KR20070078697A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20070078697A
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Abstract

본 발명에 의한 기판처리장치는 인터페이스 블록을 구비한다. 인터페이스 블록에 인접하도록 노광장치가 배치된다. 인터페이스 블록은 재치겸베이크유닛을 포함한다. 노광장치에 있어서 노광처리가 실시된 기판은 제2 세정/건조처리유닛에 있어서 세정 및 건조처리가 실시된 후, 재치겸가열유닛에 반입된다. 재치겸가열유닛에 있어서는 기판에 대하여 노광후 베이크처리가 행하여진다.
기판처리장치, 재치겸가열유닛, 노광처리, 처리능력, 액세스 위치, 오염

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 +X방향에서 본 개략측면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치를 -X방향에서 본 개략측면도이다.
도 4는 인터페이스 블록(interface block)을 +Y측에서 본 개략측면도이다.
도 5는 재치(載置)겸가열유닛의 외관사시도이다.
도 6은 도 5의 재치겸가열유닛의 단면도이다.
도 7은 재치겸가열유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 재치겸가열유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 세정/건조처리유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 세정/건조처리유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 세정처리용 노즐과 건조처리용 노즐이 일체로 설치된 경우의 모식도이다.
도 12는 건조처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 13은 도 12의 건조처리용 노즐을 사용한 경우의 기판의 건조처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 건조처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 15는 세정/건조처리유닛의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 16은 도 15의 세정/건조처리유닛을 사용한 경우의 기판의 건조처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 세정 및 건조처리에 사용되는 2유체(流體) 노즐의 내부구조의 일례를 나타내는 종단면도이다.
도 18은 도 17의 2유체 노즐을 사용한 경우의 기판의 세정 및 건조처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 기판의 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이(plasma display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크(photomask)용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위하여, 기판처리장치가 이용되고 있다.
이러한 기판처리장치에서는, 일반적으로, 1개의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행하여진다. 일본특개2003-324139호 공보에 기재된 기판처리장치는 인덱서 블록(indexer block), 반사방지막용 처리블록, 레지스트막용 처리블록, 현상처리블록 및 인터페이스 블록에 의해 구성된다. 인터페이스 블록에 인접하도록 기판처리장치와는 별개의 외부장치인 노광장치가 배치된다.
상기 기판처리장치에 있어서는, 인덱서 블록으로부터 반입되는 기판은 반사방지막용 처리블록 및 레지스트막용 처리블록에 있어서 반사방지막의 형성 및 레지스트막의 도포처리가 행하여진 후, 인터페이스 블록을 통하여 노광장치로 반송된다. 노광장치에 있어서 기판상의 레지스트막에 노광처리가 행하여진 후, 기판은 인터페이스 블록을 통하여 현상처리블록으로 반송된다. 현상처리블록에 있어서 기판상의 레지스트막에 현상처리가 행하여짐으로써 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블록으로 반송된다.
최근, 디바이스(device)의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스트 패턴의 미세화가 중요한 과제로 되고 있다. 종래의 일반적인 노광장치에 있어서는, 레티클(reticle)의 패턴을 투영렌즈를 통하여 기판상에 축소투영함으로써 노광처리가 행하졌었다. 그러나, 이러한 종래의 노광장치에 있어서는, 노광 패턴의 선폭은 노광장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.
그래서, 노광 패턴의 새로운 미세화를 가능하게 하는 투영노광방법으로서, 액침법(液浸法)이 제안되어 있다(예컨대, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영노광장치에 있어서는, 투영광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워져 있어, 기판표면에서의 노광 광을 단파장화할 수 있다. 그것에 의해, 노광 패턴의 새로운 미세화가 가능하게 된다.
최근에서의 노광 패턴의 미세화의 요구에 따라, 기판의 처리공정이 복잡화하고 있다. 그것에 의해, 기판처리장치의 처리능력(throughput)이 저하한다.
또한, 기판의 노광처리 후에 있어서는, 노광처리에 의한 화학반응을 포토레지스트(photoresist)내에서 촉진시키기 위하여, 기판의 PEB(노광후 베이크(post-exposure bake))처리가 행하여진다. 소망의 노광 패턴을 얻기 위하여는, 노광처리 후, 더 신속하게 기판의 PEB처리를 행하여, 신속하게 화학반응을 촉진시키는 것이 요망된다.
본 발명의 목적은 처리능력이 향상됨과 아울러, 노광 후에 신속하게 기판의 가열처리를 행할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 하나의 형태에 따르는 기판처리장치는 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고, 처리부는 기판상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막형성유닛을 포함하고, 주고받기부는 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛과, 처리부 및 열처리유닛의 사이에서 기판을 반송하는 제1 반송유닛과, 노광장치 및 열처리유닛의 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송유닛을 포함하고, 제2 반송유닛은 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 열처리유닛에 반입하고, 제1 반송유닛은 열처리유닛에 의한 열처리 후의 기판을 열처리유닛으로 반출하는 것이다.
그 기판처리장치에 있어서는, 처리부에 있어서 감광성막형성유닛에 의해 기판상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막이 형성된 후, 기판은 주고받기부를 통 하여 노광장치로 반송된다. 노광장치에 있어서 노광처리가 실시된 후, 기판은 제2 반송유닛에 의해 열처리유닛으로 반송된다. 열처리유닛에 있어서 기판에 열처리가 실시된 후, 기판은 제1 반송유닛에 의해 처리부로 반송된다.
이와 같이, 노광처리 후의 기판을 신속하게 열처리유닛까지 반송할 수 있다. 따라서, 노광처리 후, 신속하게 기판의 가열처리를 행할 수 있다. 그 결과, 노광처리에 의한 화학반응을 감광성막내에서 신속하게 촉진시킬 수 있어, 소망의 노광 패턴을 얻을 수 있다.
또한, 열처리유닛은 노광처리 후의 기판을 제2 반송유닛으로부터 제1 반송유닛으로 주고받을 때에, 기판을 재치하기 위한 재치부(載置部)의 역할을 담당하고 있다. 그것에 의해, 주고받기부에서의 기판의 반송경로를 간략화할 수 있으므로, 처리능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 반송유닛으로부터 제1 반송유닛으로 기판을 주고받기 위한 재치부를 별개로 설치할 필요가 없으므로, 주고받기부의 제조 비용을 줄일 수 있다. 또한, 기판의 반송의 액세스(access) 위치를 삭감할 수 있으므로, 제1 반송유닛의 동작이 단순화된다.
(2) 열처리유닛은 반입된 기판 또는 반출되는 기판을 지지하는 지지부와, 기판에 가열처리를 행하는 가열부와, 지지부와 가열부와의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 가져도 좋다.
이 경우, 노광처리 후의 기판이 제2 반송유닛에 의해 열처리유닛의 지지부에 반입된다. 다음에, 반송장치에 의해 기판이 가열부로 반송된다. 가열부에 있어서 기판에 가열처리가 실시된 후, 기판은 반송장치에 의해 지지부로 반송된다. 그 후, 제1 반송유닛에 의해 기판이 지지부로부터 반출된다.
이와 같이, 반입된 기판 또는 반출되는 기판을 지지하는 지지부와 기판에 가열처리를 행하는 가열부와가 별개로 설치되어 있음으로써, 제2 반송유닛으로부터 제1 반송유닛으로의 기판의 주고받기가 용이하게 된다. 그것에 의해, 처리능력을 더욱 향상시킬 수 있다.
(3) 기판처리장치는 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 소정의 타이밍으로 가열하도록 가열부를 제어하는 제어부를 더 구비하여도 좋다.
이 경우, 복수의 기판을 연속적으로 처리할 때에, 노광장치에서의 노광처리의 종료로부터 열처리유닛에서의 가열처리의 시작까지의 경과시간을 복수의 기판에 대하여 같게 설정할 수 있다. 그것에 의해, 복수의 기판에 대하여 노광 패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.
(4) 주고받기부는 기판을 일시적으로 재치하는 재치부를 더 포함하고, 제1 반송유닛은 처리부에 의한 소정의 처리 후의 기판을 재치부로 반송하고, 제2 반송유닛은 재치부로부터 노광장치로 기판을 반송하여도 좋다.
이 경우, 노광장치에서의 노광처리 전의 기판이 제1 반송유닛으로부터 재치부를 통하여 제2 반송유닛으로 주고받아진다. 그것에 의해, 제1 반송유닛으로부터 제2 반송유닛으로의 기판의 주고받기가 용이하게 되어, 처리능력이 향상된다.
(5) 재치부는 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 소정온도로 유지하면서 노광장치에의 반입이 가능하게 될 때까지 기판을 대기시키는 온도관리대기유닛이라도 좋다.
이 경우, 상기 온도관리대기유닛은 기판을 소정온도로 유지하는 기능과, 노광장치에의 반입이 가능하게 될 때까지 기판을 대기시키는 기능을 가지므로, 노광장치에의 반입이 가능하게 될 때까지 기판을 대기시키는 일반적인 기판재치부를 설치할 필요가 없다. 그것에 의해, 제2 반송유닛의 반송공정을 삭감할 수 있다. 그 결과, 처리능력을 향상하는 것이 가능하게 됨과 아울러, 제2 반송유닛의 반송의 액세스 위치를 삭감할 수 있으므로 신뢰성을 향상하는 것이 가능하게 된다.
(6)처리부 및 주고받기부 중 적어도 한 쪽은 노광장치에 의한 노광처리 후로서 열처리유닛에 의한 열처리 전에 기판의 건조처리를 행하는 건조처리유닛을 포함하여도 좋다.
이 경우, 노광처리 후의 기판은 건조처리유닛에 있어서 건조된 후에 열처리유닛 및 처리부로 반송된다. 그것에 의해, 노광장치에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 열처리유닛 및 처리부내로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 열처리유닛 및 처리부의 동작 불량을 방지할 수 있다.
또한, 기판에 건조처리가 실시됨으로써, 노광처리시에 기판에 부착된 액체에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지된다. 그것에 의해, 기판의 처리 불량을 방지할 수 있다.
(7) 건조처리유닛은 기판의 건조처리 전에 기판의 세정처리를 행하여도 좋다.
이 경우, 노광처리시에 액체가 부착된 기판을 노광장치로부터 건조처리유닛으로 반송하는 도중에 기판에 분위기 중의 먼지 등이 부착되어도, 그 부착물을 확 실하게 제거할 수 있다. 그것에 의해, 기판의 처리 불량을 더 확실하게 방지할 수 있다.
(8) 처리부 및 주고받기부 중 적어도 한 쪽은 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 세정처리를 행하는 세정처리유닛을 더 포함하여도 좋다.
이 경우, 세정처리유닛에 있어서, 노광처리 전의 기판에 세정처리가 실시된다. 그것에 의해, 노광처리 전의 처리공정에 있어서 기판에 부착된 먼지 등을 노광처리 전에 제거할 수 있다. 그 결과, 노광장치내의 오염을 방지할 수 있어, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.
(9) 세정처리유닛은 기판의 세정처리 후에 기판의 건조처리를 행하여도 좋다.
이 경우, 세정처리 후의 기판에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 노광장치내의 오염을 확실하게 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 더 확실하게 방지할 수 있다.
(10) 처리부, 주고받기부 및 노광장치는 제1 방향으로 병설(竝設)되고, 주고받기부는 제1 방향과 수평면내에서 직교하는 제2 방향으로 적어도 1개의 측면을 갖고, 건조처리유닛은 주고받기부내에 있어서 1개의 측면측에 배치되어도 좋다.
이 경우, 건조처리유닛은 주고받기부에 있어서, 처리부 및 노광장치와 접하고 있지 않는 1개의 측면측에 배치되므로, 상기 1개의 측면으로부터 건조처리유닛의 유지보수(maintenance)를 용이하게 행할 수 있다.
(11) 주고받기부는 제2 방향에 있어서 1개의 측면에 대향하는 다른 측면을 갖고, 세정처리유닛은 주고받기부내에 있어서 다른 측면측에 배치되어도 좋다.
