JP4381285B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
しかしながら、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、基板上に塗布されたレジストの成分の一部が液体中へ溶出する。この液体中に溶出したレジストの成分が基板の表面に残留し、不良の原因となる恐れがある。
また、液体中に溶出したレジストの成分は、露光装置のレンズを汚染する。それにより、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生する恐れがある。
本発明の目的は、基板上の感光性材料の成分が露光装置における液体中に溶出することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、受け渡し部は、処理部と露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第１の処理ユニットと、露光装置による露光処理前に基板に感光性膜を保護する保護膜を形成する第２の処理ユニットと、露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う第３の処理ユニットとを含み、搬送手段は、露光装置に対して基板の受け渡しを行う搬送機構を含み、搬送機構は、露光装置による露光処理前の基板を保持して搬送する第１の保持手段と、露光装置による露光処理後の基板を保持して搬送する第２の保持手段とを有し、第２の保持手段は第１の保持手段よりも下方に設けられたものである。
本発明に係る基板処理装置においては、第１の処理ユニットにおいて基板上に感光性膜が形成される。その後、第２の処理ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成される。次に、基板は受け渡し部の搬送手段により処理部から露光装置へと搬送され、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は受け渡し部の搬送手段により露光装置から処理部へと搬送され、第３の処理ユニットにおいて基板に現像処理が行われる。
このように、露光装置において露光処理が行われる前に、第２の処理ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成される。この場合、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性材料の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染が低減されるとともに基板の表面に感光性材料の成分が残留することも防止される。その結果、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
また、露光装置に対する基板の受け渡し時には、露光装置による露光処理前の基板が搬送機構の第１の保持手段により保持されて搬送され、露光装置による露光処理後の基板が搬送機構の第２の保持手段により保持されて搬送される。この場合、第１の保持手段に液体が付着することがないので、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。それにより、雰囲気中の塵埃等の付着による基板の汚染を防止することができる。その結果、露光装置において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
また、第２の保持手段は第１の保持手段よりも下方に設けられるので、第２の保持手段またはこの第２の保持手段により保持される基板から液体が落下しても、第１の保持手段およびこの第１の保持手段により保持される基板に液体が付着することがない。それにより、露光前の基板に液体が付着することが確実に防止される。
処理部は、第１の処理ユニット、基板に熱処理を行う第１の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを含む第１の処理単位と、第２の処理ユニット、基板に熱処理を行う第２の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位と、第３の処理ユニット、基板に熱処理を行う第３の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位とを備えてもよい。
この場合、第１の処理単位において、第１の処理ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第１の搬送ユニットにより第１の熱処理ユニットに搬送され、第１の熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第１の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、第２の処理単位において、第２の処理ユニットにより基板上の感光性膜上に保護膜が形成される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより第２の熱処理ユニットに搬送され、第２の熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第２の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、基板は受け渡し部の搬送手段により処理部から露光装置へと搬送され、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は受け渡し部の搬送手段により露光装置から処理部へと搬送される。
次に、第３の処理単位において、第３の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。その後、基板は第３の搬送ユニットにより第３の熱処理ユニットに搬送され、第３の熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第３の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
この基板処理装置においては、処理単位ごとに処理内容が分割されている。したがって、第１および第３の処理単位を有する既存の基板処理装置に第２の処理単位を追加することにより、露光装置において露光処理が行われる前に、第２の処理ユニットにおいて感光性膜上に保護膜を形成することが可能となる。その結果、低コストで、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
処理部は、露光装置による露光処理後であって第３の処理ユニットによる現像処理前に保護膜を除去する第４の処理ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、第３の処理ユニットにおいて基板に現像処理が行われる前に、第４の処理ユニットにおいて保護膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
処理部は、第１の処理ユニット、基板に熱処理を行う第１の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを含む第１の処理単位と、第２の処理ユニット、基板に熱処理を行う第２の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位と、第３の処理ユニット、基板に熱処理を行う第３の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位と、第４の処理ユニットおよび基板を搬送する第４の搬送ユニットを含む第４の処理単位とを備えてもよい。
この場合、第１の処理単位において、第１の処理ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第１の搬送ユニットにより第１の熱処理ユニットに搬送され、第１の熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第１の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、第２の処理単位において、第２の処理ユニットにより基板上の感光性膜上に保護膜が形成される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより第２の熱処理ユニットに搬送され、第２の熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第２の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、基板は受け渡し部の搬送手段により処理部から露光装置へと搬送され、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は受け渡し部の搬送手段により露光装置から処理部へと搬送される。
