JP3592678B2 - ブランク盤の製造方法とダイレクトスタンパーの製作方法 - Google Patents
ブランク盤の製造方法とダイレクトスタンパーの製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3592678B2 JP3592678B2 JP2002051549A JP2002051549A JP3592678B2 JP 3592678 B2 JP3592678 B2 JP 3592678B2 JP 2002051549 A JP2002051549 A JP 2002051549A JP 2002051549 A JP2002051549 A JP 2002051549A JP 3592678 B2 JP3592678 B2 JP 3592678B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- layer
- photoresist layer
- resist
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク成形時に使用されるダイレクトスタンパーを作るためのブランク盤の製造方法と、上記ダイレクトスタンパーの製作方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ディスクは、ポリカーボネートなどの樹脂を射出成形することによって大量に作られるが、そのとき、成形機の金型に取り付けられるのがスタンパーである。スタンパーには無数の微細な突起が螺旋状に形成されていて、光ディスクではそれが転写されて情報を表すピット(窪み)となる。
【0003】
スタンパーを製造する工程はマスタリングと呼ばれている。この工法は、一般にフォトリソグラフィーといわれる技術を用い、ガラス盤上に信号に対応したフォトレジストの凹凸のパターンを形成することから始まる。ガラス盤上のポジ型フォトレジスト層に、記録すべき信号に対応して強度変調されたレーザビームを螺旋状に照射して上記フォトレジスト層を露光させ、その後、現像することによって、レジストの窪み(ピット)をトラック状に形成するのである。その後、表面に導電性膜を形成し、その上に電鋳によりニッケルの厚膜を形成する。その厚膜はおよそ0.3mmほどであり、それを元のガラス盤から剥がして、スタンパーにするのである。このニッケル盤にはフォトレジストのピットが転写された突起(バンプ)が螺旋状に形成されている。このニッケル盤をスタンパーとして成形機の金型に取り付けて、金型で射出成形することにより、情報を含んだピット列を有する光ディスクが成形できるのである。
【0004】
このスタンパーを作る工程は10以上の工程を含み、製作のための多くの時間とコストがかかる。また、工程が多いために塵埃や人為的ミスなどによる欠陥も多く、歩留まりを低下させていた。
【0005】
このような多くの工程を要せず、より少ない工程でスタンパーを作る試みが為されている。特許第2765421号公報には、基板の上に架橋性無機物又は架橋性有機物層を設け、記録信号で強度変調されたレーザビームを照射し現像することにより、基板上に信号パターンに対応した突起部を設け、さらに加熱により上記突起部を強固なものにした後、その基板を直接スタンパーとする工法が示されている。
【0006】
図9に従って、この従来例を説明する。図9(A)には、ニッケル基板41と架橋性無機物又は架橋性有機物層が42で示されている。図9(B)は、信号変調されたレーザビーム43が記録レンズ44で絞られて架橋性無機物又は架橋性有機物層42の架橋性物質に照射されてこれを露光させるところを示す。図9(C)には、レーザビームによる露光の潜像としての露光部が局所的に加熱されて架橋し、架橋部45を形成しているところを示す。これを現像すると、未露光部は溶解し、露光部である架橋部45のみがパターン46として残る。これらパターン46として残った架橋性物質はいわゆるネガ型レジストの作用をする。図9(D)はその状態の基板を表している。これを300℃の高温でハードベークすると、パターン46の部分は架橋が促進され強固になる。このように作られた基板をそのままスタンパーにするのである。
【0007】
また、特開平7−326077号公報にも、基板上にフォトレジストの突起を形成し、高温加熱により架橋を促進した後、直接それをスタンパーとして用いるのが示されている。この特許が前者の特許と異なるのは、基板上にフォトレジストを形成する方法である。前者は信号変調されたレーザビームの熱で選択的に架橋を起こしたのに対し、後者では選択的に上記フォトレジストに照射して上記フォトレジストを露光させ、酸を発生させる。その後、全体を加熱することにより、酸が触媒となり露光部のみに架橋を起こさせる。次に、全体を露光すると、前回未露光であったところに酸が生成され、かつ、そこは架橋されていないので、現像液で溶解され、最初に露光されたところが突起として残るのである。
【0008】
前述のスタンパーは、何れもニッケル基板の上に有機又は無機のフォトレジストの突起を形成したものである。高温ベークによりフォトレジストの硬度は硬くなっているが、本来金属との接着力は強くない。また、DVDの場合、フォトレジストの突起の幅は0.3μm、長さは最短のもので0.4μmと接着面積は非常に小さい。
【0009】
スタンパーは成形機の金型に取り付けられ、鏡面金型とキャビティを形成する。その中に高温の樹脂が高圧で注入される。そのとき、高圧の樹脂はレジスト突起を引き剥がす作用を起こす。
【0010】
また、一般に金型の温度は100℃前後に設定されているが、注入される樹脂は約300℃以上の高温である。樹脂の射出によってスタンパー表面温度は上昇し、成形されたディスクの取り出しによって元の温度に戻る、という熱膨張と収縮が繰り返される。ニッケルのようなスタンパーの基板の金属とレジスト突起のフォトレジストの熱膨張係数には大きな違いがあり、その熱膨張の違いによる応力が繰り返しレジスト突起に作用し、ついにはスタンパーの基板からレジスト突起を剥離させてしまうことになる。
【0011】
上記スタンパーで光ディスクを成形すると、約5000ショット位でレジスト突起の欠落による再生信号エラーが許容限界値に達する。DVDでは、欠陥によるエラーはPIエラーと呼ばれ、エラー訂正前において8ECCブロックの中で280以下と決められている。
【0012】
