JP2000040268A - スタンパ―の製造方法、当該方法を行うことによって得られるスタンパ―、並びに当該スタンパ―を使用することによって得られる光学ディスク - Google Patents

スタンパ―の製造方法、当該方法を行うことによって得られるスタンパ―、並びに当該スタンパ―を使用することによって得られる光学ディスク

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JP2000040268A
JP2000040268A JP11127423A JP12742399A JP2000040268A JP 2000040268 A JP2000040268 A JP 2000040268A JP 11127423 A JP11127423 A JP 11127423A JP 12742399 A JP12742399 A JP 12742399A JP 2000040268 A JP2000040268 A JP 2000040268A
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photoresist film
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photoresist
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Roland Anthony Tacken
アンソニー タッケン ローランド
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ODME International BV
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた寸法安定性を有するフォトレジストポ
ストを具備する、ＣＤレプリカの大量生産のためのスタ
ンパーの製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストフィルムを基材に適用
し、その後、前記フォトレジストフィルムを露光させ、
かつ現像することによって前記フォトレジストフィルム
を構造化することを含む、光学ディスクを製造するため
のスタンパーの製造方法。前記方法は、導電性基材を使
用し、当該基材上に構造化させたフォトレジストフィル
ムを不動態化処理に付し、このようにして不動態化され
た基材（構造化されたフォトレジストフィルムを備えて
いる）を、その上にニッケル層を形成させる目的のため
にガルバニック処理に付し、その後、このようにして形
成されたニッケル層を当該基材から剥離してスタンパー
を得ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストフ
ィルムを基材に適用し、その後、前記フォトレジストフ
ィルムを露光させ、かつ現像することによって前記フォ
トレジストフィルムを構造化することを含む、光学ディ
スクを製造するためのスタンパーの製造方法に関する。
そのうえ、本発明は、このようにして得られたスタンパ
ー、およびこのようなスタンパーによって得られた光学
ディスクにも関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の方法はドイツ国特許出願番号第
9400225号から知られている。当該明細書中に開示され
ているスタンパーの製造方法によれば、スタンパープレ
ートは、清浄工程および、任意の、適用されるべきフォ
トレジストのためのプライマーの適用からなる前処理に
付される。次に、ネガ型フォトレジストを、前処理され
た当該スタンパープレート上にコーティングし、次に、
そのフォトレジストを乾燥してフォトレジストフィルム
を得る。その後の工程において、当該スタンパープレー
ト上にコーティングしておいたフォトレジストフィルム
をレーザー光に選択的に露光させる。当該ネガ型フォト
レジストを選択的に露光させることによって、当該露光
領域に酸が形成され、その後、加熱工程を実行し、その
結果として、当該酸の触媒作用が起こると同時に当該露
光領域中のフォトレジストが架橋されるであろう。次
に、コーティングされ、選択的に露光された当該フォト
レジストを全体的に露光させ、その結果として、未露光
領域にも酸が形成され、その酸が、選択的に露光されな
かったために架橋されていない領域を、現像工程中に、
より迅速に溶解させる。前記の選択的な露光、全体的な
露光の後に、構造化されたフォトレジストフィルムを得
る目的で、コーティングされたフォトレジストフィルム
を現像する。このようにして、ネガ型フォトレジストフ
ィルムの露光領域は現像工程後にも残る一方で、未露光
領域は現像過程によって除去される。次に、高分子鎖の