이 경우, 세정처리유닛은 주고받기부에 있어서, 처리부 및 노광장치와 접하고 있지 않는 다른 측면측에 배치되므로, 상기 다른 측면으로부터 세정처리유닛의 유지보수를 용이하게 행할 수 있다.
(12) 열처리유닛 및 재치부는 주고받기부내의 제2 방향에서의 대략 중앙부에 적층 배치되고, 제1 반송유닛은 세정처리유닛과 열처리유닛과의 사이에 배치되고, 제2 반송유닛은 열처리유닛과 건조처리유닛과의 사이에 배치되어도 좋다.
이 경우, 제1 반송유닛에 의한 처리부, 세정처리유닛, 재치부 및 열처리유닛으로의 기판의 주고받기, 및 제2 반송유닛에 의한 재치부, 노광장치, 건조처리유닛 및 열처리유닛으로의 기판의 주고받기가 단시간에 행하여진다. 그것에 의해, 처리능력을 향상시킬 수 있다.
또한, 노광장치로부터 건조처리유닛으로의 기판의 반송 및 건조처리유닛으로부터 열처리유닛으로의 기판의 반송을 신속하게 행할 수 있다. 그것에 의해, 기판에 건조처리를 실시하면서 기판의 가열처리를 신속하게 행할 수 있다.
(13) 제2 반송유닛은 기판을 지지하는 제1 및 제2 지지부를 포함하고, 노광장치에 의한 노광처리 전 및 건조처리유닛에 의한 건조처리 후의 기판을 반송할 때는 제1 지지부에 의해 기판을 지지하고, 노광처리 후의 기판을 노광장치로부터 건조처리유닛으로 반송할 때는 제2 지지부에 의해 기판을 지지하여도 좋다.
이 경우, 제1 지지부는 노광처리 전의 기판을 반송할 때에 사용되며, 제2 지지부는 노광처리 직후의 기판을 반송할 때에 사용된다. 그것에 의해, 노광장치에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 제1 지지부에 액체가 부착되는 일이 없다. 따라서, 노광처리 전의 기판에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 노광처리 전의 기판에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
(14) 제2 지지부는 제1 지지부보다 아래쪽에 설치되어도 좋다.
이 경우, 제2 지지부 및 그것이 지지하는 기판으로부터 액체가 낙하하였다고 하더라도, 제1 지지부 및 그것이 지지하는 기판에 액체가 부착되는 일이 없다. 그것에 의해, 노광처리 전의 기판에 액체가 부착되는 것이 확실하게 방지된다.
(15) 주고받기부는 기판의 주연부(周緣部)를 노광하는 에지(edge)노광부를 더 포함하고, 제1 반송유닛은 처리부, 에지노광부, 세정처리유닛 및 재치부의 사이에서 기판을 반송하여도 좋다.
이 경우, 에지노광부에 있어서 기판의 주연부에 노광처리가 행하여진다.
이하, 본 발명의 실시형태에 의한 기판처리장치에 대하여 도면을 이용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(1) 기판처리장치의 구성
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다. 한편, 도 1 및 후술하는 도 2∼도 4에는 위치 관계를 명확히 하기 위하여 서로 직교하는 X방 향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 표시하고 있다. X 방향 및 Y방향은 수평면내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직(鉛直)방향에 상당한다. 한편, 각 방향에 있어서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대의 방향을 -방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전방향을 θ방향으로 하고 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판처리장치(500)는 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14) 및 인터페이스 블록(15)을 포함한다. 또한, 인터페이스 블록(15)에 인접하도록 노광장치(16)가 배치된다. 노광장치(16)에 있어서는 액침법에 의해 기판(W)에 노광처리가 행하여진다.
이하, 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14) 및 인터페이스 블록(15)의 각각을 처리블록이라고 부른다.
인덱서 블록(9)은 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(main controller, 제어부)(30), 복수의 캐리어(carrier)재치대(40) 및 인덱서 로봇(indexer robert, IR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(hand, IRH)가 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)은 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용 도포처리부(50) 및 제1 센터로봇(central robert, CR1)을 포함한다. 반사방지막용 도포처리부(50)는 제1 센터로봇(CR1)을 사이에 개재하여 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 대향하여 설치된다. 제1 센터로봇(CR1)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1, CRH2)가 상하에 설치된다.
인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에는 분위기차단용의 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는 인덱서 블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS1)는 기판(W)을 인덱서 블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서 블록(9)으로 반송할 때에 사용된다.
또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그것에 의해, 기판재치부(PASS1, PASS2)에 있어서 기판(W)이 재치되어 있는지의 여부의 판정을 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는 고정 설치된 복수개의 지지핀(support pin)이 설치되어 있다. 한편, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은 후술하는 기판재치부(PASS3∼PASS12)에도 마찬가지로 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)은 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용 도포처리부(60) 및 제2 센터로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용 도포처리부(60)는 제2 센터로봇(CR2)을 사이에 개재하여 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 대향하여 설치된다. 제2 센터로봇(CR2)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하에 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)과의 사이에는 분위 기차단용의 격벽(18)이 설치된다. 이 격벽(18)에는 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS3)는 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용처리블록(11)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS4)은 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)로 반송할 때에 사용된다.
현상처리블록(12)은 현상용 열처리부(120, 121), 현상처리부(70) 및 제3 센터로봇(CR3)을 포함한다. 현상처리부(70)는 제3 센터로봇(CR3)을 사이에 개재하여 현상용 열처리부(120, 121)에 대향하여 설치된다. 제3 센터로봇(CR3)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5, CRH6)가 상하에 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12)과의 사이에는 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS5)는 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS6)는 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때에 사용된다.
레지스트커버막용 처리블록(13)은 레지스트커버막용 열처리부(130, 131), 레지스트커버막용 도포처리부(80) 및 제4 센터로봇(CR4)을 포함한다. 레지스트커버막용 도포처리부(80)는 제4 센터로봇(CR4)을 사이에 개재하여 레지스트커버막용 열 처리부(130, 131)에 대향하여 설치된다. 제4 센터로봇(CR4)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7, CRH8)가 상하에 설치된다.
현상처리블록(12)과 레지스트커버막용 처리블록(13)과의 사이에는 분위기차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는 현상처리블록(12)과 레지스트커버막용 처리블록(13)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS7)는 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS8)는 기판(W)을 레지스트커버막용 처리블록(13)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때에 사용된다.
레지스트커버막 제거블록(14)은 기판재치수납부(141), 레지스트커버막제거용 처리부(90) 및 제5 센터로봇(CR5)을 포함한다. 레지스트커버막제거용 처리부(90)는 제5 센터로봇(CR5)을 사이에 개재하여 기판재치수납부(141)에 대향하여 설치된다. 제5 센터로봇(CR5)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH9, CRH10)가 상하에 설치된다.
레지스트커버막용 처리블록(13)과 레지스트커버막 제거블록(14)과의 사이에는 분위기차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는 레지스트커버막용 처리블록(13)과 레지스트커버막 제거블록(14)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS9, PASS10)가 상하에 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS9)는 기판(W)을 레지스트커버막용 처리블록(13)으로부터 레지스트커버막 제거블록(14)으로 반송할 때에 사용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS10)는 기판(W) 을 레지스트커버막 제거블록(14)으로부터 레지스트커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때에 사용된다.
인터페이스 블록(15)은 제1 세정/건조처리유닛(SD1), 제6 센터로봇(CR6), 에지노광부(EEW), 재치겸베이크유닛(PASS-PEB, 이하, P-PEB로 간략히 기재함), 재치겸냉각유닛(PASS-CP, 이하, P-CP로 간략히 기재함), 인터페이스용 반송기구(IFR) 및 제2 세정/건조처리유닛(SD2)을 포함한다. 한편, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)은 노광처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조처리를 행하고, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)은 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리를 행한다. 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 상세한 내용은 이후에 설명한다.
또한, 제6 센터로봇(CR6)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH11, CRH12)(도 4참조)가 상하에 설치되고, 인터페이스용 반송기구(IFR)에는 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)(도 4참조)가 상하에 설치된다. 인터페이스 블록(15)의 상세한 내용에 대하여는 이후에 설명한다.
본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, Y방향을 따라 인덱서 블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14) 및 인터페이스 블록(15)이 순서대로 병설되어 있다.
도 2는 도 1의 기판처리장치(500)를 +X방향에서 본 개략측면도이며, 도 3은 도 1의 기판처리장치(500)를 -X방향에서 본 개략측면도이다. 한편, 도 2에 있어서는 기판처리장치(500)의 +X측에 설치되는 것을 주로 도시하고, 도 3에 있어서는 기 판처리장치(500)의 -X측에 설치되는 것을 주로 도시하고 있다.
먼저, 도 2를 이용하여, 기판처리장치(500)의 +X측의 구성에 대하여 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(50)(도 1 참조)에는 3개의 도포유닛(BARC)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지하여 회전하는 스핀척(51) 및 스핀척(51) 위에 지지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(52)을 구비한다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(60)(도 1 참조)에는 3개의 도포유닛(RES)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지하여 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61) 위에 지지된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.
현상처리블록(12)의 현상처리부(70)에는 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 현상처리유닛(DEV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지하여 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 위에 지지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다.
레지스트커버막용 처리블록(13)의 레지스트커버막용 도포처리부(80)에는 3개의 도포유닛(COV)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 도포유닛(COV)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지하여 회전하는 스핀척(81) 및 스핀척(81) 위에 지지된 기판(W)에 레지스트커버막의 도포액을 공급하는 공급노즐(82)을 구비한다. 레지스트커버막의 도포액으로서는, 레지스트 및 물과의 친화력이 낮은 재료(레지스트 및 물 과의 반응성이 낮은 재료)를 사용할 수 있다. 예컨대, 불소수지이다. 도포유닛(COV)은 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)상에 도포액을 도포함으로써, 기판(W)상에 형성된 레지스트막 위에 레지스트커버막을 형성한다.
레지스트커버막 제거블록(14)의 레지스트커버막제거용 처리부(90)에는 3개의 제거유닛(REM)이 상하에 적층 배치되어 있다. 각 제거유닛(REM)은 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지하여 회전하는 스핀척(91) 및 스핀척(91) 위에 지지된 기판(W)에 박리액(예컨대, 불소수지)을 공급하는 공급노즐(92)을 구비한다. 제거유닛(REM)은 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)상에 박리액을 도포함으로써, 기판(W)상에 형성된 레지스트커버막을 제거한다.
한편, 제거유닛(REM)에서의 레지스트커버막의 제거방법은 상기 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 기판(W)의 위쪽에 있어서 슬릿노즐(slit nozzle)을 이동시키면서 기판(W)상에 박리액을 공급함으로써 레지스트커버막을 제거하여도 좋다.
인터페이스 블록(15)내의 +X측에는, 에지노광부(EEW) 및 3개의 제2 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하에 적층 배치된다. 각 에지노광부(EEW)는 기판(W)을 수평자세로 흡착 지지하여 회전하는 스핀척(98) 및 스핀척(98) 위에 지지된 기판(W)의 주변을 노광하는 광조사기(99)를 구비한다.
다음에, 도 3을 이용하여, 기판처리장치(500)의 -X측의 구성에 대하여 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는 2개의 가열유닛(핫플레이트(hot plate))(HP) 및 2개의 냉각유닛(쿨링플레이트(cooling plate))(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 반사방지막 용 열처리부(100, 101)에는 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(local controller, LC)이 각각 배치된다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)이 각각 배치된다.
현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120, 121)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 현상용 열처리부(120, 121)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)이 각각 배치된다.
레지스트커버막용 처리블록(13)의 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층 배치된다. 또한, 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)이 각각 배치된다.
레지스트커버막 제거블록(14)의 기판재치수납부(141)에는, 기판재치부 (PASS11, PASS12), 이송버퍼부(SBF) 및 복귀버퍼부(RBF)가 상하에 적층 배치된다.
다음에, 도 4를 이용하여 인터페이스 블록(15)에 대하여 상세하게 설명한다.
도 4는 인터페이스 블록(15)을 +Y측에서 본 개략측면도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 인터페이스 블록(15)내에 있어서, -X측에는 3개의 제1 세정/건조처리유닛(SD1)이 적층 배치된다. 또한, 인터페이스 블록(15)내에 있어서, +X측의 상 부에는 에지노광부(EEW)가 배치된다.
