JP2003203396A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】スタンパーとその製造方法及び光ディスク並びにブランクス
【特許請求の範囲】
【請求項１】基盤上に架橋性物質の層を形成し、前記架橋性物質の層に第１の架橋反応を施した後、前記架橋性物質の層の上にフォトレジストの層を形成し、その後、前記フォトレジストの層に記録すべき信号によって変調されたレーザビームの露光および現像を行った後、前記架橋性物質および前記フォトレジストの各層に更に第２の架橋反応を施して、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層とを架橋結合させたことを特徴とするスタンパーの製造方法。
【請求項２】架橋性物質の層の上にフォトレジストの層が形成された基盤を回転させ、記録すべき信号によって変調されたレーザビームを所望のスポットに絞って前記フォトレジストの層を露光し、このフォトレジストの層に螺旋状に潜像を記録し、その後、前記フォトレジストの層にベーキング処理をしてから前記フォトレジストの層を現像し、前記露光部以外を除去して前記フォトレジストの層に突起を形成することを特徴とするスタンパーの製造方法。
【請求項３】フォトレジストはネガ型レジストであることを特徴とする請求項１または２に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項４】基盤の材質がニッケルであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項５】架橋性物質の層と接触する面の基盤の表面に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の凹凸処理を施したことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のスタンパーの製造方法。
【請求項６】基盤上に架橋性物質の層を有し、前記架橋性物質の層はその表面が不完全な架橋状態の層であって、更に前記架橋性物質の層の上にフォトレジストの層が設けられていることを特徴とするブランクス。
【請求項７】フォトレジストがネガ型レジストであることを特徴とする請求項６に記載のブランクス。
【請求項８】基盤の材質はニッケルであることを特徴とする請求項６または７に記載のブランクス。
【請求項９】架橋性物質の層と接触する面の基盤の表面に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の凹凸処理を施したことを特徴とする請求項６〜８の何れか一項に記載のブランクス。
【請求項１０】基盤上に架橋性物質の層が形成され、前記架橋性物質の層に第１の架
橋反応を施すことで前記架橋性物質の層の表面を不完全な架橋状態にした後、前記不完全な架橋状態の架橋性物質の層の上にフォトレジストの層が設けられ、前記フォトレジストの層に記録すべき信号によって変調されたレーザビームの露光および現像を行うことで前記フォトレジストの層に突起を形成し、その後、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層に、更に第２の架橋反応が施され、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層が完全に架橋結合されたことを特徴とするスタンパー。
【請求項１１】記録すべき信号によって変調されたレーザビームを所望のスポットに絞ってフォトレジストの層を露光し、このフォトレジストの層に螺施状に潜像を記録し、その後、前記フォトレジストの層にベーキング処理をしてから前記フォトレジストの層を現像して前記露光部以外を除去することで、前記フォトレジストの層に突起を形成したことを特徴とする請求項１０に記載のスタンパー。
