)과의 사이에 끼워지도록 하여 레지스트 도포블록(3)이 구비되어 있다. 이 레지스트 도포블록(3)과 바크블록(2)과의 사이에도, 분위기차단용 격벽(25)이 구비되어 있다. 이 격벽(25)에 바크블록(2)과 레지스트 도포블록(3)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위하여 기판(W)을 실어놓는 2개의 기판재치부(PASS3)(PASS4)가 상하로 적층하여 구비되어 있다. 기판재치부(PASS3)(PASS4)는, 상술한 기판재치부(PASS1)(PASS2)와 같은 구성을 구비하고 있다.

상측의 기판재치부(PASS3)는, 바크블록(2)으로부터 레지스트 도포블록(3)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 다시 말해, 바크블록(2)의 반송로봇(TR1)이 기판재치부(PASS3)에 실어놓은 기판(W)을 레지스트 도포블록(3)의 반송로봇(TR2)이 받는다. 한편, 아래측의 기판재치부(PASS4)는, 레지스트 도포블록(3)으로부터 바크블록(2)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 다시 말해, 레지스트 도포블록(3)의 반송로봇(TR2)이 기판재치부(PASS4)에 실어놓은 기판(W)을 바크 블록(2)의 반송로봇(TR1)이 받는다.

기판재치부(PASS3)(PASS4)는, 격벽(25)의 일부에 부분적으로 관통하여 구비되어 있다. 또한, 기판재치부(PASS3)(PASS4)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시 생략)가 구비되어 있어, 각 센서의 검출신호에 근거하고, 반송로봇(TR1)(TR2)이 기판재치부(PASS3)(PASS4)에 대하여 기판(W)을 주고받기할 수 있는 상태에 있는지 아닌지가 판단된다. 그리고, 기판재치부(PASS3)(PASS4)의 아래측에는, 기판(W)을 대충 냉각하기 위한 수냉식의 2개의 쿨 플레이트(WCP)가 격벽(25)을 관통하여 상하로 구비되어 있다(도 4참조).

레지스트 도포블록(3)은, 바크블록(2)에서 반사방지막이 도포형성된 기판(W)위로 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하기 위한 처리블록이다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 포토레지스트로서 화학증폭형(化學增幅型) 레지스트를 사용하고 있다. 레지스트 도포블록(3)은, 밑바탕도포된 반사방지막 위에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포처리부(SC)와, 레지스트 도포처리에 부수하는 열처리를 행하는 2개의 열처리타워(31)(31)와, 레지스트 도포처리부(SC) 및 열처리타워(31)(31)에 대하여 기판(W)의 주고받기를 행하는 반송로봇(TR2)을 구비한다.

레지스트 도포블록(3)에 있어서는, 반송로봇(TR2)을 사이에 두고 레지스트 도포처리부(SC)과 열처리타워(31)(31)가 대향하여 배치되어 있다. 구체적으로는, 레지스트 도포처리부(SC)가 장치 정면측에, 2개의 열처리타워(31)(31)가 장치 배면측에, 각각 위치하고 있다. 또한, 열처리타워(31)(31)의 정면측에는 도시하지 않는 열격벽을 구비하고 있다. 레지스트 도포처리부(SC)와 열처리타워(31)(31)를 떨어지 게 배치하는 동시에 열격벽을 구비함으로써, 열처리타워(31)(31)로부터 레지스트 도포처리부(SC)에 열적 영향을 주는 것을 회피하고 있는 것이다.

레지스트 도포처리부(SC)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 동일한 구성을 구비한 3개의 도포처리유닛(SC1)(SC2)(SC3)을 밑에서부터 순서대로 적층배치하여 구성되어 있다. 그리고, 3개의 도포처리유닛(SC1)(SC2)(SC3)을 특히 구별하지 않는 경우는 이들을 총칭하여 레지스트 도포처리부(SC)라고 한다. 각 도포처리유닛(SC1)(SC2)(SC3)은, 기판(W)을 거의 수평자세로 흡착 파지하여 대략 수평면 내에서 회전하게 하는 스핀척(32), 이 스핀척(32) 위에 파지된 기판(W) 위로 레지스트액을 토출하는 도포노즐(33), 스핀척(32)을 회전 구동하게 하는 스핀모터(도시 생략) 및 스핀척(32) 위로 파지된 기판(W)의 주위를 둘러싸는 컵(도시 생략) 등을 구비하고 있다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 인덱서블록(1)에 가까운 측의 열처리타워(31)에는, 기판(W)을 소정의 온도에까지 가열하는 6개의 가열부(PHP1~PHP6)가 밑에서부터 순서대로 적층배치되어 있다. 한편, 인덱서블록(1)으로부터 먼 측의 열처리타워(31)에는, 가열된 기판(W)을 냉각하여 소정의 온도에까지 강온하는 동시에 기판(W)을 그 소정의 온도로 유지하는 쿨 플레이트(CP4~CP9)가 밑에서부터 순서대로 적층배치되어 있다.

각 가열부(PHP1~PHP6)는, 기판(W)을 실어놓고 가열처리를 행하는 통상의 핫 플레이트 이외에, 그 핫 플레이트와 떨어진 상방위치에 기판(W)을 실어놓아 두는 기판임시거치부와, 그 핫 플레이트와 기판임시거치부와의 사이에서 기판(W)을 반송 하는 로컬 반송기구(34)(도 1참조)를 구비한 열처리유닛이다. 로컬 반송기구(34)는, 승강이동 및 전후진 이동이 가능하게 구성되는 동시에, 냉각수를 순환하게 함으로써 반송과정의 기판(W)을 냉각하는 기구를 구비하고 있다.

로컬 반송기구(34)는, 상기 핫 플레이트 및 기판임시거치부를 사이에 두고 반송로봇(TR2)과는 반대측, 즉 장치 배면측에 설치되어 있다. 그리고, 기판임시거치부는 반송로봇(TR2)측 및 로컬 반송기구(34)측의 쌍방에 대하여 개구(開口)하고 있는 한편, 핫 플레이트는 로컬 반송기구(34)측에만 개구하고, 반송로봇(TR2)측에는 폐색(閉塞)하고 있다. 따라서, 기판임시거치부에 대하여는 반송로봇(TR2) 및 로컬 반송기구(34)의 쌍방이 액세스할 수 있지만, 핫 플레이트에 대하여는 로컬 반송기구(34)만이 액세스가능하다. 그리고, 가열부(PHP1~PHP6)는 후술하는 현상처리블록(4)의 가열부(PHP7 ~PHP12)와 대충 같은 구성(도 8)을 구비하고 있다.

이러한 구성을 구비하는 각 가열부(PHP1~PHP6)에 기판(W)을 반입할 때에는, 우선 반송로봇(TR2)이 기판임시거치부에 기판(W)을 실어놓는다. 그리고, 로컬 반송기구(34)가 기판임시거치부로부터 기판(W)을 받아서 핫 플레이트까지 반송하고, 그 기판(W)에 가열처리가 시행된다. 핫 플레이트에서의 가열처리가 종료한 기판(W)은, 로컬 반송기구(34)에 의해 꺼내어져 기판임시거치부까지 반송된다. 이 때, 로컬 반송기구(34)이 구비하는 냉각기능에 의해 기판(W)이 냉각된다. 그 후, 기판임시거치부까지 반송된 열처리 후의 기판(W)이 반송로봇(TR2)에 의해 꺼내진다.

이처럼, 가열부(PHP1~PHP6)에 있어서는, 반송로봇(TR2)이 상온의 기판임시거치부에 대하여 기판(W)의 주고받기를 행하는 것 만으로, 핫 플레이트에 대하여 직 접 기판(W)의 주고받기를 행하지 않기 때문에, 반송로봇(TR2)의 온도상승을 억제할 수 있다. 또한, 핫 플레이트는 로컬 반송기구(34)측으로만 개구하고 있기 때문에, 핫 플레이트로부터 누출한 열분위기에 의해 반송로봇(TR2)이나 레지스트 도포처리부(SC)가 악영향을 받는 것이 방지된다. 그리고, 쿨 플레이트(CP4~CP9)에 대하여는 반송로봇(TR2)이 직접 기판(W)의 주고받기를 행한다.

반송로봇(TR2)의 구성은, 반송로봇(TR1)과 완전히 같다. 따라서, 반송로봇(TR2)은 2개의 파지암을 각각 개별로 기판재치부(PASS3)(PASS4), 열처리타워(31)(31)에 구비된 열처리유닛, 레지스트 도포처리부(SC)에 구비된 도포처리유닛 및 후술하는 기판재치부(PASS5)(PASS6)에 대하여 액세스하게 하여, 그들과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행할 수 있다.

다음으로, 현상처리블록(4)에 대하여 설명한다. 레지스트 도포블록(3)과 인터페이스블록(5)과의 사이에 끼워지도록 하여 현상처리블록(4)이 구비되어 있다. 레지스트 도포블록(3)과 현상처리블록(4)과의 사이에도, 분위기차단용의 격벽(35)이 구비되어 있다. 이 격벽(35)에 레지스트 도포블록(3)과 현상처리블록(4)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위하여 기판(W)을 실어놓는 2개의 기판재치부(PASS5)(PASS6)가 상하로 적층하여 구비되어 있다. 기판재치부(PASS5)(PASS6)는, 상술한 기판재치부(PASS1)(PASS2)와 동일한 구성을 구비하고 있다.

상측의 기판재치부(PASS5)는, 레지스트 도포블록(3)으로부터 현상처리블록(4)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 다시 말해, 레지스트 도포블록(3)의 반송로봇(TR2)이 기판재치부(PASS5)에 실어놓은 기판(W)을 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3)이 받는다. 한편, 아래측의 기판재치부(PASS6)는, 현상처리블록(4)으로부터 레지스트 도포블록(3)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 다시 말해, 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3)이 기판재치부(PASS6)에 실어놓은 기판(W)을 레지스트 도포블록(3)의 반송로봇(TR2)이 받는다.

기판재치부(PASS5)(PASS6)는, 격벽(35)의 일부에 부분적으로 관통하여 구비되어 있다. 또한, 기판재치부(PASS5)(PASS6)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시 생략)이 구비되어 있어, 각 센서의 검출신호에 근거하여, 반송로봇(TR2)(TR3)이 기판재치부(PASS5)(PASS6)에 대하여 기판(W)을 주고받기할 수 있는 상태에 있는지 없는지가 판단된다. 그리고, 기판재치부(PASS5)(PASS6)의 아래측에는, 기판(W)을 대충 냉각하기 위한 수냉식의 2개의 쿨 플레이트(WCP)가 격벽(35)을 관통하여 상하로 구비되어 있다(도 4 참조).

현상처리블록(4)은, 노광처리 후의 기판(W)에 대하여 현상처리를 행하기 위한 처리블록이다. 또한, 현상처리블록(4)에 있어서는, 액침 노광처리가 행하여진 기판(W)의 세정 및 건조를 행하는 것도 가능하다. 현상처리블록(4)은, 패턴이 노광된 기판(W)에 대하여 현상액을 공급하여 현상처리를 행하는 현상처리부(SD)와, 액침 노광처리 후의 기판(W)에 대한 세정처리 및 건조처리를 행하는 세정처리부(SOAK)와, 현상처리에 부수하는 열처리를 행하는 2개의 열처리타워(41)(42)와, 현상처리부(SD), 세정처리부(SOAK) 및 열처리타워(41)(42)에 대하여 기판(W)의 주고받기를 행하는 반송로봇(TR3)을 구비한다. 한편, 반송로봇(TR3)은, 상술한 반송로봇(TR1)(TR2)과 완전히 동일한 구성을 가진다.

현상처리부(SD)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 동일한 구성을 구비한 3개의 현상처리유닛(SD1)(SD2)(SD3)을 밑에서부터 순서대로 적층배치하여 구성되어 있다. 그리고, 3개의 현상처리유닛(SD1~SD3)을 특히 구별하지 않는 경우는 이들을 총칭하여 현상처리부(SD)라고 한다. 각 현상처리유닛(SD1~SD3)은, 기판(W)을 거의 수평자세로 흡착 파지하여 대략 수평면 내에서 회전하게 하는 스핀척(43), 이 스핀척(43) 위에 파지된 기판(W) 위로 현상액(現像液)을 공급하는 노즐(44), 스핀척(43)을 회전구동하게 하는 스핀모터(도시 생략) 및 스핀척(43) 위에 파지된 기판(W)의 주위를 둘러싸는 컵(도시 생략) 등을 구비하고 있다.

세정처리부(SOAK)는 표면세정처리유닛(SOAK1) 및 이면세정처리유닛(SOAK2)을 구비한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 표면세정처리유닛(SOAK1)의 상단에는 이면세정처리유닛(SOAK2)이 배치되고, 이면세정처리유닛(SOAK2)의 상단에 현상처리유닛(SD1)이 배치된다. 도 6은, 표면세정처리유닛(SOAK1)의 구성을 설명하기 위한 도이다. 표면세정처리유닛(SOAK1)은, 기판(W)을 수평자세로 파지하는 동시에 기판(W)의 중심을 통과하는 연직(鉛直)한 회전축의 주위로 기판(W)을 회전하게 하기 위한 스핀척(421)을 구비한다.

스핀척(421)은, 도시을 생략한 전동모터에 의해 회전되는 회전축(425)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(421)에는 흡기로(도시하지 않음)가 형성되어 있어, 스핀척(421) 위로 기판(W)을 실어놓은 상태에서 흡기로 내를 배기함으로써, 기판(W)의 하면을 스핀척(421)에 진공흡착하여, 기판(W)을 수평자세로 파지할 수 있다.

스핀척(421)의 측방에는, 제1의 회동모터(460)가 구비되어 있다. 제1의 회동모터(460)에는, 제1의 회동축(461)이 접속되어 있다. 또한, 제1의 회동축(461)에는, 제1의 암(462)이 수평방향으로 길어지도록 연결되어, 제1의 암(462)의 선단에 세정처리용 노즐(450)이 구비되어 있다. 제1의 회동모터(460)의 구동에 의해 제1의 회동축(461)이 회전하는 동시에 제1의 암(462)이 회동하여, 세정처리용 노즐(450)이 스핀척(421)에 파지된 기판(W)의 윗쪽으로 이동한다.

세정처리용 노즐(450)에는 세정용 공급관(463)의 선단이 연통접속되어 있다. 세정용 공급관(463)은, 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 거쳐 세정액 공급원(R1) 및 표면처리액 공급원(R2)에 연통접속되어 있다. 이 밸브(Va)(Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정용 공급관(463)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 다시 말해, 밸브(Va)를 엶으로써 세정용 공급관(463)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸브(Vb)를 엶으로써 세정용 공급관(463)에 표면처리액을 공급할 수 있다.