에지노광부(EEW)의 아래쪽에 있어서, 인터페이스 블록(15)내의 대략 중앙부에는, 3개의 재치겸가열유닛(P-PEB) 및 2개의 재치겸냉각유닛(P-CP)이 상하에 적층 배치된다. 에지노광부(EEW)의 아래쪽에 있어서, 인터페이스 블록(15)내의 +X측에는 3개의 제2 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하에 적층 배치된다.
또한, 도 4에 있어서 점선으로 표시하는 바와 같이, 레지스트커버막 제거블록(14)(도 1)의 기판재치부(PASS11, PASS12), 이송버퍼부(SBF) 및 복귀버퍼부(RBF)가 인터페이스 블록(15)에 면하도록 배치되어 있다.
인터페이스 블록(15)내의 하부에는, 제6 센터로봇(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 설치되어 있다. 제6 센터로봇(CR6)은 제1 세정/건조처리유닛(SD1), 기판재치부(PASS11, PASS12), 이송버퍼부(SBF), 복귀버퍼부(RBF), 에지노광부(EEW), 재치겸가열유닛(P-PEB) 및 재치겸냉각유닛(P-CP)의 사이에서 상하 이동가능하면서도 회동가능하게 설치되어 있다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 재치겸가열유닛(P-PEB), 재치겸냉각유닛(P-CP), 제2 세정/건조처리유닛(SD2), 노광장치(16)내의 기판반입부(16a) 및 기판반출부(16b)(도 1)의 사이에서 상하 이동가능하면서도 회동가능하게 설치되어 있다.
(2) 기판처리장치의 동작
다음에, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 동작에 대하여 도 1∼도 4를 참조하면서 설명한다.
(2-1) 인덱서 블록∼레지스트커버막제거 블록의 동작
먼저, 인덱서 블록(9)∼레지스트커버막 제거블록(14)의 동작에 대하여 간단히 설명한다.
인덱서 블록(9)의 캐리어재치대(40) 위에는, 복수개의 기판(W)을 다단(多段)으로 수납하는 캐리어(C)가 반입된다. 인덱서 로봇(IR)은 핸드(IRH)를 사용하여 캐리어(C)내에 수납된 미처리의 기판(W)을 꺼낸다. 그 후, 인덱서 로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전 이동하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.
본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드(pod)나 수납 기판(W)을 외기(外氣)에 노출하는 OC(open cassette) 등을 사용하여도 좋다.
또한, 인덱서 로봇(IR), 제1∼제6 센터로봇(CRl∼CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는 각각 기판(W)에 대하여 직선적으로 슬라이드 시켜서 핸드의 진퇴동작을 행하는 직동형(直動型) 반송로봇을 사용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 관절을 움직임으로써 직선적으로 핸드의 진퇴동작을 행하는 다관절형 반송로봇를 사용하여도 좋다.
기판재치부(PASS1)에 재치된 미처리의 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 받아진다. 제1 센터로봇(CR1)은 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다.
그 후, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리 가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 도포처리부(50)에 반입한다. 이 반사방지막용 도포처리부(50)에서는, 노광시에 발생하는 정재파나 할레이션(halation)을 감소시키기 위하여, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W)상에 반사방지막이 도포 형성된다.
다음에, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 도포처리부(50)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 그 후, 제1 센터로봇(CR1)은 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.
기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 받아진다. 제2 센터로봇(CR2)은 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다.
그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 도포처리부(60)에 반입한다. 이 레지스트막용 도포처리부(60)에서는 도포유닛(RES)에 의해 반사방지막이 도포 형성된 기판(W)상에 레지스트막이 도포 형성된다.
다음에, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 도포처리부(60)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 그 후, 제2 센터로봇(CR2)은 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.
기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로 봇(CR3)에 의해 받아진다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은 레지스트커버막용 처리블록(13)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 받아진다. 제4 센터로봇(CR4)은 그 기판(W)을 레지스트커버막용 도포처리부(80)에 반입한다. 이 레지스트커버막용 도포처리부(80)에서는, 도포유닛(COV)에 의해 레지스트막이 도포 형성된 기판(W)상에 레지스트커버막이 도포 형성된다.
다음에, 제4 센터로봇(CR4)은 레지스트커버막용 도포처리부(80)로부터 도포처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)에 반입한다. 그 후, 제4 센터로봇(CR4)은 레지스트커버막용 열처리부(130, 131)로부터 열처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.
기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은 레지스트커버막 제거블록(14)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 받아진다. 제5 센터로봇(CR5)은 그 기판(W)을 기판재치부(PASS11)에 재치한다.
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제6 센터로봇(CR6)에 의해 받아져, 이후에 설명하는 바와 같이 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 인터페이스 블록(15) 및 노광장치(16)에 있어서 기판(W)에 소정의 처리가 실시된 후, 그 기판(W)은 제6 센터로봇(CR6)에 의해 레지스트커버막 제거블록(14)의 기판재치부(PASS12)에 재치된다.
기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은 레지스트커버막 제거블록(14)의 제5 센터로봇(CR5)에 의해 받아진다. 제5 센터로봇(CR5)은 그 기판(W)을 레지스트커버막제거용 처리부(90)에 반입한다. 레지스트커버막제거용 처리부(90)에 있어서는 레지스트커버막이 제거된다.
다음에, 제5 센터로봇(CR5)은 레지스트커버막제거용 처리부(90)로부터 처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치한다.
기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은 레지스트커버막용 처리블록(13)의 제4 센터로봇(CR4)에 의해 기판재치부(PASS8)에 재치된다.
기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은 현상처리블록(12)의 제3 센터로봇(CR3)에 의해 받아진다. 제3 센터로봇(CR3)은 그 기판(W)을 현상처리부(70)에 반입한다. 현상처리부(70)에 있어서는 노광된 기판(W)에 대하여 현상처리가 실시된다.
다음에, 제3 센터로봇(CR3)은 현상처리부(70)로부터 현상처리가 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120, 121)에 반입한다. 그 후, 제3 센터로봇(CR3)은 현상용 열처리부(120, 121)로부터 열처리 후의 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은 레지스트막용 처리블록(11)의 제2 센터로봇(CR2)에 의해 기판재치부(PASS4)에 재치된다. 기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1 센터로봇(CR1)에 의해 기판재치부(PASS2)에 재치된다.
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은 인덱서 블록(9)의 인덱서 로봇(IR)에 의해 캐리어(C)내에 수납된다. 이에 의해, 기판처리장치(500)에서의 기판(W)의 각 처리가 종료한다.
(2-2) 인터페이스 블록의 동작
다음에, 인터페이스 블록(15)의 동작에 대하여 상세하게 설명한다. 상술한 바와 같이, 인덱서 블록(9)에 반입된 기판(W)은 소정의 처리를 실시한 후, 레지스트커버막 제거블록(14)(도 1)의 기판재치부(PASS11)에 재치된다.
기판재치부 (PASS11)에 재치된 기판(W)은 인터페이스 블록(15)의 제6 센터로봇(CR6)에 의해 받아진다. 제6 센터로봇(CR6)은 그 기판(W)을 에지노광부(EEW)(도 4)에 반입한다. 이 에지노광부(EEW)에 있어서는 기판(W)의 주연부에 노광처리가 실시된다.
다음에, 제6 센터로봇(CR6)은 에지노광부(EEW)로부터 에지 노광이 끝난 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 제1 세정/건조처리유닛(SD1) 중 어느 쪽에 반입한다. 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 상술한 바와 같이 노광처리 전의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여진다.
여기에서, 노광장치(16)에 의한 노광처리의 시간은 통상, 다른 처리공정 및 반송공정보다 길다. 그 결과, 노광장치(16)가 후의 기판(W)의 받아들임을 할 수 없는 경우가 많다. 이 경우, 기판(W)은 레지스트커버막 제거블록(14)(도 1)의 이송버퍼부(SBF)(도 4)에 일시적으로 수납 보관된다. 본 실시형태에서는, 제6 센터로봇(CR6)은 제1 세정/건조처리유닛(SD1)로부터 세정 및 건조처리가 끝난 기판(W) 을 꺼내, 그 기판(W)을 이송버퍼부(SBF)로 반송한다.
다음에, 제6 센터로봇(CR6)은 이송버퍼부(SBF)에 수납 보관되어 있는 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 재치겸냉각유닛(P-CP)에 반입한다. 재치겸냉각유닛(P-CP)에 반입된 기판(W)은 노광장치(16)안과 같은 온도(예컨대, 23℃)로 유지된다.
한편, 노광장치(16)가 충분한 처리속도를 갖는 경우에는, 이송버퍼부(SBF)에 기판(W)을 수납 보관하지 않고, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)로부터 재치겸냉각유닛(P-CP)에 기판(W)을 반송하여도 좋다.
계속하여, 재치겸냉각유닛(P-CP)에서 상기 소정온도로 유지된 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFR)의 위쪽의 핸드(H1)(도 4)에 의해 받아져, 노광장치(16)내의 기판반입부(16a)(도 1)에 반입된다.
노광장치(16)에 있어서 노광처리가 실시된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)의 아래쪽의 핸드(H2)(도 4)에 의해 기판반출부(16b)(도 1)로부터 반출된다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H2)에 의해, 그 기판(W)을 제2 세정/건조처리유닛(SD2) 중 어느 쪽에 반입한다. 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 상술한 바와 같이 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여진다.
제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서 세정 및 건조처리가 실시된 기판(W)은 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)(도 4)에 의해 꺼내진다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는 핸드(H1)에 의해, 그 기판(W)을 재치겸가열유닛(P-PEB) 중 어느 쪽에 반입한다.
재치겸가열유닛(P-PEB)에 있어서는, 기판(W)에 대하여 노광후 베이크(PEB)처리가 행하여진다. 재치겸가열유닛(P-PEB)의 상세한 내용에 대하여는 이후에 설명한다.
기판(W)의 노광후 베이크처리가 행하여진 후, 제6 센터로봇(CR6)은 재치겸가열유닛(P-PEB)으로부터 기판(W)을 꺼내, 그 기판(W)을 레지스트커버막 제거블록(14)(도 1)의 기판재치부(PASS12)에 재치한다.
한편, 제거유닛(REM)(도 2)의 고장 등에 의해, 레지스트커버막 제거블록(14)이 일시적으로 기판(W)의 받아들임을 할 수 없을 때는 복귀버퍼부(RBF)에 노광처리 후의 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.
여기에서, 본 실시형태에 있어서는, 제6 센터로봇(CR6)은 기판재치부(PASS11), 에지노광부(EEW), 제1 세정/건조처리유닛(SD1), 이송버퍼부(SBF), 재치겸냉각유닛(P-CP), 재치겸가열유닛(P-PEB) 및 기판재치부(PASS12)의 사이에서 기판(W)을 반송하지만, 이 일련의 동작을 단시간(예컨대, 20초)에 행할 수 있다.
또한, 인터페이스용 반송기구(IFR)는 재치겸냉각유닛(P-CP), 노광장치(16), 제2 세정/건조처리유닛(SD2) 및 재치겸가열유닛(P-PEB)의 사이에서 기판(W)을 반송하지만, 이 일련의 동작을 단시간(예컨대, 24초)에 행할 수 있다.
이들의 결과, 처리능력을 확실하게 향상시킬 수 있다.
(3) 재치겸가열유닛
다음에, 인터페이스 블록(15)에 설치되는 재치겸가열유닛(P-PEB)에 대하여 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
도 5는 도 4의 재치겸가열유닛(P-PEB)의 외관사시도이며, 도 6은 도 5의 재치겸가열유닛(P-PEB)의 단면도이다.
도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 재치겸가열유닛(P-PEB)은 주로 가열처리부(200) 및 로컬 반송기구(300)로 구성된다. 가열처리부(200)는 상하에 배치된 기판지지부(201) 및 가열부(202)를 포함한다.