さらなる架橋によって露光され、架橋された領域をさら
に強化するために、深紫外域におけるさらなる露光工程
および高温における加熱工程（ハードベーク）を実施す
る。このような方法を使用することによって得られたス
タンパーは、フォトレジストポスト(photoresist post
s) を備えたニッケルのシェルを具備している。当該フ
ォトレジストポストは寸法安定性に乏しいため、このよ
うにして形成されたスタンパーをＣＤレプリカの大量生
産のための射出成型機の金型中で使用すると、その寿命
には限りがある。このようにして製造されたＣＤレプリ
カについての透過率測定(transmission order measurem
ents) を組み合わせた信号特性測定(singal measuremen
ts) により、スタンパー上のポストの幾何学的配置が、
約 5,000のレプリカの後に不適格な程度にまで悪化し、
信号の質に悪影響を及ぼすということが示される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、上記問題を排
除するスタンパーの製造方法を開発することが本発明の
目的である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、当該方
法は、序論において言及されているように、導電性基材
を使用し、当該基材上に構造化されたフォトレジストフ
ィルムを不動態化処理に付し、その後、構造化されたフ
ォトレジストフィルムを備え、このようにして不動態化
された基材を、その上にニッケル層を形成する目的でガ
ルバニック処理に付し、その後、このようにして形成さ
れたニッケル層を当該基材から剥離してスタンパーを得
ることを特徴とする。
【０００５】欧州特許出願番号 0 738 573号には、構造
化されたフォトレジスト層の上にニッケルまたはニッケ
ル合金をコーティングする方法が開示されているけれど
も、このような金属被覆層は、マスターをその後のガル
バニック過程において使用できるようにするために必要
であると解されるべきである。このような金属被覆層
は、当該マスターとの電気的接触を可能にする。前記欧
州特許出願において開示されているマスターはガラス上
の非導電性有機材料からなっており、金型（ニッケルか
らなるマスター）を得ることを目的とするガルバニック
過程においてニッケル層を成長させるためには導電層を
必要とする。本発明の方法によれば、このような金属被
覆層の適用は必要ではなく、本発明の基材を陰極に接続
し、ニッケルを介して電気伝導を起こすことによって、
不動態化処理を実施した直後にガルバニック処理を開始
することができる。
【０００６】本発明の方法によれば、導電性基材として
ニッケルを使用するのが好ましい。ニッケルは射出成型
法における標準的なスタンパー材料である。そのうえ、
ニッケルは、ガルバニック過程が激しい過程であるのに
対して、特に硬度および寸法安定性に関する良好な機械
的性質を有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に係る方法のある特定の態
様によれば、基材上に構造化されたフォトレジストフィ
ルムの化学的不動態化は、当該基材を酸化溶液、例えば
重クロム酸塩、亜硝酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩また
は安息香酸塩の溶液に浸すことによって起こり、重クロ
ム酸塩の溶液に浸すのが好ましい。
【０００８】本発明に係る方法のある特定の態様によれ
ば、アノード不動態化処理を実施するのが好ましい。ア
ノード不動態化処理は、ニッケルの表面上で酸素ガスが
形成されるので、一般に表面の一定の清浄効果を有す
る。従って、当該アノード不動態化処理は、発生した酸
素ガスが当該基材からフォトレジストポストを吹き飛ば
さないように制御された手法によって実施しなければな
らない。このことは、前記不動態化が起こる液体との陰
極の電位差を低く、すなわち水から酸素への酸化電位に
ついての普通の平衡電位未満のままに確実に保つことに
よって達成することができる。
【０００９】本発明に係る方法に使用されるフォトレジ
ストは特に重要ではない。ネガ型のフォトレジストをピ
ットの望ましいパターンに従ってレーザー光に露光させ
ると、当該露光位置におけるフォトレジストの溶解度が
減じられるであろう。その後の現像過程において未露光
領域が溶解し、フォトレジストポストが当該基材上に残
るであろう。この手法によって形成された構造は雄型親
スタンパーとも呼ばれる。このような構造を本発明に準
じて上述の化学的不動態化処理またはアノード不動態化
処理に付した後に、ガルバニック処理によって当該ファ
ザー(father)スタンパー上にニッケル層をコーティング