세정액 공급원(R1) 또는 표면처리액 공급원(R2)으로부터 공급된 세정액 또는 표면처리액은, 세정용 공급관(463)을 거쳐 세정처리용 노즐(450)로 송급(送給)된다. 그것에 의해, 세정처리용 노즐(450)로부터 기판(W)의 상면으로 세정액 또는 표면처리액을 공급할 수 있다. 세정액으로서는, 예를 들면, 순수 또는 순수에 착체(錯體)(이온화한 것)을 녹인 용액 등이 사용된다. 표면처리액으로서는, 예를 들면, 불소산 등이 사용된다. 또한, 세정처리용 노즐(450)로서는 기체 중에 액적을 혼합하여 토출하는 이류체(二流體) 노즐을 사용하도록 해도 좋다. 그리고, 세정액으로서의 순수를 공급하면서 기판(W)의 상면을 브러시로 세정하도록 구성해도 좋다.

한편, 상기와는 다른 스핀척(421)의 측방에는, 제2의 회동모터(470)가 구비되어 있다. 제2의 회동모터(470)에는, 제2의 회동축(471)이 접속되어 있다. 또한, 제2의 회동축(471)에는, 제2의 암(472)이 수평방향으로 길어지도록 연결되어, 제2의 암(472)의 선단에 건조처리용 노즐(451)이 구비되어 있다. 제2의 회동모터(470)의 구동에 의해 제2의 회동축(471)이 회전하는 동시에 제2의 암(472)이 회동하여, 건조처리용 노즐(451)이 스핀척(421)에 파지된 기판(W)의 윗쪽으로 이동한다.

건조처리용 노즐(451)에는 건조용 공급관(473)의 선단이 연통접속되어 있다. 건조용 공급관(473)은, 밸브(Vc)를 거쳐 불활성가스 공급원(R3)에 연통접속되어 있다. 이 밸브(Vc)의 개폐를 제어함으로써, 건조용 공급관(473)에 공급하는 불활성가스의 공급량을 조정할 수 있다.

불활성가스 공급원(R3)으로부터 공급된 불활성가스는, 건조용 공급관(473)을 거쳐 건조처리용 노즐(451)로 송급된다. 이로써, 건조처리용 노즐(451)로부터 기판(W)의 상면으로 불활성가스를 공급할 수 있다. 불활성가스로서는, 예를 들면, 질소가스(N2)나 아르곤 가스(Ar)가 사용된다.

기판(W)의 상면으로 세정액 또는 표면처리액을 공급하는 때에는, 세정처리용 노즐(450)이 스핀척(421)에 파지된 기판(W)의 윗쪽에 위치하는 동시에, 건조처리용 노즐(451)이 소정의 위치로 퇴피한다. 반대로, 기판(W)의 표면에 불활성가스를 공급하는 때에는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 건조처리용 노즐(451)이 스핀척(421)에 파지된 기판(W)의 윗쪽에 위치하는 동시에, 세정처리용 노즐(450)이 소정의 위치로 퇴피한다.

스핀척(421)에 파지된 기판(W)은, 처리컵(423)에 의해 둘러싸인다. 처리컵(423)의 내측에는, 원통 형상의 칸막이벽(433)이 구비되어 있다. 또한, 스핀척(421)의 주위를 둘러싸듯이, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액(세정액 또는 표면처리액)을 배액(排液)하기 위한 배액공간(排液空間)(431)이 칸막이벽(433)의 내측에 형성되어 있다. 그리고, 배액공간(431)을 둘러싸듯이, 처리컵(423)의 외벽과 칸막이벽(433)과의 사이에 기판(W)의 처리에 사용된 처리액을 회수하기 위한 회수액공간(432)이 형성되어 있다.

배액공간(431)에는, 배액처리장치(도시하지 않음)에 처리액을 유도하기 위한 배액관(434)이 접속되고, 회수액공간(432)에는, 회수 처리장치(도시하지 않음)로 처리액을 유도하기 위한 회수관(435)이 접속되어 있다.

처리컵(423)의 윗쪽에는, 기판(W)으로부터의 처리액이 바깥쪽으로 비산(飛散)하는 것을 방지하기 위한 스플래쉬 가드(424)가 구비되어 있다. 이 스플래쉬 가드(424)는, 회전축(425)에 대하여 회전대칭한 형상으로 되어 있다. 스플래쉬 가드(424)의 상단부의 내면에는, 단면이 ㄱ자 형상인 배액안내홈(441)이 링 형상으로 형성되어 있다. 또한, 스플래쉬 가드(424)의 하단부의 내면에는, 외측 아래측으로 경사하는 경사면으로 이루어지는 회수액 안내부(442)가 형성되어 있다. 회수액 안내부(442)의 상단부근에는, 처리컵(423)의 칸막이벽(433)을 받아들이기 위한 칸막이벽수납홈(443)이 형성되어 있다.

이 스플래쉬 가드(424)는, 볼나사 기구 등으로 구성된 가드승강 구동기구(도시하지 않음)에 의해 연직방향에 따라 승강구동된다. 가드승강 구동기구는, 스플래 쉬 가드(424)를, 회수액 안내부(442)가 스핀척(421)에 파지된 기판(W)의 단연부(端緣部)를 둘러싸는 회수 위치와, 배액안내홈(441)이 스핀척(421)에 파지된 기판(W)의 단연부를 둘러싸는 배액위치와의 사이에서 승강하게 한다. 스플래쉬 가드(424)가 회수위치(도 6에 나타내는 위치)에 있는 경우에는, 기판(W)의 단연부로부터 비산한 처리액이 회수액 안내부(442)에 의해 회수액 공간(432)으로 유도되어, 회수관(435)을 거쳐 회수된다. 한편, 스플래쉬 가드(424)가 배액위치에 있는 경우에는, 기판(W)의 단연부로부터 비산한 처리액이 배액안내홈(441)에 의해 배액공간(431)으로 유도되어, 배액관(434)을 거쳐 배액된다. 이처럼, 처리액의 배액 및 회수를 절환하여 실행 가능하게 되어 있다. 그리고, 표면처리액으로서 불소산 등을 사용하는 경우에는, 그 분위기가 장치 내에서 새어나가지 않도록, 엄중하게 분위기관리를 행할 필요가 있다.

도 7은, 이면세정처리유닛(SOAK2)의 구성을 설명하기 위한 도이다. 이면세정처리유닛(SOAK2)이 표면세정처리유닛(SOAK1)과 다른 것은, 스핀척(427)의 형태이다. 표면세정처리유닛(SOAK1)의 스핀척(421)은 기판(W)의 하면을 진공흡착하는 타입이었지만, 이면세정처리유닛(SOAK2)의 스핀척(427)은 기판(W)의 단연부를 파지하는 타입이다. 다시 말해, 스핀척(427)의 상면 주연부에는 동일 원주상에 따라 복수 개(본 실시 형태에서는 6개)의 지지핀(428)이 세워서 설치되어 있다. 각 지지핀(428)은, 기판(W)의 하면 주연부를 밑에서 지지하는 원통 형상의 지지부와, 그 지지부의 상면에 돌출하게 설치되어 기판(W)의 단연부에 접촉하여 압압하는 핀부에 의해 구성되어 있다. 6개의 지지핀(428) 중 3개에 대하여는 스핀척(427)에 고정설 치된 고정지지핀으로 되어 있다. 고정지지핀은, 원통 형상 지지부의 축중심 위로 핀부를 돌출설치하고 있다.

한편, 6개의 지지핀(428) 중 나머지 3개에 있어서는 스핀척(427)에 대하여 회전(자전)가능하게 설치된 가동지지핀으로 되어 있다. 가동지지핀에서는, 원통 형상 지지부의 축중심으로부터 약간 편심하여 핀부가 돌출설치되어 있다. 3개의 가동지지핀은 도시 생략의 링크기구 및 구동기구에 의해 연동하여 회동구동된다. 가동지지핀이 회동함으로써, 6개의 핀부로 기판(W)의 단연부를 파지하는 것과, 기판(W)의 파지를 해제하는 것이 가능하다. 6개의 지지핀(428)에 의해 기판(W)의 단연부를 파지함으로써, 스핀척(427)은 기판(W)의 하면 중앙부에 접촉하지 않고 기판(W)을 파지할 수 있다.

이면세정처리유닛(SOAK2)의 잔여의 구성은 상술한 표면세정처리유닛(SOAK1)과 마찬가지이며, 동일한 부재에 대하여는 도 6과 동일한 부호를 붙이고 있다. 따라서, 이면세정처리유닛(SOAK2)은, 스핀척(427)에 의해 단연부를 파지한 기판(W)의 상면에 세정처리용 노즐(450)로부터 세정액 또는 표면처리액을 공급하는 것과, 건조처리용 노즐(451)로부터 불활성가스를 공급하는 것이 가능하다.

도 3으로 돌아가서, 인덱서블록(1)에 가까운 측의 열처리타워(41)에는, 기판(W)을 소정의 온도에까지 가열하는 5개의 핫 플레이트(HP7~HP11)와, 가열된 기판(W)을 냉각하여 소정의 온도에까지 강온하는 동시에 기판(W)을 그 소정의 온도로 유지하는 쿨 플레이트(CP10~CP13)가 구비되어 있다. 이 열처리타워(41)에는, 밑에서부터 순서대로 쿨 플레이트(CP10~CP13), 핫 플레이트(HP7~HP11)가 적층배치되어 있다.

한편, 인덱서블록(1)으로부터 먼 측의 열처리타워(42)에는, 6개의 가열부(PHP7~PHP12)와 쿨 플레이트(CP14)가 적층배치되어 있다. 각 가열부(PHP7~PHP12)는, 상술한 가열부(PHP1~PHP6)와 마찬가지로, 기판임시거치부 및 로컬 반송기구를 구비한 열처리유닛이다.

도 8은, 기판임시거치부 부착의 가열부(PHP7)의 개략구성을 나타내는 도이다. 도 8(a)는 가열부(PHP7)의 측단면도이며, 도 8(b)는 평면도이다. 그리고, 도 8(b)는 가열부(PHP7)를 나타내고 있지만, 가열부(PHP8~PHP12)에 대해서도 완전히 동일한 구성이다. 가열부(PHP7)는, 기판(W)을 실어놓고 가열처리하는 가열 플레이트(710)와, 그 가열 플레이트(710)로부터 떨어진 상방위치 또는 하방위치(본 실시 형태에서는 상방위치)로 기판(W)을 실어놓는 기판임시거치부(719)와, 가열 플레이트(710)와 기판임시거치부(719)와의 사이에서 기판(W)을 반송하는 열처리부용(熱處理部用)인 로컬 반송기구(720)를 구비하고 있다. 가열 플레이트(710)에는 플레이트 표면으로 출몰하는 복수 개의 가동지지핀(721)이 구비되어 있다. 가열 플레이트(710)의 상방에는 가열처리시에 기판(W)을 덮는 승강 가능한 윗뚜껑(722)이 구비되어 있다. 기판임시거치부(719)에는 기판(W)을 지지하는 복수 개의 고정 지지핀(723)이 구비되어 있다.

로컬 반송기구(720)는, 기판(W)을 대략 수평자세로 파지하는 파지 플레이트(724)를 구비하고, 이 파지 플레이트(724)가 나사이동 구동기구(725)에 의해 승강이동되는 동시에, 벨트구동기구(726)에 의해 전후진 이동되도록 구성되어 있다. 파지 플레이트(724)에는, 이것이 가열 플레이트(710)의 상방이나 기판임시거치부(719)에 진출했을 때, 가동지지핀(721)이나 고정 지지핀(723)과 간섭하지 않도록 복수 개의 슬릿(724a)이 형성되어 있다.

또한, 로컬 반송기구(720)는, 가열 플레이트(710)로부터 기판임시거치부(719)로 기판(W)을 반송하는 과정에서 기판(W)을 냉각하는 냉각수단을 구비하고 있다. 이 냉각수단은, 도 8(b)에 나타낸 바와 같이, 파지 플레이트(724)의 내부에 냉각수유로(冷却水流路)(724b)를 구비하고, 이 냉각수유로(724b)에 냉각수를 유통하게 하는 것으로 구성되어 있다. 그리고, 냉각 수단으로는, 파지 플레이트(724)의 내부에 예를 들면 펠티소자(Peltier device) 등을 구비하도록 해도 좋다.

상술한 로컬 반송기구(720)는, 가열 플레이트(710) 및 기판임시거치부(719)보다 장치 배면측(즉 (+Y)측)에 설치되어 있다. 또한, 가열 플레이트(710) 및 기판임시거치부(719)의 (+X)측에는 인터페이스블록(5)의 반송로봇(TR4)이, (-Y)측에는 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3)이, 각각 배치되어 있다. 그리고, 가열 플레이트(710) 및 기판임시거치부(719)를 덮는 박스체(727)의 상부, 즉 기판임시거치부(719)를 덮는 부위에는, 그 (+X)측으로 반송로봇(TR4)의 진입을 허용하는 개구부(719a)가, 그 (+Y)측에는 로컬 반송기구(720)의 진입을 허용하는 개구부(719b)가, 각각 구비되어 있다. 또한, 박스체(727)의 하부, 즉 가열 플레이트(710)를 덮는 부위는, 그 (+X)측 및 (-Y)측이 폐색(즉, 반송로봇(TR3) 및 반송로봇(TR4)에 대향하는 면이 폐색)되는 한편, (+Y)측에 로컬 반송기구(720)의 진입을 허용하는 개구부(719c)가 구비되어 있다.