기판지지부(201)는 냉각플레이트(250), 복수의 고정지지핀(251), 기판검출센서(WST, WSR) 및 수냉배관(WP)을 포함한다. 가열부(202)는 상부뚜껑(211), 가열플레이트(213), 복수의 가동지지핀(214), 지지판(215), 상부뚜껑 지지부재(216), 지지부재(217) 및 상부뚜껑 개폐구동장치(218)를 포함한다.
냉각플레이트(250) 및 가열플레이트(213)가 지지부재(217)에 의해 상하에 소정 간격을 두고 지지된다. 그것에 의해, 냉각플레이트(250)에 의해 기판지지부(201)와 가열부(202)가 차단된다.
냉각플레이트(250) 위에는 기판검출센서(WST, WSR)가 설치되어 있다. 기판검출센서(WST, WSR)로부터 주어지는 신호에 기초하여, 메인 컨트롤러(30)는 냉각플레이트(250) 위에 기판(W)이 존재하는지의 여부의 판정을 행한다.
또한, 냉각플레이트(250)의 내부에는 수냉배관(WP)이 설치되어 있고, 수냉배관(WP)의 내부에 냉각매체를 순환시킴으로써 냉각플레이트(250)의 온도를 조정할 수 있다. 냉각플레이트(250)에는 복수의 고정지지핀(251)이 위쪽으로 돌출하도록 설치된다.
가열부(202)의 가열플레이트(213)에는 복수의 관통공이 설치되며, 그 복수의 관통공에 복수의 가동지지핀(214)이 설치된다. 가동지지핀(214)은 지지판(215)에 부착된다.
또한, 상부뚜껑(211)이 가열플레이트(213) 위에 상부뚜껑 지지부재(216)에 의해 지지된다. 지지판(215) 및 상부뚜껑 지지부재(216)는 상부뚜껑 개폐구동장치(218)의 작용에 의해 동시에 상하 이동한다.
로컬 반송기구(300)는 풀리(pully, 310, 311), 벨트(312), 핸드이송축(313, 314), 슬라이드 레일(slide rail, 320), 틀체(350, 360), 로컬 반송핸드(RHR), 이송축 구동모터(M20, M30)를 포함한다.
로컬 반송기구(300)의 틀체(350)내에는 로컬 반송핸드(RHR)를 상하방향(도 5의 화살표 M1 참조)으로 이동시키기 위한 풀리(310, 311), 벨트(312), 핸드이송축(313) 등의 구성요소가 수납되어 있고, 로컬 반송기구(300)의 틀체(360)내에는 로컬 반송핸드(RHR) 및 틀체(350)를 수평방향(도 5의 화살표 M2 참조)으로 이동시키기 위한 핸드이송축(314), 슬라이드 레일(320) 등의 구성요소가 수납되어 있다.
이송축 구동모터(M30)가 회전함으로써, 풀리(310, 311) 및 벨트(312)를 통하여 핸드이송축(313)이 회전한다. 그것에 의해, 로컬 반송핸드(RHR)가 상하방향으로 이동한다.
또한, 이송축 구동모터(M20)이 회전함으로써, 핸드이송축(314)이 회전한다. 그것에 의해, 로컬 반송핸드(RHR)가 틀체(350)와 함께 수평방향으로 이동한다.
로컬 반송핸드(RHR)는 상하방향 및 수평방향의 이동에 의해, 기판지지부(201) 및 가열부(202)의 사이를 이동한다.
로컬 반송핸드(RHR)에는, 고정지지핀(251)과 가동지지핀(214)과 간섭하지 않도록 슬릿(slit)이 설치되어 있다.
다음에, 재치겸가열유닛(P-PEB)의 동작에 대하여 설명한다.
도 7 및 도 8 은 재치겸가열유닛(P-PEB)의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 한편, 이하에 설명하는 재치겸가열유닛(P-PEB)의 각 구성요소의 동작은 도 1의 메인 컨트롤러(제어부)(30)에 의해 제어된다.
먼저, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서 세정 및 건조처리가 실시된 기판(W)이 인터페이스용 반송기구(IFR)(도 4)에 의해 기판지지부(201)의 고정지지핀(251) 위에 재치된다.
다음에, 도 7(b)에 도시하는 바와 같이, 기판(W)이 로컬 반송핸드(RHR)에 의해 기판지지부(201)로부터 반출된다. 동시에, 가열부(202)의 지지판(215) 및 상부뚜껑 지지부재(216)가 상승하여, 상부뚜껑(211)이 개방됨과 아울러 가동지지핀(214)이 가열플레이트(213) 위로 돌출한다.
계속하여, 도 8(c)에 도시하는 바와 같이, 로컬 반송핸드(RHR)에 의해 기판(W)이 가열부(202)에 반입되어, 가동지지핀(214) 위에 재치된다.
다음에, 도 8(d)에 도시하는 바와 같이, 가열부(202)의 지지판(215) 및 상부뚜껑 지지부재(216)가 하강하여, 상부뚜껑(211)을 닫음과 아울러, 기판(W)이 가열플레이트(213) 위에 재치된다.
여기에서, 기판(W)이 가열플레이트(213) 위에 재치되는 타이밍(timing)은 기판(W)의 노광처리 후의 경과시간에 따라 조정된다. 구체적으로는, 기판(W)에 노광 처리가 실시되고나서, 미리 설정된 시간이 경과한 시점에서 기판(W)이 가열플레이트(213) 위에 재치된다.
다음에, 가열플레이트(213)가 가열되어, 기판(W)의 PEB처리가 행하여진다. 이 경우, 기판(W)의 PEB처리의 시작 타이밍은 기판(W)을 가열플레이트(213) 위에 재치하는 타이밍에 의존한다. 즉, 노광처리 후의 소정의 타이밍으로 기판(W)의 PEB처리가 개시된다.
한편, 기판(W)의 PEB처리중에 있어서, 로컬 반송핸드(RHR)가 기판지지부(201)의 냉각플레이트(250) 위로 이동한다. 여기에서, 냉각플레이트(250)내의 수냉배관(WP)으로 냉각매체가 순환됨으로써 냉각플레이트(250) 위의 로컬 반송핸드(RHR)가 냉각된다. 그것에 의해, 복수의 기판(W)의 PEB처리를 연속적으로 행하는 경우 등에 있어서, 기판(W)으로부터 로컬 반송핸드(RHR)로 전도된 열을 제거할 수 있다. 따라서, 로컬 반송핸드(RHR)의 온도를 일정하게 유지할 수 있어, 기판(W)에 열의 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
기판(W)의 PEB처리가 종료하면, 로컬 반송핸드(RHR)가 기판지지부(201)로부터 가열부(202)로 이동한다. 그리고, 로컬 반송핸드(RHR)가 PEB처리 후의 기판(W)을 가열부(202)로부터 기판지지부(201)로 반송하고, 기판(W)을 고정지지핀(251) 위에 재치한다.
다음에, 제6 센터로봇(CR6)에 의해 재치겸가열유닛(P-PEB)으로부터 기판(W)이 반출된다. 이에 의해, 재치겸가열유닛(P-PEB)의 일련의 동작이 완료한다.
한편, 본 실시형태에서는, 가열플레이트(213) 위에 기판(W)을 재치하는 타이 밍을 조정함으로써, 기판(W)의 PEB처리의 시작 타이밍을 조정하지만, 가열플레이트(213)의 가열의 타이밍을 조정하는 등의 다른 방법에 의해 기판(W)의 PEB처리의 시작 타이밍을 조정하여도 좋다.
(4) 세정/건조처리유닛
다음에, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에 대하여 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 한편, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)은 마찬가지의 구성의 것을 이용할 수 있다.
(4-1) 구성
도 9는 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 9에 도시하는 바와 같이 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)은 기판(W)을 수평으로 지지함과 아울러, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직된 회전축의 주위로 기판(W)을 회전시키기 위한 스핀척(621)을 구비한다.
스핀척(621)은 척회전구동기구(636)에 의해 회전되는 회전축(625)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(621)에는 흡기로(吸氣路, 도시하지 않음)가 형성되어 있고, 스핀척(621) 위에 기판(W)을 재치한 상태에서 흡기로내를 배기함으로써, 기판(W)의 하면을 스핀척(621)에 진공흡착하여, 기판(W)을 수평자세로 지지할 수 있다.
스핀척(621)의 바깥쪽에는 제1 회동모터(660)가 설치되어 있다. 제1 회동모터(660)에는 제1 회동축(661)이 접속되어 있다. 또한, 제1 회동축(661)에는 제1 아암(662)이 수평방향으로 뻗도록 연결되고, 제1 아암(662)의 선단(先端)에 세정처 리용 노즐(650)이 설치되어 있다.
제1 회동모터(660)에 의해 제1 회동축(661)이 회전함과 아울러 제1 아암(662)이 회동하여, 세정처리용 노즐(650)이 스핀척(621)에 의해 지지된 기판(W) 위쪽으로 이동한다.
제1 회동모터(660), 제1 회동축(661) 및 제1 아암(662)의 내부를 지나가도록 세정처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 세정처리용 공급관(663)은 밸브(Va) 및 밸브(Vb)를 통하여 세정액공급원(R1) 및 린스액공급원(R2)에 접속되어 있다.
이 밸브(Va, Vb)의 개폐를 제어함으로써, 세정처리용 공급관(663)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도 9의 구성에 있어서는, 밸브(Va)를 개방함으로써, 세정처리용 공급관(663)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸브(Vb)를 닫음으로써, 세정처리용 공급관(663)에 린스액을 공급할 수 있다.
세정처리용 노즐(650)에는, 세정액 또는 린스액이 세정처리용 공급관(663)을 통하여 세정액공급원(R1) 또는 린스액공급원(R2)으로부터 공급된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 세정액으로서는, 예컨대, 순수, 순수에 착체(錯體, 이온화한 것)를 녹인 액 또는 불소계 약액 등이 사용된다. 린스액으로서는, 예컨대, 순수, 탄산수, 수소수, 전해이온수, 및 HFE(hydrofluoroether) 중 어느 쪽을 사용할 수 있다.
스핀척(621)의 바깥쪽에는 제2 회동모터(671)가 설치되어 있다. 제2 회동모터(671)에는 제2 회동축(672)이 접속되어 있다. 또한, 제2 회동축(672)에는 제2 아암(673)이 수평방향으로 뻗도록 연결되고, 제2 아암(673)의 선단에 건조처리용 노즐(670)이 설치되어 있다.
제2 회동모터(671)에 의해 제2 회동축(672)이 회전함과 아울러, 제2 아암(673)이 회동하여, 건조처리용 노즐(670)이 스핀척(621)에 의해 지지된 기판(W)의 위쪽으로 이동한다.
제2 회동모터(671), 제2 회동축(672) 및 제2 아암(673)의 내부를 지나가도록 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 건조처리용 공급관(674)은 밸브(Vc)를 통하여 불활성 가스공급원(R3)에 접속되어 있다. 이 밸브(Vc)의 개폐를 제어함으로써, 건조처리용 공급관(674)에 공급하는 불활성 가스의 공급량을 조정할 수 있다.
건조처리용 노즐(670)에는 불활성 가스가 건조처리용 공급관(674)을 통하여 불활성 가스공급원(R3)으로부터 공급된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 수 있다. 불활성 가스로서는, 예컨대, 질소가스가 사용된다.
기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 때는 세정처리용 노즐(650)은 기판의 위쪽에 위치하고, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 때는 세정처리용 노즐(650)은 소정의 위치로 퇴피된다.
또한, 기판(W)의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 때는 건조처리용 노즐(670)은 소정의 위치로 퇴피되고, 기판(W)의 표면에 불활성 가스를 공급할 때는 건조처리용 노즐(670)은 기판(W)의 위쪽에 위치한다.
스핀척(621)에 지지된 기판(W)은 처리컵(623)내에 수용된다. 처리컵(623)의 안쪽에는 통(筒)형상의 경계벽(633)이 설치되어 있다. 또한, 스핀척(621)의 주위 를 둘러싸도록 기판(W)의 처리에 사용된 처리액(세정액 또는 린스액)을 배액(排液) 하기 위한 배액공간(631)이 형성되어 있다. 또한, 배액공간(631)을 둘러싸도록 처리컵(623)과 경계벽(633)과의 사이에, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액을 회수하기 위한 회수액공간(632)이 형성되어 있다.
