JP2010194733A - ナノインプリント用モールドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板表面に所望の形状を有するシリコン微細パターンを形成した、シリコンエッチングマスタを製造し、シリコンエッチングマスタの表面に樹脂層を形成し、樹脂層の表面を部分的に除去することによって、シリコンエッチングマスタの微細パターンの表面を露出し、露出したシリコン微細パターンをエッチングすることによって、シリコン基板上の樹脂層に所望の形状の樹脂層微細パターンを形成した複製版を製造し、複製版を用いて電鋳を行い、金属製のモールドを製造することを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
【選択図】図1
Description
101、201…シリコン微細パターン
110、210…電子線レジスト
111、211…微細レジストパターン
120、220…樹脂層
121、221…樹脂層微細パターン
130、230…電鋳金属層
131、231…金属モールド
Claims (5)
- シリコン基板表面に所望の形状を有するシリコン微細パターンを形成した、シリコンエッチングマスタを製造し、
前記シリコンエッチングマスタの表面に樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面を部分的に除去することによって、前記シリコンエッチングマスタの微細パターンの表面を露出し、
前記露出したシリコン微細パターンをエッチングすることによって、前記シリコン基板上の前記樹脂層に所望の形状の樹脂層微細パターンを形成した複製版を製造し、
前記複製版を用いて電鋳を行い、金属製のモールドを製造することを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。 - 前記シリコン微細パターンは、単結晶シリコン基板上に電子線レジストを形成し、
前記電子線レジストを選択的にパターニングして微細レジストパターンを形成し、
前記微細レジストパターンをマスクに前記単結晶シリコン基板をエッチングして形成することを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。 - 前記シリコン微細パターンは断面が逆テーパ形状であることを特徴とする請求項1又は2に記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
- 前記単結晶シリコン基板のエッチングは、反応性ドライエッチングにより行うことによって、前記シリコン微細パターンは断面が逆テーパ形状にすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
- 前記樹脂層はPMMA層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか記載のナノインプリント用モールドの製造方法。
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