상술한 가열부(PHP7)에 대한 기판(W)의 출입은 아래와 같이 행하여진다. 우선, 인터페이스블록(5)의 반송로봇(TR4)이 노광 후의 기판(W)을 파지하고, 기판임시거치부(719)의 고정 지지핀(723) 위에 기판(W)을 실어놓는다. 이어서, 로컬 반송기구(720)의 파지 플레이트(724)가 기판(W)의 아래측으로 진입하고나서 조금 상승함으로써, 고정 지지핀(723)으로부터 기판(W)을 받는다. 기판(W)을 파지한 파지 플레이트(724)는 박스체(727)로부터 퇴출하여, 가열 플레이트(710)에 대향하는 위치까지 하강한다. 이 때 가열 플레이트(710)의 가동지지핀(721)은 하강하고 있는 동시에, 윗뚜껑(722)은 상승하고 있다. 기판(W)을 파지한 파지 플레이트(724)는 가열 플레이트(710)의 상방으로 진출한다. 가동지지핀(721)이 상승하여 기판(W)을 수취위치에서 받은 후에 파지 플레이트(724)가 퇴출한다. 이어서, 가동지지핀(721)이 하강하여 기판(W)을 가열 플레이트(710) 위에 싣는 동시에, 윗뚜껑(722)이 하강하여 기판(W)을 덮는다. 이 상태에서 기판(W)이 가열처리된다. 가열처리가 끝나면 윗뚜껑(722)이 상승하는 동시에, 가동지지핀(721)이 상승하여 기판(W)을 들어 올린다. 이어서, 파지 플레이트(724)가 기판(W) 밑으로 진출한 후, 가동지지핀(721)이 하강함으로써, 기판(W)이 파지 플레이트(724)로 넘겨진다. 기판(W)을 파지한 파지 플레이트(724)가 퇴출하고, 더욱 상승하여 기판(W)을 기판임시거치부(719)로 반송한다. 이 반송과정에서 파지 플레이트(724)에 지지된 기판(W)이, 파지 플레이트(724)가 가지는 냉각수단에 의해 냉각된다. 파지 플레이트(724)는, 냉각한(대충 상온으로 되돌렸다) 기판(W)을 기판임시거치부(719)의 고정 지지핀(723)위에 옮겨싣는다. 이 기판(W)을 반송로봇(TR4)이 꺼내어 반송한다.

반송로봇(TR4)은, 기판임시거치부(719)에 대하여 기판(W)의 주고받기를 할 뿐이고, 가열 플레이트(710)에 대하여 기판(W)의 주고받기를 하지 않으므로, 반송로봇(TR4)이 온도상승하는 것을 회피할 수 있다. 또한, 가열 플레이트(710)에 기판(W)을 출납하기 위한 개구부(719c)가, 로컬 반송기구(720) 측만에 형성되어 있으므로, 개구부(719c)로부터 누설한 열분위기에 의해 반송로봇(TR3) 및 반송로봇(TR4)이 온도상승할 일이 없고, 또 현상처리부(SD) 및 세정처리부(SOAK)가 개구부(719c)로부터 새어나온 열분위기에 의해 악영향을 받을 일도 없다.

이상과 같이, 가열부(PHP7~PHP12) 및 쿨 플레이트(CP14)에 대해서는 인터페이스블록(5)의 반송로봇(TR4)은 액세스가능하지만, 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3)은 액세스가 안된다. 그리고, 열처리타워(41)에 갖추어진 열처리유닛에 대해서는 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3)이 액세스한다.

또한, 열처리타워(42)의 최상단에는, 현상처리블록(4)과, 이것에 인접한 인터페이스블록(5)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 2개의 기판재치부(PASS7)(PASS8)가 상하로 근접하여 갖추어져 있다. 상측의 기판재치부(PASS7)는, 현상처리블록(4)으로부터 인터페이스블록(5)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 다시 말해, 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3)이 기판재치부(PASS7)에 실어놓은 기판(W)을 인터페이스블록(5)의 반송로봇(TR4)이 받는다. 한편, 아래측의 기판재치부(PASS8)는, 인터페이스블록(5)으로부터 현상처리블록(4)으로 기판(W)을 반송하기 위하여 사용된다. 다시 말해, 인터페이스블록(5)의 반송로봇(TR4)이 기판재치부(PASS8)에 실어놓은 기판(W)을 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3)이 받는다. 그리 고, 기판재치부(PASS7)(PASS8)는, 현상처리블록(4)의 반송로봇(TR3) 및 인터페이스블록(5)의 반송로봇(TR4)의 양측에 대하여 개구(開口)하고 있다.

다음으로, 노광유닛(EXP)과 접속하기 위한 인터페이스블록(5)에 대하여 설명한다. 인터페이스블록(5)은, 현상처리블록(4)에 인접하여 구비되어, 레지스트 도포처리가 행해져서 레지스트막이 형성된 기판(W)을 레지스트 도포블록(3)으로부터 받아 노광유닛(EXP)에 건네주는 동시에, 노광완료의 기판(W)을 노광유닛(EXP)으로부터 받아서 현상처리블록(4)에 건네주는 블록이다. 본 실시 형태의 인터페이스블록(5)에는, 노광유닛(EXP)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 반송기구(55) 이외에, 레지스트막이 형성된 기판(W)의 주연부를 노광하는 에지(Edge)노광부(EEW)와, 현상처리블록(4) 안에 설치된 가열부(PHP7~PHP12), 쿨 플레이트(CP14) 및 에지노광부(EEW)에 대하여 기판(W)을 주고받기하는 반송로봇(TR4)을 구비하고 있다.

에지노광부(EEW)는 에지노광유닛(EEW1)을 구비하고 있어, 에지노광유닛(EEW1)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판(W)을 대략 수평자세로 흡착파지하여 대략 수평면 내에서 회전하게 하는 스핀척(56)이나, 이 스핀척(56)에 파지된 기판(W)의 주연(周緣)에 빛을 조사하여 노광하는 광조사기(光照射器)(57) 등을 구비하고 있다. 에지노광유닛(EEW1)은, 인터페이스블록(5)의 중앙부에 배치되어 있다. 이 에지노광부(EEW)와 현상처리블록(4)의 열처리타워(42)에 인접하여 배치되어 있는 반송로봇(TR4)은 상술한 반송로봇(TR1~TR3)로 동일한 구성을 구비하고 있다.

또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 에지노광유닛(EEW1)의 아래측에는 반전유 닛(REV)이 구비되어 있다. 도 10은, 반전유닛(REV)의 주요부 구성을 나타내는 사시도이다. 또한, 도 11은, 도 10의 화살표(AR10)의 방향에서 본 반전유닛(REV)의 개략정면도이다. 반전유닛(REV)은, 기판(W)의 상하면을 반전하게 하는 유닛이다. 반전유닛(REV)은, 승강테이블(210)과 반전척(230)을 구비한다.

승강테이블(210)은, 예를 들면 공기실린더를 사용하여 구성된 도시를 생략한 승강구동기구에 의해 연직방향에 따라 승강가능하게 되어 있다. 승강테이블(210)의 상면에는 동일 원주상에 따라 복수 개(본 실시 형태에서는 6개)의 지지핀(218)이 세워서 설치되어 있다. 각 지지핀(218)은, 기판(W)의 하면 주연부를 밑에서 지지하는 지지부(218a)와, 그 지지부의 상면에 돌출하게 설치된 핀부(218b)에 의해 구성되어 있다. 그리고, 반전유닛(REV)의 승강테이블(210)은, 이면세정처리유닛(SOAK2)의 스핀척(427)과 같이 기판(W)을 회전하게 하는 것이 아니고, 기판(W)을 견고하게 파지할 필요성이 그다지 없기 때문에, 6개의 지지핀(428)은 모두 승강테이블(210)에 고정설치되어 있다. 다시 말해, 승강테이블(210)의 핀부(218b)는 단지 기판(W)의 수평방향위치를 규제하기 위한 부재이다.

좌우 한 쌍의 반전척(230)은 원반(圓盤)형상의 회전대(235)의 직경방향에 따라 구비되어 있다. 반전척(230)은, 회전대(235)에 내장된 슬라이드 구동기구에 의해, 도 11의 화살표(AR11)에 나타낸 바와 같은 슬라이드이동을 행한다. 한 쌍의 반전척(230)(230)은 연동하여 슬라이드이동을 행함으로써, 양 척간의 거리를 신축(伸縮)한다. 반전척(230)에는, 기판(W)의 단연부를 파지하기 위한 개구인 파지부(231)가 구비되어 있다. 승강테이블(210)이 기판(W)을 반전척(230)과 같은 높이 위치로 파지한 상태에서 2개의 반전척(230)(230)이 그 간격을 줄이도록 슬라이드이동함으로써, 파지부(231)에 의해 기판(W)의 단연부를 파지할 수 있다. 그리고, 파지부(231)에는 승강테이블(210)의 지지핀(218)과의 간섭을 피하기 위한 절취부가 형성되어 있다.

또한, 회전대(235)는 유닛기대(基臺)(239)에 구비된 회전구동기구에 의해 연직면 내에서 도 11의 화살표(AR12)로 나타내는 방향으로 회전가능하게 되어 있다. 회전대(235)가 회전함으로써 한 쌍의 반전척(230)(230)도 화살표(AR12)로 나타내는 방향으로 회전한다.

반전유닛(REV)이 기판(W)의 표리면(表裏面)을 반전하게 할 때에는, 우선, 승강테이블(210)이 반전척(230)보다 더 윗쪽의 반출입위치에까지 상승한다. 반출입위치에서 후술의 반송기구(55)로부터 지지핀(218)에 기판(W)을 받은 승강테이블(210)은 반전척(230)에 기판(W)을 주고받는 주고받기위치에까지 하강한다. 이 주고받기위치란, 수평방향에 따라 서로 대향하여 정지하고 있는 반전척(230)과 승강테이블(210)에 파지된 기판(W)이 같은 높이가 되는 위치이다. 그리고, 승강테이블(210)이 주고받기위치로 하강할 때에는 한 쌍의 반전척(230) 사이를 기판(W)이 통과가능한 간격이 되도록 반전척(230)이 이동하고 있다.

승강테이블(210)이 주고받기위치로 하강한 상태에서, 한 쌍의 반전척(230)이 그 간격을 좁히도록 슬라이드이동을 시작하고, 이어 양 반전척(230)의 파지부(231)에 의해 기판(W)의 단연부가 파지된다. 이로써 기판(W)은 반전척(230)에 파지되는 것이 되고, 승강테이블(210)은 더욱 하방의 대피위치에까지 하강한다. 대피위치란, 계속되는 반전공정에 있어서 반전척(230)과 승강테이블(210)이 충돌하지 않는 위치이다.

다음으로, 회전대(235)가 180도의 회전동작(반회전)을 행하여 기판(W)의 표리면을 반전하게 한다. 그 후, 다시 승강테이블(210)이 대피위치로부터 주고받기위치에까지 상승하여 기판(W)을 지지핀(218)으로 받는 동시에, 한 쌍의 반전척(230)이 그 간격을 넓히도록 슬라이드이동을 행한다. 그리고, 반전 후의 기판(W)을 받은 승강테이블(210)이 더욱 상기 반출입위치에까지 상승하여, 반송기구(55)가 지지핀(218)으로부터 반전후의 기판(W)을 받는다. 그리고, 지지핀(218)은 기판(W)의 단연부를 지지하는 것이기 때문에, 반전에 의해 패턴 형성이 된 기판(W)의 표면이 하면이 되었다고 하여도, 그 패턴을 손상할 우려는 없다.

도 2 및 도 9를 참조하여 인터페이스블록(5)의 구성에 대하여 설명을 더 계속한다. 도 9는, 인터페이스블록(5)을 (+X)측에서 본 측면도이다. 에지노광유닛(EEW1)의 아래측에는 반전유닛(REV)이 구비되고, 그리고 그 아래측에는 기판회수용의 리턴버퍼(Return buffer)(RBF)가 구비되어 있다. 그리고, 리턴버퍼(RBF)의 더 아래측에는 2개의 기판재치부(PASS9)(PASS10)가 상하로 적층하여 구비되어 있다. 리턴버퍼(RBF)는, 어떠한 장해에 의해 현상처리블록(4)이 기판(W)의 현상처리를 행할 수 없을 경우에, 현상처리블록(4)의 가열부(PHP7~PHP12)에서 노광 후의 가열처리를 행한 후에, 그 기판(W)을 일시적으로 수납보관해 두는 것이다. 이 리턴버퍼(RBF)는, 복수 매의 기판(W)을 다단으로 수납할 수 있는 수납선반에 의해 구성되어 있다. 또한, 상측의 기판재치부(PASS9)는 반송로봇(TR4)으로부터 반송기구(55) 로 기판(W)을 건네주기 위하여 사용하는 것이며, 아래측의 기판재치부(PASS10)는 반송기구(55)로부터 반송로봇(TR4)에 기판(W)을 넘기기 위하여 사용하는 것이다. 그리고, 리턴버퍼(RBF)에 대해서는 반송로봇(TR4)이 액세스를 행한다.

도 9에 나타낸 바와 같이, 반송기구(55)의 가동대(55a)는 나사축(522)에 나사결합된다. 나사축(522)은, 그 회전축이 Y축방향에 나란하도록 2개의 지지대(523)에 의해 회전가능하게 지지된다. 나사축(522)의 일단부(一端部)에는 모터(M1)이 연결되어 있어, 이 모터(M1)의 구동에 의해 나사축(522)이 회전하고, 가동대(55a)가 Y축방향에 따라 수평이동한다.

또한, 가동대(55a)에는 핸드지지대(55b)가 탑재되어 있다. 핸드지지대(55b)는, 가동대(55a)에 내장된 승강기구 및 선회기구에 의해, 연직방향(Z축방향)으로 승강가능하게 되는 동시에, 연직방향 축주위로 선회가능하게 되어 있다. 그리고, 핸드지지대(55b) 위에는 기판(W)을 파지하는 2개의 파지암(59a)(59b)이 상하로 나란히 구비되어 있다. 2개의 파지암(59a)(59b)은, 가동대(55a)에 내장된 슬라이드 구동기구에 의해, 각각 독립하여 핸드지지대(55b)의 선회반경방향으로의 전후진이동이 가능하게 구성되어 있다.

도 12는, 파지암(59a)(59b)을 나타내는 도이다. 도 12(a)는 파지암(59a)의 평면도이며, (b)는 파지암(59a)의 측단면도이다. 그리고, 여기에서는 파지암(59a)에 대하여 설명하지만, 아래측의 파지암(59b)에 대하여도 완전히 동일하다. 파지암(59a)은, 2개의 암부재(591)를 포크 형상으로 형성하여 구성되어 있다. 암부재(591)의 상면에는 기판(W)의 바깥둘레보다 약간 큰 형상으로 적합하는 오목 부(592)가 형성되어 있다. 그리고, 각 오목부(592)의 양 단(端)에는 가이드부재(593)가 형성되어 있다.

파지암(59a)는, 기판(W)을 오목부(592)에 끼워 넣도록 하여 파지한다. 이 때에 기판(W)은, 그 단연부가 각 가이드부재(593)의 능선으로 점접촉함으로써, 4점에서 지지된다. 다시 말해, 파지암(59a)은, 기판(W)의 하면에 접촉할 일 없고, 기판(W)의 단연부를 점접촉에 의해 4점 지지로 파지하는 저접촉형의 반송암이다. 따라서, 반송기구(55)이 표면을 하면으로 향한 기판(W)을 반송할 때에도, 그 표면이 파지암(59a)에 비접촉이기 때문에, 형성된 패턴 등을 손상할 우려는 없다.