【請求項１２】第２の架橋反応は架橋性物質の層とフォトレジストの層をプラズマに曝す反応であって、前記架橋性物質の層と突起が形成された前記フォトレジストとの間に相互の架橋反応が施され、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層の各々に架橋反応を促進させたことを特徴とする請求項１０または１１に記載のスタンパー。
【請求項１３】第２の架橋反応は架橋性物質の層と突起が形成されたフォトレジストの層に紫外線照射とベーキング処理を施し、前記紫外線照射と前記ベーキング処理により、前記架橋性物質の層と突起が形成された前記フォトレジストの層との間に相互の架橋反応が施され、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層の各々に架橋反応を促進させたことを特徴とする請求項１０または１１に記載のスタンパー。
【請求項１４】請求項１０〜１３の何れか一項に記載のスタンパーにより製造されたことを特徴とする光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクと、光ディスクを成形する時に用いられるスタンパーとその製造方法及び光ディスク並びにブランクスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ディスクを製作するためのスタンパーはマスタリングといわれる工程で製作されていた。この工法は一般にフォトリソグラフィーといわれる技術を用い、ガラス盤上に信号に対応したフォトレジストの凹凸のパターンを形成することから始まる。ガラス盤上のポジ型フォトレジスト層に、記録すべき信号に対応して強度変調されたレーザビームを螺旋状に露光し、現像することによって、レジストの窪み（ピット）をトラック状に形成するのである。その後、表面に導電性膜を形成し、その上に電鋳によりニッケルの厚膜を形成する。その厚膜はおよそ０．３ｍｍほどであり、それを元のガラス盤から剥がしてスタンパーにするのである。このニッケル盤にはフォトレジストのピットが転写された突起（バンプ）が螺旋状に形成されている。これを射出成形することにより情報を含んだピット列を有する光ディスクが出来るのである。
【０００３】
このスタンパーを作る工程は１０以上の工程を含み、製作のための多くの時間とコストがかかる。また工程が多いために塵埃や人為的ミスなどによる欠陥も多く、歩留まりを低下させていた。
【０００４】
近年、このような多くの工程を要せず、より少ない工程でスタンパーを作る試みがなされている。特許公報第２７６５４２１号には基板の上に架橋性無機物または架橋性有機物層を設け、記録信号で強度変調されたレーザビームを照射し、現像することにより基板上に信号パターンに対応した突起部を設け、さらに加熱により突起部を強固なものにした後、その基板を直接スタンパーとする工法が示されている。図５に従って従来例を説明する。図５（Ａ）にはニッケル基板１と架橋性無機物または架橋性有機物層が２で示されてい
る。図５（Ｂ）は信号変調されたレーザビーム３が記録レンズ４で絞られて架橋性物質２を露光するところを示す。図５（Ｃ）にはレーザ露光の潜像としての露光部が局所的に加熱されて架橋し、５のマークを形成しているところを示す。これを現像すると未露光部は溶解し、露光部のみ６として残る。これら架橋性物質２はいわゆるネガ型レジストの作用をする。図５（Ｄ）はその状態の基板を表している。これを３００℃の高温でハードベーキング処理をすると６のマーク部は架橋が促進され強固になる。このように作られた基板をそのままスタンパーにするのである。その為このスタンパーはダイレクトスタンパーと称されている。
【０００５】
また、特開平７−３２６０７７号公報には基板上にフォトレジスト（架橋性物質）の突起を形成し、高温加熱により架橋を促進した後、直接それをダイレクトスタンパーとして用いる方法が示されている。この特許が特許公報第２７６５４２１号の方法と異なるのは、フォトレジストを選択的に露光し酸を発生させる。その後全体を加熱することにより酸が触媒となり露光部のみに架橋を起こさせる。次に全体を露光すると、前回未露光であったところに酸が生成され、かつそこは架橋されていないので現像液で溶解され、最初に露光されたところが突起として残るのである。
