JP2008060302A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１３を備える。各処理ブロック１０，１１，１３では、基板Ｗ上に反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜が形成される。また、基板Ｗの周縁部に形成された膜が除去される。基板周縁部に形成された膜の除去は、回転する基板Ｗの周縁部に、その膜を溶解して除去することができる除去液を供給することにより行われる。膜の周縁部を除去する際には、基板Ｗの中心が回転軸の中心と一致するように基板Ｗの位置が補正される。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 特開平７−３２６５６８号公報
上記特許文献２の投影露光装置においては、基板上に形成されたレジスト膜と液体とが接触した状態で露光処理が行われる。
レジスト膜が液体と接触すると、そのレジスト膜中の成分が液体中へ溶出する。この場合、レジスト膜の感光性能が劣化する。そこで、レジスト膜中の成分が液体中へ溶出することを防止するために、レジスト膜を覆うようにカバー膜（以下、レジストカバー膜と呼ぶ。）が形成される。
また、露光処理前の基板上には、レジスト膜およびレジストカバー膜の他、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜も形成される。
基板周縁部に形成される膜は、基板の搬送時における機械的な接触により剥離され、パーティクルとなる場合がある。したがって、基板周縁部に形成される膜を除去することが好ましい。
そこで、例えば、薄膜形成後の基板周縁部に針状ノズルから除去液を吐出し、基板周縁部の不要薄膜を溶解除去する薄膜除去装置を備えた回転塗布装置が特許文献３に記載されている。
近年では、露光パターンのさらなる微細化が求められるとともに、１枚のウェハから得られるチップの数を増加させることも求められている。したがって、基板周縁部に形成された膜の除去範囲はできる限り小さくすることが好ましい。
また、基板の表面上に複数の膜が形成される際には、それぞれの膜に応じた除去範囲を正確に設定する必要がある。例えば、レジストカバー膜の除去範囲は、レジスト膜の除去範囲よりも小さく設定される。これは、レジストカバー膜が、レジスト膜中の成分の溶出を防止するために、基板周縁部においてもレジスト膜を完全に覆う必要があるからである。
しかしながら、上述の特許文献３の回転塗布装置では、近年求められるような高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することは困難である。例えば、ウェハ上のチップの形成領域に設けられたレジスト膜が誤って除去されたり、レジストカバー膜がレジスト膜の形成領域で除去され、レジスト膜の一部が露出する場合がある。
本発明の目的は、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することができる基板処理装置を提供することである。
（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光装置による露光処理前の基板の表面に膜を形成する膜形成ユニットを含み、膜形成ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、回転駆動手段により回転される基板に塗布液を供給することにより膜を形成する膜形成手段と、回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域を除去する除去手段と、除去手段による膜の周縁部の除去位置を補正する位置補正手段とを備えるものである。
本発明に係る基板処理装置は露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。
露光装置による露光処理前に、膜形成ユニットにおいて、回転駆動手段により回転される基板に膜形成手段により塗布液が供給され、基板の表面に膜が形成される。
さらに、膜形成ユニットにおいては、回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域が除去手段により除去される。このとき、除去手段による膜の周縁部の除去位置が位置補正手段により補正される。これにより、基板の表面上に形成された膜の周縁部の環状領域を高い精度で正確に除去することができる。
それにより、基板上の膜の周縁部の除去される領域を十分に小さく設定することができるので、１枚の基板から得られるチップの数を増加させることが可能となる。
このようにして、基板上の膜の周縁部を除去することにより、基板の搬送時に、搬送手段の保持部と基板上の膜との機械的な接触に起因するパーティクルが発生することが防止される。その結果、パーティクルの影響による基板の処理不良が防止される。
（２）膜形成ユニットは、露光装置による露光処理前に、基板上に下層膜を形成し、下層膜の周縁部の第１の環状領域を除去する第１の膜形成ユニットと、露光装置による露光処理前に、下層膜を覆うように感光性膜を形成し、感光性膜の周縁部の第２の環状領域を除去する第２の膜形成ユニットと、露光装置による露光処理前に、下層膜および感光性膜を覆うように保護膜を形成し、保護膜の周縁部の第３の環状領域を除去する第３の膜形成ユニットとを含み、第１、第２および第３の膜形成ユニットの各々は、基板保持手段、回転駆動手段、膜形成手段、除去手段および位置補正手段を含み、第３の環状領域は、前記第２の環状領域よりも小さく設定され、第１の環状領域は、第２および第３の環状領域よりも小さく設定されてもよい。
この場合、膜形成ユニットにおいて、露光装置による露光処理前に、第１の膜形成ユニットの膜形成手段により基板上に下層膜が形成され、除去手段により下層膜の周縁部の第１の環状領域が除去される。このとき、除去手段による下層膜の除去位置が位置補正手段により補正される。
そして、露光装置による露光処理前に、第２の膜形成ユニットの膜形成手段により下層膜を覆うように感光性膜が形成され、除去手段により感光性膜の周縁部の第２の環状領域が除去される。このとき、除去手段による感光性膜の除去位置が位置補正手段により補正される。
さらに、露光装置による露光処理前に、第３の膜形成ユニットの膜形成手段により下層膜および感光性膜を覆うように保護膜が形成され、除去手段により保護膜の周縁部の第３の環状領域が除去される。このとき、除去手段による保護膜の除去位置が位置補正手段により補正される。
基板上に形成される下層膜は、感光性膜および保護膜に比べて基板から剥離しにくい。したがって、下層膜が除去される第１の環状領域を感光性膜および保護膜が除去される第２および第３の環状領域よりも小さくすることにより、感光性膜および保護膜が基板の表面上に形成されないので、基板の表面からの膜の剥離が低減される。
また、保護膜が除去される第３の環状領域を、感光性膜が除去される第２の環状領域よりも小さく設定することにより、感光性膜の表面を保護膜により完全に覆うことができる。これにより、露光処理時における液体中への感光性膜の溶出が防止できる。
（３）下層膜は、反射防止膜を含んでもよい。この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。
（４）下層膜は、基板上に形成される有機膜と、有機膜上に形成される酸化膜とを含んでもよい。この場合、感光性膜が、有機膜および酸化膜上に形成されるので、露光処理および現像処理が施された基板上の感光性膜のパターン倒壊が防止される。
（５）位置補正手段は、基板保持手段に保持される基板の中心が回転駆動手段による基板の回転中心に一致するように基板の位置を補正してもよい。
この場合、膜形成ユニットにおいては、基板保持手段により略水平に保持される基板の中心が回転駆動手段による基板の回転中心に一致するように基板の位置が位置補正手段により補正される。これにより、基板上の膜の周縁部を除去する際に、基板の中心が回転中心に対して偏心することが防止されるので、基板の表面上に形成された膜の周縁部の環状領域を高い精度で正確に除去することができる。
（６）位置補正手段は、基板の外周端部に当接することにより基板の位置を補正する複数の当接部材を含んでもよい。
この場合、当接部材が基板の外周端部に当接し、基板を略水平方向に押動することにより基板の位置が補正される。それにより、基板上に有機膜が形成されている場合においても、当接部材が基板上の有機膜に損傷を与えることなく、基板の位置を確実に補正することができる。
（７）複数の当接部材は、基板の回転中心を基準として対称な位置に配置され、基板の回転中心に向けて互いに等しい速度で移動してもよい。
この場合、複数が基板の回転中心に向けて互いに等しい速度で移動することにより、基板の中心が基板の回転中心に一致するように基板が押動される。これにより、簡単な構成で基板の位置を迅速かつ確実に補正することができる。
（８）複数の当接部材は、回転駆動機構による基板の回転中心に対して外方斜め上方に傾斜して延びるように配置され、位置補正手段は、複数の当接部材を昇降可能に保持する昇降手段をさらに含み、昇降手段は、複数の当接部材が基板の外周端部に当接するように複数の当接部材を上昇させてもよい。
この場合、昇降手段が複数の当接部材を上昇させると、複数の当接部材のいずれかが基板の外周端部に当接する。この状態で、昇降手段がさらに複数の当接部材を上昇させると、複数の当接部材が回転駆動機構による基板の回転中心に対して外方斜め上方に傾斜して延びているので、基板の外周端部が当接する当接部材を滑りつつ、回転駆動手段による基板の回転中心に向かって水平方向に移動する。
それにより、基板の外周端部に複数の当接部材が当接し、基板の中心と回転駆動手段による基板の回転中心とが一致する。このように、簡単な構成で基板の位置を迅速かつ確実に補正することができる。
（９）位置補正手段は、基板の裏面を支持し、略水平方向に移動することにより基板の位置を補正する支持部材を含んでもよい。
この場合、基板の裏面が支持部材により支持された状態で、支持部材が略水平方向に移動することにより基板の位置が補正される。それにより、基板上に有機膜が形成されている場合においても、支持部材が基板上の有機膜に損傷を与えることなく、基板の位置を確実に補正することができる。
（１０）基板保持手段に対する基板の位置を検出する基板位置検出器と、基板位置検出器の出力信号に基づいて位置補正手段を制御する制御手段とをさらに備えてもよい。
この場合、基板保持手段に対する基板の位置が制御手段により正確に認識される。また、それに基づいて制御手段が位置補正手段を制御することにより、基板の位置が正確に補正される。
（１１）位置補正手段は、回転駆動手段により回転される基板の端部位置を検出する端部検出器と、端部検出器により検出される基板の端部位置に基づいて、除去手段と基板の中心との相対位置が保持されるように除去手段を移動させる除去手段移動機構とを含んでもよい。
この場合、回転駆動手段により回転される基板の端部位置が端部検出器により検出される。検出された基板の端部位置に基づいて除去手段と基板の中心との相対位置が保持されるように除去手段が除去手段移動機構により移動される。
これにより、基板上に形成された膜の周縁部の環状領域を除去する際に、基板の中心と回転駆動手段による基板の回転中心とがずれている場合でも、除去手段と基板の中心との相対位置が保持される。それにより、膜の周縁部の環状領域を高い精度で正確に除去することができる。
また、除去手段により除去される膜の周縁部の環状領域を高精度に調整することができる。それにより、基板上に形成された膜の周縁部の環状領域を選択的かつ正確に除去することができる。そのため、膜を除去すべきでない基板の部分に対して、不必要な膜の除去が行われることが防止される。