이상과 같은 구성에 의해, 반송기구(55)는, 노광유닛(EXP)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하는 동시에, 기판재치부(PASS9)(PASS10)에 대한 기판(W)의 주고받기와, 반전유닛(REV)에 대한 기판(W)의 주고받기와, 기판보내기용의 센드버퍼(SBF)에 대한 기판(W)의 수납 및 꺼냄을 행한다. 센드버퍼(SBF)는, 노광유닛(EXP)이 기판(W)을 받아들일 수 없을 때, 노광처리 전의 기판(W)을 일시적으로 수납보관하는 것으로, 복수 매의 기판(W)을 다단으로 수납할 수 있는 수납선반에 의해 구성되어 있다.

또한, 도 9에 나타낸 바와 같이, 표면세정처리유닛(SOAK1)의 (+X)측에는 개구부(480)가 형성되어, 이면세정처리유닛(SOAK2)의 (+X)측에는 개구부(490)가 형성되어 있다. 이 때문에, 반송기구(55)는, 개구부(480)(490)를 거쳐 각각 표면세정처리유닛(SOAK1) 및 이면세정처리유닛(SOAK2)에 대해서도 기판(W)의 주고받기를 행할 수 있다.

도 13은, 파지암(59a)이 각 반송대상부에 액세스할 때의 상태를 모식적으로 나타내는 도이다. 우선, 반송기구(55)가 기판(W)을 주고받는 대상 중 이면세정처리유닛(SOAK2) 및 반전유닛(REV)은 기판(W)의 주연부를 지지핀(428)(218)에 의해 지지하는 것이다. 반송기구(55)가 이면세정처리유닛(SOAK2)에 대하여 기판(W)을 주고받을 때에는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 2개의 암부재(591)가 지지핀(428)의 사이를 통과하도록 전후진한다. 또한, 이면세정처리유닛(SOAK2)에는, 개구부(490)로부터 진입해오는 파지암(59a)과 지지핀(428)이 간섭하지 않는 위치(도 13의 위치)에 스핀척(427)을 정지하는 기구가 구비되어 있다. 이러한 기구로서는, 예를 들면 스핀척(427)의 회전각도를 엔코더(Encoder)에 의해 검출하여, 스핀척(427)이 소정의 각도로 정지하도록 스핀모터를 제어하는 기구이면 좋다.

반송기구(55)가 반전유닛(REV)에 대하여 기판(W)의 주고받기를 행할 때의 양상은 이면세정처리유닛(SOAK2)에 대한 것과 마찬가지이다. 단, 반전유닛(REV)의 승강테이블(210)은 회전하지 않기 때문에, 상술한 엔코더 등의 정지기구는 불필요하다.

한편, 표면세정처리유닛(SOAK1)은 기판(W)의 하면 중앙부를 스핀척(421)에 의해 진공흡착하는 것이다. 반송기구(55)가 표면세정처리유닛(SOAK1)에 대하여 기판(W)을 주고받을 때에는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 2개의 암부재(591) 사이에 스핀척(421)이 깊숙이 들어도록, 파지암(59a)이 전후진이동한다.

그리고, 후술의 노광유닛(EXP)은 기판(W)의 하면 중앙부를 3개의 지지핀(911)에 의해 지지하는 것이다. 3개의 지지핀(911)의 배치 영역은 평면에서 봐서 스핀척(421)의 범위 내이다. 따라서, 반송기구(55)가 노광유닛(EXP)에 대하여 기판(W)을 주고받을 때에는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 2개의 암부재(591)의 사이에 3개의 지지핀(911)이 깊숙이 들어가도록, 파지암(59a)이 전후진이동한다. 또한, 기판재치부(PASS9)(PASS10) 및 센드버퍼(SBF)도 노광유닛(EXP)과 마찬가지로 3개의 지지핀에 의해 기판(W)을 지지하는 것이며, 반송기구(55)는 노광유닛(EXP)에 대하는 것과 마찬가지로 하여 기판(W)을 주고받는 것이 가능하다.

이렇게, 반송기구(55)는 파지 양상이 다른 반송대상부의 어느 것에 대해서도 기판(W)을 주고받는 것이 가능하다. 그리고, 상기는 파지암(59a)에 관한 설명이었지만, 파지암(59b)에 대해서도 마찬가지인 것은 물론이다.

이상의 인덱서블록(1), 바크블록(2), 레지스트 도포블록(3), 현상처리블록(4) 및 인터페이스블록(5)에는 항상 청정공기가 다운플로우(Down Flow)로서 공급되고 있어, 각 블록 내에서 파티클이 말려 올라가거나 기류에 의한 프로세스로의 악영향을 회피하고 있다. 또한, 각 블록 내는 장치의 외부환경에 대하여 약간 양압(陽壓)으로 유지되어, 외부환경으로부터의 파티클이나 오염물질의 진입 등을 막고 있다.

그리고, 상술한 인덱서블록(1), 바크블록(2), 레지스트 도포블록(3), 현상처리블록(4) 및 인터페이스블록(5)은, 본 실시 형태의 기판처리장치를 기구적으로 분할한 단위이다. 각 블록은, 각각 개별의 블록용 프레임(틀체)에 조립되어, 각 블록용 프레임을 연결하여 기판처리장치가 구성되어 있다.

한편, 본 실시 형태에서는, 기판반송에 관련되는 반송제어단위를 기계적으로 분할한 블록과는 별도로 구성되어 있다. 본 명세서에서는, 이러한 기판반송에 관련된 반송제어단위를 「셀」이라고 칭한다. 1개의 셀은, 기판반송을 담당하는 반송로봇과, 그 반송로봇에 의해 기판이 반송될 수 있는 반송대상부를 포함하여 구성되어 있다. 그리고, 상술한 각 기판재치부가, 셀 내로 기판(W)을 받아들이기 위한 입구기판재치부 또는 셀로부터 기판(W)을 불출하기 위한 출구기판재치부로서 기능한다. 다시 말해, 셀 간의 기판(W)의 주고받기도 기판재치부를 거쳐 행해진다. 그리고, 셀을 구성하는 반송로봇으로서는, 인덱서블록(1)의 기판이동적재기구(12)나 인터페이스블록(5)의 반송기구(55)도 포함된다.

본 실시 형태의 기판처리장치(SP)에는, 인덱서셀, 바크셀, 레지스트도포셀, 현상처리셀, 노광후 베이크(Bake)셀 및 인터페이스셀의 6개 셀이 포함되어 있다. 인덱서셀은, 재치대(11)와 기판이동적재기구(12)를 포함하고, 기계적으로 분할한 단위인 인덱서블록(1)과 결과적으로 같은 구성으로 되어 있다. 또한, 바크셀은, 밑바탕도포처리부(BRC)와 2개의 열처리타워(21)(21)와 반송로봇(TR1)을 포함한다. 이 바크셀도, 기계적으로 분할한 단위인 바크블록(2)과 결과적으로 같은 구성으로 되어 있다. 그리고, 레지스트도포셀은, 레지스트 도포처리부(SC)와 2개의 열처리타워(31)(31)와 반송로봇(TR2)을 포함한다. 이 레지스트도포셀도, 기계적으로 분할한 단위인 레지스트 도포블록(3)과 결과적으로 같은 구성으로 되어 있다. 또한, 레지스트도포셀에는, 노광시에 레지스트가 용해하지 않도록, 레지스트 막 위로 커버막을 형성하는 커버막 도포처리부를 구비하도록 해도 좋다.

한편, 현상처리셀은, 현상처리부(SD)와 열처리타워(41)와 반송로봇(TR3)을 포함한다. 상술한 바와 같이, 반송로봇(TR3)은 열처리타워(42)의 가열부(PHP7~PHP12) 및 쿨 플레이트(CP14)에 대하여 액세스할 수 없어서, 현상처리셀에 열처리타워(42)는 포함되지 않는다. 또한, 세정처리부(SOAK)의 표면세정처리유닛(SOAK1) 및 이면세정처리유닛(SOAK2)에 대해서는 인터페이스블록(5)의 반송기구(55)가 액세스하기 때문에, 세정처리부(SOAK)도 현상처리셀에 포함되지 않는다. 이러한 점에 있어서, 현상처리셀은 기계적으로 분할한 단위인 현상처리블록(4)과 다르다.

또한, 노광후 베이크셀은, 현상처리블록(4)에 위치하는 열처리타워(42)와, 인터페이스블록(5)에 위치하는 에지노광부(EEW)와 반송로봇(TR4)을 포함한다. 다시 말해, 노광후 베이크셀은, 기계적으로 분할한 단위인 현상처리블록(4)과 인터페이스블록(5)에 걸친 것이다. 이렇게 노광후 가열처리를 행하는 가열부(PHP7~PHP12)와 반송로봇(TR4)을 포함하여 1개의 셀을 구성하고 있으므로, 노광후의 기판(W)을 신속하게 가열부(PHP7~PHP12)에 반입하여 열처리를 행할 수 있다. 이러한 구성은, 패턴의 노광을 행한 후 될 수 있는 한 신속하게 가열처리를 행할 필요가 있는 화학증폭형 레지스트를 사용했을 경우에 최적이다.

그리고, 열처리타워(42)에 포함되는 기판재치부(PASS7)(PASS8)는 현상처리셀의 반송로봇(TR3)과 노광후 베이크셀의 반송로봇(TR4)과의 사이의 기판(W) 주고받기를 위해 개재한다.

인터페이스셀은, 노광유닛(EXP)에 대하여 기판(W)의 주고받기를 행하는 반송기구(55), 반전유닛(REV) 및 세정처리부(SOAK)를 포함하여 구성되어 있다. 이 인터 페이스셀은, 현상처리블록(4)에 위치하는 세정처리부(SOAK)를 포함하는 동시에, 반송로봇(TR4)이나 에지노광부(EEW)를 포함하지 않는 점에서, 기계적으로 분할한 단위인 인터페이스블록(5)과는 다른 구성으로 되어 있다. 그리고, 에지노광부(EEW)의 하방에 구비된 기판재치부(PASS9)(PASS10)는 노광후 베이크셀의 반송로봇(TR4)과 인터페이스셀의 반송기구(55)와의 사이의 기판(W) 주고받기를 위해 개재한다.

다음으로, 노광유닛(EXP)에 대하여 설명한다. 노광유닛(EXP)은, 기판처리장치(SP)에서 레지스트가 도포된 기판(W)의 노광처리를 행한다. 또한, 본 실시 형태의 노광유닛(EXP)은, 노광 파장을 실질적으로 짧게 하여 해상도를 향상하는 동시에 초점심도(焦點深度)를 실질적으로 넓게 하는 「액침 노광처리법」에 대응하는 액침 노광장치이며, 투영광학계와 기판(W)과의 사이에 굴절율의 큰 액체(예를 들면, 굴절율 n=1.44의 순수)를 충족하게 한 상태에서 노광처리를 행한다.

도 14는, 기판처리장치(SP)에 인접하여 접속된 노광유닛(EXP)의 개략구성을 나타내는 평면도이다. 노광유닛(EXP) 내부의 노광영역(EA)에 있어서 기판(W)의 노광처리가 실행된다. 노광영역(EA)에는, 노광처리시에 기판(W)을 실어놓는 스테이지(98) 이외에 조명광학계(照明光學系), 투영광학계(投影光學系), 마스크 스테이지, 스테이지 이동기구, 액체공급기구 및 액체회수기구 등(모두 도시 생략)의 액침 노광처리를 위한 기구가 배치되어 있다. 또한, 노광유닛(EXP)의 내부에는, 기판(W)을 반송하는 반송기구(95)가 설치되어 있다. 반송기구(95)는 굴곡식의 암(Arm)부(95b)과 암부(95b)를 안내하는 가이드부(95a)를 구비하고 있어, 암부(95b)는 가이드부(95a)에 따라 이동한다.

또한, 기판처리장치(SP)의 인터페이스블록(5)과 접하는 노광유닛(EXP)의 측부 근방에는 2개의 재치대(91)(92)가 구비되어 있다. 이 재치대(91)(92)에 대하여 인터페이스블록(5)의 반송기구(55)가 기판(W)의 주고받기를 행하는 것이 가능해 지도록, 기판처리장치(SP)와 노광유닛(EXP)이 접속되어 있다. 재치대(91)는 노광후의 기판(W)의 주고받기를 위해 사용되고, 재치대(92)는 노광전의 기판(W)의 주고받기를 위해 사용된다. 상술한 3개의 지지핀(911)은 이들 재치대(91)(92)의 상면에 세워서 설치되어 있다. 노광유닛(EXP) 안에는 반송기구(95) 이외에도 노광영역(EA)에 대하여 직접 기판(W)을 주고받기하는 도시 생략의 이동적재기구가 구비되어 있어, 반송기구(95)는 재치대(92)로부터 받은 레지스트도포완료의 기판(W)을 그 이동적재기구에 건네주는 동시에, 그 이동적재기구로부터 받은 노광후의 기판(W)을 재치대(91)에 실어놓는다.

그리고, 노광유닛(EXP)에는 더미기판(DW)를 격납하는 격납부(99)가 구비되어 있다. 더미기판(DW)은, 액침대응의 노광유닛(EXP)에 있어서, 스테이지 위치교정 등의 패턴 형상의 노광위치를 조정하는 얼라인먼트처리를 행할 때에 스테이지(98)내부로의 순수(純水)의 침입을 방지하기 위하여 사용되는 것이다. 더미기판(DW)은, 통상의(반도체 디바이스 제조용의) 기판(W)과 거의 동일한 형상 및 크기를 가진다. 더미기판(DW)의 재질은, 통상의 기판(W)과 같은 재료(예를 들면 실리콘)이어도 좋지만, 액침 노광처리시에 액체로의 오염물의 용출(溶出)이 없는 소재이면 좋다. 또한, 더미기판(DW)의 표면에 발수성(撥水性)이 부여되어 있어도 좋다. 발수성을 부여하는 방법으로서는, 불소화합물이나 실리콘화합물, 혹은 아크릴수지나 폴리에틸 렌 등의 발수성을 가지는 재료를 사용한 코팅처리를 들 수 있다. 또한, 더미기판(DW) 자체를 상기 발수성을 가지는 재료로 형성하도록 해도 좋다. 통상의 노광처리시 등, 얼라인먼트처리를 행하지 않을 때에는 더미기판(DW)은 불필요하기 때문에, 격납부(99)로 격납된다. 그리고, 격납부(99)는, 다단의 선반구조를 가지고 복수의 더미기판(DW)를 수납할 수 있는 것이어도 좋다.

