TWI421926B - 基板洗淨裝置及具備其之基板處理裝置 - Google Patents

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TWI421926B
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Nishiyama Koji
Nishimura Joichi
Yoshii Hiroshi
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Sokudo Co Ltd
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description

基板洗淨裝置及具備其之基板處理裝置
本發明關於一種將基板洗淨的基板洗淨裝置及具備其之基板處理裝置。
為對諸如半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等各種基板施行各種處理，而使用一種基板處理裝置。
此種基板處理裝置中，一般對一片基板連續施行複數不同的處理。日本專利特開2003-324139號公報所揭示的基板處理裝置，由載入機區、反射防止膜用處理區、阻劑膜用處理區、顯影處理區及介面區構成。依鄰接介面區之方式，配置基板處理裝置外另行設置之外部裝置的曝光裝置。
上述基板處理裝置中，從載入機區搬入的基板，在反射防止膜用處理區及阻劑膜用處理區中施行反射防止膜形成及阻劑膜之塗佈處理後，經由介面區而搬送入於曝光裝置中。在曝光裝置中，對基板上的阻劑膜施行曝光處理後，基板經由介面區搬送入於顯影處理區中。在顯影處理區中，藉由對基板上的阻劑膜施行顯影處理，而形成阻劑圖案後，基板被搬送入載入機區中。
近年，隨裝置的高密度化及高積體化，阻劑圖案的細微化已成為重要課題。習知一般曝光裝置中，藉由將光柵圖案經由投影透鏡而縮小投影於基板上並施行曝光處理。但是，此種習知曝光裝置中，曝光圖案的線寬係依曝光裝置的光源波長而定，因而阻劑圖案的細微化有極限。
所以，可將曝光圖案更進一步細微化的投影曝光方法，有提案液浸法(例如參照國際公開第99/49504號公報)。在國際公開第99/49504號公報所揭示投影曝光裝置中，在投影光學系統與基板間充滿液體，可將基板表面的曝光光短波長化。藉此，可將曝光圖案更進一步細微化。
但是，上述國際公開第99/49504號公報的投影曝光裝置中，在基板與液體相接觸狀態下施行曝光處理，因而當在曝光處理前基板上有附著污染物質，該污染物質便混入液體中。
曝光處理前，雖對基板施行各種成膜處理，但在該成膜處理過程中，基板端部將有遭受污染的情況。如此，若在基板端部遭受污染的狀態下施行基板的曝光處理，曝光裝置的透鏡便遭受污染，有發生曝光圖案尺寸不良與形狀不良的可能性。
本發明之目的在於提供一種可對基板端部的必要部分充分潔淨的基板洗淨裝置及具備其之基板處理裝置。
根據本發明一態樣的基板處理裝置，係依鄰接曝光裝置之方式配置的基板處理裝置；其具備有處理部與交接部；該處理部係對基板施行處理；該交接部係依鄰接處理部一端部之方式設置，在處理部與曝光裝置之間進行基板交接；而處理部及交接部至少一者係具備有將曝光處理前的基板洗淨之基板洗淨裝置；基板洗淨裝置係包括有：基板旋轉保持裝置、端部洗淨刷、及刷子旋轉機構，該基板旋轉保持裝置保持基板並使其旋轉；該端部洗淨刷設置成可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端部；該刷子旋轉機構使端部洗淨刷圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持之基板一面的方向旋轉軸旋轉；端部洗淨刷係具備有：推拔狀第1洗淨面、圓柱狀第2洗淨面、及推拔狀第3洗淨面，該第1洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置保持的基板一面側之斜面區域；該第2洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端面區域；該第3洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域；第1、第2及第3洗淨面以旋轉軸為中心一體設置。
該基板處理裝置係在處理部中對基板施行既定處理，利用交接部，將該基板從處理部對曝光裝置進行交接。在曝光裝置中對基板施行曝光處理後，經曝光處理後的基板便由交接部從曝光裝置送返回處理部中。在曝光裝置施行之曝光處理前或曝光處理後，由基板洗淨裝置對基板施行洗淨。
基板洗淨裝置中，利用基板旋轉保持裝置保持基板並進行旋轉。此外，端部洗淨刷由刷子旋轉機構圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持基板一面的方向之旋轉軸旋轉。此狀態下，端部洗淨刷將接觸到基板端部。
端部洗淨刷的第1洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板一面側的斜面區域，將基板一面側的斜面區域施行洗淨。此外，端部洗淨刷的第2洗淨面，係藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端面區域，而對基板的端面區域施行洗淨。更進一步，端部洗淨刷的第3洗淨面係藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域，而對基板另一面側之斜面區域施行洗淨。
藉此，可將在基板一面側的斜面區域、端面區域及另一面側的斜面區域上所附著的污染物充分除去。因而，當將曝光處理前的基板洗淨時，可確實防止因基板端部遭受污染所導致曝光裝置內遭受污染的狀況發生，可防止曝光圖案發生尺寸不良與形狀不良狀況。此外，當將經曝光處理後的基板洗淨時，基板端部便可在充分潔淨狀態下顯影處理。由此可防止因基板端部遭受污染所造成的顯影性能降低情況發生。
端部洗淨刷亦可更進一步具有可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板另一面周緣部的圓環平面狀第4洗淨面；第4洗淨面係以旋轉軸為中心與第1、第2及第3洗淨面一體設置。
此情況，藉由端部洗淨刷的第4洗淨面接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板另一面周緣部，基板另一面的周緣部便被洗淨。藉此，可將基板另一面周緣部上所附著的污染物充分除去。
亦可處理部或交接部至少一者係包括有：將基板一面與另一面翻轉的翻轉裝置；基板洗淨裝置係更進一步具備有與端部洗淨刷一體設置，且可接觸到經翻轉裝置翻轉後由基板旋轉保持裝置所保持基板另一面的表面洗淨刷。
此情況，經翻轉裝置將基板一面與另一面翻轉後，藉由表面洗淨刷接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板另一面，將基板另一面施行洗淨。藉此可將基板另一面上所附著的污染物充分除去。
根據本發明另一態樣的基板處理裝置，係依鄰接曝光裝置之方式配置的基板處理裝置，具備有處理部與交接部；該處理部係對基板施行處理；該交接部係依鄰接處理部一端部之方式設置，在處理部與曝光裝置間施行基板交接；而處理部或交接部至少一者具備有將曝光處理前的基板施行洗淨之基板洗淨裝置；基板洗淨裝置係包括有：基板旋轉保持裝置、端部洗淨刷、及刷子旋轉機構，該基板旋轉保持裝置係在保持基板並使其旋轉；該端部洗淨刷係設置成可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端部；該刷子旋轉機構係使端部洗淨刷圍繞相對由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面傾斜之方向的旋轉軸旋轉；端部洗淨刷係具備有：推拔狀第1洗淨面、圓柱狀第2洗淨面、及推拔狀第3洗淨面，該第1洗淨面係可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板的端面區域；該第2洗淨面係接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板一面側的斜面區域；該第3洗淨面係可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板一面周緣部；第1、第2及第3洗淨面以旋轉軸為中心一體設置。
該基板處理裝置係在處理部中對基板施行既定處理，利用交接部將該基板從處理部對曝光裝置進行交接。在曝光裝置中對基板施行曝光處理後，經曝光處理後的基板便利用交接部從曝光裝置送返回處理部中。在經曝光裝置曝光處理前或曝光處理後，利用基板洗淨裝置對基板施行洗淨。
在基板洗淨裝置中，利用基板旋轉保持裝置保持基板並進行旋轉。此外，端部洗淨刷由刷子旋轉機構圍繞相對由基板旋轉保持裝置所保持基板一面傾斜之方向的旋轉軸旋轉。此狀態下，端部洗淨刷接觸到基板端部。