次に、第４の処理単位において、第４の処理ユニットにより保護膜が除去される。その後、基板は第４の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、第３の処理単位において、第３の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。その後、基板は第３の搬送ユニットにより第３の熱処理ユニットに搬送され、第３の熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第３の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
この基板処理装置においては、処理単位ごとに処理内容が分割されている。したがって、第１および第３の処理単位を有する既存の基板処理装置に第２および第４の処理単位を追加することにより、露光装置において露光処理が行われる前に第２の処理ユニットにおいて感光性膜上に保護膜を形成するとともに、露光処理後であって現像処理前に第４の処理ユニットにおいて保護膜を除去することが可能となる。その結果、低コストで、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができかつ確実に現像処理を行うことができる。
第３の処理単位は処理部の他端部に配置されてもよい。この場合、第３の処理単位以外の複数の処理単位が互いに隣接するように配置される。それにより、第３の処理単位からの廃液とそれ以外の処理単位からの廃液とを別個の配管を用いて排出する必要がある場合においても、配管の構造を単純化することができる。
保護膜は、フッ素樹脂からなってもよい。この場合、感光性膜を確実に保護することができる。
受け渡し部は、基板に所定の処理を行う第５の処理ユニットと基板が一時的に載置される載置部とをさらに含み、搬送手段は、処理部、第５の処理ユニットおよび載置部の間で基板を搬送する第５の搬送ユニットをさらに含み、搬送機構は、前記載置部および前記露光装置の間で基板を搬送してもよい。
この場合、基板は第５の搬送ユニットにより処理部から第５の処理ユニットへと搬送される。第５の処理ユニットにおいて基板に所定の処理が行われた後、基板は第５の搬送ユニットにより載置部へと搬送される。その後、基板は搬送機構により載置部から露光装置へと搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、基板は搬送機構により露光装置から載置部へと搬送される。その後、基板は第５の搬送ユニットにより載置部から処理部へと搬送される。
このように、受け渡し部に第５の処理ユニットを配置し、２つの搬送ユニットにより基板の搬送を行うことにより、基板処理装置のフットプリントを増加させることなく処理内容を追加することが可能となる。
第５の搬送ユニットは、露光装置による露光処理前の基板を保持して搬送する第３の保持手段と、露光装置による露光処理後の基板を保持して搬送する第４の保持手段とを有してもよい。
この場合、第３の保持手段は露光処理前の液体が付着していない基板を搬送する際に用いられ、第４の保持手段は、露光処理後の液体が付着した基板を搬送する際に用いられる。そのため、第３の保持手段に液体が付着することがないので、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。それにより、雰囲気中の塵埃等の付着による基板の汚染を防止することができる。その結果、露光装置において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
第４の保持手段は第３の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第４の保持手段およびその第４の保持手段が保持する基板から液体が落下したとしても、第３の保持手段およびその第３の保持手段が保持する基板に液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板に液体が付着することが確実に防止される。
第５の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含んでもよい。この場合、エッジ露光部において基板の周縁部に露光処理が行われる。
第２の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置され、第１の処理ユニット、第２の処理ユニットおよび第３の処理ユニットを備えた基板処理装置において基板を処理する方法であって、露光装置による露光処理前に第１の処理ユニットにより基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する工程と、露光装置による露光処理前に第２の処理ユニットにより基板に感光性膜を保護する保護膜を形成する工程と、露光装置による露光処理前の基板を搬送機構の第１の保持手段により保持して露光装置に搬送する工程と、露光装置による露光処理後の基板を搬送機構の第１の保持手段よりも下方に設けられた第２の保持手段により保持して露光装置から搬送する工程と、露光装置による露光処理後に第３の処理ユニットにより基板に現像処理を行う工程とを備えるものである。
本発明に係る基板処理方法においては、第１の処理ユニットにおいて基板上に感光性膜が形成された後、第２の処理ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成される。その後、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後、第３の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。
このように、露光装置において露光処理が行われる前に、第２の処理ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成される。この場合、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性材料の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染が低減されるとともに基板の表面に感光性材料の成分が残留することも防止される。その結果、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
また、露光装置による対する基板の受け渡し時には、露光装置による露光処理前の基板が搬送機構の第１の保持手段により保持されて搬送され、露光装置による露光処理後の基板が搬送機構の第２の保持手段により保持されて搬送される。この場合、第１の保持手段に液体が付着することがないので、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。それにより、雰囲気中の塵埃等の付着による基板の汚染を防止することができる。その結果、露光装置において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
また、第２の保持手段が第１の保持手段よりも下方に設けられるので、第２の保持手段またはこの第２の保持手段により保持される基板から液体が落下しても、第１の保持手段およびこの第１の保持手段により保持される基板に液体が付着することがない。それにより、露光前の基板に液体が付着することが確実に防止される。
基板処理装置は第４の処理ユニットをさらに備え、露光装置による露光処理後であって第３の処理ユニットによる現像処理前に第４の処理ユニットにより保護膜を除去する工程をさらに備えてもよい。この場合、第３の処理ユニットにおいて基板に現像処理が行われる前に、第４の処理ユニットにおいて保護膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
本発明によれば、露光装置において露光処理が行われる前に、第２の処理ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成される。この場合、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性材料の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染が低減されるとともに基板の表面に感光性材料の成分が残留することも防止される。その結果、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について図１〜図４を参照しながら説明する。
図１〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１４にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１５は、第６のセンターロボットＣＲ６、送りバッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する戻りバッファ部ＲＢＦおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