【０００６】
【特許文献１】
特許公報第２７６５４２１号
【特許文献２】
特開平７−３２６０７７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のダイレクトスタンパーは何れもニッケル基板の上に有機または無機のフォトレジスト（架橋性物質）の突起を直接形成したものである。このため、高温ベークによりフォトレジストの硬度は硬くなっているが、本来フォトレジストと金属との接着力は強くない。またＤＶＤの場合、フォトレジストの突起の幅は０．３μｍ、長さは最短のもので０．４μｍと接着面積は非常に小さい。
【０００８】
このダイレクトスタンパーは成形機の金型に取り付けられ、鏡面金型とキャビティを形成する。その中に高温の樹脂が高圧で注入される。その時、高圧の樹脂はフォトレジスト突起を引き剥がす作用を起こす。
【０００９】
また、一般に金型の温度は１００℃前後に設定されているが、注入される樹脂は約３００℃以上の高温である。樹脂の射出によってダイレクトスタンパー表面温度は上昇し、成形ディスク（光ディスク）の取り出しによって元の温度に戻るという熱膨張と収縮が繰り返される。ニッケルのような金属とフォトレジストの熱膨張係数には大きな違いがあり、その熱膨張の違いによる応力が繰り返しフォトレジスト突起に作用し、ついには基板から剥離させる。
【００１０】
従来のダイレクトスタンパーでＤＶＤ（光ディスク）などのディスクを成形すると約５０００〜１００００ショット位の成形でフォトレジスト突起の欠落によるＤＶＤの再生信号エラーが許容限界値に達する。ＤＶＤでは、欠陥によるエラーはＰＩエラーと呼ばれ、エラー訂正前において８ＥＣＣブロックの中で２８０以下と決められている。そのため、従来のダイレクトスタンパーを用いたＤＶＤ（光ディスク）などのディスクの成形では、約５０００〜１００００ショット以上の成形をすることが出来なかった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１のスタンパーの製造方法は、基盤上に架橋性物質の層を形成し、前記架橋性物質の層に第１の架橋反応を施した後、前記架橋性物質の
層の上にフォトレジストの層を形成し、その後、前記フォトレジストの層に記録すべき信号によって変調されたレーザビームの露光および現像を行った後、前記架橋性物質および前記フォトレジストの各層に更に第２の架橋反応を施して、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層とを架橋結合させたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の第２のスタンパーの製造方法は、架橋性物質の層の上にフォトレジストの層が形成された基盤を回転させ、記録すべき信号によって変調されたレーザビームを所望のスポットに絞って前記フォトレジストの層を露光し、このフォトレジストの層に螺旋状に潜像を記録し、その後、前記フォトレジストの層にベーキング処理をしてから前記フォトレジストの層を現像し、前記露光部以外を除去して前記フォトレジストの層に突起を形成することを特徴とする。
【００１３】
また、上記本発明の第１及び第２のスタンパーの製造方法において、フォトレジストはネガ型レジストであると好適である。
【００１４】
また、基盤の材質がニッケルであると好適である。
【００１５】
更に、架橋性物質と接触する面の基盤の表面に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の凹凸処理を施すと好適である。
【００１６】
次に、本発明のブランクスは、基盤上に架橋性物質の層を有し、前記架橋性物質の層はその表面が不完全な架橋状態の層であって、更に前記架橋性物質の層の上にフォトレジストの層が設けられていることに特徴がある。
【００１７】
また、フォトレジストがネガ型レジストであると好適である。
【００１８】
また、基盤の材質がニッケルであると好適である。
