JP2000280255A - 原盤の製造方法 - Google Patents
原盤の製造方法Info
- Publication number
- JP2000280255A JP2000280255A JP11094087A JP9408799A JP2000280255A JP 2000280255 A JP2000280255 A JP 2000280255A JP 11094087 A JP11094087 A JP 11094087A JP 9408799 A JP9408799 A JP 9408799A JP 2000280255 A JP2000280255 A JP 2000280255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- master
- resin layer
- layer
- mother
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】原盤を破壊せずに金属原盤を複製することが可
能な高精度原盤の製造方法を提供する。 【解決手段】 凹凸形状が形成された元原盤の記録面
（１１０）とマザー原盤（１１４）を樹脂層（１１２）
を介して貼りあわせる工程（Ｇ）と、前記樹脂層を硬化
する工程と、前記元原盤の記録面から硬化した前記樹脂
層を剥離する樹脂層剥離工程（Ｈ）と、前記樹脂層の凹
凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に電極処理を施す
電極処理工程と、前記電極処理されたマザー原盤に電鋳
により金属（１１８）層を形成する電鋳工程（Ｉ）と、
前記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面から前記金属
層を剥離することにより、前記元原盤の凹凸形状が転写
された金属原盤（１２０）を形成する金属原盤形成工程
（Ｊ）と、を備える。
能な高精度原盤の製造方法を提供する。 【解決手段】 凹凸形状が形成された元原盤の記録面
（１１０）とマザー原盤（１１４）を樹脂層（１１２）
を介して貼りあわせる工程（Ｇ）と、前記樹脂層を硬化
する工程と、前記元原盤の記録面から硬化した前記樹脂
層を剥離する樹脂層剥離工程（Ｈ）と、前記樹脂層の凹
凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に電極処理を施す
電極処理工程と、前記電極処理されたマザー原盤に電鋳
により金属（１１８）層を形成する電鋳工程（Ｉ）と、
前記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面から前記金属
層を剥離することにより、前記元原盤の凹凸形状が転写
された金属原盤（１２０）を形成する金属原盤形成工程
（Ｊ）と、を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザを用い光学
的に読み出し又は書き込み可能な情報記録担体や近開発
が活発化している光記録技術と磁気記録技術を組み合わ
せたＯＡＷ（Optically Assisted Winchester）に代表
されるＦＦＲ（Far Field Recording）又はＮＦＲ（Nea
r Field Recording）等の超高密度情報記録担体用高精
度な原盤の製造方法に関する。
的に読み出し又は書き込み可能な情報記録担体や近開発
が活発化している光記録技術と磁気記録技術を組み合わ
せたＯＡＷ（Optically Assisted Winchester）に代表
されるＦＦＲ（Far Field Recording）又はＮＦＲ（Nea
r Field Recording）等の超高密度情報記録担体用高精
度な原盤の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報記録担体には、レーザを用い光学的
に読み出し又は書き込み可能な情報担体や最近研究され
始めた光記録技術と磁気記録技術を組み合わせたＯＡＷ
（Optically Assisted Winchester）に代表されるＦＦ
Ｒ（Far Field Recording）又はＮＦＲ（Near Field Re
cording）等の超高密度情報記録担体がある。
に読み出し又は書き込み可能な情報担体や最近研究され
始めた光記録技術と磁気記録技術を組み合わせたＯＡＷ
（Optically Assisted Winchester）に代表されるＦＦ
Ｒ（Far Field Recording）又はＮＦＲ（Near Field Re
cording）等の超高密度情報記録担体がある。
【０００３】一般的な情報記録担体の製造方法を下記に
示す。
示す。
【０００４】光学ピックアップや磁気ヘッドが高精度に
トラッキングする為の案内溝（グルーブ）や同期信号、
番地情報、音楽、映像など情報そのものが記録されたプ
リピットなどの凹凸パターンを備えたスタンパを用い
て、射出成形法又は紫外線硬化樹脂を用いた２Ｐ（Phot
o Polymer）法などの方法でその凹凸パターンを転写す
ることにより基板が作製され、この凹凸パターンでフォ
ーマットされた基板上に情報層を設けることにより情報
記録担体が作製できる。
トラッキングする為の案内溝（グルーブ）や同期信号、
番地情報、音楽、映像など情報そのものが記録されたプ
リピットなどの凹凸パターンを備えたスタンパを用い
て、射出成形法又は紫外線硬化樹脂を用いた２Ｐ（Phot
o Polymer）法などの方法でその凹凸パターンを転写す
ることにより基板が作製され、この凹凸パターンでフォ
ーマットされた基板上に情報層を設けることにより情報
記録担体が作製できる。
【０００５】従来のスタンパの製造方法（マスタリン
グ）の例を図７（Ａ〜Ｆ）を参照して説明する。、感光
性材料層４０２が形成されたガラス原盤４００上に（図
７Ａ及びＢ）、記録するフォーマットに対応して、連続
的に、又は光変調してレーザビームにより露光、記録し
て露光部位４０４を形成する（図４Ｃ）。上記露光によ
って感光された感光性材料は、現像によって凹凸パター
ンとなり（図７Ｄ）、その表面にメッキを施すことによ
り金属層４１８を形成し（図７Ｅ）、当該凹凸パターン
が金属表面に転写されたスタンパが作製される（図７
Ｆ）。
グ）の例を図７（Ａ〜Ｆ）を参照して説明する。、感光
性材料層４０２が形成されたガラス原盤４００上に（図
７Ａ及びＢ）、記録するフォーマットに対応して、連続
的に、又は光変調してレーザビームにより露光、記録し
て露光部位４０４を形成する（図４Ｃ）。上記露光によ
って感光された感光性材料は、現像によって凹凸パター
ンとなり（図７Ｄ）、その表面にメッキを施すことによ
り金属層４１８を形成し（図７Ｅ）、当該凹凸パターン
が金属表面に転写されたスタンパが作製される（図７
Ｆ）。
【０００６】次に、一般的に射出成形法の場合は通常一
枚のスタンパから約１０万枚の基板が作製可能であり、
紫外線硬化樹脂を用いてレプリカをとる２Ｐ法のケース
ではスタンパとの離型性の良い紫外線硬化樹脂を利用す
ることで、１００万枚の基板作製も可能である。
枚のスタンパから約１０万枚の基板が作製可能であり、
紫外線硬化樹脂を用いてレプリカをとる２Ｐ法のケース
ではスタンパとの離型性の良い紫外線硬化樹脂を利用す
ることで、１００万枚の基板作製も可能である。
【０００７】以上説明した様にＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＭＤ、
ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、
ＨＤ−ＤＶＤの様な光学メモリー担体や光ディスク技術
と磁気ディスク技術を合体させたＯＡＷの様な情報記録
担体担体において、スタンパから射出成形法又は紫外線
硬化樹脂を用いた２Ｐ法などの方法でレプリカ作製され
た基板のグルーブやプリピットなどの凹凸パターンの表
面粗さと形状がその上に形成される情報層に記録再生又
は再生した信号品質に大きく影響する。更に具体的に説
明すると、基板のグルーブやプリピットなどの凹凸パタ
ーンの表面粗さと形状は９０％以上の転写率で正確にス
タンパのグルーブやプリピットなどの凹凸パターンの表
面粗さと形状を転写する。即ち、スタンパの表面粗さと
凹凸形状のコントロールが非常に重要な技術となってき
ている。
ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、
ＨＤ−ＤＶＤの様な光学メモリー担体や光ディスク技術
と磁気ディスク技術を合体させたＯＡＷの様な情報記録
担体担体において、スタンパから射出成形法又は紫外線
硬化樹脂を用いた２Ｐ法などの方法でレプリカ作製され
た基板のグルーブやプリピットなどの凹凸パターンの表
面粗さと形状がその上に形成される情報層に記録再生又
は再生した信号品質に大きく影響する。更に具体的に説
明すると、基板のグルーブやプリピットなどの凹凸パタ
ーンの表面粗さと形状は９０％以上の転写率で正確にス
タンパのグルーブやプリピットなどの凹凸パターンの表
面粗さと形状を転写する。即ち、スタンパの表面粗さと
凹凸形状のコントロールが非常に重要な技術となってき
ている。
【０００８】一例を示すと、高密度記録が進むにつれ、
グルーブ部やランド部の表面粗さやグルーブ部−ランド
部間の斜面の粗さが情報記録担体から得られる読み出し
信号のＳ／Ｎ比に影響を与える。また、同期信号、番地
情報、音楽、映像など情報そのものが記録されたプリピ
ットにおいても、そのプリピットそのものの形状、プリ
ピットのエッジ形状、プリピット斜面の角度等により、
このプリピットから得られる信号品質は大きな影響を与
える重要な因子となっている。
グルーブ部やランド部の表面粗さやグルーブ部−ランド
部間の斜面の粗さが情報記録担体から得られる読み出し
信号のＳ／Ｎ比に影響を与える。また、同期信号、番地
情報、音楽、映像など情報そのものが記録されたプリピ
