JP2001357567A

JP2001357567A - 光ディスク原盤の製造方法

Info

Publication number: JP2001357567A
Application number: JP2001073862A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Takahata; 広彰高畑; Hisashi Koyake; 久司小宅
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-04-14
Filing date: 2001-03-15
Publication date: 2001-12-26
Also published as: US6562550B2; CN1185645C; TWI237823B; US20010044078A1; CN1332451A

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】光ディスク原盤を製造するに際し、コストア
ップを抑え、また、製造工程にかける負荷を最小限とし
て、従来よりも微細なパターンを有する光ディスク原盤
を製造する。【解決手段】表面に凹凸パターンを有する光ディスク
原盤を製造する方法であって、基板１上にフォトレジス
ト層２を形成するフォトレジスト層形成工程（Ｂ）と、
フォトレジスト層を露光することにより、前記凹凸パタ
ーンの潜像を形成する露光工程（Ｃ）と、前記潜像を現
像する現像工程（Ｄ）とを有し、フォトレジスト層形成
工程と露光工程との間、または、露光工程と現像工程と
の間に、フォトレジスト層を界面活性剤に接触させる界
面活性剤処理工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板の
製造に用いられる光ディスク原盤を製造する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクには、追記または書き換えが
可能な光記録ディスクおよび再生専用ディスクがある。
光記録ディスクは、ディスク基板上に記録層を形成した
ものであり、ディスク基板の表面にはトラッキング用等
のためにグルーブ（案内溝）が設けられる。一方、再生
専用ディスクでは、ディスク基板表面に、情報をもつピ
ットが一体的に形成される。

【０００３】ディスク基板は、ピットやグルーブのネガ
パターンを設けたスタンパを用いて、樹脂を射出成形す
ることにより製造される。上記スタンパは、通常、Ｎｉ
から構成される。このスタンパを作製するためには、ま
ず、光ディスク原盤を作製する。光ディスク原盤は、一
般に以下の工程により製造される。まず、ガラスからな
る基板表面にフォトレジスト層を形成する。次いで、レ
ーザービームによりフォトレジスト層を露光して潜像パ
ターンを形成した後、現像する。

【０００４】光ディスク原盤を用いたスタンパの作製
は、一般に以下のようにして行われる。まず、光ディス
ク原盤のフォトレジスト層表面に導電性を付与するため
に、スパッタリングや無電解めっきなどによりＮｉ等か
らなる金属薄膜を形成する。次に、この金属薄膜を下地
として電鋳を行い、Ｎｉ等からなる電鋳膜を形成する。
次いで、金属薄膜および電鋳膜からなる積層体をフォト
レジスト層から剥離する。この積層体がマスタ盤とな
る。このマスタ盤は、そのままスタンパとして用いるこ
とができるが、さらにマザー盤を作製し、これをスタン
パとして用いることもできる。マザー盤は、マスタ盤の
表面に電鋳膜を形成し、この電鋳膜を剥離することによ
り作製する。この際、マスタ盤の表面を酸化させるなど
して、電鋳膜の剥離が容易となるようにしておく。同様
な作業により、マザー盤を用いてチャイルド盤を作製
し、これをスタンパとして用いることもできる。

【０００５】光ディスク原盤の製造工程において、フォ
トレジスト層に形成される潜像パターンの最小幅は、レ
ーザービームのスポット径により制限される。ビームス
ポット径ｗは、レーザ波長をλ、照射光学系の対物レン
ズの開口数をＮＡとしたとき、ｗ＝ｋ・λ／ＮＡで表さ
れる。なお、ｋは、対物レンズの開口形状、入射光束の
強度分布によって決定される定数である。したがって、
ピット幅およびグルーブ幅を小さくするためには、レー
ザー波長を短くするか対物レンズの開口数を大きくする
必要がある。

【０００６】しかし、対物レンズは０．９を超える大き
な開口数をもつものが実用化されており、改善の余地は
小さい。一方、レーザー波長に関しても、波長の短い青
色レーザーが既に実用化されている。したがって、潜像
パターンの最小幅をさらに小さくするためには、より短
波長のレーザー光、例えば紫外領域のレーザー光を用い
る必要がある。しかし紫外領域のレーザー光を用いる場
合、対物レンズを含む光学部品を紫外領域に対応するも
のに変更する必要がある。すなわち、システムの大幅な
変更が必要となるという問題が生じる。