【００１９】
また、架橋性物質と接触する面の基盤の表面に１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の凹凸処理を施すと好適である。
【００２０】
次に、本発明のスタンパーは、基盤上に架橋性物質の層が形成され、前記架橋性物質の層に第１の架橋反応を施すことで前記架橋性物質の層の表面を不完全な架橋状態にした後、前記不完全な架橋状態の架橋性物質の層の上にフォトレジストの層が設けられ、前記フォトレジストの層に記録すべき信号によって変調されたレーザビームの露光および現像を行うことで前記フォトレジストの層に突起を形成し、その後、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層に、更に第２の架橋反応が施され、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層が完全に架橋結合されたことを特徴とする。
【００２１】
このとき、記録すべき信号によって変調されたレーザビームを所望のスポットに絞ってフォトレジストの層を露光し、このフォトレジストの層に螺施状に潜像を記録し、その後、前記フォトレジストの層にベーキング処理をしてから前記フォトレジストの層を現像して前記露光部以外を除去することで、前記フォトレジストの層に突起を形成されると好適である。
【００２２】
また、第２の架橋反応は架橋性物質の層とフォトレジストの層をプラズマに曝す反応であって、前記架橋性物質の層と突起が形成された前記フォトレジストとの間に相互の架橋反応が施され、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層の各々に架橋反応を促進すると好適である。
【００２３】
更に、第２の架橋反応は架橋性物質の層と突起が形成されたフォトレジストの層に紫外線照射とベーキング処理を施し、前記紫外線照射と前記ベーキング処理により、前記架橋性物質の層と突起が形成された前記フォトレジストの層との間に相互の架橋反応が施され、前記架橋性物質の層と前記フォトレジストの層の各々に架橋反応を促進させると好適である。
【００２４】
最後に、本発明の光ディスクは、前述した何れかにのスタンパーにより製造されたことを特徴とする。
【００２５】
これにより、突起状のフォトレジストと架橋性物質の結束を強固にする事が出来る。そのため、突起状のフォトレジストをもつダイレクトスタンパーを用いたＤＶＤ（光ディスク）などの光ディスクの成形において、ダイレクトスタンパーの突起状のフォトレジストの欠落による、ＤＶＤの再生信号エラーを、１００００ショット以上のＤＶＤの成形であっても、防止することが可能になる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１〜図４に本発明の実施の形態を示す。
【００２７】
（実施の形態１）
図１に本発明のダイレクトスタンパーの製造方法の一実施例を示す。
【００２８】
図１（Ａ）はニッケルなどの基盤１１の表面前面に架橋性物質１２をスピンコート法により塗布した後の状態を示す図である。架橋性物質１２としては、例えば、有機ポリマーやシリコン酸化物の無機の材料などである。本実施例では架橋性物質１２を有機ポリマーとした。また、本実施例では基盤１１はニッケルとしたが、他にニッケル合金、シリコン、アルミ、銅などの金属の他に、ガラス、セラミックなどでもよい。
【００２９】
最初に、架橋性物質１２を架橋する。そして、架橋性物質１２が化学増幅型レジストのような場合は、図１（Ｂ）に示すベーキング処理を、架橋性物質１２を塗布後に架橋性物質１２の溶剤を蒸発させる目的のプリベークとして、８０℃から９０℃の比較的低温で行う。引き続き、図１（Ｃ）に示すように、基盤１１全体に紫外線を照射し、図１（Ｄ）に示すベーキング処理を経て架橋性物質１２のポリマー鎖を架橋させる。本件で言う紫外線は、遠赤外線を含んだものである。紫外線には低圧水銀ランプの波長２５４ｎｍのものを使用した。紫外線の波長は使用する架橋性物質によって最適なものを選ぶ必要がある。フェノール系の樹脂の場合は、３００ｎｍ前後の波長の紫外線が架橋に有効である。図１（Ｄ）は露光後のベーキングでいわゆるポストエクスポージャーベークと呼ばれるものである。この時、露光で発生した酸が触媒となって架橋性物質１２に第１の架橋反応が起こる。