ットにおいても、そのプリピットそのものの形状、プリ
ピットのエッジ形状、プリピット斜面の角度等により、
このプリピットから得られる信号品質は大きな影響を与
える重要な因子となっている。
【０００９】以下に従来のＣＤやＤＶＤ等を作製する一
般的なスタンパ製造のマスタリング工程を更に具体的に
簡単に示す。
般的なスタンパ製造のマスタリング工程を更に具体的に
簡単に示す。
【００１０】直径２００ｍｍ厚み６ｍｍのガラス原盤上
に感光体であるフォトレジストを塗布し、このレジスト
に情報信号に同期したレーザ光等で所定形状の案内溝や
プリピット等を潜像として感光記録し、これを現像する
ことによって凹凸パターンが作製される。その表面にニ
ッケル−リン無電界メッキやニッケルスパッタにより表
面電極処理を行い、その上にニッケルの電気メッキを施
し、ガラス原盤からスタンパを剥離、内外径加工、裏面
研磨し所望のスタンパが作製される。しかし、この方法
ではレジスト表面及びレジストエッチング面の表面粗さ
がスタンパ表面に転写され、更に射出成形等で基板に転
写され、その基板に情報層を設けることにより作製され
た情報記録担体から得られる信号品質の悪化が発生す
る。特にノイズが高くなるという問題が発生してしま
う。
に感光体であるフォトレジストを塗布し、このレジスト
に情報信号に同期したレーザ光等で所定形状の案内溝や
プリピット等を潜像として感光記録し、これを現像する
ことによって凹凸パターンが作製される。その表面にニ
ッケル−リン無電界メッキやニッケルスパッタにより表
面電極処理を行い、その上にニッケルの電気メッキを施
し、ガラス原盤からスタンパを剥離、内外径加工、裏面
研磨し所望のスタンパが作製される。しかし、この方法
ではレジスト表面及びレジストエッチング面の表面粗さ
がスタンパ表面に転写され、更に射出成形等で基板に転
写され、その基板に情報層を設けることにより作製され
た情報記録担体から得られる信号品質の悪化が発生す
る。特にノイズが高くなるという問題が発生してしま
う。
【００１１】そこで、今後開発される１０ＧＢ／平方イ
ンチ以上の超高密度情報記録担体に向けて、前述した従
来のマスタリングのガラス原盤の替りに石英原盤やシリ
コン原盤を用いた方法が開発され始めた。
ンチ以上の超高密度情報記録担体に向けて、前述した従
来のマスタリングのガラス原盤の替りに石英原盤やシリ
コン原盤を用いた方法が開発され始めた。
【００１２】特開昭５９−２２４３２０号公報及び特開
昭６１−６８７４６号公報には半導体ウエハ上にエッチ
ング可能な酸化物を光学記憶ディスク装置の読取りレー
ザビームの波長の数分の一に対応する厚みに被覆し、こ
の酸化物被膜厚みを光学読取り／書込みヘッドを案内す
るサーボトラックの深さとして制御する技術が開示され
ている。しかしこの方法は、半導体ウエハそのものをエ
ッチングしない方法であり、酸化物被膜がマスタに残留
する為、酸化物被膜自体の表面粗さや酸化被膜エッチン
グ断面部の表面粗さが影響し、このマスタ・モールドか
ら作製された光学記憶ディスクはＳ／Ｎが劣化する。
昭６１−６８７４６号公報には半導体ウエハ上にエッチ
ング可能な酸化物を光学記憶ディスク装置の読取りレー
ザビームの波長の数分の一に対応する厚みに被覆し、こ
の酸化物被膜厚みを光学読取り／書込みヘッドを案内す
るサーボトラックの深さとして制御する技術が開示され
ている。しかしこの方法は、半導体ウエハそのものをエ
ッチングしない方法であり、酸化物被膜がマスタに残留
する為、酸化物被膜自体の表面粗さや酸化被膜エッチン
グ断面部の表面粗さが影響し、このマスタ・モールドか
ら作製された光学記憶ディスクはＳ／Ｎが劣化する。
【００１３】また、特開平５−２２０７５１号公報に
は、石英やシリコンをプラスティック成形用の鋳型に直
接用いる為、従来のニッケルスタンパを用いる方法と比
較し、材料的に脆く、成形用鋳型としては耐用に課題が
有った。
は、石英やシリコンをプラスティック成形用の鋳型に直
接用いる為、従来のニッケルスタンパを用いる方法と比
較し、材料的に脆く、成形用鋳型としては耐用に課題が
有った。
【００１４】そこで、シリコン原盤から凹凸形状を金属
原盤に複写し、金属原盤によりレプリカ基板を作製する
技術が考案されている。例えば特開平４−２５９９３６
号公報、特開平４−２５９９３８号公報及び特開平５−
１２７２２号公報には凹凸形状形成したシリコンウエハ
上に金属薄膜および酸化膜を形成させ、更に電鋳で金属
を形成することによりスタンパを製造する技術が開示さ
れている。しかし、これらの従来技術にはシリコン原盤
から金属原盤を複製する際にシリコンの記録面に形成し
た金属薄膜や酸化膜が剥がれたり、電鋳層の応力により
シリコン原盤が壊れてしまうという問題が有った。
原盤に複写し、金属原盤によりレプリカ基板を作製する
技術が考案されている。例えば特開平４−２５９９３６
号公報、特開平４−２５９９３８号公報及び特開平５−
１２７２２号公報には凹凸形状形成したシリコンウエハ
上に金属薄膜および酸化膜を形成させ、更に電鋳で金属
を形成することによりスタンパを製造する技術が開示さ
れている。しかし、これらの従来技術にはシリコン原盤
から金属原盤を複製する際にシリコンの記録面に形成し
た金属薄膜や酸化膜が剥がれたり、電鋳層の応力により
シリコン原盤が壊れてしまうという問題が有った。
【００１５】更に、フォトレジストがコートされたシリ
コン原盤を用いてレーザビームで露光する際に、シリコ
ン原盤とフォトレジストの界面からのレーザビーム戻り
光と元のレーザビームが干渉し、現像処理されたレジス
トエッチング断面にエッチング斜面部の凹凸断層が発生
するという問題が起きた。これは、石英原盤やガラス原
盤上にマスク薄膜等の目的で金属を形成する場合にも同
様に発生する。
コン原盤を用いてレーザビームで露光する際に、シリコ
ン原盤とフォトレジストの界面からのレーザビーム戻り
光と元のレーザビームが干渉し、現像処理されたレジス
トエッチング断面にエッチング斜面部の凹凸断層が発生
するという問題が起きた。これは、石英原盤やガラス原
盤上にマスク薄膜等の目的で金属を形成する場合にも同
様に発生する。
【００１６】この現象を具体的に説明する。
【００１７】例えば、レーザビーム波長をＫｒレーザの
３５０ナノメートルを用い、シリコン原盤に６００ナノ
メートルのネガレジストを塗布し、露光、現像すると、
３５０／２=１７５ナノメートルのピッチで定在波、つ
まりレーザの強度分布が発生する。つまり、シリコン原
盤表面から１７５ナノメートル、３５０ナノメートル、
５２５ナノメートルの位置でレーザパワーがゼロの節が
でき、また、８８ナノメートル、２６３ナノメートル、
４３８ナノメートルの位置で、レーザパワーが最大とな
り、その強度分布により、レーザ露光後現像したフォト
レジスト断面には３つのエッチング斜面部の凹凸断層が
発生するという問題が起きることがわかった。
３５０ナノメートルを用い、シリコン原盤に６００ナノ
メートルのネガレジストを塗布し、露光、現像すると、
３５０／２=１７５ナノメートルのピッチで定在波、つ
まりレーザの強度分布が発生する。つまり、シリコン原
盤表面から１７５ナノメートル、３５０ナノメートル、
５２５ナノメートルの位置でレーザパワーがゼロの節が
でき、また、８８ナノメートル、２６３ナノメートル、
４３８ナノメートルの位置で、レーザパワーが最大とな
り、その強度分布により、レーザ露光後現像したフォト
レジスト断面には３つのエッチング斜面部の凹凸断層が
発生するという問題が起きることがわかった。
【００１８】次に凹凸の問題を書換型ミニディスクを例
に挙げて説明する。
に挙げて説明する。
【００１９】従来のマスタリングでは、ポジタイプのフ
ォトレジストをガラス原盤にコートし、ＡｒやＫｒレー
ザビームを用い書き換え型ミニディスクフォーマット信
号を変調する。このミニディスクフォーマットは時間情
報がＦＭ変調され、グルーブにＡＤＩＰ（ＡＤｒｅｓｓ
Ｉｎ Ｐｒｅｇｒｏｏｖｅ）というＷＯＢＢＬＥ（蛇
行）信号として記録される。このスタンパから作製され
た基板に光磁気記録膜を形成したものがミニディスクで
ある。この方式の場合はグルーブ部の絶対時間を参照に
しながら光磁気記録層に磁化の上下で音楽情報を記録、
再生する方式であり、グルーブ間のランドとは区別が必
要となる。本方式の場合、グルーブに絶対時間が記録さ
れているため、グルーブ間のランドで記録再生すること
はできない。ランドの両サイドのグルーブ信号から別々
の絶対時間信号が得られてしまうからである。ミニディ
スクシステムではグルーブ部は基板としては凹となって
いるが、光ピックアップは基板を通して読み書きするた
め、ピックアップ側から見るとグルーブ部は凸となって
いる。
ォトレジストをガラス原盤にコートし、ＡｒやＫｒレー
ザビームを用い書き換え型ミニディスクフォーマット信
号を変調する。このミニディスクフォーマットは時間情
報がＦＭ変調され、グルーブにＡＤＩＰ（ＡＤｒｅｓｓ
Ｉｎ Ｐｒｅｇｒｏｏｖｅ）というＷＯＢＢＬＥ（蛇
行）信号として記録される。このスタンパから作製され
た基板に光磁気記録膜を形成したものがミニディスクで
ある。この方式の場合はグルーブ部の絶対時間を参照に
しながら光磁気記録層に磁化の上下で音楽情報を記録、
再生する方式であり、グルーブ間のランドとは区別が必
要となる。本方式の場合、グルーブに絶対時間が記録さ
れているため、グルーブ間のランドで記録再生すること
はできない。ランドの両サイドのグルーブ信号から別々
の絶対時間信号が得られてしまうからである。ミニディ
スクシステムではグルーブ部は基板としては凹となって
いるが、光ピックアップは基板を通して読み書きするた
め、ピックアップ側から見るとグルーブ部は凸となって
いる。
【００２０】以上のように、ポジレジストを使用したマ
スタリングでは、レーザーで露光した部位、（通常これ
をグルーブと呼ぶ）は、フォトレジストコートガラス原
盤では凹部、ニッケルスタンパ（ガラス原盤から直接レ
プリカしたニッケルメッキ板をメタルマスターとも呼