インターフェースブロック１５には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が上下に積層配置されるとともに、第６のセンターロボットＣＲ６（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、４個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、４個の加熱ユニットＨＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、４個の加熱ユニットＨＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、４個の加熱ユニットＨＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には４個の加熱ユニットＨＰ、１個の冷却ユニットＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２、１個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ１により基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ２により反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ１により反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ２により反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ３により基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ４によりレジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、レジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ３によりレジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ４によりレジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ５により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ５により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ７により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ７により基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ８によりレジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ７によりレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に移載された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５のハンドＣＲＨ９により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、ハンドＣＲＨ９により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１１により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンドＣＲＨ１１により基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンドＣＲＨ１１によりエッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出す。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンドＣＲＨ１１により、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ５により露光装置１６に搬入される。露光装置１６において基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ６により基板ＷをＰＡＳＳ１４に移載する。なお、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの詳細については後述する。
基板載置部ＰＡＳＳ１４に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６のハンドＣＲＨ１２により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンドＣＲＨ１２により基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、ハンドＣＲＨ１２により露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１２に移載する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に移載された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５のハンドＣＲＨ１０により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、ハンドＣＲＨ１０により基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、ハンドＣＲＨ１０によりレジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載する。
なお、故障等によりレジストカバー膜除去用処理部９０において一時的にレジストカバー膜の除去処理ができないときは、露光後ベーク用熱処理部１４１において基板Ｗに熱処理を施した後、インターフェースブロック１５の戻りバッファ部ＲＢＦに基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ８により基板載置部ＰＡＳＳ８に移載される。
基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ６により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ６により基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ５により現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ６により現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ４により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。
基板載置部ＰＡＳＳ２に移載された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
上記のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、基板Ｗに形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置１６のレンズ（図示せず）等の汚染が低減されるとともに基板Ｗの表面にレジストの成分が残留することも防止される。その結果、露光装置１６において発生する基板Ｗの処理不良を低減することができる。
また、現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
なお、現像処理ブロック１２の現像処理ユニットＤＥＶにおいて、レジストカバー膜を除去することができる液体を現像液として用いる場合は、レジストカバー膜除去ブロック１４を設けなくてよい。この場合、基板処理装置５００の小型化が可能になる。
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図４はインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図４に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台３１は螺軸３２に螺合される。螺軸３２は、Ｘ方向に延びるように支持台３３によって回転可能に支持される。螺軸３２の一端部にはモータＭ１が設けられ、このモータＭ１により螺軸３２が回転し、可動台３１が±Ｘ方向に水平移動する。
また、可動台３１にはハンド支持台３４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台３４は、回転軸３５を介して可動台３１内のモータＭ２に連結しており、このモータＭ２によりハンド支持台３４が回転する。ハンド支持台３４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ５，Ｈ６が進退可能に上下に設けられる。
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図４の位置Ａにおいてハンド支持台３４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、ハンドＨ５を基板載置部ＰＡＳＳ１３に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ１３においてハンドＨ５が基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ５を基板載置部ＰＡＳＳ１３から後退させ、ハンド支持台３４を−Ｚ方向に下降させる。