배액공간(631)에는, 배액처리장치(도시하지 않음)로 처리액을 안내하기 위한 배액관(634)이 접속되고, 회수액공간(632)에는, 회수처리장치(도시하지 않음)로 처리액을 안내하기 위한 회수관(635)이 접속되어 있다.
처리컵(623)의 위쪽에는, 기판(W)로부터의 처리액이 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위한 가드(guard, 624)가 설치되어 있다. 이 가드(624)는 회전축(625)에 대하여 회전대칭의 형상으로 이루어져 있다. 가드(624)의 상단부의 내면에는 단면 く형상의 배액안내홈(641)이 고리모양(環狀)으로 형성되어 있다.
또한, 가드(624)의 하단부의 내면에는, 외측 아래쪽으로 경사지는 경사면으로 이루어지는 회수액안내부(642)가 형성되어 있다. 회수액안내부(642)의 상단부근에는, 처리컵(623)의 경계벽(633)을 받아들이기 위한 경계벽수납홈(643)이 형성되어 있다.
이 가드(624)에는 볼나사기구 등으로 구성된 가드승강구동기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 가드승강구동기구는 가드(624)를, 회수액안내부(642)가 스핀척(621)에 지지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 회수위치와, 배액안내홈(641)이 스핀척(621)에 지지된 기판(W)의 외주 단면에 대향하는 배액위치와의 사이에서 상하 이동시킨다. 가드(624)가 회수위치(도 9에 도시하는 가드의 위치)에 있는 경 우에는, 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산한 처리액이 회수액안내부(642)에 의해 회수액공간(632)으로 안내되어, 회수관(635)을 통하여 회수된다. 한편, 가드(624)가 배액위치에 있는 경우에는 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산한 처리액이 배액안내홈(641)에 의해 배액공간(631)으로 안내되어, 배액관(634)을 통하여 배액된다. 이상의 구성에 의해, 처리액의 배액 및 회수가 행하여진다.
(4-2) 동작
다음에, 상기 구성을 갖는 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 처리 동작에 대하여 설명한다. 한편, 이하에 설명하는 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 각 구성요소의 동작은 도 1의 메인 컨트롤러(제어부)(30)에 의해 제어된다.
먼저, 기판(W)의 반입시에는, 가드(624)가 하강함과 아울러, 도 1의 제6 센터로봇(CR6) 또는 인터페이스용 반송기구(IFR)가 기판(W)을 스핀척(621) 위에 재치한다. 스핀척(621) 위에 재치된 기판(W)은 스핀척(621)에 의해 흡착 지지된다.
다음에, 가드(624)가 상술한 배액위치까지 이동함과 아울러, 세정처리용 노즐(650)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다. 그 후, 회전축(625)이 회전하고, 이 회전에 따라 스핀척(621)에 지지되어 있는 기판(W)이 회전한다. 그 후, 세정처리용 노즐(650)로부터 세정액이 기판(W)의 표면으로 토출된다. 이에 의해, 기판(W)의 세정이 행하여진다.
한편, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 이 세정시에 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분이 세정액중에 용출한다. 또한, 기판(W)의 세정에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)상에 세정액을 공급하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액은 원심력에 의해 항상 기판(W)의 주연부로 이동하여 비산한다. 따라서, 세정액중에 용출한 레지스트커버막의 성분이 기판(W)상에 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 레지스트커버막의 성분은 예컨대, 기판(W)상에 순수를 담아서 일정시간 지지함으로써 용출시켜도 좋다. 또한, 기판(W)상에의 세정액의 공급은 2유체 노즐을 사용한 소프트 스프레이 방식에 의해 행하여도 좋다.
소정시간 경과 후, 세정액의 공급이 정지되어, 세정처리용 노즐(650)로부터 린스액이 토출된다. 이에 의해, 기판(W)상의 세정액이 씻겨 내진다.
또한 소정시간 경과 후, 회전축(625)의 회전속도가 저하한다. 이에 의해, 기판(W)의 회전에 의해 털어내는 린스액의 양이 감소하여, 도 10(a)에 도시하는 바와 같이 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층(L)이 형성된다. 한편, 회전축(625)의 회전을 정지시켜 기판(W)의 표면 전체에 액층(L)을 형성하여도 좋다.
다음에, 린스액의 공급이 정지되어, 세정처리용 노즐(650)이 소정의 위치로 퇴피함과 아울러 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다. 그 후, 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이에 의해, 도 10(b)에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주연부로 이동하여, 기판(W)의 주연부만에 액층(L)이 존재하는 상태로 된다.
다음에, 회전축(625)(도 9 참조)의 회전수가 상승함과 아울러, 도 10(c)에 도시하는 바와 같이, 건조처리용 노즐(670)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로부터 주연 부 위쪽으로 서서히 이동한다. 이에 의해, 기판(W)상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용함과 아울러, 기판(W)의 표면 전체에 불활성 가스를 불어낼 수 있으므로, 기판(W)상의 액층(L)을 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)을 확실하게 건조시킬 수 있다.
다음에, 불활성 가스의 공급이 정지되어, 건조처리 노즐(670)이 소정의 위치로 퇴피함과 아울러 회전축(625)의 회전이 정지한다. 그 후, 가드(624)가 하강함과 아울러 도 1의 제6 센터로봇(CR6) 또는 인터페이스용 반송기구(IFR)가 기판(W)을 반출한다. 이에 의해, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서의 처리동작이 종료한다. 한편, 세정 및 건조처리중에서의 가드(624)의 위치는 처리액의 회수 또는 배액의 필요성에 따라 적당히 변경하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 실시형태에 있어서는, 세정액처리용 노즐(650)로부터 세정액 및 린스액 중 어느 쪽도 공급할 수 있도록, 세정액의 공급 및 린스액의 공급에 세정액처리용 노즐(650)을 공용하는 구성을 채용하고 있지만, 세정액공급용의 노즐과 린스액공급용의 노즐을 별도로 분할한 구성을 채용하여도 좋다.
또한, 린스액을 공급하는 경우에는, 린스액이 기판(W)의 이면(裏面)으로 돌아서 들어가지 않도록, 기판(W)의 이면에 대하여 도시하지 않은 백 린스(back rinse)용 노즐로부터 순수를 공급하여도 좋다.
또한, 기판(W)을 세정하는 세정액에 순수를 사용하는 경우에는, 린스액의 공급을 행할 필요는 없다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 스핀건조방법에 의해 기판(W)에 건조처리 를 실시하지만, 감압(減壓)건조방법, 에어 나이프(air knife) 건조방법 등의 다른 건조방법에 의해 기판(W)에 건조처리를 실시하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 린스액의 액층(L)이 형성된 상태에서, 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급하도록 하고 있지만, 린스액의 액층(L)을 형성하지 않은 경우 혹은 린스액을 사용하지 않은 경우에는, 세정액의 액층을 기판(W)을 회전시켜서 일단 털어낸 후에, 즉석에서 건조처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급하여 기판(W)을 완전히 건조시키도록 하여도 좋다.
(5) 본 실시형태에서의 효과
(5-1) 재치겸가열유닛(P-PEB)의 효과
본 실시형태에서는, 재치겸가열유닛(P-PEB)이 인터페이스 블록(15)에 설치된다. 그것에 의해, 노광처리 후의 기판(W)을 신속하게 재치겸가열유닛(P-PEB)까지 반송할 수 있다. 따라서, 노광처리 후, 신속하게 기판(W)의 PEB처리를 행할 수 있다. 그 결과, 신속하게 레지스트막내의 화학반응을 촉진시킬 수 있어, 소망의 노광 패턴을 얻을 수 있다.
또한, 재치겸가열유닛(P-PEB)은 인터페이스용 반송기구(IFR)로부터 제6 센터로봇(CR6)에 기판(W)을 주고받을 때에, 기판(W)을 재치하기 위한 재치부의 역할을 담당하고 있다. 그것에 의해, 인터페이스 블록(15)내에서의 기판(W)의 반송경로를 간략화할 수 있으므로, 처리능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 인터페이스용 반송기구(IFR)로부터 제6 센터로봇(CR6)에 기판(W)을 주고받기 위한 재치부를 별개로 설치할 필요가 없으므로, 인터페이스 블록(15)의 제조비용을 줄일 수 있다. 또한, 기판(W)의 반송의 액세스 위치를 삭감할 수 있으므로, 제6 센터로봇(CR6)의 동작이 단순화된다.
또한, 재치겸가열유닛(P-PEB)에 있어서는, 노광처리 후의 소정의 타이밍으로 기판(W)의 PEB처리가 개시된다. 그 때문에, 복수의 기판(W)을 연속적으로 처리하는 경우에 있어서, 노광처리로부터 PEB처리까지의 경과시간이 복수의 기판(W)에 대하여 동등하게 된다. 그것에 의해, 복수의 기판(W)에 대하여 노광 패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.
(5-2) 노광처리 후의 기판의 건조처리에 의한 효과
제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리가 행하여진다. 그것에 의해, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 기판처리장치(500)내로 낙하하는 것이 방지된다. 또한, 노광처리 후의 기판(W)의 건조처리를 행함으로써, 노광처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 기판처리장치(500)내를 액체가 부착된 기판(W)이 반송되는 것을 방지할 수 있으므로, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 기판처리장치(500)내의 분위기에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판처리장치(500)내의 온습도(溫濕度) 조정이 용이하게 된다.
또한, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 인덱서 로봇(IR) 및 제1∼제6 센터로봇(CR1∼CR6)에 부착되는 것이 방지되므로, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것이 방지된다. 그것에 의해, 노광처리 전의 기판(W)에 분위기 중의 먼 지 등이 부착되는 것이 방지되므로, 기판(W)의 오염이 방지된다. 그 결과, 노광처리시의 해상성능(解像性能)의 열화(劣化)를 방지할 수 있음과 아울러 노광장치(16)내의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)로부터 현상처리부(70)에 기판(W)을 반송하는 도중에, 레지스트의 성분 또는 레지스트커버막의 성분이 기판(W)상에 잔류한 세정액 및 린스액중에 용출하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의해, 레지스트막에 형성된 노광 패턴의 변형을 방지할 수 있다. 그 결과, 현상처리시에서의 선폭 정밀도의 저하를 확실하게 방지할 수 있다.
이들의 결과, 기판처리장치(500)의 전기계통의 이상(異常) 등의 동작 불량을 방지할 수 있음과 아울러, 기판(W)의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는 기판(W)을 회전시키면서 불활성 가스를 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 불어냄으로써 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있으므로, 세정후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 오염을 확실하게 방지할 수 있음과 아울러, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
(5-3) 노광처리 후의 기판의 세정처리에 의한 효과
제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 건조처리 전에 기판(W)의 세정처리가 행하여진다. 이 경우, 노광처리시에 액체가 부착된 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착되어도, 그 부착물을 제거할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 오염 을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.
(5-4) 레지스트커버막의 도포처리의 효과
노광장치(16)에 있어서 기판(W)에 노광처리가 행하여지기 전에, 레지스트커버막용 처리블록(13)에 있어서, 레지스트막 위에 레지스트커버막이 형성된다. 이 경우, 노광장치(16)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉하여도, 레지스트커버막에 의해 레지스트막이 액체와 접촉하는 것이 방지되므로, 레지스트의 성분이 액체중에 용출하는 것이 방지된다.
(5-5) 레지스트커버막의 제거처리의 효과
현상처리블록(12)에 있어서 기판(W)에 현상처리가 행하여지기 전에, 레지스트커버막 제거블록(14)에 있어서, 레지스트커버막의 제거처리가 행하여진다. 이 경우, 현상처리 전에 레지스트커버막이 확실하게 제거되므로, 현상처리를 확실하게 행할 수 있다.
(5-6) 노광처리 전의 기판의 세정 및 건조처리에 의한 효과
노광장치(16)에 있어서 기판(W)의 노광처리가 행하여지기 전에, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서 기판(W)의 세정처리가 행하여진다. 이 세정처리시에, 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분의 일부가 세정액 또는 린스액중에 용출하여, 씻겨 내진다. 그 때문에, 노광장치(16)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉하여도, 기판(W)상의 레지스트커버막의 성분은 액체중에 대부분 용출하지 않는다. 또한, 노광처리 전의 기판(W)에 부착된 먼지 등을 제거할 수 있다. 이들의 결과, 노광장치(16)내의 오염이 방지된다.