ぶ）では凸部、射出成形したポリカーボネイト基板では
凹部となる。もし、ミニディスクシステムをネガレジス
トを用いマスタリングすると、最終的に作製された基板
はグルーブ部は凸となってしまい、光ピックアップから
みたグルーブは凹であるため、ミニディスクプレーヤー
はこのグルーブでなくランドにトラッキングされてしま
い、ランドには絶対時間が記録されていないため、シス
テムが停止、又は暴走する。
スタリングでは、レーザーで露光した部位、（通常これ
をグルーブと呼ぶ）は、フォトレジストコートガラス原
盤では凹部、ニッケルスタンパ（ガラス原盤から直接レ
プリカしたニッケルメッキ板をメタルマスターとも呼
ぶ）では凸部、射出成形したポリカーボネイト基板では
凹部となる。もし、ミニディスクシステムをネガレジス
トを用いマスタリングすると、最終的に作製された基板
はグルーブ部は凸となってしまい、光ピックアップから
みたグルーブは凹であるため、ミニディスクプレーヤー
はこのグルーブでなくランドにトラッキングされてしま
い、ランドには絶対時間が記録されていないため、シス
テムが停止、又は暴走する。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたもので、その第一の課題は、上記問題
点に鑑み、原盤からメッキが剥がれたり、原盤に応力が
作用したりする恐れの無いプロセスを用いて原盤の凹凸
形状を転写し、それから金属原盤を製造することによ
り、原盤を破壊せずに金属原盤を複製することが可能な
製造プロセスを提供することである。
に鑑みてなされたもので、その第一の課題は、上記問題
点に鑑み、原盤からメッキが剥がれたり、原盤に応力が
作用したりする恐れの無いプロセスを用いて原盤の凹凸
形状を転写し、それから金属原盤を製造することによ
り、原盤を破壊せずに金属原盤を複製することが可能な
製造プロセスを提供することである。
【００２２】更に、本発明の第二の課題は、上記問題点
に鑑み、シリコン原盤、金属薄膜コート石英原盤又は金
属原盤におけるマスタリングで、感光性材料のエッチン
グ断面のエッチング斜面部の凹凸断層を減少させる製造
技術を提供することである。
に鑑み、シリコン原盤、金属薄膜コート石英原盤又は金
属原盤におけるマスタリングで、感光性材料のエッチン
グ断面のエッチング斜面部の凹凸断層を減少させる製造
技術を提供することである。
【００２３】また、本発明の第三の課題は、上記問題点
に鑑み、従来のマスタリングプロセスによる凹凸に合わ
せて、ネガレジスト／ポジレジストに関わらず、凹凸の
向きをＩＳＯ光ディスク規格やＯＡＷ規格等の各規格で
定められた凹凸に合わせる転写技術を提供することであ
る。
に鑑み、従来のマスタリングプロセスによる凹凸に合わ
せて、ネガレジスト／ポジレジストに関わらず、凹凸の
向きをＩＳＯ光ディスク規格やＯＡＷ規格等の各規格で
定められた凹凸に合わせる転写技術を提供することであ
る。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の課題は、
記録面に形成された凹凸形状を転写することによる原盤
の製造方法であって、凹凸形状が形成された元原盤の記
録面とマザー原盤を樹脂層を介して貼りあわせる工程
と、前記樹脂層を硬化する工程と、前記元原盤の記録面
から硬化した前記樹脂層を剥離する樹脂層剥離工程と、
前記樹脂層の凹凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に
電極処理を施す電極処理工程と、前記電極処理されたマ
ザー原盤に電鋳により金属層を形成する電鋳工程と、前
記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面から前記金属層
を剥離することにより、前記元原盤の凹凸形状が転写さ
れた金属原盤を形成する金属原盤形成工程と、を備えた
ことを特徴とする原盤の製造方法により解決される。
記録面に形成された凹凸形状を転写することによる原盤
の製造方法であって、凹凸形状が形成された元原盤の記
録面とマザー原盤を樹脂層を介して貼りあわせる工程
と、前記樹脂層を硬化する工程と、前記元原盤の記録面
から硬化した前記樹脂層を剥離する樹脂層剥離工程と、
前記樹脂層の凹凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に
電極処理を施す電極処理工程と、前記電極処理されたマ
ザー原盤に電鋳により金属層を形成する電鋳工程と、前
記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面から前記金属層
を剥離することにより、前記元原盤の凹凸形状が転写さ
れた金属原盤を形成する金属原盤形成工程と、を備えた
ことを特徴とする原盤の製造方法により解決される。
【００２５】また、本発明の第二の課題は、記録面に形
成された凹凸形状を転写することによる原盤の製造方法
であって、元原盤に反射防止層を形成する反射防止層形
成工程と、前記反射防止層が形成された元原盤にフォト
レジストを形成するフォトレジスト層形成工程と、前記
フォトレジスト層を所定のパターンに露光する露光工程
と、露光されたフォトレジスト層を現像する凹凸形状形
成工程と、凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマザ
ー原盤を樹脂層を介して貼りあわせる工程と、前記樹脂
層を硬化する工程と、前記元原盤の記録面から硬化した
前記樹脂層を剥離する樹脂層剥離工程と、前記樹脂層の
凹凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に電極処理を施
す電極処理工程と、前記電極処理されたマザー原盤に電
鋳により金属層を形成する電鋳工程と、前記樹脂層の凹
凸形状が転写された記録面から前記金属層を剥離するこ
とにより、前記元原盤の凹凸形状が転写された金属原盤
を形成する金属原盤形成工程と、を備えたことを特徴と
する原盤の製造方法により解決される。
成された凹凸形状を転写することによる原盤の製造方法
であって、元原盤に反射防止層を形成する反射防止層形
成工程と、前記反射防止層が形成された元原盤にフォト
レジストを形成するフォトレジスト層形成工程と、前記
フォトレジスト層を所定のパターンに露光する露光工程
と、露光されたフォトレジスト層を現像する凹凸形状形
成工程と、凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマザ
ー原盤を樹脂層を介して貼りあわせる工程と、前記樹脂
層を硬化する工程と、前記元原盤の記録面から硬化した
前記樹脂層を剥離する樹脂層剥離工程と、前記樹脂層の
凹凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に電極処理を施
す電極処理工程と、前記電極処理されたマザー原盤に電
鋳により金属層を形成する電鋳工程と、前記樹脂層の凹
凸形状が転写された記録面から前記金属層を剥離するこ
とにより、前記元原盤の凹凸形状が転写された金属原盤
を形成する金属原盤形成工程と、を備えたことを特徴と
する原盤の製造方法により解決される。
【００２６】本発明の第三の課題は、記録面に形成され
た凹凸形状を転写することによる原盤の製造方法であっ
て、凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマザー原盤
を樹脂層を介して貼りあわせる工程と、前記樹脂層を硬
化する工程と、前記元原盤の記録面から硬化した前記樹
脂層を剥離する樹脂層剥離工程と、凹凸形状が形成され
たマザー原盤の記録面とサン原盤を樹脂層を介して貼り
あわせる工程と、前記樹脂層を硬化する工程と、前記マ
ザー原盤の記録面から硬化した前記樹脂層を剥離する樹
脂層剥離工程と、前記樹脂層の凹凸形状が転写、剥離さ
れたサン原盤に電極処理を施す電極処理工程と、前記電
極処理されたサン原盤に電鋳により金属層を形成する電
鋳工程と、前記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面か
ら前記金属層を剥離することにより、前記サン原盤の凹
凸形状が転写された金属原盤を形成する金属原盤形成工
程と、を備えたことを特徴とする原盤の製造方法により
解決される。
た凹凸形状を転写することによる原盤の製造方法であっ
て、凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマザー原盤
を樹脂層を介して貼りあわせる工程と、前記樹脂層を硬
化する工程と、前記元原盤の記録面から硬化した前記樹
脂層を剥離する樹脂層剥離工程と、凹凸形状が形成され
たマザー原盤の記録面とサン原盤を樹脂層を介して貼り
あわせる工程と、前記樹脂層を硬化する工程と、前記マ
ザー原盤の記録面から硬化した前記樹脂層を剥離する樹
脂層剥離工程と、前記樹脂層の凹凸形状が転写、剥離さ
れたサン原盤に電極処理を施す電極処理工程と、前記電
極処理されたサン原盤に電鋳により金属層を形成する電
鋳工程と、前記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面か
ら前記金属層を剥離することにより、前記サン原盤の凹
凸形状が転写された金属原盤を形成する金属原盤形成工
程と、を備えたことを特徴とする原盤の製造方法により
解決される。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の好適な実施の形態
を図面を参照しながら説明する。
を図面を参照しながら説明する。
【００２８】まず、第一の実施形態について説明する。
本実施形態では、図１（Ａ〜Ｅ）及び図２（Ｆ〜Ｊ）に
示すプロセスによりスタンパを作製する。
本実施形態では、図１（Ａ〜Ｅ）及び図２（Ｆ〜Ｊ）に
示すプロセスによりスタンパを作製する。
【００２９】ＨＭＤＳ等の密着強化処理を施した８イン
チのシリコン原盤１００（図１Ａ）にネガタイプのフォ