し、その後、このようにして形成されたニッケル層を当
該基材から剥離して、ニッケルのマザー(mother)スタン
パーを完全に得る。このようにして得られたマザースタ
ンパーは、いわゆるサン(son) を形成するための通常の
ガルバニック処理に使用するのに好適である。しかしな
がら、特定の態様においては、当該マザースタンパーの
ピット中に未だに存在しているフォトレジスト材料をま
ず除去し、その後、いわゆるサンを形成するためのガル
バニック過程を実施するのが望ましい。当該マザースタ
ンパーに対して逆転している構造を有するこのようなサ
ンは、通常の複製工程において使用するのに好適であ
る。ファミリー過程(family process)がファザースタン
パーから始まる場合には、望ましいサンを得るためのガ
ルバニック過程において必要とされる工程が１つ少な
い。従って、この種の態様はより短時間となり、実用上
望ましい。
【００１０】特定の態様において、一方では、ポジ型フ
ォトレジストを使用するのが好ましい。当該ネガ型フォ
トレジストをピットの望ましいパターンに従ってレーザ
ー光に露光させ、その後、当該露光位置を、その後の現
像過程において溶解させる。このようにして、ピットを
具備しているフォトレジストフィルムを備えた基材が得
られる。当該ピットは当該ポジ型フォトレジストフィル
ムの厚さに対応する深さを有する。本発明によれば、こ
のようにして得られたマスターまたはマザープレートを
次にアノード不動態化処理または化学的不動態化処理に
付し、その後、ガルバニック処理によって当該マスター
上にニッケル層が成長する。ニッケル層は当該ポジ型フ
ォトレジストフィルムのピットおよびそれらのミラーイ
メージ（その後のガルバニック工程において最大限のニ
ッケル接触面を得るようにミラーイメージも露光させ
る）から成長し、ニッケル層は最終的には当該フォトレ
ジストフィルムをも覆うであろう。このようにして形成
されたニッケル層を当該基材から剥離した後に、ファザ
ースタンパーが得られる。通常のガルバニック過程によ
ってマザーおよびサンを得ることができ、それらのマザ
ーは当該ファザースタンパーに対して逆転している構造
を有し、当該サンは当該ファザーと同一である。
【００１１】しかしながら、イメージ反転処理法を使用
して、ポジ型フォトレジストを使用することも可能であ
る。このような方法によれば、当該フォトレジストを導
電性基材上にコーティングし、そのフォトレジストをピ
ットの望ましいパターンに従ってレーザー光に露光させ
る。次に、当該フォトレジストをコーティングした基材
を加熱し、それにより、当該露光領域において化学反応
を起こし、結果として当該フォトレジストの溶解度を低
下させる。その後の当該フォトレジストの全体的な露光
と同時に、当該レーザー光に露光させなかった領域が可
溶性になり、その後、レーザー光に選択的に露光させた
領域以外の全体的に露光させた領域が、その後の現像過
程において溶解する。このようにして、フォトレジスト
ポストが当該基材上に残り、その基材がファザースタン
パーとなる。次に、上述したものと同じ方法をネガ型フ
ォトレジストを用いて本発明に準じて実施し、このよう
にして、完全にニッケルで作られたマザースタンパーを
得る。
【００１２】ネガ型フォトレジストおよびＣＤフォーマ
ット情報領域を使用する態様においては、一般に、本発
明に係る方法を使用することによって得られるスタンパ
ーの表面の約15％がフォトレジストポストによって覆わ
れる。ゆえに、その上にニッケル層を形成させるために
は、特殊な方法に準じてガルバニック処理を実行するの
が好ましい。フォトレジストポストの周り、とりわけフ
ォトレジストポストの上面にニッケル層を完全に成長さ
せる（これは重要である）ためには、ニッケル層の成長
が初めはゆっくりと起こるのが望ましい。付着速度が速
すぎると、フォトレジストポストの周りにニッケルが完
全に成長するのを妨げ、ファザースタンパーの幾何学的
配置から逸脱した幾何学的配置を有するマザースタンパ
ーを生するので実用上望ましくないということが、実験
によって示されている。ガルバニック処理において起こ
るもう１つの特徴は、水素ガスの発生である。ニッケル
の付着速度が速い場合、水素ガスが相当程度形成され、
その結果として、フォトレジストポストが基材から吹き
飛ばされるであろう。そのうえ、導電性基材がニッケル
でできている場合には、ニッケルイオンがフォトレジス
トフィルムを通って拡散することがあり、その結果とし
て、フォトレジストポスト中のニッケルが減少すること
がある。このような現象はフォトレジストポストを通し
てのニッケルの成長につながることがあり、その結果と
して、望ましいマザースタンパーの幾何学的配置が元々
のファザースタンパーの幾何学的配置と一致しないであ
ろう。
【００１３】ゆえに、本発明においては、ニッケル層を
形成させるためのガルバニック処理を１つまたはそれ以
上の工程で実施するのが好ましい。特に、電流密度（単
位面積あたりの電流）を第１工程における初期値から最
終値へと徐々に増大させる。このようにして、上述の欠
点、特にフォトレジストポストの周りでのニッケルの不
十分な成長および水素ガスの急速な発生が発現しないよ
うにする。好ましくは、第１工程の最終値の電流密度
を、次に、その後の工程の最終値までさらに高め、その
後、このようにして到達した最終値を特定の時間維持
し、望ましい厚さのニッケル層を得る。本発明のガルバ
ニック処理は特に３つのニッケル層形成工程を含む。す
なわち、第１工程では電流密度が０から比較的低い値、
例えば30〜 100Am-2へと増大しており、次いで、第２工
程では電流密度がより高い値、例えば2000〜3000Am-2へ
と増大しており、その後、望ましい厚さのニッケル層に
到達するまで、当該電流密度が一定に保たれる。当該第
１工程は、ニッケルでピットがまだ完全には満たされて
いないうちに実施される。約２分間で十分であること
が、実験によって示されている。第２工程においては、
ニッケルをできるだけ急速に付着させるために電流密度
をかなり増大させる。不十分な厚さのニッケル層では、
望まれるニッケルのシェルの機械的安定性が不十分とな
るため、実用上好適でないということが理解されるべき
である。しかしながら、ニッケル層を形成するためのガ
ルバニック処理を低い電流密度で１工程で実施すること
も可能であるけれども、このような態様は生産速度の見
地から実用上好ましくない。
【００１４】特定の態様においては、ガルバニック処理
によって形成されたニッケル層から基材を剥離すること
によって得られたスタンパーを、残存しているフォトレ
ジストフィルムを除去するための処理に付すのが望まし
い。このような残存しているフォトレジストフィルムは
当該ニッケルスタンパーのピットを満たしており、レプ
リカを得るためのガルバニック過程が実施される前に除
去されなければならない。残存しているフォトレジスト
フィルムを除去するための処理は、アルカリ性溶液、好
ましくは現像溶液またはイソプレップで濯ぐことを含
む。特定の態様においては、このような残存しているフ
ォトレジストフィルムを紫外線−オゾン処理によって除
去するのが好ましい。しかしながら、特定の態様におい
ては、残存しているフォトレジストフィルムを除去する
ために、アルカリ性溶液による濯ぎと紫外線−オゾン処
理の実施とを組み合わせて使用するのが望ましい。
【００１５】特定の態様においては、元々のスタンパー
に対して逆転している構造を有するスタンパーを得るた
めに、本発明に係る方法を使用することによって得られ
たニッケルスタンパーをガルバニック複製過程に付す。
本発明に係る方法によってマザースタンパーが得られる
場合には、複製過程において使用するのに好適なサンス
タンパーは通常のガルバニック過程を実施することによ
って得られるであろう。他方、本発明に係る方法によっ
てファザースタンパーが直接得られる場合には、このよ
うにして得られたファザースタンパーを複製過程におい
て使用することが可能である。このように、本発明は、
その方法は本発明に係る方法によって得られたスタンパ
ーを使用することを特徴とする光学ディスクの製造方法
にも関する。本発明は、本発明に係る方法を使用するこ
とによって得られたことを特徴とする光学ディスク製造
用スタンパーにも関する。さらに、本発明は、本発明の
方法を使用することによって得られたことを特徴とする
光学ディスクにも関する。
【００１６】本発明は、例および図（図１は本発明の方
法を図解している）によって以下に説明されるであろう
けれども、本発明がこのような特殊な例に限定されるこ
とは決してないということが理解されるべきである。
【００１７】図１は本発明に係る方法を略図的に示して
いる。導電性材料２、特にニッケルミラーは、感光性フ
ォトレジスト１を備えている。工程ａにおいて、フォト
レジスト１の選択的な露光が起こり、このようにして情
報パターンが書き込まれる。次に、工程ｂにおいて、そ
の全体をいわゆる反転ベーク(reversal bake) に付し、
その後、工程ｃにおいて、当該フォトレジストの完全露
光を行う。完全に露光させたフォトレジストを工程ｄに
おいて現像し、その結果としてフォトレジストポスト３
を備えた導電性基材２が得られる。次に、基材２の上に
構造化されたフォトレジストフィルム３を不動態化処理
に付し、その後、構造化されたフォトレジストフィルム
３を備え、このようにして不動態化された基材２を工程
ｅにおいてガルばきっく処理に付し、その上にニッケル
層４を形成させる。次に、工程ｅにおいて得られた集成
体を工程ｆにおいて分離し、スタンパー４を得る。工程
ｇにおいては、次に、工程ｆにおいて得られたスタンパ
ー４を通常のガルバニック処理を使用してさらに処理
し、ファザースタンパー５を得る。最終的に、工程ｈに
おいて、ファザースタンパー５をマザースタンパー４か
ら剥離する。このようにして、ファザースタンパーが工
程ｉにおいて得られる。
【００１８】
【実施例】例１：ネガ型フォトレジストの使用 厚さ 295μｍ、半径 100mmのニッケルミラーを接着剤
（「プライマー」）で処理、すなわち１容量％のN-2 ア
ミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシラン水溶液
で濯いだ。これに次いで、水で濯いだ。（Micro Allres
ist によって市販されている）ネガ型フォトレジストma
-N405 を20重量％溶液として当該ミラー上にスピンコー
ティングした。当該フォトレジストを有するミラー（＝
基材）をホットプレート上で加熱した（いわゆるプリベ
ーク）。当該基材を、変調レーザーによって、例えば O
DME AMS レーザービームレコーダー中で選択的に露光さ
せた。使用したレーザーは 413nmの波長を有し、線量は
約20 Jcm-2とした。この手法により、情報パターンを書
き込んだ。次に、当該基材をホットプレート上で加熱し
た（いわゆる現像前ベーク）。 0.6重量％のＮａＯＨ水
溶液を回転している基材上に計量供給することによって
ピットのパターンを現像した。当該現像過程は形成され
ているピットのパターン上でのレーザー光（波長： 638
nm）の回折をたどることによって監視した。当該現像過
程の間に、最大値が観察された。この最大値の後に、す
なわち、一次回折信号の幅がまだ当該現像過程の間に観
察される最大値のあらかじめ定められた割合である瞬間
に、当該現像過程を停止した。次に、水で濯ぎ、乾燥さ
せた。得られた現像済みの基材を 1.5 g/LのＫ2 Ｃｒ2
Ｏ 7 溶液中に浸して、当該基材を化学的不動態化処理に
付した。次に水で濯いだ。当該基材を以下の組成のガル
バニック浴中で陰極に接続した。
【００１９】
【表１】
【００２０】以下の電流密度を使用した。
【００２１】
【表２】
【００２２】当該ガルバニック処理によって付着したニ
ッケルのマザーシェルを当該基材から剥離した。当該マ
ザーシェルのピット中に存在していた残存フォトレジス
トフィルムを 100 g/LのＮａＯＨによって除去し、次い
で、イソプレップ溶液の浴の中に浸した。次に、当該マ
ザーシェルを前述のようにまず不動態化し、当該マザー
シェルのサンスタンパーを成長させた。
【００２３】例２：イメージ反転フォトレジストの使用 厚さ 295μｍ、半径 100mmのニッケルミラーを接着剤
（「プライマー」）で処理、すなわち１容量％のN-2 ア
ミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシラン水溶
液、すなわち薄めていない（Dischem Inc.によって市販
されている）Surpass 2000で濯いだ。これに次いで、水
で濯いだ。（Hoechst によって市販されている）イメー
ジ反転フォトレジスト AZ5214 を、溶媒ＰＭＡ中の20重
量％溶液として当該ミラー上にスピンコーティングし
た。当該フォトレジストを有するミラー（＝基材）をホ
ットプレート上で加熱した（いわゆるプリベーク）。当
該基材を、変調レーザーによって、例えば ODME AMS レ
ーザービームレコーダー中で選択的に露光させた。使用
したレーザーは 413nmの波長を有し、約５mJcm-2の線量
を使用した。この手法により、情報パターンを書き込ん
だ。次に、当該基材をホットプレート上で加熱した（い
わゆる反転ベーク）。冷却後、当該基材を 380nmの紫外
光に露光させた。使用したランプの型はPhilips PL-S 9
W (x2)である。10 g/LのＫＯＨ水溶液を回転している基
材上に計量供給することによってピットのパターンを現
像した。当該現像過程は形成されているピットのパター
ン上でのレーザー光（波長： 638nm）の回折をたどるこ
とによって監視した。当該現像過程の間に、最大値が観
察された。この最大値の後に、すなわち、一次回折信号
の幅がまだ当該現像過程の間に観察される最大値のあら
かじめ定められた割合である瞬間に、当該現像過程を停
止した。次に、水で濯ぎ、乾燥させた。得られた現像済
みの基材を 1.5 g/LのＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 の溶液中に浸すこ
とによって、当該現像済みの基材を化学的不動態化処理
に付した。次に水で濯いだ。当該基材を以下の組成／パ
ラメーターのガルバニック浴中で陰極に接続した。
【００２４】
【表３】
【００２５】以下の電流密度を使用した。
【００２６】
【表４】
【００２７】当該ガルバニック処理によって付着したニ
ッケルのマザーシェルを当該基材から剥離した。当該マ
ザーシェルのピット中に存在していた残存フォトレジス
トフィルムを 100 g/LのＮａＯＨによって除去し、次い
で、イソプレップ溶液の浴の中に浸した。当該マザーシ
ェルを前述のような不動態化過程に付し、当該マザーシ
ェルのサンスタンパーを成長させた。
【００２８】例３：ポジ型フォトレジストの使用 厚さ 295μｍ、半径 100mmのニッケルミラーを接着剤
（「プライマー」）で処理、すなわち１容量％のN-2 ア
ミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシラン水溶液
で濯いだ。これに次いで、水で濯いだ。ポジ型フォトレ
ジストShipley S1805 を20重量％溶液として当該ミラー
上にスピンコーティングした。当該フォトレジストを有
するミラー（＝基材）をホットプレート上で加熱した
（いわゆるプリベーク）。当該基材を、変調レーザーに
よって、例えば ODME AMS レーザービームレコーダー中
で選択的に露光させた。使用したレーザーは 413nmの波
長を有し、約５mJcm-2の線量を使用した。この手法によ
り、情報パターンを書き込んだ。内側および外側のミラ
ーもまた露光させた。 2.5 g/LのＮａＯＨ水溶液を回転
している基材上に計量供給することによってピットのパ
ターンを現像した。当該現像過程は形成されているピッ
トのパターン上でのレーザー光（波長： 638nm）の回折
をたどることによって監視した。当該一次回折信号の幅
がまだ零次回折信号の幅のあらかじめ定められた割合で
ある時に当該現像過程を停止した。次に、水で濯ぎ、乾
燥させた。得られた現像済みの基材を 1.5 g/LのＫ2 Ｃ
ｒ2 Ｏ7 溶液中に浸した。この手法により、当該ニッケ
ルを不動態化させた。次に水で濯いだ。当該基材を以下
の組成／パラメーターのガルバニック浴中で陰極に接続
した。
【００２９】
【表５】
【００３０】以下の電流密度を使用した。
【００３１】
【表６】
【００３２】当該ガルバニック処理によって付着したニ
ッケルのマザーシェルを当該基材から剥離した。当該ピ
ット中に存在していた残存フォトレジストフィルムを 1
00 g/LのＮａＯＨによって除去し、次いで、イソプレッ
プ溶液の浴の中に浸した。当該スタンパーは、射出成形
過程において直接使用することができる。さらに、通常
のガルバニック過程に準じて、マザーおよびサンを成長
させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明に係る方法を略図的に示してい
る。

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フォトレジストフィルムを基材に適用
    し、その後、前記フォトレジストフィルムを露光させ、
    かつ現像することによって前記フォトレジストフィルム
    を構造化することを含む、光学ディスクを製造するため
    のスタンパーの製造方法であって、導電性基材を使用
    し、当該基材上に構造化させたフォトレジストフィルム
    を不動態化処理に付し、このようにして不動態化された
    基材（構造化されたフォトレジストフィルムを備えてい
    る）を、その上にニッケル層を形成させる目的のために
    ガルバニック処理に付し、その後、このようにして形成
    されたニッケル層を当該基材から剥離してスタンパーを
    得るということを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記導電性基材としてニッケルを使用す
    ることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 上記の構造化されたフォトレジストフィ
    ルムを備えている基材を酸化溶液に浸す化学的不動態化
    処理を行うことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記酸化溶液として、重クロム酸塩、亜
    硝酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩または安息香酸塩の溶
    液を使用することを特徴とする、請求項３に記載の方
    法。
  5. 【請求項５】 前記化学的不動態化処理を重クロム酸塩
    溶液中で行うことを特徴とする、請求項３または４に記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 アノード不動態化処理を行うことを特徴
    とする、請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記不動態化が起こる液体との陽極の電
    位差が、酸素を発生させる普通の平衡電位よりも低いこ
    とを特徴とする、請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 ネガ型フォトレジストを使用することを
    特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方
    法。
  9. 【請求項９】 ポジ型フォトレジストを使用することを
    特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記ポジ型フォトレジストの露光がピ
    ットおよびミラーイメージの両方を含むことを特徴とす
    る、請求項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記ニッケル層を形成するための前記
    ガルバニック処理を１つ以上の工程で行うことを特徴と
    する、請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 第１工程における電流密度を初期値か
    ら最終値へと徐々に増大させることを特徴とする、請求
    項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 後の工程（複数であってもよい）にお
    ける電流密度を前記第１工程の最終値から当該後の工程
    （複数であってもよい）の最終値へと徐々に増大させ、
    任意に後者の最終値に特定の時間維持することを特徴と
    する、請求項１１または１２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 ガルバニック処理によって形成された
    ニッケル層を基材から剥離するやいなや、このようにし
    て得られたスタンパーを残存しているフォトレジストフ
    ィルムを除去するための処理に付すことを特徴とする、
    請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 残存しているフォトレジストフィルム
    を除去するための前記処理がアルカリ性溶液による濯ぎ
    を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 残存しているフォトレジストフィルム
    を除去するための前記処理が紫外線−オゾン処理を含む
    ことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 残存しているフォトレジストフィルム
    を除去するための処理がアルカリ性溶液による濯ぎと紫
    外線−オゾン処理との組み合わせを含むことを特徴とす
    る、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 現像液またはイソプレップ(Isoprep)
    を使用することを特徴とする、請求項１５に記載の方
    法。
  19. 【請求項１９】 残存しているフォトレジストフィルム
    が除去されたスタンパーまたは残存しているフォトレジ
    ストフィルムが除去されていないスタンパーを、当該元
    々のスタンパーに対して逆転している構造を有するスタ
    ンパーを得ることを目的として、ガルバニック複製方法
    に付すことを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１
    項に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれか１項に記載
    の方法によって得られたスタンパーを使用する、光学デ
    ィスクの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記スタンパーが、請求項１〜１９の
    いずれか１項に記載の方法を使用することによって得ら
    れたことを特徴とする、光学ディスクを製造するための
    スタンパー。
  22. 【請求項２２】 請求項２０に記載の方法を使用するこ
    とによって得られたことを特徴とする光学ディスク。
JP11127423A 1998-05-08 1999-05-07 スタンパ―の製造方法、当該方法を行うことによって得られるスタンパ―、並びに当該スタンパ―を使用することによって得られる光学ディスク Pending JP2000040268A (ja)

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