WO2003105145A1

WO2003105145A1 - フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体

Info

Publication number: WO2003105145A1
Application number: PCT/JP2003/006861
Authority: WO
Inventors: 小宅　久司; 高畑　広彰; 白砂　健司
Original assignee: Tdk株式会社
Priority date: 2002-06-05
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2003-12-18
Also published as: AU2003241662A1; JP2004013973A; US20050232130A1

Abstract

　フォトレジスト層（１６）の現像工程無しで凹凸パターン（２２）を形成して光記録媒体製造用スタンパ（３６）を製造する。　光記録媒体製造用スタンパの製造方法は、ガラス基板（１０）上に光吸収層（１４）及びフォトレジスト層（１６）をこの順で形成する工程と、フォトレジスト層（１６）に光吸収層（１４）と反対側からレーザー光を照射して、そのエネルギーによりフォトレジスト層の一部を除去し、未現像フォトレジストからなる凹凸パターン（２２）を形成してフォトレジスト原盤（２６）を製造する工程と、フォトレジスト原盤（２６）における凹凸パターン（２２）に金属薄膜（２８）を形成する工程と、金属薄膜（２８）上に電界メッキにより金属膜（３０）を形成する工程と、金属薄膜（２８）及び金属膜（３０）をフォトレジスト原盤（２６）から剥離してスタンパ（３６）を形成する工程とからなる。

Description

明細書

フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体技術分野

本発明は、グループやプリピットなどの凹凸パターンを有する光記録媒体を製造する際に用いるスタンパ、該スタンパ製造用のフォトレジスト原盤、スタンパ中間体、フォトレジスト原盤の製造方法、前記フォトレジスト原盤を用いるスタンパの製造方法及びこのスタンパを用いて製造された光記録媒体に関する。 ― 背景技術

光記録媒体の一種である光ディスクには、現在、追記又は書き換え等が可能な光記録ディスクと、予め情報が記録されている再生専用ディスクの 2種類が存在する。

光記録ディスクにおけるディスク基板にはトラッキング等に利用されるグループ（案内溝）が形成されており、更にこのディスク基板上に相変化材料や有機色素材料を含有する記録層が積層される。レーザービームを霄己録層に照射すると、該記録層が化学変化や物理変化を起こして記録マークが形成される。一方、再生専用ディスクのディスク基板上には、予め記録マーク（情報ピット）が凹凸パターンの一部として形成されている。これらの記録マークに読取用のレーザービームが照射されると光反射量が変動し、この変動を検出することによって情報の読み取り（再生）が可能となっている。

グループや情報ピット等の凹凸パターンを有するディスク基板を製造するには、この凹凸のネガパターン（これも回凸パターンの一種である ) が予め形成されているスタンパを用いる。例えば、キヤビティー内に上記スタンパが固定された金型を用いて射出成型を行い、充填された樹脂に上記ネガパターンを転写してディスク基板を製造する方法が一般的である。

凹凸パターンを有するスタンパは、通常、 N i等を含む金属プレートによって構成される。このスタンパを製造する工程として、先ず、上記スタンパの凹凸パターンのネガパターンを有するフォトレジスト原盤を予め作成しておき、このフォトレジスト原盤上にメツキによって金属膜を形成する。その後、フォトレジスト原盤から前記金属膜を剥離し、表面洗浄等の所定の処理を行うことでスタンパを得る。

図 4に示される従来のフォトレジスト原盤 1を参照しながら、このフオトレジスト原盤 1の製造工程について説明する。まず、ガラス基板 2 上にフォトレジスト層 3を形成する。次に、レーザー等のパターエング用ビームを用いてフォトレジスト層 3を露光し、その潜像パターンを現像する。これによつて凹凸パターン 4がフォトレジスト層 3に形成されたフォトレジスト原盤 1が得られる。

このフォトレジスト原盤 1を用いてメツキによってスタンパ 5を作成するには、図 5に示されるように、先ず凹 ώパターン 4の表面に N i材料等を含んだ金属薄膜 6を無電解メツキなどによって形成し、フオトレジスト原盤 1に導電性を付与する。