격납부(99)로의 더미기판(DW)의 반출입은 반송기구(95)가 행한다. 다시 말해, 가이드부(95a)의 (+X)측단부까지 이동한 암부(95b)가 승강동작 및 굴신(屈伸)동작을 행함으로써 격납부(99)로의 더미기판(DW)의 반출입을 실행한다. 또한, 반송기구(95)는, 격납부(99)와 기판처리장치(SP)와의 사이에서 더미기판(DW)를 반송한다. 구체적으로는, 반송기구(95)는, 격납부(99)로부터 꺼낸 더미기판(DW)을 재치대(91)로 반송하여 실어놓는 동시에, 재치대(92)에 놓인 더미기판(DW)을 격납부(99)로 반송하여 격납한다. 그리고, 기판처리장치(SP)의 반송기구(55)는, 재치대(91)에 실려놓인 더미기판(DW)를 받을 수 있는 동시에, 파지하는 더미기판(DW)를 재치대(92)에 둘 수 있다.

다음으로, 본 실시 형태의 기판처리장치의 제어기구에 대하여 설명한다. 도 15는, 본 발명에 관련된 기판처리시스템의 제어기구의 개략을 나타내는 블록도이다. 도 15에 나타낸 바와 같이, 기판처리장치(SP) 및 노광유닛(EXP)은 호스트컴퓨터(100)와 LAN회선(101)을 거쳐 접속되어 있다. 기판처리장치(SP)는, 메인 컨트롤러(MC), 셀 컨트롤러(CC), 유닛 컨트롤러의 3계층으로부터 이루어지는 제어계층을 구비하고 있다. 메인 컨트롤러(MC), 셀 컨트롤러(CC), 유닛 컨트롤러의 하드웨어로 서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 같다. 다시 말해, 각 컨트롤러는, 각종 연산처리를 행하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 읽기 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 읽기쓰기가 가능한 메모리인 RAM 및 제어용 어플리케이션이나 데이타 등을 기억해 두는 자기(磁氣)디스크 등을 구비하고 있다.

제1계층의 메인 컨트롤러(MC)는, 기판처리장치(SP)의 전체에 1개 구비되어 있어, 장치 전체의 관리, 메인 패널(MP)의 관리 및 셀 컨트롤러(CC)의 관리를 주로 담당한다. 메인 패널(MP)은, 메인 컨트롤러(MC)의 디스플레이로서 기능하는 것이다. 또한, 메인 컨트롤러(MC)에 대해서는 키보드(KB)로부터 여러가지 명령이나 파라메타를 입력할 수 있다. 그리고, 메인 패널(MP)을 터치패널로 구성하여, 메인 패널(MP)로 메인 컨트롤러(MC)에 입력작업을 행하도록 해도 좋다.

제2계층의 셀 컨트롤러(CC)는, 6개의 셀(인덱서셀, 바크셀, 레지스트도포셀, 현상처리셀, 노광후 베이크셀 및 인터페이스셀)의 각각에 대하여 개별로 구비되어 있다. 각 셀 컨트롤러(CC)는, 대응하는 셀 내의 기판반송관리 및 유닛관리를 주로 담당한다. 구체적으로는, 각 셀의 셀 컨트롤러(CC)는, 소정의 기판재치부에 기판(W)을 두었다고 하는 정보를, 옆 셀의 셀 컨트롤러(CC)에 보내고, 그 기판(W)을 받아들인 셀의 셀 컨트롤러(CC)는, 그 기판재치부로부터 기판(W)을 받았다고 하는 정보를 원래의 셀의 셀 컨트롤러(CC)에 복귀하게 한다고 하는 정보의 송수신을 행한다. 이러한 정보의 송수신은 메인 컨트롤러(MC)를 거쳐 행해진다. 그리고, 각 셀 컨트롤러(CC)는 셀 내에 기판(W)이 반입된 취지의 정보를 반송로봇 컨트롤러(TC)에 주어, 그 반송로봇 컨트롤러(TC)가 반송로봇을 제어하여 셀 내에서 기판(W)을 소정 의 순서에 따라서 순환반송하게 한다. 그리고, 반송로봇 컨트롤러(TC)는, 셀 컨트롤러(CC) 위에 소정의 어플리케이션이 동작함으로써 실현되는 제어부이다.

또한, 제3계층의 유닛 컨트롤러로서는, 예를 들면 스핀 컨트롤러나 베이크 컨트롤러가 구비되어 있다. 스핀 컨트롤러는, 셀 컨트롤러(CC)의 지시에 따라서 셀 내에 배치된 스핀 유닛(도포처리유닛, 현상처리유닛 및 세정처리유닛)을 직접 제어하는 것이다. 구체적으로는, 스핀 컨트롤러는, 예를 들면 스핀 유닛의 스핀모터를 제어하여 기판(W)의 회전수를 조정한다. 그리고, 베이크 컨트롤러는, 셀 컨트롤러(CC)의 지시에 따라서 셀 내에 배치된 열처리유닛(핫 플레이트, 쿨 플레이트, 가열부 등)을 직접 제어하는 것이다. 구체적으로는, 베이크 컨트롤러는, 예를 들면 핫 플레이트에 내장된 히터를 제어하여 플레이트 온도 등을 조정한다.

한편, 노광유닛(EXP)에는, 상기의 기판처리장치(SP)의 제어기구로부터 독립한 별개의 제어부로서의 컨트롤러(EC)가 구비되어 있다.다시 말해, 노광유닛(EXP)은, 기판처리장치의 메인 컨트롤러(MC)의 제어하에서 동작하고 있는 것이 아니고, 단체(單體)로서 독자적인 동작제어를 행하고 있는 것이다. 노광유닛(EXP)의 컨트롤러(EC)는, 하드웨어 구성으로서는 일반적인 컴퓨터와 마찬가지의 구성을 가지고 있어, 노광영역(EA)에서의 노광처리를 제어하는 이외에 반송기구(95)의 동작도 제어한다.

그리고, 호스트컴퓨터(100)는, 기판처리장치(SP)에 구비된 3계층으로 이루어진 제어계층 및 노광유닛(EXP)의 컨트롤러(EC)의 상위의 제어기구로서 위치하는 것이다. 호스트컴퓨터(100)는, 각종 연산처리를 행하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하 는 읽기 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 읽기쓰기가 가능한 메모리인 RAM 및 제어용 어플리케이션이나 데이타 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있어, 일반적인 컴퓨터와 같은 구성을 가지고 있다. 호스트컴퓨터(100)에는, 본 실시 형태의 기판처리장치(SP)나 노광유닛(EXP)이 보통 복수 대 접속되어 있다. 호스트컴퓨터(100)는, 접속된 각각의 기판처리장치(SP) 및 노광유닛(EXP)에 처리순서 및 처리조건을 기술한 레시피를 건네준다. 호스트컴퓨터(100)로부터 받은 레시피는 각 기판처리장치(SP)의 메인 컨트롤러(MC) 및 노광유닛(EXP)의 컨트롤러(EC)의 기억부(예를 들면 메모리)에 기억된다.

도 16은, 본 발명에 관련된 기판처리시스템에 있어서 실현되는 기능처리부를 나타낸 기능블록도이다. 세정제어부(105), 반출요구부(106) 및 스케쥴 관리부(107)는 기판처리장치(SP)의 메인 컨트롤러(MC)가 소정의 어플리케이션 소프트를 실행함으로써 실현되는 기능처리부이다. 마찬가지로, 세정요구부(108) 및 반송제어부(109)는 노광유닛(EXP)의 컨트롤러(EC)가 소정의 어플리케이션 소프트를

실행함으로써 실현되는 기능처리부이다. 이러한 각 기능처리부의 기능의 내용에 대해서는 더 후술한다. 그리고, 세정제어부(105), 반출요구부(106) 및 스케쥴 관리부(107)의 일부 또는 전부는 기판처리장치(SP)의 인터페이스셀의 셀 컨트롤러(CC)에 의해 실현되는 것이어도 좋다.

다음으로, 본 실시 형태의 기판처리장치(SP)의 동작에 대하여 설명한다. 여기에서는, 우선, 기판처리장치(SP)에 있어서의 통상의 기판(W)의 순환반송의 개략순서에 대하여 설명한다. 이하에 설명하는 처리순서는, 호스트컴퓨터(100)로부터 받은 레시피의 기술내용을 따른 것이다.

우선, 장치외부로부터 미처리 기판(W)이 캐리어(C)에 수납된 상태에서 무인반송차(AGV) 등에 의해 인덱서블록(1)으로 반입된다. 이어서, 인덱서블록(1)으로부터 미처리 기판(W)의 불출이 행해진다. 구체적으로는, 인덱서셀(인덱서블록(1))의 기판이동적재기구(12)가 소정의 캐리어(C)로부터 미처리 기판(W)을 꺼내어, 상측의 기판재치부(PASS1)에 실어놓는다. 기판재치부(PASS1)에 미처리의 기판(W)이 실려놓이면, 바크셀의 반송로봇(TR1)이 파지암(6a)(6b) 중 한 쪽을 사용하여 그 기판(W)을 받는다. 그리고, 반송로봇(TR1)은 받은 미처리 기판(W)을 도포처리유닛(BRC1~BRC3)의 어느 한 곳으로 반송한다. 도포처리유닛(BRC1~BRC3)에서는, 기판(W)에 반사방지막용의 도포액이 회전도포된다.

도포처리가 종료한 후, 기판(W)은 반송로봇(TR1)에 의해 핫 플레이트(HP1~HP6)의 어느 한 곳으로 반송된다. 핫 플레이트에서 기판(W)이 가열됨으로써, 도포액이 건조되어 기판(W) 위로 밑바탕의 반사방지막이 형성된다. 그 후, 반송로봇(TR1)에 의해 핫 플레이트로부터 꺼내진 기판(W)은 쿨 플레이트(CP1~CP3)의 어느 한 곳으로 반송되어 냉각된다. 그리고, 이 때에 쿨 플레이트(WCP)에 의해 기판(W)을 냉각하도록 해도 좋다. 냉각 후의 기판(W)은 반송로봇(TR1)에 의해 기판재치부(PASS3)에 실려놓인다.

또한, 기판재치부(PASS1)에 실려놓인 미처리 기판(W)을 반송로봇(TR1)이 밀착강화처리부(AHL1~AHL3)의 어느 한 곳으로 반송하도록 해도 좋다. 밀착강화처리부(AHL1~AHL3)에서는, HMDS의 증기분위기에서 기판(W)을 열처리하여 레지스트막과 기판(W)과의 밀착성을 향상하게 한다. 밀착강화처리가 종료된 기판(W)은 반송로봇(TR1)에 의해 꺼내져, 쿨 플레이트(CP1~CP3)의 어느 한 곳으로 반송되어 냉각된다. 밀착강화처리가 행해진 기판(W)에는 반사방지막을 형성하지 않기 위하여, 냉각 후의 기판(W)은 반송로봇(TR1)에 의해 직접 기판재치부(PASS3)에 실려놓인다.

그리고, 반사방지막용의 도포액을 도포하기 전에 탈수처리를 행하도록 해도 좋다. 이 경우 먼저, 기판재치부(PASS1)에 실려놓인 미처리 기판(W)을 반송로봇(TR1)이 밀착강화처리부(AHL1~AHL3)의 어느 한 곳으로 반송한다. 밀착강화처리부(AHL1~AHL3)에서는, HMDS의 증기를 공급하지 않고 기판(W)에 단지 탈수를 위한 가열처리(디하이드 베이크)를 행한다. 탈수를 위해 가열처리가 종료된 기판(W)은 반송로봇(TR1)에 의해 꺼내져, 쿨 플레이트(CP1~CP3)의 어느 한 곳으로 반송되어 냉각된다. 냉각 후의 기판(W)은 반송로봇(TR1)에 의해 도포처리유닛(BRC1~BRC3)의 어느 한 곳으로 반송되어, 반사방지막용의 도포액이 회전도포된다. 그 후, 기판(W)은 반송로봇(TR1)에 의해 핫 플레이트(HP1~HP6)의 어느 한 곳으로 반송되어, 가열처리에 의해 기판(W) 위로 밑바탕의 반사방지막이 형성된다. 그리고 그 후, 반송로봇(TR1)에 의해 핫 플레이트로부터 꺼내진 기판(W)은 쿨 플레이트(CP1~CP3)의 어느 한 곳으로 반송되어 냉각된 후, 기판재치부(PASS3)에 실려놓인다.

기판(W)이 기판재치부(PASS3)에 실려놓이면, 레지스트도포셀의 반송로봇(TR2)이 그 기판(W)을 받아 도포처리유닛(SC1~SC3)의 어느 한 곳으로 반송한다. 도포처리유닛(SC1~SC3)에서는, 기판(W)에 레지스트가 회전도포된다. 그리고, 레지스트 도포처리에는 정밀한 기판 온도조절이 요구되기 때문에, 기판(W)을 도포처리 유닛(SC1~SC3)으로 반송하는 직전에 쿨 플레이트(CP4~CP9)의 어느 한 곳으로 반송하도록 해도 좋다.

레지스트 도포처리가 종료한 후, 기판(W)은 반송로봇(TR2)에 의해 가열부(PHP1~PHP6)의 어느 한 곳으로 반송된다. 가열부(PHP1~PHP6)에서 기판(W)이 가열처리됨으로써, 레지스트 중의 용매성분이 제거되어 기판(W) 위로 레지스트막이 형성된다. 그 후, 반송로봇(TR2)에 의해 가열부(PHP1~PHP6)로부터 꺼내진 기판(W)은 쿨 플레이트(CP4~CP9)의 어느 한 곳으로 반송되어 냉각된다. 냉각 후의 기판(W)은 반송로봇(TR2)에 의해 기판재치부(PASS5)에 실려놓인다.

레지스트 도포처리가 행해져 레지스트막이 형성된 기판(W)이 기판재치부(PASS5)에 실려놓이면, 현상처리셀의 반송로봇(TR3)이 그 기판(W)을 받아서 그대로 기판재치부(PASS7)로 실어놓는다. 그리고, 기판재치부(PASS7)에 실려놓인 기판(W)은 노광후 베이크셀의 반송로봇(TR4)에 의해 수취되어, 에지노광유닛(EEW1)으로 반입된다. 에지노광유닛(EEW1)에 있어서는, 기판(W)의 주연부의 노광처리가 행해진다. 에지노광처리가 종료한 기판(W)은 반송로봇(TR4)에 의해 기판재치부(PASS9)에 실려놓인다. 그리고, 기판재치부(PASS9)에 실려놓인 기판(W)은 인터페이스셀의 반송기구(55)에 의해 수취되어, 노광유닛(EXP)으로 반입된다. 이 때에는, 반송기구(55)가 파지암(59a)을 사용하여 기판(W)을 기판재치부(PASS9)로부터 노광유닛(EXP)의 재치대(92)로 반송한다. 재치대(92)에 실려놓인 레지스트도포완료의 기판(W)은 반송기구(95)를 거쳐 노광영역(EA)으로 반입되어, 패턴노광처리에 공급된다.