【０００７】そこで、特開平１−３１７２４１号公報に
は、光ディスク原盤を作製する際に、フォトレジスト膜
を露光する工程の前工程として、未露光のフォトレジス
ト膜を現像液中に浸漬またはフォトレジスト膜上に現像
液をシャワーした後、水洗、乾燥する工程を付加するこ
とが提案されている。同公報では、露光前に現像、水
洗、乾燥する工程を付加することにより、フォトレジス
ト膜表面が難溶化される結果、幅の狭い溝や径の小さい
ピットを形成できるとしている。同公報では、露光前の
現像を、濃度５０％、時間１０秒で行っている。

【０００８】また、特開平６−２６０４０７号公報に
は、半導体基板上にフォトレジスト層を塗布した後、ア
ルカリ処理を行うことによりフォトレジスト層表面に難
溶化層を形成し、次いで、露光および現像を行ってレジ
ストパターンを形成する方法が記載されている。同公報
に記載された作用は以下のとおりである。アルカリ処理
によってフォトレジスト中の低分子がアルカリによって
溶出し、これによりフォトレジスト層表面が硬化すると
共に、フォトレジスト中のノボラック樹脂と感光基とが
アルカリによってアゾカップリング反応をおこすので、
フォトレジスト層表面に難溶化層が形成される。この難
溶化層によって、フォトレジスト層の未露光部における
溶解速度が抑えられる結果、ポジ型フォトレジストの解
像度が向上する。同公報では、フォトレジスト層上に水
酸化４級アンモニウムを液盛りすることによってアルカ
リ処理を行っている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記特開平１−３１７
２４１号公報および前記特開平６−２６０４０７号公報
では、現像液または水酸化４級アンモニウムによってフ
ォトレジスト層を難溶化し、これにより解像度の向上を
はかっている。

【００１０】しかし、現像液や水酸化４級アンモニウム
などのアルカリ処理液は、廃棄する際に排液処理（中
和）が必要であるため、コスト高を招く。

【００１１】また、フォトレジストは露光によってアル
カリ可溶性となる。そのため、上記各公報に示されるよ
うに、アルカリ処理は露光前にしか行うことができな
い。また、アルカリ処理は、アルカリ液中への浸漬やア
ルカリ液のシャワーなどによって行い、処理後には、純
水による洗浄および乾燥といった工程を設けることが不
可欠である。しかし、一連の工程をインライン方式で行
うフォトリソグラフィー装置では、フォトレジスト塗布
工程と露光工程との間に、水洗および乾燥のための装置
は組み込まれていないため、アルカリ処理はオフライン
で行う必要がある。

【００１２】本発明はこのような従来の技術に鑑みてな
されたものである。本発明は、光ディスク原盤を製造す
るに際し、コストアップを抑え、また、製造工程にかけ
る負荷を最小限として、従来よりも微細なパターンを有
する光ディスク原盤を製造することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（６）の本発明により達成される。（１）表面に凹凸パターンを有する光ディスク原盤を
製造する方法であって、基板上にフォトレジスト層を形
成するフォトレジスト層形成工程と、フォトレジスト層
を露光することにより、前記凹凸パターンの潜像を形成
する露光工程と、前記潜像を現像する現像工程とを有
し、フォトレジスト層形成工程と露光工程との間、また
は、露光工程と現像工程との間に、フォトレジスト層を
界面活性剤に接触させる界面活性剤処理工程を有する光
ディスク原盤の製造方法。（２）前記界面活性剤が非イオン系界面活性剤である
上記（１）の光ディスク原盤の製造方法。（３）露光工程と現像工程との間に、界面活性剤処理
工程を有する上記（１）または（２）の光ディスク原盤
の製造方法。（４）前記界面活性剤処理工程において、濃度０．１
〜１０％の界面活性剤溶液を用いる上記（１）〜（３）
のいずれかの光ディスク原盤の製造方法。（５）前記界面活性剤処理工程を設けない場合におけ
る最適露光量をＤ₀とし、前記界面活性剤処理工程を設
けた場合における露光量をＤ₁としたとき、１．１≦Ｄ₁／Ｄ₀≦２とする上記（１）〜（４）のいずれかの光ディスク原盤
の製造方法。（６）前記界面活性剤処理工程において、スピンリン
スまたはディッピングにより界面活性剤溶液をフォトレ
ジスト層に接触させる上記（１）〜（５）のいずれかの
光ディスク原盤の製造方法。