その後、この金属薄膜 6を下地として通電させてメツキを行い、 N i 等を含んだ金属膜 7を形成する。これらの金属薄膜 6及び金属膜 7をフォトレジスト原盤 1から剥離すれば、凹凸パターン 4が転写されているスタンパ 5を得ることが出来る。

近年、光記録媒体の大容量化に伴ってグループ等の凹凸パターンが微細化し、その形状誤差が記録 ·読み取り精度に大きな影響を及ぼすようになってきている。従って、シャープな凹凸パターンをディスク基板に形成することが要求されるが、そのためには、基礎となるフォトレジスト層 3の凹凸パターンを高精度（シャープ）に形成する必要がある。フォトレジスト層 3に形成される潜像パターンの最小幅は、該フォトレジスト層 4に到達するレーザービームのスポット径によって制限される。スポット痉 wは、レーザー波長を、照射光学系の対物レンズの開口数を N Aとしたとき、 w = k · λノ N Aで表される。なお、 k,は対物レンズの開口形状及び入射光束の強度分布によって決定される定数である。

ところで、スポット径の限界を論理的には超えない幅のパターンであつても、フォトレジスト層 3が薄かったりすると、スタンパに転写される凹凸パターンが浅かったり、囬凸パターンの形状が丸みを帯びてしまつたり (これをパターンの「ダレ」という）して、シャープさが不足することが知られている。これは、一般的に露光■ 現像作業中にフォトレジスト層 3の厚さに変動が生じてしまう（これを「膜減り」という）ことが原因であると考えられている。この厚さ変動は、フォトレジスト層 3とガラス基板 2の間でレーザービームが反射して、この反射光によつてフォトレジスト層 3が必要以上に露光されてしまうことが原因と考えられていた。

. この問題を解決するためには、ガラス基板 2とフォトレジスト層 3の間に光吸収層を形成すること（少なくとも、この出願の時まで非公知）が効果的であることを本発明者は知った。このようにすると、光吸収層がレーザービームを吸収して光反射を抑制することが出来るので、従来と比較してよりシャープに露光 ·現像することが可能となる。

更に、検討を重ねたところ、露光現像による凹凸パターン形成（いわゆるフォトンモード）ではスポット径の制限があり、より微細な凹凸パターンの形成にも限界があることが考えられた。発明の開示この発明は、より微細な凹凸パターン'を形成すべくなされたものであり、レーザービーム照射により、フォトレジスト層の照射個所を直接除去して、現像工程を経ることなく、高精度な凹凸パターンを形成できるようにした光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フオトレジスト原盤、スタンパ中間体及びこれらを用いて製造した光記録媒体を提供することを目的とする。

本発明者は、光記録媒体の製造方法等について鋭意研究を重ね、レーザ一光、放射線（粒子線を含む）を含む電磁波及び電子線のいずれかである活性エネルギー線を用いてスタンパに凹凸パターンをシヤープに形成する方法を提案する。即ち、以下に示す発明によって、上記目的を達成することができる。

( 1 ) 基板上に、少なくとも光吸収層及びフォトレジスト層を、この順で形成する工程と、該フォトレジスト層に、前記光吸収層と接する面の反対の面から活性エネルギー線を照射することにより、照射部分のフオトレジストを除去して凹凸パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトレジスト原盤の製造方法。

( 2 ) 基板上に、少なくとも光吸収層及びフォトレジスト層を、この順で形成する工程と、該フォトレジスト層に、前記光吸収層と接する面の反対の面から活性エネルギー線を照射することにより、照射部分のフオトレジストを除去して凹凸パターンを形成してフォトレジスト原盤を製造する工程と、前記フォトレジスト原盤における前記凹凸パターン上に金属薄膜を形成する工程と、該金属薄膜上に、電界メツキによる金属膜を形成する工程と、前記金属薄膜及び金属膜を前記フォトレジスト原盤から剥離してスタンパを形成する工程と、を有することを特徴とする光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

( 3 ) 前記凹凸パターン形成のための活性エネルギー線は、紫外領域の波長を有する電磁波であることを特徴とする（ 2 ) の光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