トレジスト層１０２（図１Ｂ）を６００ナノメートルの
厚みで塗布し、８０℃でプリベークする。次に、Ｋｒイ
オンレーザを備えたカッティング装置によりレンズでレ
ーザ光を集光し、レジストに情報信号に同期したレーザ
光で所定形状の案内溝やプリピット等を潜像（露光部位
１０４）として感光記録した（図１Ｃ）。ここではグル
ーブ記録用の矩形溝を作製する。これを現像することに
よって凹凸パターン１０６が作製される（図１Ｄ）。ネ
ガタイプのレジストを使用する場合、レーザ光で露光さ
れた露光部位１０４は現像の際に残存し、露光されない
部位が除去された。次に１３０℃でポストベークする。
凸部にはフォトレジストが残留している。凹部にはシリ
コン原盤１００の表面が露出している。
チのシリコン原盤１００（図１Ａ）にネガタイプのフォ
トレジスト層１０２（図１Ｂ）を６００ナノメートルの
厚みで塗布し、８０℃でプリベークする。次に、Ｋｒイ
オンレーザを備えたカッティング装置によりレンズでレ
ーザ光を集光し、レジストに情報信号に同期したレーザ
光で所定形状の案内溝やプリピット等を潜像（露光部位
１０４）として感光記録した（図１Ｃ）。ここではグル
ーブ記録用の矩形溝を作製する。これを現像することに
よって凹凸パターン１０６が作製される（図１Ｄ）。ネ
ガタイプのレジストを使用する場合、レーザ光で露光さ
れた露光部位１０４は現像の際に残存し、露光されない
部位が除去された。次に１３０℃でポストベークする。
凸部にはフォトレジストが残留している。凹部にはシリ
コン原盤１００の表面が露出している。
【００３０】この残留フォトレジストをマスクとし、例
えばＣＦ4のガスを用い、反応性イオンエッチングをか
ける。イオンエッチングの装置として平行平板型のもの
を用い、エッチング条件として、例えば、周波数１３．
５６ＭＨｚ、パワー１００Ｗ、ガス圧２Ｐａ、ガス流量
８０ｓｃｃｍで１０分ドライエッチング（１０８）によ
り処理したした（図１Ｅ・１０８）。次に凸部にはマス
クとしてフォトレジストが残留している為、Ｏ2ガスを
導入し、４００Ｗ、３分のアッシングをかけ残留フォト
レジストを完全に除去した。使用したネガタイプのフォ
トレジストの選択比は約０．４であり、シリコン原盤表
面に１５０ナノメートルの深さの溝を形成できた。溝の
斜面の角度はＴＥＭ観察により８５度であり、ほぼ矩形
のグルーブ１１０が形成できた（図２Ｆ）。
えばＣＦ4のガスを用い、反応性イオンエッチングをか
ける。イオンエッチングの装置として平行平板型のもの
を用い、エッチング条件として、例えば、周波数１３．
５６ＭＨｚ、パワー１００Ｗ、ガス圧２Ｐａ、ガス流量
８０ｓｃｃｍで１０分ドライエッチング（１０８）によ
り処理したした（図１Ｅ・１０８）。次に凸部にはマス
クとしてフォトレジストが残留している為、Ｏ2ガスを
導入し、４００Ｗ、３分のアッシングをかけ残留フォト
レジストを完全に除去した。使用したネガタイプのフォ
トレジストの選択比は約０．４であり、シリコン原盤表
面に１５０ナノメートルの深さの溝を形成できた。溝の
斜面の角度はＴＥＭ観察により８５度であり、ほぼ矩形
のグルーブ１１０が形成できた（図２Ｆ）。
【００３１】上記のプロセスにより作製された、シリコ
ン原盤表面に、案内溝（グルーブ）やプリピットなどの
凹凸パターンを備えたシリコンをここではシリコンマス
ター（図２Ｆ）と呼ぶ。
ン原盤表面に、案内溝（グルーブ）やプリピットなどの
凹凸パターンを備えたシリコンをここではシリコンマス
ター（図２Ｆ）と呼ぶ。
【００３２】次に、このシリコンマスターから通常使用
されるニッケルスタンパを複製する原盤複製方式を説明
する。
されるニッケルスタンパを複製する原盤複製方式を説明
する。
【００３３】この方式では、シリコンマスター、ニッケ
ルスタンパ或は凹凸が形成されたガラス原盤と従来のマ
スタリングで使用している例えば直径２００ｍｍ、厚み
６ｍｍのガラス原盤とを紫外線硬化樹脂を用いて貼りあ
わせ、紫外線硬化させる新規な原盤複製装置を用いる。
更にシリコンマスターとガラス原盤を紫外線硬化樹脂で
貼りあわせる際、気泡が混入するとその部位は欠陥とな
るため、本装置は真空に排気できる機能を有している。
ルスタンパ或は凹凸が形成されたガラス原盤と従来のマ
スタリングで使用している例えば直径２００ｍｍ、厚み
６ｍｍのガラス原盤とを紫外線硬化樹脂を用いて貼りあ
わせ、紫外線硬化させる新規な原盤複製装置を用いる。
更にシリコンマスターとガラス原盤を紫外線硬化樹脂で
貼りあわせる際、気泡が混入するとその部位は欠陥とな
るため、本装置は真空に排気できる機能を有している。
【００３４】さて、上述のシリコンマスターを原盤複製
装置のホルダーに固定し、紫外線硬化樹脂１１２をシリ
コンマスター上に滴下する。次に紫外線硬化樹脂から泡
が発生しない１Ｐａ程度の真空中に数分保持した後、密
着強化処理を施したガラス原盤１１４を降下させ、シリ
コンマスターとガラス原盤間の紫外線硬化樹脂１１２が
シリコンマスター全面に拡げられるようにしたあと、窒
素ガスを流し、大気圧とすることで、紫外線硬化樹脂は
シリコンマスターとガラス原盤間で均一に広げる（図２
Ｇ）。更に高圧水銀灯により、ガラス原盤側から紫外線
を照射する。得られた紫外線硬化樹脂層の厚さは２０μ
m程度である。
装置のホルダーに固定し、紫外線硬化樹脂１１２をシリ
コンマスター上に滴下する。次に紫外線硬化樹脂から泡
が発生しない１Ｐａ程度の真空中に数分保持した後、密
着強化処理を施したガラス原盤１１４を降下させ、シリ
コンマスターとガラス原盤間の紫外線硬化樹脂１１２が
シリコンマスター全面に拡げられるようにしたあと、窒
素ガスを流し、大気圧とすることで、紫外線硬化樹脂は
シリコンマスターとガラス原盤間で均一に広げる（図２
Ｇ）。更に高圧水銀灯により、ガラス原盤側から紫外線
を照射する。得られた紫外線硬化樹脂層の厚さは２０μ
m程度である。
【００３５】次にガラス原盤１１４とシリコンマスター
を剥離する。紫外線硬化樹脂１１２の密着力はシリコン
マスターより、密着強化処理したガラス原盤１１４の方
が強く、硬化した紫外線硬化樹脂層（１１２）は全てガ
ラス原盤側へ転写された（図２Ｇ）。ガラス原盤側に転
写された紫外線硬化樹脂層が未硬化状態であれば、再度
紫外線を照射すれば良い。このように作製された、表面
に案内溝（グルーブ）やプリピットなどの凹凸パターン
を備えたガラス原盤をここではガラスマザー１１６と呼
ぶことにする。マザーというのは、マスターの凹凸が逆
転した凹凸が形成されているからである。
を剥離する。紫外線硬化樹脂１１２の密着力はシリコン
マスターより、密着強化処理したガラス原盤１１４の方
が強く、硬化した紫外線硬化樹脂層（１１２）は全てガ
ラス原盤側へ転写された（図２Ｇ）。ガラス原盤側に転
写された紫外線硬化樹脂層が未硬化状態であれば、再度
紫外線を照射すれば良い。このように作製された、表面
に案内溝（グルーブ）やプリピットなどの凹凸パターン
を備えたガラス原盤をここではガラスマザー１１６と呼
ぶことにする。マザーというのは、マスターの凹凸が逆
転した凹凸が形成されているからである。
【００３６】この後は、一般の従来のマスタリングプロ
セスを適用する。作製されたガラスマザー１１６のサイ
ズ、形状は一般的なマスタリングのガラス原盤と同様と
することで、治具等の変更も不要で一般的なマスタリン
グラインを適用することができる。
セスを適用する。作製されたガラスマザー１１６のサイ
ズ、形状は一般的なマスタリングのガラス原盤と同様と
することで、治具等の変更も不要で一般的なマスタリン
グラインを適用することができる。
【００３７】ガラスマザー１１６の樹脂層の表面にニッ
ケル−リン無電界メッキやニッケルスパッタにより表面
電極処理を約０．１μｍ行い、これを電極とし約２８５
μｍのニッケルの電気メッキを施し金属層１１８を得る
（図２Ｉ）。続いて、ガラス原盤から金属層１１８を剥
離、内外径加工、裏面研磨し所望のスタンパ１２０を得
る（図２Ｊ）。このニッケルスタンパをサンスタンパと
呼ぶ。
ケル−リン無電界メッキやニッケルスパッタにより表面
電極処理を約０．１μｍ行い、これを電極とし約２８５
μｍのニッケルの電気メッキを施し金属層１１８を得る
（図２Ｉ）。続いて、ガラス原盤から金属層１１８を剥
離、内外径加工、裏面研磨し所望のスタンパ１２０を得
る（図２Ｊ）。このニッケルスタンパをサンスタンパと
呼ぶ。
【００３８】この後、射出成形又は２Ｐ法などで樹脂基
板にレプリカし、光ディスクアプリケーションに応じた
記録膜、誘電体薄膜や反射膜を形成し、光ディスクが完
成する。
板にレプリカし、光ディスクアプリケーションに応じた
記録膜、誘電体薄膜や反射膜を形成し、光ディスクが完
成する。
【００３９】尚、ガラスマザー１１６から剥離されたシ
リコンマスター周辺には紫外線硬化樹脂の残留物はほと
んど無く、ほぼ全てがガラスマザーに移設するが、剥離
の方法、条件等により、微量の残留物が生じる場合、機
械的に剥離すればよい。
リコンマスター周辺には紫外線硬化樹脂の残留物はほと
んど無く、ほぼ全てがガラスマザーに移設するが、剥離
の方法、条件等により、微量の残留物が生じる場合、機
械的に剥離すればよい。
【００４０】本方式によれば１枚のシリコンマスターか
ら何枚ものガラスマザーが作製でき、ガラスマザーと同
数のサンスタンパが作製できる。
ら何枚ものガラスマザーが作製でき、ガラスマザーと同
数のサンスタンパが作製できる。
【００４１】筆者らの実験によると特性上全く問題ない
１００枚以上の複製サンスタンパを作製した実績があ
る。複製枚数限界については、シリコンマスターとガラ
スマザー剥離時にシリコンマスターを割ってしまうか、
傷つけてしまう等の損傷が生じるまで可能である。従前
のマスタリングの場合、例えばＤＶＤ−ＲＡＭ４．７Ｇ
Ｂのマスタリングでは、レーザー露光時間だけで、一枚
当たり６時間要し、特性上問題があると１枚毎マスタリ
ングし直していた為レーザーカッティング設備の回転率
が非常に悪くなっていたが、本方式によればシリコンマ