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、位置Ｂにおいてハンド支持台３４を回転させるとともにハンドＨ５を露光装置１６の基板搬入部１６ａ（図１参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１６ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ５を基板搬入部１６ａから後退させる。
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ６を露光装置１６の基板搬出部１６ｂ（図１参照）に進入させる。基板搬出部１６ｂにおいてハンドＨ６が露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ６を基板搬出部１６ｂから後退させる。
その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、位置Ａにおいてハンド支持台３４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、ハンドＨ６を基板載置部ＰＡＳＳ１４に進入させ、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に移載する。
なお、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３から露光装置１６へと搬送する際に、露光装置１６が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファＳＢＦに一時的に収納保管される。
上記のように、本実施の形態においては、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３から露光装置１６へと搬送する際にはインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ５を用い、基板Ｗを露光装置１６から基板載置部ＰＡＳＳ１４へと搬送する際にはハンドＨ６を用いる。すなわち、露光処理直後の液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ６が用いられ、露光処理前の液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ５が用いられる。そのため、ハンドＨ５に基板Ｗの液体が付着することがない。
また、ハンドＨ６はハンドＨ５の下方に設けられているので、ハンドＨ６およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下したとしても、ハンドＨ５およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することがない。
さらに、前述したように、第６のセンターロボットＣＲ６においても、露光処理後の液体が付着した基板Ｗの搬送（基板載置部ＰＡＳＳ１４と露光後ベーク用熱処理部１４１との間）には下側のハンドＣＲＨ１２が用いられ、露光処理前の液体が付着していない基板Ｗの搬送（基板載置部ＰＡＳＳ１１とエッジ露光部ＥＥＷとの間およびエッジ露光部ＥＥＷと基板載置部ＰＡＳＳ１３との間）には上側のハンドＣＲＨ１１が用いられている。そのため、第６のセンターロボットＣＲ６においても、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することがない。
これらの結果、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止されるので、雰囲気中の塵埃等の付着による基板Ｗの汚染を防止することができる。それにより、露光装置１６において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
なお、本実施の形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、基板Ｗの搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。
また、露光装置１６の基板搬入部１６ａおよび基板搬出部１６ｂの位置に応じて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作および構成を変更してもよい。例えば、露光装置１６の基板搬入部１６ａおよび基板搬出部１６ｂが図４の位置Ａに対向する位置にある場合は、図４の螺軸３２を設けなくてもよい。
また、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
本実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部に相当し、インターフェースブロック１５が受け渡し部に相当し、塗布ユニットＲＥＳが第１の処理ユニットに相当し、レジスト膜用処理ブロック１１が第１の処理単位に相当し、塗布ユニットＣＯＶが第２の処理ユニットに相当し、レジストカバー膜用処理ブロック１３が第２の処理単位に相当し、現像処理ユニットＤＥＶが第３の処理ユニットに相当し、現像処理ブロック１２が第３の処理単位に相当し、除去ユニットＲＥＭが第４の処理ユニットに相当し、レジストカバー膜除去ブロック１４が第４の処理単位に相当し、レジスト膜が感光性膜に相当し、レジストカバー膜が保護膜に相当する。
また、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰが第１〜第３の熱処理ユニットに相当し、第２のセンターロボットＣＲ２が第１の搬送ユニットに相当し、第４のセンターロボットＣＲ４が第２の搬送ユニットに相当し、第３のセンターロボットＣＲ３が第３の搬送ユニットに相当し、第５のセンターロボットＣＲ５が第４の搬送ユニットに相当し、第６のセンターロボットＣＲ６が第５の搬送ユニットに相当し、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが搬送機構に相当し、ハンドＣＲＨ１１が第３の保持手段に相当し、ハンドＣＲＨ１２が第４の保持手段に相当し、ハンドＨ５が第１の保持手段に相当し、ハンドＨ６が第２の保持手段に相当し、基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が載置部に相当する。
（その他の実施の形態）
以下に、第２〜第１０の実施の形態について説明する。なお、各処理ブロックの動作および各処理ブロックにおける処理については、第１の実施の形態において説明しているので省略する。また、上述したように、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。また、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＳＡＡ１２は、インターフェースブロック１５に隣接する処理ブロックに設ける。また、露光後ベーク（ＰＥＢ）は、インターフェースブロック１５に隣接する処理ブロックの熱処理部において行うこととする。
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図５に示すように、第２の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。
レジストカバー膜除去ブロック１４において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２に搬送される。現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０を介してインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図６に示すように、第３の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１３、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４を介してインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。レジストカバー膜除去ブロック１４において基板ＷにＰＥＢを含む所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３、レジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０を介してインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第４の実施の形態）