(4) 光記録媒体製造用スタンパがディスク形状であり、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0. 6 m未満であり、前記凹凸パターンの深さを t nm、前記四凸パターンの深さ t / 2における前記凹凸パターンの側壁面の傾斜角を θ° としたとき、前記活性エネノレギ一線により、 0. 7 5 t < 0 < l . 4 t となるように照射して、囬部を形成することを特徴とする（2) 又は（3) の光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

(5) 予め表面に凹凸パターンが形成された光記録媒体製造用のスタンパであって、（2) 乃至（4) のいずれかに記載された製造方法によつて製造されたことを特徴とするスタンパ。

(6) 予め表面に凹凸パターンが形成されたディスク状光記録媒体製造用のスタンパであって、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0. 6 μ ιη未満であり、且つ、前記凹凸パターンは、その深さを t nni、深さ tノ2における前記凹凸パターンの側壁面の傾斜角を Θ。としたとき、 0. 7 5 tく Θく 1. 4 tであることを特徴とするスタンパ。

(7) 基板と、該基板上に積層される光吸収層と、該光吸収層に接して積層されるフォトレジスト層とを有してなり、前記フォトレジスト層は活性エネルギー線の照射により一部のフォトレジストが直接除去されて形成された四凸パターンを有してなることを特徴とするフォトレジスト原盤。

(8) 基板と、該基板上に積層される光吸収層と、該光吸収層に接して積層され、活性エネルギー線の照射により一部のフォトレジストが直接除去されて形成された凹凸パターンを含むフォトレジスト層と、前記凹凸パターン上に形成された金属薄膜と、この金属薄膜上に電界メツキにより形成された金属膜と、を有してなるスタンパ中間体。 ' (9) 情報ピット及びレーザービームガイド用のグループの少なくとも一方を含む凹凸パタンが形成されているディスク状光記録媒体であつて、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0. ら μ m未満であり、且つ、前記凹凸パターンは、その深さを t nm、深さ t /2における前記四凸パターンの側壁面の傾斜角を 0° としたとき、 0 . 75 t < Θ < 1. 4 tであることを特徴とする光記録媒体。

(1 0) 前記（5) 又は（6) に記載のスタンパにより製造されたことを特徴,とする（9) の光記録媒体。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の実施の形態の例に係る光記録媒体用スタンパの製造方法を示す略示断面図である。

図 2は、フォトレジスト原盤の凹凸パターンにおける傾斜角を示す模式図である。

図 3は、同スタンパ（マスター盤）から、マザ一盤、チャイルド盤を製造し、且つこれから光記録媒体を製造する過程を示す略示断面図である。

図 4は、従来のフォトレジスト原盤を示す断面図である。

図 5は、従来のフォトレジスト原盤を用いてスタンパを製造する状態を示す断面図である。発明を実施するための最良の形態

以下本発明の実施の形態の例について図面を参照して詳細に説明するまず、図 1を参照して、本発明の実施の形態の例に係る光記録媒体製造用スタンパの製造過程について説明する。

まず、図 1 (A) に示されるように、ガラス基板 1 0上にカップリング剤 1 2を塗布して、その上に、図 1 ( B ) に示されるように、光吸収層 1 4及びフォトレジスト層 1 6をこの順で積層する。