スターをひとたび作製できれば、何百枚ものサンスタン
パの作製が可能となり、スタンパ製作コストも１／１０
以下と飛躍的に下げることができた。
１００枚以上の複製サンスタンパを作製した実績があ
る。複製枚数限界については、シリコンマスターとガラ
スマザー剥離時にシリコンマスターを割ってしまうか、
傷つけてしまう等の損傷が生じるまで可能である。従前
のマスタリングの場合、例えばＤＶＤ−ＲＡＭ４．７Ｇ
Ｂのマスタリングでは、レーザー露光時間だけで、一枚
当たり６時間要し、特性上問題があると１枚毎マスタリ
ングし直していた為レーザーカッティング設備の回転率
が非常に悪くなっていたが、本方式によればシリコンマ
スターをひとたび作製できれば、何百枚ものサンスタン
パの作製が可能となり、スタンパ製作コストも１／１０
以下と飛躍的に下げることができた。
【００４２】次に、本発明の第二の実施形態によるスタ
ンパの作製プロセス、即ちシリコンウエハーを用いた新
規なマスタリングについて、前述の第一の実施形態との
対比の上説明する。
ンパの作製プロセス、即ちシリコンウエハーを用いた新
規なマスタリングについて、前述の第一の実施形態との
対比の上説明する。
【００４３】第一の実施形態のプロセスでは、一般的な
ガラス原盤表面からの反射率は５％以下であるのに対
し、シリコン原盤のシリコンの反射率は３３．４％であ
るため、フォトレジストがコートされたシリコン原盤を
用いてレーザビームで露光する際に、シリコン原盤とフ
ォトレジストの界面からのレーザビーム戻り光と元のレ
ーザビームが干渉し、現像処理されたレジストエッチン
グ断面にエッチング斜面部の凹凸断層が発生する恐れが
ある。これは、石英原盤やガラス原盤上にマスク薄膜と
して金属を形成する場合にも同様に発生する恐れがあ
る。
ガラス原盤表面からの反射率は５％以下であるのに対
し、シリコン原盤のシリコンの反射率は３３．４％であ
るため、フォトレジストがコートされたシリコン原盤を
用いてレーザビームで露光する際に、シリコン原盤とフ
ォトレジストの界面からのレーザビーム戻り光と元のレ
ーザビームが干渉し、現像処理されたレジストエッチン
グ断面にエッチング斜面部の凹凸断層が発生する恐れが
ある。これは、石英原盤やガラス原盤上にマスク薄膜と
して金属を形成する場合にも同様に発生する恐れがあ
る。
【００４４】そこで、本発明者らは、この課題を筆者ら
は鋭意検討し、フォトレジストをコートする前にＳｉウ
エハー上に反射率低減層を形成することで、シリコン界
面からの戻り光との干渉を防ぎより高精度でスタンパの
作製を行うことができること見出したものである。
は鋭意検討し、フォトレジストをコートする前にＳｉウ
エハー上に反射率低減層を形成することで、シリコン界
面からの戻り光との干渉を防ぎより高精度でスタンパの
作製を行うことができること見出したものである。
【００４５】まず、シリコンウエハー上の反射膜構成を
３５０ナノメートルのＫｒレーザービーム波長に合わ
せ、シミュレーションした。
３５０ナノメートルのＫｒレーザービーム波長に合わ
せ、シミュレーションした。
【００４６】エリプソメーターを用いて、一般的なレジ
ストとシリコン原盤の屈折率とを調べたところ、 レジスト n=1.64 k=0 Ｓｉ n=3.73 k=2.79 であった。
ストとシリコン原盤の屈折率とを調べたところ、 レジスト n=1.64 k=0 Ｓｉ n=3.73 k=2.79 であった。
【００４７】実験を容易にするため、高屈折率材料とし
て、Ｔａ2Ｏ5と低屈折率材料としてＳｉＯ2を選んだ。
それぞれの屈折率を 高屈折率膜 H Ｔａ2Ｏ5 n=2.25 k=0 低屈折率膜 L ＳｉＯ2 n=1.48 k=0 とすると、設計波長λ=350 nm（ナノメートル）におい
てnは屈折率、dは膜厚、λはレーザー波長としたとき、 １）高屈折率膜／低屈折率膜／高屈折率膜の３層構造と
すると、Ｓｉ基板側から 1 H nd = 0.207λ 膜厚 d=32.16 nm 2 L nd = 0.273λ d=64.48 nm 3 H nd = 0.151λ d=23.52 nm として反射率を０．０３％ まで下げられる。
て、Ｔａ2Ｏ5と低屈折率材料としてＳｉＯ2を選んだ。
それぞれの屈折率を 高屈折率膜 H Ｔａ2Ｏ5 n=2.25 k=0 低屈折率膜 L ＳｉＯ2 n=1.48 k=0 とすると、設計波長λ=350 nm（ナノメートル）におい
てnは屈折率、dは膜厚、λはレーザー波長としたとき、 １）高屈折率膜／低屈折率膜／高屈折率膜の３層構造と
すると、Ｓｉ基板側から 1 H nd = 0.207λ 膜厚 d=32.16 nm 2 L nd = 0.273λ d=64.48 nm 3 H nd = 0.151λ d=23.52 nm として反射率を０．０３％ まで下げられる。
【００４８】尚、波長特性については、340nmで 1.3%、
360nmで 0.8% になる。
360nmで 0.8% になる。
【００４９】２）２層のケースは、Ｓｉ基板側から 1 H nd = 0.197λ 膜厚 d=30.64 nm 2 L nd = 0.250λ d=59.12 nm とすると反射率は６．７％ となる。
【００５０】３）単層のケースは、 1 H nd = 0.197λ 膜厚 d=30.64 nm とすると反射率は１２．３％ となる。
【００５１】更に、単層の場合膜の屈折率が n = 3.1程
度高ければ反射率１％以下が可能となる。従って、でき
るだけ屈折率の高い材料、例えばＴｉＯ2でｎ＝２．６
を使用することが有効となる。
度高ければ反射率１％以下が可能となる。従って、でき
るだけ屈折率の高い材料、例えばＴｉＯ2でｎ＝２．６
を使用することが有効となる。
【００５２】次に、エッチングの容易性を考慮して、図
３（Ａ〜Ｇ）及び図４（Ｈ−１〜L）に示すプロセスに
沿って反射膜を単層とするケースで実験を行った。
３（Ａ〜Ｇ）及び図４（Ｈ−１〜L）に示すプロセスに
沿って反射膜を単層とするケースで実験を行った。
【００５３】具体的には、８インチのシリコン原盤２０
０（図３Ａ）に反射防止層２０１としてＴａ2Ｏ5を３０
ナノメートル蒸着により形成した（図３Ｂ）。その上
に、ＨＭＤＳ等の密着強化処理を施し、ネガタイプのフ
ォトレジスト２０２を７００ナノメートル塗布し、８０
℃でプリベークした（図３Ｃ）。次に、Ｋｒイオンレー
ザを備えたカッティング装置によりレンズでレーザ光を
集光し、レジストに情報信号に同期したレーザ光で所定
形状の案内溝やプリピット等を潜像（露光部位３０４）
として感光記録した（図３Ｄ）。ここではグルーブ記録
用の矩形溝を作製した。これを現像することによって凹
凸パターン２０６を得た。次に凹凸パターンを１３０℃
でポストベークした。凸部にはフォトレジストが残留し
ていた。凹部にはＴａ2Ｏ5コート膜の表面が露出してい
る（図３Ｅ）。この残留フォトレジストをマスクとし、
条件はパワー１００Ｗ，ガス圧１Ｐａ、ガスＣＦ4、流
量５０ｓｃｃｍで、ドライエッチング（２０７）をかけ
たところ７２秒でＴａ2Ｏ5の３０ナノメートルがきれい
にエッチングされ、シリコン表面が露出した（図３
Ｆ）。レジストとの選択比は０．４７であった。
０（図３Ａ）に反射防止層２０１としてＴａ2Ｏ5を３０
ナノメートル蒸着により形成した（図３Ｂ）。その上
に、ＨＭＤＳ等の密着強化処理を施し、ネガタイプのフ
ォトレジスト２０２を７００ナノメートル塗布し、８０
℃でプリベークした（図３Ｃ）。次に、Ｋｒイオンレー
ザを備えたカッティング装置によりレンズでレーザ光を
集光し、レジストに情報信号に同期したレーザ光で所定
形状の案内溝やプリピット等を潜像（露光部位３０４）
として感光記録した（図３Ｄ）。ここではグルーブ記録
用の矩形溝を作製した。これを現像することによって凹
凸パターン２０６を得た。次に凹凸パターンを１３０℃
でポストベークした。凸部にはフォトレジストが残留し
ていた。凹部にはＴａ2Ｏ5コート膜の表面が露出してい
る（図３Ｅ）。この残留フォトレジストをマスクとし、
条件はパワー１００Ｗ，ガス圧１Ｐａ、ガスＣＦ4、流
量５０ｓｃｃｍで、ドライエッチング（２０７）をかけ
たところ７２秒でＴａ2Ｏ5の３０ナノメートルがきれい
にエッチングされ、シリコン表面が露出した（図３
Ｆ）。レジストとの選択比は０．４７であった。
【００５４】次に同じＣＦ4のガスを用い、ドライエッ
チング（２０８）をかけた。パワー１００Ｗ、ガス圧２
Ｐａ、ガス流量８０ｓｃｃｍで１０分間エッチングした
（図３Ｇ）。
チング（２０８）をかけた。パワー１００Ｗ、ガス圧２
Ｐａ、ガス流量８０ｓｃｃｍで１０分間エッチングした
（図３Ｇ）。
【００５５】このサンプルを一部ＴＥＭ観察した所、フ
ォトレジストエッチング斜面部の凹凸断層はほぼ消失し
ていた。
ォトレジストエッチング斜面部の凹凸断層はほぼ消失し
ていた。
【００５６】次に、凸部にはマスクとしてフォトレジス
トが残留している為、Ｏ2ガスを導入し、４００Ｗ、３
分のアッシング（２１０）をかけ残留フォトレジストを
完全に除去した（図４Ｈ−１）。更に、残留したＴａ2
Ｏ5膜をフッ酸で除去しグルーブ２１１を得た（図４Ｈ
−２）。
トが残留している為、Ｏ2ガスを導入し、４００Ｗ、３
分のアッシング（２１０）をかけ残留フォトレジストを
完全に除去した（図４Ｈ−１）。更に、残留したＴａ2
Ｏ5膜をフッ酸で除去しグルーブ２１１を得た（図４Ｈ
−２）。
【００５７】こうして、シリコン原盤表面に１５０ナノ
メートルの矩形溝（２１１）を得た。溝の斜面の角度は
ＴＥＭ観察により８５度であり、シリコンエッチング斜
面部の凹凸断層も無く斜面部がストレートなグルーブを
持ったシリコンマスターを形成できた（図４Ｈ-２）。
メートルの矩形溝（２１１）を得た。溝の斜面の角度は
ＴＥＭ観察により８５度であり、シリコンエッチング斜
面部の凹凸断層も無く斜面部がストレートなグルーブを
持ったシリコンマスターを形成できた（図４Ｈ-２）。
【００５８】また、反射率低減層として、上記の誘電体
層に限定されない。高屈折率の樹脂層をコートする方法