（１２）位置補正手段は、回転駆動手段により回転される基板の端部位置を検出する端部検出器と、端部検出器により検出される基板の端部位置に基づいて、除去手段と基板の中心との相対位置が保持されるように基板保持手段を移動させる保持手段移動機構とを含んでもよい。
この場合、回転駆動手段により回転される基板の端部位置が端部検出器により検出される。検出された基板の端部位置に基づいて除去手段と基板の中心との相対位置が保持されるように基板保持手段が保持手段移動機構により移動される。
これにより、基板上の膜の周縁部を除去する際に、基板の中心と回転駆動手段による基板の回転中心とがずれている場合でも、除去手段と基板の中心との相対位置が保持されるので、膜の周縁部の環状領域を高い精度で正確に除去することができる。
また、除去手段により除去される膜の周縁部の環状領域を高精度に調整することができる。それにより、膜を除去すべきでない基板の部分に対して、不必要な膜の除去が行われることが防止される。
（１３）基板処理装置は、膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段をさらに備え、位置補正手段は、搬入手段により膜形成ユニットに基板が搬入される際の搬入手段の位置を検出する搬入位置検出器と、搬入位置検出器により検出された位置に基づいて、搬入手段の位置を調整する位置調整手段とを含んでもよい。
この場合、搬入手段による膜形成のユニットへの基板の搬入の際に、搬入位置検出器により搬入手段の位置が検出され、検出された位置に基づいて位置調整手段により搬入手段の位置が調整される。それにより、基板保持手段に載置される基板の位置が補正される。したがって、基板上に有機膜が形成されている場合においても、当接部材が基板上の有機膜に損傷を与えることなく、基板の位置を確実に補正することができる。
（１４）受け渡し部は、処理部と露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、搬送手段は、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、露光処理前の基板を搬送する際には第１の保持手段により基板を保持し、露光処理後の基板を搬送する際には第２の保持手段により基板を保持してもよい。
この場合、露光処理時に基板に液体が付着したとしても、露光処理後の基板の搬送には第２の保持手段が用いられ、露光処理前の基板の搬送には第１の保持手段が用いられるため、第１の保持手段に液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。これにより、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
（１５）第２の保持手段は、第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下したとしても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板に塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
本発明によれば、回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域が除去手段により除去される。このとき、除去手段による膜の周縁部の除去位置が位置補正手段により補正される。これにより、基板の表面上に形成された膜の周縁部の環状領域を高い精度で正確に除去することができる。
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいい、基板は珪素（Ｓｉ）を含む。
また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
［Ａ］ 第１の実施の形態
（１） 基板処理装置の構成
第１の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図１に示すように、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロックが上記の順で並設される。
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。
インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１６にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部５０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。現像処理部５０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部６０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。レジストカバー膜用塗布処理部６０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂおよび第６のセンターロボットＣＲ６を含む。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
洗浄／乾燥処理ブロック１５は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１、洗浄／乾燥処理部８０および第７のセンターロボットＣＲ７を含む。露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を備える。洗浄／乾燥処理部８０は、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１に対向して設けられる。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１６は、第８のセンターロボットＣＲ８、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
また、各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板周縁部に形成された反射防止膜を除去するための除去ノズル（図示せず）を備える。詳細は後述する。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。
また、各塗布ユニットＲＥＳは、基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去するための除去ノズル（図示せず）を備える。詳細は後述する。
現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
また、各塗布ユニットＣＯＶは、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜を除去するための除去ノズル（図示せず）を備える。詳細は後述する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜を溶解することができる除去液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に除去液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に除去液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置される。
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置されるとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１５１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。
（２） 基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
さらに、インデクサロボットＩＲ、第２〜第８のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ８ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
さらに、反射防止膜用塗布処理部３０においては、基板周縁部に形成された反射防止膜が塗布ユニットＢＡＲＣにより所定の範囲で除去される。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
さらに、レジスト膜用塗布処理部４０においては、基板周縁部に形成されたレジスト膜が塗布ユニットＲＥＳにより所定の範囲で除去される。
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部６０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。
さらに、レジストカバー膜用塗布処理部６０においては、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜が塗布ユニットＣＯＶにより所定の範囲で除去される。
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。
第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１１から受け取った基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。
なお、第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入してもよい。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板周縁部に露光処理が施される。
基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に搬入される。
なお、露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。
露光装置１７において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置１７の露光装置１７ｂ（図１参照）から取り出し、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に搬入する。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理後の基板Ｗに洗浄および乾燥処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０から取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。インターフェースブロック１６におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作の詳細は後述する。
なお、故障等により洗浄／乾燥処理部８０において一時的に洗浄および乾燥処理ができないときは、インターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１５１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１５１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１５０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂに搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂにおいては、除去ユニットＲＥＭにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理部５０に搬入する。現像処理部５０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
以下の説明では、上述の塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶによる基板周縁部に形成された反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の除去処理を、周縁部膜除去処理と総称する。
（３） 塗布ユニットについて
反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣ、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳ、およびレジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶは、ともに同じ構成を有する。
したがって、以下では、これら３種類の塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶのうち、塗布ユニットＢＡＲＣの構成について図面を用いて詳細に説明する。
なお、各塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
（３−ａ） 塗布ユニットの構成
図４は、塗布ユニットＢＡＲＣの構成を説明するための図である。図４に示すように、塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック３１を備える。
スピンチャック３１は、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。また、スピンチャック３１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック３１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック３１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック３１の上方に供給ノズル３２が設けられている。供給ノズル３２は、スピンチャック３１の上方に移動可能に設けられている。
供給ノズル３２には、塗布液供給管２１１が接続されている。塗布液供給管２１１には、バルブ２１２が介挿されており、反射防止膜の塗布液が供給される。
バルブ２１２の開度を制御することにより、塗布液供給管２１１および供給ノズル３２を通じて基板Ｗ上に供給する塗布液の供給量の調整を行うことができる。
スピンチャック３１の外方に、モータ２３０が設けられている。モータ２３０には、回動軸２３１が接続されている。また、回動軸２３１には、アーム２３２が水平方向に延びるように連結され、アーム２３２の先端に除去ノズル２２０が設けられている。
周縁部膜除去処理時には、モータ２３０により回動軸２３１が回転するとともにアーム２３２が回動し、除去ノズル２２０がスピンチャック３１により保持された基板Ｗの周縁部上方に移動する。この状態で、除去ノズル２２０の先端部が基板Ｗ上の周縁部と対向する。
モータ２３０、回動軸２３１およびアーム２３２の内部を通るように除去液供給管２２１が設けられている。除去液供給管２２１は、除去ノズル２２０に接続されている。
除去液供給管２２１には、バルブ２２２が介挿されており、反射防止膜を溶解する除去液が供給される。塗布ユニットＢＡＲＣで用いられる除去液として、例えば反射防止膜を溶解する有機溶剤がある。
周縁部膜除去処理時にバルブ２２２の開度を制御することにより、除去液供給管２２１および除去ノズル２２０を通じて基板Ｗ上に供給する除去液の供給量の調整を行うことができる。
この塗布ユニットＢＡＲＣにおいては、基板Ｗが第２のセンターロボットＣＲ２により搬入されるとともに、スピンチャック３１上に載置される。
この状態で基板Ｗがスピンチャック３１により回転される。そして、回転する基板Ｗ上に供給ノズル３２から塗布液が供給され、塗布液が基板Ｗの表面全体に広がる。
その後、基板Ｗへの塗布液の供給が停止され、基板Ｗの回転が継続されることにより基板Ｗの表面上の塗布液が乾燥する。これにより、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。
続いて、モータ２３０が回転軸２３１を駆動することにより、アーム２３２に設けられた除去ノズル２２０が回転する基板Ｗの周縁部上方に移動する。そして、除去ノズル２２０から基板周縁部に向かって除去液が供給される。このとき、基板Ｗが回転することにより、基板周縁部に形成された反射防止膜が除去される（周縁部膜除去処理）。
上記において、塗布ユニットＢＡＲＣに基板Ｗを搬入する第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗの中心部がスピンチャック３１の軸心に一致するように基板Ｗを載置する。しかしながら、第２のセンターロボットＣＲ２の動作精度が低い場合には、基板Ｗの中心部がスピンチャック３１の軸心に一致しない状態で基板Ｗが載置される場合がある。
このような状態で基板Ｗがスピンチャック３１により保持されると、周縁部膜除去処理時に基板Ｗが偏心した状態で回転する。この場合、基板周縁部の全周に渡って、除去液を均一に供給することができない。したがって、基板周縁部の反射防止膜を全周に渡って均一に除去することができない。そこで、本実施の形態では、基板Ｗの周縁部膜除去処理の前に、基板Ｗの位置が補正される。
スピンチャック３１の外方には１対のガイドアーム２５１，２５２が設けられている。ガイドアーム２５１，２５２は、スピンチャック３１により保持される基板Ｗを挟んで互いに対向するように配置されている。
ガイドアーム２５１，２５２は、下方に延びる支持部材２５３，２５４により支持されている。支持部材２５３，２５４は、アーム移動機構２５５，２５６により水平方向に移動する。支持部材２５３，２５４の移動に伴い、ガイドアーム２５１，２５２は、基板Ｗに近づく方向または離れる方向にそれぞれ移動する。なお、ガイドアーム２５１，２５２が基板Ｗの外周部から最も離れた位置を待機位置と呼ぶ。
ここで、図５を参照してガイドアーム２５１，２５２の形状および動作の詳細を説明する。図５は、ガイドアーム２５１，２５２および基板Ｗの動作を示す上面図である。
図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、ガイドアーム２５１は半円筒形状を有し、その内側の面２５１ａは、基板Ｗの円弧に沿うように形成されている。ガイドアーム２５２はガイドアーム２５１と等しい形状を有し、内側の面２５２ａは、基板Ｗの円弧に沿うように形成されている。ガイドアーム２５１，２５２はスピンチャック３１の軸心Ｐ１を中心として互いに対称となるように配置されている。なお、スピンチャック３１の軸心Ｐ１は、回転軸２０３（図４）の軸心と等しい。
次に、ガイドアーム２５１，２５２の動作について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、ガイドアーム２５１，２５２がスピンチャック３１の軸心Ｐ１から最も離れた待機位置にある状態で、第２のセンターロボットＣＲ２（図１）により基板Ｗが塗布ユニットＢＡＲＣ内に搬入され、スピンチャック３１上に載置される。
次に、図５（ｂ）に示すように、ガイドアーム２５１，２５２が互いに等しい速度でスピンチャック３１の軸心Ｐ１に向けて移動する。このとき、基板Ｗの中心部Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１に対してずれている場合には、ガイドアーム２５１，２５２の少なくとも一方により基板Ｗが押動される。それにより、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１に近づくように（図５（ｂ）の矢印Ｍ１参照）基板Ｗが移動する。
そして、図５（ｃ）に示すように、ガイドアーム２５１，２５２がスピンチャック３１の軸心Ｐ１に向かって移動すると、基板Ｗがガイドアーム２５１，２５２により挟持された状態となり、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１に一致する。
このように、ガイドアーム２５１，２５２により、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１に一致するように基板Ｗの位置が補正される。
なお、上記のガイドアーム２５１，２５２の動作は、基板Ｗが第２のセンターロボットＣＲ２によりスピンチャック３１上に載置された後、スピンチャック３１に真空吸着される前に行われる。
上述のように、２種類の塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶも、上記の塗布ユニットＢＡＲＣと同じ構成を有する。
ただし、塗布ユニットＲＥＳにおける基板Ｗの搬入および搬出動作は、図１の第３のセンターロボットＣＲ３により行われる。塗布ユニットＲＥＳにおいては、塗布液としてレジスト液が用いられる。塗布ユニットＲＥＳで用いられる除去液は、レジスト膜を溶解する。このような除去液として、例えばレジスト膜を溶解するエーテル系の有機溶剤がある。
塗布ユニットＣＯＶにおける基板Ｗの搬入および搬出動作は、図１の第５のセンターロボットＣＲ５により行われる。そして、塗布ユニットＣＯＶにおいては、塗布液としてレジストカバー膜の塗布液が用いられる。塗布ユニットＣＯＶで用いられる除去液は、レジストカバー膜を溶解する。このような除去液として、例えばレジストカバー膜を溶解するアルコール系の有機溶剤がある。
図６は、基板Ｗの表面上への反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。
まず、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面上に反射防止膜ＣＶＢが形成される。除去ノズル２２０の針状ノズル部２２０Ｐから除去液が反射防止膜ＣＶＢの周縁部に吐出されることにより、基板Ｗ上に形成された反射防止膜ＣＶＢの周縁部の環状領域が除去される。反射防止膜ＣＶＢの環状領域の除去範囲をＷＢで表す。
続いて、塗布ユニットＲＥＳにおいて、図６（ｂ）に示すように、基板Ｗおよび反射防止膜ＣＶＢの表面上にレジスト膜ＣＶＲが形成される。除去ノズル２２０の針状ノズル部２２０Ｐから除去液がレジスト膜ＣＶＲの周縁部に吐出されることにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜ＣＶＲの周縁部の環状領域が除去される。レジスト膜ＣＶＲの環状領域の除去範囲をＷＲで表す。
その後、塗布ユニットＣＯＶにおいて、図６（ｃ）に示すように、基板Ｗ、反射防止膜ＣＶＢおよびレジスト膜ＣＶＲの表面上にレジストカバー膜ＣＶＴが形成される。
除去ノズル２２０の針状ノズル部２２０Ｐから除去液がレジストカバー膜ＣＶＴの周縁部に吐出されることにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜ＣＶＴの周縁部の環状領域が除去される。レジストカバー膜ＣＶＴの環状領域の除去範囲をＷＴで表す。
この場合、反射防止膜ＣＶＢの除去範囲ＷＢ、レジストカバー膜ＣＶＴの除去範囲ＷＴ、およびレジスト膜ＣＶＲの除去範囲ＷＲは、この順に大きくなるように設定する。これにより、以下の効果が得られる。
一般に、基板Ｗ上に形成される反射防止膜ＣＶＢは、レジスト膜ＣＶＲおよびレジストカバー膜ＣＶＴに比べて基板Ｗから剥離しにくい。したがって、反射防止膜ＣＶＢの除去範囲ＷＢをレジスト膜ＣＶＲおよびレジストカバー膜ＣＶＴの除去範囲ＷＲ，ＷＴよりも小さくすることにより、レジスト膜ＣＶＲおよびレジストカバー膜ＣＶＴが基板Ｗの表面上に形成されないので、基板Ｗの表面からの膜の剥離が低減される。
レジスト膜ＣＶＲの除去範囲ＷＲを、レジストカバー膜ＣＶＴの除去範囲ＷＴよりも大きく設定することにより、レジスト膜ＣＶＲの表面をレジストカバー膜ＣＶＴにより完全に覆うことができる。これにより、露光処理時における液体中へのレジスト膜ＣＶＲの溶出が防止できる。
本実施の形態では、基板Ｗの周縁部膜除去処理の前に、基板Ｗの中心Ｗ１とスピンチャック３１，４１，６１の軸心Ｐ１とが一致するように基板Ｗの位置が補正される。そして、基板Ｗの周縁部膜除去処理は、径小な針状ノズル部２２０Ｐを用いて行われる。これにより、周縁部膜除去処理時に、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。
（３−ｂ） 塗布ユニットの他の構成例
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶは、ともに以下の構成を有してもよい。図７は塗布ユニットＢＡＲＣの他の構成例を説明するための図である。図７（ａ）は、塗布ユニットＢＡＲＣの他の構成例を示す側面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の塗布ユニットＢＡＲＣの一部の上面図である。図７の塗布ユニットＢＡＲＣについて、図４の塗布ユニットＢＡＲＣと異なる点を説明する。
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、回転軸２０３およびスピンチャック３１の側方には、鉛直方向に延びる３本以上の補正ピン２６１が設けられている。本実施の形態では、３本の補正ピン２６１が設けられている。補正ピン２６１は、スピンチャック２０１の軸心Ｐ１を中心として互いにほぼ等角度間隔で配置されている。また、３本の補正ピン２６１は、ピン駆動装置２６２により上下方向および水平方向に互いに一体的に移動可能である。
また、補正ピン２６１の外方でかつスピンチャック３１上に載置される基板Ｗの周端部ＥＰの近傍には、４つの偏心センサ２６３が設けられている。４つの偏心センサ２６３は、スピンチャック３１の軸心Ｐ１を中心として互いに等角度間隔で配置されている。
偏心センサ２６３はスピンチャック３１の軸心Ｐ１に対する基板Ｗの偏心量および基板Ｗのノッチの位置を検出し、塗布ユニットＢＡＲＣの動作を制御するローカルコントローラ２５０に偏心信号ＥＩおよびノッチ位置信号ＮＰを与える。ここで、基板Ｗのノッチとは、基板Ｗの向き等を容易に判別するために、基板Ｗの周端部ＥＰに形成される切り欠きのことをいう。また、偏心センサ２６３としては、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサが用いられる。
図示を省略しているが、本例においても、図４の例と同様に、スピンチャック３１の外方に回動軸２３１が接続されたモータ２３０が設けられている。回動軸２３１には、アーム２３２が水平方向に延びるように連結され、アーム２３２の先端に除去ノズル２２０が設けられている。
図７の塗布ユニットＢＡＲＣにおいては、基板Ｗの偏心量が偏心センサ２６３により検出されるとともに、補正ピン２６１により基板Ｗの位置が補正される。
ここで、図８を参照して、図７の塗布ユニットＢＡＲＣにおける基板Ｗの位置の補正について説明する。図８は、ローカルコントローラ２５０による塗布ユニットＢＡＲＣの制御の一例を示すフローチャートである。
図８に示すように、ローカルコントローラ２５０は、第２のセンターロボットＣＲ２により塗布ユニットＢＡＲＣ内に基板Ｗを搬入する（ステップＳ１）。塗布ユニットＢＡＲＣ内に搬入された基板Ｗは、スピンチャック３１により保持される。次に、ローカルコントローラ２５０は、チャック回転駆動機構２０４により回転軸２０３の回転を開始させることによりスピンチャック３１に保持されている基板Ｗの回転を開始させる（ステップＳ２）。
次に、ローカルコントローラ２５０は、偏心センサ２６３から与えられる偏心信号ＥＩに基づいて回転軸２０３の軸心に対する基板Ｗの偏心量がしきい値よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ３）。
ステップＳ３において、回転軸２０３の軸心に対する基板Ｗの偏心量がしきい値以下の場合、ローカルコントローラ２５０は、供給ノズル３２による反射防止膜の塗布処理および除去ノズル２２０による周縁部膜除去処理を行う（ステップＳ４）。
その後、ローカルコントローラ２５０は、第２のセンターロボットＣＲ２により塗布ユニットＢＡＲＣから基板Ｗを搬出し（ステップＳ５）、ステップＳ１の処理に戻る。
ステップＳ３において、回転軸２０３の軸心に対する基板Ｗの偏心量がしきい値よりも大きい場合、ローカルコントローラ２５０は、チャック回転駆動機構２０４により回転軸２０３の回転を停止させることにより基板Ｗの回転を停止させるとともに（ステップＳ６）、スピンチャック３１による基板Ｗの保持を解除する。
次に、ローカルコントローラ２５０は、偏心信号ＥＩおよびノッチ位置信号ＮＰに基づいて基板Ｗの位置補正条件を算出する（ステップＳ７）。ここで、基板Ｗの位置補正条件とは、基板Ｗの中心Ｗ１（図５）をスピンチャック３１の軸心Ｐ１（図５）に一致させるための基板Ｗの移動条件であり、基板Ｗの移動方向および移動距離を含む。
次に、ステップＳ６における基板Ｗの位置補正条件の算出結果に基づいて、ローカルコントローラ２５０は、補正ピン２６１により基板Ｗの位置を補正する（ステップＳ８）。具体的には、３本の補正ピン２６１が上方向に一体的に移動して基板Ｗを３点で支持する。続いて、基板Ｗの中心Ｗ１（図５）がスピンチャック３１の軸心Ｐ１（図５）に一致するように補正ピン２６１が水平方向に移動する。
そして、補正ピン２６１が下方向に移動することにより基板Ｗがスピンチャック３１上に載置され、スピンチャック３１により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの位置が補正される。その後、ステップＳ２の処理に戻る。
なお、ステップＳ８において、補正ピン２６１の代わりに、第２のセンターロボットＣＲ２により基板Ｗの位置が補正されてもよい。その場合、補正ピン２６１およびピン駆動装置２６２を設ける必要がないので、塗布ユニットＢＡＲＣの小型化および軽量化が可能となる。
また、図７に示す例においては、塗布ユニットＢＡＲＣ内に４つの偏心センサ２６３が設けられるが、偏心センサ２６３の数は基板Ｗの大きさ等により適宜変更してもよい。
また、図７に示す例においては、基板Ｗを回転させた状態で基板Ｗの偏心量を検出するが、基板Ｗの回転を停止した状態で基板Ｗの偏心量を検出してもよい。ただし、塗布ユニットＢＡＲＣ内に設けられる偏心センサ２６３の数が例えば１つまたは２つの場合に基板Ｗの回転を停止した状態で検出を行うと、基板Ｗの偏心の方向によっては正確な偏心量を検出できない場合がある。そのため、塗布ユニットＢＡＲＣ内に設けられる偏心センサ２６３の数が例えば１つまたは２つの場合には、基板Ｗを回転させた状態で、基板Ｗの偏心量を検出することが好ましい。
上記のように、本例の塗布ユニットＢＡＲＣにおいては、偏心センサ２６３により基板Ｗの偏心量が検出され、その偏心量がしきい値よりも大きい場合に補正ピン２６１により基板Ｗの位置が補正される。それにより、周縁部膜除去処理時に、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶも塗布ユニットＢＡＲＣと同様の構成を有するので、同じ効果を得ることができる。
（３−ｃ） 塗布ユニットのさらに他の構成例
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶは、さらに以下の構成を有してもよい。図９は塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図９（ａ）は、塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を示す側面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の塗布ユニットＢＡＲＣの一部の上面図である。図９の塗布ユニットＢＡＲＣについて、図４の塗布ユニットＢＡＲＣと異なる点を説明する。
図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、回転軸２０３およびスピンチャック３１を取り囲むように３本以上の支持ピン２７１Ｐが互いにほぼ等角度間隔で配置されている。本例では、４本の支持ピン２７１Ｐが設けられている。
これら４本の支持ピン２７１Ｐは、それぞれの下端部が円環状のピン保持部材２７１により保持されることにより、回転軸２０３を中心として外方へ向かって斜め上方に傾斜している。なお、４本の支持ピン２７１Ｐの下端部が取り囲む円形領域の直径は基板Ｗの直径以下であり、４本の支持ピン２７１Ｐの上端部が取り囲む円形領域の直径は基板Ｗの直径よりも大きい。
ピン保持部材２７１は、昇降軸２７２に取り付けられている。ピン駆動装置２７３は、ローカルコントローラ２５０により制御され、昇降軸２７２を昇降動作させる。これにより、ピン保持部材２７１とともに、４本の支持ピン２７１Ｐが上昇および下降する。
４本の支持ピン２７１Ｐおよびピン保持部材２７１の周囲を取り囲むように、基板Ｗからの洗浄液が外方へ飛散することを防止するための略筒状の処理カップ２８２が設けられている。
処理カップ２８２は、カップ駆動装置２８４の昇降軸２８３に取り付けられている。カップ駆動装置２８４は、ローカルコントローラ２５０により制御され、昇降軸２８３を昇降動作させる。
これにより、処理カップ２８２がスピンチャック３１により保持された基板Ｗの周端部ＥＰを取り囲む排液回収位置と、スピンチャック３１よりも下方の待機位置との間で上昇および下降する。
基板Ｗへの反射防止膜の塗布処理時および周縁部膜除去処理時には、処理カップ２８２が排液回収位置に上昇するとともに、供給ノズル３２および除去ノズル２２０から基板Ｗに塗布液および除去液が供給される。
この状態で、基板Ｗから飛散する塗布液および除去液は、処理カップ２８２の内面を伝って下方へと流れ落ちる。流れ落ちた洗浄液は、塗布ユニットＢＡＲＣの底面に形成された排液系２８５を通じて外部に排出される。
４本の支持ピン２７１Ｐおよび処理カップ２８２の昇降動作とその働きについて詳細を説明する。図１０および図１１は、図９の塗布ユニットＢＡＲＣにおける４本の支持ピン２７１Ｐおよび処理カップ２８２の昇降動作を説明するための図である。
図１０（ａ）に示すように、塗布ユニットＢＡＲＣ内への基板Ｗの搬入時には、初めにスピンチャック３１上に基板Ｗが載置される。このとき、４本の支持ピン２７１Ｐおよび処理カップ２８２は、ともにスピンチャック３１よりも下方の待機位置に位置する。
図１０（ｂ）に示すように、基板Ｗがスピンチャック３１上に載置されると、ピン保持部材２７１が上昇するとともに（矢印ＰＮ１）、処理カップ２８２も上昇する（矢印ＰＮ２）。
ここで、上述のように、４本の支持ピン２７１Ｐは、回転軸２０３を中心として外方に向かって斜め上方に傾斜している。また、４本の支持ピン２７１Ｐが取り囲む円形領域の直径は下から上へ漸次拡大する。
これにより、基板Ｗの中心Ｗ１（図５）とスピンチャック３１の軸心Ｐ１（図５）とが一致している場合に４本の支持ピン２７１Ｐが上昇すると、４本の支持ピン２７１Ｐに基板Ｗの周端部ＥＰがほぼ同時に当接する。そして、基板Ｗが４本の支持ピン２７１Ｐにより持ち上げられる。
一方、基板Ｗの中心Ｗ１（図５）とスピンチャック３１の軸心Ｐ１（図５）とが一致していない場合には、４本の支持ピン２７１Ｐが上昇すると、まず、４本の支持ピン２７１Ｐのうちのいずれか１本〜３本の支持ピン２７１Ｐに基板Ｗの周端部ＥＰが当接する。
このとき、支持ピン２７１Ｐの上昇に伴って、支持ピン２７１Ｐに当接する基板Ｗの周端部ＥＰが支持ピン２７１Ｐを滑りつつ回転軸２０３に向かって水平方向に移動する。
４本の支持ピン２７１Ｐがさらに上昇することにより、基板Ｗの周端部ＥＰに４本の支持ピン２７１Ｐが当接し、基板Ｗの中心Ｗ１とスピンチャック３１の軸心Ｐ１とが一致する。そして、基板Ｗが４本の支持ピン２７１Ｐにより持ち上げられる。
その後、図１０（ｃ）に示すように、４本の支持ピン２７１Ｐが下降する（矢印ＰＮ３）。これにより、図１１（ｄ）に示すように、４本の支持ピン２７１Ｐが待機位置に戻り、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１と一致した状態で基板Ｗがスピンチャック３１上に載置される。この状態で、基板Ｗはスピンチャック３１により吸着保持される。そして、処理カップ２８２内で基板Ｗへの反射防止膜の塗布処理および周縁部膜除去処理が行われる。
基板Ｗの反射防止膜の塗布処理および周縁部膜除去処理が終了すると、図１１（ｅ）に示すように、処理カップ２８２が下降し（矢印ＰＮ５）、４本の支持ピン２７１Ｐが上昇する（矢印ＰＮ４）。それにより、基板Ｗが持ち上げられる。
４本の支持ピン２７１Ｐにより持ち上げられた基板Ｗは、図１のハンドＣＲＨ１により受け取られ、塗布ユニットＢＡＲＣの外部へと搬出される。最後に、図１１（ｆ）に示すように、４本の支持ピン２７１Ｐが待機位置へ下降する（矢印ＰＮ６）。
上記のように、本例の塗布ユニットＢＡＲＣにおいては、４本の支持ピン２７１Ｐが昇降動作することにより、簡単な構成でかつ容易に基板Ｗの位置が補正される。それにより、周縁部膜除去処理時に、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶも塗布ユニットＢＡＲＣと同様の構成を有するので、同じ効果を得ることができる。
（３−ｄ） 塗布ユニットのさらに他の構成例
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶは、さらに以下の構成を有してもよい。図１２は塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１２（ａ）は、塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を示す側面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の塗布ユニットＢＡＲＣの一部の上面図である。図１２の塗布ユニットＢＡＲＣについて、図４の塗布ユニットＢＡＲＣと異なる点を説明する。
図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、スピンチャック３１の上方で、スピンチャック３１により保持される基板Ｗの周端部ＥＰの近傍にカメラ２９０が配置されている。カメラ２９０は、例えばＣＣＤカメラであり、スピンチャック３１により保持される基板Ｗの周端部ＥＰを上方から撮像する。カメラ２９０により得られる画像は電気信号としてローカルコントローラ２５０に与えられる。
チャック回転駆動機構２０４は、モータおよびエンコーダを含む。ローカルコントローラ２５０は、エンコーダの出力信号に基づいてモータにより回転駆動させる回転軸２０３の基準位置（０度）からの回転角度を検出することができる。
図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの周縁部膜除去処理時には、カメラ２９０と除去ノズル２２０とが、スピンチャック３１の軸心Ｐ１を挟んで対向する。
基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１と一致している場合、基板Ｗの周端部ＥＰは、スピンチャック３１の軸心Ｐ１を通る水平線ＥＬ上で基板Ｗの回転に伴って変位しない。
一方、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１と一致していない場合、基板Ｗの周端部ＥＰは、スピンチャック３１の軸心Ｐ１とカメラ２９０の軸心に沿う軸とを結ぶ水平線上で基板Ｗの回転に伴って変位する。この場合、周端部ＥＰの変位量はスピンチャック３１の回転角度に依存して変化する。
以下の説明においては、スピンチャック３１の軸心Ｐ１とカメラ２９０の軸心に沿う軸とを結ぶ水平線を偏心検出ラインＥＬと呼ぶ。
ローカルコントローラ２５０は、カメラ２９０から与えられる画像に基づいて、偏心検出ラインＥＬ上での基板Ｗの周端部ＥＰの変位量とスピンチャック３１の回転角度との関係を検出する。
さらに、ローカルコントローラ２５０は、周端部ＥＰの変位量とスピンチャック３１の回転角度との関係に基づいて除去ノズル移動機構２３９により除去ノズル２２０を偏心検出ラインＥＬ上で移動させる。
具体的には、ローカルコントローラ２５０は、基板Ｗを一回転させることにより、カメラ２９０から与えられる画像に基づいてスピンチャック３１の基準角度からの回転角度と偏心検出ラインＥＬ上での周端部ＥＰの変位量との関係を検出し、その関係を記憶する。
ローカルコントローラ２５０は、基板Ｗの回転中に、記憶した回転角度と変位量との関係に基づいて、基板Ｗの回転中心と除去ノズル２２０の先端部との相対位置（距離）が保持されるように、除去ノズル２２０を偏心検出ラインＥＬ上でリアルタイムに移動させる（図１２（ｂ）矢印参照）。
それにより、周縁部膜除去処理時に、スピンチャック３１の軸心Ｐ１とスピンチャック３１上に載置された基板Ｗの中心Ｗ１とが一致しない場合でも、基板Ｗの中心Ｗ１と除去ノズル２２０の先端部との相対位置（距離）を一定に保つことにより、除去ノズル２２０による除去液の基板Ｗへの供給位置を基板Ｗの周端部ＥＰから一定に保つことができる。その結果、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶも塗布ユニットＢＡＲＣと同様の構成を有するので、同じ効果を得ることができる。
（３−ｅ） 塗布ユニットのさらに他の構成例
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶは、さらに以下の構成を有してもよい。本例の塗布ユニットＢＡＲＣの構成について図面を用いて詳細に説明する。
図１３は塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１３（ａ）は、塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を示す側面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の塗布ユニットＢＡＲＣの一部の上面図である。図１３の塗布ユニットＢＡＲＣについて、図１２の塗布ユニットＢＡＲＣと異なる点を説明する。
ここで、本例の塗布ユニットＢＡＲＣを構成するスピンチャック３１、回転軸２０３およびチャック回転駆動機構２０４を基板回転機構２０９と称する。本例の塗布ユニットＢＡＲＣには、基板回転機構２０９を偏心検出ラインＥＬに平行に移動させる回転機構移動装置２９１が設けられている。
ローカルコントローラ２５０は、基板回転機構２０９を固定した状態で基板Ｗを一回転させる。これにより、カメラ２９０から与えられる画像に基づいてスピンチャック３１の基準角度からの回転角度と偏心検出ラインＥＬ上での周端部ＥＰの変位量との関係を検出し、その関係を記憶する。
ローカルコントローラ２５０は、基板Ｗの回転中に、記憶した回転角度と変位量との関係に基づいて、基板Ｗの回転中心と除去ノズル２２０の先端部との相対位置（距離）が保持されるように、基板回転機構２０９を偏心検出ラインＥＬ上でリアルタイムに移動させる（図１３（ｂ）矢印参照）。
それにより、周縁部膜除去処理時に、基板Ｗの全周に渡って、基板Ｗの中心Ｗ１と除去ノズル２２０の先端部との相対位置（距離）を一定に保つことにより、除去ノズル２２０による除去液の基板Ｗへの供給位置を基板Ｗの周端部ＥＰから一定に保つことができる。その結果、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶも塗布ユニットＢＡＲＣと同様の構成を有するので、同じ効果を得ることができる。
（３−ｆ） 塗布ユニットのさらに他の構成例
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶは、さらに以下の構成を有してもよい。図１４は塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図１４（ａ）は、塗布ユニットＢＡＲＣのさらに他の構成例を示す側面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の塗布ユニットＢＡＲＣの一部の上面図である。図１４の塗布ユニットＢＡＲＣについて、図４の塗布ユニットＢＡＲＣと異なる点を説明する。
図１４に示すように、本例の塗布ユニットＢＡＲＣにおいては、処理チャンバＣＨ内にスピンチャック３１、回転軸２０３、チャック回転駆動機構２０４、供給ノズル３２および除去ノズル２２０が配置されている。
なお、処理チャンバＣＨ内でのこれらの構成部の配置は図４の塗布ユニットＢＡＲＣとほぼ同じである。また、図４の塗布ユニットＢＡＲＣと異なり、本例の塗布ユニットＢＡＲＣにはガイドアーム２５１，２５２は設けられていない。
処理チャンバＣＨの一側面に、塗布ユニットＢＡＲＣへの基板Ｗの搬入および塗布ユニットＢＡＲＣからの基板Ｗの搬出を行うための開口部ＥＣＯが形成されている。その一側面には、開口部ＥＣＯを開閉可能なシャッタＳＨと、そのシャッタＳＨを駆動するシャッタ駆動装置ＳＨＭとが設けられている。
シャッタＳＨが開口部ＥＣＯを開くことにより、外部から塗布ユニットＢＡＲＣ内への基板Ｗの搬入、および塗布ユニットＢＡＲＣ内から外部への基板Ｗの搬出を行うことができる。これらの基板Ｗの搬入および搬出は、図１の第２のセンターロボットＣＲ２が備えるハンドＣＲＨ１により行われる。
さらに、処理チャンバＣＨの一側面における開口部ＥＣＯの上部に光電センサ２７６の投光部２７６ａが設けられている。ハンドＣＲＨ１の上面における所定の箇所に光電センサ２７６の受光部２７６ｂが設けられている。投光部２７６ａは、例えば処理チャンバＣＨの底面に向かう鉛直方向に光を投光する。
光電センサ２７６の投光部２７６ａおよび受光部２７６ｂは、ローカルコントローラ２５０に接続されている。ローカルコントローラ２５０は、塗布ユニットＢＡＲＣへの基板Ｗの搬入時に投光部２７６ａから光を投光させる。
受光部２７６ｂは、投光部２７６ａからの光を受光した場合に、光を受光した旨の信号（以下、受光信号と呼ぶ。）をローカルコントローラ２５０へ与える。
ローカルコントローラ２５０は、塗布ユニットＢＡＲＣ内の各構成部の動作を制御するとともに、図１の第２のセンターロボットＣＲ２の動作も制御する。ローカルコントローラ２５０により制御されるハンドＣＲＨ１の動作について図１５に基づき説明する。
図１５は、塗布ユニットＢＡＲＣへの基板Ｗの搬入時における図１４のハンドＣＲＨ１の動作を説明するための図である。なお、図１５では、ハンドＣＲＨ１および塗布ユニットＢＡＲＣの構成の一部（図１４の投光部２７６ａおよびスピンチャック３１）が上面図で示されている。
図１５（ａ）において、矢印で示されるように、ハンドＣＲＨ１により保持された基板Ｗが塗布ユニットＢＡＲＣ内に搬入される。ハンドＣＲＨ１とスピンチャック３１との位置関係は予め設定されている。
しかしながら、ハンドＣＲＨ１の位置が、予め設定された位置からずれる場合がある。それにより、図１５（ｂ）に示すように、塗布ユニットＢＡＲＣに搬入される基板Ｗは、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック３１の軸心Ｐ１からずれた状態でスピンチャック３１上に載置される。
この場合、投光部２７６ａから投光される光は、受光部２７６ｂにより受光されない。したがって、ローカルコントローラ２５０には、受光部２７６ｂから受光信号が与えられない。
そこで、ローカルコントローラ２５０は、図１５（ｃ）に示すように、受光部２７６ｂから受光信号が与えられるまで、ハンドＣＨＲ１を水平面内で移動させる。ローカルコントローラ２５０は、受光信号が与えられるとハンドＣＲＨ１の移動を停止させ、スピンチャック３１上に基板Ｗを載置させる。
これにより、スピンチャック３１の軸心Ｐ１と基板Ｗの中心Ｗ１とが一致する。それにより、周縁部膜除去処理時に、基板Ｗの全周に渡って、基板Ｗの中心Ｗ１と除去ノズル２２０の先端部との相対位置（距離）を一定に保つことにより、除去ノズル２２０による除去液の基板Ｗへの供給位置を基板Ｗの周端部ＥＰから一定に保つことができる。その結果、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶも塗布ユニットＢＡＲＣと同様の構成を有するので、同じ効果を得ることができる。
なお、基板Ｗの中心Ｗ１とスピンチャック３１の軸心Ｐ１とを一致させるための受光センサ２７６は、図４、図７、図９、図１２および図１３の塗布ユニットＢＡＲＣにも設けることができる。
この場合、ローカルコントローラ２５０がハンドＣＲＨ１の動作を制御することにより、基板Ｗの偏心をより十分に防止することができる。
（４） 第１の実施の形態における効果
（４−ａ） 周縁部膜除去処理による効果
本実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶにおいて、基板Ｗの表面上に反射防止膜ＣＶＢ、レジスト膜ＣＶＲおよびレジストカバー膜ＣＶＴが形成された後、周縁部膜除去処理により基板周縁部に形成された膜が除去される。
これにより、基板周縁部に膜が存在しないので、ロボットによる基板Ｗの搬送時に、ロボットのアームと基板Ｗとの機械的な接触により膜に起因するパーティクルが発生することが防止される。その結果、パーティクルの影響による基板Ｗの処理不良が防止される。
（４−ｂ） 基板の位置の補正による効果
基板Ｗの周縁部膜除去処理は、スピンチャック３１，４１，６１により保持され、回転される基板Ｗの周縁部に対向する除去ノズル２２０から基板Ｗの表面に形成された膜を溶解する除去液を吐出することにより行われる。
本実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶにおいて、基板Ｗの周縁部膜除去処理の前に、基板Ｗの中心Ｗ１とスピンチャック３１，４１，６１の軸心Ｐ１とが一致するように基板Ｗの位置が補正される。
これにより、スピンチャック３１，４１，６１の軸心Ｐ１、すなわち回転中心に対する基板Ｗの偏心が防止されるので、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。
（４−ｃ） 周縁部膜除去処理に用いる除去液
本実施の形態において、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶで、基板Ｗの周縁部膜除去処理に用いる除去液は、それぞれ反射防止膜ＣＶＢ、レジスト膜ＣＶＲおよびレジストカバー膜ＣＶＴを溶解するのであれば特に限定されないが、溶解する膜の種類に応じて異なる除去液を用いることが好ましい。
この場合、塗布ユニットごとに、形成される膜を選択的に溶解して除去することができる。
（４−ｄ） 露光処理後の基板の洗浄処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。
また、洗浄／乾燥処理部８０においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第２〜第８のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ８に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。これらの結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
なお、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うための構成は図１の基板処理装置５００の例に限られない。レジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１６との間に洗浄／乾燥処理ブロック１５を設ける代わりに、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設け、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。
（４−ｅ） インターフェース用搬送機構のハンドについての効果
インターフェースブロック１６においては、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７の基板搬入部１７ａへ露光処理前の基板Ｗを搬送する際、および洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから基板載置部ＰＡＳＳ１６へ洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１７の基板搬入部１７ｂから洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへ露光処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
（４−ｆ） レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
（４−ｇ） ロボットのハンドについての効果
第２〜第６のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ６およびインデクサロボットＩＲにおいては、露光処理前の基板Ｗの搬送には上側のハンドを用い、露光処理後の基板Ｗの搬送には下側のハンドを用いる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。
（４−ｈ） エッジ露光部について
本実施の形態においては、基板周縁部に形成されたレジスト膜が塗布ユニットＲＥＳの周縁部膜除去処理により除去されるが、基板周縁部に形成されたレジスト膜はエッジ露光部ＥＥＷによる露光処理により除去してもよい。
例えば、基板処理装置５００においては、基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜のみを塗布形成する場合がある。この場合、塗布ユニットＲＥＳによる周縁部膜除去処理に代えて、エッジ露光部ＥＥＷにより基板周縁部のレジスト膜を露光する。これにより、基板周縁部のレジスト膜を除去することができる。
このように、基板周縁部のレジスト膜を露光することにより基板周縁部のレジスト膜を精度よく除去することができる。
［Ｂ］ 第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置は、以下の点を除き第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と同じ構成および動作を有する。
（１） 基板処理装置の構成
図１６は第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図であり、図１７は図１６の基板処理装置５００Ｂを＋Ｘ方向から見た側面図であり、図１８は図１６の基板処理装置５００Ｂを−Ｘ方向から見た側面図である。
図１６〜図１８に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置５００Ｂには、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００の反射防止膜用処理ブロック１０（図１）に代えて、インデクサブロック９に隣接して、有機下層膜用処理ブロック３９０および酸化膜用処理ブロック４９０がこの順で並設される。
有機下層膜用処理ブロック３９０は、有機下層膜用熱処理部３９１，３９２、有機下層膜用塗布処理部３８０および第９のセンターロボットＣＲ２ａを含む。有機下層膜用塗布処理部３８０は、第９のセンターロボットＣＲ２ａを挟んで有機下層膜用熱処理部３９１，３９２に対向して設けられる。第９のセンターロボットＣＲ２ａには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１ａ，ＣＲＨ２ａが上下に設けられる。
インデクサブロック９と有機下層膜用処理ブロック３９０との間には、第１の実施の形態と同様に、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、基板搬送用の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられている。
酸化膜用処理ブロック４９０は、酸化膜用熱処理部４９１，４９２、酸化膜用塗布処理部４８０および第１０のセンターロボットＣＲ２ｂを含む。酸化膜用塗布処理部４８０は、第１０のセンターロボットＣＲ２ｂを挟んで酸化膜用熱処理部４９１，４９２に対向して設けられる。第１０のセンターロボットＣＲ２ｂには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１ｂ，ＣＲＨ２ｂが上下に設けられる。
有機下層膜用処理ブロック３９０と酸化膜用処理ブロック４９０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０ｂが設けられる。この隔壁２０ｂには、有機下層膜用処理ブロック３９０と酸化膜用処理ブロック４９０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１ｂ，ＰＡＳＳ２ｂが上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１ｂは基板Ｗを有機下層膜用処理ブロック３９０から酸化膜用処理ブロック４９０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２ｂは基板Ｗを酸化膜用処理ブロック４９０から有機下層膜用処理ブロック３９０へ搬送する際に用いられる。
図１７に示すように、有機下層膜用処理ブロック３９０の有機下層膜用塗布処理部３８０（図１６参照）には、３個の塗布ユニットＯＳＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＯＳＣは、第１の実施の形態で説明した塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶと同様の構成を有し、スピンチャック３３１および供給ノズル３３２とともに、図示しない除去ノズルを備える。この除去ノズルは、第１の実施の形態における図４、図７、図９および図１２〜図１４の除去ノズル２２０に相当する。
これにより、塗布ユニットＯＳＣでは、スピンチャック３３１上に保持された基板Ｗに供給ノズル３３２から有機下層膜の塗布液が供給され、基板Ｗの表面上に有機下層膜が形成される。なお、有機下層膜は、後述する酸化膜の下地として基板Ｗ上に形成される。
その後、基板Ｗ上の有機下層膜の周縁部に対向する除去ノズルから有機下層膜を溶解して除去する除去液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に形成された有機下層膜の周縁部の環状領域が除去される。
図１７に示すように、酸化膜用処理ブロック４９０の酸化膜用塗布処理部４８０（図１６参照）には、３個の塗布ユニットＳＯＧが上下に積層配置される。各塗布ユニットＳＯＧも、第１の実施の形態で説明した塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶと同様の構成を有し、スピンチャック４４１および供給ノズル４４２とともに、図示しない除去ノズルを備える。この除去ノズルは、第１の実施の形態における図４、図７、図９および図１２〜図１４の除去ノズル２２０に相当する。
これにより、塗布ユニットＳＯＧでは、スピンチャック４４１上に保持された基板Ｗに供給ノズル４４２から酸化膜を形成するための塗布液（例えば、液体ガラス）が供給される。それにより、基板Ｗ上に酸化膜が形成される。この酸化膜は、基板Ｗ上に形成されるレジスト膜を露光および現像するときに、形成されたレジスト膜のパターン倒壊を防止するために用いられる。
その後、酸化膜が形成された基板Ｗの周縁部に対向する除去ノズルから酸化膜を溶解して除去する除去液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に形成された酸化膜の周縁部の環状領域が除去される。
図１８に示すように、有機下層膜用処理ブロック３９０の有機下層膜用熱処理部３９１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが積層配置され、有機下層膜用熱処理部３９２には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、有機下層膜用熱処理部３９１，３９２には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
酸化膜用処理ブロック４９０の酸化膜用熱処理部４９１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、酸化膜用熱処理部４９２には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、酸化膜用熱処理部４９１，４９２には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
（２） 基板処理装置の動作
インデクサロボットＩＲにより基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗが、有機下層膜用処理ブロック３９０の第９のセンターロボットＣＲ２ａにより受け取られる。第９のセンターロボットＣＲ２ａは、その基板Ｗを有機下層膜用塗布処理部３８０に搬入する。
有機下層膜用塗布処理部３８０では、塗布ユニットＯＳＣにより基板Ｗ上に有機下層膜が塗布形成される。そして、上述のように、基板Ｗ上に形成された有機下層膜の周縁部の環状領域が除去される。
その後、第９のセンターロボットＣＲ２ａは、上側のハンドＣＲＨ１ａにより有機下層膜用塗布処理部３８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを有機下層膜用熱処理部３９１，３９２に搬入する。
次に、第９のセンターロボットＣＲ２ａは、上側のハンドＣＲＨ１ａにより有機下層膜用熱処理部３９１，３９２から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１ｂに載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１ｂに載置された基板Ｗは、酸化膜用処理ブロック４９０の第１０のセンターロボットＣＲ２ｂにより受け取られる。第１０のセンターロボットＣＲ２ｂは、その基板Ｗを酸化膜用塗布処理部４８０に搬入する。
この酸化膜用塗布処理部４８０では、塗布ユニットＳＯＧにより有機下層膜が塗布形成された基板Ｗ上に酸化膜が形成される。そして、上述のように、基板Ｗ上に形成された酸化膜の周縁部の環状領域が除去される。
その後、第１０のセンターロボットＣＲ２ｂは、上側のハンドＣＲＨ１ｂにより酸化膜用塗布処理部４８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを酸化膜用熱処理部４９１，４９２に搬入する。次に、第１０のセンターロボットＣＲ２ｂは、上側のハンドＣＲＨ１ｂにより酸化膜用熱処理部４９１，４９２から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られ、各ブロックを通じて露光装置１７へと搬送される。
また、露光装置１７による露光処理後の基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、各ブロックを通じて搬送され、基板載置部ＰＡＳＳ４上に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ４上に載置された基板Ｗは、第１０のセンターロボットＣＲ２ｂの下側のハンドＣＲＨ２ｂにより受け取られ、基板載置部ＰＡＳＳ２ｂ上に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２ｂ上に載置された基板Ｗは、第９のセンターロボットＣＲ２ａの下側のハンドＣＲＨ２ａにより受け取られ、基板載置部ＰＡＳＳ２上に載置される。最後に、その基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
（３） 基板周縁部に形成される膜の除去範囲
図１９は、基板Ｗの表面上への有機下層膜、酸化膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。
本実施の形態では、まず、塗布ユニットＯＳＣにおいて、図１９（ａ）に示すように、基板Ｗの表面上に有機下層膜ＣＶＵが形成される。除去ノズルから除去液が有機下層膜ＣＶＵの周縁部に吐出されることにより、基板Ｗ上に形成された有機下層膜ＣＶＵの周縁部の環状領域が除去される。有機下層膜ＣＶＵの環状領域の除去範囲をＷＵで表す。
続いて、塗布ユニットＳＯＧにおいて、図１９（ｂ）に示すように、基板Ｗおよび有機下層膜ＣＶＵの表面上に酸化膜ＣＶＳが形成される。除去ノズルから除去液が酸化膜ＣＶＳの周縁部に吐出されることにより、基板Ｗ上に形成された酸化膜ＣＶＳの周縁部の環状領域が除去される。酸化膜ＣＶＳの環状領域の除去範囲をＷＳで表す。
続いて、塗布ユニットＲＥＳにおいて、図１９（ｃ）に示すように、基板Ｗ、有機下層膜ＣＶＵ、および酸化膜ＣＶＳの表面上にレジスト膜ＣＶＲが形成される。除去ノズルから除去液がレジスト膜ＣＶＲの周縁部に吐出されることにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜ＣＶＲの周縁部の環状領域が除去される。レジスト膜ＣＶＲの環状領域の除去範囲をＷＲで表す。
その後、塗布ユニットＣＯＶにおいて、図１９（ｄ）に示すように、基板Ｗ、有機下層膜ＣＶＵ、酸化膜ＣＶＳ、およびレジスト膜ＣＶＲの表面上にレジストカバー膜ＣＶＴが形成される。
除去ノズルから除去液がレジストカバー膜ＣＶＴの周縁部に吐出されることにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜ＣＶＴの周縁部の環状領域が除去される。レジストカバー膜ＣＶＴの環状領域の除去範囲をＷＴで表す。
この場合、有機下層膜ＣＶＵの除去範囲ＷＵ、レジストカバー膜ＣＶＴの除去範囲ＷＴ、酸化膜ＣＶＳの除去範囲ＷＳ、およびレジスト膜ＣＶＲの除去範囲ＷＲは、この順に大きくなるように設定する。これにより、以下の効果が得られる。
基板Ｗ上に形成される有機下層膜ＣＶＵは、レジスト膜ＣＶＲおよびレジストカバー膜ＣＶＴに比べて基板Ｗから剥離しにくい。したがって、有機下層膜ＣＶＵの除去範囲ＷＵをレジスト膜ＣＶＲおよびレジストカバー膜ＣＶＴの除去範囲ＷＴよりも小さくすることにより、基板Ｗ上に形成される膜の剥離が低減される。
また、有機下層膜ＣＶＵの除去範囲ＷＵを酸化膜ＣＶＳの除去範囲ＷＳよりも小さくすることにより、酸化膜ＣＶＳを確実に有機下層膜ＣＶＵ上に形成することができる。
レジスト膜ＣＶＲの除去範囲ＷＲをレジストカバー膜ＣＶＴの除去範囲ＷＴよりも大きく設定することにより、レジスト膜ＣＶＲの表面をレジストカバー膜ＣＶＴにより完全に覆うことができる。これにより、露光処理時におけるレジスト膜ＣＶＲの液体中への溶出が防止できる。
本実施の形態においても、基板Ｗの周縁部膜除去処理の前に、基板Ｗの中心とスピンチャック３３１，４４１の軸心とが一致するように基板Ｗの位置が補正される。そして、基板Ｗの周縁部膜除去処理は、径小な針状ノズル部を用いて行われる。これにより、周縁部膜除去処理時に、高い精度で正確に基板周縁部の膜を除去することが可能となる。
［Ｃ］ 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記第１および第２の実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５、有機下層膜用処理ブロック３９０および酸化膜用処理ブロック４９０が処理部に相当し、インターフェースブロック１６が受け渡し部に相当する。
また、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ，ＯＳＣ，ＳＯＧが膜形成ユニットに相当し、反射防止膜用処理ブロック１０の塗布ユニットＢＡＲＣ、有機下層膜用処理ブロック３９０の塗布ユニットＯＳＣ、および酸化膜用処理ブロック４９０の塗布ユニットＳＯＧが第１の膜形成ユニットに相当し、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳが第２の膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶが第３の膜形成ユニットに相当する。
さらに、反射防止膜ＣＶＢの周縁部の環状領域、ならびに有機下層膜ＣＶＵの周縁部の環状領域および酸化膜ＣＶＳの周縁部の環状領域が第１の環状領域に相当し、レジスト膜ＣＶＲの周縁部の環状領域が第２の環状領域に相当し、レジストカバー膜ＣＶＴの周縁部の環状領域が第３の環状領域に相当する。
また、スピンチャック３１，４１，６１，３３１，４４１が基板保持手段に相当し、チャック回転駆動機構２０４が回転駆動手段に相当し、供給ノズル３２，４２，６２，３３２，４４２が膜形成手段に相当し、除去ノズル２２０が除去手段に相当し、基板回転機構２０９、除去ノズル移動機構２３９、ローカルコントローラ２５０、ガイドアーム２５１，２５２、支持部材２５３，２５４、アーム移動機構２５５，２５６、補正ピン２６１，ピン駆動装置２６２、ピン保持部材２７１、支持ピン２７１Ｐ、昇降軸２７２、ピン駆動装置２７３、回転機構移動装置２９１、ハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ１ａ，ＣＲＨ１ｂ，ＣＲＨ３，ＣＲＨ７，ＣＲＨ１が位置補正手段に相当する。
ガイドアーム２５１，２５２および支持ピン２７１Ｐが当接部材に相当し、補正ピン２６１が支持部材に相当し、偏心センサ２６３が基板位置検出器に相当し、ローカルコントローラ２５０が制御手段に相当し、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが搬送手段に相当し、ハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第１および第２の保持手段に相当する。
さらに、ピン駆動装置２７３が昇降手段に相当し、カメラ２９０が端部検出器に相当し、除去ノズル移動機構２３９が除去手段移動機構に相当し、回転機構移動装置２９１が保持手段移動機構に相当し、光電センサ２７６が搬入位置検出器に相当し、ローカルコントローラ２５０が位置調整手段に相当する。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 塗布ユニットの構成を説明するための図である。 ガイドアームおよび基板の動作を示す上面図である。 基板の表面上への反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。 塗布ユニットの他の構成例を説明するための図である。 ローカルコントローラによる塗布ユニットの制御の一例を示すフローチャートである。 塗布ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 図９の塗布ユニットにおける４本の支持ピンおよび処理カップの昇降動作を説明するための図である。 図９の塗布ユニットにおける４本の支持ピンおよび処理カップの昇降動作を説明するための図である。 塗布ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 塗布ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 塗布ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。 塗布ユニットへの基板の搬入時における図１４のハンドの動作を説明するための図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１６の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１６の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 基板の表面上への有機下層膜、酸化膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。
符号の説明
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
１７ 露光装置
３０ 反射防止膜用塗布処理部
３１，４１，６１，３３１，４４１ スピンチャック
３２，４２，６２，３３２，４４２ 供給ノズル
４０ レジスト膜用塗布処理部
５０ 現像処理部
６０ レジストカバー膜用塗布処理部
７０ａ，７０ｂ レジストカバー膜除去用処理部
８０ 洗浄／乾燥処理部
２０４ チャック回転駆動機構
２０９ 基板回転機構
２２０ 除去ノズル
２３９ 除去ノズル移動機構
２５０ ローカルコントローラ
２５１，２５２ ガイドアーム
２５３，２５４ 支持部材
２５５，２５６ アーム移動機構
２６１ 補正ピン
２６２，２７３ ピン駆動装置
２６３ 偏心センサ
２７１ ピン保持部材
２７１Ｐ 支持ピン
２７２ 昇降軸
２７６ 光電センサ
２９０ カメラ
２９１ 回転機構移動装置
３８０ 有機下層膜用塗布処理部
３９０ 有機下層膜用処理ブロック
４８０ 酸化膜用塗布処理部
４９０ 酸化膜用処理ブロック
５００ 基板処理装置
ＣＨＲ１１，ＣＲＨ９１，ＣＲＨ９２，Ｈ１，Ｈ２ ハンド
ＣＲ２ａ，ＣＲ２ｂ，ＣＲ２，ＣＲ３，ＣＲ４，ＣＲ５，ＣＲ６，ＣＲ７，ＣＲ８ センターロボット
ＣＲＨ１，ＣＲＨ１ａ，ＣＲＨ１ｂ，ＣＲＨ３，ＣＲＨ７，ＣＲＨ１，Ｈ１，Ｈ２ ハンド
ＣＶＢ 反射防止膜
ＣＶＵ 有機下層膜
ＣＶＳ 酸化膜
ＣＶＲ レジスト膜
ＣＶＴ レジストカバー膜
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ，ＯＳＣ，ＳＯＧ 塗布ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ８１ 基板載置部
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ 洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
Ｗ１ 基板の中心
Ｐ１ スピンチャックの軸心

Claims (15)

  1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板の表面に膜を形成する膜形成ユニットを含み、
    前記膜形成ユニットは、
    基板を略水平に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
    前記回転駆動手段により回転される基板に塗布液を供給することにより膜を形成する膜形成手段と、
    前記回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域を除去する除去手段と、
    前記除去手段による膜の周縁部の除去位置を補正する位置補正手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記膜形成ユニットは、
    前記露光装置による露光処理前に、基板上に下層膜を形成し、前記下層膜の周縁部の第１の環状領域を除去する第１の膜形成ユニットと、
    前記露光装置による露光処理前に、前記下層膜を覆うように感光性膜を形成し、前記感光性膜の周縁部の第２の環状領域を除去する第２の膜形成ユニットと、
    前記露光装置による露光処理前に、前記下層膜および感光性膜を覆うように保護膜を形成し、前記保護膜の周縁部の第３の環状領域を除去する第３の膜形成ユニットとを含み、
    前記第１、第２および第３の膜形成ユニットの各々は、前記基板保持手段、回転駆動手段、膜形成手段、除去手段および位置補正手段を含み、
    前記第３の環状領域は、前記第２の環状領域よりも小さく設定され、
    前記第１の環状領域は、前記第２および第３の環状領域よりも小さく設定されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記下層膜は、反射防止膜を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記下層膜は、基板上に形成される有機膜と、前記有機膜上に形成される酸化膜とを含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
  5. 前記位置補正手段は、前記基板保持手段に保持される基板の中心が前記回転駆動手段による基板の回転中心に一致するように基板の位置を補正することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 前記位置補正手段は、基板の外周端部に当接することにより基板の位置を補正する複数の当接部材を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記複数の当接部材は、前記基板の回転中心を基準として対称な位置に配置され、前記基板の回転中心に向けて互いに等しい速度で移動することを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
  8. 前記複数の当接部材は、前記回転駆動機構による基板の回転中心に対して外方斜め上方に傾斜して延びるように配置され、
    前記位置補正手段は、前記複数の当接部材を昇降可能に保持する昇降手段をさらに含み、
    前記昇降手段は、前記複数の当接部材が基板の外周端部に当接するように前記複数の当接部材を上昇させることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
  9. 前記位置補正手段は、基板の裏面を支持し、略水平方向に移動することにより基板の位置を補正する支持部材を含むことを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
  10. 前記基板保持手段に対する基板の位置を検出する基板位置検出器と、前記基板位置検出器の出力信号に基づいて前記位置補正手段を制御する制御手段とをさらに備えることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
  11. 前記位置補正手段は、
    前記回転駆動手段により回転される基板の端部位置を検出する端部検出器と、
    前記端部検出器により検出される基板の端部位置に基づいて、前記除去手段と基板の中心との相対位置が保持されるように前記除去手段を移動させる除去手段移動機構とを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
  12. 前記位置補正手段は、
    前記回転駆動手段により回転される基板の端部位置を検出する端部検出器と、
    前記端部検出器により検出される基板の端部位置に基づいて、前記除去手段と基板の中心との相対位置が保持されるように前記基板保持手段を移動させる保持手段移動機構とを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
  13. 前記膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段をさらに備え、
    前記位置補正手段は、
    前記搬入手段により前記膜形成ユニットに基板が搬入される際の前記搬入手段の位置を検出する搬入位置検出器と、
    前記搬入位置検出器により検出された位置に基づいて、前記搬入手段の位置を調整する位置調整手段とを含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
  14. 前記受け渡し部は、前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、
    前記搬送手段は、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、
    前記露光処理前の基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、
    前記露光処理後の基板を搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。
  15. 前記第２の保持手段は、前記第１の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項１４記載の基板処理装置。
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