この光吸収層 1 4は、光吸収性をもつ有機化合物（以下、光吸収剤ともいう）を含有することが好ましい。光吸収剤としては、光開始剤、光開始助剤及び染料から選択される少なくとも 1種の化合物を用いることが好ましい。一般に、光開始剤は光硬化型樹脂と共に用いられ、紫外線等の光を吸収してラジカルを発生する有機化合物である。又、光開始助剤は、自身は紫外線照射により活性化しないが、光開始剤と併用した場合には、光開始剤単独使用により開始反応が促進され、硬化反応が効率的に進む。光開始剤はラジカルを発生して分解するが、光開始助剤は安定であるため、本発明では光開始助剤を用いることがより好ましい。光開始助剤としては、主として脂肪族又は芳香族のアミンが使用される。本発明では、光開始助剤として、 4， 4 '—ビス（ジメチルァミノ）ベンゾフエノン、 4， 4 '—ビス（ジェチノレアミノ）ベンゾフエノン、 4 ージメチルァミノ安息香^ェチル、 4ージメチルァミノ安息香酸（n— ブトキシ）ェチル、 4ージメチルァミノ安息香酸イソァミル、 4—ジメチルァミノ安息香酸 2—ェチルへキシルの少なくとも 1種を使用することが好ましく、このうち特にべンゾフエノン系化合物を用いることが好ましい。 ' 光吸収剤を含有する光吸収層は、通常、以下の手順で形成することが好ましい。まず、光吸収剤を溶媒に溶解して塗布液を調製する。塗布液には、光吸収剤のほか、必要に応じ熱架橋性化合物を含有させる。光吸収剤に加え熱架橋性化合物を含有する塗膜を形成した後、加熱して塗膜を硬化し、次いで硬化塗膜上にフォトレジスト層を形成すれば、光吸収層 1 4とフォトレジスト層 1 6 との間での混合を抑制することができる。また、このほか、フォトレジスト層 1 6との接着性を向上させる接着助剤、吸光剤、界面活性剤などの各種添加物を、必要に応じて塗布液に添加してもよい。

次に、図 1 ( C ) に示されるように、パターニング用レーザービーム 1 8を、照射光学系 2 0を介して前記フォトレジスト層 1 6に照射するこのとき、フォトレジスト層 1 6に回部を形成する個所、即ち最終製品としての光記録媒体 4 0において凹部となる偶所、又は反転して凸部となる個所にはレーザービームの照射パワーを一定値以上とし、凹部を形成しない個所ではレーザービームの照射パワーをゼロ又は閾値以下として、図 1 (D ) に示されるように、所定の凹凸パターン 2 2を、フォトレジスト層 1 6に直接形成して、即ち、現像することなく形成して、フォトレジスト原盤 2 6とする。

なお、この実施の形態の例では、用いるレーザーは紫外線レーザーであって、照射光学系 2 0における対物レンズ 2 1は開口数 N A == 0 . 9 0である。

上記のようなパターニング用レーザービーム 1 8を、一定以上の照射パワーでフォトレジスト層 1 6を照射すると、レーザービームが光吸収層 1 4で吸収されてこれが熱エネルギーとなり、この熱によって、フォトレジスト層 1 6が部分的に熱分解及び/又は発生したガスにより飛ばされて、エッジの鋭い凹部 2 4が形成される。これによつて、図 1 ( D ) に示されるフォトレジスト原盤 2 6ができる。

図 2に示されるように、前記凹部 2 4の凹部深さ t [ n m] の 1 / 2 の部分における側壁面 2 5 と、底面 2 5 Aあるいは光吸収層 1 4の表面、ガラス基板 1 0の表面に平行な面（図 2の一点鎖線参照）とのなす角度が傾斜角 0 [° ] であり、凹凸パターン 2 2のディスク半径方向のピツチが 0 . 6 111未満、特に0 . 3 5 μ ΐη以下のときでも、 0 . 7 5 t < θ < ί . 4 t となる。

従って、凹凸パターン 2 2における凹部 2 4の形成ピッチ（例えば 0 . 以下、特に 0. 3 5 m以下の形成ピッチ）及び幅を小さくして、凹凸パターン 2 2をより微細に形成することができる。

次に、図 1 (E) に示されるように、前記凹凸パターン 2 2上に無電解メツキによって金属薄膜 28.を形成する。この金属薄膜 2 8 、例えば N i薄膜とする。

次に、前記金属薄膜 2 8を導体として表面に通電し、電界メツキによつて、例えば-ッケル等の金属膜 3 0を形成し、図 1 (F) に示されるようにフォトレジスト原盤付のスタンパ中間体 3 2が形成される。

