JP5039468B2 - 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 - Google Patents

基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 Download PDF

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    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Description

本発明は、基板を洗浄する基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。
露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板の端部が汚染する場合がある。このように、基板の端部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
本発明の目的は、基板の端部の必要な部分を十分に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光装置による露光処理前の基板の一面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板に接触可能に設けられた洗浄ブラシと、洗浄ブラシを移動させる駆動機構と、基板回転保持手段に保持された基板の一面に略垂直な方向の回転軸の周りで洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、洗浄ブラシは、基板回転保持装手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能な第１の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の他面の周縁部に接触可能な円環平面状の第２の洗浄面とを有し、第１および第２の洗浄面は回転軸を中心として一体的に設けられ、駆動機構は、洗浄ブラシが基板の一面、一面側のベベル領域および端面領域に接触せず、洗浄ブラシの第１および第２の洗浄面が基板の他面側のベベル領域および他面の周縁部に同時に接触する位置に洗浄ブラシを移動させるものである。
この基板処理装置では、処理部において感光性膜形成ユニットにより基板の一面に感光性材料からなる感光性膜が形成され、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置に受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前には、基板洗浄装置により基板が洗浄される。
基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで洗浄ブラシがブラシ回転手段によって回転する。その状態で、洗浄ブラシが基板の端部に接触する。
洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触することにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面の周縁部に接触することにより、基板の他面の周縁部が洗浄される。
これにより、基板の他面側のベベル領域および基板の他面の周縁部に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。そのため、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を確実に防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
（２）洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能な円柱状の第３の洗浄面をさらに有し、第３の洗浄面は、回転軸を中心として第１および第２の洗浄面に一体的に設けられてもよい。
この場合、洗浄ブラシの第３の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触することにより、基板の端面領域が洗浄される。それにより、基板の端面領域に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
（３）洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面をさらに有し、第４の洗浄面は、回転軸を中心として第１および第２の洗浄面に一体的に設けられてもよい。
この場合、洗浄ブラシの第４の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触することにより、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。それにより、基板の一面側のベベル領域に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
（４）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置と、基板の一面と他面とを反転させる反転装置とを備え、基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシと、端部洗浄ブラシと一体的に設けられ、反転装置による反転後に基板回転保持手段に保持された基板の他面に接触可能な面洗浄ブラシと、基板回転保持手段に保持された基板の一面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能な円柱状の第２の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第３の洗浄面とを有し、第１、第２および第３の洗浄面は回転軸を中心として一体的に設けられるものである。
この基板処理装置では、処理部において基板に所定の処理が施され、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置に受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。露光装置による露光処理前には、基板洗浄装置により基板が洗浄される。
基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシがブラシ回転手段によって回転する。その状態で、端部洗浄ブラシが基板の端部に接触する。
端部洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触することにより、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。また、端部洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触することにより、基板の端面領域が洗浄される。さらに、端部洗浄ブラシの第３の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触することにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、反転装置により基板の一面と他面とが反転された後に、面洗浄ブラシが基板回転保持手段に保持された基板の他面に接触することにより、基板の他面が洗浄される。
それにより、基板の一面側のベベル領域、端面領域、他面側のベベル領域および他面に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。そのため、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を確実に防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
（５）第３の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシと、基板回転保持手段に保持された基板の表面に対して傾斜する方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能な円柱状の第２の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の一面の周縁部に接触可能なテーパ状の第３の洗浄面とを有し、第１、第２および第３の洗浄面は回転軸を中心として一体的に設けられるものである。
この基板処理装置では、処理部において基板に所定の処理が施され、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置に受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。露光装置による露光処理前または露光処理後には、基板洗浄装置により基板が洗浄される。