端部洗淨刷的第1洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端面區域，將基板端面區域施行洗淨。此外，端部洗淨刷的第2洗淨面，藉由接觸到基板一面側的斜面區域，而對基板一面側的斜面區域施行洗淨。此外，端部洗淨刷的第3洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之周緣部，而對基板一面的周緣部施行洗淨。
藉此，可將基板端面區域、一面側的斜面區域、及基板一面的周緣部上所附著的污染物充分除去。因而，當將曝光處理前的基板洗淨時，便可確實防止因基板端部遭受污染所導致曝光裝置內遭受污染的狀況發生，可防止曝光圖案發生尺寸不良與形狀不良狀況。此外，當將經曝光處理後的基板施行洗淨時，基板端部可在充分潔淨狀態下顯影處理。藉此便可防止因基板端部遭受污染所造成的顯影性能降低情況發生。
根據本發明再另一態樣的基板處理裝置，係依鄰接曝光裝置之方式配置的基板處理裝置；其具備有處理部與交接部；該處理部係對基板施行處理；該交接部係依鄰接處理部一端部之方式設置，在處理部與曝光裝置之間施行基板交接；而處理部或交接部至少一者具備有將曝光處理前的基板洗淨之基板洗淨裝置；基板洗淨裝置包括有：基板旋轉保持裝置、第1及第2洗淨刷、及第1及第2刷子旋轉機構，該基板旋轉保持裝置係保持基板並使其旋轉；該第1及第2洗淨刷係設置成可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端部；該第1及第2刷子旋轉機構係使第1及第2洗淨刷圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸旋轉；第1洗淨刷具備有可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域的推拔狀第1洗淨面；第2洗淨刷具備有可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板另一面側之斜面區域的推拔狀第2洗淨面。
該基板處理裝置係在處理部中對基板施行既定處理，由交接部將該基板將從處理部對曝光裝置進行交接。在曝光裝置中對基板施行曝光處理後，經曝光處理後的基板便由交接部從曝光裝置送返回處理部中。在經曝光裝置施行曝光處理前或曝光處理後，由基板洗淨裝置對基板施行洗淨。
基板洗淨裝置中，利用基板旋轉保持裝置保持基板並進行旋轉。此外，第1洗淨刷由第1刷子旋轉機構圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸進行旋轉，同時第2洗淨刷由第2刷子旋轉機構進行旋轉。此狀態下，第1及第2洗淨刷接觸到基板端部。
第1洗淨刷的第1洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持基板一面側的斜面區域，將基板一面側的斜面區域施行洗淨。此外，第2洗淨刷的第2洗淨面，藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域，而對基板另一面側的斜面區域施行洗淨。
此情況，可同時將基板一面側的斜面區域、與另一面側的斜面區域施行洗淨，可將基板一面側及另一面側的斜面區域上所附著污染物迅速且充分地除去。因而，當將曝光處理前的基板施行洗淨時，可確實防止因基板端部遭受污染所導致曝光裝置內遭受污染的狀況發生，便可防止曝光圖案發生尺寸不良與形狀不良狀況。此外，當將經曝光處理後的基板施行洗淨時，基板端部便可在充分潔淨狀態下顯影處理。藉此，可防止因基板端部遭受污染所造成的顯影性能降低情況發生。
第1及第2洗淨刷至少一者亦可更進一步具有可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端面區域的圓柱狀第3洗淨面；第3洗淨面以旋轉軸為中心與第1或第2洗淨面一體設置。
此情況下，使第3洗淨面接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端面區域，可將基板端面區域洗淨。藉此，便可將基板端面區域上所附著的污染物充分除去。
基板洗淨裝置亦可更進一步含有對由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面供應洗淨液的第1洗淨液供應部。
此情況下，利用洗淨液將基板一面施行洗淨。此外，藉由隨基板旋轉所產生的離心力，使洗淨液經基板一面而導引於基板端部。藉此，可更有效地將基板端部洗淨。
基板洗淨裝置亦可更進一步包括有對由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面供應洗淨液的第2洗淨液供應部。
此情況下，利用洗淨液將基板另一面施行洗淨。此外，藉由隨基板旋轉所產生的離心力，使洗淨液經基板另一面而導引於基板端部。藉此，可更有效地將基板端部洗淨。
根據本發明再另一態樣的基板洗淨裝置，係包括有：基板旋轉保持裝置、洗淨刷、及刷子旋轉機構，而該基板旋轉保持裝置保持基板並使其旋轉；該洗淨刷設置成可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端部；該刷子旋轉機構係使洗淨刷圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸旋轉；洗淨刷係具備有：推拔狀第1洗淨面、圓柱狀第2洗淨面、推拔狀第3洗淨面、及圓環平面狀第4洗淨面，該第1洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域；該第2洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端面區域；該第3洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域；該第4洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面之周緣部；第1、第2、第3、及第4洗淨面以旋轉軸為中心一體設置。
在該基板洗淨裝置中，利用基板旋轉保持裝置保持基板並進行旋轉。此外，端部洗淨刷由刷子旋轉機構圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸旋轉。此狀態下，端部洗淨刷接觸到基板端部。
端部洗淨刷的第1洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域，將基板一面側的斜面區域施行洗淨。此外，端部洗淨刷的第2洗淨面，藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端面區域，而對基板的端面區域施行洗淨。更進一步，端部洗淨刷的第3洗淨面係藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域，而對基板另一面側的斜面區域施行洗淨。又，端部洗淨刷的第4洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之另一面周緣部，而對基板另一面的周緣部施行洗淨。
藉此，可將基板一面側的斜面區域、端面區域、另一面側的斜面區域、及基板另一面的周緣部上所附著污染物充分除去。
根據本發明再另一態樣的基板洗淨裝置，係包括有：基板旋轉保持裝置、端部洗淨刷、表面洗淨刷、及刷子旋轉機構，而該基板旋轉保持裝置係保持基板並使其旋轉；該端部洗淨刷係設置成可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端部；該表面洗淨刷係與端部洗淨刷一體設置，可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面；該刷子旋轉機構係使端部洗淨刷圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸旋轉；端部洗淨刷係具備有：推拔狀第1洗淨面、圓柱狀第2洗淨面、及推拔狀第3洗淨面，該第1洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域；該第2洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端面區域；該第3洗淨面係可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域；第1、第2、及第3洗淨面以旋轉軸為中心一體設置。
在該基板洗淨裝置中，利用基板旋轉保持裝置保持基板並進行旋轉。此外，端部洗淨刷由刷子旋轉機構圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸旋轉。端部洗淨刷接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端部，表面洗淨刷接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面。
端部洗淨刷的第1洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域，而將基板一面側的斜面區域施行洗淨。此外，端部洗淨刷的第2洗淨面，藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端面區域，而對基板的端面區域施行洗淨。更進一步，端部洗淨刷的第3洗淨面係藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域，而對基板另一面側的斜面區域施行洗淨。又，表面洗淨刷藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面，而將基板一面洗淨。
藉此，可將基板一面、一面側的斜面區域、端面區域、及另一面側的斜面區域上所附著污染物充分除去。
根據本發明再另一態樣的基板洗淨裝置，係包括有：基板旋轉保持裝置、端部洗淨刷、及刷子旋轉機構，而該基板旋轉保持裝置保持基板並使其旋轉；該端部洗淨刷被設置成可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端部；該刷子旋轉機構係使端部洗淨刷，圍繞相對由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面傾斜之方向的旋轉軸旋轉；端部洗淨刷係具備有：推拔狀第1洗淨面、圓柱狀第2洗淨面、及推拔狀第3洗淨面，該第1洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端面區域；該第2洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側的斜面區域；該第3洗淨面可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之周緣部；第1、第2、及第3洗淨面以旋轉軸為中心一體設置。
在該基板洗淨裝置中，利用基板旋轉保持裝置保持基板並進行旋轉。此外，端部洗淨刷由刷子旋轉機構圍繞相對由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面傾斜之方向的旋轉軸進行旋轉。此狀態下，端部洗淨刷接觸到基板端部。
端部洗淨刷的第1洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端面區域，而將基板端面區域施行洗淨。端部洗淨刷的第2洗淨面，藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域，而對基板一面側的斜面區域施行洗淨。此外，端部洗淨刷的第3洗淨面係藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之周緣部，而對基板一面的周緣部施行洗淨。
藉此，可將基板端面區域、一面側的斜面區域、及一面的周緣部上所附著污染物充分除去。
根據本發明再另一態樣的基板洗淨裝置，係包括有：基板旋轉保持裝置、第1及第2洗淨刷、及第1及第2刷子旋轉機構，該基板旋轉保持裝置保持基板並使其旋轉；該第1及第2洗淨刷被設置成可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端部的狀態；該第1及第2刷子旋轉機構使第1及第2洗淨刷圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸旋轉；第1洗淨刷具備有可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域的推拔狀第1洗淨面；第2洗淨刷具備有可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域的推拔狀第2洗淨面；第1及第2洗淨刷至少一者更進一步具有可接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板端面區域之圓柱狀第3洗淨面；第3洗淨面以旋轉軸為中心與第1或第2洗淨面一體設置。
在該基板洗淨裝置中，利用基板旋轉保持裝置保持基板並進行旋轉。此外，第1洗淨刷由第1刷子旋轉機構圍繞略垂直於由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面之方向的旋轉軸進行旋轉，同時第2洗淨刷由第2刷子旋轉機構進行旋轉。此狀態下，第1及第2洗淨刷接觸到基板端部。
第1洗淨刷的第1洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面側之斜面區域，將基板一面側的斜面區域施行洗淨。此外，第2洗淨刷的第2洗淨面藉由接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面側之斜面區域，而對基板另一面側的斜面區域施行洗淨。
此情況，可同時將基板一面側的斜面區域、與另一面側的斜面區域施行洗淨，可將基板一面側及另一面側的斜面區域上所附著之污染物迅速且充分地除去。
再者，藉由第1及第2洗淨刷至少一者上所設置的第3洗淨面接觸到由基板旋轉保持裝置所保持的基板之端面區域，而將基板端面區域施行洗淨。所以，亦可將基板的端面區域上所附著之污染物充分地除去。此外，除基板一面側的斜面區域及另一面側的斜面區域之外，亦可同時對基板的端面區域施行洗淨。
基板洗淨裝置亦可更進一步含有對由基板旋轉保持裝置所保持的基板一面供應洗淨液的第1洗淨液供應部。
此情況下，利用洗淨液將基板之一面洗淨。此外，藉由隨基板旋轉所產生的離心力，洗淨液經基板一面上導引於基板端部。藉此，可更有效地將基板端部洗淨。
基板洗淨裝置亦可更進一步包括有對由基板旋轉保持裝置所保持的基板另一面供應洗淨液的第2洗淨液供應部。
此情況，利用洗淨液將基板另一面洗淨。此外，藉由隨基板旋轉所產生的離心力，使洗淨液經基板另一面導引於基板端部。藉此，可更有效地將基板端部洗淨。
根據本發明，可將基板端部的必要部分充分地洗淨。
以下，針對本發明實施形態的基板洗淨裝置及基板處理裝置，使用圖式進行說明。以下的說明中，所謂「基板」係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等。
(1)基板處理裝置之構造
圖1係本發明一實施形態的基板處理裝置俯視圖。另外，圖1及後述圖2~圖4中，為將位置關係明確化，便賦予表示相互正交的X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向係在水平面內相互正交，Z方向相當於鉛直方向。另外，各方向中將箭頭朝向方向設為+方向，其相反方向設為-方向。此外，將以Z方向為中心的旋轉方向設為θ方向。
如圖1所示，基板處理裝置500係包括有：載入機區9、反射防止膜用處理區10、阻劑膜用處理區11、顯影處理區12、阻劑覆蓋膜用處理區13、阻劑覆蓋膜去除區14、及介面區15。此外，依鄰接介面區15之方式配置曝光裝置16。在曝光裝置16中，依照液浸法對基板W施行曝光處理。
以下，將載入機區9、反射防止膜用處理區10、阻劑膜用處理區11、顯影處理區12、阻劑覆蓋膜用處理區13、阻劑覆蓋膜去除區14及介面區15分別稱為處理區。
載入機區9係包括有：控制各處理區動作的主控制器(控制部)30、複數載體載置台40、及載入機機器人IR。在載入機機器人IR設有用以進行基板W交接用的手部IRH。
反射防止膜用處理區10係包括有：反射防止膜用熱處理部100、101、反射防止膜用塗佈處理部50、及第1中央機器人CR1。反射防止膜用塗佈處理部50隔著第1中央機器人CR1與反射防止膜用熱處理部100、101相對向設置。在第1中央機器人CR1上下設置用以進行基板W交接用的手部CRH1、CRH2。
在載入機區9與反射防止膜用處理區10之間設有環境阻隔用隔牆17。在載入機區9與反射防止膜用處理區10間進行基板W交接用的基板載置部PASS1、PASS2上下相靠近設置在該隔牆17中。上側基板載置部PASS1在將基板W從載入機區9搬送給反射防止膜用處理區10時所使用，下側基板載置部PASS2在將基板W從反射防止膜用處理區10搬送給載入機區9時所使用。
又，在基板載置部PASS1、PASS2中設置有檢測有無基板W的光學式感測器(未圖示)。藉此，可判定在基板載置部PASS1、PASS2中是否有載置基板W。此外，在基板載置部PASS1、PASS2設有固定設置的複數個支撐銷。另外，上述光學式感測器及支撐銷，於後述基板載置部PASS3~PASS13亦同樣均有設置。
阻劑膜用處理區11係包括有：阻劑膜用熱處理部110、111、阻劑膜用塗佈處理部60、及第2中央機器人CR2。阻劑膜用塗佈處理部60隔著第2中央機器人CR2與阻劑膜用熱處理部110、111相對向設置。在第2中央機器人CR2中上下設置用以執行基板W交接用的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用處理區10與阻劑膜用處理區11間設置環境阻隔用隔牆18。在反射防止膜用處理區10與阻劑膜用處理區11間進行基板W交接用的基板載置部PASS3、PASS4上下相靠近設置在該隔牆18中。上側基板載置部PASS3在將基板W從反射防止膜用處理區10搬送給阻劑膜用處理區11時所使用，下側基板載置部PASS4在將基板W從阻劑膜用處理區11搬送給反射防止膜用處理區10時所使用。
顯影處理區12包括有：顯影用熱處理部120、121、顯影處理部70及第3中央機器人CR3。顯影處理部70隔著第3中央機器人CR3與顯影用熱處理部120、121相對向設置。在第3中央機器人CR3中上下設置用以執行基板W交接用的手部CRH5、CRH6。
在阻劑膜用處理區11與顯影處理區12間設有環境阻隔用隔牆19。阻劑膜用處理區11與顯影處理區12間進行基板W交接用的基板載置部PASS5、PASS6上下相靠近設置在該隔牆19中。上側基板載置部PASS5在將基板W從阻劑膜用處理區11搬送給顯影處理區12時所使用，下側基板載置部PASS6在將基板W從顯影處理區12搬送給阻劑膜用處理區11時所使用。
阻劑覆蓋膜用處理區13係包括有：阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131、阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80及第4中央機器人CR4。阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80隔著第4中央機器人CR4與阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131相對向設置。在第4中央機器人CR4中上下設置用以進行基板W交接用的手部CRH7、CRH8。
在顯影處理區12與阻劑覆蓋膜用處理區13間設有環境阻隔用隔牆20。在顯影處理區12與阻劑覆蓋膜用處理區13間進行基板W交接用的基板載置部PASS7、PASS8上下相靠近設置在該隔牆20中。上側基板載置部PASS7在將基板W從顯影處理區12搬送給阻劑覆蓋膜用處理區13時所使用，下側基板載置部PASS8在將基板W從阻劑覆蓋膜用處理區13搬送給顯影處理區12時所使用。
阻劑覆蓋膜去除區14包括有：曝光後烘烤用熱處理部140、141、阻劑覆蓋膜去除用處理部90、及第5中央機器人CR5。曝光後烘烤用熱處理部141鄰接介面區15，如後述設有基板載置部PASS11、PASS12。阻劑覆蓋膜去除用處理部90隔著第5中央機器人CR5與曝光後烘烤用熱處理部140、141相對向設置。在第5中央機器人CR5中上下設置用以進行基板W交接用的手部CRH9、CRH10。
在阻劑覆蓋膜用處理區13與阻劑覆蓋膜去除區14間設有環境阻隔用隔牆21。在阻劑覆蓋膜用處理區13與阻劑覆蓋膜去除區14間進行基板W交接用的基板載置部PASS9、PASS10上下相靠近設置在該隔牆21中。上側基板載置部PASS9在將基板W從阻劑覆蓋膜用處理區13搬送給阻劑覆蓋膜去除區14時所使用，下側基板載置部PASS10在將基板W從阻劑覆蓋膜去除區14搬送給阻劑覆蓋膜用處理區13時所使用。
介面區15係包括有：翻轉單元RT、洗淨處理單元SD1、第6中央機器人CR6、邊緣曝光部EEW、饋進緩衝部SBF、返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元PASS-CP(以下簡稱「P-CP」)、基板載置部PASS13、介面用搬送機構IFR及乾燥處理單元SD2。另外，洗淨處理單元SD1對曝光處理前的基板W施行洗淨處理，乾燥處理單元SD2對經曝光處理後的基板W施行乾燥處理。
再者，在第6中央機器人CR6中上下設置用以進行基板W交接用的手部CRH11、CRH12(參照圖4)，在介面用搬送機構IFR中上下設置用以進行基板W交接用的手部H1、H2(參照圖4)。關於介面區15的詳細內容，於後述。
本實施形態的基板處理裝置500中，沿Y方向依序並設：載入機區9、反射防止膜用處理區10、阻劑膜用處理區11、顯影處理區12、阻劑覆蓋膜用處理區13、阻劑覆蓋膜去除區14及介面區15。
圖2所示係圖1基板處理裝置500從+X方向觀看到的概略側視圖，圖3所示係圖1基板處理裝置500從-X方向觀看到的概略側視圖。另外，圖2主要圖示在基板處理裝置500之+X側所設置部分，圖3則主要圖示在基板處理裝置500之-X側所設置部分。
首先，使用圖2，針對基板處理裝置500之+X側的構造進行說明。如圖2所示，在反射防止膜用處理區10的反射防止膜用塗佈處理部50(參照圖1)中，上下疊層配置有3個塗佈單元BARC。各塗佈單元BARC係具備有旋轉夾具51及供應噴嘴52；該旋轉夾具51係將基板W以水平姿勢吸附保持並旋轉，該供應噴嘴52係對在旋轉夾具51上所保持的基板W供應反射防止膜的塗佈液。
在阻劑膜用處理區11的阻劑膜用塗佈處理部60(參照圖1)中，將上下疊層配置有3個塗佈單元RES。各塗佈單元RES係具備有旋轉夾具61與供應噴嘴62；該旋轉夾具61係將基板W以水平姿勢吸附保持並旋轉，該供應噴嘴62係對在旋轉夾具61上所保持的基板W供應阻劑膜的塗佈液。
在顯影處理區12的顯影處理部70中上下疊層配置有5個顯影處理單元DEV。各顯影處理單元DEV係具備有旋轉夾具71與供應噴嘴72；該旋轉夾具71係將基板W以水平姿勢吸附保持並旋轉，該供應噴嘴72係對旋轉夾具71上所保持的基板W供應顯影液。
在阻劑覆蓋膜用處理區13的阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80中上下疊層配置3個塗佈單元COV。各塗佈單元COV係具備有旋轉夾具81與供應噴嘴82；該旋轉夾具81係將基板W以水平姿勢吸附保持並旋轉，該供應噴嘴82係對旋轉夾具81上所保持的基板W供應阻劑覆蓋膜的塗佈液。作為阻劑覆蓋膜的塗佈液可使用與阻劑及水間之親和力較低的材料(與阻劑及水間之反應性較低的材料)。例如氟樹脂。塗佈單元COV藉由使基板W進行旋轉中並對基板W上塗佈塗佈液，而在基板W上所形成的阻劑膜上再形成阻劑覆蓋膜。
在阻劑覆蓋膜去除區14的阻劑覆蓋膜去除用處理部90中，上下疊層配置3個去除單元REM。各去除單元REM具備有旋轉夾具91與供應噴嘴92；該旋轉夾具91係將基板W以水平姿勢吸附保持並旋轉，該供應噴嘴92係對旋轉夾具91上所保持的基板W供應剝離液(例如氟樹脂)。去除單元REM藉由使基板W進行旋轉並對基板W上施行剝離液塗佈，而將基板W上所形成的阻劑覆蓋膜去除。
另外，去除單元REM的阻劑覆蓋膜去除方法並不僅侷限於上述例。例如亦可使狹縫噴嘴在基板W的上方移動，並對基板W上供應剝離液，藉此將阻劑覆蓋膜去除。
在介面區15內的+X側，上下疊層配置有：邊緣曝光部EEW、及3個乾燥處理單元SD2。各邊緣曝光部EEW係具備有旋轉夾具98與光照射器99；該旋轉夾具98係將基板W以水平姿勢吸附保持並旋轉，該光照射器99係對旋轉夾具98上所保持的基板W周緣施行曝光。
其次，使用圖3，針對基板處理裝置500的-X側構造進行說明。如圖3所示，在反射防止膜用處理區10的反射防止膜用熱處理部100、101中，分別疊層配置2個加熱單元(加熱板)HP及2個冷卻單元(冷卻板)CP。此外，在反射防止膜用熱處理部100、101最上端分別配置對加熱單元HP及冷卻單元CP的溫度進行控制之現場控制器LC。
在阻劑膜用處理區11的阻劑膜用熱處理部110、111中，分別疊層配置2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP。此外，在阻劑膜用熱處理部110、111中最上端分別配置對加熱單元HP及冷卻單元CP的溫度進行控制之現場控制器LC。
在顯影處理區12的顯影用熱處理部120、121中，分別疊層配置2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP。此外，在顯影用熱處理部120、121最上端分別配置對加熱單元HP及冷卻單元CP的溫度進行控制之現場控制器LC。
在阻劑覆蓋膜用處理區13的阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131，分別疊層配置2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP。此外，在阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131最上端分別配置對加熱單元HP及冷卻單元CP的溫度進行控制之現場控制器LC。
在阻劑覆蓋膜去除區14的曝光後烘烤用熱處理部140中，上下疊層配置2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP，在曝光後烘烤用熱處理部141中，上下疊層配置2個加熱單元HP、2個冷卻單元CP及基板載置部PASS11、PASS12。此外，在曝光後烘烤用熱處理部140、141最上端分別配置對加熱單元HP及冷卻單元CP的溫度進行控制之現場控制器LC。
其次，使用圖4，針對介面區15進行詳細說明。圖4所示係介面區15從+Y側所觀看到的概略側視圖。如圖4所示，在介面區15內，於-X側疊層配置翻轉單元RT、及3個洗淨處理單元SD1。此外，在介面區15內，於+X側的上端配置邊緣曝光部EEW。
在邊緣曝光部EEW的下方，於介面區15內的略中央部位處，上下疊層配置：饋進緩衝部SBF、返回緩衝部RBF、2個載置兼冷卻單元P-CP、及基板載置部PASS13。在邊緣曝光部EEW的下方，於介面區15內的+X側上下疊層配置3個乾燥處理單元SD2。