次に、図 1 (G) に示されるように、前記スタンパ中間体 3 2から、金属薄膜 28及ぴ金属膜 3 0からなるマスター盤（スタンパ） 34を剥離する。

マスター盤 34は、中心部 34 A及び外周部を打抜き、且つ裏面を研磨して図 1 (H) に示されるような状態として、スタンパとして用いてよいが、打抜きを行わずに図 3 (A) に示される工程を経て、図 3 (B ) に示されるマザ一盤 3 6を製造し、このマザ一盤 3 6により、図 3 ( C) に示される工程により、チャイルド盤（スタンパ） 3 8を多数複製してスタンパとしてもよい。又、マザ一盤 3 6をスタンパとしてもよい。図 3の符号 3 9は剥離処理層を示す。

これらのスタンパを金型（図示省略）内にセットして、図 3 (E) に示されるように、射出成型により樹脂製の光記録媒体用基板 40を得る。この光記録媒体用基板 40は、図 3 (F) に示される最終製品となるなお、上記実施の形態の例におけるフォトレジスト層 1 6の厚さは、波長 405 nm程度のプル一レーザーを用い、開口数 0. 8 5程度の対物レンズを用いて記録及び/又は再生を行うシステムの場合、例えば情報ピットを形成するためのものであれば 6 011 m、レーザービームガイドのためのグループ用の場合は 3 0 nm程度として、凹凸パターンの種類に応じて設定する。

又、光吸収層 1 4の厚さは、これが厚いほど照射されたレーザ^"ビームを効率良く熱エネルギーに変換できるが、レーザービームの種類により 1〜 3 0 0 n mの範囲で最適化すればよい。

又、前記傾斜角 Θは、図 1に示されるような工程で、フォトレジスト原盤からマスター盤 3 4あるいはマザ一盤 3 6を介してチャイルド盤 3 8にほぼそのまま転写されるので、製造された最終製品である光記録媒体用基板 4 0は、その情報ピット及び/ あるいはグループの側壁面における傾斜角を、従来と比較して大きく形成でき、従ってシャープな凹凸 'パターンを高精細に形成して記録容量を増大させることができる。

なお、上記実施の形態の例では、レーザービームにより四凸パターンを形成しているが、これはレーザー光などの電磁波や電子線などの粒子線を含む放射線であればよい。即ち、活性エネルギー線であればよい。

【例及び比較例】

研磨されたガラス基板上にカップリング剤層を形成した後、光吸収層をスピンコート法により形成した。塗布液には 4 . 4 '一ビス（ジェチルァミノ）ベンゾフエノンを光吸収剤として含有する S W K— T 5 D 6 0 (東京応化工業（株））を用いた。この塗膜を 2 0 0度で 1 5分間べ一キングして硬化すると共に残留溶剤を除去し、表 1に示されるように、異なる厚さの光吸収層の例 1〜 4及び比較例 1 とした。次いで、この光吸収層上に、フォトレジスト（日本ゼオン（株）製 D V R 1 0 0 )をスピンコートし、ベーキングにより残留溶剤を蒸発させて、厚さ 6 0 n mのフォトレジスト層とした。

その後、ソエー（株）製カッティングマシンを用い、情報ピットの形成を目的として、 U Vレーザー（波長 = 3 5 1 n m)ビームを、 N A =

0 . 9 0の照射光学系を介して、フォトレジスト層へ照射を行い、凹凸パターンを形成して、フォトレジスト原盤を得た。このレーザービーム照射の際に、そのレーザーパワーを小から大に徐々に上げていったとき、情報ピット（凹部）が形成され始めるときのパヮー値を、表 1に閾値として示す。

又、形成された囬凸パターンを AFM (原子間力顕微鏡）を用いて形状を確認し、その結果から得られた、凹部における傾斜角 6、ピット幅、ピット深さを表 1に示す。なお、凹凸パターンのディスク半径方向での形状ピッチは 0. 3 2 mとした。ここで、 AFMの探針は S i 単結晶であり、ハーフコーンアングル 1 0° を用いる。

【表 1】

フォトレジスト厚 = 6 0 n m '

表 1からは、光吸収層の厚さが薄いほど閾値が高くなり、厚い場合はレーザーパワーが低くても情報ピットを形成できることが分かる。又、例 1及び例 4における光吸収層の厚さと閾値を比較すると、光吸収層は 1 6 0 n m程度よりも厚くしても閾値が小さくならないことが分かる。