【００１４】

【発明の実施の形態】従来、光ディスク原盤の製造に際
しては、基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレ
ジスト層形成工程と、ガウスビームであるレーザービー
ムでフォトレジスト層を露光することにより潜像を形成
する露光工程と、前記潜像を現像する現像工程とを設け
ている。

【００１５】本発明では、これらの工程を有する製造方
法において、フォトレジスト層形成工程と露光工程との
間、または、露光工程と現像工程との間に、フォトレジ
スト層を界面活性剤に接触させる界面活性剤処理工程を
設ける。露光前または露光後にフォトレジスト層に界面
活性剤処理を施すことにより、より微小なパターンを形
成することが可能となる。

【００１６】界面活性剤処理により実効的ビームスポッ
ト径の減少が可能となる理由は明確ではないが、界面活
性剤処理後に現像すると、フォトレジスト層の面内方向
において選択的に現像が抑制されるためと考えられる。
そのため、凹部パターンがフォトレジスト層の底面まで
達する条件で現像して比較したとき、本発明では従来よ
りも狭幅の凹部パターンを形成できると考えられる。

【００１７】前記特開平１−３１７２４１号公報および
前記特開平６−２６０４０７号公報では、現像液または
水酸化４級アンモニウムによってフォトレジスト層を難
溶化し、これにより解像度の向上をはかっている。本発
明は、界面活性剤処理によってフォトレジスト層を難溶
化すると考えられる点で、上記各公報記載の方法に類似
する。しかし、本発明で用いる界面活性剤は、現像液や
水酸化４級アンモニウムなどのアルカリ処理剤と異な
り、排液処理（中和）が不要である。しかも、界面活性
剤は、アルカリ処理剤に比べ安価である。さらに本発明
では、非イオン系界面活性剤として、市販の安価な中性
洗剤を１％程度の低濃度で使用できる。したがって本発
明では、コストアップを最小限に抑えることができる。

【００１８】また、界面活性剤は、露光後にアルカリ可
溶性となったフォトレジストを溶解しないため、本発明
では界面活性剤処理工程を露光工程の後に配置すること
が可能である。前述したように、インライン方式のフォ
トリソグラフィー装置では、フォトレジスト塗布工程と
露光工程との間に水洗および乾燥のための装置は組み込
まれていないため、露光工程の前に組み込む必要のある
従来のアルカリ処理は、オフライン処理とせざるを得な
い。一方、露光工程に続く現像工程において一部の配管
の変更とシーケンスの変更とを行えば、現像処理の前
に、界面活性剤処理と水洗および乾燥とをインライン処
理する工程を組み込むことが可能である。したがって、
界面活性剤処理を露光工程と現像工程との間で行うこと
のできる本発明は、従来のインライン方式のフォトリソ
グラフィー装置への適用が容易である。

【００１９】次に、本発明の詳細について説明する。本
発明における工程の流れを、図１（Ａ）〜図１（Ｆ）に
示す。

【００２０】まず、図１（Ａ）に示すように、基板１を
用意する。基板１はガラスからなり、表面を研磨した
後、洗浄および乾燥したものである。基板１の表面に
は、フォトレジスト層の接着性を高めるためにカップリ
ング層を形成しておく。なお、基板１はガラス以外の材
料から構成してもよい。