上記したようなレジスト突起の欠落を無くすための提案が本出願の発明者により為されている(出願番号2001−324707号)。図7及び図8にそのスタンパーの製造工程を示す。図7(A)はニッケルなどの基盤1の上に架橋性物質2を塗布した状態を示す。架橋性物質2としては、有機ポリマーやシリコン酸化物の無機の材料などである。基盤1はニッケルの他にニッケル合金、シリコン、アルミニウム、銅などの金属の他に、ガラス、セラミックなどでもよい。
【0013】
図7(B)はそれに続くベーキング処理である。架橋性物質2が熱により架橋するものであれば、このベーキング処理で架橋を起こす。また、架橋性物質2が化学増幅型レジストのような露光で酸を発生させ、それに続くベーキングで先ほどの酸が触媒となって架橋を起こすものもある。そのような場合は、図7(B)のベーキング処理を塗布後に溶剤を蒸発させる目的のプリベークとして、80℃から90℃の比較的低温で行なう。
【0014】
その後、引き続き、図7(C)に示すように、基盤1全体に紫外線を照射し、図7(D)に示すベーキング処理を経て、ポリマー鎖を架橋させる。図7(D)は、露光後のベーキングでいわゆるポストエクスポージャーベークと呼ばれるものである。このとき、露光で発生した酸が触媒となって架橋反応が起こる。何れの場合もこの段階の架橋性物質2の架橋は完全ではなく、半架橋の状態にする。それは、次の図7(E)の工程において、フォトレジストを架橋性物2の上に塗布してフォトレジスト層3を形成するが、そのフォトレジストの溶剤に架橋性物質2が溶けない程度つまり実質的に侵されない程度に架橋するためである。一般に、有機ポリマーでは数パーセント架橋が進行すると、溶剤に溶けなくなる。図7(E)のフォトレジスト層3のレジストとしてはネガ型レジストを用いる。ただし、本来はポジ型レジストであっても、いわゆるイメージリバーサル法として知られる方法でネガ型として用いるのでもよい。このとき、架橋性物質2は数パーセント架橋された状態で、フォトレジストの溶剤によって侵されることがない。
【0015】
次に、図7(F)のように記録すべき信号で変調されたレーザビーム4をフォトレジスト層3に露光する。ここで使われる装置は、レーザビームレコーダと呼ばれ、図7(F)では、記録すべき信号で変調された後のレーザビーム4とそのレーザビーム4を0.3ミクロンほどの微細なスポットに絞る記録レンズ5、および基盤1を回転軸6の周りに回転させる回転駆動部材7のみ示されている。記録レンズ5は、回転駆動部材7により回転される基盤1の半径方向に沿って移動するので、フォトレジスト層3には螺旋状に潜像が記録される。
【0016】
図7(G)は露光後のベーキングで、露光によって露光部に発生した酸が触媒となり、このベーキング処理でフォトレジストの架橋反応が進む。これは、一般に、化学増幅型レジストと呼ばれる種類のレジストで、レジストの種類によっては露光後のべーキングが不要の場合もある。
【0017】
図8(H)は、その後の現像処理で、架橋された部位以外が溶けて流される。結果として露光部が、レジスト突起8として残る。この状態のレジスト突起8と架橋性物質層2とはまだ強固に結合されていない。
【0018】
図8(I)は、上記架橋性物質層2とレジスト突起8のレジストの架橋を更に促進する工程である。前述したように、架橋性物質層2は完全には架橋されていない。また、レーザビームで露光されたレジスト突起8のレジストもまだ架橋は一部しか進行していない。この工程で、両者の架橋をさらに進行させることにより、レジスト突起8のレジストポリマーと架橋性物質層2との間で相互の架橋が起こり、両者の結合を強める。また、夫々が架橋によりさらに強固になり、光ディスク成形時の熱と応力に耐える強度を与える。架橋の具体的方法の一つは、現像後の基板全体をプラズマ中に曝す方法である。プラズマとしてはフッ素ガスのプラズマなどが効果的である。プラズマ中にレジストを曝すと、プラズマ中のイオンやラジカルによりレジスト自体が削られるので暴露時間は数秒程度に抑える必要がある。そのように数秒プラズマ処理されたレジストは内部まで硬くなっており、強度および耐熱性が向上する。
【0019】
もう一つの架橋の方法は、上記現像後の基盤に遠紫外線の照射とその後のべーキングにより架橋を促進する方法である。化学増幅型レジストの場合は、紫外線照射後にベーキングすることにより架橋が促進される。また、化学増幅型ではないノボラック系樹脂では、ベーキングによりレジスト中の水分を無くした状態で遠紫外線を照射すると、架橋がより進行することが知られている。1例では、レジスト2に化学増幅型を用い、現像後の基盤1に遠紫外線を照射し、その後、110〜250℃の間でベーキングを行なった。この場合も、架橋性物質2とレジスト3の架橋が進行し、基盤全体の耐熱温度は250℃以上に上がった。
【0020】
図8(J)は架橋後の基盤で、レジスト突起8と架橋性物質層2は一体化された構造物9になっている。これを成形機の金型に合うように内外径を加工し、必要に応じ裏面を削ればスタンパーが完成する。
【0021】
上記の工法で製造されたスタンパーを使用して光ディスクを成形する成形実験を行った結果、光ディスク生産枚数が1万ショットを超えてもスタンパーのバンプの欠落は全く観察されなかった。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
前述の図7(F)において、レーザビームで信号を記録するとき、基盤1はニッケルなどの高反射率の材料であるのに対し、架橋性物質層2やレジスト層3は透明に近い材料である。そのため、図3(A)に示すような基盤1cの表面に節を持った定在波が生じる。この露光により像が形成されるのはレジスト層3cであるので、図3(A)のように架橋性物質層2cとレジスト層3cの境界面が上記定在波の腹の近くにあると、形成される突起の底辺部の光強度が最大になり、図3(B)のような裾野が広がった断面形状の突起10が形成される。裾野が広がったピット形状のディスクは、再生時に隣接トラックからの信号が漏れ込み、好ましくない。また、再生信号の変調度も小さくなり、十分な変調信号が得られない。特に、高密度化が進み、トラックピッチが益々狭くなっているDVDなどでは、断面形状で見た側面の傾斜角は40°以上は必要であり、再生信号の特性上も好ましくは50°〜60°であるのが望ましい。
【0023】
また、図4のように、架橋性物質層2dとレジスト層3dの境界面が定在波の1波長分も離れていると、基盤1の表面で焦点を結んだビームは、上記境界面ではかなりぼけた像となり、望ましい形状の突起は形成できない。焦点深度を、光軸上において焦点位置での光強度の50%以上の範囲と定義すると、焦点深度fdは以下の式で表される。