본 실시 형태에서는 화학증폭형 레지스트를 사용하고 있기 때문에, 기판(W) 위에 형성된 레지스트막 중 노광된 부분에서는 광화학반응에 의해 산이 생성한다. 또한, 노광유닛(EXP)에 있어서는, 기판(W)에 액침 노광처리가 행해지기 때문에, 종래로부터의 광원이나 노광 프로세스를 거의 변경하지 않고 고해상도를 실현할 수 있다. 그리고, 에지노광처리가 종료한 기판(W)을 노광유닛(EXP)으로 반입하기 전에, 반송로봇(TR4)에 의해 쿨 플레이트(CP14)로 반입하여 냉각처리를 행하도록 해도 좋다.

패턴노광처리가 종료한 노광완료 기판(W)은 반송기구(95)을 거쳐 재치대(91)로 반송된다. 재치대(91)에 실려놓인 기판(W)은 반송기구(55)에 의해 꺼내짐으로써, 노광유닛(EXP)으로부터 다시 인터페이스셀로 복귀된다. 그 후, 노광 후의 기판(W)은 반송기구(55)에 의해 표면세정처리유닛(SOAK1)에 반입된다. 이 때에는, 반송기구(55)가 파지암(59b)을 사용하여 기판(W)을 노광유닛(EXP)으로부터 표면세정처리유닛(SOAK1)으로 반송한다. 액침 노광처리 후의 기판(W)에는 액체가 부착되어 있는 경우도 있지만, 노광 전의 기판(W)의 반송에는 파지암(59a)이 사용되고, 노광 후의 기판(W)의 반송에는 파지암(59b)이 전적으로 사용되기 때문에, 적어도 파지암(59a)에 액체가 부착되는 일은 없고, 노광 전의 기판(W)에 액체가 전사되는 것도 방지된다.

표면세정처리유닛(SOAK1)에 있어서는, 세정처리용 노즐(450)을 사용한 기판(W)의 세정처리와, 건조처리용 노즐(451)을 사용한 건조처리가 행해진다. 세정 및 건조처리가 종료된 기판(W)은, 반송기구(55)에 의해 표면세정처리유닛(SOAK1)으 로부터 꺼내어져, 기판재치부(PASS10)에 실려놓인다. 그리고, 이때는 반송기구(55)가 파지암(59a)을 사용하여 기판(W)을 표면세정처리유닛(SOAK1)으로부터 기판재치부(PASS10)로 반송한다. 노광 후의 기판(W)이 기판재치부(PASS1O)에 실려놓이면, 노광후 베이크셀의 반송로봇(TR4)이 그 기판(W)을 받아서 가열부(PHP7~PHP12)의 어느 한 곳으로 반송한다. 가열부(PHP7~PHP12)에 있어서의 처리동작은 상술한 그대로이다. 가열부(PHP7~PHP12)에서는, 노광시의 광화학반응에 의해 생긴 생성물을 산촉매로서 레지스트의 수지의 가교(架橋)·중합(重合) 등의 반응을 진행하게 하여, 현상액에 대한 용해도를 노광부분만 국소적으로 변화케 하기 위한 가열처리(Post Exposure Bake)가 행해진다. 노광후 가열처리가 종료한 기판(W)은, 냉각기구를 구비한 로컬 반송기구(720)에 의해 반송됨으로써 냉각되어, 상기 화학반응이 정지한다. 이어서 기판(W)은, 반송로봇(TR4)에 의해 가열부(PHP7~PHP12)로부터 꺼내어져, 기판재치부(PASS8)에 실려놓인다.

기판재치부(PASS8)에 기판(W)이 실려놓이면, 현상처리셀의 반송로봇(TR3)이 그 기판(W)을 받아서 쿨 플레이트(CP10~CP13)의 어느 한 곳으로 반송한다. 쿨 플레이트(CP10~CP13)에 있어서는, 노광후 가열처리가 종료한 기판(W)이 더욱 냉각되어, 소정온도로 정확하게 온도조절된다. 그 후, 반송로봇(TR3)은, 쿨 플레이트(CP10~CP13)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상처리유닛(SD1~SD3)의 어느 한 곳으로 반송한다. 현상처리유닛(SD1~SD3)에서는, 기판(W)에 현상액을 공급하여 현상처리를 진행하게 한다. 이어서 현상처리가 종료한 후, 기판(W)은 반송로봇(TR3)에 의해 핫 플레이트(HP7~HP11)의 어느 한 곳으로 반송되고, 그리고 그 후 쿨 플레이 트(CP10~CP13)의 어느 한 곳으로 반송된다.

그 후, 기판(W)은 반송로봇(TR3)에 의해 기판재치부(PASS6)에 실려놓인다. 기판재치부(PASS6)에 실려놓인 기판(W)은, 레지스트도포 셀의 반송로봇(TR2)에 의해 그대로 기판재치부(PASS4)로 실려놓인다. 그리고, 기판재치부(PASS4)에 실려놓인 기판(W)은, 바크셀의 반송로봇(TR1)에 의해 그대로 기판재치부(PASS2)에 실려놓임으로써, 인덱서블록(1)에 격납된다. 기판재치부(PASS2)에 실려놓인 처리완료의 기판(W)은 인덱서셀의 기판이동적재기구(12)에 의해 소정의 캐리어(C)에 수납된다. 그 후, 소정매수의 처리완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(C)가 장치 외부로 반출되어 일련의 포토리소그래피처리가 완료한다.

기술한 바와 같이, 본 실시 형태의 노광유닛(EXP)은 액침 노광처리를 행하는 것으로, 패턴 형상의 노광위치를 조정하는 얼라인먼트처리를 행할 때에는 스테이지(98) 내부로의 순수의 침입을 방지하기 위하여 더미기판(DW)을 사용한다. 구체적으로는, 스테이지(98)의 스테이지 오목부에 더미기판(DW)를 끼워서 얼라인먼트처리를 행한다. 이렇게 하면, 스테이지(98) 내부로의 액체의 침입을 방지할 수 있지만, 더미기판(DW)에 액체가 부착되어 액적으로서 잔류할 가능성이 있어, 이러한 액적을 방치하면 건조하여 오염원이 되거나 더미기판(DW)의 발수성을 손상케 하거나 할 가능성이 있다. 또한, 더미기판(DW) 자체의 이면이 오염되어 있으면 그 오염이 스테이지 오목부에 전사되어 기술한 바와 같은 여러가지 불량을 생기게 할 우려도 있다.

이 때문에 본 실시 형태에 있어서는, 노광유닛(EXP)이 파지하고 있는 더미기 판(DW), 특히 더미기판(DW)의 이면을 기판처리장치(SP)측에서 세정하도록 하고 있다. 여기에서, 더미기판(DW)의 「표면」이란, 노광유닛(EXP)에서 얼라인먼트처리를 행할 때에 위쪽을 향하고 있는 주면(主面)이다. 또한, 더미기판(DW)의 「이면」이란, 표면 반대측의 주면이며, 얼라인먼트 처리시에 스테이지 오목부와 직접 접촉하는 면이다. 그리고, 통상의 기판(W)의 표면이란, 패턴 형성이 되는 주면이며, 이면과는 표면 반대측의 면이다. 또한, 더미기판(DW) 및 기판(W)의 상면(하면)과는 위쪽(아래측)을 향하고 있는 면이며, 이면이 상면으로 될 경우와 하면이 될 경우가 있다.

도 17은, 더미기판(DW)의 세정순서를 나타내는 플로우챠트이다. 우선, 소정의 타이밍으로 노광유닛(EXP)으로부터 기판처리장치(SP)로 더미기판(DW)을 반출한다(스텝S1). 여기에서, 소정의 타이밍이란, 노광유닛(EXP) 안에 있어서의 상기 얼라인먼트처리(노광위치조정)의 직전이어도 좋고, 혹은 직후이어도 좋다. 또한, 얼라인먼트 처리의 직전 및 직후의 쌍방이어도 좋고, 후술하는 그 밖의 타이밍이어도 좋다. 얼라인먼트처리 직전에 더미기판(DW)을 기판처리장치(SP)에 건네어 세정하면, 청정한 더미기판(DW)에 의해 얼라인먼트처리를 실행하는 것이 가능해 진다. 그리고, 얼라인먼트처리 직후에 더미기판(DW)을 기판처리장치(SP)에 건네어 세정하면, 얼라인먼트처리시에 더미기판(DW)에 부착된 액적이 건조하여 오염원이 되는 전에 세정처리를 행할 수 있다. 그리고, 얼라인먼트처리 직전에 더미기판(DW)를 반출할 때에는, 격납부(99)로부터 반송기구(95)가 더미기판(DW)을 꺼내어 재치대(91)에 실어놓고, 얼라인먼트처리 직후에 더미기판(DW)을 반출할 때에는, 반송기구(95)가 노광영역(EA)에서 받은 처리 직후의 더미기판(DW)을 직접 재치대(91)에 실어놓는다.

재치대(91)에 실려놓인 더미기판(DW)은 반송기구(55)에 의해 노광유닛(EXP)으로부터 기판처리장치(SP)측에 꺼내어져 반전유닛(REV)으로 반송된다(스텝S2). 반전유닛(REV)에 있어서의 반전동작은 상술한 그대로이고, 더미기판(DW)은 그 이면이 상면으로 되도록 반전된다. 그리고, 더미기판(DW)은 반송기구(55)에 의해 반전유닛(REV)으로부터 이면세정처리유닛(SOAK2)으로 반송되어, 이면세정처리유닛(SOAK2)에서 더미기판(DW)의 이면세정처리가 실행된다(스텝S3).

여기에서, 이면세정처리유닛(SOAK2)에 있어서의 처리동작에 대하여 설명해 둔다. 우선, 이면세정처리유닛(SOAK2)에 있어서는, 더미기판(DW)의 반입시에는, 스플래쉬 가드(424)가 하강하는 동시에, 반송기구(55)가 더미기판(DW)을 스핀척(427) 위로 실어놓는다. 스핀척(427)의 6개의 지지핀(428)에 의해 더미기판(DW)의 단연부를 파지함으로써, 스핀척(427)은 더미기판(DW)의 이면을 위쪽을 향하여 수평자세로 파지한다.

다음으로, 스플래쉬 가드(424)가 상술한 배액위치까지 이동하는 동시에, 세정처리용 노즐(450)이 더미기판(DW)의 중심부 상방으로 이동한다. 그 후, 회전축(425)이 회전을 시작하고, 그에 따라 스핀척(427)에 파지되어 있는 더미기판(DW)이 회전한다. 그 후, 밸브(Va)를 개방하여 세정처리용 노즐(450)로부터 세정액을 더미기판(DW)의 상면(여기서는 이면)으로 토출한다. 본 실시 형태에서는, 세정액으로서 순수를 더미기판(DW)의 이면으로 토출한다. 이로써, 더미기판(DW)의 이면세정 처리가 진행하여, 더미기판(DW)의 이면에 부착되어 있던 파티클 등이 씻겨진다. 회전하는 더미기판(DW)으로부터 원심력에 의해 비산한 액체는 배액안내홈(441)에 의해 배액공간(431)으로 유도되어, 배액관(434)으로부터 배액된다.

소정시간 경과후, 회전축(425)의 회전속도가 저하한다. 이로써, 더미기판(DW)의 회전에 의해 떨어져나간 세정액으로서의 순수의 양이 감소하고, 더미기판(DW)의 이면 전체에 수막이 형성되어, 소위 액이 쌓여 올라간 상태로 된다. 그리고, 회전축(425)의 회전을 정지하게 하여 더미기판(DW)의 이면 전체에 수막을 형성해도 좋다.

다음으로, 세정액인 순수의 공급이 정지되어, 세정처리용 노즐(450)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에, 건조처리용 노즐(451)이 더미기판(DW)의 중심부 상방으로 이동한다. 그 후, 밸브(Vc)를 개방하여 건조처리용 노즐(451)로부터 더미기판(DW)의 상면중심부 근방으로 불활성가스를 토출한다. 여기에서는, 불활성가스로서 질소가스를 토출한다. 이로써, 더미기판(DW)의 이면중심부의 수분이 더미기판(DW)의 주연부로 밀려흘러나가서, 더미기판(DW)의 이면 주연부만 수막이 잔류하는 상태로 된다.

다음으로, 회전축(425)의 회전수가 다시 상승하는 동시에, 건조처리용 노즐(451)이 더미기판(DW)의 이면중심부 상방으로부터 주연부 상방으로 서서히 이동한다. 이로써, 더미기판(DW)의 이면 위에 잔류하는 수막에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 더미기판(DW)의 이면 전체에 불활성가스를 세차게 불 수 있으므로, 더미기판(DW) 위의 수막을 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 더미기판(DW)을 확실하게 건조하게 할 수 있다.

다음으로, 불활성가스의 공급이 정지되어, 건조처리노즐(451)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에, 회전축(425)의 회전이 정지한다. 그 후, 스플래쉬 가드(424)가 하강하는 동시에, 지지핀(428)이 더미기판(DW)의 단연부 파지를 해제하고, 반송기구(55)가 더미기판(DW)을 이면세정처리유닛(SOAK2)으로부터 반출한다. 이로써, 이면세정처리유닛(SOAK2)에 있어서의 처리동작이 종료한다. 그리고, 세정 및 건조처리 중에 있어서의 스플래쉬 가드(424)의 위치는, 처리액의 회수 또는 배액의 필요성에 응하여 적절히 변경하는 것이 바람직하다.

이면세정처리가 종료한 더미기판(DW)은 반송기구(55)에 의해 다시 반전유닛(REV)으로 반송되어, 더미기판(DW)은 그 이면이 하면으로 되도록 반전된다(스텝S4). 다시 반전된 더미기판(DW)은 반송기구(55)에 의해 반전유닛(REV)으로부터 표면세정처리유닛(SOAK1)으로 반송되어, 표면세정처리유닛(SOAK1)에서 더미기판(DW)의 표면세정처리가 실행된다(스텝S5).

표면세정처리유닛(SOAK1)에 있어서는, 더미기판(DW)의 반입시에 반송기구(55)가 더미기판(DW)을 스핀척(421) 위로 실어놓고, 스핀척(421)은 더미기판(DW)을 수평자세로 흡착파지한다. 그 후의 표면세정처리유닛(SOAK1)에 있어서의 세정처리동작은 상술한 이면세정처리유닛(SOAK2)의 처리동작과 같다. 단, 표면세정처리유닛(SOAK1)은, 더미기판(DW)의 표면에 대하여 세정처리용 노즐(450)을 사용한 표면세정처리와, 건조처리용 노즐(451)을 사용한 건조처리를 실행하여, 더미기판(DW)에 부착되어 있던 액침 노광용의 액체를 세정한다. 그리고, 표면세정처리유닛(SOAK1) 또는 이면세정처리유닛(SOAK2)에 있어서, 통상의 노광처리 후 기판(W)을 세정할 경우이어도, 상기의 더미기판(DW)과 마찬가지의 처리동작으로 실행된다.