比較例 1は光吸収層を設けずに上記と同様の厚さのフォトレジスト層にレーザー（ 1. 5 m j Zm) を照射して潜像を形成してから現像して情報ピットを形成したものである。又、比較例 2は、光吸収層を設けないで厚さ 6 0 nmのフォトレジスト層を形成したものであり、参考例は光吸収層無しでレジスト層を 1 7 0 nmに厚くしたものである。比較例 1では表 1から、傾斜角が例 1〜4と比較してかなり小さいことが分かる。

更に、比較例 2では、レーザーパワーが 1 6 . O m j Zmでもパターン —(回部）を形成することができなかった。参考例では、光吸収層無しでもピットを形成することができたが、この場合の閾値は例 1〜4と比較して 4倍以上となり、高パワーが必要であった。

次に、フォトレジスト層をグループ用の厚さ 3 0 n m、光吸収層厚を 1 4 3 n mとし、他の条件は例 1 と同様にした例 5、及びフォトレジスト層を 3 O n mとした以外は比較例 1 と同様にした比較例 3を表 2に示す。

【表 2】

フォトレジスト厚 = 3 O n m

この表 2からも、フォトレジスト層の厚さが薄くなったことにより、前記例 1〜 4と比較して傾斜角 0 も小さくなつたことが分かる。この例 5の傾斜角 0は、比較例 3の傾斜角 0 と比較して大きく、従来よりも、シャープな凹凸パターンが形成されていることが分かる。産業上の利用可能性

本発明は上記のように構成したので、傾斜角の大きいシャープな凸パターンをフォトレジスト原盤、スタンパ中間体、スタンパ及びこれを利用して製造される光記録媒体での凹凸パターンをシャープに、且つ、高精細に現像工程なしで形成することができるという優れた効果を有する。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に、少なくとも光吸収層及びフォトレジスト層を、この順で形成する工程と、該フォトレジスト層に、前記光吸収層と接する面の反対の面から活性エネルギー線を照射することにより、照射部分のフォトレジストを除去して凹凸パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトレジスト原盤の製造方法。

2 . 基板上に、少なくとも光吸収層及ぴフォトレジスト層を、この順で形成する工程と、該フォトレジスト層に、前記光吸収層と接する面の反対の面から活性エネルギー線を照射することにより、照射部分のフォトレジストを除去して凹凸パターンを形成してフォトレジスト原盤を製造する工程と、前記フォトレジスト原盤における前記凹凸パターン上に金属薄膜を形成する工程と、該金属薄膜上に、電界メツキによる金属膜を形成する工程と、前記金属薄膜及び金属膜を前記フォトレジスト原盤から剥離してスタンパを形成する工程と、を有することを特徴とする光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

3 . 請求項 2において、前記凹凸パターン形成のための活性エネルギー線は、紫外領域の波長を有する電磁波であることを特徴とする光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

4 . 請求項 2において、光記録媒体製造用スタンパがディスク形状であり、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0 . 6 /i m 未満であり、前記凹凸パターンの深さを t n m、前記 Pfl凸パターンの深さ t Z 2における前記凹凸パターンの側壁面の傾斜角を θ ° としたと、前記活性エネルギー線により、 0 . 7 5 tく 0く 1 . 4 t となるように照射して、凹部を形成することを特徴とする光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

5. 請求項 3において、光記録媒体製造用スタンパがディスク形状であり、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0. 6 μ πι 未満であり、前記凹凸パターンの滦さを t nm、前記凹凸パターンの深さ tZ2における前記凹凸パターンの側壁面の傾斜角を θ ° としたとき、前記活性エネルギー線により、 0. 7 5 t < 0 < l . 4 t となるように照射して、凹部を形成することを特徴とする光記録媒体製造用スタンパの製造方法。 -