또한, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 기판(W)의 세정처리 후에 기판(W)의 건조처리가 행하여진다. 그것에 의해, 세정처리시에 기판(W)에 부착된 세정액 또는 린스액이 제거되므로, 세정처리 후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 다시 부착되는 것이 방지된다. 그 결과, 노광장치(16)내의 오염을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 기판(W)을 회전시키면서 불활성 가스를 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 불어냄으로써 기판(W)의 건조처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판(W)상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있으므로, 세정후의 기판(W)에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 오염을 확실하게 방지할 수 있음과 아울러, 기판(W)의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
(5-7) 인터페이스 블록의 효과
인터페이스 블록(15)에 있어서는, 제6 센터로봇(CR6)이 에지노광부(EEW)에의 기판(W)의 반입출, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에의 기판(W)의 반입출, 이송버퍼부(SBF)에의 기판(W)의 반입출, 재치겸냉각유닛(P-CP)에의 기판의 반입, 및 재치겸가열유닛(P-PEB)으로부터의 기판(W)의 반출을 행하고, 인터페이스용 반송기구(IFR)가 재치겸냉각유닛(P-CP)으로부터의 기판(W)의 반출, 노광장치(16)에의 기판(W)의 반입출, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에의 기판(W)의 반입출, 및 재치겸가열유닛(P-PEB)에의 기판(W)의 반입을 행하고 있다. 이와 같이, 제6 센터로봇(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에 의해 효율적으로 기판(W)의 반송이 행하여지므로, 처리 능력을 향상시킬 수 있다.
또한, 인터페이스 블록(15)에 있어서, 제1 세정/건조처리유닛(SD1) 및 제2 세정/건조처리유닛(SD2)은 X방향의 측면의 근방에 각각 설치되어 있다. 이 경우, 인터페이스 블록(15)을 분리하는 일 없이, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 유지보수를 기판처리장치(500)의 측면으로부터 용이하게 행할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에 의해, 1개의 처리블록내에서, 노광처리 전 미쳐 노광처리 후의 기판(W)의 세정 및 건조를 행할 수 있다. 따라서, 기판처리장치(500)의 풋프린트의 증가를 방지할 수 있다.
(5-8) 인터페이스용 반송기구의 효과
인터페이스 블록(15)에 있어서는, 재치겸냉각유닛(P-CP)으로부터 노광장치(16)에 기판(W)을 반송할 때, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)로부터 재치겸가열유닛(P-PEB)에 기판(W)을 반송할 때는, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)가 사용되고, 노광장치(16)로부터 제2 세정/건조처리유닛(SD2)에 기판을 반송할 때는, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H2)가 사용된다.
즉, 액체가 부착되어 있지 않은 기판(W)의 반송에는 핸드(H1)가 사용되고, 액체가 부착된 기판(W)의 반송에는 핸드(H2)가 사용된다.
이 경우, 노광처리시에 기판(W)에 부착된 액체가 핸드(H1)에 부착되는 것이 방지되므로, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것이 방지된다. 또한, 핸드(H2)는 핸드(H1)보다 아래쪽에 설치되므로, 핸드(H2) 및 그것이 지지하는 기판(W)으로부터 액체가 낙하하여도, 핸드(H1) 및 그것이 지지하는 기판(W)에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 노광처리 전의 기판(W)에 액체가 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그 결과, 노광처리 전의 기판(W)의 오염을 확실하게 방지할 수 있다.
(5-9) 재치겸냉각유닛(P-CP)을 배치한 것에 의한 효과
인터페이스 블록(15)에 있어서, 노광장치(16)에 의한 노광처리 전의 기판(W)을 재치하는 기능과, 기판(W)의 온도를 노광장치(16)내의 온도에 맞추기 위한 냉각 기능을 겸비한 재치겸냉각유닛(P-CP)을 설치함으로써, 반송공정을 삭감할 수 있다. 기판의 엄밀한 온도관리가 요구되는 액침법에 의한 노광처리를 행하는 데에는 반송 공정을 삭감하는 것은 중요하게 된다.
상기에 의해, 처리능력을 향상하는 것이 가능하게 됨과 아울러, 반송의 액세스 위치를 삭감할 수 있으므로 신뢰성을 향상하는 것이 가능하게 된다.
특히, 2개의 재치겸냉각유닛(P-CP)을 설치함으로써, 처리능력을 더 향상할 수 있다.
(6) 세정/건조처리유닛의 다른 예
도 9에 도시한 세정/건조처리유닛에 있어서는, 세정처리용 노즐(650)과 건조처리용 노즐(670)이 별개로 설치되어 있지만, 도 11에 도시하는 바와 같이 세정처리용 노즐(650)과 건조처리용 노즐(670)을 일체로 설치하여도 좋다. 이 경우, 기판(W)의 세정처리시 또는 건조처리시에 세정처리용 노즐(650) 및 건조처리용 노즐(670)을 각각 별도로 이동시킬 필요가 없으므로, 구동기구를 단순화할 수 있다.
또한, 도 9에 도시한 건조처리용 노즐(670) 대신에, 도 12에 도시하는 바와 같은 건조처리용 노즐(770)을 사용하여도 좋다.
도 12의 건조처리용 노즐(770)은 연직 아래쪽으로 뻗음과 아울러 측면으로부터 아래쪽으로 경사지는 분기관(分岐管, 771, 772)을 갖는다. 건조처리용 노즐(770)의 하단 및 분기관(771, 772)의 하단에는, 불활성 가스를 토출하는 가스토출구(770a, 770b, 770c)가 형성되어 있다.
각 토출구(770a, 770b, 770c)로부터는 각각 도 12의 화살표로 표시하는 바와 같이, 연직 아래쪽 및 아래쪽으로 경사지게 불활성 가스가 토출된다. 즉, 건조처리용 노즐(770)에 있어서는, 아래쪽으로 향하여 불어내는 범위가 확대되도록 불활성 가스가 토출된다.
여기에서, 건조처리용 노즐(770)을 사용하는 경우에는, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)은 이하에 설명하는 동작에 의해 기판(W)의 건조처리를 행한다.
도 13은 건조처리용 노즐(770)을 사용한 경우의 기판(W)의 건조처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 10(a)에서 설명한 방법에 의해 기판(W)의 표면에 액층(L)이 형성된 후, 도 13(a)에 도시하는 바와 같이 건조처리용 노즐(770)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로 이동한다.
그 후, 건조처리용 노즐(770)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이에 의해, 도 13(b)에 도시하는 바와 같이 기판(W)의 중심부의 린스액이 기판(W)의 주연부로에 이동하여, 기판(W)의 주연부만에 액층(L)이 존재하는 상태로 된다. 한편, 이 때, 건조처리용 노즐(770)은 기판(W)의 중심부에 존재하는 린스액을 확실하게 이동시킬 수 있도록 기판(W)의 표면에 근접시켜 둔다.
다음에, 회전축(625)(도 9 참조)의 회전수가 상승함과 아울러, 도 13(c)에 도시하는 바와 같이 건조처리용 노즐(770)이 위쪽으로 이동한다. 이에 의해, 기판(W)상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용함과 아울러, 기판(W)상의 불활성 가스를 불어내는 범위가 확대된다. 그 결과, 기판(W)상의 액층(L)을 확실하게 제거할 수 있다. 한편, 건조처리용 노즐(770)은 도 9의 제2 회동축(672)에 설치된 회동축승강 기구(도시하지 않음)에 의해 제2 회동축(672)을 상하로 승강시킴으로써 상하로 이동시킬 수 있다.
또한, 건조처리용 노즐(770) 대신에, 도 14에 도시하는 바와 같은 건조처리용 노즐(870)을 사용하여도 좋다. 도 14의 건조처리용 노즐(870)은 아래쪽으로 향하여 서서히 직경이 확대되는 토출구(870a)를 갖는다.
이 토출구(870a)로부터는 도 14의 화살표로 표시하는 바와 같이 연직 아래쪽 및 아래쪽으로 경사지게 불활성 가스가 토출된다. 즉, 건조처리용 노즐(870)에 있어서도, 도 13의 건조처리용 노즐(770)과 같이 아래쪽으로 향하여 불어내는 범위가 확대되도록 불활성 가스가 토출된다. 따라서, 건조처리용 노즐(870)을 사용하는 경우도, 건조처리용 노즐(770)을 사용하는 경우와 마찬가지의 방법에 의해 기판(W)의 건조처리를 행할 수 있다.
또한, 도 9에 도시한 세정/건조처리유닛 대신에, 도 15에 도시하는 바와 같은 세정/건조처리유닛을 사용하여도 좋다.
도 15에 도시하는 세정/건조처리유닛이 도 9에 도시하는 세정/건조처리유닛과 다른 것은 이하의 점이다.
도 15의 세정/건조처리유닛에 있어서는, 스핀척(621)의 위쪽에, 중심부에 개구를 갖는 원판모양의 차단판(682)이 설치되어 있다. 아암(688)의 선단 부근으로부터 연직 아래방향에 지지축(689)이 설치되고, 그 지지축(689)의 하단에, 차단판(682)이 스핀척(621)에 지지된 기판(W)의 상면에 대향하도록 설치되어 있다.
지지축(689)의 내부에는, 차단판(682)의 개구에 연통시킨 가스공급로(690)가 삽입되어 있다. 가스공급로(690)에는 예컨대, 질소가스가 공급된다.
아암(688)에는, 차단판승강구동기구(697) 및 차단판회전구동기구(698)가 접속되어 있다. 차단판승강구동기구(697)는 차단판(682)을 스핀척(621)에 지지된 기판(W)의 상면에 근접한 위치와 스핀척(621)으로부터 위쪽으로 떨어진 위치와의 사이에서 상하 이동시킨다.
도 15의 세정/건조처리유닛에 있어서는, 기판(W)의 건조처리시에, 도 16에 도시하는 바와 같이 차단판(682)을 기판(W)에 근접시킨 상태에서, 기판(W)과 차단판(682)과의 사이의 틈에 대하여 가스공급로(690)로부터 불활성 가스를 공급한다. 이 경우, 기판(W)의 중심부로부터 주연부로 효율 좋게 불활성 가스를 공급할 수 있으므로, 기판(W)상의 액층(L)을 확실하게 제거할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)이 인터페이스 블록(15)내에 배치되지만, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)이 도 1에 도시한 레지스트커버막 제거블록(14)내에 배치되어도 좋다. 혹은 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)을 포함하는 세정/건조처리블록을 도 1에 도시한 레지스트커버막 제거블록(14)과 인터페이스 블록(15)과의 사이에 설치하여도 좋다.
(7) 2유체 노즐을 사용한 세정/건조처리유닛의 예
(7-1) 2유체 노즐을 사용한 경우의 구성 및 동작
상기 실시형태에 있어서는, 제1 및 제2 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에 있어서, 도 9에 도시하는 바와 같은 세정처리용 노즐(650) 및 건조처리용 노즐(670)을 사용한 경우에 대하여 설명하였지만, 세정처리용 노즐(650) 및 건조처리용 노즐(670)의 한 쪽 또는 양쪽 대신에 도 17에 도시하는 바와 같은 2유체 노즐을 사용하여도 좋다.
도 17은 세정 및 건조처리에 사용되는 2유체 노즐(950)의 내부구조의 일례를 나타내는 종단면도이다. 2 유체 노즐(950)로부터는 기체, 액체, 및 기체와 액체와의 혼합유체를 선택적으로 토출할 수 있다.
본 실시형태의 2유체 노즐(950)은 외부혼합형이라고 불린다. 도 17에 도시한 외부혼합형의 2유체 노즐(950)은 내부본체부(411) 및 외부본체부(412)에 의해 구성된다. 내부본체부(411)는 예컨대, 석영 등으로 이루어지고, 외부본체부(412)는 예컨대, PTFE(polytetrafluoroethylene) 등의 불소수지로 이루어진다.