표면세정처리유닛(SOAK1)에 있어서의 세정 및 건조처리가 종료한 더미기판(DW)은 반송기구(55)에 의해 노광유닛(EXP)으로 반송되어 (스텝S6), 재치대(92)에 실려놓인다. 상기의 세정처리가 얼라인먼트처리 직후일 경우에는, 재치대(92)에 실려놓인 더미기판(DW)은 반송기구(95)에 의해 격납부(99)에 격납된다. 또한, 상기의 세정처리가 얼라인먼트처리 직전인 경우에는, 재치대(92)에 실려놓인 더미기판(DW)은 반송기구(95)에 의해 노광영역(EA)으로 넘겨진다. 그리고, 노광유닛(EXP)이 복수의 더미기판(DW)을 보유하고 있는 경우에는, 그들 모두에 대하여 상기의 세정처리를 행한다.

이렇게 하면, 노광유닛(EXP)이 보유하고 있는 더미기판(DW)의 이면을 기판처리장치(SP)의 이면세정처리유닛(SOAK2)에서 세정하고 있기 때문에, 더미기판(DW)의 이면은 청정한 상태로 유지되어, 그 결과 노광유닛(EXP)에서의 얼라인먼트처리시에 스테이지 오목부가 오염되는 것이 방지된다. 또한, 더미기판(DW)의 이면을 청정하게 유지함으로써 노광유닛(EXP) 안의 스테이지(98) 뿐 만아니라 반송기구(95) 등의 다른 기구의 오염을 저감할 수도 있다.

또한, 노광유닛(EXP)에서의 얼라인먼트 처리에 의해 더미기판(DW)에 액체가 부착되었다고 해도, 그 더미기판(DW)을 기판처리장치(SP)로 반송하여 세정하고 있기 때문에, 더미기판(DW)이 오염되는 것은 방지된다. 그리고, 세정 후의 더미기판(DW)을 노광유닛(EXP)으로 귀환하게 하여, 노광유닛(EXP) 측에서는 청정한 더미 기판(DW)을 사용하여 얼라인먼트처리를 실행할 수 있기 때문에, 스테이지(98) 등의 노광유닛(EXP) 안의 기구의 오염을 저감할 수 있다.

그리고, 더미기판(DW)이 발수성을 가지고 있는 경우에는, 오염에 의해 발수성이 열화할 수도 있지만, 상기 세정처리에 의해 오염물이 제거됨으로써 기판표면의 발수성이 회복하는 것으로 된다. 그 결과, 얼라인먼트처리시에도 더미기판(DW)에 의해 액침액을 확실하게 유지할 수 있다. 또한, 발수성이 열화한 더미기판(DW)을 차례대로 교환하는 것과 비교하면 현저하게 비용을 줄일 수 있다.

그런데, 상술한 바와 같이, 기판처리장치(SP)와 노광유닛(EXP)은 각각 독립된 동작제어를 행하고 있기 때문에, 더미기판(DW)의 세정에 즈음해서는 미리 양 장치에 더미기판 세정개시를 전달할 필요가 있다. 본 실시 형태에서는, 도 16에 나타낸 바와 같이, 노광유닛(EXP)의 세정요구부(108)가 기판처리장치(SP)에 세정요구신호(CS1)를 송신하고 있다. 구체적으로는, 얼라인먼트처리의 직전 및/또는 직후에 노광유닛(EXP)의 컨트롤러(EC)가 세정요구신호(CS1)를 송신한다. 세정요구신호(CS1)를 수신한 기판처리장치(SP)에 있어서는, 세정제어부(105)가 반송기구(55), 반전유닛(REV), 표면세정처리유닛(SOAK1) 및 이면세정처리유닛(SOAK2)을 제어하여 더미기판(DW)의 세정처리를 행하게 한다. 다시 말해, 더미기판(DW)의 세정이 필요하다고 판단한 노광유닛(EXP) 측으로부터 기판처리장치(SP)로 세정요구를 행하고 있는 것이다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 이 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상술한 것 이외로 여러가지 변경을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는 노광유닛(EXP) 측으로부터 세정요구를 행하고 있었지만, 이와는 반대로 기판처리장치(SP)측으로부터 세정요구를 행하여도 좋다. 구체적으로는, 기판처리장치(SP)의 반출요구부(106)가 노광유닛(EXP)으로 더미기판(DW)의 반출을 요구하는 반출요구신호(CS2)를 송신한다(도 16). 반출요구신호(CS2)를 수신한 노광유닛(EXP)에 있어서는, 반송제어부(109)가 반송기구(95)를 제어하여 더미기판(DW)을 기판처리장치(SP)로 반송하게 한다.

또한, 보다 상위의 컨트롤러인 호스트컴퓨터(100)로부터 더미기판(DW)의 세정을 지시하도록 해도 좋다. 구체적으로는, 호스트컴퓨터(100)가 기판처리장치(SP) 및 노광유닛(EXP)의 쌍방에 세정개시신호(CS3)를 송신한다. 세정개시신호(CS3)를 수신한 노광유닛(EXP)에 있어서는, 반송제어부(109)가 반송기구(95)를 제어하여 더미기판(DW)을 기판처리장치(SP)로 반송하게 한다. 한편, 세정개시신호(CS3)를 수신한 기판처리장치(SP)에 있어서는, 세정제어부(105)가 반송기구(55), 반전유닛(REV), 표면세정처리유닛(SOAK1) 및 이면세정처리유닛(SOAK2)을 제어하여 더미기판(DW)의 세정처리를 행하게 한다.

그리고, 더미기판(DW)의 세정처리를 행하는 타이밍으로서는 얼라인먼트처리의 직전 및/또는 직후에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 소정간격으로 정기적으로 더미기판(DW)의 세정처리를 실행하도록 스케쥴링해 두어도 좋다. 구체적으로는, 도 16에 나타낸 바와 같이, 기판처리장치(SP)에 스케쥴 관리부(107)를 구비하여, 이 스케쥴 관리부(107)가 반출요구부(106)에 정기적으로 반출요구신호(CS2)를 송신하게 하고, 반송제어부(109) 및 세정제어부(105)에 대하여 정기적으로 더미기 판(DW)의 세정처리를 실행하게 한다.

또한, 스케쥴 관리부(107)를 호스트컴퓨터(100) 또는 노광유닛(EXP)에 구비해도 좋은 것은 물론이다.

정기적으로 더미기판(DW)의 세정처리를 행하는 타이밍으로서는, 예를 들면 기판처리시스템의 정기 메인터넌스 때를 들 수 있다. 정기 메인터넌스 때에 메인터넌스 작업의 하나로서 더미기판(DW)의 세정처리를 실행하면, 보통 기판의 포토리소그래피처리와 간섭할 우려가 없기 때문에, 세정이나 반송의 제어가 용이하게 된다. 무엇보다, 얼라인먼트처리 직전에 더미기판(DW)의 세정처리를 실행한 쪽이 세정직후의 보다 청정한 더미기판(DW)을 사용하여 얼라인먼트처리를 행할 수 있고, 또 얼라인먼트처리 직후에 더미기판(DW)의 세정처리를 행하면 부착된 액체가 건조하기 전에 확실하게 오염원을 제외할 수 있다.

그리고, 상기 실시 형태에 있어서는, 더미기판(DW)을 세정하는 표면세정처리유닛(SOAK1) 및 이면세정처리유닛(SOAK2)을 현상처리블록(4)에 배치하도록 하고 있었지만, 이들의 어느 일방 또는 쌍방을 인터페이스블록(5)에 배치하도록 해도 좋다. 그것과 함께 반전유닛(REV)을 현상처리블록(4)에 배치하도록 해도 좋다. 이렇게 배치한 경우라도, 기판(W)의 포토리소그래피처리 및 더미기판(DW)의 세정처리동작에 대해서는 상기 실시 형태와 같다. 이렇게 하여도 상기 실시 형태와 마찬가지로, 노광유닛(EXP) 안의 더미기판(DW)을 세정하여 기판 스테이지 등의 노광유닛(EXP) 안의 기구의 오염을 저감할 수 있다. 또한, 표면세정처리유닛(SOAK1) 및 이면세정처리유닛(SOAK2)을 인터페이스블록(5)에 배치하면, 반송제어의 단위인 인 터페이스셀을 모두 기계적인 분할단위인 인터페이스블록(5) 안에 넣을 수 있기 때문에, 기판처리장치(SP) 전체로서의 반송제어가 용이해진다.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 더미기판(DW)의 이면세정처리를 행한 후에 표면세정처리를 행하도록 하고 있지만, 이 순서를 반대로 하여 표면세정처리를 행한 후에 이면세정처리를 실행하도록 해도 좋다. 다시 말해, 반송기구(55)가 노광유닛(EXP)으로부터 받은 더미기판(DW)을 직접 표면세정처리유닛(SOAK1)으로 반송하여 최초로 표면세정처리를 실행한다. 이어서, 더미기판(DW)을 반전유닛(REV)으로 반송하여 이면이 상면으로 되도록 반전한 후, 이면세정처리유닛(SOAK2)으로 반송하여 이면세정처리를 실행한다. 그 후, 더미기판(DW)을 다시 반전유닛(REV)으로 반송하여 이면이 하면으로 되도록 반전하고나서 반송기구(55)에 의해 노광유닛(EXP)으로 반송한다. 표면세정처리 또는 이면세정처리의 어느 것을 먼저 실행할지는 더미기판(DW)을 세정하는 목적에 응하여 결정하면 좋다. 더미기판(DW)의 이면을 확실하게 청정하게 하고 싶을 경우에는 표면세정처리를 행한 후에 이면세정처리를 행하는 것이 바람직하고, 표면의 청정도를 중요시할 경우에는 이면세정처리를 행한 후에 표면세정처리를 행하는 것이 바람직하다.

그리고, 더미기판(DW)의 표면세정처리 및 이면세정처리의 쌍방을 반드시 실시하는 것으로 한정되지 않고, 어느 쪽이든 한 쪽만 행하도록 해도 좋다. 이면세정처리유닛(SOAK2) 및 반전유닛(REV)을 사용하여 더미기판(DW)의 이면세정처리만을 실행하도록 해도, 적어도 이면의 오염은 확실하게 제거되기 때문에, 노광유닛(EXP)에서의 얼라인먼트 처리시에 스테이지(98)의 스테이지 오목부가 오염되는 것이 방 지된다. 또한, 표면세정처리 또는 이면세정처리의 어느 쪽이든 한 쪽뿐이면, 더미기판(DW)의 세정처리에 필요로 하는 시간을 단축하는 것이 가능해진다.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 표면세정처리유닛(SOAK1)에서 더미기판(DW)의 표면세정처리를 행하고, 이면세정처리유닛(SOAK2)에서 이면세정처리를 행하도록 하고 있지만, 이면세정처리유닛(SOAK2)에서 더미기판(DW)의 표면세정처리 및 이면세정처리의 쌍방을 행하도록 해도 좋다. 이면세정처리유닛(SOAK2)은 스핀척(427)에 의해 더미기판(DW)의 단연부를 파지하는 타입이기 때문에, 더미기판(DW)의 이면이 상면 또는 하면 중 어느 쪽을 향하고 있을 경우라도 세정처리를 실행하는 것이 가능하다.

그리고, 상기 실시 형태에 있어서, 통상의 처리대상 기판(W)에 대해서도 반전유닛(REV)에서 반전하고나서 이면세정처리유닛(SOAK2)에서 이면세정처리를 행하도록 해도 좋다. 통상의 기판(W)에 대하여, 표면세정처리 및 이면세정처리의 쌍방을 행하도록 해도 좋고, 어느 쪽이든 일방만 행하여도 좋다. 통상의 기판(W)에 표면세정처리 및 이면세정처리의 쌍방을 행할 경우에는, 어느 것을 먼저 실행하여도 좋다.

또한, 표면세정처리유닛(SOAK1)에서 더미기판(DW)의 세정처리를 행하는 것에 대신하여, 또는 세정처리를 행한 후에, 더미기판(DW)에 약액을 공급하여 표면처리를 행하도록 해도 좋다. 표면세정처리유닛(SOAK1)에서는 약액으로서 예를 들면 불소산을 공급한다. 더미기판(DW)이 통상의 기판(W)과 같이 실리콘 웨이퍼일 경우에는, 표면에 실리콘 산화막(자연산화막)이 형성되어 친수성이 된다. 여기에 약액으 로서 불소산을 공급함으로써 실리콘 산화막을 박리하여 실리콘 기재(基材)가 노출하는 것으로 되어, 더미기판(DW)의 표면에 발수성을 부여할 수 있다. 다시 말해, 약액공급에 의해 더미기판(DW) 표면에 발수성을 부여(또는 회복)하는 것이다. 구체적으로는, 스핀척(421)에 파지한 더미기판(DW)을 회전하게 하면서, 밸브(Vb)를 개방하여 표면처리액 공급원(R2)으로부터 세정처리용 노즐(450)로 불소산을 송급하여, 그것을 더미기판(DW)의 표면에 토출한다. 그리고, 더미기판(DW)에 공급하는 약액은 불소산에 한정되는 것이 아니고, 더미기판(DW)의 재질에 응하여 예를 들면 불소화합물이나 아크릴수지 등의 재료를 공급하여, 표면세정처리유닛(SOAK1)에서 발수성부여를 위한 코팅처리를 행하도록 해도 좋다.

그리고, 더미기판(DW)을 세정하는 세정처리유닛과 통상의 기판(W)을 세정하기 위한 세정처리유닛을 각각 전용의 것으로 해도 좋다.예를 들면, 현상처리블록(4)에 통상의 기판(W)용의 세정처리유닛을 설치하고, 인터페이스블록(5)에 더미기판(DW)용의 세정처리유닛을 설치하도록 해도 좋다. 특히, 화학증폭형 레지스트를 도포한 노광 직후의 기판(W)은 알칼리 분위기에 지극히 영향을 받기 쉽기 때문에, 세정처리유닛에서 약액공급처리를 행하는 경우에는 더미기판(DW)전용의 세정처리유닛을 구비하는 편이 바람직하다.