基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に対して傾斜する方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシがブラシ回転手段によって回転する。その状態で、端部洗浄ブラシが基板の端部に接触する。
端部洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触することにより、基板の端面領域が洗浄される。また、端部洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板の一面側のベベル領域に接触することにより、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。また、端部洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面の周縁部に接触することにより、基板の一面の周縁部が洗浄される。
これにより、基板の端面領域、一面側のベベル領域、および基板の一面の周縁部に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。そのため、露光処理前の基板を洗浄する場合には、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を確実に防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。また、露光処理後の基板を洗浄する場合には、基板の端部が十分に清浄な状態で現像処理を行うことができる。それにより、基板の端部の汚染に起因する現像性能の低下を防止することができる。
参考形態に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた第１および第２の洗浄ブラシと、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで第１および第２の洗浄ブラシをそれぞれ回転させる第１および第２のブラシ回転手段とを含み、第１の洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面を有し、第２の洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第２の洗浄面を有するものである。
この基板処理装置では、処理部において基板に所定の処理が施され、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置に受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。露光装置による露光処理前または露光処理後には、基板洗浄装置により基板が洗浄される。
基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで第１の洗浄ブラシが第１のブラシ回転手段によって回転するとともに、第２の洗浄ブラシが第２のブラシ回転手段によって回転する。その状態で、第１および第２の洗浄ブラシが基板の端部に接触する。
第１の洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触することにより、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。また、第２の洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触することにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。
この場合、基板の一面側のベベル領域と他面側のベベル領域とを同時に洗浄することができ、基板の一面側および他面側のベベル領域に付着する汚染物を迅速かつ十分に取り除くことができる。そのため、露光処理前の基板を洗浄する場合には、基板の端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を確実に防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。また、露光処理後の基板を洗浄する場合には、基板の端部が十分に清浄な状態で現像処理を行うことができる。それにより、基板の端部の汚染に起因する現像性能の低下を防止することができる。
第１および第２の洗浄ブラシの少なくとも一方は、基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能な円柱状の第３の洗浄面をさらに有し、第３の洗浄面は、回転軸を中心として第１または第２の洗浄面に一体的に設けられるてもよい。
この場合、第３の洗浄面を基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触させることにより、基板の端面領域を洗浄することができる。それにより、基板の端面領域に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
（６）基板洗浄装置は、基板回転保持手段により保持される基板の一面に洗浄液を供給する第１の洗浄液供給手段をさらに含んでもよい。
この場合、洗浄液によって基板の一面が洗浄される。また、基板の回転に伴う遠心力により、洗浄液が基板の一面を伝って基板の端部に導かれる。それにより、基板の端部の洗浄をより効果的に行うことができる。
（７）基板洗浄装置は、基板回転保持手段により保持される基板の他面に洗浄液を供給する第２の洗浄液供給手段をさらに含んでもよい。
この場合、洗浄液によって基板の他面が洗浄される。また、基板の回転に伴う遠心力により、洗浄液が基板の他面を伝って基板の端部に導かれる。それにより、基板の端部の洗浄をより効果的に行うことができる。
（８）第４の発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板に接触可能に設けられた洗浄ブラシと、洗浄ブラシを移動させる駆動機構と、基板回転保持手段に保持された基板の一面に略垂直な方向の回転軸の周りで洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の他面の周縁部に接触可能な円環平面状の第２の洗浄面とを有し、第１および第２の洗浄面は回転軸を中心として一体的に設けられ、駆動機構は、洗浄ブラシが基板の一面、一面側のベベル領域および端面領域に接触せず、洗浄ブラシの第１および第２の洗浄面が基板の他面側のベベル領域および他面の周縁部に同時に接触する位置に洗浄ブラシを移動させるものである。
この基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで洗浄ブラシがブラシ回転手段によって回転する。その状態で、洗浄ブラシが基板の端部に接触する。
洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触することにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面の周縁部に接触することにより、基板の他面の周縁部が洗浄される。
これにより、基板の他面側のベベル領域および基板の他面の周縁部に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
参考形態に係る基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシと、端部洗浄ブラシと一体的に設けられ、基板回転保持手段に保持された基板の一面に接触可能な面洗浄ブラシとを含み、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能な円柱状の第２の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第３の洗浄面とを有し、第１、第２および第３の洗浄面は回転軸を中心として一体的に設けられるものである。
この基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシがブラシ回転手段によって回転する。端部洗浄ブラシは基板回転保持手段により保持される基板の端部に接触し、面洗浄ブラシは基板回転保持手段により保持される基板の一面に接触する。
端部洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触することにより、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。また、端部洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触することにより、基板の端面領域が洗浄される。さらに、端部洗浄ブラシの第３の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触することにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。また、面洗浄ブラシが基板回転保持手段により保持される基板の一面に接触することにより、基板の一面が洗浄される。