【００３０】
また、架橋性物質１２の材料によっては、熱により架橋するものもある。この場合は、図１（Ｃ）の紫外線を照射工程と、図１（Ｄ）ポストエクスポージャーベーク工程を省き、図１（Ｂ）のベーキング処理のみで、架橋性物質１２の第１の架橋反応を起こす。
【００３１】
何れの場合もこの段階の架橋性物質１２の第１の架橋反応は完全に架橋するのではなく、半架橋の状態にする。その程度は、次の図１（Ｅ）の工程において、フォトレジスト１３を架橋性物質１２の上に同じくスピンコート法で塗布するが、そのフォトレジスト１３の溶剤に架橋性物質１２が実質的に溶けない程度にする。具体的な判定方法は、架橋性物質をフォトレジストの溶剤に１分間浸し、引き上げてから膜厚を測定する。溶剤に浸ける前後の膜厚から膜減りを求める。その値が５ｎｍ以下である程度の架橋状態にする。つまり、架橋性物質１２がフォトレジスト１３の溶剤に実質的に侵されない程度に架橋する。
一般に有機ポリマーは数パーセント架橋が進行すると溶剤に溶けなくなる。
【００３２】
図１（Ｅ）は架橋性物質１２上にフォトレジスト１３が形成された状態を示している。このフォトレジスト１３はネガ型レジストを用いる。ただし、フォトレジスト１３をポジ型レジストとした場合でも、いわゆるイメージリバーサル法として知られる方法にて結果としてネガ型として用いてもよい。いずれのフォトレジスト１３であっても、架橋性物質１２は数パーセント架橋された状態であるため、フォトレジスト１３の溶剤によって侵されることがない。本実施例で使用したネガ型レジストはノボラック型のフェノール樹脂をベースとしたものである。
【００３３】
次に、図１（Ｆ）のように記録すべき信号で変調されたレーザビーム１４をフォトレジスト層１３に露光する。ここで使われる装置はレーザビームレコーダと呼ばれ、図では記録すべき信号で変調された後のレーザビーム１４とそのレーザビーム１４を０．３ミクロンほどの微細なスポットに絞る記録レンズ１５、およびブランクス（１１，１２，１３より構成）を回転軸１６の周りに回転させる回転駆動部材１７のみ示している。記録レンズ１５は回転する前記ブランクスの半径方向に沿って移動するので、フォトレジスト１３の層には螺旋状に潜像が記録される。
【００３４】
図１（Ｇ）は露光後のベーキング処理を示す図である。露光によってフォトレジスト１３の露光部に発生した酸が触媒となり、このベーキング処理でフォトレジスト１３の露光部に架橋反応が起こる。このような反応が起こるのは、一般に化学増幅型レジストと呼ばれる種類のレジストである。本実施例のレジストは化学増幅型レジストであったが、それ以外のフォトレジストでは、露光後のベーキングは必ずしも必要ではない。
【００３５】
図１（Ｈ）はその後の現像処理で、フォトレジスト１３の架橋された部位以外が溶けて流された状態を示す図である。本実施例ではアルカリ現像液をかけて現像処理を行った。その結果として、フォトレジストの露光部が突起１８として残る。この状態では、フォトレジストの突起１８と架橋性物質層１２とはまだ強固に結合されていない。
【００３６】
図１（Ｉ）は架橋性物質１２の層と突起１８のフォトレジストの架橋を更に促進する工程である。前述したように、図１（Ｈ）の工程では、架橋性物質１２の層の架橋反応は完全には終了していない。また、記録レーザで露光されたフォトレジストの突起１８の架橋も一部しか進行していない。図１（Ｉ）の工程で、両者の架橋を第２の架橋反応として、さらに進行させることにより、フォトレジストの突起１８のポリマーと架橋性物質１２のポリマーとの間で相互の架橋が起こり両者の結合を強める。また、架橋性物質１２自体とフォトレジストの突起１８自体の架橋により強固になり、成形時の熱と応力に耐える強度を与える。