【0024】
【数1】
fd=±λ/π(NA)2
ここで、λはレーザビーム波長、NAは記録レンズの開口数である。レーザビームの波長が351nm、記録レンズの開口数が0.9のとき、焦点深度は±0.138nmとなる。架橋性物質の屈折率を1.6としたとき、図4の定在波の1波長は219nmとなり、上記焦点深度を大幅に越える。上記の焦点ずれを防ぐために、焦点位置を上記架橋性物質2とレジスト層3の境界面に合わせると、基盤1の表面では焦点がずれてしまい、そのボケた像の反射光がレジストを感光するので、やはり形成される突起は裾引き現象が見られる。すなわち、上記構造のものでは、記録時にニッケル基盤の表面に生じる定在波の影響でレジスト突起が裾引きの断面形状になるといった問題があった。
【0025】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、レジスト突起が裾引きの断面形状になるのを防止することができる、ダイレクトスタンパーを作るためのブランク盤の製造方法と、上記ダイレクトスタンパーの製作方法を提供することにある。
【0026】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【0027】
本発明の第1態様によれば、基盤上にネガ型のフォトレジストの層を形成し、上記フォトレジストの層にベーキング処理を行った後、紫外線を照射することでその表面を不完全な架橋状態にした後、上記フォトレジストの層の上に更に上記フォトレジストと同一の物質のフォトレジストの層を形成し、その後、後で形成された上記フォトレジストの層に記録すべき信号によって変調されたレーザビームの露光および現像を行った後、この2つのフォトレジストの各層に更にベーキング処理を行うことで上記2つのフォトレジストの層を完全に架橋させたダイレクトスタンパーの製作方法であって、上記レーザビームの波長をλ、先に形成された上記ネガ型のフォトレジストの層の上記フォトレジストの屈折率をnとしたとき、先に形成された上記ネガ型のフォトレジストの層の厚みが3λ/8nから5λ/8nの範囲であることを特徴とするダイレクトスタンパーの製作方法を提供する。
【0028】
本発明の第2態様によれば、基盤上にネガ型のフォトレジストの層を有し、上記ネガ型のフォトレジストの層にベーキング処理を行った後、紫外線を照射することでその表面を不完全な架橋状態にし、更に上記フォトレジストと同一の物質のフォトレジストの層が設けられているブランク盤の製造方法であって、後で形成された上記フォトレジスト層にレーザビームを選択的に照射して、後で形成された上記フォトレジスト層を露光及び現像する際の上記レーザビームの波長をλ、先に形成された上記フォトレジストの層の上記フォトレジストの屈折率をnとしたとき、先に形成された上記フォトレジストの層の厚みが3λ/8nから5λ/8nの範囲であることを特徴とするブランク盤の製造方法を提供する。
【0029】
本発明の第3態様によれば、先に形成された上記フォトレジストの層の上記フォトレジストは有機ポリマーである第2の態様に記載のブランク盤の製造方法を提供する。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0034】
(第1実施形態)
本発明の第1の実施形態にかかる光ディスク成形用ダイレクトスタンパー51を製造するためのブランク盤50は、図1及び図5〜図6に示すように、基盤1a上に架橋性物質層2aおよびフォトレジスト層3aを順次配置して構成されている。このブランク盤50の上記フォトレジスト層3aに、記録信号で変調されたレーザビーム40を選択的に照射して上記フォトレジスト層3aを露光させて露光部3xを形成した後、上記フォトレジストを現像して上記露光部3xの上記フォトレジストを残し未露光部3yの上記フォトレジストを除去するとともに、上記記録信号に対応して残された上記露光部3xの上記フォトレジストの突起11と上記架橋性物質層2aとの間で架橋反応を生じさせて上記フォトレジストの突起11を上記架橋性物質層2a上に固定して光ディスクを成形するダイレクトスタンパー51を製造する。
【0035】
ここで、図1に示すように、上記ブランク盤50は、上記架橋性物質層2aの上記架橋性物質の屈折率をn、上記レーザビーム40の波長をλとしたとき、上記架橋性物質層2aの厚みを3λ/8nから5λ/8nの範囲としている。このとき、架橋性物質層2aとレジスト層3aの境界面は、上記レーザビーム40が基盤1aで反射されて形成される定在波のほぼ節近くの位置になる。そのため、突起11の底面部の露光強度は小さくなり、現像後に形成される突起11は裾引がなく、突起11の傾斜角が十分とれた形状になる。
【0036】
上記架橋性物質層2aの架橋性物質の一例としては、フェノール樹脂やポリビニールフェノール樹脂をベースにしたフォトレジストなどの有機ポリマーが使用できる。
【0037】
次に、図5及び図6に基いて、第1実施形態にかかるダイレクトスタンパー51の製造工程を詳細に説明する。
【0038】
図5(A)は、ニッケルなどの基盤1aの上に架橋性物質を塗布した状態を示す。上記塗布された架橋性物質層2aの厚みは、上記したように3λ/8nから5λ/8nの範囲としている。基盤1aはニッケルの他に、ニッケル合金、シリコン、アルミニウム、銅などの金属、又は、上記した金属の他に、ガラス、セラミックなどでもよい。
【0039】
図5(B)は上記塗布工程に続くベーキング処理工程である。架橋性物質層2aの架橋性物質が熱により架橋するものであれば、このベーキング処理で架橋を起こす。また、架橋性物質が化学増幅型レジストのような露光で酸を発生させ、それに続くベーキングで先ほどの酸が触媒となって架橋を起こすものもある。そのような場合は、図5(B)のベーキング処理を、塗布後に溶剤を蒸発させる目的のプリベークとして、80℃から90℃の比較的低温で行なう。
【0040】
その後、引き続き、図5(C)に示すように、基盤1a全体に紫外線を照射し、図5(D)に示すベーキング処理を経て、ポリマー鎖を架橋させる。図5(D)は、露光後のベーキングでいわゆるポストエクスポージャーベークと呼ばれるものである。このとき、露光で発生した酸が触媒となって架橋反応が起こる。
【0041】