또한, 노광유닛(EXP) 안에 더미기판(DW)과는 별도로 스테이지의 클리닝 전용의 클리닝 기판을 갖게 하여, 그 클리닝 기판의 이면을 기판처리장치(SP)에서 세정하도록 해도 좋다. 클리닝 기판은 노광유닛(EXP)의 격납부(99) 안에 더미기판(DW)과는 별도로 격납해 둔다. 더미기판(DW)과 마찬가지로 적당한 타이밍으로 클리닝 기판을 기판처리장치(SP)로 반송하여, 적어도 그 이면을 이면세정처리유닛(SOAK2)에서 세정한다. 이 이면세정처리의 양상은 상기 실시 형태에서 서술한 더미기판(DW)의 이면세정처리와 완전히 같다. 스테이지(98)의 클리닝 처리시에는, 이면이 청정하게 유지되어 있는 클리닝 기판을 스테이지 오목부에 끼움으로써, 스테이지 오목부에 부착되어 있던 파티클 등의 오염물질이 클리닝 기판의 이면에 부착되어 회수된다. 이로써, 노광유닛(EXP)을 정지하지 않고 용이하게 스테이지(98)의 오염을 청소할 수 있다. 그리고, 클리닝 처리후의 오염물질을 흡착한 클리닝 기판의 이면은 이면세정처리유닛(SOAK2)에서 다시 세정한다.

그리고, 본 발명에 관련된 기판처리장치의 구성은 도 1로부터 도 4에 나타낸 바와 같은 형태로 한정되는 것이 아니고, 복수의 처리부에 대하여 반송로봇에 의해 기판(W)을 순환반송함으로써 그 기판(W)에 소정의 처리를 행하도록 하는 형태이면 여러가지 변형이 가능하다.

청구항1의 발명에 의하면, 노광장치 내에서 패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용되는 더미기판을 기판처리장치로 반송하여 그 이면을 세정한 후에, 이면세정된 더미기판을 노광장치로 반송하고 있기 때문에, 이면에서 오염물질이 제거된 청정한 더미기판으로 노광위치조정을 행할 수 있어, 노광장치 내의 스테이지 등의 기구 오염을 저감할 수 있다.

또한, 청구항2의 발명에 의하면, 세정공정을 노광장치 내의 노광위치조정의 직전 및/또는 직후에 실행하고 있기 때문에, 세정 직후의 이면이 청정한 더미기판 으로 노광위치조정을 행할 수 있고, 및/또는, 노광위치조정으로 액적이 부착한 경우에도 그것이 건조하기 전에 더미기판의 세정을 행할 수 있다.

그리고, 청구항3의 발명에 의하면, 세정공정을 정기적으로 실행하고 있기 때문에, 노광장치 내의 기구의 오염저감을 유지할 수 있다.

또한, 청구항4의 발명에 의하면, 더미기판의 표면도 세정하고 있기 때문에, 노광장치 내의 기구의 오염을 보다 확실하게 저감할 수 있다.

그리고, 청구항5의 발명에 의하면, 노광장치 내로 기판을 실어놓는 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용되는 클리닝 기판을 기판처리장치로 반송하여 그 이면을 세정한 후에, 이면세정된 클리닝 기판을 노광장치로 반송하고 있기 때문에, 이면에서 오염물질이 제거된 청정한 클리닝 기판으로 스테이지의 클리닝을 행할 수 있어, 노광장치 내의 스테이지의 오염을 용이하게 청소할 수 있다.

또한, 청구항6의 발명에 의하면, 노광장치에, 패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용하는 더미기판을 격납하는 격납부와, 더미기판을 격납부와 기판처리장치와의 사이에서 반송하는 제1 반송수단을 구비하고, 기판처리장치에, 더미기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 더미기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 제1 반송수단과 반전부 및 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 제2 반송수단을 구비하기 때문에, 이면에서 오염물질이 제거된 청정한 더미기판으로 노광위치조정을 행할 수 있어, 노광장치 내의 스테이지 등의 기구의 오염을 저감할 수 있다.

그리고, 청구항7의 발명에 의하면, 더미기판의 표면을 세정하는 표면세정부 를 더 구비하기 때문에, 노광장치 내의 기구의 오염을 보다 확실하게 저감할 수 있다.

또한, 청구항8의 발명에 의하면, 노광장치에, 기판처리장치로 더미기판의 세정요구신호를 송신하는 세정요구부를 더 구비하고, 기판처리장치에, 세정요구부로부터 세정요구신호를 받았을 때, 제2 반송수단, 반전부 및 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하기 때문에, 노광장치측으로부터의 세정요구에 의해 더미기판의 이면세정처리를 행할 수 있다.

그리고, 청구항9의 발명에 의하면, 기판처리장치에, 노광장치로 더미기판의 반출을 요구하는 반출요구신호를 송신하는 반출요구부를 더 구비하고, 노광장치에, 반출요구부로부터 반출요구신호를 받았을 때, 더미기판을 기판처리장치로 반송하도록 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비하기 때문에, 기판처리장치측으로부터의 세정요구에 의해 더미기판의 이면세정처리를 행할 수 있다.

또한, 청구항10의 발명에 의하면, 노광장치에, 호스트컴퓨터로부터 세정개시신호를 받았을 때, 더미기판을 기판처리장치로 반송하도록 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비하고, 기판처리장치에, 호스트컴퓨터로부터 세정개시신호를 받았을 때, 제2 반송수단, 반전부 및 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하기 때문에, 호스트컴퓨터로부터의 세정요구에 의해 더미기판의 이면세정처리를 행할 수 있다.

그리고, 청구항11의 발명에 의하면, 정기적으로 더미기판의 이면세정처리를 실행하게 하는 스케쥴 관리부를 구비하기 때문에, 노광장치 내의 기구의 오염 저감 을 유지할 수 있다.

또한, 청구항12의 발명에 의하면, 노광장치에, 노광처리시에 기판을 실어놓는 스테이지와, 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용하는 클리닝 기판을 격납하는 격납부와, 클리닝 기판을 격납부와 기판처리장치와의 사이에서 반송하는 제1 반송수단을 구비하고, 기판처리장치에, 클리닝 기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 클리닝 기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 제1 반송수단과 반전부 및 이면세정부와의 사이에서 클리닝 기판을 반송하는 제2 반송수단을 구비하기 때문에, 이면에서 오염물질이 제거된 청정한 클리닝 기판으로 스테이지의 클리닝을 행할 수 있어, 노광장치 내의 스테이지의 오염을 용이하게 청소할 수 있다.

그리고, 청구항13의 발명에 의하면, 노광장치 내에서 패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용되는 더미기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 더미기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 노광장치와 반전부 및 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 반송수단을 구비하기 때문에, 이면에서 오염물질이 제거된 청정한 더미기판으로 노광위치조정을 행할 수 있어, 노광장치 내의 스테이지 등의 기구의 오염을 저감할 수 있다.

또한, 청구항14의 발명에 의하면, 더미기판의 표면을 세정하는 표면세정부를 더 구비하기 때문에, 노광장치 내의 기구의 오염을 보다 확실하게 저감할 수 있다.

그리고, 청구항15의 발명에 의하면, 노광장치로부터 더미기판의 세정요구를 받았을 때, 반송수단, 반전부 및 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하기 때문에, 노광장치로부터의 세정요구에 응하여 더미기판의 이면세정처리를 행할 수 있다.

또한, 청구항16의 발명에 의하면, 노광장치에 더미기판의 반출을 요구하는 반출요구신호를 송신하는 반출요구부를 더 구비하기 때문에, 기판처리장치측으로부터의 세정요구에 의해 더미기판의 이면세정처리를 행할 수 있다.

그리고, 청구항17의 발명에 의하면, 정기적으로 반출요구신호를 송신하게 하는 스케쥴 관리부를 더 구비하기 때문에, 노광장치 내의 기구의 오염 저감을 유지할 수 있다.

또한, 청구항18의 발명에 의하면, 노광장치 내에서 기판을 실어놓는 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용되는 클리닝 기판의 이면을 세정하는 이면세정부와, 클리닝 기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와, 노광장치와 반전부 및 이면세정부와의 사이에서 클리닝 기판을 반송하는 반송수단을 구비하기 때문에, 이면에서 오염물질이 제거된 청정한 클리닝 기판으로 스테이지의 클리닝을 행할 수 있어, 노광장치 내의 스테이지의 오염을 용이하게 청소할 수 있다.

Claims (18)

1. 기판처리장치에서 레지스트 도포처리가 행하여진 기판을 노광장치로 반송하여 패턴 노광을 행한 후에, 그 기판을 상기 기판처리장치로 복귀하게 하여 현상처리를 행하는 기판처리방법으로서,

   상기 노광장치 내에서 패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용되는 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하는 송출공정과,

   상기 기판처리장치 내에서 상기 더미기판의 이면이 상면으로 되도록 상기 더미기판을 반전하는 제1 반전공정과,

   상기 기판처리장치 내에서 상기 더미기판의 이면을 세정하는 세정공정과,

   상기 기판처리장치 내에서 이면세정 후의 상기 더미기판의 이면이 하면으로 되도록 상기 더미기판을 반전하는 제2 반전공정과,

   세정 후의 상기 더미기판을 상기 노광장치로 반송하는 귀환공정를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 세정공정은, 상기 노광장치 내의 노광위치조정의 직전 및/또는 직후에 실행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 세정공정을 정기적으로 실행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 기판처리장치 내에서 상기 더미기판의 표면을 세정하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
5. 기판처리장치에서 레지스트 도포처리가 행하여진 기판을 노광장치로 반송하여 패턴 노광을 행한 후에, 그 기판을 상기 기판처리장치로 복귀하게 하여 현상처리를 행하는 기판처리방법으로서,

   상기 노광장치 내에서 기판을 실어놓는 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용되는 클리닝 기판을 상기 기판처리장치로 반송하는 송출공정과,

   상기 기판처리장치 내에서 상기 클리닝 기판의 이면이 상면으로 되도록 상기 클리닝 기판을 반전하는 제1 반전공정과,

   상기 기판처리장치 내에서 상기 클리닝 기판의 이면을 세정하는 세정공정과,

   상기 기판처리장치 내에서 이면세정 후의 상기 클리닝 기판의 이면이 하면으로 되도록 상기 클리닝 기판을 반전하는 제2 반전공정과,

   세정 후의 상기 클리닝 기판을 상기 노광장치로 반송하는 귀환공정를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
6. 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치와 레지스트가 도포된 기판의 노광처리를 행하는 노광장치를 접속한 기판처리시스템으로서,

   상기 노광장치는,

   패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용하는 더미기판을 격납하는 격납부와,

   더미기판을 상기 격납부와 상기 기판처리장치와의 사이에서 반송하는 제1 반송수단을 구비하고,

   상기 기판처리장치는,

   더미기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와,

   더미기판의 이면을 세정하는 이면세정부와,

   상기 제1 반송수단과 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 제2 반송수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
7. 제6항에 있어서,

   상기 기판처리장치는, 더미기판의 표면을 세정하는 표면세정부를 더 구비하고,

   상기 제2 반송수단은, 상기 제1 반송수단과 상기 반전부, 상기 표면세정부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
8. 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 노광장치는, 상기 기판처리장치로 더미기판의 세정요구신호를 송신하는 세정요구부를 더 구비하고,

   상기 기판처리장치는, 상기 세정요구부로부터 세정요구신호를 받았을 때, 상기 제2 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
9. 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 기판처리장치는, 상기 노광장치로 더미기판의 반출을 요구하는 반출요구신호를 송신하는 반출요구부를 더 구비하고,

   상기 노광장치는, 상기 반출요구부로부터 반출요구신호를 받았을 때, 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하도록 상기 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
10. 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 기판처리장치 및 상기 노광장치를 관리하는 호스트컴퓨터를 더 구비하고,

    상기 노광장치는, 상기 호스트컴퓨터로부터 세정개시신호를 받았을 때, 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하도록 상기 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비하며,

    상기 기판처리장치는, 상기 호스트컴퓨터로부터 세정개시신호를 받았을 때, 상기 제2 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
11. 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 기판처리장치 및 상기 노광장치를 관리하는 호스트컴퓨터를 더 구비하고,

    상기 노광장치는, 더미기판을 상기 기판처리장치로 반송하도록 상기 제1 반송수단을 제어하는 반송제어부를 더 구비하며,

    상기 기판처리장치는, 상기 제2 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하고,

    상기 반송제어부 및 상기 세정제어부에 대하여, 정기적으로 더미기판의 이면세정처리를 실행하게 하는 스케쥴 관리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
12. 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치와 레지스트가 도포된 기판의 노광처리를 행하는 노광장치를 접속한 기판처리시스템으로서,

    상기 노광장치는,

    노광처리시에 기판을 실어놓는 스테이지와,

    상기 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용하는 클리닝 기판을 격납하는 격납부와,

    클리닝 기판을 상기 격납부와 상기 기판처리장치와의 사이에서 반송하는 제1 반송수단을 구비하고,

    상기 기판처리장치는,

    클리닝 기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와,

    클리닝 기판의 이면을 세정하는 이면세정부와,

    상기 제1 반송수단과 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 클리닝 기판을 반송하는 제2 반송수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
13. 기판에 노광처리를 행하는 노광장치에 인접하여 배치되어, 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치로서,

    상기 노광장치 내에서 패턴 형상의 노광위치의 조정을 행할 때에 사용되는 더미기판의 이면을 세정하는 이면세정부와,

    더미기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와,

    상기 노광장치와 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 반송수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
14. 제13항에 있어서,

    더미기판의 표면을 세정하는 표면세정부를 더 구비하고,

    상기 반송수단은, 상기 노광장치와 상기 반전부, 상기 표면세정부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 더미기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
15. 제13항 또는 제14항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 노광장치로부터 더미기판의 세정요구를 받았을 때, 상기 반송수단, 상기 반전부 및 상기 이면세정부를 제어하여 더미기판의 이면세정처리를 행하게 하는 세정제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
16. 제13항 또는 제14항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 노광장치로 더미기판의 반출을 요구하는 반출요구신호를 송신하는 반출요구부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
17. 제16항에 있어서,

    상기 반출요구부에 대하여, 정기적으로 반출요구신호를 송신하게 하는 스케쥴 관리부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
18. 기판에 노광처리를 행하는 노광장치에 인접하여 배치되어, 기판에 레지스트 도포처리 및 현상처리를 행하는 기판처리장치로서,

    상기 노광장치 내에서 기판을 실어놓는 스테이지의 클리닝을 행할 때에 사용되는 클리닝 기판의 이면을 세정하는 이면세정부와,

    클리닝 기판의 상하면을 반전하게 하는 반전부와,

    상기 노광장치와 상기 반전부 및 상기 이면세정부와의 사이에서 클리닝 기판을 반송하는 반송수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.

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