【００３７】
この架橋反応促進（第２の架橋反応）の具体的方法の一つは、現像後の基盤全体をプラズマ中に曝す方法である。この方法でのプラズマとしては、フッ素ガスによるプラズマを用い、現像後の基盤全体をプラズマに曝すと効果が高かった。このプラズマ中に架橋性物質（フォトレジスト）を曝すと、プラズマ中のイオンやラジカルによりフォトレジストの突起も削られ形状が変わるので、プラズマ暴露時間は数秒程度にしている。このように数秒間プラズマ処理された架橋性物質とフォトレジストの突起は内部まで硬くなっており、酸素アッシング後に比べ、フッ素ガスによるプラズマ処理後では、架橋性物質の硬度レートを比較すると、１８０倍近く硬くなった。レジスト突起１８は第２の架橋によって少しシュリンクする。しかし、耐熱温度が上昇し、２５０〜３００℃に加熱しても突起１８の形状に変化はなかった。
【００３８】
図１（Ｊ）は第２の架橋後、フォトレジストの突起１８と架橋性物質１２の層が、架橋
結合により一体化された構造物１９になっている事を示す図である。この一体化された構造物１９を表面に形成した基盤１１を、成形機の金型に合うように内外径を加工し、必要に応じ裏面を削ればダイレクトスタンパーが完成する。なお、これらの加工は架橋性物質を基盤に塗布する前、つまり、図１（Ａ）の前から行ってもよい。
【００３９】
ここで、ダイレクトスタンパーとその表面に注入して来る溶融樹脂の界面の温度をＴとすると、Ｔは次式の数１で求められる。
【００４０】
【数１】

【００４１】
（但し、ρは比重、Ｃは比熱、ｋは熱伝導率を示し、それぞれｐは溶融樹脂、ｍはダイレクトスタンパーを表す。また、Ｔｐｏは溶融樹脂の温度、Ｔｍｏはダイレクトスタンパーの初期温度である。）
成形条件によっても異なるが、従来のニッケルダイレクトスタンパーを用いた場合のＤＶＤ−ＲＯＭディスクの一例では、スタンパーが取り付けられる成形機の金型の温度は１００℃で、溶融樹脂の温度は３６０℃に設定されている。溶融樹脂がスタンパー表面に接触した時の溶融樹脂の界面の温度Ｔは、ニッケルの熱伝導率が樹脂に比べ遥かに大きいため、ほとんどスタンパーの初期温度を維持し、１１０℃以下になる。そのため、溶融樹脂はスタンパー表面に接触した瞬間から冷却固化し始める。
【００４２】
本実施例のように、有機ポリマーからなる架橋性物質とフォトレジストがニッケルのダイレクトスタンパーの表面を形成しているものでは、溶融樹脂の界面の温度は上記の場合より上昇する。架橋性物質及びフォトレジストとダイレクトスタンパー表面の材料の比重、比熱および熱伝導率に差がない場合、上記の温度設定では溶融樹脂の界面の温度Ｔは約２３０℃になる。本実施例では、架橋性物質の下にヒートシンクとしてのニッケルがあるので、温度は２３０℃以下に下がると思われる。しかし、いずれにしても、本実施例でのダイレクトスタンパーは、前述したように、第２の架橋性物質の突起部は架橋により耐熱温度が２５０℃以上になっているので成形時の熱で劣化することがない。
【００４３】
（実施の形態２）
実施の形態２は、図１（Ｉ）に示す、架橋性物質１２の層とフォトレジストの突起１８の架橋を更に促進する方法（第２の架橋反応）の部分以外は、実施の形態１と同様である。この方法は、図１（Ｈ）に示す現像後の架橋性物質１２とフォトレジストの突起１８に、紫外線照射と、ベーキング処理を施すことにより、架橋性物質１２とフォトレジストの突起１８に第２の架橋反応を促進する。本件で言う紫外線は遠赤外線を含んだものである。
【００４４】
ここでフォトレジストが、化学増幅型レジストの場合は、紫外線照射後にベーキングすることにより第２の架橋反応が促進される。
【００４５】
また、フォトレジストが、化学増幅型以外のノボラック系樹脂の場合は、ベーキングによりレジスト中の水分を無くした状態で遠紫外線を照射すると第２の架橋反応が効果的に進行する。
【００４６】
本発明の実施の形態２では、フォトレジストに化学増幅型を用い、現像後の基盤に波長が２５４ｎｍの遠紫外線を照射し、その後、１５０〜２５０℃の間で１０〜２０分の間ベーキング処理を行なった。
【００４７】
この場合も実施の形態１と同様に、架橋性物質とフォトレジストの突起部の相互の架橋及び夫々の架橋が進行し、基盤全体の耐熱温度は２５０℃以上であった。この場合もレジスト突起１８は第２の架橋で少しシュリンクする。しかし、更に２５０〜３００℃の高温に曝しても更なる形状変化は確認されなかった。
【００４８】
（実施の形態３）
実施の形態３は、架橋性物質にフォトレジストと同じ物質を用いる以外は、実施の形態１と同様である。架橋性物質にフォトレジストと同じ材料を用いると、両者間の架橋がより起こりやすくなり、両者間の接着強度がさらに増加する。また、熱膨張係数も同じであるので、成形時に熱変化を繰り返し受けても境界面でせん断歪が発生せず、熱変化による耐性がより強くなる。本実施例では、どちらもノボラック型のフェノール樹脂をベースにしたポリマーを用いた。
【００４９】
（実施の形態４）
実施の形態４は、架橋性物質に光反射防止膜機能をもつ材料を用いる以外は、実施の形態１と同様である。図２は架橋性物質に光反射防止膜機能をもつ材料を用いた時の露光の状態を説明する概念図である。
【００５０】
図２において、基盤１１とフォトレジスト１３の間の架橋性物質２１は反射防止の機能を有する膜である。基盤１は、ニッケルなどの高反射率の材料であるので、実施の形態１におけるレーザ記録の際、反射光は定在波を生じる。レーザ波長をλ、架橋性物質２１およびフォトレジスト１３の屈折率と膜厚をそれぞれｎｃ，ｄｃおよびｎｒ，ｄｒとし、その関係を数２の式で示す。
【００５１】
【数２】

【００５２】
この数２の式が成り立つの時、レーザの定在波の節がフォトレジスト１３の中に存在することになる。その場合、現像後のフォトレジスト１３の突起の形状は節の影響を受けていびつな形状になる。
【００５３】
この様な場合、架橋性物質２１に光反射防止膜の特性を持つものを用いれば、露光時の、基盤１１表面で反射するレーザの強い反射光を減じるので、フォトレジスト膜中に定在波の発生を無くすことができ、突起の歪みを無くすことができる。従って、現像後に顕在化するフォトレジスト突起の形状が定在波の節に影響されず、レーザのガウシャン型プロフィールとレジスト感度によって決まる形状を持ち、良質な突起形状を形成することができる。ここでは架橋性物質として有機ポリマー系の光反射防止膜を用いた。
【００５４】
（実施の形態５）
実施の形態５は、架橋性物質と接触する基盤表面が凹凸形状である以外は、実施の形態１と同様である。図３は基盤表面が凹凸形状であるスタンパーの断面を示す概念図である。図３において基盤３１の表面は微細な凹凸を有している。そのため架橋性物質層１２と基盤３１の接触面積が増え、両者の接着強度を増すことができる。従って、成形時の熱サイクルに対して基盤３１と架橋性物質１２の熱膨張係数の違いによって生じるせん断歪みに耐えることができる。
【００５５】
基盤３１の表面に微細な凹凸を与える方法としては、基盤３１を不活性ガスのプラズマ
中に曝し、不活性ガスのイオン照射により微細な凹凸を与える方法や、或いは化学処理により基盤３１の表面に微細な凹凸を形成する方法などがある。凹凸の大きさの一例としては０．１以上１０ｎｍ以下である。
【００５６】
（実施の形態６）
図４は上記の工法で作られたダイレクトスタンパーからディスクを作る工程を模式的に示す図である。図４（Ａ）はディスクの樹脂注入を示す図である。図４（Ａ）において、ダイレクトスタンパー４１は、上記実施例の工法で作られた、図１（Ｊ）、または図３に示すダイレクトスタンパーである。スタンパー４１は成形機の固定金型４２に取付けられている。４３は移動金型で樹脂４４が型の中に注入されてから金型４２の方に加圧される。
【００５７】
図４（Ｂ）はダイレクトスタンパーからディスクの剥離工程を示す図である。図４（Ｂ）において、ディスクの加圧成形後、移動金型４３が開き、ダイレクトスタンパー４１の突起４６がピット（窪み）４７として転写されてディスク状に成形されたレプリカディスク４５がダイレクトスタンパー４１から剥離される。
【００５８】