図７は、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図７に示すように、第４の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２およびレジストカバー膜除去ブロック１４を介してレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに露光後ベークが行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１を介してレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。レジストカバー膜除去ブロック１４において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０を介してインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第５の実施の形態）
図８は、本発明の第５の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図８に示すように、第５の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、現像処理ブロック１２、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜除去ブロック１４、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２を介してレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに露光後ベークが行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。レジストカバー膜除去ブロック１４において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１を介して現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０を介してインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第６の実施の形態）
図９は、本発明の第６の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図９に示すように、第６の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、現像処理ブロック１２、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２を介してレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４を介してインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。
レジストカバー膜除去ブロック１４において基板ＷにＰＥＢを含む所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジスト膜用処理ブロック１１を介して現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０を介してインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第７の実施の形態）
図１０は、本発明の第７の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図１０に示すように、第７の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、現像処理ブロック１２およびレジストカバー膜除去ブロック１４を介して反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに露光後ベークが行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０を介してレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。レジストカバー膜除去ブロック１４において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第８の実施の形態）
図１１は、本発明の第８の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図１１に示すように、第８の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、現像処理ブロック１２、反射防止膜用処理ブロック１０、レジストカバー膜除去ブロック１４、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、現像処理ブロック１２を介して反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４を介してレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに露光後ベークが行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１を介してレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。
レジストカバー膜除去ブロック１４において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０を介して現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第９の実施の形態）
図１２は、本発明の第９の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図１２に示すように、第９の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、現像処理ブロック１２、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜除去ブロック１４、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、現像処理ブロック１２を介して反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに露光後ベークが行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。レジストカバー膜除去ブロック１４において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０を介して現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第１０の実施の形態）
図１３は、本発明の第１０の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図１３に示すように、第１０の実施の形態に係る基板処理装置においては、インデクサブロック９、現像処理ブロック１２、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設される。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。
本実施の形態においては、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、現像処理ブロック１２を介して反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。反射防止膜用処理ブロック１０において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジスト膜用処理ブロック１１に搬送される。
レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３に搬送される。レジストカバー膜用処理ブロック１３において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜除去ブロック１４を介してインターフェースブロック１５へと搬送される。
インターフェースブロック１５において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗは露光装置１６へと搬送される。露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインターフェースブロック１５を介してレジストカバー膜除去ブロック１４に搬送される。
レジストカバー膜除去ブロック１４において基板ＷにＰＥＢを含む所定の処理が行われた後、基板Ｗはレジストカバー膜用処理ブロック１３、レジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０を介して現像処理ブロック１２に搬送される。
現像処理ブロック１２において基板Ｗに所定の処理が行われた後、基板Ｗはインデクサブロック９に搬送される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（第２〜第１０の実施の形態の効果）
以上のように、第２〜第１０の実施の形態に係る基板処理装置５００においても、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と同様に、露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、基板Ｗに形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置１６内の汚染が低減されるとともに基板Ｗの表面にレジストの成分が残留することも防止される。その結果、露光装置１６において発生する基板Ｗの処理不良を低減することができる。
また、現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
また、第７〜第１０の実施の形態においては、現像処理ブロック１２はインデクサブロック９に隣接するように設けられている。通常、現像処理ブロック１２以外の処理ブロックにおいては塗布液および剥離液として有機溶剤が用いられる。このため、現像処理ブロック１２からの廃液とそれ以外の処理ブロックからの廃液とを別個の配管を用いて排出する必要がある。ここで、現像処理ブロック１２をインデクサブロック９に隣接するように設けることにより、現像処理ブロック１２以外の複数の処理ブロックが互いに隣接するように配置されるので、配管の構造が単純化される。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 インターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。 本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第８の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第９の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第１０の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
符号の説明
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
４０ キャリア載置台
５０ 反射防止膜用塗布処理部
６０ レジスト膜用塗布処理部
７０ 現像処理部
８０ レジストカバー膜用塗布処理部
９０ レジストカバー膜除去用処理部
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１ 現像用熱処理部
１３０，１３１ レジストカバー膜用熱処理部
１４０，１４１ 露光後ベーク用熱処理部
５００ 基板処理装置
ＣＲ１ 第１のセンターロボット
ＣＲ２ 第２のセンターロボット
ＣＲ３ 第３のセンターロボット
ＣＲ４ 第４のセンターロボット
ＣＲ５ 第５のセンターロボット
ＣＲ６ 第６のセンターロボット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＩＲ インデクサロボット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｗ 基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１４ 基板載置部

Claims (12)

  1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記受け渡し部は、前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、
    前記処理部は、
    基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第１の処理ユニットと、
    前記露光装置による露光処理前に基板に前記感光性膜を保護する保護膜を形成する第２の処理ユニットと、
    前記露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う第３の処理ユニットとを含み、
    前記搬送手段は、前記露光装置に対して基板の受け渡しを行う搬送機構を含み、
    前記搬送機構は、前記露光装置による露光処理前の基板を保持して搬送する前記第１の保持手段と、前記露光装置による露光処理後の基板を保持して搬送する前記第２の保持手段とを有し、
    前記第２の保持手段は前記第１の保持手段よりも下方に設けられたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記処理部は、
    前記第１の処理ユニット、基板に熱処理を行う第１の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを含む第１の処理単位と、
    前記第２の処理ユニット、基板に熱処理を行う第２の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位と、
    前記第３の処理ユニット、基板に熱処理を行う第３の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位とを備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記処理部は、前記露光装置による露光処理後であって前記第３の処理ユニットによる現像処理前に前記保護膜を除去する第４の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記処理部は、
    前記第１の処理ユニット、基板に熱処理を行う第１の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを含む第１の処理単位と、
    前記第２の処理ユニット、基板に熱処理を行う第２の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位と、
    前記第３の処理ユニット、基板に熱処理を行う第３の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位と、
    前記第４の処理ユニットおよび基板を搬送する第４の搬送ユニットを含む第４の処理単位とを備えることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記第３の処理単位は前記処理部の他端部に配置されることを特徴とする請求項２または４記載の基板処理装置。
  6. 前記保護膜は、フッ素樹脂からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 前記受け渡し部は、基板に所定の処理を行う第５の処理ユニットと基板が一時的に載置される載置部とをさらに含み、
    前記搬送手段は、
    前記処理部、前記第５の処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第５の搬送ユニットをさらに含み、
    前記搬送機構は、前記載置部および前記露光装置の間で基板を搬送することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 前記第５の搬送ユニットは、
    前記露光装置による露光処理前の基板を保持して搬送する第３の保持手段と、
    前記露光装置による露光処理後の基板を保持して搬送する第４の保持手段とを有することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記第４の保持手段は前記第３の保持手段よりも下方に設けられたことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
  10. 前記第５の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
  11. 露光装置に隣接するように配置され、第１の処理ユニット、第２の処理ユニットおよび第３の処理ユニットを備えた基板処理装置において基板を処理する方法であって、
    前記露光装置による露光処理前に前記第１の処理ユニットにより基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する工程と、
    前記露光装置による露光処理前に前記第２の処理ユニットにより基板に前記感光性膜を保護する保護膜を形成する工程と、
    前記露光装置による露光処理前の基板を搬送機構の第１の保持手段により保持して前記露光装置に搬送する工程と、
    前記露光装置による露光処理後の基板を前記搬送機構の前記第１の保持手段よりも下方に設けられた第２の保持手段により保持して前記露光装置から搬送する工程と、
    前記露光装置による露光処理後に前記第３の処理ユニットにより基板に現像処理を行う工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。
  12. 前記基板処理装置は第４の処理ユニットをさらに備え、
    前記露光装置による露光処理後であって前記第３の処理ユニットによる現像処理前に前記第４の処理ユニットにより前記保護膜を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法。
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