【００２１】次に、図１（Ｂ）に示すように、基板１上
に、ポジ型フォトレジストからなるフォトレジスト層２
を形成する。フォトレジスト層は塗布により形成し、塗
布後、溶剤除去のための熱処理、いわゆるプリベークを
行う。フォトレジスト層２の厚さは、目的とするピット
やグルーブの深さを考慮して適宜決定すればよいが、通
常、２０〜２００nmの範囲内に設定すればよい。使用す
るフォトレジストは特に限定されないが、高感度で、現
像時の剥離がなく、かつ、表面の平滑性に優れているも
のが好ましく、例えばＴＯＫ社のＯＦＰＲシリーズおよ
びＴＳＭＲシリーズ、Clariant社のＡＺ１５００シリー
ズおよびＡＺ７０００シリーズ、日本ゼオン社のＤＶＲ
シリーズ、Shipley社のＳ１８００シリーズおよびＳ９
９００シリーズなどが好ましい。

【００２２】次に、フォトレジスト層に界面活性剤処理
を施す。界面活性剤処理は、スピンリンスまたはディッ
ピングにより界面活性剤溶液をフォトレジスト層に接触
させることにより行うことが好ましい。界面活性剤溶液
の濃度は、０．１〜１０％であることが好ましい。濃度
が低すぎると処理が不十分となりやすく、濃度が高すぎ
ると、水洗後もフォトレジスト層表面に界面活性剤が残
留しやすくなるため、現像が不均一となりやすい。本発
明で用いる界面活性剤は特に限定されず、両性、陰イオ
ン系、陽イオン系または非イオン系の各種界面活性剤を
用いることができる。

【００２３】界面活性剤をフォトレジスト層に接触させ
る時間は特に限定されないが、むらなく接触させるため
には少なくとも接触時間を１０秒間以上とすることが好
ましい。ただし、長時間接触させても本発明の効果が増
強されるわけではないので、１２０秒間を超えて接触さ
せる必要はない。

【００２４】なお、前述したように、界面活性剤処理
は、露光と現像との間に行ってもよい。

【００２５】界面活性剤処理を施した後、フォトレジス
ト層２を十分に水洗し、乾燥する。次いで、図１（Ｃ）
に示すように、レーザービームを用いる露光装置により
露光して潜像パターン２１を形成する。露光条件は従来
と同様としてもよいが、好ましくは露光量を増加させ
る。その場合、界面活性剤処理工程を設けない場合にお
ける最適露光量をＤ₀とし、界面活性剤処理工程を設け
た場合における露光量をＤ₁としたとき、１．１≦Ｄ₁／Ｄ₀≦２とすることが好ましい。界面活性剤処理を施すことによ
り現像がやや抑制されるため、フォトレジスト層のパタ
ーンが抜けにくくなるので、現像時間を伸ばす必要があ
る。しかし、長時間現像を行うと、フォトレジスト層が
剥がれやすくなる。そのため、Ｄ₁／Ｄ₀を１．１以上と
して長時間現像を避けることが好ましい。ただし、Ｄ₁
／Ｄ₀を大きくしすぎると、フォトレジスト層のパター
ンの抜けが著しく速くなるため所要現像時間が短くなり
すぎる。その結果、現像の制御が困難となり、現像の再
現性が不十分となりやすい。そのため、Ｄ₁／Ｄ₀は２以
下とすることが好ましい。なお、この場合の最適露光量
とは、現像後に、凹部パターンがフォトレジスト層の底
面まで完全に達し、すなわちパターンが完全に抜けてお
り、かつ、パターン形状の崩れが最も少なくなる照射量
を意味する。このように本発明では、露光量を従来に比
べ大幅に増大させる必要がないので、露光装置の負担が
小さい。

【００２６】露光後、現像することにより、図１（Ｄ）
に示すように、パターニングされたフォトレジスト層２
を有する光ディスク原盤１０が得られる。現像条件は特
に限定されず、従来と同様であってよい。ただし、現像
時間は、好ましくは１０〜１５０秒間、より好ましくは
２０〜１２０秒間とする。現像時間が短すぎると現像の
制御が困難となり、現像時間が長すぎるとフォトレジス
ト層に剥離が発生しやすくなる。