これにより、基板の一面、一面側のベベル領域、端面領域、および他面側のベベル領域に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
（９）第５の発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシと、基板回転保持手段に保持された基板の表面に対して傾斜する方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、端部洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能な円柱状の第２の洗浄面と、基板回転保持手段により保持される基板の一面の周縁部に接触可能なテーパ状の第３の洗浄面とを有し、第１、第２および第３の洗浄面は回転軸を中心として一体的に設けられるものである。
この基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に対して傾斜する方向の回転軸の周りで端部洗浄ブラシがブラシ回転手段によって回転する。その状態で、端部洗浄ブラシが基板の端部に接触する。
端部洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触することにより、基板の端面領域が洗浄される。端部洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触することにより、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。また、端部洗浄ブラシの第３の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面の周縁部に接触することにより、基板の一面の周縁部が洗浄される。
これにより、基板の端面領域、一面側のベベル領域および基板の一面の周縁部に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
参考形態に係る基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた第１および第２の洗浄ブラシと、基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで第１および第２の洗浄ブラシをそれぞれ回転させる第１および第２のブラシ回転手段とを含み、第１の洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面を有し、第２の洗浄ブラシは、基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第２の洗浄面を有し、第１および第２の洗浄ブラシの少なくとも一方は、基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能な円柱状の第３の洗浄面をさらに有し、第３の洗浄面は、回転軸を中心として第１または第２の洗浄面に一体的に設けられるものである。
この基板洗浄装置においては、基板回転保持手段により基板が保持されつつ回転する。また、基板回転保持手段により保持される基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで第１の洗浄ブラシが第１のブラシ回転手段によって回転するとともに、第２の洗浄ブラシが第２のブラシ回転手段によって回転する。その状態で、第１および第２の洗浄ブラシが基板の端部に接触する。
第１の洗浄ブラシの第１の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触することにより、基板の一面側のベベル領域が洗浄される。また、第２の洗浄ブラシの第２の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触することにより、基板の他面側のベベル領域が洗浄される。
この場合、基板の一面側のベベル領域と他面側のベベル領域とを同時に洗浄することができ、基板の一面側および他面側のベベル領域に付着する汚染物を迅速かつ十分に取り除くことができる。
また、第１および第２の洗浄ブラシの少なくとも一方に設けられる第３の洗浄面が基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触することにより、基板の端面領域が洗浄される。したがって、基板の端面領域に付着する汚染物も十分に取り除くことができる。また、基板の一面側のベベル領域および他面側のベベル領域に加えて基板の端面領域も同時に洗浄することができる。
（１０）基板洗浄装置は、基板回転保持手段により保持される基板の一面に洗浄液を供給する第１の洗浄液供給手段をさらに備えてもよい。
この場合、洗浄液によって基板の一面が洗浄される。また、基板の回転に伴う遠心力により、洗浄液が基板の一面を伝って基板の端部に導かれる。それにより、基板の端部の洗浄をより効果的に行うことができる。
（１１）基板洗浄装置は、基板回転保持手段により保持される基板の他面に洗浄液を供給する第２の洗浄液供給手段をさらに備えてもよい。
この場合、洗浄液によって基板の他面が洗浄される。また、基板の回転に伴う遠心力により、洗浄液が基板の他面を伝って基板の端部に導かれる。それにより、基板の端部の洗浄をより効果的に行うことができる。
本発明によれば、基板の端部の必要とする部分を十分に洗浄することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１５は、反転ユニットＲＴ、洗浄処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、洗浄処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗに洗浄処理を行い、乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗに乾燥処理を行う。
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、反転ユニットＲＴおよび３個の洗浄処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、反転ユニットＲＴおよび洗浄処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗに洗浄処理が行われる。
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄処理ユニットＳＤ１から洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。具体的には、例えば露光処理後の基板Ｗが水平に保持され、その基板Ｗ上に純水等のリンス液が液盛りされる。そして、基板Ｗが高速で回転されるとともに基板Ｗの中心部に向けて不活性ガスが吹き付けられる。それにより、基板Ｗ上に付着する液体がリンス液と一体的に基板Ｗの外方へ移動する。その結果、基板Ｗ上の液体が取り除かれ、基板Ｗが乾燥される。
乾燥処理ユニットＳＤ２において乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
（３）洗浄処理ユニットについて
次に、洗浄処理ユニットＳＤ１の詳細について説明する。図５は、洗浄処理ユニットＳＤ１の構成を説明するための図である。図５に示すように、洗浄処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。
スピンチャック５２１は、チャック回転駆動機構５２２によって回転される回転軸５２３の上端に固定されている。また、スピンチャック５２１には吸気路（図示せず）が形成されている。スピンチャック５２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック５２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック５２１の近傍には、複数（本例では２つ）の下面ノズル５２４が外側上方に向けて設けられている。また、スピンチャック５２１の上方には、上面ノズル５２５が斜め下方に向けて設けられている。各下面ノズル５２４には洗浄液供給管５２４ａが接続され、上面ノズル５２５には洗浄液供給管５２５ａが接続されている。洗浄液供給管５２４ａ，５２５ａを通して下面ノズル５２４および上面ノズル５２５に洗浄液が供給される。本実施の形態では、洗浄液として純水を用いる。
基板Ｗの洗浄処理時には、基板Ｗがスピンチャック５２１に保持された状態で回転される。回転される基板Ｗの下面に向けて下面ノズル５２４から洗浄液が供給される。また、回転される基板Ｗの上面に向けて上面ノズル５２５から洗浄液が供給される。下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出された洗浄液は遠心力によって外方に広がる。それにより、基板Ｗの表面および基板Ｗの裏面の周縁領域が洗浄される。
スピンチャック５２１の外方には、ベベル洗浄部５３０が配置されている。ベベル洗浄部５３０は洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は、保持部材５３２，５３３によって鉛直軸周りに回転可能に保持されており、ブラシ回転駆動機構５３４によって回転駆動される。
保持部材５３２にはアーム５３５が連結されている。アーム５３５は、アーム駆動機構５３６によって上下方向および水平方向に移動する。アーム駆動機構５３６によるアーム５３５の移動に伴い、洗浄ブラシ５３１が上下方向および水平方向に移動する。
洗浄ブラシ５３１は鉛直軸に関して回転対称な形状を有し、上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを有する。端面洗浄面５３１ｂは鉛直方向を軸心とする円筒面である。上ベベル洗浄面５３１ａは端面洗浄面５３１ｂの上端から外側上方に傾斜して延び、下ベベル洗浄面５３１ｃは端面洗浄面５３１ｂの下端から外側下方に傾斜して延びる。
基板Ｗの洗浄処理時には、ベベル洗浄部５３０の洗浄ブラシ５３１により、基板Ｗのベベル部Ｒが洗浄される。
ここで、基板Ｗのベベル部Ｒについて説明する。図６は、基板Ｗのベベル部Ｒの詳細を示す図である。図６に示すように、ベベル部Ｒは、基板Ｗの外周部において、基板Ｗの平坦な表面に連続的につながるように傾斜する上ベベル領域Ａ、基板Ｗの平坦な裏面に連続的につながるように傾斜する下ベベル領域Ｃ、および端面領域Ｂを含む。なお、基板Ｗの表面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいい、基板Ｗの裏面とはその反対側の基板Ｗの面をいう。
鉛直面に対する上ベベル領域Ａの傾斜角θ１と鉛直面に対する下ベベル領域Ｃの傾斜角θ２とは互いにほぼ等しい。図５に示す洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａおよび下ベベル洗浄面５３１ｃの鉛直面に対する傾斜角は、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃの傾斜角θ１，θ２とほぼ等しく設定される。
基板Ｗの洗浄処理時には、図５に示す洗浄ブラシ５３１がブラシ回転駆動機構５３４によって回転するとともにアーム駆動機構５３６によって基板Ｗのベベル部Ｒに向けて移動する。さらに、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃが基板Ｗのベベル部Ｒの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃ（図６）にそれぞれ接触するように、洗浄ブラシ５３１が上下方向に移動する。
なお、下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出される洗浄液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により、基板Ｗの裏面および表面を伝ってベベル部Ｒに導かれる。すなわち、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗのベベル部Ｒとの接触部分に洗浄液が供給される。
図７は基板Ｗおよび洗浄ブラシ５３１の回転方向を示す平面図であり、図８は基板Ｗと洗浄ブラシ５３１との接触状態を示す図である。
図７に示すように、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとは互いに同じ方向に回転される。この場合、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとの接触部分において、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとの相対的な回転速度が高くなる。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒが効率良く洗浄される。
図８（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａが基板Ｗの上ベベル領域Ａに接触することにより、基板Ｗの上ベベル領域Ａが洗浄される。上記のように、基板Ｗの上ベベル領域Ａの傾斜角と洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａの傾斜角とは互いにほぼ等しい。そのため、基板Ｗの上ベベル領域Ａの全域に洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａを接触させることができる。それにより、上ベベル領域Ａの全域を確実に洗浄することができる。
また、図８（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃが基板Ｗの下ベベル領域Ｃに接触することにより、基板Ｗの下ベベル領域Ｃが洗浄される。上記のように、基板Ｗの下ベベル領域Ｃの傾斜角と洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃの傾斜角とは互いにほぼ等しい。そのため、基板Ｗの下ベベル領域Ｃの全域に洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃを接触させることができる。したがって、下ベベル領域Ｃの全域を確実に洗浄することができる。
さらに、図８（ｃ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の端面洗浄面５３１ｂが基板Ｗの端面領域Ｂに接触することにより、基板Ｗの端面領域Ｂが洗浄される。
このように、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃに接触させることにより、基板Ｗのベベル部Ｒの全域を確実に洗浄することができる。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒに付着する汚染物を確実に取り除くことができる。
基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃの洗浄後、洗浄ブラシ５３１が基板Ｗから離間する。続いて、回転軸５５３（図５）の回転速度が上昇することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が遠心力によって振り切られる。それにより、基板Ｗが乾燥される。なお、効率よく確実に基板Ｗを乾燥させるために、基板ＷにＮ２（窒素）等の不活性ガスを吹き付ける不活性ガス供給ノズルをさらに設けてもよい。
（３−ａ）洗浄ブラシの他の設置例
図９は、洗浄ブラシ５３１の他の設置例を示す図である。図９の洗浄処理ユニットＳＤ１においては、洗浄ブラシ５３１が鉛直軸に対して傾斜するように設けられている。洗浄ブラシ５３１の傾斜角は、下ベベル洗浄面５３１ｃが水平面に平行になるように設定される。
図１０は、図９の洗浄処理ユニットＳＤ１における基板Ｗのベベル部Ｒの洗浄処理について説明するための図である。図１０に示すように、この洗浄処理ユニットＳＤ１では、洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃによって基板Ｗの下面の周縁領域を洗浄することができる。それにより、基板Ｗの下面の周縁領域に付着する汚染物をより確実に取り除くことができる。
また、基板Ｗの下ベベル領域Ｃに洗浄ブラシ５３１の端面洗浄面５３１ｂを接触させることにより、基板Ｗの下ベベル領域Ｃを洗浄することができる。さらに、基板Ｗの端面領域Ｂに洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａを接触させることにより、基板Ｗの端面領域Ｂを洗浄することができる。
なお、洗浄ブラシ５３１の傾斜角を任意に制御可能な構成としてもよい。その場合、図８に示したように洗浄ブラシ５３１を直立姿勢とした状態で基板Ｗのベベル部Ｒの上ベベル領域Ａ、下ベベル領域Ｃおよび端面領域Ｂを洗浄することができる。さらに、図１０に示したように洗浄ブラシ５３１を傾斜させることにより、基板Ｗの下面の周縁領域を洗浄することができる。
（３―ｂ）ベベル洗浄部の他の例
図１１は、ベベル洗浄部５３０の他の例を示す図である。図１１のベベル洗浄部５３０が図５に示したベベル洗浄部５３０と異なる点は、洗浄ブラシ５３１の代わりに洗浄ブラシ５４０を備える点である。
洗浄ブラシ５４０が図５の洗浄ブラシ５３１と異なるのは以下の点である。洗浄ブラシ５４０の下部には、外方に突出するように下面洗浄部５４１が形成されている。下面洗浄部５４１の上面（以下、下面洗浄面と呼ぶ）５４１ａは、下ベベル洗浄面５３１ｃの下端から水平面に沿って外方に延びている。
この洗浄ブラシ５４０を用いた場合には、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃに加えて、下面洗浄面５４１ａによって基板Ｗの裏面の周縁領域を洗浄することができる。
（３−ｃ）ベベル洗浄部のさらに他の例
図１２は、ベベル洗浄部５３０のさらに他の例を示す図である。図１２のベベル洗浄部５３０においては、保持部材５３３の下面に、裏面洗浄ブラシ５４５が取り付けられている。
このベベル洗浄部５３０では、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、下ベベル領域Ｃおよび端面領域Ｂに加えて、裏面洗浄ブラシ５４５によって基板Ｗの裏面全域を洗浄することができる。具体的には、まず、図８に示したように、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、下ベベル領域Ｃおよび端面領域Ｂが洗浄ブラシ５３１によって洗浄される。そして、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られて基板Ｗが乾燥された後、第６のセンターロボットＣＲ６（図４）により洗浄処理ユニットＳＤ１から基板Ｗが一旦搬出される。
次いで、その基板Ｗが反転ユニットＲＴ（図４）に搬入される。反転ユニットにおいて、基板Ｗの表面と裏面とが反転される。すなわち、基板Ｗの裏面が上方に向けられる。その基板Ｗが、再度洗浄処理ユニットＳＤ１に搬入される。再度洗浄処理ユニットＳＤ１に搬入された基板Ｗは、裏面が上方に向けられた状態でスピンチャック５２１により保持される。
その状態で、基板Ｗが回転されるとともに上面ノズル５２５から洗浄液が供給される。そして、ベベル洗浄部５３０の裏面洗浄ブラシ５４５が基板Ｗの裏面に接触する状態で基板Ｗの中心部から周縁部にかけて走査する。それにより、裏面洗浄ブラシ５４５によって基板Ｗの裏面の全域が洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物がより確実に取り除かれる。
なお、ブラシ回転駆動機構５３４によって裏面洗浄ブラシ５４５が洗浄ブラシ５３１と一体的に回転駆動される構成としてもよい。また、本例では、基板Ｗのベベル部Ｒを洗浄した後に基板Ｗの裏面を洗浄するが、基板Ｗの裏面を洗浄した後に基板Ｗのベベル部Ｒを洗浄してもよい。
また、図１２のベベル洗浄部５３０を用いる場合には、真空吸着式のスピンチャック５２１の代わりに、例えば基板Ｗのベベル部Ｒを複数の保持ピンによって保持し、これら複数の保持ピンの各々を鉛直軸周りに回転させることにより基板Ｗを回転させることが可能なスピンチャックを用いることが好ましい。この場合、基板Ｗの表面に形成された膜を損傷することなく、裏面が上方に向けられた状態で基板Ｗを回転させることができる。
（３−ｄ）ベベル洗浄部の参考例
ベベル洗浄部５３０の代わりに、図１３に示すベベル洗浄部５６０，５７０を用いてもよい。図１３は、ベベル洗浄部５６０，５７０を備えた洗浄処理ユニットＳＤ１を示す図である。
図１３に示すように、ベベル洗浄部５６０，５７０は、それぞれ図５のベベル洗浄部５３０と同様に保持部材５３２，５３３、ブラシ回転駆動機構５３４、アーム５３５およびアーム駆動機構５３６を備える。
ベベル洗浄部５６０がベベル洗浄部５３０（図５）と異なる点は、洗浄ブラシ５３１の代わりに洗浄ブラシ５６１を備える点である。洗浄ブラシ５６１は、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａおよび端面洗浄面５３１ｂに相当する上ベベル洗浄面５６１ａおよび端面洗浄面５６１ｂを有する。
ベベル洗浄部５７０がベベル洗浄部５３０と異なる点は、洗浄ブラシ５３１の代わりに洗浄ブラシ５７１を備える点である。洗浄ブラシ５７１は、洗浄ブラシ５３１の端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃに相当する端面洗浄面５７１ｂおよび下ベベル洗浄面５７１ｃを有する。
基板Ｗの洗浄処理時には、洗浄ブラシ５６１，５７１がブラシ回転駆動機構５３４およびアーム駆動機構５３６によってそれぞれ個別に駆動される。
図１４および図１５は、ベベル洗浄部５６０，５７０の洗浄ブラシ５６１，５７１による基板Ｗのベベル部Ｒの洗浄処理について説明するための図である。図１４（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５６１の上ベベル洗浄面５６１ａが基板Ｗの上ベベル領域Ａに接触するとともに洗浄ブラシ５７１の下ベベル洗浄面５７１ｃが基板Ｗの下ベベル領域Ｃに接触することにより、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃが洗浄される。
また、図１４（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５６１の端面洗浄面５６１ｂおよび洗浄ブラシ５７１の端面洗浄面５７１ｂが基板Ｗの端面領域Ｂに接触することにより、基板Ｗの端面領域Ｂが洗浄される。
このように、ベベル洗浄部５６０，５７０を用いた場合には、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃを同時に洗浄することができる。そのため、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃを順に洗浄する場合に比べて、洗浄時間を短縮することができる。
また、図１５に示すように、洗浄ブラシ５６１の上ベベル洗浄面５６１ａ、洗浄ブラシ５７１の下ベベル洗浄面５７１ｃおよび洗浄ブラシ５６１，５７１の端面洗浄面５６１ｂ，５７１ｂを基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃに同時に接触させてもよい。この場合、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃを同時に洗浄することができる。
（４）実施の形態の効果
（４−１）基板のベベル部の洗浄による効果
上記実施の形態では、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、洗浄処理ユニットＳＤ１において露光処理前の基板Ｗのベベル部Ｒが洗浄される。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒの汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
（４−２）基板の表面の洗浄による効果
露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、洗浄処理ユニットＳＤ１において露光処理前の基板Ｗの表面が洗浄される。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。
（４−３）露光処理後の基板の乾燥処理による効果
インターフェースブロック１５の乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。
また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。
また、乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
（４−４）レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
（４−５）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
（４−６）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
（４−７）載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。
上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。
特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。
（５）他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄処理ユニットＳＤ１において、洗浄液として純水を用いるが、純水の代わりに界面活性剤、溶剤またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のアルコール薬液を用いてもよい。この場合、化学的洗浄によってより高い洗浄効果を得ることができる。
また、ベベル洗浄部５３０，５６０，５７０を乾燥処理ユニットＳＤ２に設けてもよい。この場合、乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗのベベル部Ｒが洗浄された後、基板Ｗが乾燥される。露光処理後の基板Ｗのベベル部Ｒが洗浄されることにより、現像処理ブロック１２において基板Ｗのベベル部Ｒが十分に清浄な状態で現像処理を行うことができる。それにより、ベベル部Ｒの汚染に起因する現像性能の低下を確実に防止することができる。
また、洗浄処理ユニットＳＤ１または乾燥処理ユニットＳＤ２がインターフェースブロック１５以外のブロックに設けられてもよい。
また、洗浄処理ユニットＳＤ１、乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、ベベル研磨ユニットＢＰ、基板洗浄ユニットＷＣ、現像処理ユニットＤＥＶ、反転ユニットＲＴ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。
（６）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、洗浄処理ユニットＳＤ１または乾燥処理ユニットＳＤ２が基板洗浄装置の例である。
また、スピンチャック５２１およびチャック回転駆動機構５２２が基板回転保持手段の例であり、ブラシ回転駆動機構５３４がブラシ回転手段の例であり、洗浄ブラシ５３１，５４０が洗浄ブラシまたは端部洗浄ブラシの例であり、アーム駆動機構５３６が駆動機構の例である。上ベベル洗浄面５３１ａが請求項３における第４の洗浄面の例でありかつ請求項４，５，９における第１の洗浄面の例である。端面洗浄面５３１ｂが請求項２における第３の洗浄面の例でありかつ請求項４，５，９における第２の洗浄面の例である。下ベベル洗浄面５３１ｃが請求項１，２，３，８における第１の洗浄面の例でありかつ請求項４，５，９における第３の洗浄面の例である。下面洗浄面５４１ａが請求項１，２，３，８における第２の洗浄面の例である。
また、反転ユニットＲＴが反転装置の例であり、裏面洗浄ブラシ５４５が面洗浄ブラシの例であり、洗浄ブラシ５６１が第１の洗浄ブラシの例であり、洗浄ブラシ５７１が第２の洗浄ブラシの例であり、上ベベル洗浄面５６１ａが第１の洗浄ブラシの第１の洗浄面の例であり、下ベベル洗浄面５７１ｃが第２の洗浄ブラシの第２の洗浄面の例であり、端面洗浄面５６１ｂ，５７１ｂが第１および第２の洗浄ブラシの第３の洗浄面の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。 基板のベベル部の詳細を示す図である。 基板および洗浄ブラシの回転方向を示す平面図である。 基板と洗浄ブラシとの接触状態を示す図である。 洗浄ブラシの他の設置例を示す図である。 図９の洗浄処理ユニットにおける基板のベベル部の洗浄処理について説明するための図である。 ベベル洗浄部の他の例を示す図である。 ベベル洗浄部のさらに他の例を示す図である。 さらに他の例に係るベベル洗浄部を備えた洗浄処理ユニットを示す図である。 図１３のベベル洗浄部の洗浄ブラシによる基板のベベル部の洗浄処理について説明するための図である。 図１３のベベル洗浄部の洗浄ブラシによる基板のベベル部の洗浄処理について説明するための図である。
符号の説明
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
５００ 基板処理装置
５２１ スピンチャック
５２２ チャック回転駆動機構
５３０，５６０，５７０ ベベル洗浄部
５３１，５４０，５６１ 洗浄ブラシ
５３１ａ，５６１ａ 上ベベル洗浄面
５３１ｂ，５６１ｂ，５７１ｂ 端面洗浄面
５３１ｃ，５７１ｃ 下ベベル洗浄面
５４１ａ 下面洗浄面
５３４ ブラシ回転駆動機構
５４５ 裏面洗浄ブラシ
ＳＤ１ 洗浄処理ユニット
ＳＤ２ 乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (11)

  1. 液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板の一面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
    前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、
    前記基板洗浄装置は、
    基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
    前記基板回転保持手段に保持された基板に接触可能に設けられた洗浄ブラシと、
    前記洗浄ブラシを移動させる駆動機構と、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の前記一面に略垂直な方向の回転軸の周りで前記洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、
    前記洗浄ブラシは、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能な第１の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の前記他面の周縁部に接触可能な円環平面状の第２の洗浄面とを有し、
    前記第１および第２の洗浄面は前記回転軸を中心として一体的に設けられ、
    前記駆動機構は、前記洗浄ブラシが基板の前記一面、前記一面側のベベル領域および端面領域に接触せず、前記洗浄ブラシの前記第１および第２の洗浄面が基板の前記他面側のベベル領域および前記他面の周縁部に同時に接触する位置に前記洗浄ブラシを移動させることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記洗浄ブラシは、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記端面領域に接触可能な円柱状の第３の洗浄面をさらに有し、
    前記第３の洗浄面は、前記回転軸を中心として前記第１および第２の洗浄面に一体的に設けられることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記洗浄ブラシは、前記基板回転保持手段により保持される基板の前記一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第４の洗浄面をさらに有し、
    前記第４の洗浄面は、前記回転軸を中心として前記第１および第２の洗浄面に一体的に設けられることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
    露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置と、
    基板の前記一面と前記他面とを反転させる反転装置とを備え、
    前記基板洗浄装置は、
    基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシと、
    前記端部洗浄ブラシと一体的に設けられ、前記反転装置による反転後に前記基板回転保持手段に保持された基板の前記他面に接触可能な面洗浄ブラシと、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に略垂直な方向の回転軸の周りで前記端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、
    前記端部洗浄ブラシは、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能な円柱状の第２の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第３の洗浄面とを有し、
    前記第１、第２および第３の洗浄面は前記回転軸を中心として一体的に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  5. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、露光処理前の基板を洗浄する基板洗浄装置を備え、
    前記基板洗浄装置は、
    基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシと、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に対して傾斜する方向の回転軸の周りで前記端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、
    前記端部洗浄ブラシは、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能な円柱状の第２の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の一面の周縁部に接触可能なテーパ状の第３の洗浄面とを有し、
    前記第１、第２および第３の洗浄面は前記回転軸を中心として一体的に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  6. 前記基板洗浄装置は、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の一面に洗浄液を供給する第１の洗浄液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 前記基板洗浄装置は、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の他面に洗浄液を供給する第２の洗浄液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
    前記基板回転保持手段に保持された基板に接触可能に設けられた洗浄ブラシと、
    前記洗浄ブラシを移動させる駆動機構と、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の一面に略垂直な方向の回転軸の周りで前記洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、
    前記洗浄ブラシは、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の他面側のベベル領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の前記他面の周縁部に接触可能な円環平面状の第２の洗浄面とを有し、
    前記第１および第２の洗浄面は前記回転軸を中心として一体的に設けられ、
    前記駆動機構は、前記洗浄ブラシが基板の前記一面、前記一面側のベベル領域および端面領域に接触せず、前記洗浄ブラシの前記第１および第２の洗浄面が基板の前記他面側のベベル領域および前記他面の周縁部に同時に接触する位置に前記洗浄ブラシを移動させることを特徴とする基板洗浄装置。
  9. 基板を保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の端部に接触可能に設けられた端部洗浄ブラシと、
    前記基板回転保持手段に保持された基板の表面に対して傾斜する方向の回転軸の周りで前記端部洗浄ブラシを回転させるブラシ回転手段とを含み、
    前記端部洗浄ブラシは、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の端面領域に接触可能なテーパ状の第１の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の一面側のベベル領域に接触可能な円柱状の第２の洗浄面と、
    前記基板回転保持手段により保持される基板の一面の周縁部に接触可能なテーパ状の第３の洗浄面とを有し、
    前記第１、第２および第３の洗浄面は前記回転軸を中心として一体的に設けられることを特徴とする基板洗浄装置。
  10. 前記基板回転保持手段により保持される基板の一面に洗浄液を供給する第１の洗浄液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項８または９記載の基板洗浄装置。
  11. 前記基板回転保持手段により保持される基板の他面に洗浄液を供給する第２の洗浄液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の基板洗浄装置。
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TW097126032A TWI421926B (zh) 2007-07-26 2008-07-10 基板洗淨裝置及具備其之基板處理裝置
US12/179,559 US8286293B2 (en) 2007-07-26 2008-07-24 Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
CN2008101443196A CN101355019B (zh) 2007-07-26 2008-07-25 基板清洗装置及具有该基板清洗装置的基板处理装置

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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011205004A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20110296634A1 (en) * 2010-06-02 2011-12-08 Jingdong Jia Wafer side edge cleaning apparatus
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置
US20130111678A1 (en) * 2011-11-08 2013-05-09 Applied Materials, Inc. Brush box module for chemical mechanical polishing cleaner
US9939529B2 (en) 2012-08-27 2018-04-10 Aktiebolaget Electrolux Robot positioning system
US20140083456A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Corning Incorporated Method and apparatus for substrate edge cleaning
KR20150141979A (ko) 2013-04-15 2015-12-21 악티에볼라겟 엘렉트로룩스 돌출 측부 브러시를 구비하는 로봇 진공 청소기
WO2014169943A1 (en) 2013-04-15 2014-10-23 Aktiebolaget Electrolux Robotic vacuum cleaner
US9478444B2 (en) * 2013-07-23 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for cleaning wafer and scrubber
JP6064831B2 (ja) * 2013-08-08 2017-01-25 三菱電機株式会社 試験装置、試験方法
WO2015090399A1 (en) 2013-12-19 2015-06-25 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device and method for landmark recognition
KR102116596B1 (ko) 2013-12-19 2020-05-28 에이비 엘렉트로룩스 나선형 패턴으로 이동하는 사이드 브러시를 구비한 로봇 진공 청소기
EP3084538B1 (en) 2013-12-19 2017-11-01 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device with perimeter recording function
JP6494118B2 (ja) 2013-12-19 2019-04-03 アクチエボラゲット エレクトロルックス 障害物の乗り上げの検出に伴うロボット掃除機の制御方法、並びに、当該方法を有するロボット掃除機、プログラム、及びコンピュータ製品
EP3084540B1 (en) 2013-12-19 2021-04-14 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device and operating method
CN105744872B (zh) 2013-12-19 2020-01-14 伊莱克斯公司 旋转侧刷的自适应速度控制
EP3084539B1 (en) 2013-12-19 2019-02-20 Aktiebolaget Electrolux Prioritizing cleaning areas
CN105848545B (zh) 2013-12-20 2019-02-19 伊莱克斯公司 灰尘容器
WO2016005012A1 (en) 2014-07-10 2016-01-14 Aktiebolaget Electrolux Method for detecting a measurement error in a robotic cleaning device
KR102271782B1 (ko) 2014-09-08 2021-06-30 에이비 엘렉트로룩스 로봇 진공 청소기
EP3190939B1 (en) 2014-09-08 2021-07-21 Aktiebolaget Electrolux Robotic vacuum cleaner
CN106998980B (zh) 2014-12-10 2021-12-17 伊莱克斯公司 使用激光传感器检测地板类型
WO2016091320A1 (en) 2014-12-12 2016-06-16 Aktiebolaget Electrolux Side brush and robotic cleaner
KR102339531B1 (ko) 2014-12-16 2021-12-16 에이비 엘렉트로룩스 로봇 청소 장치를 위한 경험-기반의 로드맵
US10678251B2 (en) 2014-12-16 2020-06-09 Aktiebolaget Electrolux Cleaning method for a robotic cleaning device
JP6027640B2 (ja) * 2015-02-25 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
EP3282912B1 (en) 2015-04-17 2020-06-10 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device and a method of controlling the robotic cleaning device
JP6461748B2 (ja) * 2015-08-25 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
EP3344104B1 (en) 2015-09-03 2020-12-30 Aktiebolaget Electrolux System of robotic cleaning devices
KR102588486B1 (ko) 2016-03-15 2023-10-11 에이비 엘렉트로룩스 로봇 청소 장치 및 로봇 청소 장치에서의 절벽 검출 실시 방법
WO2017194102A1 (en) 2016-05-11 2017-11-16 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device
WO2018051825A1 (ja) 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6740066B2 (ja) 2016-09-13 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法
JP7023065B2 (ja) * 2016-09-13 2022-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11474533B2 (en) 2017-06-02 2022-10-18 Aktiebolaget Electrolux Method of detecting a difference in level of a surface in front of a robotic cleaning device
US11921517B2 (en) 2017-09-26 2024-03-05 Aktiebolaget Electrolux Controlling movement of a robotic cleaning device
JP7195841B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN211957594U (zh) * 2020-05-29 2020-11-17 北京鲁汶半导体科技有限公司 一种离子束刻蚀旋转平台
CN112051679A (zh) * 2020-10-15 2020-12-08 深圳市金晓时代科技有限公司 一种液晶显示屏的制程设备及其制程工艺
JP2023142161A (ja) * 2022-03-24 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP2024016703A (ja) * 2022-07-26 2024-02-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TWI806788B (zh) * 2022-10-11 2023-06-21 邱俊榮 光罩清潔設備、光罩翻轉機構及光罩清潔方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3030796B2 (ja) 1992-07-24 2000-04-10 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法
JPH11625A (ja) 1997-06-13 1999-01-06 Mitsubishi Materials Corp ウェーハの洗浄装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP4040759B2 (ja) * 1998-07-29 2008-01-30 芝浦メカトロニクス株式会社 洗浄装置
KR100338765B1 (ko) * 1999-09-27 2002-05-30 윤종용 웨이퍼 세정장치
JP4323041B2 (ja) * 1999-12-21 2009-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の洗浄処理装置
US6550091B1 (en) * 2000-10-04 2003-04-22 Lam Research Corporation Double-sided wafer edge scrubbing apparatus and method for using the same
US20030029479A1 (en) * 2001-08-08 2003-02-13 Dainippon Screen Mfg. Co, Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
JP2003151943A (ja) * 2001-11-19 2003-05-23 Speedfam Clean System Co Ltd スクラブ洗浄装置
JP2003197592A (ja) 2001-12-27 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端面洗浄装置および基板処理装置
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7306002B2 (en) * 2003-01-04 2007-12-11 Yong Bae Kim System and method for wet cleaning a semiconductor wafer
US20050172430A1 (en) * 2003-10-28 2005-08-11 Joseph Yudovsky Wafer edge cleaning
KR100795622B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4522329B2 (ja) * 2005-06-24 2010-08-11 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7766565B2 (en) * 2005-07-01 2010-08-03 Sokudo Co., Ltd. Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
JP2007012998A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理システム
JP4486003B2 (ja) * 2005-07-07 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄ブラシ、ならびにこれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100892809B1 (ko) * 2006-03-30 2009-04-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2007273611A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Sony Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP4719051B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 ソニー株式会社 基板処理装置および基板処理方法
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