내부본체부(411)의 중심축을 따라 원통형상의 액체도입부(411b)가 형성되어 있다. 액체도입부(411b)에는 도 9의 세정처리용 공급관(663)이 설치되어 있다. 이에 의해, 세정처리용 공급관(663)으로부터 공급되는 세정액 또는 린스액이 액체도입부(411b)에 도입된다.
내부본체부(411)의 하단에는, 액체도입부(411b)에 연통하는 액체토출구(411a)가 형성되어 있다. 내부본체부(411)는 외부본체부(412)내에 삽입되어 있다. 한편, 내부본체부(411) 및 외부본체부(412)의 상단부는 서로 접합되어 있고, 하단은 접합되어 있지 않다.
내부본체부(411)와 외부본체부(412)와의 사이에는, 원통형상의 기체통과부(412b)가 형성되어 있다. 외부본체부(412)의 하단에는, 기체통과부(412b)에 연통하는 기체토출구(412a)가 형성되어 있다. 외부본체부(412)의 둘레벽에는, 기체통과부(412b)에 연통하도록 도 9의 건조처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 이에 의해, 건조처리용 공급관(674)으로부터 공급되는 불활성 가스가 기체통과부(412b)에 도입된다.
기체통과부(412b)는 기체토출구(412a) 근방에 있어서, 아래쪽으로 향함에 따라 직경이 작게 이루어져 있다. 그 결과, 불활성 가스의 유속이 가속되어, 기체토출구(412a)로부터 토출된다.
액체토출구(411a)로부터 토출된 세정액과 기체토출구(412a)로부터 토출된 불활성 가스가 2유체 노즐(950)의 하단 부근의 외부에서 혼합되어, 세정액의 미세한 액방울을 포함하는 안개형상의 혼합유체가 생성된다.
도 18은 도 17의 2유체 노즐(950)을 사용한 경우의 기판(W)의 세정 및 건조처리방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 9에 도시하는 바와 같이, 기판(W)은 스핀척(621)에 의해 흡착 지지되어, 회전축(625)의 회전에 따라 회전한다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대, 약 500rpm이다.
이 상태에서, 도 18(a)에 도시하는 바와 같이, 2유체 노즐(950)로부터 세정액 및 불활성 가스로 이루어지는 안개형상의 혼합유체가 기판(W)의 상면에 토출됨과 아울러, 2유체 노즐(950)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로부터 주연부 위쪽으로 서서히 이동한다. 이에 의해, 2유체 노즐(950)로부터 혼합유체가 기판(W)의 상면 전체로 불어내져, 기판(W)의 세정이 행하여진다.
다음에, 도 18(b)에 도시하는 바와 같이, 혼합유체의 공급이 정지되어, 회전축(625)의 회전속도가 저하함과 아울러, 기판(W)상에 2유체 노즐(950)로부터 린스액이 토출된다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대, 약 10rpm이다. 이에 의해, 기판(W)의 표면 전체에 린스액의 액층(L)이 형성된다. 한편, 회전축(625)의 회전을 정지시켜 기판(W)의 표면 전체에 액층(L)을 형성하여도 좋다. 또한, 기판(W)을 세정하는 혼합유체 중의 세정액으로서 순수를 사용하는 경우에는 린스액의 공급을 행하지 않아도 좋다.
액층(L)이 형성된 후, 린스액의 공급이 정지된다. 다음에, 도 18(c)에 도시하는 바와 같이, 기판(W)상에 2유체 노즐(950)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이에 의해, 기판(W)의 중심부의 세정액이 기판(W)의 주연부로 이동하여, 기판(W)의 주연부만에 액층(L)이 존재하는 상태로 된다.
그 후, 회전축(625)의 회전속도가 상승한다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대, 약 100rpm이다. 이에 의해, 기판(W)상의 액층(L)에 큰 원심력이 작용하므로, 기판(W)상의 액층(L)을 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)이 건조된 다.
한편, 기판(W)상의 액층(L)을 제거할 때는, 2유체 노즐(950)이 기판(W)의 중심부 위쪽으로부터 주연부 위쪽으로 서서히 이동하여도 좋다. 이에 의해, 기판(W)의 표면 전체에 불활성 가스를 불어낼 수 있으므로, 기판(W)상의 액층(L)을 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(W)을 확실하게 건조시킬 수 있다.
(7-2) 2유체 노즐을 사용한 경우의 효과
도 17의 2유체 노즐에 있어서는, 2유체 노즐(950)로부터 토출되는 혼합유체는 세정액의 미세한 액방울을 포함하므로, 기판(W) 표면에 요철이 있는 경우라도, 세정액의 미세한 액방울에 의해 기판(W)에 부착된 오염이 벗겨 내진다. 그것에 의해, 기판(W) 표면의 오염을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 기판(W)상의 막의 젖음성이 낮은 경우라도, 세정액의 미세한 액방울에 의해 기판(W) 표면의 오염이 벗겨 내지므로, 기판(W) 표면의 오염을 확실하게 제거할 수 있다.
따라서, 특히, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 2유체 노즐을 사용한 경우에는, 노광처리 전에 가열유닛(HP)에 의해 기판(W)에 열처리가 실시될 때에, 레지스트막 또는 레지스트커버막의 용제 등이 가열유닛(HP)안에서 승화(昇華)하고, 그 승화물이 기판(W)에 재부착한 경우라도, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서, 그 부착물을 확실하게 제거할 수 있다. 그것에 의해, 노광장치(16)내의 오염을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 불활성 가스의 유량을 조절함으로써, 기판(W)을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)상의 유기막(有機膜)(레지스트막 또 는 레지스트커버막)이 파손하기 쉬운 성질을 갖는 경우에는, 세정력을 약하게 함으로써 기판(W)상의 유기막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판(W) 표면의 오염이 강고(强固)한 경우에는, 세정력을 강하게 함으로써 기판(W)표면의 오염을 확실하게 제거할 수 있다. 이와 같이, 기판(W)상의 유기막의 성질 및 오염의 정도에 맞춰 세정력을 조절함으로써, 기판(W)상의 유기막의 파손을 방지하면서, 기판(W)을 확실하게 세정할 수 있다.
또한, 외부혼합형의 2유체 노즐(950)에서는, 혼합유체는 2유체 노즐(950)의 외부에 있어서 세정액과 불활성 가스가 혼합되는 것에 의해 생성된다. 2유체 노즐(950)의 내부에 있어서는, 불활성 가스와 세정액이 각각 별도의 유로(流路)로 구분되어서 유통한다. 그것에 의해, 기체통과부(412b)내에 세정액이 잔류하는 일은 없고, 불활성 가스를 단독으로 2유체 노즐(950)로부터 토출할 수 있다. 또한, 세정처리용 공급관(663)으로부터 린스액을 공급함으로써, 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 단독으로 토출할 수 있다. 따라서, 혼합유체, 불활성 가스 및 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 선택적으로 토출하는 것이 가능하게 된다.
또한, 2유체 노즐(950)을 사용한 경우에 있어서는 기판(W)에 세정액 또는 린스액을 공급하기 위한 노즐과, 기판(W)에 불활성 가스를 공급하기 위한 노즐을 각각 별개로 설치할 필요가 없다. 그것에 의해, 간단한 구조로 기판(W)의 세정 및 건조를 확실하게 행할 수 있다.
한편, 상기 설명에 있어서는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판(W)에 린스액을 공급하고 있지만, 별개인 노즐을 사용하여 기판(W)에 린스액을 공급하여도 좋다.
또한, 상기 설명에 있어서는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판(W)에 불활성 가스를 공급하고 있지만, 별개인 노즐을 사용하여 기판(W)에 불활성 가스를 공급하여도 좋다.
(8) 그 밖의 실시형태
레지스트커버막용 처리블록(13)은 설치하지 않아도 좋다. 이 경우, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)에서의 세정처리시에, 레지스트막의 성분의 일부가 세정액중에 용출한다. 그것에 의해, 노광장치(16)에 있어서 레지스트막이 액체와 접촉하여도, 레지스트의 성분이 액체중에 용출하는 것이 방지된다. 그 결과, 노광장치(16)내의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 레지스트커버막용 처리블록(13)을 설치하지 않은 경우에는, 레지스트커버막 제거블록(14)을 설치하지 않아서 좋다. 그것에 의해, 기판처리장치(500)의 풋프린트를 저감할 수 있다.
또한, 제1 세정/건조처리유닛(SD1), 제2 세정/건조처리유닛(SD2), 도포유닛(BARC, RES, COV), 현상처리유닛(DEV), 제거유닛(REM), 가열유닛(HP), 냉각유닛(CP), 재치겸냉각유닛(P-CP) 및 재치겸가열유닛(P-PEB)의 개수는 각 처리블록의 처리속도에 맞춰 적당히 변경하여도 좋다. 예컨대, 에지노광부(EEW)를 2개 설치하는 경우는 제2 세정/건조처리유닛(SD2)의 개수를 2개로 하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 액침법에 의해 기판(W)의 노광처리를 행하는 노광장치(16)를 기판처리장치(500)의 외부장치로서 설치하는 경우에 대하여 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 액체를 사용하지 않고 기판(W)의 노광처리를 행하는 종래 의 노광장치를 외부장치로서 설치하여도 좋다. 이 경우, 레지스트커버막용 처리블록(13), 레지스트커버막 제거블록(14), 제1 세정/건조처리유닛(SDl) 및 제2 세정/건조처리유닛(SD2)은 설치하지 않아도 좋다.
(9) 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 구성부와의 대응
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소와의 대응의 예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 아래의 예에 한정되지 않는다. 상기 실시형태에 있어서는, 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트커버막용 처리블록(13) 및 레지스트커버막 제거블록(14)이 처리부의 예이며, 인터페이스 블록(15)이 주고받기부의 예이며, 도포유닛(RES)가 감광성막형성유닛의 예이며, 재치겸가열유닛(P-PEB)이 열처리유닛의 예이며, 제6 센터로봇(CR6)이 제1 반송유닛의 예이며, 인터페이스용 반송기구(IFR)가 제2 반송유닛의 예이다.
또한, 기판지지부(201)가 지지부의 예이며, 로컬 반송기구(300)가 반송장치의 예이며, 메인 컨트롤러(30)가 제어부의 예이며, 재치겸냉각유닛(P-CP)이 재치부 및 온도관리대기유닛의 예이며, 제1 세정/건조처리유닛(SD1)이 세정처리유닛의 예이며, 제2 세정/건조처리유닛(SD2)이 건조처리유닛의 예이며, Y방향이 제1 방향의 예이며, X방향이 제2 방향의 예이며, 핸드(H1)가 제1 지지부의 예이며, 핸드(H2)가이 제2 지지부의 예이다.
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 것 다른 여러 가지의 요소를 사용할 수도 있다.
본 발명에 의하면, 다음과 같은 효과를 발휘할 수 있다.
(1) 노광처리 후의 기판을 신속하게 열처리유닛까지 반송할 수 있다. 따라서, 노광처리 후, 신속하게 기판의 가열처리를 행할 수 있다. 그 결과, 노광처리에 의한 화학반응을 감광성막내에서 신속하게 촉진시킬 수 있어, 소망의 노광 패턴을 얻을 수 있다.
또한, 열처리유닛은 노광처리 후의 기판을 제2 반송유닛으로부터 제1 반송유닛으로 주고받을 때에, 기판을 재치하기 위한 재치부의 역할을 담당하고 있고, 그것에 의해, 주고받기부에서의 기판의 반송경로를 간략화할 수 있으므로, 처리능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 반송유닛으로부터 제1 반송유닛으로 기판을 주고받기 위한 재치부를 별개로 설치할 필요가 없으므로, 주고받기부의 제조 비용을 줄일 수 있다. 또한, 기판의 반송의 액세스 위치를 삭감할 수 있으므로, 제1 반송유닛의 동작이 단순화된다.
(2) 반입된 기판 또는 반출되는 기판을 지지하는 지지부와 기판에 가열처리를 행하는 가열부와가 별개로 설치되어 있음으로써, 제2 반송유닛으로부터 제1 반송유닛으로의 기판의 주고받기가 용이하게 된다. 그것에 의해, 처리능력을 더욱 향상시킬 수 있다.