何れの場合もこの段階の架橋性物質の架橋は完全ではなく、半架橋の状態にする。それは、次の図5(E)の工程において、架橋性物質層2aの上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層3aを形成するが、そのフォトレジストの溶剤に架橋性物質が溶けない程度、つまり実質的に侵されない程度に架橋するためである。一般に、有機ポリマーでは数パーセント架橋が進行すると、溶剤に溶けなくなる。図5(E)のフォトレジスト層3aのフォトレジストとしてはネガ型レジストを用いる。ただし、本来はポジ型レジストであっても、いわゆるイメージリバーサル法として知られる方法でネガ型として用いるのでもよい。このとき、架橋性物質層2aの架橋性物質は数パーセント架橋された状態で、フォトレジストの溶剤によって侵されることがない。
【0042】
次に、図5(F)のように記録すべき信号で変調されたレーザビーム40をフォトレジスト層3aに照射してフォトレジスト層3aを露光させる。ここで使われる照射装置は、レーザビームレコーダと呼ばれ、図5(F)では、レーザビームレコーダのうち、記録すべき信号で変調された後のレーザビーム40と、そのレーザビーム40を0.3ミクロンほどの微細なスポットに絞る記録レンズ5と、基盤1aを回転軸6の周りに回転させる回転駆動部材7のみが示されている。記録レンズ5は、回転駆動部材7により回転される基盤1aの半径方向に沿って移動するので、フォトレジスト層3aには螺旋状にレーザビーム40が照射されて螺旋状の潜像がフォトレジスト層3aに記録される。
【0043】
図5(G)は、露光後のベーキングで、露光によって露光部3xに発生した酸が触媒となり、このベーキング処理でフォトレジストの架橋反応が進む。これは、一般に、化学増幅型レジストと呼ばれる種類のレジストで、レジストの種類によっては露光後のべーキングが不要の場合もある。
【0044】
図6(H)は、その後の現像処理で、架橋された部位以外が溶けて流される。結果として露光部3xが、レジスト突起8aとして残る。この状態のレジスト突起8aと架橋性物質層2aとはまだ強固に結合されていない。
【0045】
図6(I)は、上記架橋性物質層2aとレジスト突起8aのレジストの架橋を更に促進する工程である。前述したように、架橋性物質層2aの架橋性物質は完全には架橋されていない。また、レーザビーム40で露光されたレジスト突起8aのレジストもまだ架橋は一部しか進行していない。この工程で、両者の架橋をさらに進行させることにより、レジスト突起8aのレジストポリマーと架橋性物質との間で相互の架橋が起こり、両者の結合を強める。また、夫々が架橋によりさらに強固になり、光ディスク成形時の熱と応力に耐える強度を与える。架橋の具体的方法の一つは、現像後の基板全体をプラズマ中に曝す方法である。プラズマとしてはフッ素ガスのプラズマなどが効果的である。プラズマ中にレジストを曝すと、プラズマ中のイオンやラジカルによりレジスト自体が削られるので暴露時間は数秒程度に抑える必要がある。そのように数秒プラズマ処理されたレジストは内部まで硬くなっており、強度および耐熱性が向上する。
【0046】
もう一つの架橋の方法は、上記現像後の基盤1aに遠紫外線の照射とその後のべーキングにより架橋を促進する方法である。化学増幅型レジストの場合は、紫外線照射後にベーキングすることにより架橋が促進される。また、化学増幅型ではないノボラック系樹脂では、ベーキングによりレジスト中の水分を無くした状態で遠紫外線を照射すると、架橋がより進行することが知られている。1例では、架橋性物質層2aの架橋性物質に化学増幅型を用い、現像後の基盤1aに遠紫外線を照射し、その後、110〜250℃の間でベーキングを行なった。この場合も、架橋性物質とフォトレジスト層3aのレジストの架橋が進行し、基盤1a全体の耐熱温度は250℃以上に上がった。
【0047】
図6(J)は架橋後の基盤1aで、レジスト突起8aと架橋性物質層2aとは一体化された構造物9aになっている。この一体化された構造物9aの突起が上記突起11である。この一体化された構造物9aを成形機の金型に合うように内外径を加工し、必要に応じて裏面を削れば、光ディスク成形用スタンパーが完成する。
【0048】
上記の工法で製造されたスタンパーを使用して光ディスクを成形する成形実験を行った結果、光ディスク生産枚数が1万ショットを超えてもスタンパーの突起11すなわちバンプの欠落は全く観察されなかった。
【0049】
この第1実施形態にかかる実施例1では、レーザビームに波長351nmのクリプトンレーザを用い、架橋性物質として屈折率が約1.6の有機ポリマーを用い、架橋性物質層の厚さを83〜137nmとして良好なレジスト突起を得た。有機ポリマーの一例として、フェノール樹脂をベースにしたフォトレジストを使用した。
【0050】
上記第1実施形態にかかるブランク盤50及びこのブランク盤50を用いて作られたスタンパー51は、上記架橋性物質層2aの厚みを3λ/8nから5λ/8nの範囲とするため、架橋性物質層2aとレジスト層3aの境界面が、レーザビーム40が基盤1aで反射して形成される定在波のほぼ節近くの位置になる。このため、突起11の底面部の露光強度は小さくなり、現像後に形成される突起11は裾引がなく、突起11の傾斜角が十分とれた形状になり、ジッターや変調度が従来より良好な再生信号が得られた。この結果、従来と比較して、ショット数を2万以上まで増加させることが可能である。しかし、傾斜角が大きくなったからショット数が増えたのではなく、むしろ、逆になる傾向がある。しかし、傾斜角を大きくしても2万回以上のショット数が可能であった。また、この結果、レジスト突起11の形状が裾引きのない理想的な角度θの傾斜を実現することができるため、再生信号特性を向上させることが出来る。裾引きのない理想的な角度θの一例として、断面形状で見た側面の傾斜角度θは40°以上は必要であり、再生信号の特性上も好ましくは50°〜60°であるのが望ましい。裾引きのある場合と裾引きのない場合とを明確に理解しやすくするため、図10に、裾引きのある突起を一点鎖線で示し、これに重ね合わせて、裾引きのない突起を実線で示した突起の拡大図を示す。また、レジスト突起11の形状が裾引きがない分、光ディスクのピット幅を小さくすることができるので、より高密度のディスクを作ることが出来る。
【0051】
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態にかかるダイレクトスタンパー61を製造するためのブランク盤60は、第1実施形態のブランク盤50と厚さが異なるものであって、図2に示すように、基盤1b上に架橋性物質層2bおよびフォトレジスト層3bを順次配置して構成されており、架橋性物質層2bの厚みをλ/2nとした点が異なり、他の構造及び工程は大略同一である。