図４（Ｃ）は完成したレプリカディスクの断面を示す模式図である。図４（Ｃ）において、詳細は省くがレプリカディスク４５に記録膜またはアルミなどの反射膜４８がスパッタリング法で付けられる。
【００５９】
ＣＤディスクはレプリカディスクの厚みが１．２ｍｍで、上記反射膜に保護膜をつけて完成する。ＤＶＤディスクのレプリカディスクは厚みが０．６ｍｍで、反射膜４８が付けられたレプリカディスクに信号の記録されていないダミーディスク４９が接着層５０を介して貼り合されて完成する。このタイプのディスクは、ＤＶＤ５と呼ばれる。ＤＶＤディスクはこの他にダミーディスクではなく両面に信号が記録されたものや、２層ディスクの信号を片面から読み出すタイプのディスクもある。
【００６０】
上記のようなディスクの成形工程では、高温の樹脂４４が型内に注入されてスタンパー４１の温度が上昇し、圧縮成形後、レプリカディスク４５がスタンパーから剥離された後、スタンパー４１の表面温度は室温の雰囲気に曝される。
【００６１】
図５で示した従来のスタンパーは、この温度サイクルによって、金属の基盤と架橋性物質であるフォトレジストの突起の膨張収縮差によってせん断応力が境界部に作用し、遂にはフォトレジスト突起の欠落を起こしていた。このフォトレジスト突起の欠落は約５０００〜１００００ショットの成形回数を超えると顕著になり、ＰＩエラーは規格の２８０以上になっていた。
【００６２】
本実施例のダイレクトスタンパーでは、フォトレジストの突起が直接基盤に固定されているのではなく、基盤に設けられた架橋性物質の上に一体に近い構造で固定されている。すなわち、架橋性物質層はアンカーコートの役割を演じる。そのため、成形時の突起の欠落が大幅に減少し、実験では１０万ショット以上の成形においてもフォトレジスト突起の欠陥は発見されず、ＰＩエラーの増加も確認されなかった。また、架橋性物質層の剥離もなかった。ＤＶＤの信号再生特性で最も重要な項目は、ジッターであるが、本発明によるダイレクトスタンパーによるＤＶＤディスクのジッターは規格の８％以下に対して、６％台前半を達成した。また、その値は１０万ショット前後でも不変であった。従来のダイレクトスタンパーでは１万枚が限度なため、１枚のスタンパーで多くのディスクを成形できなかったが、本発明のダイレクトスタンパーでは、１０万枚以上のディスクを一度に生産することが可能であり、品質が一定で、ディスク１枚当たりの製造コストを低く抑えられる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によるスタンパーは、ディスクの信号を表すフォトレジストの層に形成された突起が、架橋性物質の層の上に形成され、互いに架橋しあって結合しているので、成形時の熱サイクルや応力に対して剥がれにくい。また、架橋性物質の層が有機系ポリマーの場合、フォトレジストの熱膨張係数と非常に近い値であり、成形時の熱サイクルによる膨張、収縮によって生じるせん断歪が小さい。従って、成形時にフォトレジストの層に形成された突起が剥がれにくい。
【００６４】
従って、本発明によるスタンパーは、従来の基盤に直接レジスト突起を形成するスタンパーに比べ、ディスク成形のショット数が大幅に向上する。これにより同一スタンパーで１０万枚以上の成形が可能であり、品質、性能が一定のディスクを安価に生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１〜３のダイレクトスタンパーの製造方法を示す図
【図２】本発明の実施の形態４の光反射防止膜機能有する架橋性物質の露光の状態を示す図
【図３】本発明の実施の形態５の基盤表面が凹凸形状であるスタンパーの断面を示す概念図
【図４】本発明の実施の形態６のダイレクトスタンパーからディスクを作る工程の模式図
【図５】従来のダイレクトスタンパーの製造方法を示す図
【符号の説明】
１１ 基盤
１２ 架橋性物質
１３ 第２の架橋物質であるフォトレジスト
１４ レーザビーム
１８ 突起（突起状の第２の架橋物質）
２１ 光反射防止の機能を有する架橋性物質
３１ 表面に凹凸を有する基盤