もある。筆者らはＴａ2Ｏ5の替りに、ＡＲＣ（Anti Ref
lection Coat）剤を２０００オングストロームの膜厚で
シリコン原盤にコートし、上記と同じ実験をした所、フ
ォトレジストの凹凸断層はほとんど見られなかった。
層に限定されない。高屈折率の樹脂層をコートする方法
もある。筆者らはＴａ2Ｏ5の替りに、ＡＲＣ（Anti Ref
lection Coat）剤を２０００オングストロームの膜厚で
シリコン原盤にコートし、上記と同じ実験をした所、フ
ォトレジストの凹凸断層はほとんど見られなかった。
【００５９】上述のシリコンマスターを用いた以後のス
タンパの作製プロセスは、第一の実施形態で説明した図
２Ｇ〜Ｊと同様である（図４Ｉ〜Ｌ）。
タンパの作製プロセスは、第一の実施形態で説明した図
２Ｇ〜Ｊと同様である（図４Ｉ〜Ｌ）。
【００６０】次に、本発明の第三の実施形態について、
図５（Ａ〜Ｇ）及び図６（Ｈ〜Ｌ）を参照して説明す
る。
図５（Ａ〜Ｇ）及び図６（Ｈ〜Ｌ）を参照して説明す
る。
【００６１】本発明者らは本実施形態にかかる凹凸を自
在に変換できる原盤複製装置を開発した。
在に変換できる原盤複製装置を開発した。
【００６２】ここでは全てレーザーで露光した部位をグ
ルーブと呼ぶこととする。
ルーブと呼ぶこととする。
【００６３】ＣＤディスクの様に基板を通して記録再生
する方式では、プレーヤーの光ピックアップ等から凹凸
を見ると物理形状としての凹凸と逆転するため、ここで
はディスクの物理形状として凹凸を記載した。
する方式では、プレーヤーの光ピックアップ等から凹凸
を見ると物理形状としての凹凸と逆転するため、ここで
はディスクの物理形状として凹凸を記載した。
【００６４】下記の凹凸は全てレーザーで露光したグル
ーブ部を示す。
ーブ部を示す。
【００６５】ポジレジストコートガラスマスターは凹
→ニッケルマスタースタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成
形基板は凹 ネガレジストコートガラスマスターは凸→ニッケルマ
ザースタンパは凹→射出成形又は２Ｐ成形基板は凸とな
るので、従来の光ディスクシステムでは使用できない。
→ニッケルマスタースタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成
形基板は凹 ネガレジストコートガラスマスターは凸→ニッケルマ
ザースタンパは凹→射出成形又は２Ｐ成形基板は凸とな
るので、従来の光ディスクシステムでは使用できない。
【００６６】ネガレジストコートガラスマスターは凸
→ニッケルマザースタンパは凹→２Ｐ原盤複製ガラスは
凸→再度行った２Ｐ原盤複製ガラスは凹→ニッケルサン
スタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成形基板は凹 となる。もう一つの方法として、ネガレジストコート
ガラスマスターは凸→ニッケルマザースタンパは凹→ニ
ッケルサンスタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成形基板は
凹 ２Ｐ原盤複製ガラスを経由せずにニッケルマザースタン
パからニッケルサンスタンパを作製（ダイレクト複製）
する方法もあるが、グルーブやプリピットの斜面の角度
が急峻になるに連れニッケルスタンパからダイレクトに
ニッケルスタンパの複製をとるのが困難になる。従っ
て、作製するフォーマットに応じダイレクト複製か２Ｐ
原盤複製の方式をとるかを決める必要がある。
→ニッケルマザースタンパは凹→２Ｐ原盤複製ガラスは
凸→再度行った２Ｐ原盤複製ガラスは凹→ニッケルサン
スタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成形基板は凹 となる。もう一つの方法として、ネガレジストコート
ガラスマスターは凸→ニッケルマザースタンパは凹→ニ
ッケルサンスタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成形基板は
凹 ２Ｐ原盤複製ガラスを経由せずにニッケルマザースタン
パからニッケルサンスタンパを作製（ダイレクト複製）
する方法もあるが、グルーブやプリピットの斜面の角度
が急峻になるに連れニッケルスタンパからダイレクトに
ニッケルスタンパの複製をとるのが困難になる。従っ
て、作製するフォーマットに応じダイレクト複製か２Ｐ
原盤複製の方式をとるかを決める必要がある。
【００６７】次に、シリコンウエハーや石英ガラス等を
用いた超高密度マスタリングについては ポジレジストコートシリコンマスターは凹→２Ｐガラ
ス原盤マザーは凸→ニッケルサンスタンパは凹→２Ｐガ
ラス原盤凸→２Ｐガラス原盤凹→ニッケルスタンパは凸
→射出成形又は２Ｐ成形基板は凹 又は ポジレジストコートシリコンマスターは凹→２Ｐガラ
ス原盤マザーは凸→ニッケルサンスタンパは凹→ニッケ
ルスタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成形基板は凹 ネガレジストコートシリコンマスターは凸→２Ｐガラ
ス原盤マザーは凹→ニッケルサンスタンパは凸→射出成
形又は２Ｐ成形基板は凹 となる。
用いた超高密度マスタリングについては ポジレジストコートシリコンマスターは凹→２Ｐガラ
ス原盤マザーは凸→ニッケルサンスタンパは凹→２Ｐガ
ラス原盤凸→２Ｐガラス原盤凹→ニッケルスタンパは凸
→射出成形又は２Ｐ成形基板は凹 又は ポジレジストコートシリコンマスターは凹→２Ｐガラ
ス原盤マザーは凸→ニッケルサンスタンパは凹→ニッケ
ルスタンパは凸→射出成形又は２Ｐ成形基板は凹 ネガレジストコートシリコンマスターは凸→２Ｐガラ
ス原盤マザーは凹→ニッケルサンスタンパは凸→射出成
形又は２Ｐ成形基板は凹 となる。
【００６８】図５及び図６には本実施形態の凹凸変換プ
ロセスが記載されている。
ロセスが記載されている。
【００６９】図５及び図６のプロセスはネガレジストを
使用したケースが述べてあるが、ポジレジストであると
凹凸が変わるだけである。図５及び図６のプロセスにお
けるＡからＨまでは図１及び図２のプロセスＡからＨま
でと全く同様である為ここでは説明を省略する。
使用したケースが述べてあるが、ポジレジストであると
凹凸が変わるだけである。図５及び図６のプロセスにお
けるＡからＨまでは図１及び図２のプロセスＡからＨま
でと全く同様である為ここでは説明を省略する。
【００７０】次に作製したガラスマザー３１６の表面に
フッ素化合物で処理し表面エネルギーを低下させる。具
体的にはＦ（ＣＦ2）8−（ＣＨ2）2−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
の溶液を回転塗布するか、あるいは蒸発させてガラスマ
ザー表面をこの分子で被覆したあと１００℃で１０分間
熱処理した。この表面処理により、表面エネルギーが低
下し、フォトポリマー硬化物からの剥離力が、未処理の
ときと比べて数分の一になることを確認した。前記化合
物以外に、市販されているフッ素系コーテイング剤およ
びシロキサン系処理剤を用いた場合でも同様の効果があ
った。こうした剥離処理を行ったガラスマザーにフォト
ポリマー３２２を塗布し（図６Ｉ）、ガラス原盤を真空
中で貼り合せ、紫外線露光、硬化、剥離をしたものが、
ガラスサン３２４である（図６Ｊ）。上記剥離処理の効
果で、フォトポリマー３２２はガラスサン３２４側に正
確に転写される。
フッ素化合物で処理し表面エネルギーを低下させる。具
体的にはＦ（ＣＦ2）8−（ＣＨ2）2−Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
の溶液を回転塗布するか、あるいは蒸発させてガラスマ
ザー表面をこの分子で被覆したあと１００℃で１０分間
熱処理した。この表面処理により、表面エネルギーが低
下し、フォトポリマー硬化物からの剥離力が、未処理の
ときと比べて数分の一になることを確認した。前記化合
物以外に、市販されているフッ素系コーテイング剤およ
びシロキサン系処理剤を用いた場合でも同様の効果があ
った。こうした剥離処理を行ったガラスマザーにフォト
ポリマー３２２を塗布し（図６Ｉ）、ガラス原盤を真空
中で貼り合せ、紫外線露光、硬化、剥離をしたものが、
ガラスサン３２４である（図６Ｊ）。上記剥離処理の効
果で、フォトポリマー３２２はガラスサン３２４側に正
確に転写される。
【００７１】ガラスマザー３１６のグルーブは凸である
のに対し、ガラスサン３２４のグルーブは凹となってい
る。
のに対し、ガラスサン３２４のグルーブは凹となってい
る。
【００７２】更に、このガラスサン３２４について、電
極処理及び電鋳を行い金属層３１８を形成して（図６
Ｋ）スタンパ３２０（図６Ｌ）を得る。
極処理及び電鋳を行い金属層３１８を形成して（図６
Ｋ）スタンパ３２０（図６Ｌ）を得る。
【００７３】
【発明の効果】以上の詳述したように、本発明の用法に
よれば、シリコンや石英等の原盤を破壊せずに容易に高
精度原盤を複製することが可能となる。
よれば、シリコンや石英等の原盤を破壊せずに容易に高
精度原盤を複製することが可能となる。
【００７４】また、表面反射率の高いシリコン原盤、金
属薄膜コート石英原盤又は金属原盤における高精度マス
タリングで、戻り光との干渉を減少させ、高品質な高精
度原盤を提供することが可能となる。
属薄膜コート石英原盤又は金属原盤における高精度マス
タリングで、戻り光との干渉を減少させ、高品質な高精
度原盤を提供することが可能となる。
【００７５】更に、凹凸の向きを如何様にも変換できる
転写技術を提供することが可能となる。
転写技術を提供することが可能となる。
【図１】本発明の原盤の製造方法の第一の実施形態をそ
の工程に沿って示す断面図。
の工程に沿って示す断面図。
【図２】本発明の原盤の製造方法の第一の実施形態をそ
の工程に沿って示す断面図。
の工程に沿って示す断面図。
【図３】本発明の原盤の製造方法の第二の実施形態をそ
の工程に沿って示す断面図。