再者，在介面區15內的下半部設置有第6中央機器人CR6及介面用搬送機構IFR。第6中央機器人CR6係在：翻轉單元RT及洗淨處理單元SD1、與邊緣曝光部EEW、饋進緩衝部SBF、返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS13之間，可上下移動且可轉動地設置。介面用搬送機構IFR係在載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS13、與乾燥處理單元SD2間，可上下移動且可旋轉地設置。
(2)基板處理裝置之動作
其次，針對本實施形態的基板處理裝置500之動作，參照圖1~圖4進行說明。
(2-1)載入機區~阻劑覆蓋膜去除區之動作
首先，針對載入機區9~阻劑覆蓋膜去除區14的動作進行簡單說明。
在載入機區9的載體載置台40上，搬入多層收納複數片基板W的載體C。載入機機器人IR便使用手部IRH，將載體C內所收納的未處理基板W取出。然後，載入機機器人IR朝±X方向進行移動，並朝±θ方向進行旋轉移動，而將未處理基板W載置於基板載置部PASS1上。
本實施形態中，載體C係採用FOUP(前開口式通用容器，front opening unified pod)，惟並不僅侷限於此，亦可使用諸如SMIF(標準機械介面，Standard Mechanical Inter Face)傳送盒、或將所收納基板W暴露於外界氣體中的OC(開匣盒，open cassette)等
更進一步，作為載入機機器人IR、第1~第6中央機器人CR1~CR6及介面用搬送機構IFR，分別使用對基板W進行直線性滑動而進行手部進退動作的線性式搬送機器人，惟並不僅侷限於此，亦可使用由關節產生動作而直線性施行手部進退動作的多關節型搬送機器人。
在基板載置部PASS1上所載置的未處理基板W，由反射防止膜用處理區10的第1中央機器人CR1收取。第1中央機器人CR1便將該基板W搬入於反射防止膜用熱處理部100、101中。
然後，第1中央機器人CR1從反射防止膜用熱處理部100、101中取出已完成熱處理的基板W，並將該基板W搬入於反射防止膜用塗佈處理部50中。在該反射防止膜用塗佈處理部50中，為減少曝光時所發生的駐波或暈光，而利用塗佈單元BARC在基板W上塗佈形成反射防止膜。
其次，第1中央機器人CR1從反射防止膜用塗佈處理部50中取出已完成塗佈處理的基板W，並將該基板W搬入於反射防止膜用熱處理部100、101中。然後，第1中央機器人CR1從反射防止膜用熱處理部100、101中取出已完成熱處理的基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS3上。
在基板載置部PASS3上所載置的基板W，由阻劑膜用處理區11的第2中央機器人CR2收取。第2中央機器人CR2將該基板W搬入於阻劑膜用熱處理部110、111中。
然後，第2中央機器人CR2從阻劑膜用熱處理部110、111取出已完成熱處理的基板W，並將該基板W搬入於阻劑膜用塗佈處理部60中。在該阻劑膜用塗佈處理部60中，利用塗佈單元RES在已塗佈形成有反射防止膜的基板W上塗佈形成阻劑膜。
其次，第2中央機器人CR2從阻劑膜用塗佈處理部60中取出已完成塗佈處理的基板W，並將該基板W搬入於阻劑膜用熱處理部110、111中。然後，第2中央機器人CR2從阻劑膜用熱處理部110、111取出已完成熱處理的基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS5上。
在基板載置部PASS5上所載置的基板W，由顯影處理區12的第3中央機器人CR3收取。第3中央機器人CR3將該基板W載置於基板載置部PASS7上。
基板載置部PASS7上所載置的基板W，由阻劑覆蓋膜用處理區13的第4中央機器人CR4收取。第4中央機器人CR4將該基板W搬入於阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80中。在該阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80中，利用塗佈單元COV在已塗佈形成有阻劑膜的基板W上塗佈形成阻劑覆蓋膜。
接著，第4中央機器人CR4從阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80中取出已完成塗佈處理的基板W，並將該基板W搬入於阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131中。然後，第4中央機器人CR4從阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131中取出已完成熱處理的基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS9上。
基板載置部PASS9上所載置的基板W，由阻劑覆蓋膜去除區14的第5中央機器人CR5收取。第5中央機器人CR5將該基板W載置於基板載置部PASS11上。
基板載置部PASS11上所載置的基板W，由介面區15的第6中央機器人CR6收取，如後述，在介面區15及曝光裝置16中施行既定處理。在介面區15及曝光裝置16中，對基板W施行既定處理後，該基板W由第6中央機器人CR6搬入於阻劑覆蓋膜去除區14的曝光後烘烤用熱處理部141中。
在曝光後烘烤用熱處理部141中，對基板W施行曝光後烘烤(PEB)。然後，第6中央機器人CR6從曝光後烘烤用熱處理部141中取出基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS12上。
另外，本實施形態中，由曝光後烘烤用熱處理部141施行曝光後烘烤，但亦可利用曝光後烘烤用熱處理部140施行曝光後烘烤。
基板載置部PASS12上所載置的基板W，由阻劑覆蓋膜去除區14的第5中央機器人CR5收取。第5中央機器人CR5將該基板W搬入於阻劑覆蓋膜去除用處理部90中。在阻劑覆蓋膜去除用處理部90中將阻劑覆蓋膜去除。
接著，第5中央機器人CR5從阻劑覆蓋膜去除用處理部90中取出已完成處理的基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS10上。
基板載置部PASS10上所載置的基板W，由阻劑覆蓋膜用處理區13的第4中央機器人CR4載置於基板載置部PASS8上。
基板載置部PASS8上所載置的基板W，由顯影處理區12的第3中央機器人CR3收取。第3中央機器人CR3將該基板W搬入於顯影處理部70中。在顯影處理部70中對經曝光過的基板W施行顯影處理。
接著，第3中央機器人CR3從顯影處理部70中取出已完成顯影處理的基板W，並將該基板W搬入於顯影用熱處理部120、121中。然後，第3中央機器人CR3從顯影用熱處理部120、121取出經熱處理後的基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS6上。
基板載置部PASS6上所載置的基板W，由阻劑膜用處理區11的第2中央機器人CR2載置於基板載置部PASS4上。基板載置部PASS4上所載置的基板W，由反射防止膜用處理區10的第1中央機器人CR1載置於基板載置部PASS2上。
基板載置部PASS2上所載置的基板W，由載入機區9的載入機機器人IR收納於載體C內。藉此完成基板處理裝置500中的基板W各項處理。
(2-2)介面區之動作
其次，針對介面區15的動作進行詳細說明。
如上述，經搬入於載入機區9中的基板W在經既定處理後，便載置於阻劑覆蓋膜去除區14(圖1)的基板載置部PASS11上。
基板載置部PASS11上所載置的基板W由介面區15的第6中央機器人CR6收取。第6中央機器人CR6便將該基板W搬入於邊緣曝光部EEW(圖4)中。在該邊緣曝光部EEW中，對基板W的周緣部施行曝光處理。
接著，第6中央機器人CR6從邊緣曝光部EEW取出已完成邊緣曝光的基板W，並將該基板W搬入於洗淨處理單元SD1中任一者中。在洗淨處理單元SD1中，如上述，對曝光處理前的基板W施行洗淨處理。
此處，曝光裝置16的曝光處理時間，通常較長於其他處理步驟及搬送步驟。結果，多數情況係曝光裝置16無法接受後面的基板W。此情況下，基板W暫時收納保管於饋進緩衝部SBF(圖4)中。本實施形態中，第6中央機器人CR6從洗淨處理單元SD1中取出已完成洗淨處理的基板W，並將該基板W搬送於饋進緩衝部SBF中。
接著，第6中央機器人CR6便將饋進緩衝部SBF中所收納保管的基板W取出，並將該基板W搬入於載置兼冷卻單元P-CP中。經搬入於載置兼冷卻單元P-CP的基板W，維持在與曝光裝置16內相同的溫度(例如23℃)。
另外，當曝光裝置16具有充分處理速度時，亦可不將基板W收納保管於饋進緩衝部SBF中，而將基板W從洗淨處理單元SD1搬送於載置兼冷卻單元P-CP中。
接著，由載置兼冷卻單元P-CP維持在上述既定溫度的基板W，由介面用搬送機構IFR上側的手部H1(圖4)收取，並搬入於曝光裝置16內的基板搬入部16a(圖1)中。
在曝光裝置16中經曝光處理過的基板W，由介面用搬送機構IFR下側的手部H2(圖4)從基板搬出部16b(圖1)中搬出。介面用搬送機構IFR由手部H2將該基板W搬入於乾燥處理單元SD2中之任一者。在乾燥處理單元SD2中，如上述施行曝光處理後的基板W乾燥處理。具體而言，例如將經曝光處理後的基板W保持水平，並在該基板W上盛滿純水等清洗液。然後，使基板W以高速旋轉，且朝基板W中心部吹出非活性氣體。藉此，基板W上所附著的液體便與清洗液一體朝基板W外側移動。結果，基板W上的液體便被除去，而使基板W乾燥。
在乾燥處理單元SD2中經乾燥處理過的基板W，由介面用搬送機構IFR的手部H1(圖4)取出。介面用搬送機構IFR便利用手部H1，將該基板W載置於基板載置部PASS13上。
基板載置部PASS13上所載置的基板W，由第6中央機器人CR6收取。第6中央機器人CR6將該基板W搬送於阻劑覆蓋膜去除區14(圖1)的曝光後烘烤用熱處理部141中。
另外，當因去除單元REM(圖2)故障等因素，導致阻劑覆蓋膜去除區14無法暫時收容基板W時，便將經曝光處理後的基板W暫時收納保管於返回緩衝部RBF中。
(3)相關洗淨處理單元
其次，針對洗淨處理單元SD1的詳細內容進行說明。圖5係洗淨處理單元SD1的構造說明圖。如圖5所示，洗淨處理單元SD1具備有將基板W水平保持並且使基板W圍繞通過基板W中心之鉛直軸旋轉的旋轉夾具521。
旋轉夾具521固定於由夾具旋轉驅動機構522進行旋轉的旋轉軸523上端。此外，在旋轉夾具521形成有進氣路徑(未圖示)。在旋轉夾具521上載置基板W的狀態下，使進氣路徑內排氣，藉此將基板W下面真空吸附於旋轉夾具521上，將基板W以水平姿勢保持。
在旋轉夾具521附近朝外側上方設置複數(本例中為2個)下面噴嘴524。此外，在旋轉夾具521上方朝斜下方設置有上面噴嘴525。於各下面噴嘴524連接洗淨液供應管524a，上面噴嘴525連接有洗淨液供應管525a。通過洗淨液供應管524a、525a，將洗淨液供應給下面噴嘴524及上面噴嘴525。本實施形態中，洗淨液係使用純水。
在基板W之洗淨處理時，基板W在由旋轉夾具521保持的狀態下進行旋轉。從下面噴嘴524朝旋轉的基板W下面供應洗淨液。此外，從上面噴嘴525朝旋轉的基板W上面供應洗淨液。從下面噴嘴524及上面噴嘴525所吐出的洗淨液，由於離心力而朝外側擴展。藉此便將基板W表面及基板W背面的周緣區域施行洗淨。
在旋轉夾具521外邊配置有斜面洗淨部530。斜面洗淨部530係具備有洗淨刷(cleaning brush)531。洗淨刷531係由保持構件532、533保持成可圍繞鉛直軸進行旋轉，並由刷子旋轉驅動機構534進行旋轉驅動。
於保持構件532連結有臂部535。臂部535由臂部驅動機構536朝上下方向及水平方向進行移動。隨臂部驅動機構536對臂部535的移動，洗淨刷531便朝上下方向及水平方向進行移動。
洗淨刷531具有相對鉛直軸旋轉對稱之形狀，並具有：上斜面洗淨面531a、端面洗淨面531b、及下斜面洗淨面531c。端面洗淨面531b係以鉛直方向為軸心的圓筒面。上斜面洗淨面531a係從端面洗淨面531b上端朝外側上方傾斜延伸，下斜面洗淨面531c係從端面洗淨面531b下端朝外側下方傾斜延伸。
在基板W之洗淨處理時，由斜面洗淨部530的洗淨刷531，對基板W的斜面部R施行洗淨。
此處，針對基板W的斜面部R進行說明。圖6所示係基板W的斜面部R之詳細圖。如圖6所示，斜面部R係在基板W外周部，包括有：依連續接續於基板W平坦表面之方式傾斜的上斜面區域A、以及依連續接續於基板W平坦背面之方式傾斜的下斜面區域C、及端面區域B。另外，所謂「基板W表面」係指基板W中形成電路圖案等各種圖案之一面，所謂「基板W背面」係指其對側的基板W面。
上斜面區域A對鉛直面的傾斜角θ1、與下斜面區域C對鉛直面的傾斜角θ2係相互大致相等。圖5所示洗淨刷531之上斜面洗淨面531a及下斜面洗淨面531c對鉛直面的傾斜角，係設定為大致等於基板W的上斜面區域A及下斜面區域C的傾斜角θ1、θ2。
在基板W之洗淨處理時，圖5所示之洗淨刷531由刷子旋轉驅動機構534進行旋轉，同時利用臂部驅動機構536朝基板W斜面部R進行移動。更進一步，依洗淨刷531的上斜面洗淨面531a、端面洗淨面531b及下斜面洗淨面531c分別接觸到基板W之斜面部R的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C(圖6)之方式，使洗淨刷531朝上下方向移動。
另外，從下面噴嘴524及上面噴嘴525所吐出的洗淨液，透過伴隨基板W的旋轉所衍生離心力，經基板W的背面及表面而引導於斜面部R。即，對洗淨刷531與基板W斜面部R的接觸部分供應洗淨液。
圖7所示係基板W及洗淨刷531旋轉方向的俯視圖，圖8所示係基板W與洗淨刷531的接觸狀態圖。
如圖7所示，洗淨刷531與基板W朝相互同方向進行旋轉。此情況，就洗淨刷531與基板W的接觸部分，洗淨刷531與基板W的相對旋轉速度變高。藉此便效率佳地將基板W的斜面部R施行洗淨。
如圖8(a)所示，藉由洗淨刷531的上斜面洗淨面531a接觸到基板W的上斜面區域A，而將基板W的上斜面區域A施行洗淨。如上述，基板W的上斜面區域A之傾斜角、與洗淨刷531的上斜面洗淨面531a之傾斜角係大致相等。因而，可使基板W的上斜面區域A整個區域接觸洗淨刷531的上斜面洗淨面531a。藉此，便可確實地將上斜面區域A整個區域施行洗淨。
再者，如圖8(b)所示，藉由洗淨刷531的下斜面洗淨面531c接觸到基板W的下斜面區域C，而將基板W的下斜面區域C施行洗淨。如上述，基板W的下斜面區域C之傾斜角、與洗淨刷531的下斜面洗淨面531c之傾斜角大致相等。因而，可使基板W的下斜面區域C整個區域接觸洗淨刷531的下斜面洗淨面531c。所以，可確實洗淨下斜面區域C整個區域。
更進一步，如圖8(c)所示，藉由洗淨刷531的端面洗淨面531b接觸到基板W的端面區域B，而將基板W的端面區域B施行洗淨。
如此，藉由使洗淨刷531的上斜面洗淨面531a、端面洗淨面531b及下斜面洗淨面531c接觸到基板W的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C，可確實地將基板W的斜面部R整個區域施行洗淨。藉此，可將在基板W的斜面部R上所附著污染物確實地除去。
在將基板W的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C施行洗淨後，洗淨刷531離開基板W。接著，藉由提升旋轉軸553(圖5)的旋轉速度，基板W上所附著的洗淨液由離心力而甩掉。藉此，使基板W乾燥。另外，為效率佳確實地將基板W乾燥，亦可更設置將對基板W吹出諸如N2 (氮氣)等惰性氣體的惰性氣體供應噴嘴。
(3-a)洗淨刷之其他設置例
圖9所示係洗淨刷531的另一設置例圖。圖9之洗淨處理單元SD1中，洗淨刷531被設置為相對鉛直軸傾斜。洗淨刷531的傾斜角被設定為下斜面洗淨面531c平行於水平面狀態。
圖10所示係針對圖9洗淨處理單元SD1中基板W的斜面部R之洗淨處理說明圖。如圖10所示，該洗淨處理單元SD1中可利用洗淨刷531的下斜面洗淨面531c將基板W下面周緣區域施行洗淨。藉此可更確實地將在基板W下面周緣區域上所附著的污染物除去。
再者，藉由使基板W的下斜面區域C接觸洗淨刷531的端面洗淨面531b，便可將基板W的下斜面區域C施行洗淨。更進一步，藉由使基板W的端面區域B接觸洗淨刷531的上斜面洗淨面531a，便可將基板W的端面區域B施行洗淨。
另外，亦可構成可將洗淨刷531的傾斜角任意控制。此情況，如圖8所示，可在使洗淨刷531成直立姿勢的狀態下，將基板W的斜面部R之上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C施行洗淨。更進一步，如圖10所示，藉由使洗淨刷531傾斜，而可將基板W的下面周緣區域施行洗淨。
(3-b)斜面洗淨部另一例
圖11所示係斜面洗淨部530的另一例圖。圖11之斜面洗淨部530不同於圖5所示斜面洗淨部530之處在於：取代洗淨刷531，改為設置洗淨刷540。
洗淨刷540不同於圖5洗淨刷531之處，係如下所述。在洗淨刷540的下端形成有朝外邊突出的下面洗淨部541。下面洗淨部541的上面(以下稱「下面洗淨面」)541a，係從下斜面洗淨面531c下端沿水平面朝外側延伸。
當使用該洗淨刷540時，除基板W的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C之外，尚可利用下面洗淨面541a將基板W背面周緣區域施行洗淨。
(3-c)斜面洗淨部再另一例
圖12所示係斜面洗淨部530再另一例圖。圖12之斜面洗淨部530中，在保持構件533下面安裝有背面洗淨刷545。
該斜面洗淨部530中，除基板W的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C之外，尚可利用背面洗淨刷545將基板W的背面整個區域施行洗淨。具體而言，首先，如圖8所示，基板W的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C由洗淨刷531洗淨。然後，將基板W上所附著的洗淨液甩掉，而將基板W乾燥後，便利用第6中央機器人CR6(圖4)將基板W暫時從洗淨處理單元SD1中搬出。
接著，將該基板W搬入於翻轉單元RT(圖4)中。在翻轉單元中，進行基板W表面與背面的翻轉。亦即，將基板W背面朝上方。該基板W再度搬入於洗淨處理單元SD1中。經再度搬入於洗淨處理單元SD1中的基板W，依背面朝上方的狀態由旋轉夾具521保持。
在此狀態下，基板W進行旋轉，同時從上面噴嘴525供應洗淨液。然後，在斜面洗淨部530的背面洗淨刷545接觸到基板W背面的狀態下，從基板W中心部朝周緣部進行掃描。藉此利用背面洗淨刷545將基板W背面整個區域施行洗淨，而更確實地將基板W背面上所附著的污染物除去。
另外，亦可構成由刷子旋轉驅動機構534使背面洗淨刷545與洗淨刷531一體旋轉驅動。此外，本例中，在將基板W的斜面部R洗淨後才將基板W背面洗淨，但是亦可將基板W背面洗淨後，才將基板W的斜面部R洗淨。
再者，當使用圖12之斜面洗淨部530時，最好取代真空吸附式旋轉夾具521，改為使用例如由複數保持銷保持著基板W的斜面部R，使該等複數保持銷分別圍繞鉛直軸旋轉，以可使基板W進行旋轉的旋轉夾具。此情況，可在不致損及基板W表面上所形成的膜，於背面朝上方的狀態下使基板W旋轉。
(3-d)斜面洗淨部再另一例
亦可取代斜面洗淨部530，改為使用圖13所示斜面洗淨部560、570。圖13所示係具有斜面洗淨部560、570的洗淨處理單元SD1圖。
如圖13所示，斜面洗淨部560、570分別與圖5所示斜面洗淨部530同樣地具備有：保持構件532、533、刷子旋轉驅動機構534、臂部535、及臂部驅動機構536。
斜面洗淨部560不同於斜面洗淨部530(圖5)之處在於：取代洗淨刷531，改為設置洗淨刷561。洗淨刷561係具有相當於洗淨刷531之上斜面洗淨面531a及端面洗淨面531b的上斜面洗淨面561a及端面洗淨面561b。
斜面洗淨部570不同於斜面洗淨部530之處在於：取代洗淨刷531，改為設置洗淨刷571。洗淨刷571係具有相當於洗淨刷531之端面洗淨面531b及下斜面洗淨面531c的端面洗淨面571b及下斜面洗淨面571c。
在基板W之洗淨處理時，洗淨刷561、571分別利用刷子旋轉驅動機構534及臂部驅動機構536個別進行驅動。
圖14及圖15所示係利用斜面洗淨部560、570的洗淨刷561、571施行基板W斜面部R之洗淨處理的說明圖。如圖14(a)所示，藉由洗淨刷561的上斜面洗淨面561a接觸到基板W的上斜面區域A，同時洗淨刷571的下斜面洗淨面571c接觸到基板W的下斜面區域C，而將基板W的上斜面區域A及下斜面區域C施行洗淨。
再者，如圖14(b)所示，藉由洗淨刷561的端面洗淨面561b及洗淨刷571的端面洗淨面571b接觸到基板W的端面區域B，而將基板W的端面區域B施行洗淨。
如此，當使用斜面洗淨部560、570時，可同時將基板W的上斜面區域A及下斜面區域C施行洗淨。因而，相較於依序對基板W的上斜面區域A及下斜面區域C施行洗淨之情況下，可縮短洗淨時間。
再者，如圖15所示，亦可使洗淨刷561的上斜面洗淨面561a、洗淨刷571的下斜面洗淨面571c、及洗淨刷561、571的端面洗淨面561b、571b，同時接觸到基板W的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C。此情況，可同時將基板W的上斜面區域A、端面區域B及下斜面區域C施行洗淨。
(4)實施形態之效果 (4-1)由基板斜面部的洗淨所產生之效果
上述實施形態係在曝光裝置16中，於施行基板W的曝光處理前，在洗淨處理單元SD1中將曝光處理前的基板W斜面部R施行洗淨。藉此可防止因基板W斜面部R遭受污染所造成曝光裝置內污染情況，可防止曝光圖案發生尺寸不良及形狀不良狀況。
(4-2)由基板表面的洗淨所產生之效果
在曝光裝置16中於施行基板W的曝光處理前，便在洗淨處理單元SD1中將曝光處理前的基板W表面施行洗淨。在該項洗淨處理時，基板W上的部分阻劑覆蓋膜成分溶出於洗淨液中並被沖洗掉。因而，在曝光裝置16中，即使基板W接觸到液體，基板W上的阻劑覆蓋膜成分幾乎不會溶出於液體中。此外，可將曝光處理前的基板W上所附著塵埃等除去。該等的結果可防止曝光裝置16內遭受污染。
(4-3)曝光處理後的基板乾燥處理所產生之效果
在介面區15的乾燥處理單元SD2中，施行曝光處理後基板W的乾燥處理。藉此，可防止曝光處理時附著於基板W上的液體掉落於基板處理裝置500內。
再者，藉由施行曝光處理後基板W的乾燥處理，可防止在曝光處理後的基板W上附著環境中的塵埃等，可防止基板W遭受污染。
再者，因為可防止有附著液體的基板W在基板處理裝置500內的搬送，因而可防止當曝光處理時附著於基板W上的液體對基板處理裝置500內的環境造成影響。藉此可輕易地進行基板處理裝置500內的溫濕度調整。
再者，因為可防止曝光處理時附著於基板W上的液體附著於載入機機器人IR及第1~第6中央機器人CR1~CR6上，因而可防止曝光處理前的基板W上附著液體。藉此，可防止曝光處理前的基板W上附著環境中的塵埃等，因而可防止基板W遭受污染。結果，可防止曝光處理時的解析性能劣化，同時可防止曝光裝置16內遭受污染。
再者，在將基板W從乾燥處理單元SD2搬送於顯影處理部70的期間，可確實防止阻劑成分或阻劑覆蓋膜成分溶出於基板W上所殘留的洗淨液及清洗液中。藉此可防止阻劑膜上所形成的曝光圖案發生變形。結果，可防止顯影處理時發生線寬精度降低之情況。
該等結果可防止基板處理裝置500發生電系統異常等動作不良情況，同時可確實防止基板W處理不良情況。
(4-4)阻劑覆蓋膜之塗佈處理效果
在曝光裝置16中對基板W施行曝光處理前，於阻劑覆蓋膜用處理區13中，在阻劑膜上形成阻劑覆蓋膜。此情況下，在曝光裝置16中即使基板W接觸到液體，仍可利用阻劑覆蓋膜防止阻劑膜接觸到液體，因而可防止阻劑成分溶出於液體中。
(4-5)阻劑覆蓋膜之去除處理效果
顯影處理區12中，對基板W施行顯影處理前，便在阻劑覆蓋膜去除區14中施行阻劑覆蓋膜的去除處理。此情況下，於顯影處理前可確實地將阻劑覆蓋膜去除，因而將可確實地施行顯影處理。
(4-6)介面用搬送機構的效果
在介面區15中，當將基板W從載置兼冷卻單元P-CP搬送入曝光裝置16中時、或將基板W從乾燥處理單元SD2搬送入基板載置部PASS13時，使用介面用搬送機構IFR的手部H1，當將基板從曝光裝置16搬送入乾燥處理單元SD2時，則使用介面用搬送機構IFR的手部H2。
亦即，在未有液體附著的基板W之搬送係使用手部H1，而有液體附著的基板W搬送則使用手部H2。
此情況下，因為可防止曝光處理時附著於基板W的液體出現附著於手部H1的狀況發生，因而可防止曝光處理前的基板W上附著液體。此外，因為手部H2係設置於較手部H1更靠下方處，因而即使從手部H2以及由其所保持的基板W滴落液體，仍可防止手部H1以及由其所保持的基板W上發生液體附著情況。由此，便可更確實地防止曝光處理前的基板W上發生液體附著狀況。結果，可確實地防止曝光處理前的基板W遭受污染。
(4-7)由載置兼冷卻單元P-CP的配設所產生之效果
藉由在介面區15中，設置兼具將利用曝光裝置16施行曝光處理前的基板W載置之功能、與用以使基板W溫度一致於曝光裝置16內溫度的冷卻功能之載置兼冷卻單元P-CP，可刪減搬送步驟。就利用要求嚴格基板溫度管理的液浸法施行曝光處理而言，刪減搬送步驟較為重要。
藉由上述，因為可提升產能，同時可刪減搬送存取位置，因而可提升可靠度。
特別係藉由設置2個載置兼冷卻單元P-CP，而可更加提升產能。
(5)其他實施形態
上述實施形態中，就洗淨處理單元SD1，洗淨液係使用純水，但亦可取代純水，改為使用界面活性劑、溶劑或IPA(異丙醇)等醇藥液。此情況下，利用化學性洗淨可獲得更高的洗淨效果。
再者，亦可將斜面洗淨部530、560、570設置於乾燥處理單元SD2中。此情況下，在乾燥處理單元SD2中，將經曝光處理後的基板W斜面部R洗淨後，將基板W乾燥。藉由將經曝光處理後的基板W斜面部R施行洗淨，而在顯影處理區12中，可在基板W斜面部R保持充分潔淨狀態下施行顯影處理。藉此，可確實防止因斜面部R污染所造成顯影性能降低之狀況發生。
再者，亦可將洗淨處理單元SD1或乾燥處理單元SD2設置於除介面區15以外的區域中。
再者，洗淨處理單元SD1、乾燥處理單元SD2、塗佈單元BARC、RES、COV、斜面研磨單元BP、基板洗淨單元WC、顯影處理單元DEV、翻轉單元RT、去除單元REM、加熱單元HP、冷卻單元CP及載置兼冷卻單元P-CP的個數，亦可配合各處理區的處理速度適當變更。例如當邊緣曝光部EEW設置2個時，亦可將乾燥處理單元SD2的個數設為2個。
(6)申請專利範圍的各構成元件、與實施形態各元件間之對應
以下，針對申請專利範圍各構成元件、與實施形態各元件間之對應例進行說明，惟本發明並不僅侷限於下述例。
上述實施形態中，載入機區9、反射防止膜用處理區10、阻劑膜用處理區11、顯影處理區12、阻劑覆蓋膜用處理區13及阻劑覆蓋膜去除區14係處理部的例子，介面區15係交接部的例子，洗淨處理單元SD1或乾燥處理單元SD2係基板洗淨裝置的例子。
再者，旋轉夾具521及夾具旋轉驅動機構522係基板旋轉保持裝置的例子，刷子旋轉驅動機構534係刷子旋轉機構的例子，洗淨刷531、540係端部洗淨刷的例子，上斜面洗淨面531a係端部洗淨刷之第1洗淨面的例子，端面洗淨面531b係端部洗淨刷之第2洗淨面的例子，下斜面洗淨面531c係端部洗淨刷之第3洗淨面的例子，下面洗淨面541a係端部洗淨刷之第4洗淨面的例子。
再者，翻轉單元RT係翻轉裝置的例子，背面洗淨刷545係表面洗淨刷的例子，洗淨刷561係第1洗淨刷的例子，洗淨刷571係第2洗淨刷的例子，上斜面洗淨面561a係第1洗淨刷之第1洗淨面的例子，下斜面洗淨面571c係第2洗淨刷之第2洗淨面的例子，端面洗淨面561b、571b係第1及第2洗淨刷之第3洗淨面的例子。
申請專利範圍的各構成元件，亦可使用具有申請專利範圍所記載構造或功能的其他各種元件。
9．．．載入機區
10．．．反射防止膜用處理區
11．．．阻劑膜用處理區
12．．．顯影處理區
13．．．阻劑覆蓋膜用處理區
14．．．阻劑覆蓋膜去除區
15．．．介面區
16．．．曝光裝置
16a．．．基板搬入部
16b．．．基板搬出部
17、18、19、20、21．．．隔牆
30．．．主控制器(控制部)
40．．．載體載置台
50．．．反射防止膜用塗佈處理部
51、61、71、81、91、98、521．．．旋轉夾具
52、62、72、82、92．．．供應噴嘴
60．．．阻劑膜用塗佈處理部
70．．．顯影處理部
80．．．阻劑覆蓋膜用塗佈處理部
90．．．阻劑覆蓋膜去除用處理部
99．．．光照射器
100、101．．．反射防止膜用熱處理部
110、111．．．阻劑膜用熱處理部
120、121．．．顯影用熱處理部
130、131．．．阻劑覆蓋膜用熱處理部
140、141．．．曝光後烘烤用熱處理部
500．．．基板處理裝置
522．．．夾具旋轉驅動機構
523．．．旋轉軸
524．．．下面噴嘴
524a、525a．．．洗淨液供應管
525．．．上面噴嘴
530、560、570．．．斜面洗淨部
531、540、561、571．．．洗淨刷
531a、561a．．．上斜面洗淨面
531b、561b、571b．．．端面洗淨面
531c、571c．．．下斜面洗淨面
532、533．．．保持構件
534．．．刷子旋轉驅動機構
535．．．臂部
536．．．臂部驅動機構
541．．．下面洗淨部
541a．．．下面洗淨面
545．．．背面洗淨刷
A．．．上斜面區域
B．．．端面區域
BARC、COV、RES．．．塗佈單元
C．．．下斜面區域、載體
CP．．．冷卻單元(冷卻板)
CR1．．．第1中央機器人
CR2．．．第2中央機器人
CR3．．．第3中央機器人
CR4．．．第4中央機器人
CR5．．．第5中央機器人
CR6．．．第6中央機器人
CRH1~CRH12、H1、H2、IRH．．．手部
DEV．．．顯影處理單元
EEW．．．邊緣曝光部
HP．．．加熱單元(加熱板)
IFR．．．介面用搬送機構
IR．．．載入機機器人
LC．．．現場控制器
PASS1~PASS13．．．基板載置部
PASS-CP．．．載置兼冷卻單元(P-CP)
R．．．斜面部
RBF．．．返回緩衝部
REM．．．去除單元
RT．．．翻轉單元
SBF．．．饋進緩衝部
SD1．．．洗淨處理單元
SD2．．．乾燥處理單元
W．．．基板
圖1為本發明一實施形態的基板處理裝置俯視圖。
圖2為圖1基板處理裝置從+X方向所觀看到的概略側視圖。
圖3為圖1基板處理裝置從-X方向所觀看到的概略側視圖。
圖4為介面區從+Y側所觀看到的概略側視圖。
圖5為洗淨處理單元的構造說明圖。
圖6為基板的斜面部詳細圖。
圖7為基板及洗淨刷的旋轉方向俯視圖。
圖8(a)至(c)為基板與洗淨刷的接觸狀態圖。
圖9為洗淨刷的另一設置例圖。
圖10為關於圖9洗淨處理單元中基板斜面部的洗淨處理說明圖。
圖11為斜面洗淨部另一例圖。
圖12為斜面洗淨部再另一例圖。
圖13為具備有再另一例斜面洗淨部的洗淨處理單元圖。
圖14(a)與(b)係關於利用圖13斜面洗淨部的洗淨刷施行基板斜面部洗淨處理的說明圖。
圖15為關於利用圖13斜面洗淨部洗淨刷施行基板斜面部洗淨處理的說明圖。
521．．．旋轉夾具
522．．．夾具旋轉驅動機構
523．．．旋轉軸
524．．．下面噴嘴
524a．．．洗淨液供應管
525．．．上面噴嘴
525a．．．洗淨液供應管
530．．．斜面洗淨部
531．．．洗淨刷
531a．．．上斜面洗淨面
531b．．．端面洗淨面
531c．．．下斜面洗淨面
532．．．保持構件
533．．．保持構件
534．．．刷子旋轉驅動機構
535．．．臂部
536．．．臂部驅動機構
R．．．斜面部
SD1．．．洗淨處理單元
W．．．基板

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，係依鄰接藉由液浸法對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置的基板處理裝置；其具備有：處理部，對具有相互平行之一面及另一面之基板施行處理；以及交接部，依鄰接上述處理部一端部之方式設置，在上述處理部與上述曝光裝置之間進行基板交接；上述處理部係包含在上述曝光裝置所進行之曝光處理前的基板之上述一面形成由感光性材料所構成之感光性膜之感光性膜形成單元；上述處理部及上述交接部至少一者，係具備有將由上述感光性膜形成單元所進行之上述感光性膜形成後、且由上述曝光裝置所進行之曝光處理前的基板洗淨之基板洗淨裝置；上述基板洗淨裝置係包括有：基板旋轉保持裝置，保持基板並使其旋轉；洗淨刷，設置成可接觸到由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板；驅動機構，使上述洗淨刷移動；以及刷子旋轉機構，使上述洗淨刷圍繞略垂直於由上述基板旋轉保持裝置所保持之基板的上述一面的方向旋轉軸旋轉；上述洗淨刷具備有：第1洗淨面，可接觸到由上述基板旋轉保持裝置保持的基板 之上述另一面側之斜面區域；以及第2洗淨面，呈圓環平面狀，且可接觸到由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板之上述另一面周緣部；上述第1及第2洗淨面係以上述旋轉軸為中心呈一體設置，俾使上述第1及第2洗淨面可同時接觸到基板的上述另一面側斜面區域及基板的上述另一面周緣部；上述驅動機構係不使上述洗淨刷接觸基板的上述一面、上述一面側的斜面區域、及端面區域，而使上述洗淨刷在上述洗淨刷的上述第1及第2洗淨面同時接觸到基板的上述另一面側的斜面區域及上述另一面周緣部之位置移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述洗淨刷更進一步具有：第3洗淨面，呈圓柱狀，且為可接觸到由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板之上述端面區域；上述第3洗淨面係以上述旋轉軸為中心，而與上述第1及第2洗淨面呈一體設置。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板洗淨裝置更進一步具備有：對由上述基板旋轉保持裝置所保持基板之上述一面供應洗淨液的第1洗淨液供應部。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述基板洗淨裝置更進一步具備有：對由上述基板旋轉保持裝置所保持基板之上述另一面供應洗淨液的第2洗淨液供應部。
  5. 一種基板洗淨裝置，係包括有： 基板旋轉保持裝置，用以保持具有相互平行之一面及另一面之基板並使其旋轉；洗淨刷，設置成可接觸到由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板；驅動機構，使上述洗淨刷移動；以及刷子旋轉機構，使上述洗淨刷圍繞略垂直於由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板的上述一面之方向的旋轉軸旋轉；上述洗淨刷具備有：第1洗淨面，可接觸到由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板的上述另一面側之斜面區域；第2洗淨面，呈圓環平面狀，且為可接觸到由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板之上述另一面之周緣部；上述第1及第2洗淨面係以上述旋轉軸為中心呈一體設置，俾使上述第1及第2洗淨面可同時接觸基板的上述另一面側的斜面區域及基板的上述另一面之周緣部；上述驅動機構係不使上述洗淨刷接觸到基板的上述一面、上述一面側的斜面區域、及端面區域，而使上述洗淨刷在上述洗淨刷的上述第1及第2洗淨面同時接觸到基板的上述另一面側之斜面區域、及上述另一面的周緣部之位置移動。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板洗淨裝置，其中，更進一步設置有：對由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板之上述一面供應洗淨液的第1洗淨液供應部。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板洗淨裝置，其中，更進一步具備有：對由上述基板旋轉保持裝置所保持的基板之上述另一面供應洗淨液的第2洗淨液供應部。
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