【0052】
すなわち、このブランク盤60の上記フォトレジスト層3bに、記録信号で変調されたレーザビーム40を選択的に照射して上記フォトレジスト層3bを露光させて露光部(図5の露光部3x参照)を形成した後、上記フォトレジストを現像して上記露光部の上記フォトレジストを残し未露光部(図5の未露光部3y参照)の上記フォトレジストを除去するとともに、上記記録信号に対応して残された上記露光部の上記フォトレジストの突起12と上記架橋性物質層2bとの間で架橋反応を生じさせて上記フォトレジストの突起12を上記架橋性物質層2b上に固定して光ディスクを成形するダイレクトスタンパー61を製造する。
【0053】
ここで、図2に示すように、上記ブランク盤60は、上記架橋性物質層2bの上記架橋性物質の屈折率をn、上記レーザビーム40の波長をλとしたとき、上記架橋性物質層2bの厚みをλ/2nとしている。このとき、架橋性物質層2bとレジスト層3bの境界面は、レーザビーム40の基盤1bによる反射で形成される定在波のほぼ節の位置になる。そのため、突起12の底面部の露光強度は第1実施形態よりも小さくなり、現像後に形成される突起12は裾引がなく、突起12の傾斜角が十分とれた形状になる。
【0054】
上記架橋性物質層2bの架橋性物質の一例として、フォトレジスト層3bと同じ材料の有機ポリマーを使用することができる。
【0055】
この第2実施形態にかかる実施例2では、架橋性物質に屈折率が約1.6の有機ポリマーを用いたとき、上記第1実施形態の実施例1の記録条件では架橋性物質層の厚さは約110nmとなる。架橋性物質層の架橋性物質である有機ポリマーにレジスト層3bと同じ材料を用い、この条件で製造したスタンパーの突起12の傾斜角度θは約50°〜55°が得られた。また、再生信号のジッターは規格が8%以下であるが、このスタンパーでは6.6%であった。また、スタンパにより成形される光ディスクの成形枚数が2万ショットを超えても、突起および架橋性層の剥離は観察されなかった。
【0056】
上記第2実施形態にかかるブランク盤60及びこのブランク盤60を用いて作られたスタンパー61は、上記架橋性物質層2bの厚みをλ/2nとするため、架橋性物質層2bとレジスト層3bの境界面が、基盤1bの反射で形成される定在波に対してほぼ節の位置になる。このため、突起12の底面部の露光強度はより小さくなり、現像後に形成される突起12は裾引がなく、突起12の傾斜角が十分とれた形状になり、従来の工法に比べて光ディスクの成形ショット数を大幅に増やすことができる。従来のスタンパーでは5千枚程度までしか光ディスクを成形できなかったが、第2実施形態によれば2万枚以上可能となった。また、この結果、レジスト突起12の形状が裾引きのない理想的な角度θの傾斜を実現することができ、再生信号特性を向上させることが出来る。裾引きのない理想的な角度θの一例として、断面形状で見た側面の傾斜角度θは40°以上は必要であり、再生信号の特性上も好ましくは50°〜60°であるのが望ましい。また、レジスト突起12の形状が裾引きがない分、光ディスクのピット幅を小さくすることができるので、より高密度のディスクを作ることが出来る。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、先に形成された上記ネガ型のフォトレジストの層の厚みを3λ/8nから5λ/8nの範囲とするため、先に形成された上記ネガ型のフォトレジストの層と、後で形成された上記フォトレジストの層との境界面が、基盤の反射で形成される定在波に対してほぼ節近くの位置又はほぼ節の位置になる。このため、突起の底面部の露光強度は小さくなり、現像後に形成される突起は裾引がなく、突起の傾斜角が十分とれた理想的な角度の傾斜を実現することができ、再生信号特性を向上させることが出来る。また、レジスト突起の形状が裾引きがない分、光ディスクのピット幅を小さくすることができるので、より高密度のディスクを作ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A),(B)はそれぞれ本発明の第1実施形態にかかるダイレクトスタンパーの製作方法の工程を示し、ダイレクトスタンパーを製造するためのブランク盤及びダイレクトスタンパーをそれぞれ示す複式図である。
【図2】(A),(B)はそれぞれ本発明の第2実施形態にかかるダイレクトスタンパーとその製作方法の工程を示し、ダイレクトスタンパーを製造するためのブランク盤及びダイレクトスタンパーをそれぞれ示す模式図である。
【図3】(A),(B)はそれぞれ架橋性物質層を用いた従来例の模式図である。
【図4】架橋性物質層を用いた他の従来例の模式図である。
【図5】(A)〜(G)はそれぞれ本発明の第1実施形態にかかるダイレクトスタンパーの製作方法の工程図である。
【図6】(H)〜(J)はそれぞれ図5に続くダイレクトスタンパーの製作方法の工程図である。
【図7】(A)〜(G)はそれぞれダイレクトスタンパーの製作方法の工程図である。
【図8】(H)〜(J)はそれぞれ図7に続くダイレクトスタンパーの製作方法の工程図である。
【図9】(A)〜(D)はそれぞれ従来例の工程図である。
【図10】裾引きのある場合と裾引きのない場合とを明確に理解しやすくするため、裾引きのある突起を一点鎖線で示し、これに重ね合わせて、裾引きのない突起を実線で示した突起の拡大図である。
【符号の説明】
1…基盤、1a,1b…基盤、1c,1d…従来例の基盤、2…本発明の実施形態の架橋性物質層、2a,2b…本発明の実施形態の架橋性物質層、2c,2d…従来例の架橋性物質層、3…フォトレジスト層、3a,3b…本発明の実施形態のフォトレジスト層、3c,3d…従来例のレジスト層、3x…露光部、3y…未露光部、4,40…レーザビーム、5…記録レンズ、6…回転軸、7…回転駆動部材、8,8a…レジスト突起、9,9a…一体化された構造物、10,11,12…突起、41…ニッケル基板、42…架橋性有機物層、43…レーザビーム、44…記録レンズ、45…露光部、46…現像後の露光部、50,60…ブランク盤、51,61…ダイレクトスタンパー。
Claims (3)
- 基盤上にネガ型のフォトレジストの層を形成し、上記フォトレジストの層にベーキング処理を行った後、紫外線を照射することでその表面を不完全な架橋状態にした後、上記フォトレジストの層の上に更に上記フォトレジストと同一の物質のフォトレジストの層を形成し、その後、後で形成された上記フォトレジストの層に記録すべき信号によって変調されたレーザビームの露光および現像を行った後、この2つのフォトレジストの各層に更にベーキング処理を行うことで上記2つのフォトレジストの層を完全に架橋させたダイレクトスタンパーの製作方法であって、上記レーザビームの波長をλ、先に形成された上記ネガ型のフォトレジストの層の上記フォトレジストの屈折率をnとしたとき、先に形成された上記ネガ型のフォトレジストの層の厚みが3λ/8nから5λ/8nの範囲であることを特徴とするダイレクトスタンパーの製作方法。
- 基盤上にネガ型のフォトレジストの層を有し、上記ネガ型のフォトレジストの層にベーキング処理を行った後、紫外線を照射することでその表面を不完全な架橋状態にし、更に上記フォトレジストと同一の物質のフォトレジストの層が設けられているブランク盤の製造方法であって、後で形成された上記フォトレジスト層にレーザビームを選択的に照射して、後で形成された上記フォトレジスト層を露光及び現像する際の上記レーザビームの波長をλ、先に形成された上記フォトレジストの層の上記フォトレジストの屈折率をnとしたとき、先に形成された上記フォトレジストの層の厚みが3λ/8nから5λ/8nの範囲であることを特徴とするブランク盤の製造方法。
- 先に形成された上記フォトレジストの層の上記フォトレジストは有機ポリマーである請求項2に記載のブランク盤の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002051549A JP3592678B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | ブランク盤の製造方法とダイレクトスタンパーの製作方法 |
CN02147382.XA CN1249704C (zh) | 2001-10-23 | 2002-10-23 | 空白盘和直接压模及其制造方法 |
US10/279,623 US6927016B2 (en) | 2001-10-23 | 2002-10-23 | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
EP03004470A EP1341168A3 (en) | 2002-02-27 | 2003-02-27 | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002051549A JP3592678B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | ブランク盤の製造方法とダイレクトスタンパーの製作方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003257089A JP2003257089A (ja) | 2003-09-12 |
JP3592678B2 true JP3592678B2 (ja) | 2004-11-24 |
JP2003257089A5 JP2003257089A5 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=28663492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002051549A Expired - Fee Related JP3592678B2 (ja) | 2001-10-23 | 2002-02-27 | ブランク盤の製造方法とダイレクトスタンパーの製作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6927016B2 (ja) |
EP (1) | EP1341168A3 (ja) |
JP (1) | JP3592678B2 (ja) |
CN (1) | CN1249704C (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI264717B (en) * | 2002-01-08 | 2006-10-21 | Tdk Corp | Manufacturing method of stamper for manufacturing data medium, the stamper, and the photoresist template |
US7297472B2 (en) * | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
JP4366193B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2009-11-18 | 長瀬産業株式会社 | スタンパ原盤の製造方法及びスタンパの製造方法 |
EP1482494A3 (en) * | 2003-05-28 | 2007-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing master for optical information recording media |
US20050151283A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Bajorek Christopher H. | Method and apparatus for making a stamper for patterning CDs and DVDs |
WO2011125099A1 (ja) | 2010-04-02 | 2011-10-13 | 株式会社 東芝 | スタンパ製造用原盤 |
CN103860147B (zh) * | 2014-03-28 | 2016-06-01 | 广州中国科学院先进技术研究所 | 一种双透镜多谱成像镜组的制作方法及其静脉显示系统 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7602482A (nl) | 1976-03-10 | 1977-09-13 | Philips Nv | Fotogevoelig element alsmede methode over het ver- vaardigen van een informatiedrager met een hoge informatie dichtheid. |