【００２７】現像後、必要に応じてポストベークを行っ
た後、Ｎｉ等からなる金属薄膜３１を、フォトレジスト
層２形成面に形成する。金属薄膜３１は、無電解めっき
法やスパッタ法などにより形成すればよい。次いで、こ
の金属薄膜３１上に、Ｎｉ等からなる金属膜３２を電鋳
により形成し、図１（Ｅ）に示す状態とする。次いで、
図１（Ｆ）に示すように、金属薄膜３１と金属膜３２と
からなる積層体をフォトレジスト層形成面から剥離す
る。この積層体がマスタ盤３となる。

【００２８】

【実施例】実施例１（両性界面活性剤）ポジ型フォトレジストとしてＴＯＫ社製のＯＦＰＲ−８
００を用い、これをスピンコート法によりディスク状ガ
ラス基板表面に塗布し、熱処理を施して、厚さ約１５０
nmのフォトレジスト層を形成した。

【００２９】次いで、両性界面活性剤の１％溶液でフォ
トレジスト層表面を３０秒間スピンリンスすることによ
り、界面活性剤処理を施した。なお、両性界面活性剤と
しては、アルキルアンモニウムクロライド（クリエート
化学薬品製のＣＰ−６）を使用した。界面活性剤処理
後、超純水で９０秒間スピンリンスすることにより水洗
を行った。

【００３０】次いで、対物レンズの開口数が０．９０で
ある光学系および波長４１３nmのレーザー光源を有する
露光装置を用いて、フォトレジスト層にピットパターン
およびグルーブパターンからなる潜像を形成した。この
ときの露光量は、前記Ｄ₁／Ｄ₀が１．４となるように設
定した。

【００３１】次いで、Shipiey社製のマイクロポジット
デベロッパーを用いて現像し、光ディスク原盤を得た。
次いで、無電解めっきによりＮｉ薄膜をフォトレジスト
層形成面に形成し、さらに、このＮｉ薄膜上にＮｉ電鋳
膜を形成した。次いで、Ｎｉ薄膜およびＮｉ電鋳膜から
なる積層体を剥離し、スタンパを得た。このスタンパを
用いて射出成形を行い、ポリカーボネートからなる光デ
ィスク基板を得た。

【００３２】また、界面活性剤処理を施さなかったほか
は上記と同様にして、比較用の光ディスク基板を作製し
た。

【００３３】これらの光ディスク基板について、ピット
およびグルーブの寸法を走査型電子顕微鏡により測定し
たところ、本発明法を利用して作製した光ディスク基板
は、比較用の光ディスク基板に比べ、ピット幅およびグ
ルーブ幅のいずれもが約２０％狭かった。この結果か
ら、本発明の効果が明らかである。

【００３４】実施例２（両性界面活性剤）厚さを約２００nmとしたほかは実施例１と同様にしてフ
ォトレジスト層を形成した。次いで、実施例１と同様に
して界面活性剤処理および水洗を行った。次いで、実施
例１と同じ露光装置を用いて、フォトレジスト層にピッ
トパターンおよびグルーブパターンからなる潜像を形成
した。このとき、露光量は、内周から外周にかけて連続
的に減少するように設定した。これ以降は、実施例１と
同様にして光ディスク基板を得た。

【００３５】また、界面活性剤処理を施さなかったほか
は上記と同様にして、比較用の光ディスク基板を作製し
た。

【００３６】これらの光ディスク基板について、グルー
ブの寸法を走査型電子顕微鏡により測定した。図２に、
各光ディスク基板におけるグルーブ幅とグルーブ深さと
の関係を示す。露光量が十分に多かったところでは、グ
ルーブはフォトレジスト層の下面まで達し、かつ、ビー
ムスポットの周辺部でも十分な露光量となるため、グル
ーブは断面形状がＵ字状であってかつ幅広となる。一
方、露光量が少なくなるに伴い、グルーブ幅が減少し、
露光量がさらに少なくなると、グルーブがフォトレジス
ト層の下面まで達しなくなって、断面形状がＶ字状とな
る。本実施例では、断面形状がＵ字状からＶ字状に変化
する時点でのグルーブ幅を、形成可能な最小グルーブ幅
とする。この最小グルーブ幅は、本発明法を利用して作
製した光ディスク基板では０．１８μmであり、比較用
の光ディスク基板では０．２３μmであった。すなわ
ち、本発明により、最小グルーブ幅を約２０％狭くする
ことができた。

【００３７】実施例３（両性界面活性剤）９０秒間のディッピングにより界面活性剤処理を行った
ほかは実施例２と同様にして、光ディスク基板を作製し
た。この光ディスク基板は、実施例２で作製した光ディ
スク基板と同様に、従来の方法で作製した光ディスク基
板に比べ、最小グルーブ幅が約２０％狭くなった。

【００３８】図３に、露光量とグルーブの相対深さとの
関係を示す。図３には、スピンリンスによる界面活性剤
処理を行って作製した光ディスク基板と、界面活性剤処
理を施さずに作製した光ディスク基板とについても記載
してある。なお、グルーブの相対深さとは、フォトレジ
スト層厚さに対するグルーブ深さの比率である。図３か
ら、露光量に対するグルーブ相対深さの変化率（解像
度）が、本発明により著しく高くなることがわかる。解
像度が高いことは現像の閾値が高いことを意味し、より
狭いグルーブの形成に寄与する。この結果から、本発明
による効果には解像度の向上が関係すると考えられる。

【００３９】実施例４（非イオン系界面活性剤）両性界面活性剤の１％溶液に替えて非イオン系界面活性
剤（井内盛栄堂のクリーンエース：機器洗浄用の中性洗
剤）の１％溶液を処理液として用いたほかは実施例２と
同様にして、光ディスク基板を作製した。この光ディス
ク基板は、実施例２で作製した光ディスク基板と同様
に、従来の方法で作製した光ディスク基板に比べ、最小
グルーブ幅が約２０％狭くなった。

【００４０】図４に、露光量とグルーブの相対深さとの
関係を示す。図４には、両性界面活性剤による界面活性
剤処理を行って作製した光ディスク基板と、界面活性剤
処理を施さずに作製した光ディスク基板とについても記
載してある。図４から、露光量に対するグルーブ相対深
さの変化率（解像度）が、中性洗剤（非イオン系界面活
性剤）を用いた場合でも両性界面活性剤と同様に著しく
高くなることがわかる。

【００４１】実施例５（露光前の処理と露光後の処理と
の比較）界面活性剤処理工程を露光工程の後に設けたほかは実施
例４と同様にして、光ディスク基板を作製した。この光
ディスク基板も、実施例４、すなわち界面活性剤処理工
程を露光工程の前に設けた場合と同様に、従来の方法で
作製した光ディスク基板に比べ、最小グルーブ幅が約２
０％狭くなった。

【００４２】また、比較のために、界面活性剤溶液に替
えて現像液を用いるアルカリ処理を施したほかは実施例
４と同様にして、光ディスク基板を作製した。この光デ
ィスク基板も、実施例４で作製した光ディスク基板と同
様に、従来の方法で作製した光ディスク基板に比べ、最
小グルーブ幅が約２０％狭くなった。

【００４３】図５に、界面活性剤処理工程を露光工程の
後に設けて（後処理で）作製した光ディスク基板につい
て、露光量とグルーブの相対深さとの関係を示す。図５
には、実施例４と同様に露光工程の前に界面活性剤処理
工程を設けて（前処理で）作製した光ディスク基板と、
上記アルカリ処理を施すことによって作製した光ディス
ク基板と、界面活性剤処理を施さずに作製した光ディス
ク基板とについても記載してある。図５から、露光量に
対するグルーブ相対深さの変化率（解像度）が、前処理
および後処理のいずれにおいてもアルカリ処理と同等以
上となることがわかる。

【００４４】実施例６（界面活性剤の濃度による比較）フォトレジスト層の厚さを３０nmとし、界面活性剤溶液
の濃度および現像時間を表１に示す値としたほかは実施
例２と同様にして、光ディスク基板を作製した。ただ
し、この実施例では、露光装置において対物レンズへの
入射光束径を変更することにより、ビームスポット径
（ガウス・ビームにおいて中心強度の１／ｅ ²になる
径）を０．３７μmとした。なお、実施例２におけるビ
ームスポット径は０．４５μmである。表１に示す現像
時間は、表１に示す各ケースにおいて、露光量２mJ/mで
形成したモニタグルーブの潜像が、幅０．２５μmの顕
像となるまでの現像時間である。

【００４５】これらの光ディスク基板について、実施例
２と同様にして最小グルーブ幅を測定した。また、現像
後のフォトレジスト原盤について、目視により現像むら
の有無を調べた。結果を表１に示す。

【００４６】

【表１】

【００４７】表１から、界面活性剤溶液の濃度が０．１
％であっても最小グルーブ幅を縮小する効果が実現する
ことがわかる。また、界面活性剤処理を行うことにより
現像時間を伸ばす必要があることがわかる。また、溶液
濃度が１％以上であれば、濃度をより高くしても所要現
像時間にほとんど変化はなく、かつ、最小グルーブ幅に
もほとんど変化は認められないことがわかる。

【００４８】実施例７（露光量による比較）界面活性剤溶液の濃度を１％とし、前記Ｄ₁／Ｄ₀が表２
に示す値となるように露光量を設定し、現像時間を表２
に示す値としたほかは実施例２と同様にして、光ディス
ク基板を作製した。ただし、この実施例でもビームスポ
ット径を０．３７μmとした。なお、表２に示す各ケー
スにおける現像時間は、実施例６と同様にモニタグルー
ブを利用して決定したが、モニタグルーブについても、
各ケースそれぞれにおいて露光量をＤ₁／Ｄ₀倍とした。

【００４９】これらの光ディスク基板について、実施例
２と同様にして最小グルーブ幅を測定した。結果を表２
に示す。

【００５０】

【表２】

【００５１】表２から、露光量を増大させることにより
現像に要する時間を短縮でき、かつ、露光量を増大させ
ても最小グルーブ幅はほとんど変化しないことがわか
る。

【００５２】

【発明の効果】本発明では、光ディスク原盤を製造する
に際し、露光前または露光後に、フォトレジスト表面を
界面活性剤で処理する工程を加えるだけで、従来よりも
微小なピットやグルーブをフォトレジスト層に形成する
ことができる。界面活性剤は、安価であり、また、排液
処理（中和）が不要である。本発明は、特別な設備を新
たに加えることなく、従来の光ディスク原盤製造設備を
用いて実施できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の製造方法における
工程の流れを示す断面図である。

【図２】グルーブ幅とグルーブ深さとの関係を示すグラ
フである。

【図３】露光量とグルーブの相対深さとの関係を示すグ
ラフである。

【図４】露光量とグルーブの相対深さとの関係を示すグ
ラフである。

【図５】露光量とグルーブの相対深さとの関係を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１基板２フォトレジスト層２１潜像パターン３マスタ盤３１金属薄膜３２金属膜１０光ディスク原盤

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に凹凸パターンを有する光ディスク
原盤を製造する方法であって、基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層
形成工程と、フォトレジスト層を露光することにより、
前記凹凸パターンの潜像を形成する露光工程と、前記潜
像を現像する現像工程とを有し、フォトレジスト層形成工程と露光工程との間、または、
露光工程と現像工程との間に、フォトレジスト層を界面
活性剤に接触させる界面活性剤処理工程を有する光ディ
スク原盤の製造方法。
【請求項２】前記界面活性剤が非イオン系界面活性剤
である請求項１の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項３】露光工程と現像工程との間に、界面活性
剤処理工程を有する請求項１または２の光ディスク原盤
の製造方法。
【請求項４】前記界面活性剤処理工程において、濃度
０．１〜１０％の界面活性剤溶液を用いる請求項１〜３
のいずれかの光ディスク原盤の製造方法。
【請求項５】前記界面活性剤処理工程を設けない場合
における最適露光量をＤ₀とし、前記界面活性剤処理工
程を設けた場合における露光量をＤ₁としたとき、１．１≦Ｄ₁／Ｄ₀≦２とする請求項１〜４のいずれかの光ディスク原盤の製造
方法。
【請求項６】前記界面活性剤処理工程において、スピ
ンリンスまたはディッピングにより界面活性剤溶液をフ
ォトレジスト層に接触させる請求項１〜５のいずれかの
光ディスク原盤の製造方法。