(3) 복수의 기판을 연속적으로 처리할 때에, 노광장치에서의 노광처리의 종료로부터 열처리유닛에서의 가열처리의 시작까지의 경과시간을 복수의 기판에 대하여 같게 설정할 수 있다. 그것에 의해, 복수의 기판에 대하여 노광 패턴의 정밀도의 편차를 방지할 수 있다.
(4) 노광장치에서의 노광처리 전의 기판이 제1 반송유닛으로부터 재치부를 통하여 제2 반송유닛으로 주고받아진다. 그것에 의해, 제1 반송유닛으로부터 제2 반송유닛으로의 기판의 주고받기가 용이하게 되어, 처리능력이 향상된다.
(5) 온도관리대기유닛은 기판을 소정온도로 유지하는 기능과, 노광장치에의 반입이 가능하게 될 때까지 기판을 대기시키는 기능을 가지므로, 노광장치에의 반입이 가능하게 될 때까지 기판을 대기시키는 일반적인 기판재치부를 설치할 필요가 없다. 그것에 의해, 제2 반송유닛의 반송공정을 삭감할 수 있다. 그 결과, 처리능력을 향상하는 것이 가능하게 됨과 아울러, 제2 반송유닛의 반송의 액세스 위치를 삭감할 수 있으므로 신뢰성을 향상하는 것이 가능하게 된다.
(6) 노광처리 후의 기판은 건조처리유닛에 있어서 건조된 후에 열처리유닛 및 처리부로 반송된다. 그것에 의해, 노광장치에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 열처리유닛 및 처리부내로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 열처리유닛 및 처리부의 동작 불량을 방지할 수 있다. 또한, 기판에 건조처리가 실시됨으로써, 노광처리시에 기판에 부착된 액체에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것이 방지된다. 그것에 의해, 기판의 처리 불량을 방지할 수 있다.
(7) 노광처리시에 액체가 부착된 기판을 노광장치로부터 건조처리유닛으로 반송하는 도중에 기판에 분위기 중의 먼지 등이 부착되어도, 그 부착물을 확실하게 제거할 수 있다. 그것에 의해, 기판의 처리 불량을 더 확실하게 방지할 수 있다.
(8) 세정처리유닛에 있어서, 노광처리 전의 기판에 세정처리가 실시된다. 그것에 의해, 노광처리 전의 처리공정에 있어서 기판에 부착된 먼지 등을 노광처리 전에 제거할 수 있다. 그 결과, 노광장치내의 오염을 방지할 수 있어, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.
(9) 세정처리 후의 기판에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의해, 노광장치내의 오염을 확실하게 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 더 확실하게 방지할 수 있다.
(10) 건조처리유닛은 주고받기부에 있어서, 처리부 및 노광장치와 접하고 있지 않는 1개의 측면측에 배치되므로, 상기 1개의 측면으로부터 건조처리유닛의 유지보수를 용이하게 행할 수 있다.
(11) 세정처리유닛은 주고받기부에 있어서, 처리부 및 노광장치와 접하고 있지 않는 다른 측면측에 배치되므로, 상기 다른 측면으로부터 세정처리유닛의 유지보수를 용이하게 행할 수 있다.
(12) 제1 반송유닛에 의한 처리부, 세정처리유닛, 재치부 및 열처리유닛으로의 기판의 주고받기, 및 제2 반송유닛에 의한 재치부, 노광장치, 건조처리유닛 및 열처리유닛으로의 기판의 주고받기가 단시간에 행하여진다. 그것에 의해, 처리능력을 향상시킬 수 있다.
또한, 노광장치로부터 건조처리유닛으로의 기판의 반송 및 건조처리유닛으로부터 열처리유닛으로의 기판의 반송을 신속하게 행할 수 있다. 그것에 의해, 기판에 건조처리를 실시하면서 기판의 가열처리를 신속하게 행할 수 있다.
(13) 제1 지지부는 노광처리 전의 기판을 반송할 때에 사용되며, 제2 지지부는 노광처리 직후의 기판을 반송할 때에 사용된다. 그것에 의해, 노광장치에 있어 서 기판에 액체가 부착되어도, 제1 지지부에 액체가 부착되는 일이 없다. 따라서, 노광처리 전의 기판에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 노광처리 전의 기판에 분위기 중의 먼지 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
(14) 제2 지지부 및 그것이 지지하는 기판으로부터 액체가 낙하하였다고 하더라도, 제1 지지부 및 그것이 지지하는 기판에 액체가 부착되는 일이 없다. 그것에 의해, 노광처리 전의 기판에 액체가 부착되는 것이 확실하게 방지된다.
(15) 에지노광부에 있어서 기판의 주연부에 노광처리가 행하여진다.

Claims (15)

  1. 노광장치에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서,
    기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고,
    상기 처리부는, 기판상에 감광성 재료로 이루어지는 감광성막을 형성하는 감광성막형성유닛을 포함하고,
    상기 주고받기부는, 상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛과,
    상기 처리부 및 상기 열처리유닛의 사이에서 기판을 반송하는 제1 반송유닛과,
    상기 노광장치 및 상기 열처리유닛의 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송유닛을 포함하고,
    상기 제2 반송유닛은, 상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 상기 열처리유닛에 반입하고,
    상기 제1 반송유닛은, 상기 열처리유닛에 의한 열처리 후의 기판을 상기 열처리유닛으로부터 반출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열처리유닛은,
    반입된 기판 또는 반출되는 기판을 지지하는 지지부와,
    기판에 가열처리를 행하는 가열부와,
    상기 지지부와 상기 가열부와의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 후의 기판을 소정의 타이밍으로 가열하도록 상기 가열부를 제어하는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 주고받기부는 기판을 일시적으로 재치하는 재치부(載置部)를 더 포함하고,
    상기 제1 반송유닛은 상기 처리부에 의한 소정의 처리 후의 기판을 상기 재치부로 반송하고,
    상기 제2 반송유닛은 상기 재치부로부터 노광장치로 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 재치부는 상기 노광장치에 의한 노광처리 전의 기판을 소정온도로 유지 하면서 상기 노광장치에의 반입이 가능하게 될 때까지 기판을 대기시키는 온도관리대기유닛인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 처리부 및 상기 주고받기부 중 적어도 한 쪽은 상기 노광장치에 의한 노광처리 후로서 상기 열처리유닛에 의한 열처리 전에 기판의 건조처리를 행하는 건조처리유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 건조처리유닛은 기판의 건조처리 전에 기판의 세정처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 처리부 및 상기 주고받기부 중 적어도 한 쪽은 상기 노광장치에 의한 노광처리 전에 기판의 세정처리를 행하는 세정처리유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 세정처리유닛은 기판의 세정처리 후에 기판의 건조처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 처리부, 상기 주고받기부 및 상기 노광장치는 제1 방향으로 병설되고,
    상기 주고받기부는 상기 제1 방향과 수평면내에서 직교하는 제2 방향으로 적어도 1개의 측면을 갖고,
    상기 건조처리유닛은 상기 주고받기부내에 있어서 상기 1개의 측면측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 주고받기부는 상기 제2 방향에 있어서 상기 1개의 측면에 대향하는 다른 측면을 갖고,
    상기 세정처리유닛은 상기 주고받기부내에 있어서 상기 다른 측면측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 열처리유닛 및 상기 재치부는 상기 주고받기부내의 상기 제2 방향에서의 대략 중앙부에 적층 배치되고,
    상기 제1 반송유닛은 상기 세정처리유닛과 상기 열처리유닛과의 사이에 배치되며,
    상기 제2 반송유닛은 상기 열처리유닛과 상기 건조처리유닛과의 사이에 배치 되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 제2 반송유닛은 기판을 지지하는 제1 및 제2 지지부를 포함하고,
    상기 노광장치에 의한 노광처리 전 및 상기 건조처리유닛에 의한 건조처리 후의 기판을 반송할 때는 상기 제1 지지부에 의해 기판을 지지하고,
    상기 노광처리 후의 기판을 상기 노광장치로부터 상기 건조처리유닛으로 반송할 때는 상기 제2 지지부에 의해 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 지지부는 상기 제1 지지부보다 아래쪽에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 주고받기부는 기판의 주연부(周緣部)를 노광하는 에지노광부를 더 포함하고,
    상기 제1 반송유닛은 상기 처리부, 상기 에지노광부, 상기 세정처리유닛 및 상기 재치부의 사이에서 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160141248A (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20170042251A (ko) * 2015-10-08 2017-04-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4667252B2 (ja) * 2006-01-16 2011-04-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4781834B2 (ja) * 2006-02-07 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置および現像方法
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP5148944B2 (ja) 2007-08-14 2013-02-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5194208B2 (ja) * 2007-10-18 2013-05-08 日本フェンオール株式会社 半導体処理ユニット及び半導体製造装置
CN101447415A (zh) * 2008-12-19 2009-06-03 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片清洗装置及其清洗方法
KR101109074B1 (ko) * 2009-01-30 2012-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
CN101794710B (zh) 2009-01-30 2012-10-03 细美事有限公司 用于处理基板的系统及方法
JP5462506B2 (ja) * 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN101900954B (zh) * 2009-06-01 2012-07-25 和舰科技(苏州)有限公司 一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法
NL2005717A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN102062524B (zh) * 2010-11-22 2012-11-21 烟台睿创微纳技术有限公司 一种用于mems器件圆片的自动干燥设备
KR101970114B1 (ko) * 2011-04-25 2019-04-17 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 방법
TWI437627B (zh) * 2011-05-05 2014-05-11 Lextar Electronics Corp 基板清洗製程
JP5527624B2 (ja) * 2012-01-05 2014-06-18 株式会社ダイフク 保管棚用の不活性ガス注入装置
JP6216530B2 (ja) * 2013-03-29 2017-10-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置の運転方法
JP6096132B2 (ja) * 2014-01-17 2017-03-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板乾燥装置、基板処理装置および基板乾燥方法
JP6251825B2 (ja) 2014-06-16 2017-12-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、及び基板を搬送する方法
US10095114B2 (en) 2014-11-14 2018-10-09 Applied Materials, Inc. Process chamber for field guided exposure and method for implementing the process chamber
TWI653103B (zh) 2016-06-08 2019-03-11 錫宬國際有限公司 晶圓盒清洗裝置
US9964863B1 (en) 2016-12-20 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
CN109860071B (zh) * 2017-11-30 2021-03-26 上海新昇半导体科技有限公司 快速热处理装置及方法
JP7185461B2 (ja) 2018-09-21 2022-12-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および、基板処理装置の制御方法
JP2022518411A (ja) 2019-01-18 2022-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電界誘導フォトレジストパターン形成工程のためのフィルム構造
JP7369632B2 (ja) * 2020-02-03 2023-10-26 株式会社荏原製作所 乾燥装置、基板処理装置及び基板ホルダの乾燥方法
US11429026B2 (en) 2020-03-20 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Lithography process window enhancement for photoresist patterning

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817724A (ja) 1994-06-30 1996-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100274858B1 (ko) 1996-06-10 2000-12-15 이시다 아키라 기판처리장치 및 기판처리시스템
JPH09330971A (ja) 1996-06-10 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3460909B2 (ja) 1996-06-26 2003-10-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP3693783B2 (ja) 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6402400B1 (en) 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2001189368A (ja) * 1999-10-19 2001-07-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US6402401B1 (en) 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3593496B2 (ja) 2000-07-24 2004-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理装置
US6461986B2 (en) 2000-07-24 2002-10-08 Tokyo Electron Limited Substrate processing method apparatus and substrate carrying method
JP2003007587A (ja) 2001-06-20 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004342654A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4137750B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 熱処理装置、熱処理方法および基板処理装置
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4410121B2 (ja) * 2005-02-08 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP4891677B2 (ja) * 2006-07-11 2012-03-07 小橋工業株式会社 畦塗り機

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160141248A (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20170042251A (ko) * 2015-10-08 2017-04-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

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Publication number Publication date
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