の工程に沿って示す断面図。
【図４】本発明の原盤の製造方法の第二の実施形態をそ
の工程に沿って示す断面図。
の工程に沿って示す断面図。
【図５】本発明の原盤の製造方法の第三の実施形態をそ
の工程に沿って示す断面図。
の工程に沿って示す断面図。
【図６】本発明の原盤の製造方法の第三の実施形態をそ
の工程に沿って示す断面図。
の工程に沿って示す断面図。
【図７】従来の原盤の製造方法をその工程に沿って示す
断面図。
断面図。
１００、２００、３００ シリコン原盤 ４００ 原盤 １０２、２０２、３０２、４０２ フォトレジスト
層 １０４、２０４、３０４、４０４ 露光部位 １０６、２０６、３０６、４０６ 凹凸パターン １０８、２０７、２０８、３０８ ドライエッチングに
よる処理 １１０、２１１、３１０ グルーブ １１２、２１２、３１２ フォトポリマー １１４、２１４、３１４ ガラス原盤 １１６、２１６、３１６ ガラスマザー １１８、２１８、３１８、４１８ 金属層 １２０、２２０、３２０、４２０ スタンパ ２０１ 反射防止層 ２１０ アッシングによる処
理 ３２２ フォトポリマー ３２４ ガラスサン
層 １０４、２０４、３０４、４０４ 露光部位 １０６、２０６、３０６、４０６ 凹凸パターン １０８、２０７、２０８、３０８ ドライエッチングに
よる処理 １１０、２１１、３１０ グルーブ １１２、２１２、３１２ フォトポリマー １１４、２１４、３１４ ガラス原盤 １１６、２１６、３１６ ガラスマザー １１８、２１８、３１８、４１８ 金属層 １２０、２２０、３２０、４２０ スタンパ ２０１ 反射防止層 ２１０ アッシングによる処
理 ３２２ フォトポリマー ３２４ ガラスサン
Claims (17)
- 【請求項１】 記録面に形成された凹凸形状を転写する
ことによる原盤の製造方法であって、 凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマザー原盤を樹
脂層を介して貼りあわせる工程と、 前記樹脂層を硬化する工程と、 前記元原盤の記録面から硬化した前記樹脂層を剥離する
樹脂層剥離工程と、 前記樹脂層の凹凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に
電極処理を施す電極処理工程と、 前記電極処理されたマザー原盤に電鋳により金属層を形
成する電鋳工程と、 前記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面から前記金属
層を剥離することにより、前記元原盤の凹凸形状が転写
された金属原盤を形成する金属原盤形成工程と、を備え
たことを特徴とする原盤の製造方法。 - 【請求項２】前記原盤の組成はシリコン又は石英である
請求項１記載の原盤の製造方法。 - 【請求項３】前記金属原盤の組成はニッケル、その合金
又はその化合物のうちうづれかである請求項１記載の原
盤の製造方法。 - 【請求項４】前記マザー原盤の組成は、ガラス又は石英
である請求項１記載の原盤の製造方法。 - 【請求項５】前記マザー原盤は、前記電鋳により形成さ
れた金属層の引張り応力又は圧縮応力により、物理的に
破壊されない剛性を有する材質である請求項１記載の原
盤の製造方法。 - 【請求項６】凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマ
ザー原盤を樹脂層を介して貼りあわせる工程を真空環境
で行う請求項１記載の原盤の製造方法。 - 【請求項７】記録面に形成された凹凸形状を転写するこ
とによる原盤の製造方法であって、 元原盤に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、 前記反射防止層が形成された元原盤にフォトレジストを
形成するフォトレジスト層形成工程と、 前記フォトレジスト層を所定のパターンに露光する露光
工程と、 露光されたフォトレジスト層を現像してレジストパター
ンを得て該レジストパターンを用いて凹凸形状を得る凹
凸形状形成工程と、 凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマザー原盤を樹
脂層を介して貼りあわせる工程と、 前記樹脂層を硬化する工程と、 前記元原盤の記録面から硬化した前記樹脂層を剥離する
樹脂層剥離工程と、 前記樹脂層の凹凸形状が転写、剥離されたマザー原盤に
電極処理を施す電極処理工程と、 前記電極処理されたマザー原盤に電鋳により金属層を形
成する電鋳工程と、 前記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面から前記金属
層を剥離することにより、前記元原盤の凹凸形状が転写
された金属原盤を形成する金属原盤形成工程と、を備え
たことを特徴とする原盤の製造方法。 - 【請求項８】元前記原盤の組成はシリコン、金属層が形
成された石英、又はシリコン層が形成されたガラス又は
石英である請求項７記載の原盤の製造方法。 - 【請求項９】前記マザー原盤の材質は、前記電鋳により
形成された金属層の引張り応力又は圧縮応力により、物
理的に破壊されない剛性を有する材質である請求項７記
載の原盤の製造方法。 - 【請求項１０】前記露光はレーザー光によって行われる
請求項７記載の原盤の製造方法。 - 【請求項１１】前記反射防止層は前記露光波長に対し前
記元原盤表面からの反射を減少する反射減少機能を有す
る請求項７記載の原盤の製造方法。 - 【請求項１２】前記反射防止層が前記フォトレジストよ
り高屈折率の有機材料である請求項７記載の原盤の製造
方法。 - 【請求項１３】前記反射防止層は単層の前記フォトレジ
ストより高屈折率膜、或いは前記フォトレジストより高
屈折率膜と低屈折率膜との多層構造である請求項７記載
の原盤の製造方法。 - 【請求項１４】凹凸形状が形成された元原盤の記録面と
マザー原盤を樹脂層を介して貼りあわせる工程を真空環
境で行う請求項７記載の原盤の製造方法。 - 【請求項１５】記録面に形成された凹凸形状を転写する
ことによる原盤の製造方法であって、 凹凸形状が形成された元原盤の記録面とマザー原盤を樹
脂層を介して貼りあわせる工程と、 前記樹脂層を硬化する工程と、 前記元原盤の記録面から硬化した前記樹脂層を剥離する
樹脂層剥離工程と、 凹凸形状が形成されたマザー原盤の記録面とサン原盤を
樹脂層を介して貼りあわせる工程と、 前記樹脂層を硬化する工程と、 前記マザー原盤の記録面から硬化した前記樹脂層を剥離
する樹脂層剥離工程と、前記樹脂層の凹凸形状が転写、
剥離されたサン原盤に電極処理を施す電極処理工程と、 前記電極処理されたサン原盤に電鋳により金属層を形成
する電鋳工程と、 前記樹脂層の凹凸形状が転写された記録面から前記金属
層を剥離することにより、前記サン原盤の凹凸形状が転
写された金属原盤を形成する金属原盤形成工程と、を備
えたことを特徴とする原盤の製造方法。 - 【請求項１６】前記原盤とマザー原盤を樹脂層を介して
貼りあわせ工程及びマザー原盤とサン原盤を樹脂層を介
して貼りあわせる工程を真空環境で行う請求項１５記載
の原盤の製造方法。 - 【請求項１７】前記マザー原盤及び前記サン原盤の材質
は、前記電鋳により形成された金属層の引張り応力又は
圧縮応力により、物理的に破壊されない剛性を有する材
質である請求項１５記載の原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094087A JP2000280255A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094087A JP2000280255A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000280255A true JP2000280255A (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=14100694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11094087A Withdrawn JP2000280255A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000280255A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041070A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'information |
| WO2003046904A1 (fr) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de matriçage et de pressage de supports d'information |
| WO2003058613A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'informations, matrice de pressage et disque original photosensible |
| WO2003058616A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de production d'une matrice de pressage destinee la production d'un support de donnees, matrice de donnees et matrice de pressage intermediaire dotee d'un disque maitre |
| WO2003105145A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | Tdk株式会社 | フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体 |
| WO2004001736A1 (ja) * | 2002-06-25 | 2003-12-31 | Tdk Corporation | 光記録媒体製造用スタンパの製造方法及び装置 |
| WO2005112024A1 (en) | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Ricoh Company, Ltd. | Process for producing stamper of multi-valued rom disc, apparatus for producing the same, and resulting disc |
| WO2006004177A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Near-field exposure method and device manufacturing method using the same |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| JP2010503454A (ja) * | 2006-09-18 | 2010-02-04 | エージェンシー フォー サイエンス、テクノロジー アンド リサーチ | 針構造および針構造を製作するための方法 |
| JP2010194733A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Toppan Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP11094087A patent/JP2000280255A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041070A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'information |
| WO2003046904A1 (fr) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de matriçage et de pressage de supports d'information |
| WO2003058613A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'informations, matrice de pressage et disque original photosensible |
| WO2003058616A1 (fr) * | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Tdk Corporation | Procede de production d'une matrice de pressage destinee la production d'un support de donnees, matrice de donnees et matrice de pressage intermediaire dotee d'un disque maitre |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| WO2003105145A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | Tdk株式会社 | フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体 |
| WO2004001736A1 (ja) * | 2002-06-25 | 2003-12-31 | Tdk Corporation | 光記録媒体製造用スタンパの製造方法及び装置 |
| WO2005112024A1 (en) | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Ricoh Company, Ltd. | Process for producing stamper of multi-valued rom disc, apparatus for producing the same, and resulting disc |
| EP1749298A1 (en) * | 2004-05-18 | 2007-02-07 | Ricoh Company, Ltd. | Process for producing stamper of multi-valued rom disc, apparatus for producing the same, and resulting disc |
| EP1749298A4 (en) * | 2004-05-18 | 2008-08-06 | Ricoh Kk | METHOD FOR PRODUCING MULTIVALIZED CD-ROM MATRIX, ASSOCIATED PRODUCTION APPARATUS, AND RESULT DISK |
| US7990838B2 (en) | 2004-05-18 | 2011-08-02 | Ricoh Company, Ltd. | Process for producing stamper of multi-valued ROM disc, apparatus for producing the same, and resulting disc |
| WO2006004177A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Near-field exposure method and device manufacturing method using the same |
| JP2010503454A (ja) * | 2006-09-18 | 2010-02-04 | エージェンシー フォー サイエンス、テクノロジー アンド リサーチ | 針構造および針構造を製作するための方法 |
| JP2010194733A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Toppan Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3104699B1 (ja) | 細溝付き成形基板の製造方法 | |
| US7952986B2 (en) | Reverse optical mastering for data storage disk replicas | |
| US4619804A (en) | Fabricating optical record media | |
| JP2000280255A (ja) | 原盤の製造方法 | |
| JP3448661B2 (ja) | 光ディスク用合成石英型及び光ディスク | |
| WO2003058616A1 (fr) | Procede de production d'une matrice de pressage destinee la production d'un support de donnees, matrice de donnees et matrice de pressage intermediaire dotee d'un disque maitre | |
| JP2008269720A (ja) | 透光性スタンパ、透光性スタンパの製造方法及び多層光記録媒体の製造方法 | |
| JPH10241213A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| JP4366193B2 (ja) | スタンパ原盤の製造方法及びスタンパの製造方法 | |
| JPH11120626A (ja) | 光ディスク作製用マスタディスクの製造方法 | |
| JP2004136692A (ja) | 金属製第３成形型を大量に製造する方法、樹脂基板を製造する方法及び樹脂基板 | |
| JP2004046997A (ja) | 光ディスク及びスタンパー | |
| JPH10241214A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| US20060286355A1 (en) | Drive recordable master media | |
| JPH11350181A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| KR100207701B1 (ko) | 광디스크 제조방법 | |
| JP4285239B2 (ja) | 光記録媒体製造用のスタンパの製造方法 | |
| KR100188922B1 (ko) | 광디스크 제조용 유리기판 및 포토마스크의 제조방법 | |
| JPH03248342A (ja) | 光ディスク基板の製造方法 | |
| JPH01235044A (ja) | 光ディスク基板およびその製造方法 | |
| KR20060099366A (ko) | 고밀도 원판 제조 방법, 고밀도 디스크 제조 방법 및 그디스크 | |
| JP2000021017A (ja) | 光学記録媒体と光学記録媒体の製造方法、および光学記録媒体用基板と光学記録媒体用基板の製造方法 | |
| JP2001243662A (ja) | 記録媒体の製造方法、および記録媒体製造用原盤の製造方法 | |
| KR20000013457A (ko) | 광기록 매체의 제조방법 | |
| JP2003272253A (ja) | スタンパの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |