JP5154007B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
さらに、第4の処理ユニットにより基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを減少させることができる。それにより、露光処理時に発生する基板の処理不良をさらに低減することができる。
本発明に係る基板処理装置においては、第1の処理単位において、第1の処理ユニットにより基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜が形成される。その後、基板は第1の搬送ユニットにより第1の熱処理ユニットに搬送され、第1の熱処理ユニットにより基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は、第1の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、第3の処理単位において、第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。その後、基板は受け渡し部を介して処理部から露光装置へと搬送され、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は受け渡し部を介して露光装置から処理部へと搬送される。
その後、第2の処理単位において、第2の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。次に、基板は第2の搬送ユニットにより第2の熱処理ユニットに搬送され、第2の熱処理ユニットにより基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第2の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
このように、露光装置において露光処理が行われる前に第3の処理単位において第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。これにより、第1の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜中の感光性膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。この場合、露光装置において、基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、基板の一面上の感光性膜中の感光性材料の成分はほとんど溶出しない。それにより、露光装置内の汚染が防止されるとともに基板の一面上の感光性膜の表面に感光性材料の成分が残留することも防止される。その結果、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
また、この基板処理装置は、第1および第2の処理単位を有する既存の基板処理装置に、第3の処理単位を追加した構成を有する。したがって、低コストで、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
さらに、基板は第5の搬送ユニットにより処理部から第5の処理ユニットへと搬送される。第5の処理ユニットにおいて基板に所定の処理が行われた後、基板は第5の搬送ユニットにより載置部へと搬送される。その後、基板は第6の搬送ユニットにより載置部から露光装置へと搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、基板は第6の搬送ユニットにより露光装置から載置部へと搬送される。その後、基板は第5の搬送ユニットにより載置部から処理部へと搬送される。
このように、受け渡し部に第5の処理ユニットを配置し、2つの搬送ユニットにより基板の搬送を行うことにより、基板処理装置のフットプリントを増加させることなく処理内容を追加することが可能となる。
本発明に係る基板処理装置においては、第1の処理単位において、第1の処理ユニットにより基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜が形成される。その後、基板は第1の搬送ユニットにより第1の熱処理ユニットに搬送され、第1の熱処理ユニットにより基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は、第1の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、第3の処理単位において、第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。その後、基板は受け渡し部を介して処理部から露光装置へと搬送され、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は受け渡し部を介して露光装置から処理部へと搬送される。
その後、第2の処理単位において、第2の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。次に、基板は第2の搬送ユニットにより第2の熱処理ユニットに搬送され、第2の熱処理ユニットにより基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第2の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
このように、露光装置において露光処理が行われる前に第3の処理単位において第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。これにより、第1の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜中の感光性膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。この場合、露光装置において、基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、基板の一面上の感光性膜中の感光性材料の成分はほとんど溶出しない。それにより、露光装置内の汚染が防止されるとともに基板の一面上の感光性膜の表面に感光性材料の成分が残留することも防止される。その結果、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
また、この基板処理装置は、第1および第2の処理単位を有する既存の基板処理装置に、第3の処理単位を追加した構成を有する。したがって、低コストで、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
さらに、基板は第5の搬送ユニットにより処理部から第5の処理ユニットへと搬送される。第5の処理ユニットにおいて基板に所定の処理が行われた後、基板は第5の搬送ユニットにより載置部へと搬送される。その後、基板は第6の搬送ユニットにより載置部から露光装置へと搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、基板は第6の搬送ユニットにより露光装置から載置部へと搬送される。その後、基板は第5の搬送ユニットにより載置部から処理部へと搬送される。
このように、受け渡し部に第5の処理ユニットを配置し、2つの搬送ユニットにより基板の搬送を行うことにより、基板処理装置のフットプリントを増加させることなく処理内容を追加することが可能となる。この場合、エッジ露光部において基板の周縁部に露光処理が行われる。
次に、第3の処理単位において、第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。その後、基板は受け渡し部を介して処理部から露光装置へと搬送され、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は受け渡し部を介して露光装置から処理部へと搬送される。
その後、第2の処理単位において、第2の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。次に、基板は第2の搬送ユニットにより第2の熱処理ユニットに搬送され、第2の熱処理ユニットにより基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第2の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
このように、露光装置において露光処理が行われる前に第3の処理単位において第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。これにより、第1の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜中の感光性膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。この場合、露光装置において、基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、基板の一面上の感光性膜中の感光性材料の成分はほとんど溶出しない。それにより、露光装置内の汚染が防止されるとともに基板の一面上の感光性膜の表面に感光性材料の成分が残留することも防止される。その結果、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
また、この基板処理装置は、第1および第2の処理単位を有する既存の基板処理装置に、第3の処理単位を追加した構成を有する。したがって、低コストで、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
第3の処理ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、洗浄液供給手段により基板の一面上の感光性膜上に洗浄液が供給され、次いで、不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される。
本発明に係る基板処理装置においては、第1の処理単位において、第1の処理ユニットにより基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜が形成される。その後、基板は第1の搬送ユニットにより第1の熱処理ユニットに搬送され、第1の熱処理ユニットにより基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は、第1の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、第3の処理単位において、第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。その後、基板は受け渡し部を介して処理部から露光装置へと搬送され、露光装置において基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は受け渡し部を介して露光装置から処理部へと搬送される。
その後、第2の処理単位において、第2の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。次に、基板は第2の搬送ユニットにより第2の熱処理ユニットに搬送され、第2の熱処理ユニットにより基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第2の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
このように、露光装置において露光処理が行われる前に第3の処理単位において第3の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理が行われる。これにより、第1の処理ユニットにより基板の一面上に形成された感光性膜中の感光性膜の成分の一部が溶出し、洗い流される。この場合、露光装置において、基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、基板の一面上の感光性膜中の感光性材料の成分はほとんど溶出しない。それにより、露光装置内の汚染が防止されるとともに基板の一面上の感光性膜の表面に感光性材料の成分が残留することも防止される。その結果、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
また、この基板処理装置は、第1および第2の処理単位を有する既存の基板処理装置に、第3の処理単位を追加した構成を有する。したがって、低コストで、露光装置において発生する基板の処理不良を低減することができる。
10 反射防止膜用処理ブロック
11 レジスト膜用処理ブロック
12 現像処理ブロック
13 洗浄処理ブロック
14 インターフェースブロック
15 露光装置
40 キャリア載置台
50 反射防止膜用塗布処理部
60 レジスト膜用塗布処理部
70 現像処理部
80 洗浄処理部
100,101 反射防止膜用熱処理部
110,111 レジスト膜用熱処理部
120,121 現像用熱処理部
130,131 露光後ベーク用熱処理部
311a 液体吐出口
311b 液体導入部
312a 気体吐出口
312b 気体通過部
500 基板処理装置
621 スピンチャック
625 回転軸
636 チャック回転駆動機構
650 洗浄処理用ノズル
670,770,870 乾燥処理用ノズル
682 遮断板
950 2流体ノズル
CR1 第1のセンターロボット
CR2 第2のセンターロボット
CR3 第3のセンターロボット
CR4 第4のセンターロボット
CR5 第5のセンターロボット
EEW エッジ露光部
BARC,RES 塗布ユニット
DEV 現像処理ユニット
SOAK,SOAKa 洗浄処理ユニット
IR インデクサロボット
IFR インターフェース用搬送機構
W 基板
PASS1〜PASS12 基板載置部
Claims (23)
- 液浸法により基板の露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜を形成する第1の処理ユニット、基板に熱処理を行う第1の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位と、
前記露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う第2の処理ユニット、基板に熱処理を行う第2の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、
前記第1の処理ユニットによる前記感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理を行う第3の処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位と、
前記第1の処理ユニットによる前記感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する第4の処理ユニット、基板に熱処理を行う第4の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第4の搬送ユニットを含む第4の処理単位とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第3の処理単位は、基板に熱処理を行う第3の熱処理ユニットをさらに含み、前記受け渡し部に隣接するように配置されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記処理部の他端部に隣接するように配置され、前記処理部への基板の搬入および前記処理部からの基板の搬出を行う基板搬入搬出部をさらに備え、
前記第4の処理単位は、前記基板搬入搬出部に隣接するように配置されることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記受け渡し部は、
基板に所定の処理を行う第5の処理ユニットと、
基板が一時的に載置される載置部と、
前記処理部、前記第5の処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第5の搬送ユニットと、
前記載置部および前記露光装置の間で基板を搬送する第6の搬送ユニットとを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 液浸法により基板の露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜を形成する第1の処理ユニット、基板に熱処理を行う第1の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位と、
前記露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う第2の処理ユニット、基板に熱処理を行う第2の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、
前記第1の処理ユニットによる前記感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理を行う第3の処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位とを備え、
前記受け渡し部は、
基板に所定の処理を行う第5の処理ユニットと、
基板が一時的に載置される載置部と、
前記処理部、前記第5の処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第5の搬送ユニットと、
前記載置部および前記露光装置の間で基板を搬送する第6の搬送ユニットとを含み、
前記第5の搬送ユニットは、基板を保持する第1および第2の保持手段を含み、
前記第5の搬送ユニットは、
前記露光装置による露光処理前の基板を搬送する際には前記第1の保持手段により基板を保持し、
前記露光装置による露光処理後の基板を搬送する際には前記第2の保持手段により基板を保持し、
前記第6の搬送ユニットは、基板を保持する第3および第4の保持手段を含み、
前記第6の搬送ユニットは、
前記露光装置による露光処理前の基板を搬送する際には前記第3の保持手段により基板を保持し、
前記露光装置による露光処理後の基板を搬送する際には前記第4の保持手段により基板を保持することを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2の保持手段は前記第1の保持手段よりも下方に設けられ、前記第4の保持手段は前記第3の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- 液浸法により基板の露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜を形成する第1の処理ユニット、基板に熱処理を行う第1の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位と、
前記露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う第2の処理ユニット、基板に熱処理を行う第2の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、
前記第1の処理ユニットによる前記感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理を行う第3の処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位とを備え、
前記受け渡し部は、
基板に所定の処理を行う第5の処理ユニットと、
基板が一時的に載置される載置部と、
前記処理部、前記第5の処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第5の搬送ユニットと、
前記載置部および前記露光装置の間で基板を搬送する第6の搬送ユニットとを含み、
前記第5の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第3の処理ユニットは、基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理後にさらに基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 液浸法により基板の露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜を形成する第1の処理ユニット、基板に熱処理を行う第1の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位と、
前記露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う第2の処理ユニット、基板に熱処理を行う第2の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、
前記第1の処理ユニットによる前記感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理を行った後に基板の乾燥処理を行う第3の処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位とを備え、
前記第3の処理ユニットは、
感光性が形成された基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の一面上に形成された感光性膜上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段により基板の一面上に形成された感光性膜上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記不活性ガス供給手段は、前記回転駆動手段により回転される基板の中心部の上方から基板の中心部に不活性ガスを供給することにより前記洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液を基板上の中心部から外方へ移動させて基板上から排除することを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。
- 前記第3の処理ユニットは、
前記洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに
備えることを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガス供給手段は、前記回転駆動手段により回転される基板の中心部の上方から基板の中心部に不活性ガスを供給することにより前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液を基板上の中心部から外方へ移動させて基板上から排除することを特徴とする請求項11記載の基板処理装置。
- 液浸法により基板の露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の一面上に感光性材料からなる感光性膜を形成する第1の処理ユニット、基板に熱処理を行う第1の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位と、
前記露光装置による露光処理後に基板に現像処理を行う第2の処理ユニット、基板に熱処理を行う第2の熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、
前記第1の処理ユニットによる前記感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理を行う第3の処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位とを備え、
前記第3の処理ユニットは、流体ノズルから洗浄液および気体を含む混合流体を基板に供給することにより基板の洗浄処理を行うことを特徴とする記載の基板処理装置。 - 前記気体は不活性ガスであることを特徴とする請求項13記載の基板処理装置。
- 前記第3の処理ユニットは、基板の一面上に形成された感光性膜の洗浄処理後にさらに基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項13または14記載の基板処理装置。
- 前記第3の処理ユニットは、基板上に不活性ガスを供給することにより基板の乾燥処理を行う不活性ガス供給手段を含むことを特徴とする請求項15記載の基板処理装置。
- 前記流体ノズルは前記不活性ガス供給手段として機能することを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
- 前記第3の処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段とをさらに含むことを特徴とする請求項16または17記載の基板処理装置。 - 前記第3の処理ユニットは、前記回転駆動手段により回転される基板の中心部の上方から基板の中心部に不活性ガスを供給することにより前記流体ノズルから基板上に供給された混合流体を基板上の中心部から外方へ移動させて基板上から排除することを特徴とする請求項16〜18のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第3の処理ユニットは、
前記流体ノズルから混合流体が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により前記不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項16〜18のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流体ノズルは前記リンス液供給手段として機能することを特徴とする請求項20記載の基板処理装置。
- 前記第3の処理ユニットは、前記回転駆動手段により回転される基板の中心部の上方から基板の中心部に不活性ガスを供給することにより前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液を基板上の中心部から外方へ移動させて基板上から排除することを特徴とする請求項20または21記載の基板処理装置。
- 前記流体ノズルは、液体が流通する液体流路と、気体が流通する気体流路と、前記液体流路に連通して開口する液体吐出口と、前記液体吐出口の近傍に設けられるとともに前記気体流路に連通して開口する気体吐出口とを有することを特徴とする請求項13〜22のいずれかに記載の基板処理装置。
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