6. 金属薄膜及び金属膜からなり、予め表面に凹凸パターンが形成された光記録媒体製造用のスタンパであって、基板上に、少なくとも光吸収層及びフォトレジスト層を、この順で形成する工程と、該フォトレジスト層に、前記光吸収層と接する面の反対の面から活性エネルギー線を照射することにより、照射部分のフォトレジストを除去して凹凸パターンを形成してフォトレジスト原盤を製造する工程と、前記フォトレジスト原盤における前記凹 ώパターン上に金属薄膜を形成する工程と、該金属薄膜上に、電界メツキによる金属膜を形成する工程と、前記金属薄膜及ぴ金属膜を前記フォトレジスト原盤から剥離してスタンパを形成するェ程を経て製造されたことを特徴とするスタンパ。

7. 請求項 6において、前記凹凸パターン形成のための活性エネルギー線は、紫外領域の波長を有する電磁波であることを特徴とするスタンパ

8. 請求項 6において、光記録媒体製造用スタンパがディスク形状であり、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0.

未満であり、前記凹凸パターンの深さを t nm、前記四凸パターンの深さ tノ2における前記 M凸パターンの側壁面の傾斜角を θ ° としたとき、前記活性エネルギー線により、 0. 7 5 t < 0 < l . 4 t となるように照射して、凹部が形成されてなることを特徴とする光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

9. 請求項 7において、光記録媒体製造用スタンパがディスク形状であり、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0. 6 i m 未満であり、前記凹凸パターンの深さを t nm、前記凹 ώパターンの深さ t /2における前記囬凸パターンの側壁面の傾斜角を θ ° としたとき、前記活性エネルギー線により、 0. 7 5 ΐ < θ < 1. 4 t となるように照射して、凹部が形成されてなることを特徴とする光記録媒体製造用スタンパの製造方法。

1 0. 予め表面に凹凸パターンが形成されたディスク状光記録媒体製造用のスタンパであって、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0. 6 μ ΐη未満であり、且つ、前記凹凸パターンは、その深さを t nm、深さ t / 2における前記凹凸パターンの側壁面の傾斜角を 6° としたとき、 0. 7 5 tく 6 く 1. 4 tであることを特徴とするスタンパ。

1 1. 基板と、該基板上に積層される光吸収層と、該光吸収層に接して積層されるフォ 1、レジスト層とを有してなり、前記フォトレジスト層は活性エネルギー線の照射により一部のブォトレジストが直接除去されて形成された凹凸パターンを有してなることを特徴とするフォトレジスト原盤。

1 2 . 基板と、該基板上に積層される光吸収層と、該光吸収層に接して積層され、活性エネルギー線の照射により一部のフォトレジストが直接除去されて形成された凹凸パターンを含むフォトレジスト層と、前記凹凸パターン上に形成された金属薄膜と、この金属薄膜上に電界メツキにより形成された金属膜と、を有してなるスタンパ中間体。

1 3 . 情報ピット及びレーザービームガイド用のグループの少なくとも —方を含む HO凸パターンが形成されているディスク状光記録媒体であつて、前記凹凸パターンのディスク半径方向での形成ピッチが 0 . 6 ju m 未満であり、且つ、前記凹凸パターンは、その深さを t n m、深さ t Z 2における前記凹凸パターンの側壁面の傾斜角を 0 ° としたとき、 0 . 7 5 t < 0 < 1 . 4 tであることを特徴とする光記録媒体。

1 4 . 請求項 1 3において、基板上に、少なくとも光吸収層及びフォトレジスト層を、この順で形成する工程と、該フォトレジスト層に、前記光吸収層と接する面の反対の面から活性エネルギー線を照射することにより、照射部分のフォトレジストを除去して凹凸パターンを形成してフ .オトレジスト原盤を製造する工程と、前記フォトレジスト原盤における前記凹凸パターン上に金属薄膜を形成する工程と、該金属薄膜上に、電界メツキによる金属膜を形成する工程と、前記金属薄膜及び金属膜を前記フォトレジスト原盤から剥離してスタンパを形成する工程を経て形成されたスタンパにより製造されたことを特徴とする光記録媒体。

1 5 . 請求項 1 4において、前記凹凸パターン形成のための活性エネルギ一線は、紫外領域の波長を有する電磁波であることを特徴とする光記録媒体。