JPS5877044A (ja) | 1981-10-29 | 1983-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | デイスク原盤製造方法 |
JPS58153242A (ja) | 1982-03-09 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | 音盤・記録盤用原盤の製造方法 |
JPS60195749A (ja) | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Fujitsu Ltd | スタンパの製造方法 |
US4729940A (en) * | 1986-05-16 | 1988-03-08 | Cbs Inc. | Method of manufacturing master for optical information carrier |
JPH01143039A (ja) | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toppan Printing Co Ltd | マスター版の作製方法 |
JP2735569B2 (ja) | 1988-06-29 | 1998-04-02 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 光ディスク原盤の製造方法 |
JPH04144230A (ja) | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Nippon Steel Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2765421B2 (ja) | 1992-12-15 | 1998-06-18 | 日本ビクター株式会社 | 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 |
JP2595886B2 (ja) | 1993-12-14 | 1997-04-02 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH07201990A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Sony Corp | パターン形成方法 |
JP3344602B2 (ja) | 1993-12-30 | 2002-11-11 | ソニー株式会社 | 光デイスク原盤及びその作成方法 |
NL9400225A (nl) | 1994-02-14 | 1995-09-01 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het zonder tussenkomst van een master vervaardigen van een stamper voor het voortbrengen van optische schijven. |
JP3451406B2 (ja) | 1994-03-17 | 2003-09-29 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
JPH07296427A (ja) | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Sony Corp | 光デイスク原盤及びその作成方法 |
JPH07297113A (ja) | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Sharp Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH07302443A (ja) | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Sony Corp | 光デイスク原盤及びその製作方法 |
KR960704312A (ko) | 1994-06-08 | 1996-08-31 | 프레데릭 얀 스미트 | 기록마스터 및 이로부터 야기되는 광학적으로 판독가능한 데이타 캐리어(Recording master, and optically-readable data carrier derived thereform) |
JPH097235A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Ricoh Co Ltd | レジスト原盤及びその製造方法 |
JP2867964B2 (ja) | 1996-06-27 | 1999-03-10 | 日本電気株式会社 | レジスト膜パターンの形成方法 |
JP3555813B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2004-08-18 | コロムビアデジタルメディア株式会社 | 光情報記録媒体 |
JPH1174176A (ja) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法、膜厚最適化装置および膜厚最適化方法 |
NL1009106C2 (nl) * | 1998-05-08 | 1999-11-09 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een stamper, stamper verkregen volgens een dergelijke werkwijze alsmede optische schijf verkregen onder toepassing van een dergelijke stamper. |
JP2000021033A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 光ディスク原盤 |
JP2000089471A (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Sharp Corp | レジストパターンの形成方法 |
JP2001110101A (ja) | 1999-07-30 | 2001-04-20 | Fujitsu Ltd | 記録媒体とその製造方法 |
JP3873605B2 (ja) | 1999-11-11 | 2007-01-24 | 三菱化学株式会社 | 情報記録媒体用原盤、スタンパー及び情報記録媒体の製造方法 |
NL1015524C2 (nl) * | 2000-06-26 | 2001-12-28 | Otb Group Bv | Werkwijze ter vervaardiging van een substraat om te worden toegepast in een stampervervaardigingsproces, alsmede substraat verkregen volgens een dergelijke werkwijze. |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002051549A patent/JP3592678B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-23 CN CN02147382.XA patent/CN1249704C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-23 US US10/279,623 patent/US6927016B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-27 EP EP03004470A patent/EP1341168A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6927016B2 (en) | 2005-08-09 |
EP1341168A3 (en) | 2006-08-23 |
CN1249704C (zh) | 2006-04-05 |
EP1341168A2 (en) | 2003-09-03 |
CN1414548A (zh) | 2003-04-30 |
JP2003257089A (ja) | 2003-09-12 |
US20030087186A1 (en) | 2003-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3592678B2 (ja) | ブランク盤の製造方法とダイレクトスタンパーの製作方法 | |
JP2006338844A (ja) | 光ディスク作製用スタンパとその製造方法 | |
JPH11296918A (ja) | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 | |
JP3596543B2 (ja) | スタンパーとその製造方法及び光ディスク並びにブランクス | |
JP2000113526A (ja) | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 | |
JPH01287846A (ja) | 母型の製造方法及びこの方法に使用するのに適するマスタープレート | |
JP2000256889A (ja) | スタンパー複製用盤の製造方法および光学記録媒体の製造方法 | |
JP2003203396A5 (ja) | ||
JP2002245685A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP2001338444A (ja) | 原盤、スタンパ及び情報記録媒体の製造方法 | |
JPH11102541A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
US7067238B2 (en) | Method for manufacturing a substrate for use in a stamper manufacturing process, as well as a substrate obtained by using such a method | |
JP4647241B2 (ja) | 光記録媒体原盤の製造方法、光記録媒体スタンパの製造方法、及び光記録媒体の製造方法 | |
JP2004152397A (ja) | 光ディスク成型用基盤、その製造方法、及び光ディスク成型用基盤のブランクス | |
JP4061909B2 (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
JP2003123329A (ja) | スタンパー及びその製造方法 | |
JP2004062982A (ja) | スタンパー用ブランク盤の製造方法 | |
JP2767638B2 (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
JPH11353719A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
JPH11110831A (ja) | 光ディスク製作用マスタディスクの製造方法 | |
JP2001155386A (ja) | 収縮マザーと収縮ファーザー及びそれらの製造方法 | |
JP2000021017A (ja) | 光学記録媒体と光学記録媒体の製造方法、および光学記録媒体用基板と光学記録媒体用基板の製造方法 | |
JPH07121913A (ja) | 光ディスク製造用スタンパ及びその製造方法 | |
JP2002245686A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP2003022583A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法及び光ディスク原盤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20040121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040716 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040810 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090903 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110903 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |